JP2022529218A - 可撓性電界発光デバイス - Google Patents

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Abstract

可撓性電界発光（ＦＥＥ）デバイスの実施形態が記載される。ＦＥＥデバイスは、第１のピーク波長を有する第１の光を生成するように構成された量子ドット（ＱＤ）薄膜を有するデバイス積層と、デバイス積層を支持し、第１の光の第１の部分を発するように構成された可撓性基板とを含む。ＦＥＥデバイスは、デバイス積層に配置された封緘層と、可撓性基板に配置されるアウトカップリング層とを更に含む。封緘層は、水分又は酸素からの機械的及び環境的保護をＦＥＥデバイスに提供するように構成されることができる。アウトカップリング層は、可撓性基板内の第１の光の第２の部分の全内反射を阻止し、可撓性基板から第２の部分を抽出するように構成されることができる。アウトカップリング層は、ＦＥＥデバイスが抽出された第２の部分により照明される表面と実質的に共形配置されることに応答して、アウトカップリング層と上記表面との間の境界面における空気ギャップをなくすように更に構成されることができる。

Description

発明の背景
分野
[0001] 本発明は、可撓性基板上にルミネッセントナノ構造（例えば量子ドット（ＱＤ））ベースの発光層を有する電界発光デバイス（例えば発光ダイオード（ＬＥＤ））に関する。
背景
[0002] 電界発光（ＥＬ）デバイスは、ディスプレイ（例えば、電話、タブレット、モニタ、テレビジョン、又はデジタルビルボード）及び医療用途（例えば光医学）で光源として使用される。ポータブル及びウェアラブルデバイスの需要の増大に伴い、ＥＬデバイス（例えば、ＬＥＤ及び有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ））は、構造的破損及び機能的破損をＥＬデバイスに生じさせずに曲げることができる軽量及び可撓性の基板に作られてきている。
[0003] しかしながら、難問の１つは、例えば光医学用途で光を人間の皮膚に有効に侵入させる、低駆動電圧（例えば、約８ボルト（Ｖ）未満の電圧）で高輝度（ルミナンスとも呼ばれる）（例えば、約２０，０００カンデラ毎平方メートル（ｃｄ／ｍ２）超の輝度）を有する光を発する可撓性ＥＬ（ＦＥＬ）デバイスを製造することである。別の難問は、機械的保護及び／又は環境的保護（例えば、水分及び／又は汚染からの保護）を提供して、非可撓性ＥＬデバイスと比較して同様又はより長い動作寿命及び有効性を達成するために、ＦＥＬデバイスを封緘することである。また、大量生産を容易にするために単純な処理技術を用いて低コストでＦＥＬデバイスを製造及び封緘することも難問である。
概要
[0004] 本開示は、ナノ構造（ＮＳ）ベースの発光層（ＥＭＬ）と、水分、酸素、及び／又は汚染に対する有効な封緘を用いる安価で高輝度の光生成ＦＥＬデバイス例を提供する。本開示は、これを作製する安価な方法例も提供する。
[0005] 幾つかの実施形態では、ＦＥＬデバイスは、可視及び／又は赤外線（ＩＲ）スペクトルでの１つ又は複数の一次発光ピーク波長（例えば、約６００ｎｍから約１２００ｎｍの範囲内の一次発光ピーク波長）において高輝度を有する光を発するように構成されることができる。これらのＮＳベースのＦＥＬデバイスからの光輝度は、ＯＬＥＤ等の非ＮＳベースのＥＭＬを有するＦＥＬデバイスよりも高いことができ、なぜならば、ＯＬＥＤの効率は通常、高光輝度レベルで低下するためであり、この効果は効率ロールオフとして知られており、ＯＬＥＤは高電流密度で大きな効率ロールオフを有する。
[0006] ＮＳベースのＦＥＬデバイスの上記構成は、ＥＭＬに非カドミウム含有（Ｃｄフリー）ＮＳを用いて達成することができるが、カドミウムＮＳを使用してもよい。幾つかの実施形態では、ＣｄフリーＦＥＬデバイスは、低駆動電圧で約２０，０００ｃｄ／ｍ２超（例えば、７Ｖで約２５，０００ｃｄ／ｍ２）の輝度で可視及び／又はＩＲスペクトル（例えば、約６３０ｎｍ）における１つ又は複数の波長で光を生成することができる。ＣｄフリーＦＥＬデバイスは、カドミウムに固有の毒性が人間の健康にとって有害である恐れがあるため、例えば光薬剤での用途に適切であることができる。
[0007] そのようなＣｄフリーＦＥＬデバイスは、人間の皮膚に外部から使用することができ、及び／又は光処置のために人体内部に配置することができる。幾つかの実施形態では、ＣｄフリーＦＥＬデバイスは、処置化合物の分子中の電荷状態を励起させることにより、処置部位において処置化合物又は処置化合物中に配合された光阻害剤を活性化することができる。処置部位は、人間の皮膚表面又は人体内部であることができる。
[0008] 幾つかの実施形態では、ＦＥＬデバイスは、伸張可能及び／又は光医学用途で人間の皮膚等の非均一表面に実質的に共形であるように構成されることができる。非均一表面への一適用例は、光源としてＮＳベースのＦＥＬデバイスを有するＬＥＤバンデージであることができる。ＬＥＤバンデージは、処置部位に共形配置することができ、ＦＥＬデバイスからの光は光処置に使用することができる。幾つかの実施形態では、ＦＥＬデバイスは、ＦＥＬデバイスの発光側から離れて熱を放散させるように構成された熱伝導層を有することができる。したがって、例えば、光医学用途で使用されるＦＥＬデバイスは、処置部位から熱を有効に放散させることができる。代替的には、熱放散量は、熱ベースの処置に向けて制御することができる。
[0009] 幾つかの実施形態では、発光層（ＥＭＬ）中のルミネッセントＮＳは、水分及び／又は汚染に対する封緘をＥＭＬに提供するように構成されたバリア被覆を有することができる。したがって、ＦＥＬデバイスは、複雑及び／又は高価な封緘プロセスを必要とし得る非常に低い水蒸気透過速度（ＷＶＴＲ）（例えば、１０－５ｇ／ｍ２日未満）を有するバリア材料で封緘される必要がない。ＦＥＬデバイスは、単純な封緘プロセスを使用して比較的高いＷＶＴＲ（例えば、１０－５ｇ／ｍ２日、１０－４ｇ／ｍ２日、１０－３ｇ／ｍ２日、１０－２ｇ／ｍ２日、又は１０－１ｇ／ｍ２日）を有する安価なバリア材料を用いて封緘することができ、したがって、製造費を下げ、大量生産を容易にする。
[0010] 実施形態によれば、ＦＥＬデバイスは、第１のピーク波長を有する第１の光を生成するように構成された量子ドット（ＱＤ）薄膜を有するデバイス積層と、デバイス積層を支持し、第１の光の第１の部分を発するように構成された可撓性基板とを含む。ＦＥＬデバイスは、デバイス積層に配置された封緘層と、可撓性基板に配置されるアウトカップリング層とを更に含む。封緘層は、水分又は酸素からの機械的及び環境的保護をＦＥＬデバイスに提供するように構成されることができる。アウトカップリング層は、可撓性基板内の第１の光の第２の部分の全内反射を阻止し、可撓性基板から第２の部分を抽出するように構成されることができる。アウトカップリング層は、ＦＥＬデバイスが抽出された第２の部分により照明される表面と実質的に共形配置されることに応答して、アウトカップリング層と上記表面との間の境界面における空気ギャップをなくすように更に構成されることができる。
[0011] 実施形態によれば、ＦＥＬデバイスは、可撓性基板と、可撓性基板に配置される第１及び第２のデバイス積層とを含む。第１及び第２のデバイス積層は、第１及び第２のピーク波長をそれぞれ有する第１及び第２の光を同時に発するように構成された、第１及び第２の量子ドット（ＱＤ）ベースの発光層（ＥＭＬ）を含む。第１及び第２のピーク波長は互いに異なる。ＦＥＬデバイスは、第１及び第２のデバイス積層に配置される封緘層と、可撓性基板に配置されるアウトカップリング層とを更に含む。アウトカップリング層は、第１及び第２の光の部分をデバイス積層から同時に抽出するように構成されることができる。
[0012] 実施形態によれば、ＦＥＬデバイスを作製する方法は、アノードの前堆積層を有する可撓性基板を提供することと、アノードの前堆積層上にＱＤ薄膜を形成することと、ＱＤ薄膜上にカソードを形成することと、カソード上に封緘層を形成することと、封緘層上にアウトカップリング層を形成することとを含む。
[0013] 本発明の更なる特徴及び利点並びに本発明の種々の実施形態の構造及び動作について、添付図面を参照して以下に詳述する。なお、本発明は、本明細書に記載の特定の実施形態に限定されない。そのような実施形態は、本明細書では単なる例示を目的として提示されている。本明細書に含まれる教示に基づいて、追加の実施形態が当業者に明らかになるであろう。
図面／図の簡単な説明
