JP2014533840A5 - - Google Patents
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Description
さらに別の実施例においては、方法700は、サンプル把持および加熱アセンブリ102によるサンプル200の加熱と組み合わせて、プローブヒータ822で図8に示されたプローブ816などのプローブを加熱すること(もしくは本明細書で示される其々のプローブヒータで本明細書で記述された任意のプローブを加熱すること)をさらに含む。任意で、サンプル200およびプローブ816を加熱することは、例えば、加熱されたサンプルの機械試験(例えば、プローブとサンプルとの係合、及び、サンプルの試験の一つ以上)よりも前に、サンプルおよびプローブの温度が実質的に同一であることを実質的に保証するために、ヒータ制御モジュール828によって制御される。
上記の記述は、例示的なものであって限定的なものを意図するものではない。例えば、上述された実施例(もしくはその一つ以上の態様)は、互いに組み合わせて利用されてもよい。上記の記述を再考することによって、当業者によって、他の実施形態を利用することができる。要約書は、技術的開示の本質を読者が迅速に確認することを可能とするために、37C.F.R.§1.72(b)に従うために提供される。要約書は、請求項の範囲もしくは意味を解釈するか限定するために使用されるべきではないことを理解したうえで提出される。また、上記の詳細な説明においては、種々の特徴が開示を能率化するためにグループ化されることがある。これは、請求されていない開示された特徴が任意の請求項に対して必要不可欠であることを意図するものとして解釈されるべきではない。むしろ、本発明の主題は、特定の開示された実施形態の全ての特徴よりも小さく存在することがある。したがって、以下の請求項は、実施例もしくは実施形態として詳細な説明に組み込まれ、各請求項は、個別の実施形態として他から独立し、当該実施形態は、種々の組み合わせもしくは置換においてお互いに組み合わせることができることを考慮される。本発明の範囲は、当該請求項が権利を有する均等物の全範囲に沿って、添付の請求項を参照して決定されるべきである。
(付記1)
ミクロン以下のスケールのサンプル材料の試験で使用するための試験アセンブリであって、
前記試験アセンブリは、
前記サンプル材料とプローブを加熱するように構成された加熱システムを含み、
前記加熱システムは、
第一および第二の加熱グリップを有する把持および加熱アセンブリであって、前記第一および第二の加熱グリップの各々は、
把持表面と、
前記把持表面に隣接する加熱素子であって、前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面の間に保持された前記サンプル材料を加熱するように構成された加熱素子と、
を含む、把持および加熱アセンブリと、
プローブ加熱素子を有するプローブヒータであって、前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面の間に保持された前記サンプル材料の試験用に構成されたプローブと結合され、前記プローブを加熱するように構成されたプローブヒータと、
前記把持および加熱アセンブリと結合されたステージと、
前記プローブヒータと結合された変換器アセンブリと、
を含む、
ことを特徴とする試験アセンブリ。
(付記2)
把持アセンブリソケットを有するステージアダプタをさらに含み、前記把持および加熱アセンブリは、前記把持アセンブリソケット内に支持され、前記ステージアダプタは、前記ステージと結合される、
ことを特徴とする付記1に記載の試験アセンブリ。
(付記3)
前記ステージは、回転もしくは傾斜ステージのうちの少なくとも一つを有する多自由度ステージを含み、前記ステージアダプタは、前記回転もしくは傾斜ステージのうちの一つと結合される、
ことを特徴とする付記2に記載の試験アセンブリ。
(付記4)
前記把持および加熱アセンブリは、前記第一および第二の加熱グリップ間に結合されたグリップアクチュエータを含み、前記グリップアクチュエータは、前記第一および第二の加熱グリップの片方又は双方の把持表面を相手方の把持表面に対して動かすように構成される、
ことを特徴とする付記1に記載の試験アセンブリ。
(付記5)
前記第一および第二の加熱グリップの各々は、グリップベースと、前記グリップベースと前記把持表面の間に伸長するベースネックとを含み、前記ベースネックは、前記グリップベースから遠隔に前記把持表面を配置する、
ことを特徴とする付記4に記載の試験アセンブリ。
(付記6)
前記把持および加熱アセンブリは、前記第一および第二の加熱グリップの各々の前記把持表面に隣接する温度検知素子を含む、
