JP2014506001A - 高密度３次元集積コンデンサ - Google Patents

Abstract

コンポーネント１０は基板２０とコンデンサ４０とを含む。基板２０は、第１の面２１及び第２の面２２と、第１の面から延在する開口部３０とを含む。コンデンサ４０は、第１の導電性プレート６１、第２の導電性プレート６２、第３の導電性プレート７１、及び第４の導電性プレート７２を含み、各プレートは開口部３０の内面３１に沿って延びる。コンデンサ４０は、第１の位置及び第２の位置に露出した第１の電極１６３及び第２の電極１６４と、第３の位置及び第４の位置に露出した第３の電極１７３及び第４の電極１７４とを含む。第３のプレート７１は、第１のプレート６１の上に重なり第１の誘電体層８１で第１のプレートから分離できる。第２のプレート６２は、第３のプレート７１の上に重なり第２の誘電体層８２で第３のプレートから分離できる。第４のプレート７２は、第２のプレート６２の上に重なり第３の誘電体層８３で第２のプレートから分離できる。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体チップ又は特定のタイプの基板、例えば、半導体、ガラス、セラミック、又は他の比較的低いＣＴＥ材料におけるコンデンサ、及びそのようなコンデンサを作成する方法、並びにそのようなコンデンサにおいて有用なコンポーネントに関する。

［関連出願の相互参照］
本出願は、２０１０年１２月９日に出願された米国特許出願第１２／９６４，０４９号の継続出願であり、その開示内容は引用することにより本明細書の一部をなすものとする。

コンデンサは、信号ライン又は電源ラインのいずれかにおける雑音抑制に一般に用いられる。電源ラインでは、雑音抑制は、電源ラインに沿って多くのコンデンサを取り付けてインピーダンスレベルを低減することによって行うことができる。そのようなコンデンサの取り付けは、コンデンサを取り付けるコストの方がコンデンサのコストよりも高くなる可能性があることから、システムのサイズ及びコストを増大させる可能性がある。

コンデンサは、能動回路素子、すなわち「能動チップ」を有する半導体チップ上に設けることもできるし、能動チップに取り付けるための、コンデンサ、インダクタ、抵抗器等の受動回路素子を含む受動チップ上に設けることもできる。

シリコンにおける従来のコンデンサは、２つの一般的なタイプを有することができる。第１のタイプは、ＤＲＡＭチップにおける各ビット用の電荷を蓄電するのに用いられる。第２のタイプは、受動チップ上のコンデンサである。受動チップでは、非常に薄い誘電体材料が非常に高い比誘電率を有する、単一層形態又は多層形態の平面コンデンサに、主な焦点が当てられてきた。従来のコンデンサの双方のタイプは、デカップリングコンデンサの用途に適用されるときに限界を有する可能性がある。第１のタイプのコンデンサは、高い容量の用途にあまり適していない場合がある。なぜならば、そのタイプは、通常、ビットレベルで用いられることを意図しており、したがって、非常に小さなサイズを有するように意図的に設計されている。第１のタイプは、通常、デカップリングコンデンサとして十分な電流を蓄電又は供給するのに必要な特徴を欠いている。第２のタイプのコンデンサは、低いキャパシタンス密度及び低い品質係数（quality factor：Ｑ）（効率性）を有する場合がある。

マイクロエレクトロニクスチップ、半導体基板、又はガラス若しくはセラミック材料等の比較的低いＣＴＥを有する他の基板におけるコンデンサの設計には、更なる改善が望まれている。

本発明の一態様によれば、回路コンポーネント又は超小型電子素子との電気的相互接続用の電極を有するコンポーネントは、基板と、前記基板と接触して形成されている第１のコンデンサとを備えることができる。基板は、１０ｐｐｍ／℃未満の熱膨張係数を有する材料から本質的になることができる。基板は、第１の面と、該第１の面の反対側の第２の面と、該第１の面から下方に延在する開口部とを有することができる。第１のコンデンサは、第１のプレート及び第２のプレートである第１の一対の導電性プレート、並びに第３のプレート及び第４のプレートである第２の一対の導電性プレートを備えることができる。各プレートは、前記開口部の内面に沿って延在することができる。

前記第１のプレートは、前記内面の上に重なることができる。前記第３のプレートは、前記第１のプレートの上に重なることができかつ第１のコンデンサ誘電体層によって前記第１のプレートから分離することができる。前記第２のプレートは、前記第３のプレートの上に重なることができかつ第２の誘電体層によって前記第３のプレートから分離することができる。前記第４のプレートは、前記第２のプレートの上に重なることができかつ第３のコンデンサ誘電体層によって前記第２のプレートから分離することができる。第１のコンデンサは、第１の電極及び第２の電極を備えることができる。該第１の電極は、前記第１の面において第１の位置に露出することができ、前記第１の一対のプレートに電気的に接続することができる。該第２の電極は、前記第１の面及び前記第２の面のうちの一方において前記第１の位置から離間した第２の位置に露出しかつ前記第２の一対のプレートに電気的に接続することができる。第１のコンデンサは、離間した第３の位置及び第４の位置にそれぞれ露出している第３の電極及び第４の電極を備えることができる。該第３の電極は前記第１の一対のプレートに電気的に接続することができる。該第４の電極は前記第２の一対のプレートに電気的に接続することができる。

特定の実施の形態では、前記プレートのそれぞれを少なくとも１つの隣接する前記プレートから分離する各誘電体層は、少なくとも３の比誘電率ｋを有する誘電体層でありうる。一実施形態では、前記第１の一対のプレート及び前記第２の一対のプレートと前記誘電体層とによって占有されていない前記開口部の一部分を、誘電体材料で満たすことができる。例示的な実施の形態では、前記基板は、本質的に、半導体、ガラス及びセラミックからなる群から選択される１つの材料からなることができる。特定の実施の形態では、前記第１のコンデンサは、少なくとも１ピコファラッドのキャパシタンスを有することができる。一実施の形態では、前記開口部は、前記第１の面に沿った方向に少なくとも５マイクロメートルの幅を有することができる。例示的な実施の形態では、前記開口部は、前記第１の面に対して垂直の方向に少なくとも１０マイクロメートルの深さを有することができる。

一実施の形態では、前記開口部は、円錐台形状を有することができ、前記開口部の前記内面は、前記基板の第１の面に対して８０度未満の角度で延在する。特定の実施の形態では、前記第２の電極は、前記第１の面において露出することができる。例示的な実施の形態では、前記第１の一対のプレートは、前記第１の位置と前記第３の位置との間に延びる長寸法を有することができ、前記第２の一対のプレートは、前記第２の位置と前記第４の位置との間に延びる長寸法を有することができる。一実施の形態では、前記第３の電極及び前記第４の電極の、それぞれの前記第１の一対のプレート及び前記第２の一対のプレートへの前記接続は、前記第１のコンデンサのインダクタンスの低減をもたらすことができる。

例示的な実施の形態では、前記開口部は、前記第１の面に対して実質的に平行に延びる長さ寸法と、前記第１の面に対して実質的に平行にかつ前記長さ寸法に対して実質的に垂直に延びる幅寸法とを有することができ、前記長さ寸法は前記幅寸法よりも大きい。特定の実施の形態では、前記開口部は、前記第１の面に対して実質的に平行に延びる長さ寸法と、前記第１の面に対して実質的に平行にかつ前記長さ寸法に対して実質的に垂直に延びる幅寸法とを有することができ、前記長さ寸法は前記幅寸法と実質的に等しい。一実施の形態では、前記基板は、前記第１の面の反対側の第２の面を有することができ、前記開口部は、前記第１の面から前記第２の面に向かって前記基板の厚さを一部分のみ通って延在することができる。

本発明の一態様によれば、回路コンポーネント又は超小型電子素子との電気的相互接続用の電極を有するコンポーネントは、基板と、前記基板と接触して形成されている第１のコンデンサとを備えることができる。基板は、１０ｐｐｍ／℃未満の熱膨張係数を有する材料から本質的になることができる。基板は、第１の面と、該第１の面の反対側の第２の面と、該第１の面と該第２の面との間に該基板の厚さを貫通して延在する開口部とを有することができる。第１のコンデンサは、第１のプレート及び第２のプレートである第１の一対の導電性プレート、並びに第３のプレート及び第４のプレートである第２の一対の導電性プレートを備えることができる。各プレートは、前記開口部の内面に沿って延在することができる。

前記第１のプレートは、前記内面の上に重なることができる。前記第３のプレートは、前記第１のプレートの上に重なることができかつ第１のコンデンサ誘電体層によって前記第１のプレートから分離することができる。前記第２のプレートは、前記第３のプレートの上に重なることができかつ第２の誘電体層によって前記第３のプレートから分離することができる。前記第４のプレートは、前記第２のプレートの上に重なることができかつ第３のコンデンサ誘電体層によって前記第２のプレートから分離することができる。第１のコンデンサは、第１の電極及び第２の電極を備えることができる。該第１の電極は、前記第１の面において第１の位置に露出することができ、前記第１の一対のプレートに電気的に接続することができる。該第２の電極は、前記第１の面及び前記第２の面のうちの一方において露出することができ、前記第２の一対のプレートに電気的に接続することができる。

例示的な実施の形態では、前記第１の一対のプレート及び前記第２の一対のプレートは、前記第１の面と前記第２の面との間に前記開口部内を通って延在することができる。一実施の形態では、前記第１のコンデンサは、前記第２の面において露出しかつそれぞれ前記第１の一対のプレート及び前記第２の一対のプレートに電気的に接続されている第３の電極及び第４の電極を更に備えることができ、前記第２の電極は、前記第１の面において露出している。特定の実施の形態では、前記第１のコンデンサの前記第１の一対のプレート及び前記第２の一対のプレートと、第２のコンデンサの第１の一対のプレート及び第２の一対のプレートとが、前記第１の面と前記第２の面との間に前記開口部内を通って延在することができ、前記第１のコンデンサ及び前記第２のコンデンサは、前記開口部内において互いから絶縁されている。一実施の形態では、各コンデンサの前記第１の一対のプレート及び前記第２の一対のプレートは、前記第１の面の上方にも前記第２の面の下方にも延在しない場合があり、前記第２の電極は、前記第２の面において露出している。例示的な実施の形態では、前記第１のプレートは第１の金属から本質的になることができ、前記第２のプレートは前記第１の金属とは異なる第２の金属から本質的になることができる。

本発明の別の態様では、回路コンポーネント又は超小型電子素子との電気的相互接続用の電極を有するコンポーネントは、基板と、前記基板と接触して形成されているコンデンサとを備えることができる。基板は、１０ｐｐｍ／℃未満の熱膨張係数を有する材料から本質的になることができる。基板は、第１の面と、該第１の面の反対側の第２の面と、該第１の面から下方に延在する複数の開口部とを有することができる。コンデンサは、第１のプレート及び第２のプレートである第１の一対の導電性プレート、並びに第３のプレート及び第４のプレートである第２の一対の導電性プレートを備えることができる。各プレートは、各開口部の内面と、前記複数の開口部のそれぞれの間にある前記基板の部分とに沿って延在することができる。

前記第１のプレートは、前記内面の上に重なることができる。前記第３のプレートは、前記第１のプレートの上に重なることができかつ第１のコンデンサ誘電体層によって前記第１のプレートから分離することができる。前記第２のプレートは、前記第３のプレートの上に重なることができかつ第２の誘電体層によって前記第３のプレートから分離することができる。前記第４のプレートは、前記第２のプレートの上に重なることができかつ第３のコンデンサ誘電体層によって前記第２のプレートから分離することができる。コンデンサは、第１の電極及び第２の電極を備えることができる。該第１の電極は、前記第１の面において露出することができ、前記第１の一対のプレートに電気的に接続することができる。該第２の電極は、前記第１の面及び前記第２の面のうちの一方において露出することができ、前記第２の一対のプレートに電気的に接続することができる。

一実施の形態では、前記第１の一対のプレート及び前記第２の一対のプレートと前記誘電体層とによって占有されていない前記複数の開口部のそれぞれの部分を、誘電体材料で満たすことができる。例示的な実施の形態では、前記複数の開口部のそれぞれは、前記第１の面から前記第２の面に向かって前記基板の厚さを部分的にのみ通って延在する場合がある。

本発明の別の態様によれば、回路コンポーネント又は超小型電子素子との電気的相互接続用の電極を有するコンポーネントは、基板とコンデンサとを備えることができる。基板は、１０ｐｐｍ／℃未満の熱膨張係数を有する材料から本質的になることができる。該基板は、第１の面と、該第１の面の反対側の第２の面と、該第１の面に沿った方向に５マイクロメートルよりも大きい少なくとも１つの寸法を有する、該第１の面内の開口部とを有することができ、該開口部は前記第１の面から下方に延在する。コンデンサは、第１の電位及び第２の電位とそれぞれ接続可能な第１の導電性プレート及び第２の導電性プレートを備えることができる。該第１のプレート及び該第２のプレートは、前記開口部の内面に沿って延在することができる。

該第１のプレート及び該第２のプレートは、誘電体層によって互いから分離することができる。コンデンサは、第１の電極及び第２の電極を備えることができる。該第１の電極は、前記第１の面において第１の位置に露出することができ、前記第１のプレートに電気的に接続することができる。該第２の電極は、前記第１の面及び前記第２の面のうちの一方において前記第１の位置から離間した第２の位置に露出することができ、前記第２のプレートに電気的に接続することができる。コンデンサは、離間した第３の位置及び第４の位置にそれぞれ露出している第３の電極及び第４の電極を備えることができる。該第３の電極は、前記第１のプレートに電気的に接続することができる。該第４の電極は、前記第２のプレート電気的に接続することができる。

例示的な実施の形態では、前記第２の電極は、前記第１の面に露出することができる。一実施の形態では、前記第１のプレートは、前記第１の位置と前記第３の位置との間に延びる長寸法を有することができ、前記第２のプレートは、前記第２の位置と前記第４の位置との間に延びる長寸法を有することができる。

本発明の別の態様によれば、回路コンポーネント又は超小型電子素子との電気的相互接続用の電極を有するコンポーネントは、基板とコンデンサとを備えることができる。基板は、１０ｐｐｍ／℃未満の熱膨張係数を有する材料から本質的になることができる。該基板は、第１の面と、該第１の面の反対側の第２の面と、該第１の面に沿った方向に５マイクロメートルよりも大きい少なくとも１つの寸法を有する、該第１の面内の開口部とを有することができ、該開口部は前記第１の面から下方に延在する。コンデンサは、第１の電位及び第２の電位とそれぞれ接続可能な第１の導電性プレート及び第２の導電性プレートを備えることができる。第１のプレート及び該第２のプレートは、前記開口部の内面に沿って延在することができる。該第１のプレート及び該第２のプレートは、誘電体層によって互いから分離することができる。該第１のプレートは、前記基板に接地することができる。コンデンサは、第１の電極及び第２の電極を備えることができる。該第１の電極は、前記第１の面において露出することができ、前記第１のプレートに電気的に接続することができる。該第２の電極は、前記第１の面及び前記第２の面のうちの一方において露出することができ、前記第２のプレートに電気的に接続することができる。

本発明の別の態様によれば、回路コンポーネント又は超小型電子素子との電気的相互接続用の電極を有するコンポーネントは、基板とコンデンサとを備えることができる。基板は、１０ｐｐｍ／℃未満の熱膨張係数を有する材料から本質的になることができる。該基板は、第１の面と、該第１の面の反対側の第２の面と、該第１の面に沿った方向に５マイクロメートルよりも大きい少なくとも１つの寸法を有する、該第１の面内の開口部とを有することができ、該開口部は前記第１の面から下方に延在する。コンデンサは、第１の電位及び第２の電位とそれぞれ接続可能な第１の導電性プレート及び第２の導電性プレートを備えることができる。前記第１のプレートは、前記開口部の前記内面から内方に延在する前記基板の導電性部分とすることができる。前記第２のプレートは、前記開口部の内面に沿って延在することができる。前記第１のプレート及び前記第２のプレートは、誘電体層によって互いから分離することができる。コンデンサは、第１の電極及び第２の電極を備えることができる。該第１の電極は、前記第１の面において露出することができ、前記第１のプレートに電気的に接続することができる。該第２の電極は、前記第１の面及び前記第２の面のうちの一方において露出することができ、前記第２のプレートに電気的に接続することができる。

本発明の別の態様によれば、回路コンポーネント又は超小型電子素子との電気的相互接続用の電極を有するコンポーネントは、基板とコンデンサとを備えることができる。基板は、１０ｐｐｍ／℃未満の熱膨張係数を有する材料から本質的になることができる。該基板は、第１の面と、該第１の面の反対側の第２の面と、該第１の面に沿った方向に５マイクロメートルよりも大きい少なくとも１つの寸法を有する、該第１の面内の開口部と、を有することができ、該開口部は前記第１の面から下方に延在する。前記開口部は、前記第１の面と前記第２の面との間に前記基板の厚さを貫通して延在することができる。コンデンサは、第１の電位及び第２の電位とそれぞれ接続可能な第１の導電性プレート及び第２の導電性プレートを備えることができる。第１のプレート及び該第２のプレートは、前記開口部の内面に沿って延在することができる。該第１のプレート及び該第２のプレートは、誘電体層によって互いから分離することができる。コンデンサは、第１の電極及び第２の電極を備えることができる。該第１の電極は、前記第１の面において露出することができ、前記第１のプレートに電気的に接続することができる。該第２の電極は、前記第１の面及び前記第２の面のうちの一方において露出することができ、前記第２のプレートに電気的に接続することができる。

特定の実施の形態では、前記第１のプレート及び前記第２のプレートは、前記第１の面と前記第２の面との間に前記開口部内を通って延在することができる。一実施の形態では、前記コンデンサはまた、前記第２の面において露出しかつそれぞれ前記第１の一対のプレート及び前記第２の一対のプレートに電気的に接続されている第３の電極及び第４の電極を備えることができ、前記第２の電極は、前記第１の面において露出している。

本発明の更に別の態様によれば、コンデンサが、第１の面と、該第１の面から離間した第２の面と、該第１の面と該第２の面との間に延在する貫通開口部とを有する基板と、第１の金属素子及び第２の金属素子と、第１の電極及び第２の電極と、コンデンサ誘電体層とを備えることができる。前記第１の金属素子は、前記第１の面に露出することができ、前記貫通開口部内に延在することができる。前記第１の電極は、前記第１の金属素子に接続することができる。前記第２の金属素子は、前記第２の面に露出することができ、前記貫通開口部内に延在する。前記第２の電極は、前記第２の金属素子に接続することができる。前記第１の電極及び前記第２の電極は、第１の電位及び第２の電位に接続可能とすることができる。前記コンデンサ誘電体層は、少なくとも前記貫通開口部内において、前記第１の金属素子及び前記第２の金属素子を互いから分離して絶縁することができる。前記コンデンサ誘電体層は、波形の形状を有することができる。