[0014] 添付図面は、本明細書に組み込まれて本明細書の一部をなし、本明細書に開示される、実施形態を示し、説明と共に実施形態の原理を説明し、当業者が実施形態を作成し使用できるようにする役割を更に果たす。
[0015]幾つかの実施形態による、封緘層を有する底面発光型可撓性電界発光（ＦＥＬ）デバイスの断面図の概略である。 [0016]幾つかの実施形態による、封緘層を有する上面発光型ＦＥＬデバイスの断面図の概略である。 [0017]幾つかの実施形態による、ＦＥＬデバイスのルミナンス特性対電圧特性を示す。 [0018]幾つかの実施形態によるＣｄフリーＮＳベースＥＭＬを有するＦＥＬデバイスの電界発光スペクトルを示す。 [0019]幾つかの実施形態による、熱伝導層及び光アウトカップリング層を有するＦＥＬデバイスの断面図の概略である。 [0020]幾つかの実施形態による複数のＥＭＬを有するＦＥＬデバイスの断面図の概略である。 [0021]幾つかの実施形態による色処理層及び封緘層を有するＦＥＬデバイスの断面図の概略である。 [0022]幾つかの実施形態による封緘層を有するＦＥＬデバイスを作製する方法の流れ図である。 [0023]幾つかの実施形態によるナノ構造（ＮＳ）の断面図の概略である。 [0024]幾つかの実施形態によるＮＳ薄膜の概略である。
[0025] 本発明の特徴及び利点は、同様の参照文字が全体を通して対応する要素を識別する図面と併せて解釈される場合以下に記載の詳細な説明からより明らかになろう。図面中、同様の参照番号は一般に、別記される場合を除き、同一、機能的に同様、及び／又は構造的に構造の要素を示す。要素が最初に出現した図面は、対応する参照番号の左端の桁で示される。別記される場合を除き、本開示全体を通して提供される図面は、一定の縮尺の図面として解釈されるべきではない。
発明の詳細な説明
[0026] 特定の構成及び配置が論考され得るが、これが例示のみを目的として行われることを理解されたい。本発明の趣旨及び範囲から逸脱せずに他の構成及び配置を使用してもよいことを、当業者であれば認識するであろう。この発明が、本明細書で特に言及された用途を超えた多種多様な他の用途でも利用可能なことが、当業者に明らかになるであろう。本明細書に示され説明される特定の実施態様が、例であり、他には本願の範囲の限定を決して意図しないことを理解されたい。
[0027] なお、本明細書での「一実施形態」、「実施形態」、「実施形態例」等の言及は、記載された実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含むが、あらゆる実施形態が必ずしもその特定の特徴、構造、又は特性を含み得るものではないことを示す。更に、そのような句は必ずしも同じ実施形態を指すわけではない。更に、特定の特徴、構造、又は特性がある実施形態に関連して記載される場合、そのような特徴、構造、又は特性を他の実施形態と併せて行うことは、明確に記載されているか否かに関係なく、当業者の知識内である。
[0028] 材料の量、材料の比率、材料の物理的特性、及び／又は使用を示すこの説明中の全ての数字は、別段のことが明示される場合を除き、「約」という用語で修飾されるものとして理解されたい。
[0029] 実施形態では、「表示デバイス」という用語は、表示画面にデータを可視的に表現できるようにする要素の構成を指す。適切な表示画面は、情報を視覚的にユーザに表示する種々のフラット、湾曲、又は他の形状の画面、フィルム、シート、又は他の構造体を含むことができる。本明細書に記載の表示デバイスは、例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、テレビジョン、コンピュータ、モニタ、携帯電話、スマートフォン、個人情報端末（ＰＤＡ）、ゲームデバイス、電子リーダーデバイス、デジタルカメラ、タブレット、ウェアラブルデバイス、カーナビゲーションシステム、電子看板、拡張現実、仮想現実等を含む表示システムに含まれることができる。
[0030] 「約」という用語は、本明細書で使用されるとき、その値の±１０％だけ広がる所与の数量の値を示す。例えば、「約１００ｎｍ」は９０ｎｍから１１０ｎｍ（端数を含む）のサイズの範囲を包含する。
[0031] 「実質的に」という用語は、本明細書で使用されるとき、値の±１％から±５％だけ広がる所与の数量の値を示す。
[0032] 実施形態では、「光学的に結合される」という用語は、構成要素が、光が実質的な干渉なく一方の構成要素から別の構成要素にわたることができるように位置決めされることを意味する。
[0033] 「ナノ構造」という用語は、本明細書で使用されるとき、約５００ｎｍ未満の寸法の少なくとも１つの領域又は特徴的寸法を有する構造を指す。幾つかの実施形態では、ナノ構造は、約２００ｎｍ未満、約１００ｎｍ未満、約５０ｎｍ未満、約２０ｎｍ未満、又は約１０ｎｍ未満の寸法を有する。通常、領域又は特徴的寸法は、構造の最小軸に沿う。そのような構造の例には、ナノワイヤ、ナノロッド、ナノチューブ、分岐ナノ構造、ナノテトラポッド、トリポッド、バイポッド、ナノクリスタル、ナノドット、ＱＤ、ナノ粒子等がある。ナノ構造は、例えば、実質的に結晶性、実質的に単結晶、多結晶、非晶質、又はそれらの組合せであることができる。幾つかの実施形態では、ナノ構造の３つの次元のそれぞれは、約５００ｎｍ未満、約２００ｎｍ未満、約１００ｎｍ未満、約５０ｎｍ未満、約２０ｎｍ未満、又は約１０ｎｍ未満の寸法を有する。
[0034] 「ＱＤ」又は「ナノ結晶」という用語は、本明細書で使用されるとき、実質的に単結晶であるナノ構造を指す。ナノ結晶は、約５００ｎｍ未満から約１ｎｍ未満のオーダまで下がる寸法を有する、少なくとも１つの領域又は特徴的寸法を有する。「ナノ結晶」、「ＱＤ」、「ナノドット」、及び「ドット」という用語は、同様の構造体を表すことが当業者に容易に理解され、本明細書では同義で使用される。本発明は、多結晶又は非晶質ナノ結晶の使用も包含する。
[0035] 「ヘテロ構造体」という用語は、ナノ構造体に関連して用いる場合、少なくとも２つの異なる及び／又は識別可能な材料タイプによって特徴付けられるナノ構造体を指す。通常、ナノ構造体の１つの領域は、第１の材料タイプを含み、ナノ構造体の第２の領域は、第２の材料タイプを含む。いくつかの実施形態では、ナノ構造体は、第１の材料のコアと、第２（又は第３等）の材料の少なくとも１つのシェルとを含み、そこでは、例えば、異なる材料タイプは、ナノワイヤの長軸、分枝ナノワイヤのアームの長軸又はナノ結晶の中心の周りに放射状に分散される。シェルは、必須ではないが、シェルと見なされるように、又はナノ構造体がヘテロ構造と見なされように隣接する材料を完全に覆うことができ、例えば、第２の材料の小さい島で覆われた１つの材料のコアによって特徴付けられるナノ結晶は、ヘテロ構造体である。他の実施形態では、異なる材料タイプは、例えば、ナノワイヤの主（長）軸に沿って又は分枝ナノワイヤのアームの長軸に沿ってナノ構造体内の異なる位置に分散されている。ヘテロ構造体内の異なる領域は、完全に異なる材料を含むことができるか、又は異なる領域は、異なるドーパント又は異なる濃度の同じドーパントを有するベース材料（例えば、ケイ素）を含むことができる。
[0036] 本明細書で用いるとき、ナノ構造体の「直径」という用語は、ナノ構造体の第１の軸に垂直な断面の直径を指し、第１の軸は、第２の軸及び第３の軸（第２の軸及び第３の軸は、長さが互いに最も略等しい２つの軸である）に対して長さの差が最も大きい。第１の軸は、必ずしもナノ構造体の最長軸であるとは限らず、例えば円盤状のナノ構造体の場合、断面は、円盤の短い長手方向軸に垂直な実質的に円形の断面である。断面が円形でない場合、直径は、その断面の長軸と短軸との平均である。ナノワイヤ等の長尺状の又は高アスペクト比のナノ構造体の場合、直径は、ナノワイヤの最長軸に垂直な断面にわたって測定される。球状ナノ構造体の場合、直径は、球の中心を通って一方の側から他方の側まで測定される。