ことを特徴とする付記1に記載の試験アセンブリ。
(付記7)
前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面は、400℃以上の温度へと到達するように構成される、
ことを特徴とする付記1に記載の試験アセンブリ。
(付記8)
前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面は、1100℃以上の温度へと到達するように構成される、
ことを特徴とする付記1に記載の把持および加熱アセンブリ。
(付記9)
前記第一の加熱グリップと結合された少なくとも一つのグリップアームと、
前記少なくとも一つのグリップアームと結合されたグリップアクチュエータと、
をさらに含み、
前記グリップアクチュエータは、前記第二の加熱グリップの前記把持表面に向かって、前記第一の加熱グリップの前記把持表面を動かして、その間にサンプル材料を締付けるように構成される、
ことを特徴とする付記1に記載の把持および加熱アセンブリ。
(付記10)
試験用の把持および加熱アセンブリであって、
アセンブリ筐体と、
前記アセンブリ筐体と結合された第一の加熱グリップと、
前記アセンブリ筐体と結合された第二の加熱グリップと、を含み、
前記第一および第二の加熱グリップは、
把持表面であって、前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面は互いに反対である、把持表面と、
前記把持表面に隣接する加熱素子と、を各々含む、ことを特徴とする把持および加熱アセンブリ。
(付記11)
前記第一および第二の加熱グリップと結合されたグリップアクチュエータを含み、前記グリップアクチュエータは、前記他の把持表面に対して、各々の把持表面のうちの一つ以上を動かすように構成される、
ことを特徴とする付記10に記載の把持および加熱アセンブリ。
(付記12)
前記アセンブリ筐体は、対向する第一および第二のアームを有する締め付けアセンブリであって、前記第一の加熱グリップは前記第一のアームと結合され、前記第二の加熱グリップは前記第二のアームと結合される、
ことを特徴とする付記10に記載の把持および加熱アセンブリ。
(付記13)
グリップアクチュエータは、前記第一および第二のアームの各々の間に伸長し、前記グリップアクチュエータは、最初の位置と反らした位置との間に前記第一および第二のアームを動かし、前記反らした位置においては、前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面は、前記最初の位置におけるよりも互いに対してより近い、
ことを特徴とする付記12に記載の把持および加熱アセンブリ。
(付記14)
前記第一および第二の加熱グリップの各々は、グリップベースと、前記グリップベースと前記把持表面との間に伸長するベースネックとを含み、ベースネックは、前記グリップベースから遠隔に前記把持表面を配置する、
ことを特徴とする付記10に記載の把持および加熱アセンブリ。
(付記15)
前記把持表面に隣接する温度検知素子をさらに含む、
ことを特徴とする付記10に記載の把持および加熱アセンブリ。
(付記16)
前記第一および第二の加熱グリップの各々の前記把持表面は、テーパード把持表面を含み、前記第一および第二の加熱グリップの前記複数のテーパード把持表面は、サンプルの対応する複数のテーパード基板表面との噛み合わせのために構成される、
ことを特徴とする付記10に記載の把持および加熱アセンブリ。
(付記17)
前記第一および第二の加熱グリップの各々の前記把持表面は、階段状把持表面を含み、前記第一および第二の加熱グリップの前記複数の階段状把持表面は、サンプルの対応する複数の階段状基板表面との噛み合わせのために構成される、
ことを特徴とする付記10に記載の把持および加熱アセンブリ。
(付記18)
前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面は、400℃以上の温度に到達するように構成される、
ことを特徴とする付記10に記載の把持および加熱アセンブリ。
(付記19)
前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面は、1100℃以上の温度に到達するように構成される、
ことを特徴とする付記10に記載の把持および加熱アセンブリ。
(付記20)
把持アセンブリソケットを有するステージアダプタを含み、前記アセンブリ筐体は、前記把持アセンブリソケット内に支持される、
ことを特徴とする付記10に記載の把持および加熱アセンブリ。
(付記21)
ミクロン以下のスケールのサンプル材料の試験で使用するための試験アセンブリでサンプル材料を熱機械試験する方法であって、前記試験アセンブリは、