特定の実施の形態では、前記コンデンサ誘電体層は、少なくとも３の比誘電率ｋを有することができる。例示的な実施の形態では、前記コンデンサ誘電体層の上側面及び下側面はそれぞれ、前記第１の面と前記第２の面との間の前記開口部の高さの少なくとも３倍の長さを有する。一実施の形態では、前記第１の金属素子及び前記第２の金属素子のそれぞれは、前記コンデンサ誘電体層の面の輪郭に沿う面を有することができる。特定の実施の形態では、前記第１の金属素子及び前記第２の金属素子並びに前記コンデンサ誘電体層によって占有されていない前記開口部の部分を、誘電体材料で満たすことができる。

例示的な実施の形態では、前記第１の金属素子及び前記第２の金属素子のそれぞれは、前記誘電体材料によって、隣接する第２の部分から分離されている第１の部分を有することができ、該第２の部分は、該第１の部分に対して実質的に平行である。一実施の形態では、前記第１の金属素子及び前記第２の金属素子は、それぞれの複数の第１のプレート及び第２のプレートを備えることができ、前記第１のプレート及び前記第２のプレートのそれぞれは、前記開口部内に延在する。特定の実施の形態では、前記第１のプレート及び前記第２のプレートのそれぞれは、前記第１の面に沿った方向に少なくとも５マイクロメートルの幅を有することができる。

本発明のまた別の態様によれば、コンデンサ構造体が、第１の面と、該第１の面から離れた第２の面と、該第１の面と該第２の面との間に延在する貫通開口部と、を有する基板と、第１の金属素子、第２の金属素子、第３の金属素子、及び第４の金属素子と、第１の電極、第２の電極、第３の電極、及び第４の電極と、絶縁誘電体層とを備えることができる。前記第１の金属素子及び前記第２の金属素子は、前記第１の面おいて露出することができ、前記貫通開口部内に延在することができる。第１のコンデンサ誘電体層が、少なくとも前記貫通開口部内において、前記第１の金属素子及び前記第２の金属素子を互いから分離して絶縁することができる。前記第３の金属素子及び前記第４の金属素子は、前記第２の面において露出することができ、前記貫通開口部内に延在することができる。第２のコンデンサ誘電体層が、少なくとも前記貫通開口部内において、前記第３の金属素子及び前記第４の金属素子を互いから分離して絶縁することができる。前記第１の電極、前記第２の電極、前記第３の電極、及び前記第４の電極は、それぞれの前記第１の金属素子、前記第２の金属素子、前記第３の金属素子、及び前記第４の金属素子に接続することができ、前記第１の電極及び前記第３の電極は、それぞれの第１の電位及び第２の電位に接続可能である。前記絶縁誘電体層は、少なくとも前記貫通開口部内において、前記第２の金属素子及び前記第３の金属素子を互いから分離して絶縁することができる。前記絶縁誘電体層は、波形の形状を有することができる。

一実施の形態では、前記第１の金属素子及び前記第２の金属素子並びに前記第１のコンデンサ誘電体層は、第１のコンデンサを画定することができ、前記第３の金属素子及び前記第４の金属素子並びに前記第２のコンデンサ誘電体層は、第２のコンデンサを画定することができる。特定の実施の形態では、前記第２の電極及び前記第４の電極は、それぞれの第３の電位及び第４の電位に接続可能とすることができる。例示的な実施の形態では、前記金属素子及び前記誘電体層によって占有されていない前記開口部の部分を、誘電体材料で満たすことができる。一実施の形態では、前記第１の金属素子及び第４の金属素子のそれぞれは、前記誘電体材料によって、隣接する第２の部分から分離されている第１の部分を有することができ、該第２の部分は、該第１の部分に対して実質的に平行である。

特定の実施の形態では、前記第１のコンデンサ誘電体層及び前記第２のコンデンサ誘電体層のそれぞれは、少なくとも３の比誘電率ｋを有することができる。一実施の形態では、前記開口部内における前記絶縁誘電体層の上側面及び下側面のそれぞれは、前記第１の面と前記第２の面との間の前記開口部の高さの少なくとも３倍を有する少なくとも１つの寸法を有することができる。例示的な実施の形態では、前記第１のプレート及び前記第２のプレートは、前記第１の面において露出しているそれぞれの第５の電極及び第６の電極を備えることができ、前記第３のプレート及び前記第４のプレートは、前記第２の面において露出しているそれぞれの第７の電極及び第８の電極を備えることができる。

本発明の更に別の態様によれば、回路コンポーネント又は超小型電子素子との電気的相互接続用の電極を有するコンポーネントを製造する方法は、
１０ｐｐｍ／℃未満の熱膨張係数を有する材料から本質的になる基板の第１の面から材料を除去するステップであって、前記第１の面から該第１の面の反対側の第２の面に向かって延在する複数の第１の開口部を形成し、該第１の開口部は、波形の内面を画定するステップと、
前記内面の上に重なる誘電体層を形成するステップであって、該誘電体層は、前記内面から離れる方を向いた波形の第１の面を有するステップと、
前記誘電体層の前記第１の面の上に重なりかつ前記第１の開口部のそれぞれ内に延在する第１の導電性素子を形成するステップと、
前記誘電体層の波形の第２の面を露出させるように、前記複数の第１の開口部のうちの隣接する開口部の間にある前記基板の材料を除去して、前記第２の面から前記第１の面に向かって延在する複数の第２の開口部を形成するステップと、
前記誘電体層の前記第２の面の上に重なりかつ前記第２の開口部のそれぞれ内に延在する第２の導電性素子を形成するステップと
を含みうる。

例示的な実施の形態では、本方法は、前記第１の導電性素子及び前記第２の導電性素子にそれぞれ接続される第１の電極及び第２の電極を形成するステップを更に含みうる。前記第１の電極及び前記第２の電極は、それぞれの前記第１の面及び前記第２の面において露出することができる前記第１の電極及び前記第２の電極は、それぞれの第１の電位及び第２の電位に接続可能とすることができる。一実施の形態では、前記誘電体層を形成するステップは、各第１の開口部内において露出している前記内面上への流動性誘電体材料の水溶性めっきによって実行することができる。特定の実施の形態では、本方法は、前記複数の第１の開口部のうちの隣接する開口部の間にある前記基板の材料を除去するステップの前に、材料を前記基板の前記第２の面から除去するステップを更に含むことができ、そのため、前記第１の面と前記第２の面との間の前記基板の厚さを削減する。例示的な実施の形態では、前記材料を前記基板の前記第２の面から除去するステップは、前記第１の導電性素子の面が前記第２の面において露出するように実行することができる。

特定の実施の形態では、前記第１の導電性素子を形成するステップは、複数の第１のプレートを形成することを含むことができ、第１のプレートのそれぞれは、前記第１の開口部のそれぞれ１つの内部に延在する。前記第２の導電性素子を形成するステップは、複数の第２のプレートを形成することを含むことができ、前記第２のプレートのそれぞれは、前記第２の開口部のそれぞれ１つの内部に延在する。一実施の形態では、前記誘電体層を形成するステップは、コンデンサ誘電体層を形成することができる。例示的な実施の形態では、前記誘電体層を形成するステップは、絶縁誘電体層を形成することができる。特定の実施の形態では、本方法は、少なくとも前記第１の開口部のそれぞれ内において前記第１の導電性素子の面の上に重なる第１のコンデンサ誘電体層を形成するステップと、
少なくとも前記第２の開口部のそれぞれ内において前記第２の導電性素子の面の上に重なる第２のコンデンサ誘電体層を形成するステップと、
少なくとも前記第１の開口部のそれぞれ内において前記第１のコンデンサ誘電体層の面の上に重なる第３の導電性素子を形成するステップと、
少なくとも前記第２の開口部のそれぞれ内において前記第２のコンデンサ誘電体層の面の上に重なる第４の導電性素子を形成するステップと
を更に含みうる。

一実施の形態では、本方法は、前記第３の導電性素子及び前記第４の導電性素子にそれぞれ接続されている第３の電極及び第４の電極を形成するステップを更に含みうる。前記第３の電極及び前記第４の電極は、それぞれの前記第１の面及び前記第２の面に露出することができる。前記第３の電極及び前記第４の電極は、それぞれの第３の電位及び第４の電位に接続可能とすることができる。特定の実施の形態では、本方法は、
第１の誘電体領域が、前記第１の導電性プレート及び前記第３の導電性プレート並びに前記第１のコンデンサ誘電体層によって占有されていない各第１の開口部の少なくとも一部分を満たすように、前記第３の導電性素子の上に重なる前記第１の誘電体領域を形成するステップと、
第２の誘電体領域が、前記第２の導電性プレート及び前記第４の導電性プレート並びに前記第２のコンデンサ誘電体層によって占有されていない各第２の開口部の少なくとも一部分を満たすように、前記第４の導電性素子の上に重なる前記第２の誘電体領域を形成するステップと
を更に含みうる。

本発明の更なる態様は、他の電子デバイスとともに、本発明の上述した態様によるコンデンサ構造体、本発明の上述した態様による複合チップ、又は両方を組み込んだシステムを提供する。例えば、本システムを、携帯型ハウジングとすることができる単一ハウジング内に配置することができる。本発明のこの態様の好ましい実施の形態によるシステムを、同等の従来のシステムよりも小型にすることができる。

本発明の一実施形態によるコンポーネントを示す断面図である。 図１に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図１に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図１に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図１に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図１に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 一実施形態によるコンポーネントを示す断面図である。 一実施形態によるコンポーネントを示す対応する上から見た平面図である。 別の実施形態によるコンポーネントを示す断面図である。 一実施形態によるコンポーネントを示す断面図である。 一実施形態によるコンポーネントを示す対応する上から見た平面図である。 別の実施形態によるコンポーネントを示す断面図である。 一実施形態によるコンポーネントを示す断面図である。 一実施形態によるコンポーネントを示す対応する上から見た平面図である。 一実施形態によるコンポーネントを示す断面図である。 一実施形態によるコンポーネントを示す対応する上から見た平面図である。 図７Ａ及び図７Ｂに示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図７Ａ及び図７Ｂに示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図７Ａ及び図７Ｂに示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図７Ａ及び図７Ｂに示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図７Ａ及び図７Ｂに示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図７Ａ及び図７Ｂに示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 別の実施形態によるコンポーネントを示す断面図である。 図９に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図９に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図９に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図９に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図９に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図９に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図９に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 別の実施形態によるコンポーネントを示す断面図である。 図１１に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図１１に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図１１に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図１１に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 別の実施形態によるコンデンサを示す断面図である。 図１３に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図１３に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図１３に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図１３に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図１３に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図１３に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図１３に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 別の実施形態によるコンデンサを示す断面図である。 図１５に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図１５に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図１５に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図１５に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 別の実施形態によるコンデンサを示す断面図である。 別の実施形態によるコンデンサ構造を示す断面図である。 図１８に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図１８に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図１８に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図１８に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図１８に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図１８に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図１８に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図１８に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図１８に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図１８に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図１８に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図１８に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図１８に示す本発明の実施形態による製造段階を示す断面図である。 図１、図３Ａ、及び図７Ａに示すコンポーネントに対応することができる代替的な上から見た平面図である。 図１、図３Ａ、及び図７Ａに示すコンポーネントに対応することができる代替的な上から見た平面図である。 図１、図３Ａ、及び図７Ａに示すコンポーネントに対応することができる代替的な上から見た平面図である。 図１、図３Ａ、図７Ａ、図１１、図１３、及び図１５に示すコンポーネントに対応することができる上から見た平面図である。 本発明の一実施形態によるシステムの概略図である。

コンデンサは、導体から構成することができ、導体が電流の流れに対して幅広くなるほど、インダクタンスを低くすることができる。より低いインダクタンスを達成する別の方法は、コンデンサの接地層を入出力層に比較的近接させることとすることができる。本明細書の１つ以上の実施形態におけるような２端子コンデンサでは、コンデンサにおける接地平面をトレース及び／又はビアによって外部の接地層に接続することができる。本明細書の１つ以上の実施形態に従って形成される別のタイプのコンデンサは、内部接地層を有する３端子コンデンサである。３端子コンデンサは、２端子コンデンサに比べて大きく削減されたインダクタンスを有することができ、したがって、大幅に改善された雑音除去性能を有することができる。

図１を参照すると、本発明の一実施形態によるコンポーネント１０は、基板２０と、この基板と接触して形成されているコンデンサ４０とを備える。基板２０は、平坦な第１の面２１から部分的に基板内を通って、第１の面の反対側の平坦な第２の面２２に向かって下方に延在する開口部３０を有する。コンデンサ４０は、開口部３０の内面３１及び下側面３２と第１の面２１の一部分との上に重なる絶縁誘電体層５０と、第１の一対の導電性プレート６０と、第２の一対の導電性プレート７０と、プレート６０及び７０のそれぞれを少なくとも１つの隣接するプレートから分離する複数のコンデンサ誘電体層８０とを備える。誘電体領域９０は、少なくとも開口部３０内においてプレート６０及び７０と、誘電体層５０及び８０との上に重なっている。

幾つかの実施態様では、コンポーネント１０は、半導体チップ、ウェハ、誘電体基板等とすることができる。基板２０は、好ましくは、熱膨張係数（「ＣＴＥ」）が１０×１０^−６／℃（すなわちｐｐｍ／℃）未満である。特定の実施形態では、基板２０は、７×１０^−６／℃未満のＣＴＥを有することができる。基板２０は、好ましくは、本質的に半導体、ガラス又はセラミック等の無機材料からなる。基板２０が、シリコン等の半導体から作製される実施形態では、複数の能動半導体デバイス（例えばトランジスタ、ダイオード等）を、主面２１又は第２の面２２及び／又はその下方に位置する基板２０の能動半導体領域に配置することができる。基板２０の主面２１と第２の面２２との間の厚さは、通常、２００μｍ未満であり、著しく小さく、例えば１３０μｍ、７０μｍ又は更にはそれより小さくすることができる。

図１において、第１の面２１に対して平行な方向を、本明細書では「水平」方向又は「横」方向と呼ぶのに対し、第１の面に直交する方向を、本明細書では上方向又は下方向と呼び、本明細書ではまた「垂直」方向とも呼ぶ。本明細書で言及する方向は、言及する構造体の基準系にある。したがって、これらの方向は、標準の基準系又は重力基準系に対する任意の向きに位置することができる。１つの特徴が「面の上方」に別の特徴よりも高い高さに配置されていると言う場合、それは、その１つの特徴が、その面から離れる同じ直交方向において他方の特徴よりも遠い距離にあることを意味する。逆に、１つの特徴が「面の上方」に別の特徴よりも低い高さに配置されていると言う場合、それは、その１つの特徴が、その面から離れる同じ直交方向において他方の特徴よりも近い距離にあることを意味する。

基板２０は、第１の面２１及び／又は第２の面２２の上に重なる誘電体層（図示せず）を更に備えることができる。このような誘電体層は、基板２０から導電性素子を電気的に絶縁することができる。この誘電体層を、基板２０の「パッシベーション層」と呼ぶことができる。パッシベーション層は、無機誘電材料若しくは有機誘電材料又は両方を含みうる。誘電体層は、電着したコンフォーマルコーティング又は他の誘電材料、例えば光画像形成可能なポリマ材料、例えばはんだマスク材料を含みうる。

コンポーネント１０は、基板２０と接触して形成されるとともに当該基板の第１の面２１及び／又は第２の面２２に露出している１つ以上のコンデンサ４０を備えることができる。特に図示しないが、基板２０内の能動半導体デバイスをコンデンサ４０に導電的に接続することができる。各コンデンサ４０は、１つ以上の開口部３０内に少なくとも部分的に形成することができる。

開口部３０は、例えば、（図３Ｂに示すような）円形、楕円形、正方形、長方形（すなわち、図２０Ｃに示すような溝形）、又は図２０Ａ、図２０Ｂ、及び図２０Ｄに示す他の形状を含む任意の上面視形状を有することができる。幾つかの例では、開口部３０は、例えば、中でも、円筒、立方体、角柱、又は切頭円錐形状を含む任意の３次元形状を有することができる。

開口部３０は、第１の面２１から部分的に基板２０内を通って第２の面２２に向かって延在する。開口部３０の内面３１は、第１の面２１から任意の角度で基板２０内を通って延在することができる。好ましくは、内面３１は、第１の面２１から、第１の面２１によって規定される水平面に対して０度と８０度との間の角度で延在する。内面３１は、一定の傾斜又は変化する傾斜を有することができる。例えば、内面３１が第２の面２２に向かってより深く進入するにつれて、第１の面２１によって規定される水平面に対する内面３１の角度又は傾斜の大きさを減少させる（すなわち、より小さな正の値又はより小さな負の値にする）ことができる。

絶縁誘電体層５０は、開口部３０の内面３１の上に重なり、基板２０並びに導電性プレート６０及び７０に対する良好な誘電絶縁をもたらす。絶縁誘電体層５０は、無機若しくは有機の誘電体材料又は双方を含みうる。特定の実施形態では、絶縁誘電体層５０は、コンプライアント（compliant）誘電体材料を含みうる。

第１の一対の導電性プレート６０は、絶縁誘電体層５０の上に重なる第１のプレート６１と、この第１のプレートの上に重なりかつ第１のプレートに電気的に接続されている第２のプレート６２とを含む。第１のプレート６１及び第２のプレート６２は、基板２０の第１の面２１において露出している第１の電極６３に接続することができ、第１の電極６３は、第１の電位と接続可能である。

第２の一対の導電性プレート７０は、第１のプレート６１の上に重なる第３のプレート７１と、第２のプレート６２の上に重なりかつ第３のプレートに電気的に接続されている第４のプレート７２とを含む。第３のプレート７１及び第４のプレート７２は、基板２０の第１の面２１において露出している第２の電極７３に接続することができ、第２の電極７３は、第２の電位と接続可能である。

導電性プレート６０及び７０並びに電極６３及び７３（及び本明細書に記載する他の導電性素子のうちの任意のもの）を、例えば銅又は金を含む任意の導電性金属から作製することができる。

本明細書において用いられるとき、導電性素子が基板又は基板の面の上に重なる誘電体素子の面「において露出して」いるという記述は、導電性素子が、誘電体素子の面に直交する方向において、誘電体素子の外側から誘電体素子の面に向かって移動している理論的な点に接触することができることを示す。したがって、基板の面において露出している電極又は他の導電性素子は、このような面から突出することができるか、このような面と同一平面とすることができるか、又はこのような面に対して凹状とし、基板における孔又は窪みを通して露出させることができる。

導電性素子を形成するために使用可能な本質的に任意の技法を使用して、本明細書に記載する導電性素子を形成することができるが、２０１０年７月２３日に出願された、本願と同一の所有者によって所有される米国特許出願第１２／８４２，６６９号においてより詳細に説明されているような特定の技術を採用することができる。この特許出願は、引用することにより本明細書の一部をなすものとする。このような技法は、例えば、面をレーザにより、又はフライス加工若しくはサンドブラスト加工等の機械的プロセスにより、導電性素子が面の他の部分とは異なるように形成されるべきである経路に沿って面のそれらの部分を処理するように、選択的に処理することを含みうる。例えば、レーザ又は機械的プロセスを使用して、特定の経路のみに沿って面から犠牲層等の材料を焼灼又は除去し、それによりその経路に沿って延在する溝を形成することができる。そして、溝内に触媒等の材料を堆積させることができ、溝内に１つ以上の金属層を堆積させることができる。