[0037] 「結晶性」又は「実質的に結晶性」という用語は、ナノ構造体に関して用いる場合、ナノ構造体が、典型的には、構造体の１つ又は複数の寸法にわたって長距離秩序を示すという事実を指す。単結晶の秩序が結晶の境界を越えて広がることはできないため、「長距離秩序」という用語は、所定のナノ構造体の絶対的なサイズによって決まることが当業者に理解されるであろう。この場合、「長距離秩序」は、ナノ構造体の寸法の少なくとも大部分にわたる実質的な秩序を意味する。場合により、ナノ構造体は、酸化物若しくは他のコーティングを担持することができるか、又はコア及び少なくとも１つのシェルから構成されることができる。このような場合、酸化物、シェル又は他のコーティングは、必須ではないが、このような秩序を示すことができる（例えば、それは、非晶質、多結晶性又は他のものであり得る）ことが理解されるであろう。このような場合、「結晶性」、「実質的に結晶性」、「実質的に単結晶性」又は「単結晶性」という言い回しは、ナノ構造体の中心コア（コーティング層又はシェルを排除する）を指す。また、本明細書で用いる「結晶性」又は「実質的に結晶性」という用語は、構造体が実質的な長距離秩序（例えば、ナノ構造体又はそのコアの少なくとも１つの軸の長さの少なくとも約８０％にわたる秩序）を示す限り、種々の欠陥、積層欠陥、原子置換等を含む構造体も包含することが意図される。更に、コアとナノ構造体の外側との間、又はコアと隣接するシェルとの間、又はシェルと第２の隣接するシェルとの間の界面は、非結晶領域を含むことができ、更に非晶質であり得ることが理解されるであろう。これは、ナノ構造体が本明細書で定義するような結晶性又は実質的に結晶性であることを妨げない。
[0038] 「単結晶性」という用語は、ナノ構造体に関して使用する場合、ナノ構造体が実質的に結晶性であり、実質的に単一の結晶を含むことを示す。コア及び１つ又は複数のシェルを含むナノ構造ヘテロ構造体に関して用いる場合、「単結晶性」は、コアが実質的に結晶性であり、実質的に単一の結晶を含むことを示す。
[0039] 本明細書で用いる「リガンド」という用語は、例えば、ナノ構造体の表面との共有結合、イオン、ファンデルワールス、又は他の分子相互作用を通してナノ構造体の１つ又は複数の面と（弱くても強くても）相互作用することができる分子を指す。
[0040] 本明細書で用いる「量子収率」（ＱＹ）という用語は、例えば、ナノ構造体又はナノ構造体の集団によって吸収された光子に対する、放出された光子の比を指す。当技術分野で既知であるように、量子収率は、通常、既知の量子収率値を有する十分に特徴付けられた標準試料を使用する比較方法によって決定される。
[0041] 本明細書で用いる「一次発光ピーク波長」という用語は、発光スペクトルが最高の強度を示す波長を指す。
[0042] 本明細書で用いる「半値全幅」（ＦＷＨＭ）という用語は、スペクトル幅の尺度を指す。発光スペクトルの場合、ＦＷＨＭは、ピーク強度値の半分の発光スペクトルの幅を指すことができる。
[0043] 本明細書で用いるフェルスター半径という用語は、当技術分野ではフェルスター距離とも呼ばれる。
[0044] 「ナノ構造（ＮＳ）薄膜」という用語は、本明細書では、ルミネッセントナノ構造を有する薄膜を指すのに使用される。
[0045] 「可撓性」という用語は、本明細書では、構造的破損及び／又は機能的破損を要素に与えずに曲げる、捻る、折り畳む、管形態に巻く、圧縮する、又は同様に操作することが可能な要素を指すのに使用される。「可撓性」という用語はまた、本明細書では、構造的破損及び／又は機能的破損を要素に与えずに伸張可能な要素を指すのにも使用される。
[0046] 「近赤外線（ＮＩＲ）波長領域」という用語は、本明細書では、幾つかの実施形態によれば、約７５０ｎｍから約１２００ｎｍの範囲の波長を含むことができるＩＲスペクトルの波長領域を指すのに使用される。
[0047] 「赤波長領域」という用語は、本明細書では、幾つかの実施形態によれば、約６２０ｎｍから約７５０ｎｍの範囲の波長を含むことができる可視スペクトルの波長領域を指すのに使用される。
[0048] 「緑波長領域」という用語は、本明細書では、幾つかの実施形態によれば、約４９５ｎｍから約５７０ｎｍの範囲の波長を含むことができる可視スペクトルの波長領域を指すのに使用される。
[0049] 「青波長領域」という用語は、本明細書では、幾つかの実施形態によれば、約４３５ｎｍから約４９５ｎｍの範囲の波長を含むことができる可視スペクトルの波長領域を指すのに使用される。
[0050] 本明細書で参照する公開特許、特許出願、ウェブサイト、企業名、及び科学文献は、それぞれが参照により援用されるように具体的に及び個々に示されているのと同程度まで、それらの全体が参照により本明細書に援用される。本明細書で引用する任意の引用文献と本明細書の具体的な教示との間のいかなる矛盾も、後者を選択して解決されるものとする。同様に、用語又は言い回しの技術的に理解される定義と、本明細書において具体的に教示するような用語又は言い回しの定義との間のいかなる矛盾も、後者を選択して解決されるものとする。
[0051] 本明細書で用いる技術用語及び科学用語は、別段の定義がない限り、本明細書が関係する技術分野における、当業者によって一般に理解される意味を有する。本明細書では、当業者に既知である種々の方法及び材料について言及する。
可撓性電界発光デバイスの実施形態例
[0052] 図１は、幾つかの実施形態による底面発光型可撓性電界発光（ＦＥＬ）デバイス１００の断面図の概略を示す。幾つかの実施形態では、ＦＥＬデバイス１００は、可撓性ディスプレイに画像を生成し、可撓性光源を光医学用途での用途（例えば光薬剤）に提供し、及び／又は他のＦＥＬデバイスベースの可撓性デバイスを提供するように構成されることができる。「可撓性」という用語は、本明細書では、構造的破損及び／又は機能的破損を要素に与えずに全方向に曲げる、捻る、折り畳む、管形態に巻く、圧縮する、又は同様に操作することが可能な要素を指すのに使用される。「可撓性」という用語は本明細書では、構造的破損及び／又は機能的破損を要素に与えずに両方向に伸張可能な要素を指すのにも使用される。
[0053] 幾つかの実施形態では、ＦＥＬデバイス１００は、可視及び／又は赤外線（ＩＲ）スペクトルでの１つ又は複数の一次発光ピーク波長（例えば、約６００ｎｍから約１１００ｎｍの範囲内の一次発光ピーク波長）において高輝度を有する光を発するように構成されることができる。ＦＥＬデバイス１００からの光輝度はＯＬＥＤよりも高い値であることができ、なぜならば、ＯＬＥＤの効率は通常、高光輝度レベルで低下するためであり、この効果は効率ロールオフとして知られており、ＯＬＥＤは高電流密度で大きな効率ロールオフを有する。
[0054] 幾つかの実施形態では、ＦＥＬデバイス１００は、基板１０２と、基板１０２に配置されるデバイス積層１０３と、デバイス１０３に配置される封緘層１２４とを含むことができる。基板１０２は、デバイス積層１０３を支持し、任意選択的にデバイス積層１０３の動作を制御する制御回路（図示せず）を支持するように構成されることができる。幾つかの実施形態では、基板１０２は可撓性であることができ、及び／又はＦＥＬデバイス１００の光医学用途で、人間の皮膚等の非均一表面に実質的に共形とすることができる。幾つかの実施形態では、基板１０２は光学透過性であることができ、光１０１を実質的に吸収せずに、デバイス積層１０３によって生成された光１０１に基板１０２を透過させることができる。デバイス積層から発せられた光１０１は、図１では、Ｚ方向を指す黒色矢印で表されている。
[0055] 幾つかの実施形態では、基板１０２は、ＦＥＬデバイス１００の伸張中、デバイス積層１０３の層が張力に直面しないような波形構造を含むことができる。幾つかの実施形態では、基板１０２は、プラスチック、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、又は他の適切な可撓性ポリマー材料等のポリマー材料を含むことができる。幾つかの実施形態では、基板１０２は、超薄銀、銀メッシュ、銀ナノワイヤ、導電性有機ポリマー、又はインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を含まない他の適切な導電材料を含むことができる。幾つかの実施形態では、基板１０２は、約１０μｍから約１５０μｍ（例えば、約１０μｍ、約１２μｍ、約２５μｍ、約７５μｍ、約１００μｍ、約１２５μｍ、又は約１５０μｍ）の範囲のＺ軸に沿った垂直寸法（例えば厚さ）を有することができる。幾つかの実施形態では、基板１０２の表面１０２ｓは、光１０１を使用して生成される画像を表示する画面として機能することができる。幾つかの実施形態では、基板１０２は、ＦＥＬデバイス１００に環境保護を提供する封緘層として機能することができる。基板１０２の材料は、約１０－５ｇ／ｍ２日から約１０ｇ／ｍ２日の範囲（例えば、約１０－５ｇ／ｍ２日、約１０－４ｇ／ｍ２日、約１０－３ｇ／ｍ２日、約１０－２ｇ／ｍ２日、又は約１０－１ｇ／ｍ２日）の水蒸気透過速度（ＷＶＴＲ）等のバリア性を有するように選択することができる。