前記サンプル材料とプローブを加熱するように構成された加熱システムを含み、
前記加熱システムは、
第一および第二の加熱グリップを有する把持および加熱アセンブリであって、前記第一および第二の加熱グリップの各々は、
把持表面と、
前記把持表面に隣接する加熱素子であって、前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面の間に保持された前記サンプル材料を加熱するように構成された加熱素子と、
を含む、把持および加熱アセンブリと、
プローブ加熱素子を有するプローブヒータであって、前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面の間に保持された前記サンプル材料の試験用に構成されたプローブと結合され、前記プローブを加熱するように構成されたプローブヒータと、
前記把持および加熱アセンブリと結合されたステージと、
前記プローブヒータと結合された変換器アセンブリと、
を含み、
前記方法は、
前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面の間に前記サンプル材料を把持することを含み、前記把持および加熱アセンブリの前記第一および第二の加熱グリップの各々の前記把持表面の間に前記サンプル材料を保持することと、
前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面に隣接する加熱素子で前記サンプル材料を加熱することと、
前記プローブヒータで前記プローブを加熱することと、
前記プローブで、加熱されたサンプル材料を試験することと、
を含む、
ことを特徴とする方法。
(付記22)
前記サンプル材料を保持することは、前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面間に前記サンプル材料を把持することを含む、
ことを特徴とする付記21に記載の方法。
(付記23)
前記サンプル材料を把持することは、アセンブリ筐体の対向する第一および第二のアームを反らすことを含み、前記第一の加熱グリップは、前記第一のアームと結合され、前記第二の加熱グリップは、前記第二のアームと結合される、
ことを特徴とする付記21に記載の方法。
(付記24)
各々の把持表面は、複数のテーパード把持表面を含み、
前記サンプル材料を保持することは、前記サンプル材料の対応する複数のテーパード基板表面と前記複数のテーパード把持表面を噛み合わせることを含む、
ことを特徴とする付記21に記載の方法。
(付記25)
各々の把持表面は、複数の階段状把持表面を含み、
前記サンプル材料を保持することは、前記サンプル材料の対応する複数の階段状基板表面と前記複数の階段状把持表面を噛み合わせることを含む、
ことを特徴とする付記21に記載の方法。
(付記26)
前記サンプル材料を加熱することは、前記第一および第二の加熱グリップの各々の加熱素子の温度を実質的に同一に制御することを含む、
ことを特徴とする付記21に記載の方法。
(付記27)
前記サンプル材料を加熱することは、前記第一もしくは前記第二の加熱グリップの一方から、前記第二もしくは第一の加熱グリップの他方への熱伝達を抑制することを含む、
ことを特徴とする付記21に記載の方法。
(付記28)
前記加熱されたサンプル材料を試験する前に、前記サンプル材料および前記プローブの温度が実質的に同一になるように、前記把持および加熱アセンブリと前記プローブヒータとを制御することを含む、
ことを特徴とする付記21に記載の方法。
(付記29)
試験することは、前記プローブでの前記加熱されたサンプル材料の圧痕試験、圧縮試験、引張試験もしくは擦痕試験のうちの一つ以上を含む、
ことを特徴とする付記21に記載の方法。
(付記30)
前記試験することは、前記プローブでの前記サンプル材料の圧縮試験もしくは引張試験のうちの一つ以上を含む、
ことを特徴とする付記21に記載の方法。
(付記31)
前記プローブは把持プローブを含み、前記サンプル材料を引張試験することは、前記把持プローブで前記サンプル材料を把持することを含む、
ことを特徴とする付記30に記載の方法。
(付記32)
前記プローブは平面パンチプローブを含み、前記サンプル材料を圧縮試験することは、前記平面パンチプローブで前記サンプル材料を圧縮することを含む、
ことを特徴とする付記30に記載の方法。
(付記33)
試験することは、前記プローブで前記サンプル材料をクリープ試験することを含む、
ことを特徴とする付記21に記載の方法。
(付記34)
試験することは、前記プローブで前記サンプル材料を機械試験することを含む、