電極６３及び７３（及び本明細書において説明する他の電極のうちの任意のもの）のそれぞれは、例えば、図３Ｂに示すような円弧形状、円形パッド形状、楕円形状、正方形状、三角形状、又は図２０Ｄに示す形状等のより複雑な形状を含む任意の上面視形状を有することができる。電極６３及び７３のそれぞれは、例えば、切頭円錐形状の導電性ポストを含む任意の３次元形状を有することができる。２０１０年７月８日に出願された、本願と同一の所有者によって所有される米国特許出願第１２／８３２，３７６号に示し記載されているように、導電性ポストの例を使用することができる。

電極６３及び７３（又は本明細書において説明する他の電極のうちの任意のもの）のそれぞれとコンポーネント１０の外部のコンポーネントとの間の接続は、導体塊（conductive masse）（図示せず）を通じて行うことができる。このような導体塊は、比較的に溶融温度が低い可溶金属、例えば、はんだ、錫、又は複数の金属を含む共融混合物を含みうる。代替的に、このような導体塊は、湿潤性金属、例えば銅、又ははんだ若しくは別の可溶金属よりも溶融温度の高い他の貴金属若しくは非貴金属を含みうる。このような湿潤性金属を、対応する特徴、例えば相互接続素子の可溶金属の特徴と接合することができる。特定の実施形態では、このような導体塊は、媒体内に散在する導電性材料、例えば導電性ペースト、例えば金属充填ペースト、はんだ充填ペースト、又は等方性導電性接着剤若しくは異方性導電性接着剤を含みうる。

複数のコンデンサ誘電体層８０は、プレート６０及び７０のそれぞれを少なくとも１つの隣接するプレートから分離している。各コンデンサ誘電体層８０（及び本明細書において説明する他のコンデンサ誘電体層の全て）は、少なくとも３の比誘電率ｋを有することができる。図１に示す実施形態では、コンデンサ誘電体層８０の第１のコンデンサ誘電体層８１は、第１のプレート６１の上に重なり、この第１のプレートと第３のプレート７１との間に延在する。コンデンサ誘電体層８０の第２のコンデンサ誘電体層８２は、第３のプレート７１の上に重なり、この第３のプレートと第２のプレート６２との間に延在する。コンデンサ誘電体層８０の第３のコンデンサ誘電体層８３は、第２のプレート６２の上に重なり、この第２のプレートと第４のプレート７２との間に延在する。

図示した実施形態では、誘電体領域９０は、少なくとも開口部３０内においてプレート６０及び７０と誘電体層５０及び８０との上に重なっている。誘電体領域９０は、基板２０に対する良好な誘電絶縁をもたらすことができる。誘電体領域９０は、コンプライアントとすることができ、弾性係数と厚さとの積がコンプライアンシ（compliancy）を提供するような十分低い弾性係数及び十分な厚さを有する。

図示した実施形態では、誘電体領域９０の外側面９１は、基板２０の第１の面２１によって規定される平面の上方に位置している。他の実施形態（図示せず）では、誘電体領域９０の外側面９１は、基板２０の第１の面２１によって規定される平面に位置することもできるし、この誘電体領域の外側面は、基板の第１の面によって規定される平面の下方に陥凹することもできる。

次に、図２Ａ〜図２Ｅを参照して、コンポーネント１０（図１）を製造する方法を説明する。図２Ａに示すように、第１の面２１から基板２０の第２の面２２に向かって下方に延在する開口部３０を形成することができる。第１の面２１の残りの部分を温存することが所望されている場合には、マスク層を形成した後、例えば、基板２０を選択的にエッチングすることによって開口部３０を形成することができる。例えば、フォトイメージャブル（photoimageable）層、例えば、フォトレジスト層を堆積させ、パターニングして第１の面２１の或る部分のみを覆うことができ、その後、時限エッチングプロセスを行って開口部３０を形成することができる。

第１の面２１から第２の面２２に向かって下方に延在する開口部３０の内面３１は、傾斜させることができ、すなわち、図２Ａに示すように露出面に対して法線角（直角）以外の角度で延在することができる。ウェットエッチングプロセス、例えば、中でも、等方性エッチングプロセスとテーパブレードを用いたソーイングとを用いて、傾斜した内面３１を有する凹部３０を形成することができる。中でも、レーザアブレーション、機械的フライス加工、化学エッチング、プラズマエッチング、微細研磨粒子のジェットを基板２０に向かって誘導することを用いて、傾斜した内面３１を有する凹部３０（又は本明細書において説明する他の任意の孔若しくは開口部）を形成することもできる。

代替的に、開口部３０の内面は、傾斜する代わりに、第１の面２１から下方に、露出面に対して実質的に直角である、垂直又は実質的に垂直の方向に延在することができる。異方性エッチングプロセス、レーザアブレーション、機械的除去プロセス、例えば、中でも、フライス加工、超音波加工、微細研磨粒子のジェットを基板２０に向かって誘導することを用いて、本質的に垂直の内面を有する凹部３０を形成することができる。

その後、図２Ｂに示すように、絶縁誘電体層５０を、開口部３０の内面３１及び下側面３２と基板２０の第１の面２１の一部分との上に形成する。様々な方法を使用して、誘電体層５０を形成することができる。一例では、流動性誘電材料が、基板２０の第１の面２１に施され、その後、流動性材料は、「スピンコーディング」操作中に、露出面にわたってより均一に分散され、そして、加熱を含みうる乾燥サイクルが続く。別の例では、誘電体材料の熱可塑性フィルムを、第１の面２１に施すことができ、その後、アセンブリは加熱されるか、又は真空環境で、すなわち周囲圧力未満の環境に配置されて加熱される。別の例では、蒸着を用いて、誘電体層５０を形成することができる。

更に別の例では、基板２０を含むアセンブリを誘電体堆積浴に浸漬して、コンフォーマル誘電体コーティング又は誘電体層５０を形成することができる。本明細書において用いられるとき、「コンフォーマルコーティング」は、絶縁誘電体層５０が開口部部３０の内面３１の輪郭に沿う場合等、コーティングされている面の輪郭に沿う特定の材料のコーティングである。例えば電気泳動堆積法又は電解堆積法を含む電気化学堆積法を使用して、コンフォーマル誘電体層５０を形成することができる。

一例では、電気泳動堆積法を用いてコンフォーマル誘電体コーティングを形成することができ、それにより、コンフォーマル誘電体コーティングは、アセンブリの露出した導電性面及び半導性面上にのみに堆積する。堆積中、半導体デバイスウェハは所望の電位で保持され、浴を異なる望ましい電位で保持するために、浴内に電極が浸漬される。そして、限定されないが開口部部３０の内面３１に沿って、導電性又は半導性である基板の露出面に、電着したコンフォーマル誘電体層５０を形成するために十分な時間、アセンブリは、適切な条件下で浴内に保持される。電気泳動堆積は、それによってコーティングされるべき面と浴との間に十分に強力な電場が維持される限り発生する。電気泳動的に堆積したコーティングは、その堆積物のパラメータ、例えば電圧、濃度等によって決まる或る特定の厚さに達した後に堆積を停止するという点で自己限定的である。

電気泳動堆積は、アセンブリの導電性及び／又は半導性外面に連続的かつ均一な厚さのコンフォーマルコーティングを形成する。加えて、電気泳動コーティングは、その誘電（非導電）特性に起因して、基板２０の第１の面２１の上に重なる残りのパッシベーション層の上に生じないように堆積することができる。言い換えれば、電気泳動堆積の特性は、その誘電特性が与えられると、誘電体材料の層に十分な厚さがある場合、電気泳動堆積が、導体の上に重なる誘電体材料の層の上に生じないということである。通常、電気泳動堆積は、約１０マイクロメートルを超え数１０マイクロメートルまでの厚さの誘電体層の上では発生しない。コンフォーマル誘電体層５０を、陰極エポキシ堆積前駆体から形成することができる。代替的に、ポリウレタン又はアクリル堆積前駆体を使用することができる。以下の表１に、種々の電気泳動コーティング前駆体組成及び供給業者を列挙する。

別の例では、誘電体層を電解により形成することができる。このプロセスは、電気泳動堆積法に類似しているが、堆積した層の厚さが、それが形成される導電性又は半導性面に近接していることによって制限されない。このように、電解堆積誘電体層を、要件に基づいて選択される厚さになるように形成することができ、処理時間は、達成される厚さの係数である。

その後、図２Ｃに示すように、第１の導電性プレート６１を、この導電性の第１のプレートの形状が内面３１及び下側面３２の輪郭に沿うように、少なくとも開口部３０内において絶縁誘電体層５０の上に重ねて形成することができる。第１のプレート６１（及び本明細書において説明する他の導電性素子のうちの任意のもの）を形成するために、例示的な方法は、基板２０及び開口部３０の露出面上への１次金属層のスパッタリング、めっき、又は機械的堆積のうちの１つ以上のものによって金属層を堆積させることを伴う。機械的堆積は、コーティングされる面上に加熱された金属粒子の流れを高速で向けることを含みうる。このステップを、例えばブランケット堆積により、第１の面２１、並びに内面３１及び下面３２に対して行うことができる。一実施形態では、主金属層は、アルミニウムを含むか又は本質的にアルミニウムからなる。別の特定の実施形態では、主金属層は、銅を含むか又は本質的に銅からなる。更に別の実施形態では、主金属層は、チタンを含むか又は本質的にチタンからなる。第１のプレート６１（及び本明細書において説明する他の導電性素子のうちの任意のもの）を形成するプロセスにおいて、１つ以上の他の例示的な金属を用いることができる。特定の例では、複数の金属層を含む積層体を上述した面のうちの１つ以上の面上に形成することができる。例えば、このような積層金属層としては、例えば、チタンの層及びそれに続くチタンの上に重なる銅の層（Ｔｉ−Ｃｕ）、ニッケルの層及びそれに続くニッケル層の上に重なる銅の層（Ｎｉ−Ｃｕ）、同様に設けられるニッケル−チタン−銅の積層体（Ｎｉ−Ｔｉ−Ｃｕ）、又はニッケル−バナジウムの積層体（Ｎｉ−Ｖ）を挙げることができる。

その後、図２Ｄに示すように、第１のコンデンサ誘電体層８１を第１の導電性プレート６１の上に重ねて形成することができ、第３の導電性プレート７１を第１のコンデンサ誘電体層の上に重ねて形成することができる。第１のコンデンサ誘電体層８１は、絶縁誘電体層５０に関して上述した方法と同様の方法で形成することができる。第３の導電性プレート７１は、第１の導電性プレート６１に関して上述した方法と同様の方法で形成することができる。

その後、図２Ｅに示すように、第２のコンデンサ誘電体層８２を第３の導電性プレート７１の上に重ねて形成することができ、第２の導電性プレート６２を第２のコンデンサ誘電体層の上に重ねて形成することができ、第３のコンデンサ誘電体層８３を第２の導電性プレートの上に重ねて形成することができ、第４の導電性プレート７２を第３のコンデンサ誘電体層の上に重ねて形成することができる。第２のコンデンサ誘電体層８２及び第３のコンデンサ誘電体層８３は、絶縁誘電体層５０に関して上述した方法と同様の方法で形成することができる。第２の導電性プレート６２及び第４の導電性プレート７２は、第１の導電性プレート６１に関して上述した方法と同様の方法で形成することができる。

第２の導電性プレート６２は、その側方部分６６が第１のコンデンサ誘電体層８１の側方縁８４及び第２のコンデンサ誘電体層８２の側方縁８５を越えて側方に延在するように形成することができ、そのため、この側方部分６６が第１のプレート６１の側方部分６５と接触し、それによって、第１の電極６３が形成される。第４の導電性プレート７２は、その側方部分７６が第２のコンデンサ誘電体層８２の側方縁８６及び第３のコンデンサ誘電体層８３の側方縁８７を越えて側方に延在するように形成することができ、そのため、この側方部分７６が第３のプレート７１の側方部分７５と接触し、それによって、第２の電極７３が形成される。

図１を再び参照すると、その後、誘電体領域９０を、開口部３０の内部に形成するとともに基板２０の第１の面２１の上に部分的に重ねて形成することができる。誘電体領域９０は、無機材料、ポリマ材料、又は双方を含みうる。任意選択的に、誘電体領域９０は、この領域の露出している外側面９１が基板２０の第１の面２１と同一平面又は実質的に同一平面となるように形成することができる。例えば、自己平坦化誘電体材料を、例えば、吐出プロセス又はステンシル（stenciling）プロセスによって開口部３０内に堆積させることができる。別の例では、誘電体領域を形成した後、誘電体領域の外側面を平坦化するように、研削プロセス、ラッピングプロセス、又は研磨プロセスを誘電体層９０の外側面９１に適用することができる。第１の電極６３及び第２の電極７３がこの誘電体領域の外側面９１において露出するように、誘電体領域９０を堆積させることができる。

図３Ａ及び図３Ｂは、代替の電極構成を有する、図１〜図２Ｅのコンポーネントの一変形形態を示している。コンポーネント１１０は、当該コンポーネント１１０が４つの電極を備えることを除いて、上述したコンポーネント１０と同様である。第１の導電性プレート１６１及び第２の導電性プレート１６２は、基板１２０の第１の面１２１において露出している第１の電極１６３及び第２の電極１６４に接続することができ、これらの第１の電極及び第２の電極は、第１の電位と接続可能である。第１の一対のプレート１６０は、第１の電極１６３の位置（location）と第２の電極１６４の位置との間に延びる長寸法Ｌ１を有することができる。第３の導電性プレート１７１及び第４の導電性プレート１７２は、基板１２０の第１の面１２１において露出している第３の電極１７３及び第４の電極１７４に接続することができ、これらの第３の電極及び第４の電極は、第２の電位と接続可能である。第２の一対のプレート１７０は、第３の電極１７３の位置と第４の電極１７４の位置との間に延びる長寸法Ｌ２を有することができる。

図４は、代替の構成を有する、図３Ａ及び図３Ｂのコンポーネントの一変形形態を示している。コンポーネント１１０’は、当該コンポーネント１１０’が複数の開口部１３０ａ及び１３０ｂ（一括して開口部１３０と呼ぶ）にわたって延在することを除いて、上述したコンポーネント１１０と同様である。第１の一対のプレート１６０’及び第２の一対のプレート１７０’のそれぞれは、各開口部１３０の内面１３１及び下側面１３２に沿って延在するとともに、開口部のそれぞれの間にある基板１２０の第１の面１２１の部分１２３に沿って延在する。

第３の導電性プレート１７１’及び第４の導電性プレート１７２’は、基板１２０の第１の面１２１において露出している第３の電極１７３’及び第４の電極１７４’に接続することができ、これらの第３の電極及び第４の電極は、第２の電位と接続可能である。第２の一対のプレート１７０’は、第３の電極１７３’の位置と第４の電極１７４’の位置との間に、開口部１３０ａ及び１３０ｂを横切るとともに開口部１３０間にある基板１２０の一部分１２３を横切って延びる長寸法Ｌ２’を有することができる。

図３Ａ及び図３Ｂに示すコンポーネント１１０と同様に、第１の電極及び第２の電極は、図４に示す側面断面図には見ることができない場合がある。なぜならば、第１の一対のプレート１６０’は、第１の電極の位置と第２の電極の位置との間に、第２の一対のプレート１７０’の長寸法Ｌ２’に対して実質的に垂直の方向に延びる長寸法を有することができるからである。

図５Ａ及び図５Ｂを参照すると、本発明の一実施形態によるコンポーネント２１０は、基板２２０と、この基板と接触して形成されているコンデンサ２４０とを備える。基板２２０は、第１の面２２１から部分的に基板内を通って、第１の面の反対側の第２の面２２２に向かって下方に延在する開口部２３０を有する。コンデンサ２４０は、開口部２３０の内面２３１の上に重なる絶縁誘電体層２５０と、この絶縁誘電体層の上に重なる第１の導電性プレート２６０と、第２の導電性プレート２７０と、これらの第１のプレート及び第２のプレートを互いから分離するコンデンサ誘電体層２８０とを備える。誘電体領域（図示せず）が、任意選択的に、少なくとも開口部２３０内においてプレート２６０及び２７０と誘電体層２５０及び２８０との上に重なることができる。開口部２３０は、好ましくは、基板２２０の第１の面２２１に沿った方向に５マイクロメートルよりも大きな幅Ｗを有する。

この実施形態では、第１のプレート２６０は、基板２２０の第１の面２２１において露出している第１の電極２６３及び第２の電極２６４に接続することができ、これらの第１の電極及び第２の電極は、第１の電位と接続可能である。第２のプレート２７０は、基板２２０の第１の面２２１において露出している第３の電極２７３及び第４の電極２７４に接続することができ、これらの第３の電極及び第４の電極は、第２の電位と接続可能である。第１のプレート２６０は、第１の電極２６３の位置と第２の電極２６４の位置との間に延びる長寸法Ｌ３を有することができる。第２のプレート２７０は、第３の電極２７３の位置と第４の電極２７４の位置との間に延びる長寸法Ｌ４を有することができる。

図５Ｃは、代替の構成を有する、図５Ａ及び図５Ｂのコンポーネントの一変形形態を示している。コンポーネント２１０’は、第１のプレート２６０’が基板２２０に接地されるように当該基板と接触して形成されていることを除いて、上述したコンポーネント２１０と同様である。図５Ｃに示す実施形態では、第１のプレート２６０’と内面２３１及び下側面２３２との間に延在する絶縁誘電体層がない。第１のプレート２６０’及び第２のプレート２７０’は、コンデンサ誘電体層２８０’によって互いから分離して絶縁することができる。

図６Ａ及び図６Ｂは、代替の構成を有する、図５Ｃのコンポーネントの一変形形態を示している。コンポーネント２１０’’は、第１のプレート２６０’’が開口部２３０の内面２３１及び／又は下側面２３２から内方に延在する基板２２０’’の導電性部分であることを除いて、上述したコンポーネント２１０’と同様である。図６Ａ及び図６Ｂに示す実施形態では、第１のプレート２６０’’は、基板２２０’’の、開口部２３０の内面２３１及び／又は下側面２３２に隣接する部分をドープすることによって形成することができる。特定の例では、シリコン等の半導体から作製された基板２２０’’に、例えば、ホウ素又はヒ素をドープして、導電性の第１のプレート２６０’’を作り出すことができる。第１のプレート２６０’’及び第２のプレート２７０’’は、コンデンサ誘電体層２８０’’によって互いから分離して絶縁することができる。