[0056] デバイス積層１０３は、幾つかの実施形態によれば、基板１０２に配置されるアノード１０４と、アノード１０４に配置される正孔注入層（ＨＩＬ）１０８と、ＨＩＬ１０８上の正孔輸送層（ＨＴＬ）１１０と、ＨＴＬ１１０に配置される電子遮断層（ＥＢＬ）１１２と、ＥＢＬ１１２に配置される発光層（ＥＭＬ）１１４と、ＥＭＬ１１４に配置される正孔遮断層（ＨＢＬ）１１６と、ＨＢＬ１１６に配置される電子輸送層（ＥＴＬ）１１８と、ＥＴＬ１１８に配置される電子注入層（ＥＩＬ）１２０と、ＥＩＬ１２０に配置されるカソード１２２とを含むことができる。幾つかの実施形態では、デバイス積層１０３は、ＨＩＬ１０８、ＥＢＬ１１２、ＨＢＬ１１６、ＥＴＬ１１８、又はＥＩＬ１２０なしで、アノード１０４と、ＨＴＬ１１０と、ＨＴＬ１１０に配置されるＥＭＬ１１４と、ＥＭＬ１１４に配置されるカソード１２２とを含むことができる。幾つかの実施形態では、デバイス積層１０３は、ＨＩＬ１０８、ＨＴＬ１１０、ＥＢＬ１１２、ＨＢＬ１１６、ＥＴＬ１１８、又はＥＩＬ１２０なしで、アノード１０４と、アノード１０４に配置される発光層（ＥＭＬ）１１４と、ＥＭＬ１１４に配置されるカソード１２２とを含むことができる。
[0057] ＦＥＬデバイス１００は、ＥＭＬ１１４の組成に基づいて可視及びＩＲスペクトル内の光１０１（例えば、赤、緑、青、又はＩＲ）を発するように構成されることができる。幾つかの実施形態では、ＥＭＬ１１４は、１つ又は複数のＮＳベースの発光層又はＮＳベースの発光層と有機発光層との組合せを含むことができる。幾つかの実施形態では、ＮＳベースの発光層（例えば、図１０を参照して説明するＮＳ薄膜１０００）は、ＱＤ等のルミネッセントＮＳ（例えば、図９を参照して説明されるＮＳ９００）を含むことができる。ＥＭＬ１１４におけるＮＳベースの発光層のＮＳのサイズ及び材料は、基板１０２を通して発せられる光１０１の所望の色（例えば、赤、緑、青、又はＩＲ）に基づいて選択することができる。
[0058] 幾つかの実施形態では、ＥＭＬ１１４におけるＮＳベースの発光層のＮＳのサイズ及び材料は、可視スペクトルの赤波長領域（例えば、約６２０ｎｍから約７５０ｎｍの範囲の波長）、緑波長領域（例えば、約４９５ｎｍから約５７０ｎｍの範囲の波長）、又は青波長領域（例えば、約４３５ｎｍから約４９５ｎｍの範囲の波長）に一次発光ピーク波長を有する光１０１を発するように選択することができる。幾つかの実施形態では、ＥＭＬ１１４におけるＮＳベースの発光層のＮＳのサイズ及び材料は、可視及びＩＲスペクトル（例えば、約６００ｎｍから約１１００ｎｍの範囲の波長）に一次発光ピーク波長を有する光１０１を発するように選択することができる。幾つかの実施形態では、ＥＭＬ１１４は、赤色光、緑色光、青色光、ＮＩＲ、及び／又は可視又はＩＲスペクトルの任意の光を発するように構成されたルミネッセントＮＳの集団を有することができる。
[0059] 幾つかの実施形態では、ＥＭＬ１１４の１つ又は複数のＮＳベースの発光層は非カドミウム含有ＮＳを含むことができる。ＣｄフリーＦＥＬデバイス１００は、カドミウムの固有の毒性が人間の変更に有害であり得るため、光薬剤での用途に適することができる。そのようなＣｄフリーＦＥＬデバイス１００は、人間の皮膚に外部から使用することができ、及び／又は光処置のために人体内部に配置することができる。幾つかの実施形態では、ＣｄフリーＦＥＬデバイス１００は、処置化合物の分子中の電荷状態を励起させることにより、処置部位において処置化合物又は処置化合物中に配合された光阻害剤を活性化することができる。処置部位は、人間の皮膚表面又は人体内部であることができる。
[0060] 幾つかの実施形態では、ＥＭＬ１１４はリン化インジウム（ＩｎＰ）ベースのＮＳを含むことができ、これは、緑波長領域からＮＩＲ波長領域まで及ぶ波長領域（例えば、約４９５ｎｍから約１２００ｎｍの範囲の波長）に一次発光ピーク波長を有する光１０１を発することができる。幾つかの実施形態では、ＥＭＬ１１４は、硫化鉛（ＰｂＳ）、リン化カドミウム（Ｃｄ３Ｐ２）、硫化銀（Ａｇ２Ｓ）、セレン化銀インジウム（ＡｇＩｎＳｅ２）、ケイ素（Ｓｉ）、又はホルムアミジニウムヨウ化鉛（ＦＡＰｂＩ３）ベースのＮＳを含むことができ、これらはＩＲ波長範囲（約８００ｎｍから約１１００ｎｍの範囲の波長）内に一次発光ピーク波長を有する光１０１を発することができる。幾つかの実施形態では、ＥＭＬ１１４は、Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族半導体化合物ベースのＮＳ（例えば、セレン化銅インジウム（ＣｕＩｎＳｅ２）又は硫化銅インジウム（ＣｕＩｎＳ２））を含むことができ、これらは６０％超の量子収量を示すことができる。
[0061] 可視又はＩＲスペクトルに一次発光ピーク波長を有する光１０１は、動作中、電圧がデバイス積層１０３にわたり印加されるとき、ＥＭＬ１１４から生成し、ＦＥＬデバイス１００から発することができる。電子及び正孔がＥＭＬ１１４において再結合して、可視及び／又はＩＲ波長領域の波長に対応する光子を解放するため、光１０１は、電圧が印加されたときに生成されることができる。電子及び正孔は、アノード１０４がカソード１２２に対して正であるように電圧が印加されたとき、カソード１２２及びアノード１０４からそれぞれ注入することができる。幾つかの実施形態では、ＥＭＬ１１４は、例えば、スピンコーティング、インクジェットプリント、スロットダイコーティング、ノズルプリント、コンタクトプリント、適切な溶液プリント技術、熱蒸着、又は適切な蒸着技術により下層上に形成されることができる。幾つかの実施形態では、ＥＭＬ１１４は、約３ｎｍから約２５ｎｍの範囲（例えば、約５ｎｍ、約１０ｎｍ、又は約１５ｎｍ）の直径を有し、赤波長領域、緑波長領域、及び／又は赤波長領域と緑波長領域との間の一次発光ピーク波長を発するように構成されたリン化インジウム（ＩｎＰ）ベースＱＤを含むことができる。
[0062] アノード１０４は、上述したように、動作中、正バイアスされると、正孔をデバイス積層１０３に注入するように構成されることができる。アノード１０４は、幾つかの実施形態によれば、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等の導電性及び光学透過性の材料を含むことができる。幾つかの実施形態では、アノード１０４は、導電性及び光学に透明の材料を基板１０２に堆積させパターニングすることにより基板１０２上に形成されることができる。堆積は、例えば、スパッタリング、熱蒸着、又は導電性及び光学的透過性材料を堆積させる適切な方法により実行することができる。パターニングは、堆積中、例えば、リソグラフィプロセス又はマスキングプロセスにより実行することができる。幾つかの実施形態では、アノード１０４は、約５０ｎｍから約１５０ｎｍの範囲（例えば、約５０ｎｍ、約８０ｎｍ、約１００ｎｍ、約１２０ｎｍ、約１２５ｎｍ、約１４０ｎｍ、又は約１５０ｎｍ）のＺ軸に沿った垂直寸法（例えば厚さ）を有することができる。
[0063] 任意選択的に、ＨＩＬ１０８はアノード１０４上に形成されることができる。ＨＩＬ１０８は、アノード１０４からＨＴＬ１１０への正孔の注入を促進するように構成されることができる。幾つかの実施形態では、ＨＩＬ１０８は、約３ｎｍから約７０ｎｍの範囲（例えば、約３ｎｍ、約１０ｎｍ、約３０ｎｍ、約４０ｎｍ、約５０ｎｍ、約６０ｎｍ、又は約７０ｎｍ）のＺ軸に沿った垂直寸法（例えば厚さ）を有することができる。幾つかの実施形態では、ＨＩＬ１０８は、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化モリブデン（ＭｏＯ３）、酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、酸化タングステン（ＷＯ３））、ポリアニリン、ポリチオフェン（例えば、ポリ（スチレンスルホナート）（ＰＳＳ）をドープしたポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ））、トリス［フェニル（ｍ－トリル）アミノ］トリフェニルアミン（ｍＴＤＡＴＡ）、又はヘキサアザトリフェニレン－ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ－ＣＮ）等のｐ型又はｎ型の有機又は無機半導体材料を含むことができる。ＨＩＬ１０８は、例えば、スピンコーティング、インクジェットプリント、スロットダイコーティング、ノズルプリント、コンタクトプリント、適切な溶液プリント技術、ロールツーロール処理、熱蒸着、又は適切な蒸着技術によりアノード１０４上に堆積することができる。