ことを特徴とする付記21に記載の方法。
(付記35)
前記加熱されたサンプル材料を試験することは、前記サンプル材料の複数のサンプル部分を試験することを含み、前記複数のサンプル部分は、サンプル基板から伸長するサンプルシャフトを各々含む、
ことを特徴とする付記21に記載の方法。
(付記36)
前記サンプル把持および加熱アセンブリをステージアダプタの把持アセンブリソケット内へ挿入することを含み、前記ステージアダプタは、前記ステージに結合される、
ことを特徴とする付記21に記載の方法。
(付記37)
前記加熱されたサンプル材料を試験することは、前記サンプル材料と電気的に連通する二つ以上の電気的接点を有する前記サンプル材料を電気試験することを含む、
ことを特徴とする付記21に記載の方法。
(付記1)
ミクロン以下のスケールのサンプル材料の試験で使用するための試験アセンブリであって、
前記試験アセンブリは、
前記サンプル材料とプローブを加熱するように構成された加熱システムを含み、
前記加熱システムは、
第一および第二の加熱グリップを有する把持および加熱アセンブリであって、前記第一および第二の加熱グリップの各々は、
把持表面と、
前記把持表面に隣接する加熱素子であって、前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面の間に保持された前記サンプル材料を加熱するように構成された加熱素子と、
を含む、把持および加熱アセンブリと、
プローブ加熱素子を有するプローブヒータであって、前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面の間に保持された前記サンプル材料の試験用に構成されたプローブと結合され、前記プローブを加熱するように構成されたプローブヒータと、
前記把持および加熱アセンブリと結合されたステージと、
前記プローブヒータと結合された変換器アセンブリと、
を含む、
ことを特徴とする試験アセンブリ。
(付記2)
把持アセンブリソケットを有するステージアダプタをさらに含み、前記把持および加熱アセンブリは、前記把持アセンブリソケット内に支持され、前記ステージアダプタは、前記ステージと結合される、
ことを特徴とする付記1に記載の試験アセンブリ。
(付記3)
前記ステージは、回転もしくは傾斜ステージのうちの少なくとも一つを有する多自由度ステージを含み、前記ステージアダプタは、前記回転もしくは傾斜ステージのうちの一つと結合される、
ことを特徴とする付記2に記載の試験アセンブリ。
(付記4)
前記把持および加熱アセンブリは、前記第一および第二の加熱グリップ間に結合されたグリップアクチュエータを含み、前記グリップアクチュエータは、前記第一および第二の加熱グリップの片方又は双方の把持表面を相手方の把持表面に対して動かすように構成される、
ことを特徴とする付記1に記載の試験アセンブリ。
(付記5)
前記第一および第二の加熱グリップの各々は、グリップベースと、前記グリップベースと前記把持表面の間に伸長するベースネックとを含み、前記ベースネックは、前記グリップベースから遠隔に前記把持表面を配置する、
ことを特徴とする付記4に記載の試験アセンブリ。
(付記6)
前記把持および加熱アセンブリは、前記第一および第二の加熱グリップの各々の前記把持表面に隣接する温度検知素子を含む、
ことを特徴とする付記1に記載の試験アセンブリ。
(付記7)
前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面は、400℃以上の温度へと到達するように構成される、
ことを特徴とする付記1に記載の試験アセンブリ。
(付記8)
前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面は、1100℃以上の温度へと到達するように構成される、
ことを特徴とする付記1に記載の把持および加熱アセンブリ。
(付記9)
前記第一の加熱グリップと結合された少なくとも一つのグリップアームと、
前記少なくとも一つのグリップアームと結合されたグリップアクチュエータと、
をさらに含み、
前記グリップアクチュエータは、前記第二の加熱グリップの前記把持表面に向かって、前記第一の加熱グリップの前記把持表面を動かして、その間にサンプル材料を締付けるように構成される、
ことを特徴とする付記1に記載の把持および加熱アセンブリ。
(付記10)
試験用の把持および加熱アセンブリであって、
アセンブリ筐体と、
前記アセンブリ筐体と結合された第一の加熱グリップと、
前記アセンブリ筐体と結合された第二の加熱グリップと、を含み、
前記第一および第二の加熱グリップは、
把持表面であって、前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面は互いに反対である、把持表面と、