図７Ａを参照すると、本発明の一実施形態によるコンポーネント３１０は、基板３２０と、この基板と接触して形成されているコンデンサ３４０とを備える。基板３２０は、平坦な第１の面３２１と、この第１の面の反対側の平坦な第２の面３２２との間に基板を貫通して延在する貫通開口部３３０を有する。コンデンサ３４０は、開口部３３０の内面３３１と第１の面３２１の一部分及び第２の面３２２の一部分との上に重なる絶縁誘電体層３５０と、第１の一対の導電性プレート３６０と、第２の一対の導電性プレート３７０と、これらのプレート３６０及び３７０のそれぞれを少なくとも１つの隣接するプレートから分離する複数のコンデンサ誘電体層３８０とを備える。誘電体領域３９０は、少なくとも開口部３３０内においてプレート３６０及び３７０と誘電体層３５０及び３８０との上に重なっている。

基板３２０は、図１〜図２Ｅを参照して上記に開示した基板２０と同様である。コンポーネント３１０は、基板３２０と接触して形成されて基板の第１の面３２１及び／又は第２の面３２２において露出している１つ以上のコンデンサ３４０を備えることができる。特に図示しないが、基板３２０内の能動半導体デバイスをコンデンサ３４０に導電的に接続することができる。各コンデンサ３４０は、１つ以上の貫通開口部３３０内に少なくとも部分的に形成することができる。

貫通開口部３３０は、例えば、（図７Ｂに示すような）円形、楕円形、正方形、長方形（すなわち、図２０Ｃに示すような溝形）、又は図２０Ａ、図２０Ｂ、及び図２０Ｄに示す他の形状を含む任意の上面視形状を有することができる。幾つかの例では、貫通開口部３３０は、例えば、中でも、円筒、立方体、角柱、又は切頭円錐形状を含む任意の３次元形状を有することができる。

貫通開口部３３０の内面３３１は、第１の面３２１から任意の角度で基板３２０を貫通して延在することができる。好ましくは、内面３３１は、第１の面３２１から、この第１の面によって規定される水平面に対してほぼ９０度で延在する。貫通開口部３３０は、内面３３１が第１の面３２１及び第２の面３２２と接続する箇所に丸い縁３３３を有するが、他の実施形態では、縁３３３は、代替的に、面取りすることもできるし、実質的に直角とすることもできる。内面３３１は、一定の傾斜又は変化する傾斜を有することができる。例えば、内面３３１が第２の面３２２に向かってより深く進入するにつれて、第１の面３２１によって規定される水平面に対する内面３３１の角度又は傾斜の大きさを減少させる（すなわち、より小さな正の値又はより小さな負の値にする）ことができる。

図１に示す絶縁誘電体層５０と同様に、絶縁誘電体層３５０は、貫通開口部３３０の内面３３１と第１の面３２１の一部分及び第２の面３２２の一部分との上に重なって、基板３２０と導電性プレート３６０及び３７０とに対する良好な誘電絶縁をもたらす。

第１の一対の導電性プレート３６０は、絶縁誘電体層３５０の上に重なる第１のプレート３６１と、この第１のプレートの上に重なりかつ第１のプレートに電気的に接続されている第２のプレート３６２とを含む。第１のプレート３６１及び第２のプレート３６２は、基板３２０の第１の面３２１において露出している第１の電極３６３及び第２の電極３６４にそれぞれ接続することができ、第１の電極及び第２の電極は、第１の電位と接続可能である。

第２の一対の導電性プレート３７０は、第１のプレート３６１の上に重なる第３のプレート３７１と、第２のプレート３６２の上に重なりかつ第３のプレートに電気的に接続されている第４のプレート３７２とを含む。第３のプレート３７１及び第４のプレート３７２は、基板３２０の第２の面３２２において露出している第３の電極３７３及び第４の電極３７４にそれぞれ接続することができ、第３の電極及び第４の電極は、第２の電位と接続可能である。

複数のコンデンサ誘電体層３８０は、プレート３６０及び３７０のそれぞれを少なくとも１つの隣接するプレートから分離している。図７Ａに示す実施形態では、コンデンサ誘電体層３８０のうちの第１のコンデンサ誘電体層３８１は、第１のプレート３６１の上に重なり、この第１のプレートと第３のプレート３７１との間に延在する。コンデンサ誘電体層３８０のうちの第２のコンデンサ誘電体層３８２は、第３のプレート３７１の上に重なり、この第３のプレートと第２のプレート３６２との間に延在する。コンデンサ誘電体層３８０のうちの第３のコンデンサ誘電体層３８３は、第２のプレート３６２の上に重なり、この第２のプレートと第４のプレート３７２との間に延在する。

図１に示す誘電体領域９０と同様に、誘電体領域３９０は、少なくとも貫通開口部３３０内においてプレート３６０及び３７０と誘電体層３５０及び３８０との上に重なっている。誘電体領域３９０は、基板３２０に対する良好な誘電絶縁をもたらすことができる。

図７Ａに示すように、誘電体領域３９０の第１の外側面３９１は、基板３２０の第１の面３２１によって規定される平面の上方に位置し、誘電体領域の第２の外側面３９２は、基板３２０の第２の面３２２によって規定される平面の上方に位置している。他の実施形態（図示せず）では、誘電体領域３９０の外側面３９１及び３９２は、基板３２０の第１の面３２１及び第２の面３２２によって規定されるそれぞれの平面に位置することもできるし、誘電体領域のこれらの外側面は、基板の第１の面及び第２の面によって規定される平面の下方に陥凹することもできる。

図７Ａに示すように、コンデンサ３４０は、第１の面３２１において露出しかつ第１の一対のプレート３６０に接続されている第１の電極３６３及び第２の電極３６４と、第２の面３２２において露出しかつ第２の一対のプレート３７０に接続されている第３の電極３７３及び第４の電極３７４とを有することができる。これらの第１の電極及び第２の電極は、第１の電位と接続可能であり、これらの第３の電極及び第４の電極は、第２の電位と接続可能である。

図７Ｂに示す特定の実施形態では、コンデンサ３４０は、第１の面３２１において露出しかつ第２の一対のプレート３７０に接続されている第５の電極３７５及び第６の電極３７６を更に備えることができ、第２の一対のプレートは、第１の面３２１及び第２の面３２２のそれぞれおいて露出している分離した一対の電極に接続されるようになっている。これらの第５の電極及び第６の電極は、第２の電位と接続可能である。コンデンサ３４０は、第２の面３２２において露出しかつ（図７Ｂに示す構成と同様の構成の）第１の一対のプレート３６０に接続されている第７の電極及び第８の電極（図示せず）を更に備えことができ、第１の一対のプレートは、第１の面３２１及び第２の面３２２のそれぞれにおいて露出している分離した一対の電極に接続することができるようになっている。これらの第７の電極及び第８の電極は、第１の電位と接続可能である。

第１の面３２１において、第１の一対のプレート３６０は、第１の電極３６３の位置と第２の電極３６４の位置との間に第１の面に沿って延びる長寸法Ｌ５を有することができ、第２の一対のプレート３７０は、第５の電極３７５の位置と第６の電極３７６の位置との間に第１の面に沿って延びる長寸法Ｌ６を有することができ、長寸法Ｌ５及びＬ６は、互いにほぼ垂直である。第２の面３２２において、第２の一対のプレート３７０は、第３の電極３７３の位置と第４の電極３７４の位置との間に第２の面に沿って延びる長寸法Ｌ７を有することができ、第１の一対のプレート３６０は、第７の電極の位置と第８の電極の位置との間に第２の面に沿って延びるとともに長寸法Ｌ７に対してほぼ垂直である長寸法（図示しないが、図７Ｂに示す長寸法Ｌ６と同様である）を有することができる。

図７Ａ及び図７Ｂに示すように、コンポーネント３１０は、貫通開口部３３０内を通って基板３２０と接触して形成されている単一のコンデンサ３４０を備え、それによって、第１の一対のプレート３６０及び第２の一対のプレート３７０は、貫通開口部の内面３３１の周囲に延在する。例えば、第１の一対のプレート３６０及び第２の一対のプレート３７０は、円形又は楕円形の断面形状を有する開口部３３０の周囲に延在する環状の形状を有することができる。

特定の実施形態では、コンポーネント３１０は、第１の独立したコンデンサ３４０及び第２の独立したコンデンサ３４０を備えることができ、各コンデンサは、このコンポーネントのそれぞれの領域Ａ又はＢを含み、絶縁誘電体領域３９０がそれらの間に延在する。２つの独立したコンデンサを有するそのようなコンポーネントでは、第１のコンデンサのプレート３６０及び３７０は、それらの２つのコンデンサ間に延在する絶縁された間隙によって第２のコンデンサのプレート３６０及び３７０から分離することができる。例えば、そのような２コンデンサコンポーネントは、図２０Ａ〜図２０Ｃのうちの１つによる上面図を有することができ、この上面図において、開口部の両側部に位置している第１のコンデンサと第２のコンデンサとの間には間隙（この間隙の正確な位置は図７Ａでは見えない）がある。

次に、図８Ａ〜図８Ｆを参照して、コンポーネント３１０（図７Ａ及び図７Ｂ）を製造する方法を説明する。図８Ａに示すように、第１の面３２１から第２の面３２２に向かって、又は第２の面から第１の面に向かって基板３２０の厚さを貫通して延在する貫通開口部３３０を形成することができる。貫通開口部３３０は、図２Ａに関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。

その後、図８Ｂに示すように、絶縁誘電体層３５０を、貫通開口部３３０の内面３３１と基板３２０の第１の面３２１の一部分及び第２の面３２２の一部分との上に形成する。絶縁誘電体層３５０は、図２Ｂに関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。

その後、図８Ｃに示すように、導電性の第１のプレートの輪郭が、内面３３１の輪郭と、第１の面３２１の一部分及び第２の面３２２の一部分の輪郭とに一致するように、第１の導電性プレート３６１を、少なくとも貫通開口部３３０内において絶縁誘電体層３５０の上に重ねて形成することができる。第１のプレート３６１は、図２Ｃに関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。

その後、図８Ｄに示すように、第１のコンデンサ誘電体層３８１を第１の導電性プレート３６１の上に重ねて形成することができ、第３の導電性プレート３７１を第１のコンデンサ誘電体層の上に重ねて形成することができる。第１のコンデンサ誘電体層３８１は、絶縁誘電体層５０（図２Ｂ）に関して上述したのと同様の方法を用いて形成することができる。第３の導電性プレート３７１は、第１の導電性プレート６１（図２Ｃ）に関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。図８Ｅ（図８Ｄに対応する１つの可能な上面図の実施形態）に見て取ることができるように、円形断面を有する内面３３１の周りに延在する環状の形状を有する第１のプレート３６１及び第３のプレート３７１を形成することができる。

図８Ｆは、代替のコンデンサ構成を第２の面３２２に有する、図８Ｄの部分的に形成されているコンポーネントの一変形形態を示している。図８Ｆに見ることができるコンポーネント３１０’の断面図では、第１の導電性プレート３６１’は、第１の面３２１及び第２の面３２２の上にそれぞれ重なる第１のコンデンサ誘電体層３８１’の側方縁３８４’及び３８５’を越えて延在する。第３の導電性プレート３７１’は、側方縁３８４’及び３８５’を越えて延在せず、そのため、第１の面３２１に沿って延びる第１のプレート３６１’の長寸法Ｌ５’は、第２の面３２２に沿って延びる第１のプレートの長寸法Ｌ８とほぼ同じ垂直平面に位置することができる。そのような実施形態では、第１の一対のプレートに接続されている第１の電極、第２の電極、第７の電極、及び第８の電極は、同じ垂直平面に位置することができる。

その後、図７Ａを再び参照すると、第２のコンデンサ誘電体層３８２を第３の導電性プレート３７１の上に重ねて形成することができ、第２の導電性プレート３６２を第２のコンデンサ誘電体層の上に重ねて形成することができ、第３のコンデンサ誘電体層３８３を第２の導電性プレートの上に重ねて形成することができ、第４の導電性プレート３７２を第３のコンデンサ誘電体層の上に重ねて形成することができる。第２のコンデンサ誘電体層３８２及び第３のコンデンサ誘電体層３８３は、絶縁誘電体層５０（図２Ｂ）に関して上述したのと同様の方法を用いて形成することができる。第２の導電性プレート３６２及び第４の導電性プレート３７２は、第１の導電性プレート６１（図２Ｃ）に関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。

その後、誘電体領域３９０を、貫通開口部３３０の内部に形成するとともに第１の面３２１及び第２の面３２２の上に部分的に重ねて形成することができる。誘電体領域３９０は、無機材料、ポリマ材料、又は双方を含みうる。誘電体領域３９０は、誘電体領域９０（図１）に関して上述したのと同様の方法を用いて形成することができる。誘電体領域３９０は、第１の電極３６３、第２の電極３６４、第５の電極３７５、及び第６の電極３７６が誘電体領域の第１の外側面３９１において露出するとともに第３の電極３７３及び第４の電極３７４並びに第７の電極及び第８の電極（図７Ａ及び図７Ｂに図示せず）が第２の外側面３９２において露出するように堆積させることができる。

図９を参照すると、本発明の一実施形態によるコンポーネント４１０は、基板４２０と、この基板と接触して形成されているコンデンサ４４０ａ及び４４０ｂ（一括してコンデンサ４４０）とを備える。基板４２０は、平坦な第１の面４２１と、この第１の面の反対側の平坦な第２の面４２２との間に基板を貫通して延在する貫通開口部４３０ａ及び４３０ｂ（一括して貫通開口部４３０）を有する。各コンデンサ４４０は、対応する開口部４３０の内面４３１と第１の面４２１の一部分及び第２の面４２２の一部分との上に重なる絶縁誘電体層４５０と、第１の一対の導電性プレート４６０と、第２の一対の導電性プレート４７０と、プレート４６０及び４７０のそれぞれを少なくとも１つの隣接するプレートから分離する複数のコンデンサ誘電体層４８０とを備える。誘電体領域４９０は、少なくとも各対応する開口部４３０内においてプレート４６０及び４７０と誘電体層４５０及び４８０との上に重なっている。

基板４２０は、図１〜図２Ｅを参照して上記に開示した基板２０と同様である。各貫通開口部４３０は、図７Ａ〜図８Ｆを参照して上記に開示した貫通開口部３３０と同様である。各それぞれの貫通開口部４３０の内面４３１は、第１の面４２１から任意の角度で基板４２０を貫通して延在することができる。好ましくは、内面４３１は、第１の面４２１から、第１の面によって規定される水平面に対してほぼ９０度で延在する。貫通開口部４３０は、内面４３１が第１の面４２１及び第２の面４２２と接続する箇所に実質的に直角の縁４３３を有するが、他の実施形態では、縁４３３は、代替的に面取りすることもできるし、丸みを付けることもできる。内面４３１は、一定の傾斜又は変化する傾斜を有することができる。例えば、内面４３１が第２の面４２２に向かってより深く進入するにつれて、第１の面４２１によって規定される水平面に対する内面４３１の角度又は傾斜の大きさを減少させる（すなわち、より小さな正の値又はより小さな負の値にする）ことができる。

図１に示す絶縁誘電体層５０と同様に、各絶縁誘電体層４５０は、それぞれの貫通開口部４３０の内面４３１と第１の面４２１の一部分及び第２の面４２２の一部分との上に重なり、基板４２０と導電性プレート４６０及び４７０とに対する良好な誘電絶縁をもたらす。

第１の一対の導電性プレート４６０は、絶縁誘電体層４５０の上に重なる第１のプレート４６１と、この第１のプレートの上に重なる第２のプレート４６２とを含む。基板４２０の第１の面４２１において、第１のプレート４６１は、第１の面において露出している第１の電極４６３ａ及び第２の電極４６４ａに接続することができ、これらの第１の電極及び第２の電極は、第１の電位と接続可能である。第２のプレート４６２は、第１の面４２１において露出しかつ第１の電位と接続可能である第３の電極４６３ｂ及び第４の電極４６４ｂに接続することができる。基板４２０の第２の面４２２において、第１のプレート４６１は、第２の面において露出している第５の電極４６５ａ及び第６の電極４６６ａにも接続することができ、これらの第５の電極及び第６の電極は、第１の電位と接続可能である。第２のプレート４６２は、第２の面４２２において露出しかつ第１の電位と接続可能である第７の電極４６５ｂ及び第８の電極４６６ｂにも接続することができる。

図９に示していないが、第１の一対の導電性プレート４６０は、例えば、第１の電極４６３ａと第３の電極４６３ｂとを接合して単一の電極にすることによって、及び／又は第２の電極４６４ａと第４の電極４６４ｂとを接合して単一の電極にすることによって、及び／又は第５の電極４６５ａと第７の電極４６５ｂとを接合して単一の電極にすることによって、及び／又は第６の電極４６６ａと第８の電極４６６ｂとを接合して単一の電極にすることによって、互いに電気的に接続することができる。

第２の一対の導電性プレート４７０は、第１のプレート４６１の上に重なる第３のプレート４７１と、第２のプレート４６２の上に重なる第４のプレート４７２とを含む。基板４２０の第１の面４２１において、第３のプレート４７１は、第１の面に露出している第９の電極４７３ａ及び第１０の電極４７４ａに接続することができ、これらの第９の電極及び第１０の電極は、第２の電位と接続可能である。第４のプレート４７２は、第１の面４２１に露出しかつ第２の電位と接続可能である第１１の電極４７３ｂ及び第１２の電極４７４ｂに接続することができる。基板４２０の第２の面４２２において、第３のプレート４７１は、第２の面に露出している第１３の電極４７５ａ及び第１４の電極４７６ａにも接続することができ、これらの第１３の電極及び第１４の電極は、第２の電位と接続可能である。第４のプレート４７２は、第２の面４２２に露出しかつ第２の電位と接続可能である第１５の電極４７５ｂ及び第１６の電極４７６ｂにも接続することができる。

図９には示していないが、第２の一対の導電性プレート４７０は、例えば、第９の電極４７３ａと第１１の電極４７３ｂとを接合して単一の電極にすることによって、及び／又は第１０の電極４７４ａと第１２の電極４７４ｂとを接合して単一の電極にすることによって、及び／又は第１３の電極４７５ａと第１５の電極４７５ｂとを接合して単一の電極にすることによって、及び／又は第１４の電極４７６ａと第１６の電極４７６ｂとを接合して単一の電極にすることによって、互いに電気的に接続することができる。

複数のコンデンサ誘電体層４８０は、プレート４６０及び４７０のそれぞれを少なくとも１つの隣接するプレートから分離している。コンデンサ誘電体層４８０のうちの第１のコンデンサ誘電体層４８１は、第１のプレート４６１の上に重なり、この第１のプレートと第３のプレート４７１との間に延在する。コンデンサ誘電体層４８０のうちの第２のコンデンサ誘電体層４８２は、第３のプレート４７１の上に重なり、この第３のプレートと第２のプレート４６２との間に延在する。コンデンサ誘電体層４８０のうちの第３のコンデンサ誘電体層４８３は、第２のプレート４６２の上に重なり、この第２のプレートと第４のプレート４７２との間に延在する。