[0064] 幾つかの実施形態では、ＨＴＬ１１０は、図１に示されるようにＨＩＬ１０８上に形成されてもよく、又はＨＩＬ１０８が任意選択的に含まれない場合、アノード１０４上に形成されてもよい。ＨＴＬ１１０は、ＨＩＬ１０８からＥＭＬ１１４への正孔の輸送を促進するように構成されることができる。幾つかの実施形態では、ＨＴＬ１１０は、ＨＩＬ１０８の垂直寸法よりも小さなＺ軸に沿った垂直寸法（例えば厚さ）を有することができ、約１０ｎｍから約３０ｎｍ（例えば、約１０ｎｍ、約２０ｎｍ、又は約３０ｎｍ）の範囲であることができる。幾つかの実施形態では、ＨＴＬ１１０は、例えば、金属酸化物又は金属酸化物のナノ構造（例えば、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化モリブデン（ＭｏＯ３）、酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、若しくは酸化タングステン（ＷＯ３））等のｐ型有機又は無機半導体材料又はポリマー（例えば、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）、ポリ（トリアリールアミン）、トリフェニルアミン誘導体、若しくはカルバゾール誘導体）、又は小有機分子（例えば、Ｎ，Ｎ－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ－ジフェニル－（１，１－ビフェニル）－４，４－ジアミン（ＮＰＢ））を含むことができる。幾つかの実施形態では、ＨＴＬ１１０及びＨＩＬ１０８は、互いと同様又は異なる材料を含むことができる。幾つかの実施形態では、ＨＴＬ１１０は、例えば、スピンコーティング、インクジェットプリント、スロットダイコーティング、ノズルプリント、コンタクトプリント、適切な溶液プリント技術、ロールツーロール処理、熱蒸着、又は適切な蒸着技術によりＨＩＬ１０８上に堆積することができる。
[0065] 任意選択的に、ＥＢＬ１１２は、ＥＭＬ１１４とＨＴＬ１１０との間の介在層としてＨＴＬ１１０上に形成されることができる。ＥＢＬ１１２は、ＨＴＬ１１０とＥＭＬ１１４との間の大きなエネルギーバリアとして作用することにより、電子がＥＭＬ１１４から逃げるのをブロックするように構成されることができる。ＥＢＬ１１２は、例えば、カルバゾール及びトリフェニレンベースの有機化合物等の浅い伝導帯を有するｐ型半導体材料を含むことができる。幾つかの実施形態では、ＥＢＬ１１２は、例えば、スピンコーティング、インクジェットプリント、スロットダイコーティング、ノズルプリント、コンタクトプリント、適切な溶液プリント技術、熱蒸着、又は適切な蒸着技術によりＨＴＬ１１０上に堆積することができる。
[0066] ＥＢＬ１１２と同様に、ＨＢＬ１１６は任意選択的に、ＥＭＬ１１４とＥＴＬ１１８との間の介在層としてＥＭＬ１１４上に形成されることができる。ＨＢＬ１１６は、ＥＴＬ１１８とＥＭＬ１１４との間の大きなエネルギーバリアとして作用することにより、正孔がＥＭＬ１１４から逃げるのをブロックするように構成されることができる。ＨＢＬ１１６は、例えば、置換ベンズイミダゾール有機化合物等の深い価電子帯を有するｎ型半導体材料を含むことができる。幾つかの実施形態では、ＨＢＬ１１６は、例えば、スピンコーティング、インクジェットプリント、スロットダイコーティング、ノズルプリント、コンタクトプリント、適切な溶液プリント技術、熱蒸着、又は適切な蒸着技術により形成されることができる。
[0067] 任意選択的に、ＥＴＬ１１８は、ＨＢＬ１１６上又はＨＢＬ１１６が任意選択的に含まれない場合、ＥＭＬ１１４上に形成されることができる。ＥＴＬ１１８は、ＥＩＬ１２０からＥＭＬ１１４の電子の輸送を促進するように構成されることができる。ＨＢＬ１１６がない場合、ＥＴＬ１１８は、正孔がＥＭＬ１１４から逃げるのをブロックするように構成されることができる。幾つかの実施形態では、ＥＴＬ１１８は、例えば、金属酸化物又は金属酸化物のナノ構造（例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、亜鉛マグネシウム酸化物（ＺｎＭｇＯ）、若しくは酸化チタン（ＴｉＯ２））又はベンズイミダゾール誘導体等のｎ型有機又は無機半導体材料を含むことができる。幾つかの実施形態では、ＥＴＬ１１８は、例えば、スピンコーティング、インクジェットプリント、スロットダイコーティング、ノズルプリント、コンタクトプリント、適切な溶液プリント技術、熱蒸着、又は適切な蒸着技術により形成されることができる。幾つかの実施形態では、ＥＴＬ１１８は、約５０ｎｍから約１００ｎｍの範囲（例えば、約５０ｎｍ、約６０ｎｍ、約８０ｎｍ、又は約１００ｎｍ）のＺ軸に沿った垂直寸法（例えば厚さ）を有することができる。
[0068] 任意選択的に、ＥＩＬ１２０はＥＴＬ１１８上に形成されることができ、カソード１２２とのオーム又は準オーム接触を形成することにより、カソード１２２からＥＴＬ１１８への電子の注入を促進するように構成されることができる。幾つかの実施形態では、ＥＩＬ１２０は、ｎ型半導体材料、アルカリ金属塩（例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、若しくは炭酸セシウム（Ｃｓ２ＣＯ３））、低仕事関数金属（例えば、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、若しくはセシウム（Ｃｓ））、又有機化合物（例えば、ポリフルオレン、エトキシル化ポリエチレンイミン（ＰＥＩＥ）、若しくはリチウム－８－ヒドロキシキノリン（Ｌｉｑ））を含むことができる。幾つかの実施形態では、ＥＴＬ１１８及びＥＩＬ１２０は、互いと同様又は異なる材料を含むことができる。ＥＩＬ１２０は、例えば、スピンコーティング、インクジェットプリント、スロットダイコーティング、ノズルプリント、コンタクトプリント、適切な溶液プリント技術、熱蒸着、又は適切な蒸着技術によりＥＴＬ１１８上に堆積することができる。
[0069] カソード１２２は、ＥＩＬ１２０上に直接又はＥＩＬ１２０、ＥＴＬ１１８、及びＨＢＬ１１６が任意選択的に含まれない場合、ＥＭＬ１１４上に直接形成されることができる。カソード１２２は、上述したように、負にバイアスされたとき、電子をデバイス積層１０３に注入するように構成されることができる。幾つかの実施形態では、カソード１２２は、約１００ｎｍから約５μｍの範囲（例えば、約２５０ｎｍ、約２８０ｎｍ、約３００ｎｍ、約５００ｎｍ、約１μｍ、又は約５μｍ）のＺ軸に沿った垂直寸法（すなわち厚さ）を有することができる。カソード１２２は、幾つかの実施形態によれば、例えば、アルミニウム（Ａｌ）又は銀（Ａｇ）等の導電性及び光学的に反射性の材料を含むことができる。カソード１２２の反射性材料は、光を基板１０２に向けて反射し、光がカソード１２２を通して発せられるのを防ぐのに役立つことができる。ＥＭＬ１１４における電子及び正孔の再結合後、光子の解放に起因して生成される光（上述）は、カソード１２２及び基板１０２に向かって移動することができる。カソード１２２の反射性材料は、ＦＥＬデバイス１００から発せられるようにこれらの光子を基板１０２にリダイレクトするのに役立つことができる。幾つかの実施形態では、カソード１２２及びアノード１０４は光学透過性であることができ、光１０１は基板１０２及びカソード１２２の両方を通して発することができる。
[0070] 幾つかの実施形態では、カソード１２２は、カソード材料をＥＩＬ１２０上に堆積、パターニングすることにより形成されることができる。堆積は、例えば、スパッタリング、熱蒸着、適切な溶液プリント技術、又は導電性及び光学的透過性材料の適切な堆積方法により実行することができる。パターニングは、例えば、インクジェットプリントプロセスにより又は所望のパターンを有するマスクを通してのカソード材料の熱蒸着により実行することができる。
[0071] 封緘層１２４は、カソード１２２上及びＦＥＬデバイス１００の側面（図１に示されず）に直接形成されることができ、機械的保護及び環境保護をＦＥＬデバイス１００に提供するように構成されることができる。幾つかの実施形態では、封緘層１２４は結合層１２４Ａ及びバリア薄膜１２４Ｂを含むことができる。結合層１２４Ａ及びバリア薄膜１２４Ｂの材料は、機械的保護及び環境保護を可撓性及び／又は伸張性と共にＦＥＬデバイス１００に提供するバリア性を有するように選択することができる。幾つかの実施形態では、結合層１２４Ａ及びバリア薄膜１２４Ｂの材料は、約１０－５ｇ／ｍ２日から約１０ｇ／ｍ２日の範囲（例えば、約１０－５ｇ／ｍ２日、約１０－４ｇ／ｍ２日、約１０－３ｇ／ｍ２日、約１０－２ｇ／ｍ２日、又は約１０－１ｇ／ｍ２日）の水蒸気透過速度（ＷＶＴＲ）等のバリア性を有して、水分からの保護を提供することができる。結合層１２４Ａ及びバリア薄膜１２４のＷＶＴＲは、互いと同様又は異なることができる。