前記把持表面に隣接する加熱素子と、を各々含む、ことを特徴とする把持および加熱アセンブリ。
(付記11)
前記第一および第二の加熱グリップと結合されたグリップアクチュエータを含み、前記グリップアクチュエータは、前記他の把持表面に対して、各々の把持表面のうちの一つ以上を動かすように構成される、
ことを特徴とする付記10に記載の把持および加熱アセンブリ。
(付記12)
前記アセンブリ筐体は、対向する第一および第二のアームを有する締め付けアセンブリであって、前記第一の加熱グリップは前記第一のアームと結合され、前記第二の加熱グリップは前記第二のアームと結合される、
ことを特徴とする付記10に記載の把持および加熱アセンブリ。
(付記13)
グリップアクチュエータは、前記第一および第二のアームの各々の間に伸長し、前記グリップアクチュエータは、最初の位置と反らした位置との間に前記第一および第二のアームを動かし、前記反らした位置においては、前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面は、前記最初の位置におけるよりも互いに対してより近い、
ことを特徴とする付記12に記載の把持および加熱アセンブリ。
(付記14)
前記第一および第二の加熱グリップの各々は、グリップベースと、前記グリップベースと前記把持表面との間に伸長するベースネックとを含み、ベースネックは、前記グリップベースから遠隔に前記把持表面を配置する、
ことを特徴とする付記10に記載の把持および加熱アセンブリ。
(付記15)
前記把持表面に隣接する温度検知素子をさらに含む、
ことを特徴とする付記10に記載の把持および加熱アセンブリ。
(付記16)
前記第一および第二の加熱グリップの各々の前記把持表面は、テーパード把持表面を含み、前記第一および第二の加熱グリップの前記複数のテーパード把持表面は、サンプルの対応する複数のテーパード基板表面との噛み合わせのために構成される、
ことを特徴とする付記10に記載の把持および加熱アセンブリ。
(付記17)
前記第一および第二の加熱グリップの各々の前記把持表面は、階段状把持表面を含み、前記第一および第二の加熱グリップの前記複数の階段状把持表面は、サンプルの対応する複数の階段状基板表面との噛み合わせのために構成される、
ことを特徴とする付記10に記載の把持および加熱アセンブリ。
(付記18)
前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面は、400℃以上の温度に到達するように構成される、
ことを特徴とする付記10に記載の把持および加熱アセンブリ。
(付記19)
前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面は、1100℃以上の温度に到達するように構成される、
ことを特徴とする付記10に記載の把持および加熱アセンブリ。
(付記20)
把持アセンブリソケットを有するステージアダプタを含み、前記アセンブリ筐体は、前記把持アセンブリソケット内に支持される、
ことを特徴とする付記10に記載の把持および加熱アセンブリ。
(付記21)
ミクロン以下のスケールのサンプル材料の試験で使用するための試験アセンブリでサンプル材料を熱機械試験する方法であって、前記試験アセンブリは、
前記サンプル材料とプローブを加熱するように構成された加熱システムを含み、
前記加熱システムは、
第一および第二の加熱グリップを有する把持および加熱アセンブリであって、前記第一および第二の加熱グリップの各々は、
把持表面と、
前記把持表面に隣接する加熱素子であって、前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面の間に保持された前記サンプル材料を加熱するように構成された加熱素子と、
を含む、把持および加熱アセンブリと、
プローブ加熱素子を有するプローブヒータであって、前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面の間に保持された前記サンプル材料の試験用に構成されたプローブと結合され、前記プローブを加熱するように構成されたプローブヒータと、
前記把持および加熱アセンブリと結合されたステージと、
前記プローブヒータと結合された変換器アセンブリと、
を含み、
前記方法は、
前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面の間に前記サンプル材料を把持することを含み、前記把持および加熱アセンブリの前記第一および第二の加熱グリップの各々の前記把持表面の間に前記サンプル材料を保持することと、