図１に示す誘電体領域９０と同様に、各誘電体領域４９０は、少なくともそれぞれの貫通開口部４３０内においてプレート４６０及び４７０と誘電体層４５０及び４８０との上に重なっている。各誘電体領域４９０は、基板４２０に対する良好な誘電絶縁をもたらすことができる。

図８Ｅに示すコンポーネント３１０’と同様に、第１の導電性プレート４６１は、第１の面４２１の上に重なる第１のコンデンサ誘電体層４８１の側方縁４８４ａ及び４８４ｂを越えて延在し、第１の導電性プレートは、第２の面４２２の上に重なる第１のコンデンサ誘電体層の側方縁４８５ａ及び４８５ｂを越えて延在する。第３の導電性プレート４７１は、側方縁４８４ａ、４８４ｂ、４８５ａ、及び４８５ｂを越えて延在せず、そのため、第１の面４２１に沿って延在する第１のプレート４６１の長寸法Ｌ９は、第２の面４２２に沿って延在する第１のプレートの長寸法Ｌ１０とほぼ同じ垂直平面に位置することができる。同様に、第２の導電性プレート４６２、第３の導電性プレート４７１、及び第４の導電性プレート４７２のそれぞれは、対応する上に重なる誘電体層４８２若しくは４８３又は上に重なる誘電体領域４９０のそれぞれの側方縁を越えて延在し、そのため、第１の面及び第２の面に沿って延在する各プレートの長寸法は、ほぼ同じ垂直平面に位置することができる。そのような実施形態では、第１の一対のプレートに接続されている第１の電極４６３ａ〜第８の電極４６６ｂ及び／又は第２の一対のプレートに接続されている第９の電極４７３ａ〜第１６の電極４７６ｂは、同じ垂直平面に位置することができる。代替的に、第１の電極〜第１６の電極４６３ａ〜４６６ｂ及び４７３ａ〜４７６ｂのうちの任意のもの又はそれらの電極のそれぞれは、当該第１の電極〜第１６の電極のうちの他の任意のものに対して個々の垂直平面に位置することができる。

図９に示すように、コンポーネント４１０は、各対応する貫通開口部４３０ａ及び４３０ｂ内を通って基板４２０と接触して形成されている１つのコンデンサ４４０ａ及び１つのコンデンサ４４０ｂを備え、それによって、各コンデンサの第１の一対のプレート４６０及び第２の一対のプレート４７０は、対応する貫通開口部の内面４３１の周囲に延在する。例えば、第１の一対のプレート４６０及び第２の一対のプレート４７０は、円形又は楕円形の断面形状を有する開口部４３０の周囲に延在する環状の形状を有することができる。

特定の実施形態では、コンポーネント４１０は、単一の貫通開口部４３０ａ内を通って延在する第１の独立したコンデンサ４４０ａ及び第２の独立したコンデンサ４４０ａを備えることができ、各コンデンサは、このコンポーネントのそれぞれの領域Ｃ又はＤを含み、絶縁誘電体領域４９０がそれらの間に延在する。単一の貫通開口部４３０ａ内を通って延在する２つの独立したコンデンサを有するそのようなコンポーネントでは、第１のコンデンサのプレート４６０及び４７０は、それらの２つのコンデンサ間に延在する絶縁された間隙によって第２のコンデンサのプレート４６０及びプレート４７０から分離することができる。例えば、そのような２コンデンサコンポーネントは、図２０Ａ〜図２０Ｃのうちの１つによる上面図を有することができ、この上面図において、開口部３３０ａの両側部に位置している第１のコンデンサと第２のコンデンサとの間には間隙（この間隙の正確な位置は図９では見えない）がある。

次に、図１０Ａ〜図１０Ｇを参照して、コンポーネント４１０（図９）を製造する方法を説明する。図１０Ａに示すように、第１の面４２１から第２の面４２２に向かって又は第２の面から第１の面に向かって基板４２０の厚さを貫通して延在する貫通開口部４３０ａ及び４３０ｂを形成することができる。貫通開口部４３０は、図２Ａに関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。

その後、図１０Ｂに示すように、各貫通開口部４３０の内面４３１上と、貫通開口部４３０ａと４３０ｂとの間の第１の面に沿った部分４２３及び第２の面に沿った部分４２４を含む、基板４２０の第１の面４２１の一部分及び第２の面４２２の一部分の上とに絶縁誘電体層４５０を形成する。絶縁誘電体層４５０は、図２Ｂに関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。

その後、図１０Ｃに示すように、第１のプレートの輪郭が、内面４３１の輪郭と、第１の面４２１の一部分及び第２の面４２２の一部分の輪郭とに一致するように、第１の導電性プレート４６１を、少なくとも貫通開口部４３０内において絶縁誘電体層４５０の上に重ねて形成することができる。第１のプレート４６１は、図２Ｃに関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。

その後、図１０Ｄに示すように、第１のコンデンサ誘電体層４８１を第１の導電性プレート４６１の上に重ねて形成することができる。第１のコンデンサ誘電体層４８１は、絶縁誘電体層５０（図２Ｂ）に関して上述したのと同様の方法を用いて形成することができる。その後、図１０Ｅに示すように、第３の導電性プレート４７１を第１のコンデンサ誘電体層４８１の上に重ねて形成することができる。第３の導電性プレート４７１は、第１の導電性プレート６１（図２Ｃ）に関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。

その後、図１０Ｆに示すように、第２のコンデンサ誘電体層４８２を第３の導電性プレート４７１の上に重ねて形成することができ、第２の導電性プレート４６２を第２のコンデンサ誘電体層の上に重ねて形成することができ、第３のコンデンサ誘電体層４８３を第２の導電性プレートの上に重ねて形成することができ、第４の導電性プレート４７２を第３のコンデンサ誘電体層の上に重ねて形成することができる。第２のコンデンサ誘電体層４８２及び第３のコンデンサ誘電体層４８３は、絶縁誘電体層５０（図２Ｂ）に関して上述したのと同様の方法を用いて形成することができる。第２の導電性プレート４６２及び第４の導電性プレート４７２は、第１の導電性プレート６１（図２Ｃ）に関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。

その後、図１０Ｇに示すように、材料の一部分を第１のプレート４６０及び第２のプレート４７０と誘電体層４５０及び４８０とから除去することによって、第１の電極〜第１６の電極４６３ａ〜４６６ｂ及び４７３ａ〜４７６ｂ（又はそれぞれの電極に接続することができる第１のプレート４６０及び第２のプレート４７０の側方縁）を露出させることができる。材料の残りの部分を温存することが所望されている場合には、マスク層を形成した後、例えば、第１のプレート４６０及び第２のプレート４７０と誘電体層４５０及び４８０とを選択的にエッチングすることによって、対象部分の材料を除去することができる。対象部分の材料は、代替的に、基板２０（図２Ａ）からの材料の除去に関して上述した方法と同様の方法を用いて除去することができる。好ましい実施形態では、第１の電極〜第１６の電極４６３ａ〜４６６ｂ及び４７３ａ〜４７６ｂは、例えば、ほぼ４５度等の、前面４２１及び背面４２２に対して０度と９０度との間のそれぞれの角度αに沿って露出させることができる。角度αが４５度である例では、第１の電極〜第１６の電極４６３ａ〜４６６ｂ及び４７３ａ〜４７６ｂのそれぞれは、それぞれの第１の面４２１又は第２の面４２２から離れる方を向いた露出した外側面４０１を有することができる。

その後、図９を再び参照すると、誘電体領域４９０を、各貫通開口部４３０の内部に形成するとともに第１の面４２１及び第２の面４２２の上に部分的に重ねて形成することができる。誘電体領域４９０は、無機材料、ポリマ材料、又は双方を含みうる。誘電体領域４９０は、誘電体領域９０（図１）に関して上述したのと同様の方法を用いて形成することができる。誘電体領域４９０は、第１の電極４６３ａ〜第４の電極４６４ｂ及び第９の電極４７３ａ〜第１２の電極４７４ｂが誘電体領域の第１の外側面４９１において露出するとともに、第５の電極４６５ａ〜第８の電極４６６ｂ及び第１３の電極４７５ａ〜第１６の電極４７６ｂが第２の外側面４９２において露出するように堆積させることができる。

図１１を参照すると、本発明の一実施形態によるコンポーネント５１０は、基板５２０と、この基板と接触して形成されているコンデンサ５４０ａ及び５４０ｂ（一括してコンデンサ５４０）とを備える。基板５２０は、平坦な第１の面５２１と、この第１の面の反対側の平坦な第２の面５２２との間に基板を貫通して延在する貫通開口部５３０ａ及び５３０ｂ（一括して貫通開口部５３０）を有する。各コンデンサ５４０は、対応する開口部５３０の内面５３１と第１の面５２１の一部分及び第２の面５２２の一部分との上に重なる絶縁誘電体層５５０と、第１の一対の導電性プレート５６０と、第２の一対の導電性プレート５７０と、プレート５６０及び５７０のそれぞれを少なくとも１つの隣接するプレートから分離する複数のコンデンサ誘電体層５８０とを備える。誘電体領域５９０は、プレート５６０及び５７０並びに誘電体層５５０及び５８０によって占有されていない、各対応する開口部５３０内の残りの容積を占有する。

基板５２０、各貫通開口部５３０、各それぞれの貫通開口部の内面５３１、絶縁誘電体層５５０、及び複数のコンデンサ誘電体層５８０は、図９〜図１０Ｇを参照して上記に開示したコンポーネント４１０の対応する要素と同様である。

第１の一対の導電性プレート５６０は、それぞれの開口部５３０内において絶縁誘電体層５５０の上に重なる第１のプレート５６１と、この第１のプレートの上に重なる第２のプレート５６２とを含む。基板５２０の第１の面５２１において、第１の一対のプレート５６０は、第１の面に露出している単一の第１の電極５６３に接続することができ、この第１の電極は第１の電位と接続可能である。第１の電極５６３は、任意選択的に、第１の面に露出している複数の電極とすることができ、そのため、第１の電極の、内面５３１間に延在する部分は、コンデンサ５４０の外部の別の要素との相互接続用に露出している箇所を除いて、上に重なる誘電体層によって覆うことができる。

第２の一対の導電性プレート５７０は、第１のプレート５６１の上に重なる第３のプレート５７１と、第２のプレート５６２の上に重なる第４のプレート５７２とを含む。基板５２０の第２の面５２２において、第２の一対のプレート５７０は、第２の面に露出している単一の第２の電極５７３に接続することができ、この第２の電極は第２の電位と接続可能である。第２の電極５７３は、任意選択的に、第２の面に露出している複数の電極とすることができ、そのため、第２の電極の、内面５３１間に延在する部分は、コンデンサ５４０の外部の別の要素との相互接続用に露出している箇所を除いて、上に重なる誘電体層によって覆うことができる。

各誘電体領域５９０は、プレート５６０及び５７０並びに誘電体層５５０及び５８０によって占有されていない、対応する開口部５３０内の残りの容積を占有する。各誘電体領域５９０は、第４のプレート５７２と第１の電極５６３との間の良好な誘電絶縁をもたらすことができる。

コンポーネント５１０は、複数の誘電体部分５９３ａ及び５９３ｂ（一括して誘電体部分５９３）を更に備え、各誘電体部分５９３ａは、対応する第１のプレート５６０のそれぞれの遠位縁５６９と第２の電極５７３との間に延在し、各誘電体部分５９３ｂは、対応する第２のプレート５７０のそれぞれの遠位縁５７９と第１の電極５６３との間に延在する。

１つの実施形態では、第１の一対のプレート５６０及び第２の一対のプレート５７０は、円形又は楕円形の断面形状を有する対応する開口部５３０の周りに延在する環状の形状を有することができる。特定の実施形態では、コンポーネント５１０は、単一の貫通開口部５３０ａ内を通って延在する第１の一対のプレート５６０及び第２の一対のプレート５７０の２つのセットを備えることができ、第１の一対のプレート及び第２の一対のプレートの各セットは、コンポーネントのそれぞれの領域Ｅ又はＦを含み、絶縁誘電体領域５９０がそれらの間に延在する。

次に、図１２Ａ〜図１２Ｄを参照して、コンポーネント５１０（図１１）を製造する方法を説明する。このコンポーネント５１０を製造する方法は、図１０Ａ〜図１０Ｆに示すコンポーネント４１０に関して上述したステップを用いて開始することができる。その後、図１２Ａに示すように、第１の一対のプレート５６０及び第２の一対のプレート５７０と、誘電体層５５０及び５８０と、誘電体領域５９０とを、基板５２０の第１の面５２１及び第２の面５２２とともに平坦化することができる。例えば、第１の面５２１及び第２の面５２２の研削、ラッピング、若しくは研磨、又はそれらの組み合わせを用いてコンポーネント５１０を平坦化することができる。

その後、図１２Ｂに示すように、第１の一対のプレート及び第２の一対のプレートからそれぞれの第２の面及び第１の面に隣接する材料の一部分を除去することによって、第１の一対のプレート５６０の遠位縁５６９及び第２の一対のプレート５７０の遠位縁５７９を、基板５２０のそれぞれの第２の面５２２及び第１の面５２１によって規定される平面の下方に部分的に陥凹させることができ、それによって、遠位縁５６９及び５７９とそれぞれの第２の面及び第１の面との間に延在する複数の凹部５９４を形成する。対象部分の材料は、例えば、第１のプレート５６０及び第２のプレート５７０を選択的にエッチングすることによって除去することができる。対象部分の材料は、代替的に、基板２０（図２Ａ）からの材料の除去に関して上述した方法と同様の方法を用いて除去することができる。

第２の電極５７３が後に第２の面（図１１）に形成されているときに、第１の一対のプレートがこの第２の電極と接触しないように、第１の一対のプレート５６０の遠位縁５６９を第２の面５２２の下方に陥凹させることができ、第１の電極５６３が後に第１の面（図１１）に形成されているときに、第２の一対のプレートがこの第１の電極と接触しないように、第２の一対のプレート５７０の遠位縁５７９を第１の面５２１の下方に陥凹させることができる。

その後、図１２Ｃに示すように、誘電体部分５９３をそれぞれの凹部５９４内にそれぞれ形成することができ、これらの誘電体部分を、基板５２０の第１の面５２１及び第２の面５２２とともに平坦化することができる。例えば、第１の面５２１及び第２の面５２２の研削、ラッピング、若しくは研磨、又はそれらの組み合わせを用いて誘電体部分５９３を平坦化することができる。代替的に、自己平坦化誘電体材料を用いて誘電体部分５９３を形成することができる。

その後、図１２Ｄに示すように、絶縁誘電体層５５０の、図１２Ａに示すステップ中に除去されている場合がある部分を、貫通開口部５３０ａと５３０ｂとの間にある第１の面に沿った部分５２３及び第２の面に沿った部分５２４を含む、基板５２０の第１の面５２１の一部分及び第２の面５２２の一部分の上に再形成することができる。絶縁誘電体層５５０のこれらの部分は、例えば、図２Ｂに関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。

その後、図１１を再び参照すると、第１の電極５６３及び第２の電極５７３を、基板５２０のそれぞれの第１の面５２１及び第２の面５２２において形成することができる。第１の電極５６３は、当該第１の電極が第１の一対のプレート５６０に接続されるが、複数の誘電体部分５９３ｂによって第２の一対のプレート５７０の遠位端５７９から離間するように、第１の面５２１において形成することができる。第２の電極５７３は、当該第２の電極が第２の一対のプレート５７０に接続されるが、複数の誘電体部分５９３ａによって第１の一対のプレート５６０の遠位端５６９から離間するように、第２の面５２２において形成することができる。第１の電極５６３及び第２の電極５７３のそれぞれは、それらの電極が、貫通開口部５３０ａと５３０ｂとの間にある基板５２０の部分５２３及び５２４の上に少なくとも部分的に重なるように、形成することができる。第１の電極５６３及び第２の電極５７３は、例えば、図２Ｃに関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。

図１３を参照すると、本発明の一実施形態によるコンポーネント６１０は、基板６２０と、この基板と接触して形成されているコンデンサ６４０とを備える。基板６２０は、平坦な第１の面６２１と、この第１の面の反対側の平坦な第２の面６２２との間に基板を貫通して延在する貫通開口部６３０を有する。コンデンサ６４０は、開口部６３０の基板境界面６３１（すなわち内面）と第１の面６２１の一部分及び第２の面６２２の一部分との上に重なる絶縁誘電体層６５０と、第１の導電性素子６６０及び第２の導電性素子６７０（すなわち第１の金属素子及び第２の金属素子）と、これらの第１の導電性素子と第２の導電性素子とを分離する、波形の形状を有するコンデンサ誘電体層６８０とを備える。

基板６２０、貫通開口部６３０、この貫通開口部の基板境界面６３１（すなわち内面）、及び絶縁誘電体層６５０は、図９〜図１０Ｇを参照して上記に開示したコンポーネント４１０の対応する要素と同様である。

第１の導電性素子６６０は、開口部６３０内において絶縁誘電体層６５０の上に重なる垂直に延在する第１の複数のプレート６６１を備える。基板６２０の第１の面６２１において、第１の複数のプレート６６１は、第１の面に露出している単一の第１の電極６６３に接続することができ、この第１の電極は第１の電位と接続可能である。第１のプレート６６１のそれぞれは、第１の面６２１に沿った方向に少なくとも５マイクロメートルの幅を有することができる。第１の電極６６３は、任意選択的に、第１の面に露出している複数の電極とすることができ、そのため、第１の電極の、これらの複数の電極間に延在する部分は、コンデンサ６４０の外部の別の要素との相互接続用に露出している箇所を除いて、上に重なる誘電体層によって覆うことができる。

第２の導電性素子６７０は、複数の垂直に延在する第２のプレート６７１を備え、各第２のプレートは、第１のプレート６６１の隣接するプレート間に延在する。基板６２０の第２の面６２２において、第２の複数のプレート６７１は、第２の面に露出している単一の第２の電極６７３に接続することができ、この第２の電極は第２の電位と接続可能である。第２のプレート６７１のそれぞれは、第１の面６２１に沿った方向に少なくとも５マイクロメートルの幅を有することができる。第２の電極６７３は、任意選択的に、第２の面において露出している複数の電極とすることができ、そのため、第２の電極の、これらの複数の電極間に延在する部分は、コンデンサ６４０の外部の別の要素との相互接続用に露出している箇所を除いて、上に重なる誘電体層によって覆うことができる。