[0072] 幾つかの実施形態では、結合層１２４Ａは、可撓性感圧接着材料又はバリア薄膜１２４Ｂをカソード１２２に結合するように構成された他の適切な可撓性接着材料を含むことができる。バリア薄膜１２４Ｂは、幾つかの実施形態によれば、金属ラミネート、金属フォイル、装飾性有色バッキング、又は他の適切な可撓性バリア材料を含むことができる。結合層１２４Ａ及びバリア薄膜１２４Ｂは、光学透過性、反射性、又は不透明であることができる。
[0073] 幾つかの実施形態では、結合層１２４Ａは、約２０μｍから約３０μｍの範囲（例えば、約２０μｍ、約２５μｍ、又は約３０μｍ）のＺ軸に沿った垂直寸法（例えば厚さ）を有することができる。幾つかの実施形態では、バリア薄膜１２４Ｂは、約１０μｍから約１５０μｍの範囲（例えば、約１０μｍ、約１２μｍ、約７５μｍ、約１００μｍ、約１２５μｍ、又は約１５０μｍ）のＺ軸に沿った垂直寸法（例えば厚さ）を有することができる。幾つかの実施形態では、Ｚ軸に沿ったバリア薄膜１２４Ｂ及び基板１０２の垂直寸法は、互いと同様又は異なることができる。
[0074] 結合層１２４Ａ及びバリア薄膜１２４Ｂの垂直寸法は、層又は接点のクラッキング又はバックリングに起因してデバイス故障に繋がる恐れがあるデバイス積層１０３の伸張又は圧縮を低減するように選択することができる。封緘層１２４及び基板１０２の垂直寸法は、ＦＥＬデバイス１００の湾曲中に直面する張力及び／又は圧縮力が封緘層１２４及び／又は基板１０２内で実質的に制限することができ、ＦＥＬデバイス１００のデバイス積層１０３の層に延在しないように選択することができる。したがって、デバイス積層１０３の層は、ＦＥＬデバイス１００の湾曲中、中立面にあることができる。中立面は、張力又は圧縮力が実質的にない平面として定義することができる。
[0075] 幾つかの実施形態では、バッファー層（図１に示されず）がカソード１２２と結合層１２４Ａとの間に堆積することができる。バッファー層は、酸化物材料を含むことができ、約１０－５ｇ／ｍ２日から約１０ｇ／ｍ２日の範囲（約１０－５ｇ／ｍ２日、約１０－４ｇ／ｍ２日、約１０－３ｇ／ｍ２日、約１０－２ｇ／ｍ２日、又は約１０－１ｇ／ｍ２日）のＷＶＴＲを有して、追加の環境保護を提供することができる。バッファー層は、結合層１２４Ａ及び／又はバリア薄膜１２４Ｂと同様又は異なるＷＶＴＲを有することができる。
[0076] 幾つかの実施形態では、ＦＥＬ１００は、基板１０２上に封緘層（図示せず）を含むことができる。この基板側の封緘層は封緘層１２４と同様であることができるが、その結合層及びバリア薄膜は光学透過性であることができ、光１０１を実質的に吸収せずに光１０１を基板１０２に通すことができる。その結合層は、そのバリア薄膜を基板１０２の表面１０２ｓに結合するように構成されることができる。
[0077] 図２は、幾つかの実施形態による上面発光型ＦＥＬデバイス２００の断面図の概略を示す。ＦＥＬデバイス１００の上記論考は、別記されない限り、ＦＥＬデバイス２００に当てはまる。ＦＥＬデバイス２００はＦＥＬデバイス１００と同様であることができるが、ＦＥＬデバイス２００は、基板２０２ではなくカソード２２２を通して光１０１を発する。したがって、ＦＥＬデバイス１００と異なり、ＦＥＬデバイス２００は、不透明及び／又は反射性基板２０２と、透明カソード２２２と、カソード２２２に配置された透明封緘層２２４とを含むことができる。
[0078] 基板２０２の上記論考は基板１０２に当てはまるが、基板２０２の材料は不透明及び／又は反射性であることができる。基板２０２の反射性材料は、光をカソード２２２に向けて反射し、光が基板２０２を通して発せられるのを防ぐのに役立つことができる。ＥＭＬ１１４における電子及び正孔の再結合後、光子の解放に起因して生成される光（上述）は、カソード２２２及び基板２０２に向かって移動することができる。基板２０２の反射性材料は、ＦＥＬデバイス２００から発せられるようにこれらの光子をカソード２２２にリダイレクトするのに役立つことができる。幾つかの実施形態では、追加又は代替として、アノード１０４は反射性であり、例えば、アルミニウム（Ａｌ）又は銀（Ａｇ）等の導電性及び光学的に反射性の層を含むことができる。
[0079] カソード１２２の上記論考はカソード２２２に当てはまるが、カソード２２２は、例えば、ＩＴＯの層、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの多層積層、又は約１０ｎｍの厚さを有するＡｇの薄い層等の超薄金属薄膜等の伝導性及び光学透過性の層を含むことができる。
[0080] 封緘層１２４の上記論考は、別記される場合を除き、封緘層２２４に当てはまる。封緘層２２４は、機械的保護及び環境保護を可撓性及び／又は伸張性と共にＦＥＬデバイス２００に提供するように構成された結合層２２４Ａ及びバリア薄膜２２４Ｂを含むことができる。結合２２４Ａ及びバリア薄膜２２４Ｂは、結合層１２４Ａ及びバリア薄膜１２４Ｂとそれぞれ同様であることができるが、結合層２２４Ａ及びバリア薄膜２２４Ｂは光学透過性であることができ、光１０１を実質的に吸収せずに光１０１をカソード２２２に通すことができる。
[0081] 幾つかの実施形態では、ＦＥＬ２００は、基板２０２上に封緘層（図示せず）を含むことができる。この基板側の封緘層は、図１の封緘層１２４と同様であることができるが、その結合層は、そのバリア薄膜を基板２０２の表面２０２ｓに結合するように構成されることができる。
[0082] 図３及び図４は、ＦＥＬデバイス１００及び２００等のＣｄフリーＮＳベースのＦＥＬデバイスのデバイス特性例を示す。図３のルミナンス対電圧のプロットは、ＦＥＬデバイスが低駆動電圧７Ｖで光輝度約２５，０００ｃｄ／ｍ２を達成することができることを示す。そのような輝度は、図４のＦＥＬデバイスの電界発光特性により示されるように、ＦＥＬデバイスにより発せられる約６３０ｎｍの一次電界発光ピーク波長を有する光で達成することができる。
[0083] 図５は、幾つかの実施形態による底面発光ＦＥＬデバイス５００の断面図の概略を示す。ＦＥＬデバイス５００は、熱伝導層５２６と、アウトカップリング層５２８と、機能層５３０とを有するＦＥＬデバイス１００を含むことができる。図１の要素と同じ注釈を有する図５の要素については上述してある。
[0084] 熱伝導層５２６は、バリア薄膜１２４Ａに配置することができ、ＦＥＬデバイス５００の発光面（例えば、表面１０２ｓ、５２８ｓ、及び／又は５３０ｓ）から離れて熱を放散するように構成されることができる。熱は、動作中、ＦＥＬデバイス１００により生成され得る。幾つかの実施形態では、熱伝導層５２６は、例えば光医学用途で使用される場合、ＦＥＬデバイス５００が標的部位に加熱するのを防ぐのに役立つことができ、この場合、標的部位は人間の皮膚表面の処置部位又は人体内部の処置部位であることができる。幾つかの実施形態では、熱伝導層５２６は、金属フォイルの層、金属メッシュ構造化層、又は可撓性熱伝導材料の他の適切な層を含むことができる。幾つかの実施形態では、熱伝導層５２６は、スプレー、ペイント、スピンコーティング、プリント、転写、又は他の適切な熱伝導材料堆積方法を使用して堆積させることができる。幾つかの実施形態では、熱伝導層５２６は、約１０ｎｍから約１５０ｎｍの範囲（例えば、約２０ｎｍ、約５０ｎｍ、又は約１５０ｎｍ）又は約１５０ｎｍ未満のＺ軸に沿った垂直寸法（例えば厚さ）を有することができる。
[0085] 幾つかの実施形態では、バリア薄膜１２４Ｂの材料が、図１を参照して上述したバリア性に加えて、熱伝導性を有する場合、熱伝導層５２６はＦＥＬデバイス５００に含まれない。そのような場合、バリア薄膜１２４Ｂは、ＦＥＬデバイス５００の発光面から離れて熱を放散するように構成されることができる。
[0086] アウトカップリング層５２８は、基板１０２の表面１０２ｓに直接配置することができ、ＦＥＬデバイス５００から光を抽出するように構成されることができる。光抽出は、デバイス１０３から基板１０２を通して発光に指向性を提供することと、基板１０２内の光の全内部反射を防ぐこととを含むことができる。アウトカップリング層５２８なしの場合、基板１０２を通り空気中に発せられる光の幾つかの部分は、空気よりも高い基板１０２の屈折率により、基板１０２内で全内部反射し得る。屈折率のより高い材料（例えば基板１０２）中の光が、屈折率のより高い材料から出ていく代わりに、臨界角よりも大きい角度で屈折率のより低い材料（例えば空気）との境界面に直面する場合、光は曲がって屈折率のより高い材料中に戻り得る。これは全内部反射と呼ぶことができる。基板１０２内の全内部反射を通した発光のそのような損失は、基板１０２から発せられる光の輝度を下げ得る。したがって、アウトカップリング層５２８は、ＦＥＬデバイス５００から発せられた光１０１の輝度を強化するとともに、ＦＥＬデバイス５００からの光抽出を上げるのに役立つことができる。