前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面に隣接する加熱素子で前記サンプル材料を加熱することと、
前記プローブヒータで前記プローブを加熱することと、
前記プローブで、加熱されたサンプル材料を試験することと、
を含む、
ことを特徴とする方法。
(付記22)
前記サンプル材料を保持することは、前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面間に前記サンプル材料を把持することを含む、
ことを特徴とする付記21に記載の方法。
(付記23)
前記サンプル材料を把持することは、アセンブリ筐体の対向する第一および第二のアームを反らすことを含み、前記第一の加熱グリップは、前記第一のアームと結合され、前記第二の加熱グリップは、前記第二のアームと結合される、
ことを特徴とする付記21に記載の方法。
(付記24)
各々の把持表面は、複数のテーパード把持表面を含み、
前記サンプル材料を保持することは、前記サンプル材料の対応する複数のテーパード基板表面と前記複数のテーパード把持表面を噛み合わせることを含む、
ことを特徴とする付記21に記載の方法。
(付記25)
各々の把持表面は、複数の階段状把持表面を含み、
前記サンプル材料を保持することは、前記サンプル材料の対応する複数の階段状基板表面と前記複数の階段状把持表面を噛み合わせることを含む、
ことを特徴とする付記21に記載の方法。
(付記26)
前記サンプル材料を加熱することは、前記第一および第二の加熱グリップの各々の加熱素子の温度を実質的に同一に制御することを含む、
ことを特徴とする付記21に記載の方法。
(付記27)
前記サンプル材料を加熱することは、前記第一もしくは前記第二の加熱グリップの一方から、前記第二もしくは第一の加熱グリップの他方への熱伝達を抑制することを含む、
ことを特徴とする付記21に記載の方法。
(付記28)
前記加熱されたサンプル材料を試験する前に、前記サンプル材料および前記プローブの温度が実質的に同一になるように、前記把持および加熱アセンブリと前記プローブヒータとを制御することを含む、
ことを特徴とする付記21に記載の方法。
(付記29)
試験することは、前記プローブでの前記加熱されたサンプル材料の圧痕試験、圧縮試験、引張試験もしくは擦痕試験のうちの一つ以上を含む、
ことを特徴とする付記21に記載の方法。
(付記30)
前記試験することは、前記プローブでの前記サンプル材料の圧縮試験もしくは引張試験のうちの一つ以上を含む、
ことを特徴とする付記21に記載の方法。
(付記31)
前記プローブは把持プローブを含み、前記サンプル材料を引張試験することは、前記把持プローブで前記サンプル材料を把持することを含む、
ことを特徴とする付記30に記載の方法。
(付記32)
前記プローブは平面パンチプローブを含み、前記サンプル材料を圧縮試験することは、前記平面パンチプローブで前記サンプル材料を圧縮することを含む、
ことを特徴とする付記30に記載の方法。
(付記33)
試験することは、前記プローブで前記サンプル材料をクリープ試験することを含む、
ことを特徴とする付記21に記載の方法。
(付記34)
試験することは、前記プローブで前記サンプル材料を機械試験することを含む、
ことを特徴とする付記21に記載の方法。
(付記35)
前記加熱されたサンプル材料を試験することは、前記サンプル材料の複数のサンプル部分を試験することを含み、前記複数のサンプル部分は、サンプル基板から伸長するサンプルシャフトを各々含む、
ことを特徴とする付記21に記載の方法。
(付記36)
前記サンプル把持および加熱アセンブリをステージアダプタの把持アセンブリソケット内へ挿入することを含み、前記ステージアダプタは、前記ステージに結合される、
ことを特徴とする付記21に記載の方法。
(付記37)
前記加熱されたサンプル材料を試験することは、前記サンプル材料と電気的に連通する二つ以上の電気的接点を有する前記サンプル材料を電気試験することを含む、
ことを特徴とする付記21に記載の方法。
Claims (11)
- ミクロン以下のスケールのサンプル材料の試験で使用するための試験アセンブリであって、
前記試験アセンブリは、
前記サンプル材料とプローブを加熱するように構成された加熱システムを含み、
前記加熱システムは、
第一および第二の加熱グリップを有する把持および加熱アセンブリであって、前記第一および第二の加熱グリップの各々は、
把持表面と、
前記把持表面に隣接する加熱素子であって、前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面の間に保持された前記サンプル材料を加熱するように構成された加熱素子と、
を含む、把持および加熱アセンブリと、