コンデンサ誘電体層６８０は、第１の導電性素子６６０と第２の導電性素子６７０とを互いから分離して絶縁することができる。コンデンサ誘電体層６８０は、少なくとも開口部６３０内において形状を有することができる。「波形」形状を有するコンデンサ誘電体層は、本明細書において用いられるとき、誘電体層が波形形状を有することを意味し、そのため、波形の方向（例えば、図１３における「Ｘ」方向）に対して平行な仮想線６０１は、誘電体層と少なくとも３回交差する。特定の実施形態では、コンデンサ誘電体層６８０の波形の第１の面６３６及び波形の第２の面６３８（及び本明細書において説明する他の波形の誘電体層）はそれぞれ、第１の面６２１と第２の面６２２との間の開口部６３０の高さＨの少なくとも３倍の、それぞれの面に沿った長さを有する。

１つの実施形態では、第１の複数のプレート６６１及び第２の複数のプレート６７１は、円形又は楕円形の断面形状を有する開口部６３０内において延在する環状の形状を有することができる。特定の実施形態では、第１の複数のプレート６６１及び第２の複数のプレート６７１は、互いに実質的に平行にかつ正方形又は長方形の断面形状を有する開口部６３０の基板境界面６３１に対して実質的に平行に延在する平坦な形状を有することができる。

次に、図１４Ａ〜図１４Ｇを参照して、コンポーネント６１０（図１３）を製造する方法を説明する。図１４Ａに示すように、材料を基板６２０の第１の面６２１から除去して、この第１の面から第２の面６２２に向かって延在する複数の第１の開口部６３４を形成することができる。これらの第１の開口部は、波形の内面６３５及び基板境界面６３１を画定する。基板境界面６３１には、後に貫通開口部６３０（図１３）の境界を形成することになる第１の開口部６３４内における露出面である部分が画定される。第１の開口部６３４は、図２Ａに関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。

その後、図１４Ｂに示すように、絶縁誘電体層６５０及びコンデンサ誘電体層６８０を形成する。絶縁誘電体層６５０は、基板境界面６３１と第１の面６２１の或る部分との上に重ねて形成され、コンデンサ誘電体層６８０は、波形の内面６３５の上に重ねて形成される。コンデンサ誘電体層６８０は、内面６３５から離れる方を向いた波形の第１の面６３６を有する。誘電体層６５０及び６８０は、図２Ｂに関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。特定の実施形態では、誘電体層６５０及び６８０は、例えば、単一の形成プロセス中に同じ誘電体材料から作製することができる。別の実施形態では、誘電体層６５０及び６８０は、例えば、別々の形成プロセス中に異なる誘電体材料から作製することができる。

その後、図１４Ｃに示すように、第１の導電性素子６６０を、波形の第１の面６３６の上に重ねるとともに第１の開口部６３４のそれぞれ内に延在させて形成することができる。第１の導電性素子６６０は、第１の複数の垂直に延在するプレート６６１と第１の電極６６３とを備えることができ、この第１の電極は、第１の面６２１において露出している。第１の導電性素子６６０は、図２Ｃに関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。

その後、図１４Ｄに示すように、第１の面６２１と第２の面６２２との間の基板６２０の厚さを削減することができ、それによって、第１の複数のプレート６６１の遠位縁６６９を露出させる。第２の面６２２の研削、ラッピング、若しくは研磨、又はそれらの組み合わせを用いて、基板６２０の厚さを削減することができる。このステップの間、一例として、基板６２０の初期の厚さＴ１（図１４Ｃに示す）を約７００μｍであるその厚さから約１３０μｍ以下の厚さＴ２（図１４Ｄに示す）に削減することができる。

その後、複数の第２の開口部６３７（図１４Ｆ）を形成することが所望されている場合には、図１４Ｅに示すように、第２の面の一部分を除いて、絶縁誘電体層６５０の追加部分６５１を第２の面６２２の上に重ねて形成することができる。絶縁誘電体層６５０の追加部分６５１は、図２Ｂに関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。

その後、図１４Ｆに示すように、材料を基板６２０の第２の面６２２から除去して、コンデンサ誘電体層６８０の波形の第２の面６３８を露出させることができ、それによって、この第２の面から第１の面６２１に向かって延在する複数の第２の開口部６３７を形成する。第２の開口部６３７は、図２Ａに関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。

その後、図１４Ｇに示すように、コンデンサ誘電体層６８０の追加部分６８１を、第１の複数のプレート６６１の遠位縁６６９の上に重ねて形成することができる。誘電体層６８０のこれらの追加部分は、図２Ｂに関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。

その後、図１３を再び参照すると、第２の導電性素子６７０を、コンデンサ誘電体層６８０の第２の面６３８の上に重ねるとともに第２の開口部６３７のそれぞれ内に延在させて形成することができる。第２の導電性素子６７０は、第２の複数の垂直に延在するプレート６７１と第２の電極６７３とを備えることができ、この第２の電極は、第２の面６２２において露出している。第２の導電性素子６７０は、図２Ｃに関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。

図１５は、代替の構成を有する、図１３のコンポーネントの一変形形態を示している。コンポーネント６１０’は、当該コンポーネント６１０’が、第１の複数の垂直に延在するプレート６６１’を有する第１の導電性素子６６０’を備えることを除いて、上述したコンポーネント６１０と同様である。これらの第１の複数のプレートのそれぞれは、第２の面６２２の下方に陥凹する丸い遠位縁６６９’を有する。

次に、図１６Ａ〜図１６Ｄを参照して、コンポーネント６１０’（図１５）を製造する方法を説明する。このコンポーネント６１０’を製造する方法は、図１４Ａ〜図１４Ｃに示すコンポーネント６１０に関して上述したステップによって開始することができる。その後、図１６Ａに示すように、第１の面６２１と第２の面６２２との間の基板６２０の厚さを削減することができる。しかしながら、第１の複数のプレート６６１’の遠位縁６６９’は露出せず、それによって、基板の一部分６２４は、これらの第１の複数のプレートの遠位縁と第２の面６２２との間に残存する。第２の面６２２の研削、ラッピング、若しくは研磨、又はそれらの組み合わせを用いて基板６２０の厚さを削減することができる。このステップの間、一例として、基板６２０の初期厚さＴ１（図１４Ｃに示す）を約７００μｍであるその厚さから約１３０μｍ以下の厚さＴ３（図１６Ａに示す）に削減することができる。

その後、第２の面の残りの部分を温存することが所望されている場合には、図１６Ｂに示すように、マスク層６２６を基板６２０の第２の面６２２に付着させることができる。例えば、マスク層６２６は、堆積及びパターニングして第２の面６２２の或る部分のみを覆うことができるフォトイメージャブル層、例えばフォトレジスト層とすることができる。

その後、図１６Ｃに示すように、材料を基板６２０の第２の面６２２から除去して、コンデンサ誘電体層６８０’の波形の第２の面６３８’を露出させることができ、それによって、この第２の面から第１の面６２１に向かって延在する複数の第２の開口部６３７’を形成する。第２の開口部６３７’は、図２Ａに関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。

その後、図１６Ｄに示すように、マスク層６２６を除去することができ、絶縁誘電体層６５０’の追加部分６５１’を第２の面６２２と基板境界面６３１の露出部分６３１’との上に重ねて形成することができる。絶縁誘電体層６５０’の追加部分６５１’は、図２Ｂに関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。

その後、図１５を再び参照すると、第２の導電性素子６７０’をコンデンサ誘電体層６８０’の第２の面６３８’上に重ねるとともに第２の開口部６３７’のそれぞれ内に延在させて形成することができる。第２の導電性素子６７０’は、第２の複数の垂直に延在するプレート６７１’と第２の電極６７３’とを備えることができ、この第２の電極は、第２の面６２２において露出している。第２の導電性素子６７０’は、図２Ｃに関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。

図１７は、代替の構成を有する、図１３のコンポーネントの別の変形形態を示している。コンポーネント６１０’’は、当該コンポーネント６１０’’が、コンデンサ誘電体層６８０’’の面の輪郭に沿う面を有する第１の導電性素子６６０’’及び第２の導電性素子及び６７０’’（すなわち第１の金属素子及び第２の金属素子）を備えることを除いて、上述したコンポーネント６１０と同様であり、それによって、誘電体領域６９０ａ及び６９０ｂ（一括して誘電体領域６９０）が、開口部６３０’’の、第１の導電性素子及び第２の導電性素子並びにコンデンサ誘電体層によって占有されていない部分を占める。

第１の導電性素子６６０’’は、コンデンサ誘電体層６８０’’の波形の第１の面６３６’’の上に重なりかつこの面の輪郭に沿う第１の面６６１’’を有する。第１の誘電体領域６９０ａは、開口部６３０’’の、第１の導電性素子及び第２の導電性素子並びにコンデンサ誘電体層によって占有されていない部分を占め、それによって、第１の誘電体領域は、第１の導電性素子６６０’’の第１の部分６６２ａ’’を、この第１の部分に対して実質的に平行な、第１の導電性素子の隣接する第２の部分６６２ｂ’’から分離している。基板６２０の第１の面６２１において、第１の導電性素子６６０’’は、第１の面に露出している第１の電極６６３’’及び第２の電極６６４’’に接続することができ、この第１の電極は第１の電位と接続可能である。

第２の導電性素子６７０’’は、コンデンサ誘電体層６８０’’の波形の第２の面６３８’’の上に重なりかつこの面の輪郭に沿う第２の面６７１’’を有する。第２の誘電体領域６９０ｂは、開口部６３０’’の、第１の導電性素子及び第２の導電性素子並びにコンデンサ誘電体層によって占有されていない部分を占め、それによって、第２の誘電体領域は、第２の導電性素子６７０’’の第１の部分６７２ａ’’を、この第１の部分に対して実質的に平行な、第２の導電性素子の隣接する第２の部分６７２ｂ’’から分離している。基板６２０の第２の面６２２において、第２の導電性素子６７０’’は、第２の面に露出している第３の電極６７３’’及び第４の電極６７４’’に接続することができ、この第３の電極は第２の電位と接続可能である。

図１８を参照すると、本発明の一実施形態によるコンデンサ構造体７１０は、基板７２０と、この基板と接触して形成されている第１のコンデンサ７４０ａ及び第２のコンデンサ７４０ｂ（一括してコンデンサ７４０）とを備える。基板７２０は、平坦な第１の面７２１と、この第１の面の反対側の平坦な第２の面７２２との間に基板を貫通して延在する貫通開口部７３０とを有する。コンデンサ構造体７１０は、第１のコンデンサ７４０ａと第２のコンデンサ７４０ｂとの間に延在するとともに開口部７３０の基板境界面７３１と第１の面７２１の一部分及び第２の面７２２の一部分との上に重なる絶縁誘電体層７５０を更に備える。

第１のコンデンサ７４０ａは、第１の導電性素子７６０及び第２の導電性素子７６１（すなわち第１の金属素子及び第２の金属素子）と、それらの間に延在するコンデンサ誘電体層７８０ａとを備える。第２のコンデンサ７４０ｂは、第３の導電性素子７７０及び第４の導電性素子７７１（すなわち第３の金属素子及び第４の金属素子）と、それらの間に延在するコンデンサ誘電体層７８０ｂとを備える。第１の誘電体領域７９０ａ及び第２の誘電体領域７９０ｂ（一括して誘電体領域７９０）は、導電性素子７６０、７６１、７７０、及び７７１と、誘電体層７５０、７８０ａ、及び７８０ｂとによって占有されていない、開口部７３０内の残りの容積を占有する。

基板７２０、貫通開口部７３０、及びこの貫通開口部の基板境界面７３１（すなわち内面）は、図９〜図１０Ｇを参照して上記に開示したコンポーネント４１０の対応する要素と同様である。

絶縁誘電体層７５０は、少なくとも開口部７３０内において、第１のコンデンサ７４０ａと第２のコンデンサ７４０ｂとを互いから分離して絶縁することができる。特定の実施形態では、絶縁誘電体層７５０は、少なくとも開口部７３０内において、第１の導電性素子７６０と第３の導電性素子７７０とを互いから分離して絶縁することができる。絶縁誘電体層７５０は、少なくとも開口部７３０内において波形の形状を有することができる。

第１の導電性素子７６０及び第２の導電性素子７６１は、開口部７３０内において絶縁誘電体層７５０の波形の第１の面７３６の上に重なっている。第１のコンデンサ誘電体層７８０ａは、少なくとも開口部７３０内において、第１の導電性素子７６０と第２の導電性素子７６１とを互いから分離して絶縁することができる。基板７２０の第１の面７２１において、第１の導電性素子７６０は、第１の面に露出している第１の電極７６３ａ及び第２の電極７６３ｂに接続することができ、これらの第１の電極及び第２の電極は、第１の電位と接続可能である。基板７２０の第１の面７２１において、第２の導電性素子７６１は、第１の面に露出している第３の電極７６４ａ及び第４の電極７６４ｂに接続することができ、これらの第３の電極及び第４の電極は、第３の電位と接続可能である。第１の誘電体領域７９０ａは、開口部７３０の、上記導電性素子及び誘電体層によって占有されていない部分を占め、それによって、第１の誘電体領域は、第２の導電性素子７６１の第１の部分７６２ａを、この第１の部分に対して実質的に平行な、第２の導電性素子の隣接する第２の部分７６２ｂから分離している。

第３の導電性素子７７０及び第４の導電性素子７７１は、開口部７３０内において絶縁誘電体層７５０の波形の第２の面７３８の上に重なっている。第２のコンデンサ誘電体層７８０ｂは、少なくとも開口部７３０内において、第３の導電性素子７７０と第４の導電性素子７７１とを互いから分離して絶縁することができる。基板７２０の第２の面７２２において、第３の導電性素子７７０は、第２の面に露出している第５の電極７７３ａ及び第６の電極７７３ｂに接続することができ、これらの第５の電極及び第６の電極は、第３の電位と接続可能である。基板７２０の第２の面７２２において、第４の導電性素子７７１は、第２の面に露出している第７の電極７７４ａ及び第８の電極７７４ｂに接続することができ、これらの第７の電極及び第８の電極は、第４の電位と接続可能である。第２の誘電体領域７９０ｂは、開口部７３０の、上記導電性素子及び誘電体層によって占有されていない部分を占め、それによって、第２の誘電体領域は、第４の導電性素子７７１の第１の部分７７２ａを、この第１の部分に対して実質的に平行な、第４の導電性素子の隣接する第２の部分７７２ｂから分離している。

次に、図１９Ａ〜図１９Ｍを参照して、コンポーネント７１０（図１８）を製造する方法を説明する。図１９Ａに示すように、材料を基板７２０の第１の面７２１から除去して、この第１の面から第２の面７２２に向かって延在する複数の第１の開口部７３４を形成することができる。これらの第１の開口部は、波形の内面７３５及び基板境界面７３１を画定する（図１４Ａと同様）。第１の開口部７３４は、図２Ａに関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。

その後、図１９Ｂに示すように、絶縁誘電体層７５０を、波形の内面７３５と、基板境界面７３１と、第１の面７２１の或る部分との上に重ねて形成する。絶縁誘電体層７５０は、内面７３５から離れる方を向いた波形の第１の面７３６を有する。絶縁誘電体層７５０は、図２Ｂに関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。

その後、図１９Ｃに示すように、第１の導電性素子７６０を、絶縁誘電体層７５０の波形の第１の面７３６上に重ねるとともに第１の開口部７３４のそれぞれ内に延在させて形成することができる。第１の導電性素子７６０は、波形の形状を有することができ、第１の導電性素子７６０には、波形の第１の面７３６の輪郭に沿う面を画定することができる。第１の導電性素子７６０は、図２Ｃに関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。第１の導電性素子７６０は、第１の電極７６３ａ及び第２の電極７６３ｂに接続することができ、これらの第１の電極及び第２の電極は第１の面７２１に露出している。

その後、図１９Ｄに示すように、第１のコンデンサ誘電体層７８０ａを、第１の導電性素子７６０の上に重ねるとともに第１の開口部７３４のそれぞれ内に延在させて形成する。第１の導電性素子７６０の端部７６０ａ及び７６０ｂがコンデンサ誘電体層７８０ａの側方縁７８１ａ及び７８２ａを越えて側方に延在することができるように、これらの側方縁７８１ａ及び７８２ａを形成することができ、そのため、端部７６０ａ及び７６０ｂは、それぞれの第１の電極７６３ａ及び第２の電極７６３ｂへの接続用に第１の面７２１に露出することができるか又はそれぞれの第１の電極及び第２の電極としての機能を果たすことができる。第１のコンデンサ誘電体層７８０ａは、図２Ｂに関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。

その後、図１９Ｅに示すように、第２の導電性素子７６１を、第１のコンデンサ誘電体層７８０ａの上に重ねるとともに第１の開口部７３４のそれぞれ内に延在させて形成することができる。第２の導電性素子７６１は、波形の形状を有することができる。第２の導電性素子７６１は、図２Ｃに関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。第２の導電性素子７６１は、第３の電極７６４ａ及び第４の電極７６４ｂに接続することができ、これらの第３の電極及び第４の電極は第１の面７２１に露出している。

その後、図１９Ｆに示すように、第１の誘電体領域７９０ａを第１の開口部７３４のそれぞれの内部に形成するとともに基板７２０の第１の面７２１の上に部分的に重ねて形成することができる。第１の誘電体領域７９０ａは、誘電体領域９０（図１）に関して上述したのと同様の方法を用いて形成することができる。第１の電極７６３ａ、第２の電極７６４ａ、第３の電極７６３ｂ、及び第４の電極７６４ｂが第１の誘電体領域の外側面７９１ａに露出するように、第１の誘電体領域７９０ａを堆積させることができる。

その後、図１９Ｇに示すように、第１の面７２１と第２の面７２２との間の基板７２０の厚さを削減することができる。しかしながら、絶縁誘電体層７５０の波形の第２の面７３８は露出せず、それによって、基板の一部分７２４は、絶縁誘電体層と第２の面７２２との間に残存する。第２の面７２２の研削、ラッピング、若しくは研磨、又はそれらの組み合わせを用いて基板７２０の厚さを削減することができる。このステップの間、一例として、基板７２０の初期厚さＴ４（図１９Ｆに示す）を約７００μｍであるその厚さから約１３０μｍ以下の厚さＴ５（図１９Ｇに示す）に削減することができる。

その後、第２の面の残りの部分を温存することが所望されている場合には、図１９Ｈに示すように、マスク層７２６を、図１６Ｂを参照して説明した方法と同様の方法で基板７２０の第２の面７２２に付着させることができる。

その後、図１９Ｉに示すように、材料を基板７２０の第２の面７２２から除去して、絶縁誘電体層７５０の波形の第２の面７３８を露出することができ、それによって、この第２の面から第１の面７２１に向かって延在する複数の第２の開口部７３７を形成する。第２の開口部７３７は、図２Ａに関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。

その後、図１９Ｊに示すように、マスク層７２６を除去することができ、絶縁誘電体層７５０の追加部分７５１を、第２の面７２２と基板境界面７３１の露出部分７３１’（図１９Ｊ）との上に重ねて形成することができる。絶縁誘電体層７５０の追加部分７５１は、図２Ｂに関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。