[0087] 幾つかの実施形態では、アウトカップリング層５２８は、例えば、サンドブラスト処理を使用して表面１０２上に形成されるテクスチャ付き表面を含むことができる。幾つかの実施形態では、アウトカップリング層５２８は、光抽出に加えて、ＦＥＬデバイス５００とＦＥＬデバイス５００の放射面（例えば、表面５２８ｓ又は５３０ｓ）が実質的に共形に適用される表面（例えば、人間の皮膚）との間のいかなる空気ギャップもなくすのに役立つことができる、シリコーンゲル又は他の適切な材料等の弾性又はポリマー材料を含むことができる。ＦＥＬ５００と適用される表面との間の境界面における空気ギャップをなくすことは、空気と比較してアウトカップリング層５２８の屈折率がより高いため、アウトカップリング層５２８内で発せられた光の幾つかの部分が全内部反射することを通した、発せられた光の損失を防ぐのに役立つことができる。幾つかの実施形態では、シリコーンゲル等のポリマー材料を有するアウトカップリング層５２８は、ＦＥＬデバイス５００から光１０１によって照明された表現（例えば、人間の皮膚）への熱絶縁を提供することができる。熱絶縁は、ＦＥＬデバイス５００によって生成される熱からのものであることができる。幾つかの実施形態では、アウトカップリング層５２８は、約１０μｍから約１５０μｍの範囲（例えば、約２０μｍ、約５０μｍ、又は約１５０μｍ）のＺ軸に沿った垂直寸法（例えば厚さ）を有することができる。
[0088] 任意選択的には、機能層５３０をＦＥＬデバイス５００に含むことができる。機能層５３０は、アウトカップリング層５２８の表面５２８ｓ上に配置され、表面５３０ｓにわたり実質的に均一に、発せられた光１０１を拡散するように構成されることができ、したがって、ＦＥＬデバイス５００の適用（例えば、光医学用途）中、実質的に均一の分布の光を表面（例えば、人間の皮膚）に送達させることができる。幾つかの実施形態では、機能層５３０は織物又は他の同様の材料を含むことができ、これは、光薬剤で適用される場合、予め被覆された局所処置を含むことができる。
[0089] 幾つかの実施形態では、ＦＥＬ５００は、基板１０２上、機能層５３０上、又は機能層５３０が任意選択的に含まれない場合、アウトカップリング層５２８上に封緘層（図示せず）を含むことができる。この封緘層は封緘層１２４と同様であることができるが、その結合層及びバリア薄膜は光学透過性であることができ、光１０１を実質的に吸収せずに光１０１を機能層５３０又はアウトカップリング層５２８を通して発せられるようにする。その結合層はバリア薄膜を、表面５３０ｓに、又は機能層５３０が任意選択的に含まれない場合は表面５２８ｓに、結合するように構成されることができる。
[0090] ＦＥＬデバイス５００と同様に、ＦＥＬデバイス２００も、基板２０２に配置されたアウトカップリング層５２８と、任意選択的にアウトカップリング層５２８に配置された機能層５３０とを含むことができる。また、ＦＥＬデバイス２００は、熱伝導層５２６と同様に、バリア薄膜２２４Ａ上に熱伝導層を含むこともできるが、ＦＥＬデバイス２００の熱伝導層は光学透過性であることができ、光１０１を実質的に吸収せずに光１０１をカソード２２２及び封緘層２２４を通して発せられるようにする。
[0091] 図６は、幾つかの実施形態による底面発光ＦＥＬデバイス６００の断面図の概略を示す。ＦＥＬデバイス１００の上記論考は、別記される場合を除き、ＦＥＬデバイス６００に当てはまる。図１と同じ注釈を有する図６の要素については上述してある。ＦＥＬデバイス６００はＦＥＬデバイス１００と同様であることができるが、ＦＥＬデバイス６００は、図１に示されるように１つのデバイス積層１０３の代わりに２つのデバイス積層６０３Ａ及び６０３Ｂを含む。デバイス積層１０３の上記論考は、別記される場合を除き、デバイス積層６０３Ａ及び６０３Ｂのそれぞれに当てはまる。デバイス積層６０３Ａ及び６０３Ｂはそれぞれ、光６０１Ａ及び６０１Ｂを同時に発するように構成されることができ、一次発光ピーク波長は互いに異なる。波長は可視又はＩＲスペクトル内である。２つの隣接するデバイス積層６０３Ａ及び６０３Ｂが図６に示されているが、ＦＥＬデバイス６００は、それぞれから異なる一次発光ピーク波長を有する光を同時に発するように構成されることができる、２つ以上の隣接するデバイス積層を有することができる。
[0092] デバイス積層６０３Ａ及び６０３ＢのＥＭＬを除き、デバイス積層６０３Ａ及び６０３Ｂの層は互いと同様であることができる。ＥＭＬ１１４の上記論考は、別記される場合を除き、各デバイス積層６０３Ａ及び６０３ＢのＥＭＬに当てはまる。デバイス積層６０３Ａ及び６０３ＢのＥＭＬは、光６０１Ａ及び６０１Ｂをそれぞれ同時に発するように構成されることができ、一次発光ピーク波長は互いに異なる。例えば、光６０１Ａ及び６０１Ｂの一次発光ピーク波長はそれぞれ６６０ｎｍ及び８６０ｎｍにおける波長であることができる。一次発光ピーク波長は可視又はＩＲスペクトル内であることができる。デバイス積層６０３Ａ及び６０３ＢのＥＭＬのＮＳのサイズ及び材料はそれぞれ、光６０１Ａ及び６０１Ｂを発するように選択することができる。幾つかの実施形態では、ＥＭＬを除き、デバイス積層６０３Ａ及び６０３Ｂは、それらの間にアノード１０４、ＨＩＬ１０８、ＨＴＬ１１０、ＥＢＬ１１２、ＨＢＬ１１６、ＥＴＬ１１８、ＥＩＬ１２０、及び／又はカソード１２２を共有することができる。
[0093] 幾つかの実施形態では、ＦＥＬデバイス２００は、デバイス積層１０３の代わりにデバイス積層６０３Ａ及び６０３Ｂを有することができ、カソード２２２及び封緘層２２４を通して光６０１Ａ及び６０１Ｂをそれぞれ同時に発するように構成されることができる。ＦＥＬデバイス５００と同様に、ＦＥＬデバイス６００は、バリア薄膜１２４Ｂ上に熱伝導層５２６、基板１０２上にアウトカップリング層５２８、及び任意選択的にアウトカップリング層５２８上に機能層５３０を含むことができる。
[0094] 図７は、幾つかの実施形態による底面発光ＦＥＬデバイス７００の断面図の概略を示す。ＦＥＬデバイス１００の上記論考は、別記される場合を除き、ＦＥＬデバイス７００に当てはまる。図１と同じ注釈を有する図７の要素については上述してある。ＦＥＬデバイス７００はＦＥＬデバイス１００と同様であることができるが、ＦＥＬデバイス７００は、基板１０２に配置される色処理層７３２と、色処理層７３２に配置される封緘層７２４とを含む。色処理層７３２は、光１０１（図７に示されず、図１に示される）を処理し、処理済み光７０１を生成するように構成されることができる。処理済み光７０１の色は、可視及びＩＲスペクトル内に１つ又は複数の一次発光ピーク波長を含むことができる。光１０１の一次発光ピーク波長は、光７０１の一次発光ピーク波長よりも短い波長であることができる。例えば、光１０１の一次発光ピーク波長が４５０ｎｍ及び／又は６００ｎｍである場合、光７０１の一次発光ピーク波長はそれぞれ６００ｎｍ及び／又は８００ｎｍであることができる。
[0095] 色処理層７３２は１つ又は複数の蛍光薄膜（例えば、図１０を参照して説明されるＮＳ薄膜１０００）を含むことができる。１つ又は複数の蛍光薄膜は、ＱＤ（例えば、図９を参照して説明されるＮＳ９００）等のルミネッセントナノ構造（ＮＳ）を有することができる。幾つかの実施形態では、デバイス１０３のＥＭＬ１１４（図７に示されず、図１に示される）は、青色光１０１を生成することができ、処理済み赤色光又は緑色光７０１を発するために、１つ又は複数の蛍光薄膜は、青色光１０１をダウンコンバートすることにより処理済み赤色光又は緑色光７０１を生成することができる。幾つかの実施形態では、１つ又は複数の蛍光薄膜は、ルミネッセントＮＳと共に、酸化チタン、酸化亜鉛、硫化亜鉛、シリコーン、又はそれらの組合せの散乱材料（例えば、約１００ｎｍから約５００μｍの範囲の直径を有する粒子）を含むことができる。
[0096] 幾つかの実施形態では、色処理層７３２は、例えば、インクジェットプリント、ノズルプリント、コンタクトプリント、又は適切な溶液プリント技術により形成される事前パターニング層であることができ、自己接着性であることができ、又は結合層１２４Ａと同様の結合層を使用して基板１０２に結合することができる。