プローブ加熱素子を有するプローブヒータであって、前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面の間に保持された前記サンプル材料の試験用に構成されたプローブと結合され、前記プローブを加熱するように構成されたプローブヒータと、
前記把持および加熱アセンブリと結合されたステージと、
前記プローブヒータと結合された変換器アセンブリと、
を含む、
ことを特徴とする試験アセンブリ。 - 把持アセンブリソケットを有するステージアダプタをさらに含み、前記把持および加熱アセンブリは、前記把持アセンブリソケット内に支持され、前記ステージアダプタは、前記ステージと結合される、
ことを特徴とする請求項1に記載の試験アセンブリ。 - 前記把持および加熱アセンブリは、前記第一および第二の加熱グリップ間に結合されたグリップアクチュエータを含み、前記グリップアクチュエータは、前記第一および第二の加熱グリップの片方又は双方の把持表面を相手方の把持表面に対して動かすように構成される、
ことを特徴とする請求項1に記載の試験アセンブリ。 - 前記把持および加熱アセンブリは、前記第一および第二の加熱グリップの各々の前記把持表面に隣接する温度検知素子を含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の試験アセンブリ。 - 前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面は、400℃以上の温度へと到達するように構成される、
ことを特徴とする請求項1に記載の試験アセンブリ。 - ミクロン以下のスケールのサンプル材料の試験で使用するための試験アセンブリでサンプル材料を熱機械試験する方法であって、前記試験アセンブリは、
前記サンプル材料とプローブを加熱するように構成された加熱システムを含み、
前記加熱システムは、
第一および第二の加熱グリップを有する把持および加熱アセンブリであって、前記第一および第二の加熱グリップの各々は、
把持表面と、
前記把持表面に隣接する加熱素子であって、前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面の間に保持された前記サンプル材料を加熱するように構成された加熱素子と、
を含む、把持および加熱アセンブリと、
プローブ加熱素子を有するプローブヒータであって、前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面の間に保持された前記サンプル材料の試験用に構成されたプローブと結合され、前記プローブを加熱するように構成されたプローブヒータと、
前記把持および加熱アセンブリと結合されたステージと、
前記プローブヒータと結合された変換器アセンブリと、
を含み、
前記方法は、
前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面の間に前記サンプル材料を把持することを含み、前記把持および加熱アセンブリの前記第一および第二の加熱グリップの各々の前記把持表面の間に前記サンプル材料を保持することと、
前記第一および第二の加熱グリップの各々の把持表面にそれぞれ隣接する加熱素子で前記サンプル材料を加熱することと、
前記プローブヒータで前記プローブを加熱することと、
前記プローブで、加熱されたサンプル材料を試験することと、
を含む、
ことを特徴とする方法。 - 前記サンプル材料を把持することは、アセンブリ筐体の対向する第一および第二のアームを反らすことを含み、前記第一の加熱グリップは、前記第一のアームと結合され、前記第二の加熱グリップは、前記第二のアームと結合される、
ことを特徴とする請求項6に記載の方法。 - 前記サンプル材料を加熱することは、前記第一および第二の加熱グリップの各々の加熱素子の温度を実質的に同一に制御することを含む、
ことを特徴とする請求項6に記載の方法。 - 前記加熱されたサンプル材料を試験する前に、前記サンプル材料および前記プローブの温度が実質的に同一になるように、前記把持および加熱アセンブリと前記プローブヒータとを制御することを含む、
ことを特徴とする請求項6に記載の方法。 - 試験することは、前記プローブでの前記加熱されたサンプル材料の圧痕試験、圧縮試験、引張試験もしくは擦痕試験のうちの一つ以上を含む、
ことを特徴とする請求項6に記載の方法。 - 前記加熱されたサンプル材料を試験することは、前記サンプル材料と電気的に連通する二つ以上の電気的接点を有する前記サンプル材料を電気試験することを含む、
ことを特徴とする請求項6に記載の方法。
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