その後、図１９Ｋに示すように、第３の導電性素子７７０を、絶縁誘電体層７５０の波形の第２の面７３８の上に重ねるとともに第２の開口部７３７のそれぞれ内に延在させて形成することができる。第３の導電性素子７７０は、波形の形状を有することができ、第３の導電性素子７７０には、波形の第２の面７３８の輪郭に沿う面を画定することができる。第３の導電性素子７７０は、図２Ｃに関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。第３の導電性素子７７０は、第５の電極７７３ａ及び第６の電極７７３ｂに接続することができ、これらの第５の電極及び第６の電極は第２の面７２２に露出している。

その後、図１９Ｌに示すように、第２のコンデンサ誘電体層７８０ｂを、第３の導電性素子７７０の上に重ねるとともに第２の開口部７３７のそれぞれ内に延在させて形成する。第３の導電性素子７７０の端部７７０ａ及び７７０ｂがコンデンサ誘電体層７８０ｂの側方縁７８１ｂ及び７８２ｂを越えて側方に延在することができるように、これらの側方縁７８１ｂ及び７８２ｂを形成することができ、そのため、端部７７０ａ及び７７０ｂは、それぞれの第５の電極７７３ａ及び第６の電極７７３ｂへの接続用に第２の面７２２に露出することができるか又はそれぞれの第５の電極及び第６の電極としての機能を果たすことができる。第２のコンデンサ誘電体層７８０ｂは、図２Ｂに関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。

その後、図１９Ｍに示すように、第４の導電性素子７７１を、第２のコンデンサ誘電体層７８０ｂの上に重ねるとともに第２の開口部７３７のそれぞれ内に延在させて形成することができる。第４の導電性素子７７１は、波形の形状を有することができる。第４の導電性素子７７１は、図２Ｃに関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。第４の導電性素子７７１は、第７の電極７７４ａ及び第８の電極７７４ｂに接続することができ、これらの第７の電極及び第８の電極は第２の面７２２に露出している。

その後、図１８を再び参照すると、第２の誘電体領域７９０ｂを、第２の開口部７３７のそれぞれの内部に形成するとともに基板７２０の第２の面７２２の上に部分的に重ねて形成することができる。第２の誘電体領域７９０ｂは、誘電体領域９０（図１）に関して上述した方法と同様の方法を用いて形成することができる。第５の電極７７３ａ、第６の電極７７４ａ、第７の電極７７３ｂ、及び第８の電極７７４ｂが第２の誘電体領域の外側面７９１ｂに露出するように、第２の誘電体領域７９０ｂを堆積させることができる。

図２０Ａは、図１及び図７Ａに示すコンポーネントに対応することができる一例示の上から見た平面図を示している。本発明の一実施形態によるコンポーネント８１０は、基板８２０と、この基板と接触して形成されている複数のコンデンサ８４０とを備える。基板８２０は、平坦な第１の面８２１から下方に延在する複数の実質的に円形の開口部８３０を備える。各コンデンサ８４０は、第１の一対の導電性プレート８６０と、第２の一対の導電性プレート８７０とを備える。誘電体領域８９０は、少なくとも対応する開口部８３０内においてプレート８６０及び８７０の上に重なっている。

１つの実施形態（例えば、図１に示す実施形態に対応する）では、第１の一対のプレート８６０は、基板８２０の第１の面８２１に露出している第１の電極８６３に接続することができ、この第１の電極は、第１の電位と接続可能である。第２の一対のプレート８７０は、基板８２０の第１の面８２１に露出している第２の電極８７３に接続することができ、この第２の電極は第２の電位と接続可能である。

代替の実施形態（例えば、図７Ａに示す実施形態に対応する）では、第１のコンデンサ８４０ａ及び第２のコンデンサ８４０ｂは、基板８２０の第１の面８２１と、この第１の面の反対側の第２の平坦な面との間に単一の実質的に円形の貫通開口部８３０’内を通って延在することができる。そのような実施形態では、第１のコンデンサ８４０ａの第１の一対のプレート８６０ａは、第１の面８２１に露出している第１の電極８６３ａに接続することができ、第２のコンデンサ８４０ｂの第２の一対のプレート８６０ｂは、第１の面８２１に露出している第１の電極８６３ｂに接続することができる。第１のコンデンサの第２の一対のプレートは、第２の面に露出している第２の電極に接続することができ、第２のコンデンサの第２の一対のプレートは、第２の面に露出している第２の電極に接続することができる。

図２０Ｂは、図３Ａ及び図７Ａに示すコンポーネントに対応することができる別の例示の上から見た平面図を示している。本発明の一実施形態によるコンポーネント９１０は、基板９２０と、この基板と接触して形成されている複数のコンデンサ９４０とを備える。基板９２０は、平坦な第１の面９２１から下方に延在する複数の実質的に正方形の開口部９３０を備える。各コンデンサ９４０は、第１の一対の導電性プレート９６０と、第２の一対の導電性プレート９７０とを備える。誘電体領域９９０は、少なくとも対応する開口部９３０内においてプレート９６０及び９７０の上に重なっている。

１つの実施形態（例えば、図３Ａに示す実施形態に対応する）では、第１の一対のプレート９６０は、基板９２０の第１の面９２１に露出している第１の電極９６３及び第２の電極９６４に接続することができ、これらの第１の電極及び第２の電極は第１の電位と接続可能である。第２の一対のプレート９７０は、第１の面９２１に露出している第３の電極９７３及び第４の電極９７４に接続することができる。

１つの実施形態（例えば、図７Ａに示す実施形態に対応する）では、第１の一対のプレート９６０は、基板９２０の第１の面９２１に露出している第１の電極９６３’及び第２の電極９６４’と、この第１の面の反対側の第２の平坦な面（図２０Ｂに図示せず）に露出している第３の電極及び第４の電極とに接続することができ、それによって、これらの第１の電極、第２の電極、第３の電極、及び第４の電極は、第１の電位と接続可能とすることができる。第２の一対のプレート９７０は、基板９２０の第１の面９２１に露出している第５の電極９７３’及び第６の電極９７４’と、第２の平坦な面に露出している第７の電極及び第８の電極とに接続することができ、それによって、これらの第５の電極、第６の電極、第７の電極、及び第８の電極は、第２の電位と接続可能とすることができる。

図２０Ｃは、図１及び図７Ａに示すコンポーネントに対応することができる一例示の上から見た平面図を示している。本発明の一実施形態によるコンポーネント１０１０は、基板１０２０と、この基板と接触して形成されている複数のコンデンサ１０４０とを備える。基板１０２０は、平坦な第１の面１０２１から下方に延在する複数の実質的に長方形又は溝形の開口部１０３０を備える。各コンデンサ１０４０は、第１の一対の導電性プレート１０６０と、第２の一対の導電性プレート１０７０とを備える。誘電体領域１０９０は、少なくとも対応する開口部１０３０内においてプレート１０６０及び１０７０の上に重なっている。

１つの実施形態（例えば、図１に示す実施形態に対応する）では、第１の一対のプレート１０６０は、基板１０２０の第１の面１０２１に露出している第１の電極１０６３に接続することができ、この第１の電極は、第１の電位と接続可能である。第２の一対のプレート１０７０は、基板１０２０の第１の面１０２１に露出している第２の電極１０７３に接続することができ、この第２の電極は第２の電位と接続可能である。

代替の実施形態（例えば、図７Ａに示す実施形態に対応する）では、第１のコンデンサ１０４０ａ及び第２のコンデンサ１０４０ｂは、基板１０２０の第１の面１０２１と、この第１の面の反対側の第２の平坦な面との間に単一の実質的に長方形又は溝形の貫通開口部１０３０内を通って延在することができる。そのような実施形態では、第１のコンデンサ１０４０ａの第１の一対のプレート１０６０は、第１の面１０２１に露出している第１の電極１０６３ａに接続することができ、第２のコンデンサ１０４０ｂの第２の一対のプレート１０７０は、第１の面１０２１に露出している第１の電極１０６３ｂに接続することができる。第１のコンデンサの第２の一対のプレートは、第２の面に露出している第２の電極に接続することができ、第２のコンデンサの第２の一対のプレートは、第２の面に露出している第２の電極に接続することができる。

図２０Ｄは、図１、図３Ａ、図７Ａ、図１１、図１３、及び図１５に示すコンポーネントに対応することができる一例示の上から見た平面図を示している。本発明の一実施形態によるコンポーネント１１１０は、基板１１２０と、この基板と接触して形成されている複数のコンデンサ１１４０ｆとを備える。基板１１２０は、平坦な第１の面１１２１から下方に延在する複数の開口部１１３０を備える。複数の開口部１１３０は、正方形状を有する開口部１１３０ａと、丸い形状を有する開口部１１３０ｂと、長方形状を有する開口部１１３０ｃと、不規則な形状を有する開口部１１３０ｄ及び１１３０ｅとを含みうる。一例示のコンデンサ１１４０ｆは、複数の開口部１１３０ｆ内を通って延在することができる。

図２１に示すように、上述した超小型電子アセンブリを多様な電子システムの構成で利用することができる。例えば、本発明の更なる実施形態によるシステム１２００は、他の電子コンポーネント１２０８及び１２１０とともに上述したような超小型電子アセンブリ１２０６を含む。説明した例では、コンポーネント１２０８は半導体チップでありコンポーネント１２１０は表示画面であるが、他の任意のコンポーネントを使用することができる。当然ながら、例示を明確にするために図２１には２つの追加のコンポーネントのみを示すが、本システムは、任意の数のこのようなコンポーネントを含みうる。超小型電子アセンブリ１２０６を、上述したような超小型電子アセンブリのうちの任意のものとすることができる。更なる変形形態では、任意の数のこうした超小型電子アセンブリを使用することができる。

超小型電子アセンブリ１２０６並びにコンポーネント１２０８及び１２１０は、破線で概略的に示す共通ハウジング１２０１内に取り付けられ、必要に応じて互いに電気的に相互接続されて所望の回路を形成する。図示する例示的なシステムでは、システムは、可撓性印刷回路基板等の回路パネル１２０２を含み、回路パネルは、コンポーネントを互いに相互接続する多数の導体１２０４を含み、それらのうちの１つのみを図２１に示す。しかしながら、これは単に例示的なものであり、電気接続をもたらす任意の適切な構造を使用することができる。

ハウジング１２０１は、例えば携帯電話又は携帯情報端末における使用可能なタイプの携帯型ハウジングとして示されており、画面１２１０は、ハウジングの面に露出している。構造体１２０６が、撮像チップ等の感光素子を含む場合、光を構造体に誘導するために、レンズ１２１１又は他の光学デバイスも提供することができる。この場合もまた、図２１に示す簡略化システムは単に例示的なものであり、上述した構造体を用いて、デスクトップコンピュータ、ルータ等、一般に固定構造体とみなされるシステムを含む他のシステムを作製することができる。

本明細書に開示されている開口部部及び導電性素子は、２０１０年７月２３日に出願された、同時係属の本願と同一の譲受人に譲渡された米国特許出願第１２／８４２，５８７号、同第１２／８４２，６１２号、同第１２／８４２，６５１号、同第１２／８４２，６６９号、同第１２／８４２，６９２号及び同第１２／８４２，７１７号に、そして米国特許出願公開第２００８／０２４６１３６号により詳細に開示されているもの等のプロセスによって形成することができ、それらの開示内容は、引用することにより本明細書の一部をなすものとする。

特定の実施形態を参照しながら本明細書において本発明を説明してきたが、これらの実施形態は本発明の原理及び応用形態を例示するにすぎないことを理解されたい。それゆえ、添付の特許請求の範囲によって画定されるような本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、例示的な実施形態に数多くの変更を加えることができること、及び他の構成を案出することができることを理解されたい。

本明細書において記述される種々の従属請求項及び特徴は、初期の請求項において提示されるのとは異なる方法において組み合わせることができることが理解されるであろう。また、個々の実施形態との関連で説明された特徴は、記述される実施形態のうちの他の実施形態と共用できることも理解されるであろう。

Claims (60)

