JP2013065843A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. ゲート電極と、
   前記ゲート電極上方のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上方の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜に電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極と、
   前記酸化物半導体膜上方の酸化物絶縁膜と、
   前記酸化物絶縁膜上方の第１の金属酸化膜と、を有し、
   前記第１の金属酸化膜は、膜密度が３．２ｇ／ｃｍ^３以上の領域を有する半導体装置。
2. ゲート電極と、
   前記ゲート電極上方のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上方の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜に電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極と、
   前記酸化物半導体膜上方の酸化物絶縁膜と、
   前記酸化物絶縁膜上方の第１の金属酸化膜と、を有し、
   前記第１の金属酸化膜は、酸化アルミニウムを有し、
   前記第１の金属酸化膜は、膜密度が３．２ｇ／ｃｍ^３以上の領域を有する半導体装置。
3. 導電膜を有し、
   前記導電膜は、前記第１の金属酸化膜と接する領域を有する請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記導電膜は、酸化亜鉛、インジウム錫酸化物、酸化チタン、アルミニウムおよびチタンのうち、少なくともいずれか一種を有する請求項３に記載の半導体装置。
5. 第２の金属酸化膜を有し、
   前記第２の金属酸化膜は、前記ゲート絶縁膜と前記酸化物半導体膜との間の領域を有し、
   前記第２の金属酸化膜は、前記ゲート絶縁膜と接する領域を有する請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体装置。
6. 前記ゲート電極下方の第３の金属酸化膜を有し、
   前記第３の金属酸化膜は、前記ゲート電極と接する領域を有し、
   前記第３の金属酸化膜は、膜密度が３．２ｇ／ｃｍ^３以上の領域を有する請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の半導体装置。
7. ゲート電極と、
   前記ゲート電極上方のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上方の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜に電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極と、
   前記酸化物半導体膜上方の酸化物絶縁膜と、
   前記酸化物絶縁膜上方の第１の金属酸化膜と、を有し、
   前記第１の金属酸化膜は、膜密度が３．２ｇ／ｃｍ^３以上の領域を有する半導体装置の作製方法であって、
   前記第１の金属酸化膜を形成した後に加熱処理を行う工程を有する半導体装置の作製方法。
8. ゲート電極と、
   前記ゲート電極上方のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上方の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜に電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極と、
   前記酸化物半導体膜上方の酸化物絶縁膜と、
   前記酸化物絶縁膜上方の第１の金属酸化膜と、を有し、
   前記第１の金属酸化膜は、酸化アルミニウムを有し、
   前記第１の金属酸化膜は、膜密度が３．２ｇ／ｃｍ^３以上の領域を有する半導体装置の作製方法であって、
   前記第１の金属酸化膜を形成した後に加熱処理を行う工程を有する半導体装置の作製方法。
9. 導電膜を有し、
   前記導電膜は、前記第１の金属酸化膜と接する領域を有する請求項７または請求項８に記載の半導体装置の作製方法。
10. 前記導電膜は、酸化亜鉛、インジウム錫酸化物、酸化チタン、アルミニウムおよびチタンのうち、少なくともいずれか一種を有する請求項９に記載の半導体装置の作製方法。
11. 第２の金属酸化膜を有し、
    前記第２の金属酸化膜は、前記ゲート絶縁膜と前記酸化物半導体膜との間の領域を有し、
    前記第２の金属酸化膜は、前記ゲート絶縁膜と接する領域を有する請求項７乃至請求項１０のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
12. 前記ゲート電極下方の第３の金属酸化膜を有し、
    前記第３の金属酸化膜は、前記ゲート電極と接する領域を有し、
    前記第３の金属酸化膜は、膜密度が３．２ｇ／ｃｍ^３以上の領域を有する請求項７乃至請求項１１のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。