JP2012525467A5

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Publication number: JP2012525467A5
Application number: JP2012508486A
Authority: JP
Filing date: 2010-04-29
Publication date: 2013-06-13
Anticipated expiration: 2030-04-29

Claims

複数のナノ構造、高分子配位子および前記ナノ構造が埋め込まれる有機高分子を含む組成物であって、
前記配位子は、シリコーン骨格、ならびに前記シリコーン骨格に連結している１個以上の第１級アミンおよび／または第２級アミン部分を含み、
前記高分子配位子が過剰に提供され、それにより、前記配位子のいくつかの分子は前記ナノ構造の表面に結合し、前記配位子の他の分子は前記ナノ構造の表面に結合していない、前記組成物。
前記高分子配位子は異なる少なくとも２種類の単量体単位を含み、前記単量体単位のうちの少なくとも１種類は前記アミン部分を含み、前記単量体単位のうちの少なくとも１種類は前記アミン部分を含まない、請求項１に記載の組成物。
（i）前記アミン部分を含む単量体単位が、前記配位子中に０．５％〜２０％の間のモルパーセントで存在し；または
（ii）前記アミン部分を含む単量体単位が、単量体単位あたり単一の第１級アミン部分を含み；または
（iii）前記アミン部分を含む単量体単位が、単量体単位あたり単一の第１級アミン部分および単一の第２級アミン部分を含み；または
（iv）前記高分子配位子が、１配位子分子あたり１〜２０個の第１級アミン部分を含む：請求項１に記載の組成物。
（ａ）前記高分子配位子が次式：

（式中、Ｒは第１級アミン部分および／または第２級アミン部分を含む基であり、
Ｒ’およびＲ’’は、独立して、アルキルまたはアリール基であり、
ｍは正の整数であり、ｎは０または正の整数であり、
随意にＲ’およびＲ’’はメチル基である）
であるか；または
（ｂ）前記高分子配位子が以下のもの：

（式中、ｍおよびｎは正の整数である）
からなる群から選択されるか、
である、請求項１に記載の組成物。
ナノ構造、第１の高分子配位子および第２の高分子配位子を含み、
前記の第１の高分子配位子がシリコーン骨格、ならびに前記シリコーン骨格に連結している１個以上の第１級アミンおよび／または第２級アミン部分を含み、この高分子配位子が次式：

（式中、Ｒは第１級アミン部分および／または第２級アミン部分を含む基であり、
Ｒ’およびＲ’’は、独立して、アルキルまたはアリール基であり、
ｍは正の整数であり、ｎは０または正の整数である）
であり、
前記第２の高分子配位子がシリコーン骨格ならびに前記第２の高分子配位子の末端サブユニットに連結している１個以上の第１級アミン部分および／または第２級アミン部分を含む、請求項４に記載の組成物。
前記第２の高分子配位子が次式：

（式中、Ｒは前記第１級アミン部分および／または第２級アミン部分を含む基であり、
Ｒ’およびＲ’’は、独立して、アルキルまたはアリール基であり、
ｎは正の整数である）
であり、
随意に前記第２の高分子配位子が次式：

である、請求項５に記載の組成物。
前記高分子配位子が次式：

（式中、Ｒは前記第１級アミン部分および／または第２級アミン部分を含む基であり、
Ｒ’およびＲ’’は、独立して、アルキルまたはアリール基であり、
Ｒ’’’はアルキル基、重合可能な基、アミン基を含む基、またはカルボン酸基を含む基であり、
ｘが正の整数であり、ｙが０または正の整数であり、ｎが０または正の整数であり、随意に
（ａ）Ｒ’およびＲ’’がメチル基であり、または
（ｂ）Ｒが第１級アミン部分および第２級アミン部分を含む）
である、請求項１に記載の組成物。
前記ナノ構造が半導体ナノ結晶である、請求項１〜７のいずれかに記載の組成物。
ナノ構造、高分子配位子および有機エポキシクロスリンカーを含み、前記高分子配位子がシリコーン骨格、ならびに前記シリコーン骨格に連結している１個以上の第１級アミンおよび／または第２級アミン部分を含む、請求項１に記載の組成物。
前記クロスリンカーが以下のもの：

からなる群から選択される、請求項９に記載の組成物。
前記有機重合体が炭化水素重合体である、請求項１〜１０のいずれかに記載の組成物。
請求項１に記載の複合材料物質の作製法であって、
ナノ構造（前記ナノ構造は前記ナノ構造の表面に結合している第１の高分子配位子を有し、前記第１の高分子配位子はシリコーン骨格および前記シリコーン骨格に連結している１個以上の第１級アミン部分および／または第２級アミン部分を含む）の集団を提供することと；
過剰の前記第１の高分子配位子（余分な第１の高分子配位子は、前記ナノ構造の表面に結合しない）を提供することと；
第２の高分子配位子（前記第２の高分子配位子はシリコーン骨格および前記第２の高分子配位子の末端サブユニットに連結している１個以上の第１級アミン部分および／または第２級アミン部分を含む）を提供することと；
前記ナノ構造に結合している前記第１の高分子配位子、余分な第１の高分子配位子および前記の第２の高分子配位子を、前記ナノ構造が埋め込まれるシリコーンマトリックスに組み込むことと：
を含む方法。
請求項１２に記載の方法によって得られる複合材料物質。
請求項１３に記載の複合材料物質を含む素子。