1. 回路コンポーネント又は超小型電子素子との電気的相互接続用の電極を有するコンポーネントであって、
   １０ｐｐｍ／℃未満の熱膨張係数を有する材料から本質的になる基板であって、第１の面と、該第１の面の反対側の第２の面と、該第１の面から下方に延在する開口部とを有する、基板と、
   前記基板と接触して形成されている第１のコンデンサであって、
   第１のプレート及び第２のプレートである第１の一対の導電性プレート、並びに第３のプレート及び第４のプレートである第２の一対の導電性プレートであって、各プレートは、前記開口部の内面に沿って延在し、前記第１のプレートは、前記内面の上に重なり、前記第３のプレートは、前記第１のプレートの上に重なりかつ第１のコンデンサ誘電体層によって前記第１のプレートから分離され、前記第２のプレートは、前記第３のプレートの上に重なりかつ第２の誘電体層によって前記第３のプレートから分離され、前記第４のプレートは、前記第２のプレートの上に重なりかつ第３のコンデンサ誘電体層によって前記第２のプレートから分離されている、第１の一対の導電性プレート及び第２の一対の導電性プレートと、
   第１の電極及び第２の電極であって、該第１の電極は、前記第１の面において第１の位置に露出しかつ前記第１の一対のプレートに電気的に接続され、該第２の電極は、前記第１の面及び前記第２の面のうちの一方において前記第１の位置から離間した第２の位置に露出しかつ前記第２の一対のプレートに電気的に接続されている、第１の電極及び第２の電極と、
   離間した第３の位置及び第４の位置にそれぞれ露出している第３の電極及び第４の電極であって、該第３の電極は前記第１の一対のプレートに電気的に接続され、該第４の電極は前記第２の一対のプレートに電気的に接続されている、第３の電極及び第４の電極とを備える、第１のコンデンサと
   を備えてなる、回路コンポーネント又は超小型電子素子との電気的相互接続用の電極を有するコンポーネント。
2. 前記プレートのそれぞれを少なくとも１つの隣接する前記プレートから分離する各誘電体層は、少なくとも３の比誘電率ｋを有する誘電体層である、請求項１に記載のコンポーネント。
3. 前記第１の一対のプレート及び前記第２の一対のプレートと前記誘電体層とによって占有されていない前記開口部の部分が、誘電体材料で満たされている、請求項１に記載のコンポーネント。
4. 前記基板は、本質的に、半導体、ガラス及びセラミックからなる群から選択される１つの材料からなる、請求項１に記載のコンポーネント。
5. 前記第１のコンデンサは、少なくとも１ピコファラッドのキャパシタンスを有する、請求項１に記載のコンポーネント。
6. 前記開口部は、前記第１の面に沿った方向に少なくとも５マイクロメートルの幅を有する、請求項１に記載のコンポーネント。
7. 前記開口部は、前記第１の面に対して垂直の方向に少なくとも１０マイクロメートルの深さを有する、請求項６に記載のコンポーネント。
8. 前記開口部は、切頭円錐形状を有し、前記開口部の前記内面は、前記基板の第１の面に対して８０度未満の角度で延在する、請求項１に記載のコンポーネント。
9. 前記第２の電極は、前記第１の面において露出している、請求項１に記載のコンポーネント。
10. 前記第１の一対のプレートは、前記第１の位置と前記第３の位置との間に延びる長寸法を有し、前記第２の一対のプレートは、前記第２の位置と前記第４の位置との間に延びる長寸法を有する、請求項９に記載のコンポーネント。
11. 前記第３の電極及び前記第４の電極の、それぞれの前記第１の一対のプレート及び前記第２の一対のプレートへの前記接続は、前記第１のコンデンサのインダクタンスの低減をもたらす、請求項９に記載のコンポーネント。
12. 前記開口部は、前記第１の面に対して実質的に平行に延びる長さ寸法と、前記第１の面に対して実質的に平行にかつ前記長さ寸法に対して実質的に垂直に延びる幅寸法とを有し、前記長さ寸法は前記幅寸法よりも大きい、請求項１に記載のコンポーネント。
13. 前記開口部は、前記第１の面に対して平行に延びる長さ寸法と、前記第１の面に対して平行にかつ前記長さ寸法に対して垂直に延びる幅寸法とを有し、前記長さ寸法は前記幅寸法と実質的に等しい、請求項１に記載のコンポーネント。
14. 前記基板は、前記第１の面の反対側に第２の面を有し、前記開口部は、前記第１の面から前記第２の面に向かって前記基板の厚さを一部分のみ通って延在する、請求項１に記載のコンポーネント。
15. 回路コンポーネント又は超小型電子素子との電気的相互接続用の電極を有するコンポーネントであって、
    １０ｐｐｍ／℃未満の熱膨張係数を有する材料から本質的になる基板であって、第１の面と、該第１の面の反対側の第２の面と、該第１の面と該第２の面との間に該基板の厚さを貫通して延在する開口部とを有する、基板と、
    前記基板と接触して形成されている第１のコンデンサであって、
    第１のプレート及び第２のプレートである第１の一対の導電性プレート、並びに第３のプレート及び第４のプレートである第２の一対の導電性プレートであって、各プレートは、前記開口部の内面に沿って延在し、前記第１のプレートは、前記内面の上に重なり、前記第３のプレートは、前記第１のプレートの上に重なりかつ第１のコンデンサ誘電体層によって前記第１のプレートから分離され、前記第２のプレートは、前記第３のプレートの上に重なりかつ第２の誘電体層によって前記第３のプレートから分離され、前記第４のプレートは、前記第２のプレートの上に重なりかつ第３のコンデンサ誘電体層によって前記第２のプレートから分離されている、第１の一対の導電性プレート及び第２の一対の導電性プレートと、
    第１の電極及び第２の電極であって、該第１の電極は、前記第１の面において第１の位置に露出しかつ前記第１の一対のプレートに電気的に接続され、該第２の電極は、前記第１の面及び前記第２の面のうちの一方において露出しかつ前記第２の一対のプレートに電気的に接続されている、第１の電極及び第２の電極とを備える、第１のコンデンサと
    を備えてなる、回路コンポーネント又は超小型電子素子との電気的相互接続用の電極を有するコンポーネント。
16. 前記第１の一対のプレート及び前記第２の一対のプレートは、前記第１の面と前記第２の面との間に前記開口部内を通って延在する、請求項１５に記載のコンポーネント。
17. 前記第１のコンデンサは、前記第２の面において露出しかつそれぞれ前記第１の一対のプレート及び前記第２の一対のプレートに電気的に接続されている第３の電極及び第４の電極を更に備え、前記第２の電極は、前記第１の面において露出している、請求項１６に記載のコンポーネント。
18. 前記第１のコンデンサの前記第１の一対のプレート及び前記第２の一対のプレートと、第２のコンデンサの第１の一対のプレート及び第２の一対のプレートとが、前記第１の面と前記第２の面との間に前記開口部内を通って延在し、前記第１のコンデンサ及び前記第２のコンデンサは、前記開口部内において互いから絶縁されている、請求項１５に記載のコンポーネント。
19. 各コンデンサの前記第１の一対のプレート及び前記第２の一対のプレートは、前記第１の面の上方にも前記第２の面の下方にも延在せず、前記第２の電極は、前記第２の面に露出している、請求項１８に記載のコンポーネント。
20. 前記第１のプレートは第１の金属から本質的になり、前記第２のプレートは前記第１の金属とは異なる第２の金属から本質的になる、請求項１９に記載のコンポーネント。
21. 回路コンポーネント又は超小型電子素子との電気的相互接続用の電極を有するコンポーネントであって、
    １０ｐｐｍ／℃未満の熱膨張係数を有する材料から本質的になる基板であって、第１の面と、該第１の面の反対側の第２の面と、該第１の面から下方に延在する複数の開口部とを有する、基板と、
    前記基板と接触して形成されているコンデンサであって、
    第１のプレート及び第２のプレートである第１の一対の導電性プレート、並びに第３のプレート及び第４のプレートである第２の一対の導電性プレートであって、各プレートは、各開口部の内面と、前記複数の開口部のそれぞれの間にある前記基板の或る部分と、に沿って延在し、前記第１のプレートは、前記内面の上に重なり、前記第３のプレートは、前記第１のプレートの上に重なりかつ第１のコンデンサ誘電体層によって前記第１のプレートから分離され、前記第２のプレートは、前記第３のプレートの上に重なりかつ第２の誘電体層によって前記第３のプレートから分離され、前記第４のプレートは、前記第２のプレートの上に重なりかつ第３のコンデンサ誘電体層によって前記第２のプレートから分離されている、第１の一対の導電性プレート及び第２の一対の導電性プレートと、
    第１の電極及び第２の電極であって、該第１の電極は、前記第１の面において露出して前記第１の一対のプレートに電気的に接続され、該第２の電極は、前記第１の面及び前記第２の面のうちの一方において露出して前記第２の一対のプレートに電気的に接続されている、第１の電極及び第２の電極とを備える、コンデンサと
    を備えてなる、回路コンポーネント又は超小型電子素子との電気的相互接続用の電極を有するコンポーネント。
22. 前記第１の一対のプレート及び前記第２の一対のプレートと前記誘電体層とによって占有されていない前記複数の開口部のそれぞれの一部分が、誘電体材料で満たされている、請求項２１に記載のコンポーネント。
23. 前記複数の開口部のそれぞれは、前記第１の面から前記第２の面に向かって前記基板の厚さを部分的にのみ通って延在する、請求項２１に記載のコンポーネント。
24. 回路コンポーネント又は超小型電子素子との電気的相互接続用の電極を有するコンポーネントであって、
    １０ｐｐｍ／℃未満の熱膨張係数を有する材料から本質的になる基板であって、該基板は、第１の面と、該第１の面の反対側の第２の面と、該第１の面に沿った方向に５マイクロメートルよりも大きい少なくとも１つの寸法を有する、該第１の面内の開口部とを有し、該開口部は前記第１の面から下方に延在する、基板と、
    コンデンサであって、
    第１の電位及び第２の電位とそれぞれ接続可能な第１の導電性プレート及び第２の導電性プレートであって、該第１のプレート及び該第２のプレートは、前記開口部の内面に沿って延在し、該第１のプレート及び該第２のプレートは、誘電体層によって互いから分離されている、第１の導電性プレート及び第２の導電性プレートと、
    第１の電極及び第２の電極であって、該第１の電極は、前記第１の面において第１の位置に露出して前記第１のプレートに電気的に接続され、該第２の電極は、前記第１の面及び前記第２の面のうちの一方において前記第１の位置から離間した第２の位置に露出して前記第２のプレートに電気的に接続されている、第１の電極及び第２の電極と、
    離間した第３の位置及び第４の位置にそれぞれ露出している第３の電極及び第４の電極であって、該第３の電極は、前記第１のプレートに電気的に接続され、該第４の電極は、前記第２のプレート電気的に接続されている、第３の電極及び第４の電極とを備える、コンデンサと
    を備えてなる、回路コンポーネント又は超小型電子素子との電気的相互接続用の電極を有するコンポーネント。
25. 前記第２の電極は、前記第１の面において露出している、請求項２４に記載のコンポーネント。
26. 前記第１のプレートは、前記第１の位置と前記第３の位置との間に延びる長寸法を有し、前記第２のプレートは、前記第２の位置と前記第４の位置との間に延びる長寸法を有する、請求項２５に記載のコンポーネント。
27. 回路コンポーネント又は超小型電子素子との電気的相互接続用の電極を有するコンポーネントであって、
    １０ｐｐｍ／℃未満の熱膨張係数を有する材料から本質的になる基板であって、該基板は、第１の面と、該第１の面の反対側の第２の面と、該第１の面に沿った方向に５マイクロメートルよりも大きい少なくとも１つの寸法を有する、該第１の面内の開口部とを有し、該開口部は前記第１の面から下方に延在する、基板と、
    コンデンサであって、
    第１の電位及び第２の電位とそれぞれ接続可能な第１の導電性プレート及び第２の導電性プレートであって、該第１のプレート及び該第２のプレートは、前記開口部の内面に沿って延在し、該第１のプレート及び該第２のプレートは、誘電体層によって互いから分離され、該第１のプレートは、前記基板に接地されている、第１の導電性プレート及び第２の導電性プレートと、
    第１の電極及び第２の電極であって、該第１の電極は、前記第１の面において露出して前記第１のプレートに電気的に接続され、該第２の電極は、前記第１の面及び前記第２の面のうちの一方において露出して前記第２のプレートに電気的に接続されている、第１の電極及び第２の電極とを備える、コンデンサと
    を備えてなる、回路コンポーネント又は超小型電子素子との電気的相互接続用の電極を有するコンポーネント。
28. 回路コンポーネント又は超小型電子素子との電気的相互接続用の電極を有するコンポーネントであって、
    １０ｐｐｍ／℃未満の熱膨張係数を有する材料から本質的になる基板であって、該基板は、第１の面と、該第１の面の反対側の第２の面と、該第１の面に沿った方向に５マイクロメートルよりも大きい少なくとも１つの寸法を有する、該第１の面内の開口部とを有し、該開口部は前記第１の面から下方に延在する、基板と、
    コンデンサであって、
    第１の電位及び第２の電位とそれぞれ接続可能な第１の導電性プレート及び第２の導電性プレートであって、該第１のプレートは、前記開口部の内面から内方に延在する前記基板の導電性部分であり、該第２のプレートは、前記開口部の内面に沿って延在し、該第１のプレート及び該第２のプレートは、誘電体層によって互いから分離されている、第１の導電性プレート及び第２の導電性プレートと、
    第１の電極及び第２の電極であって、該第１の電極は、前記第１の面において露出して前記第１のプレートに電気的に接続され、該第２の電極は、前記第１の面及び前記第２の面のうちの一方において露出して前記第２のプレートに電気的に接続されている、第１の電極及び第２の電極とを備える、コンデンサと
    を備えてなる、回路コンポーネント又は超小型電子素子との電気的相互接続用の電極を有するコンポーネント。
29. 回路コンポーネント又は超小型電子素子との電気的相互接続用の電極を有するコンポーネントであって、
    １０ｐｐｍ／℃未満の熱膨張係数を有する材料から本質的になる基板であって、該基板は、第１の面と、該第１の面の反対側の第２の面と、該第１の面に沿った方向に５マイクロメートルよりも大きい少なくとも１つの寸法を有する、該第１の面内の開口部とを有し、該開口部は、前記第１の面と前記第２の面との間に前記基板の厚さを貫通して延在する、基板と、
    コンデンサであって、
    第１の電位及び第２の電位とそれぞれ接続可能な第１の導電性プレート及び第２の導電性プレートであって、該第１のプレート及び該第２のプレートは、前記開口部の内面に沿って延在し、該第１のプレート及び該第２のプレートは、誘電体層によって互いから分離されている、第１の導電性プレート及び第２の導電性プレートと、
    第１の電極及び第２の電極であって、該第１の電極は、前記第１の面において露出して前記第１のプレートに電気的に接続され、該第２の電極は、前記第１の面及び前記第２の面のうちの一方において露出して前記第２のプレートに電気的に接続されている、第１の電極及び第２の電極とを備える、コンデンサと
    を備えてなる、回路コンポーネント又は超小型電子素子との電気的相互接続用の電極を有するコンポーネント。
30. 前記第１のプレート及び前記第２のプレートは、前記第１の面と前記第２の面との間に前記開口部内を通って延在する、請求項２９に記載のコンポーネント。
31. 前記コンデンサは、前記第２の面において露出しかつそれぞれ前記第１の一対のプレート及び前記第２の一対のプレートに電気的に接続されている第３の電極及び第４の電極を更に備え、前記第２の電極は、前記第１の面において露出している、請求項３０に記載のコンポーネント。
32. コンデンサであって、
    第１の面と、該第１の面から離れた第２の面と、該第１の面と該第２の面との間に延在する貫通開口部とを有する基板と、
    前記第１の面に露出しかつ前記貫通開口部内に延在する第１の金属素子と、
    前記第１の金属素子に接続されている第１の電極と、
    前記第２の面に露出しかつ前記貫通開口部内に延在する第２の金属素子と、
    前記第２の金属素子に接続されている第２の電極であって、前記第１の電極及び該第２の電極は、第１の電位及び第２の電位に接続可能である、第２の電極と、
    前記第１の金属素子及び前記第２の金属素子を少なくとも前記貫通開口部内において互いから分離して絶縁するコンデンサ誘電体層であって、波形の形状を有する、コンデンサ誘電体層と
    を備えてなる、コンデンサ。
33. 前記コンデンサ誘電体層は、少なくとも３の比誘電率ｋを有する、請求項３２に記載のコンデンサ。
34. 前記コンデンサ誘電体層の上側面及び下側面はそれぞれ、前記第１の面と前記第２の面との間の前記開口部の高さの少なくとも３倍の長さを有する、請求項３２に記載のコンデンサ。
35. 前記第１の金属素子及び前記第２の金属素子のそれぞれは、前記コンデンサ誘電体層の面の輪郭に沿う面を有する、請求項３２に記載のコンデンサ。
36. 前記第１の金属素子及び前記第２の金属素子並びに前記コンデンサ誘電体層によって占有されていない前記開口部の部分が、誘電体材料で満たされている、請求項３５に記載のコンデンサ。
37. 前記第１の金属素子及び前記第２の金属素子のそれぞれは、前記誘電体材料によって、隣接する第２の部分から分離されている第１の部分を有し、該第２の部分は、該第１の部分に対して実質的に平行である、請求項３６に記載のコンデンサ。
38. 前記第１の金属素子及び前記第２の金属素子は、それぞれの複数の第１のプレート及び第２のプレートを備え、前記第１のプレート及び前記第２のプレートのそれぞれは、前記開口部内に延在する、請求項３２に記載のコンデンサ。
39. 前記第１のプレート及び前記第２のプレートのそれぞれは、前記第１の面に沿った方向に少なくとも５マイクロメートルの幅を有する、請求項３８に記載のコンデンサ。
40. コンデンサ構造体であって、
    第１の面と、該第１の面から離れた第２の面と、該第１の面と該第２の面との間に延在する貫通開口部とを有する基板と、
    前記第１の面に露出しかつ前記貫通開口部内に延在する第１の金属素子及び第２の金属素子であって、第１のコンデンサ誘電体層が、該第１の金属素子及び該第２の金属素子を少なくとも前記貫通開口部内において互いから分離して絶縁する、第１の金属素子及び第２の金属素子と、
    前記第２の面に露出しかつ前記貫通開口部内に延在する第３の金属素子及び第４の金属素子であって、第２のコンデンサ誘電体層が、該第３の金属素子及び該第４の金属素子を少なくとも前記貫通開口部内において互いから分離して絶縁する、第３の金属素子及び第４の金属素子と、
    前記第１の金属素子、前記第２の金属素子、前記第３の金属素子、及び前記第４の金属素子にそれぞれ接続されている第１の電極、第２の電極、第３の電極、及び第４の電極であって、該第１の電極及び該第３の電極は、それぞれの第１の電位及び第２の電位に接続可能である、第１の電極、第２の電極、第３の電極、及び第４の電極と、
    前記第２の金属素子及び前記第３の金属素子を少なくとも前記貫通開口部内において互いから分離して絶縁する絶縁誘電体層であって、波形の形状を有する、絶縁誘電体層と
    を備えてなる、コンデンサ構造体。
41. 前記第１の金属素子及び前記第２の金属素子並びに前記第１のコンデンサ誘電体層は、第１のコンデンサを画定し、前記第３の金属素子及び前記第４の金属素子並びに前記第２のコンデンサ誘電体層は、第２のコンデンサを画定する、請求項４０に記載のコンデンサ構造体。
42. 前記第２の電極及び前記第４の電極は、それぞれの第３の電位及び第４の電位に接続可能である、請求項４０に記載のコンデンサ構造体。
43. 前記金属素子及び前記誘電体層によって占有されていない前記開口部の部分が、誘電体材料で満たされている、請求項４０に記載のコンデンサ構造体。
44. 前記第１の金属素子及び第４の金属素子のそれぞれは、前記誘電体材料によって、隣接する第２の部分から分離されている第１の部分を有し、該第２の部分は、該第１の部分に対して実質的に平行である、請求項４３に記載のコンデンサ構造体。
45. 前記第１のコンデンサ誘電体層及び前記第２のコンデンサ誘電体層のそれぞれは、少なくとも３の比誘電率ｋを有する、請求項４０に記載のコンデンサ構造体。
46. 前記開口部内における前記絶縁誘電体層の上側面及び下側面のそれぞれは、前記第１の面と前記第２の面との間の前記開口部の高さの少なくとも３倍を有する少なくとも１つの寸法を有する、請求項４０に記載のコンデンサ構造体。
47. 前記第１のプレート及び前記第２のプレートは、前記第１の面に露出しているそれぞれの第５の電極及び第６の電極を備え、前記第３のプレート及び前記第４のプレートは、前記第２の面に露出しているそれぞれの第７の電極及び第８の電極を備える、請求項４０に記載のコンデンサ構造体。
48. 回路コンポーネント又は超小型電子素子との電気的相互接続用の電極を有するコンポーネントを製造する方法であって、
    １０ｐｐｍ／℃未満の熱膨張係数を有する材料から本質的になる基板の第１の面から材料を除去するステップであって、前記第１の面から該第１の面の反対側の第２の面に向かって延在する複数の第１の開口部を形成し、該第１の開口部は、波形の内面を画定する、除去するステップと、
    前記内面の上に重なる誘電体層を形成するステップであって、該誘電体層は、前記内面から離れる方を向いた波形の第１の面を有する、誘電体層を形成するステップと、
    前記誘電体層の前記第１の面の上に重なりかつ前記第１の開口部のそれぞれ内に延在する第１の導電性素子を形成するステップと、
    前記誘電体層の波形の第２の面を露出させるように、前記複数の第１の開口部のうちの隣接する開口部の間にある前記基板の材料を除去して、前記第２の面から前記第１の面に向かって延在する複数の第２の開口部を形成するステップと、
    前記誘電体層の前記第２の面の上に重なりかつ前記第２の開口部のそれぞれ内に延在する第２の導電性素子を形成するステップと
    を含んでなる、回路コンポーネント又は超小型電子素子との電気的相互接続用の電極を有するコンポーネントを製造する方法。
49. 前記第１の導電性素子及び前記第２の導電性素子にそれぞれ接続される第１の電極及び第２の電極を形成するステップを更に含み、前記第１の電極及び前記第２の電極は、それぞれの前記第１の面及び前記第２の面において露出し、前記第１の電極及び前記第２の電極は、それぞれの第１の電位及び第２の電位に接続可能である、請求項４８に記載の方法。
50. 前記誘電体層を形成するステップは、各第１の開口部内において露出している前記内面上への流動性誘電体材料の水溶性めっきによって実行される、請求項４８に記載の方法。
51. 前記複数の第１の開口部のうちの隣接する開口部の間にある前記基板の材料を除去するステップの前に、材料を前記基板の前記第２の面から除去するステップを更に含み、これにより、前記第１の面と前記第２の面との間の前記基板の厚さを削減する、請求項４８に記載の方法。
52. 前記基板の前記第２の面から前記材料を除去するステップは、前記第１の導電性素子の面が前記第２の面に露出するように実行される、請求項５１に記載の方法。
53. 前記第１の導電性素子を形成するステップは、複数の第１のプレートを形成することを含み、第１のプレートのそれぞれは、前記第１の開口部のそれぞれ１つの内部に延在し、前記第２の導電性素子を形成するステップは、複数の第２のプレートを形成することを含み、前記第２のプレートのそれぞれは、前記第２の開口部のそれぞれ１つの内部に延在する、請求項４８に記載の方法。
54. 前記誘電体層を形成するステップは、コンデンサ誘電体層を形成するものである、請求項４８に記載の方法。
55. 前記誘電体層を形成するステップは、絶縁誘電体層を形成するものである、請求項４８に記載の方法。
56. 少なくとも前記第１の開口部のそれぞれの内部において前記第１の導電性素子の面の上に重なる第１のコンデンサ誘電体層を形成するステップと、
    少なくとも前記第２の開口部のそれぞれの内部において前記第２の導電性素子の面の上に重なる第２のコンデンサ誘電体層を形成するステップと、
    少なくとも前記第１の開口部のそれぞれの内部において前記第１のコンデンサ誘電体層の面の上に重なる第３の導電性素子を形成するステップと、
    少なくとも前記第２の開口部のそれぞれの内部において前記第２のコンデンサ誘電体層の面の上に重なる第４の導電性素子を形成するステップと
    を更に含む、請求項５５に記載の方法。
57. 前記第３の導電性素子及び前記第４の導電性素子にそれぞれ接続されている第３の電極及び第４の電極を形成するステップを更に含み、前記第３の電極及び前記第４の電極は、それぞれの前記第１の面及び前記第２の面において露出し、前記第３の電極及び前記第４の電極は、それぞれの第３の電位及び第４の電位に接続可能である、請求項５６に記載の方法。
58. 第１の誘電体領域が、前記第１の導電性プレート及び前記第３の導電性プレート並びに前記第１のコンデンサ誘電体層によって占有されていない各第１の開口部の少なくとも一部分を満たすように、前記第３の導電性素子の上に重なる前記第１の誘電体領域を形成するステップと、
    第２の誘電体領域が、前記第２の導電性プレート及び前記第４の導電性プレート並びに前記第２のコンデンサ誘電体層によって占有されていない各第２の開口部の少なくとも一部分を満たすように、前記第４の導電性素子の上に重なる前記第２の誘電体領域を形成するステップと
    を更に含む、請求項５６に記載の方法。
59. 請求項１、１５、２１、２４、２７、２８、２９、３２、又は４０のいずれか１項に記載のコンポーネントと、該コンポーネントに電気的に接続されている１つ以上の他の電子コンポーネントとを備えるシステム。
60. ハウジングを更に備え、前記構造体及び前記他の電子コンポーネントは、前記ハウジングに取り付けられている、請求項５９に記載のシステム。

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