[0097] 封緘層７２４は、結合層１２４Ａ及びバリア薄膜１２４Ｂとそれぞれ同様の結合層７２４Ａ及びバリア薄膜７２４Ｂを含むことができるが、結合層７２４Ａ及びバリア薄膜７２４Ｂは光学透過性であることができ、光７０１を実質的に吸収せずに光７０１を発せられるようにする。
[0098] 幾つかの実施形態では、ＦＥＬデバイス２００は、カソード２２２と封緘層２２４との間に色処理層７３２を有することができ、光１０１を処理し、カソード２２２及び封緘層２２４を通して処理済み光７０１を生成するように構成されることができる。ＦＥＬデバイス５００と同様に、ＦＥＬデバイス７００は、バリア薄膜１２４Ｂ上に熱伝導層５２６、アウトカップリング層５２８、及び任意選択的に機能層５３０を含むことができる。ＦＥＬデバイス７００では、アウトカップリング層５２８は、基板１０２と色処理層７３２との間、色処理層７３２と封緘層７２４との間、又はバリア薄膜７２４Ｂ上に介在することができる。機能層５３０は任意選択的に、バリア薄膜７２４Ｂ上に配置することができる。
[0099] 他の要素上にあるか、又は他の要素を覆っていると本開示で記載された要素は、別記しない限り、他の要素上に直接あってもよく、又は介在層を有してもよい。図１、図２、及び図５～図７の要素の幾つかは、互いに対してＸ軸、Ｙ軸、及び／又はＺ軸に沿って同様の寸法を有するものとして示される場合であっても、これらの要素のそれぞれは、本発明の範囲又は趣旨から逸脱せずに、１つ又は複数の方向において互いと異なる寸法を有してもよいことに留意されたい。
可撓性電界発光デバイスを作製する方法例
[0100] 図８は、幾つかの実施形態による、ＦＥＬデバイス１００、２００、５００、６００、及び／又は７００を作製する一例の方法８００の流れ図である。ステップは、特定の用途に応じて異なる順序で実行されてもよく、又は実行されてなくてもよい。方法８００は完全なＦＥＬデバイスを生成しないことがあることに留意されたい。したがって、方法８００の前、最中、及び後に追加のプロセスを提供することができ、幾つかの他のプロセスは本明細書では概説のみのことがあることが理解される。
[0101] ステップ８０５において、アノード層が予め堆積した可撓性基板が提供される。例えば、図１に示されるように、アノード１０４は基板１０２に配置することができる。幾つかの実施形態では、基板１０２は可撓性及び光学的透明であることができ、プラスチック、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、又は他の適切な可撓性ポリマー材料等のポリマー材料を含むことができる。幾つかの実施形態では、基板１０２は、超薄銀、銀メッシュ、銀ナノワイヤ、導電性有機ポリマー、又はインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を含まない他の適切な導電材料を含むことができる。幾つかの実施形態では、可撓性基板（例えば、図２の基板２０２）の材料は、ＦＥＬデバイス（例えば、ＦＥＬデバイス２００）が基板１０２の代わりにカソード２２２を通して光１０１を発するように構成されることができる場合、不透明及び／又は反射性であることができる。アノード１０４は、幾つかの実施形態によれば、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等の導電性及び光学透過性の材料を含むことができる。幾つかの実施形態では、ＩＴＯ層が予め堆積したＰＥＴプラスチック基板は、後続処理ステップにおいてＦＥＬデバイス１００の他の層を堆積するための開始基板として使用することができる。
[0102] ステップ８１０において、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、及び電子ブロック層（ＥＢＬ）が形成される。例えば、図１に示されるように、ＨＩＬ１０８はアノード１０４上に配置することができる。ＨＴＬ１１０はＨＩＬ１０８上に配置することができ、ＥＢＬ１１２はＨＴＬ１１０上に配置することができる。ＨＩＬ１０８、ＨＴＬ１１０、及びＥＢＬ１１２はそれぞれ、例えば、スピンコーティング、インクジェットプリント、スロットダイコーティング、ノズルプリント、コンタクトプリント、適切な溶液プリント技術、ロールツーロール処理、熱蒸着、又は適切な蒸着技術によりその下層上に堆積することができる。幾つかの実施形態では、ＨＩＬ１０８はＰＳＳ（ポリ（スチレンスルホナート））がドープされたＰＥＤＯＴ（ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン））を含むことができ、ＨＴＬ１１０はＴＦＢ（ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－コ－（４，４’（Ｎ－（４－ｓｅｃ－ブチルフェニル）））ジフェニルアミン］）を含むことができる。
[0103] ステップ８１５において、発光層（ＥＭＬ）がＥＢＬ上に形成される。例えば、図１に示されるように、ＥＭＬ１１４はＥＢＬ１１２上に配置することができる。幾つかの実施形態では、ＥＭＬ１１４は、例えば、スピンコーティング、インクジェットプリント、スロットダイコーティング、ノズルプリント、コンタクトプリント、適切な溶液プリント技術、熱蒸着、又は適切な蒸着技術によりＥＢＬ１１２上に堆積することができる。幾つかの実施形態では、ＥＭＬ１１４は、直径約２０ｎｍを有するリン化インジウム（ＩｎＰ）ベースのＱＤを含むことができ、赤波長領域の一次発光ピーク波長を発するように構成されることができる。
[0104] 幾つかの実施形態では、ステップ８１０は任意選択的なステップであることができ、ステップ８０５の後にステップ８１５が続くことができ、その場合、ＥＭＬはアノード上に形成される。
[0105] ステップ８２０において、正孔ブロック層（ＨＢＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、及び電子注入層（ＥＩＬ）が形成される。例えば、図１に示されるように、ＨＢＬ１１６はＥＭＬ１１４上に配置することができ、ＥＴＬ１１８はＨＢＬ１１６上に配置することができ、ＥＩＬ１２０はＥＴＬ１１８上に配置することができる。ＨＢＬ１１６、ＥＴＬ１１８、及びＥＩＬ１２０はそれぞれ、例えば、スピンコーティング、インクジェットプリント、スロットダイコーティング、ノズルプリント、コンタクトプリント、適切な溶液プリント技術、熱蒸着、又は適切な蒸着技術によりその下層上に堆積することができる。幾つかの実施形態では、ＥＴＬ１１８は亜鉛マグネシウム酸化物（ＺｎＭｇＯ）を含むことができる。
[0106] ステップ８２５では、カソードがＥＩＬ上に形成され、封緘層がカソード上に形成される。例えば、図１に示されるように、カソード１２２はＥＩＬ１２０に配置することができ、封緘層１２４はカソード１２２に配置することができる。カソード１２２は、幾つかの実施形態によれば、例えばアルミニウム（Ａｌ）又は銀（Ａｇ）等の導電性及び光学的に反射性の材料を含むことができる。幾つかの実施形態では、カソード１２２は、例えば、スパッタリング、熱蒸着、適切な溶液プリント技術、又は導電性及び光学的反射性材料を堆積させる適切な方法によりＥＩＬ１２０にカソード材料を堆積させることにより形成されることができる。幾つかの実施形態では、カソード（例えば、図２のカソード２２２）の材料は、例えば、ＩＴＯの層、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの多層積層、又はＦＥＬデバイス（例えばＦＥＬデバイス２００）が基板１０２の代わりにカソード２２２を通して光１０１を発するように構成されることができる場合、約１０ｎｍ厚の薄いＡｇ層等の超薄金属薄膜等の導電性及び光学透過性層を含むことができる。
[0107] 幾つかの実施形態では、ステップ８２０は任意選択的なステップであることができ、ステップ８１５の後にステップ８２５が続くことができ、その場合、カソードはＥＭＬ上に形成される。
[0108] 封緘層１２４はカソード１２２上に直接形成されることができる。幾つかの実施形態では、封緘層１２４は、結合層１２４Ａ及びバリア薄膜１２４Ｂを含むことができる。結合層１２４Ａ及びバリア薄膜１２４Ｂの材料は、約１０－５ｇ／ｍ２日から約１０ｇ／ｍ２日の範囲（例えば、約１０－５ｇ／ｍ２日、約１０－４ｇ／ｍ２日、約１０－３ｇ／ｍ２日、約１０－２ｇ／ｍ２日、又は約１０－１ｇ／ｍ２日）の水蒸気透過速度（ＷＶＴＲ）等のバリア性を有するように選択することができる。結合層１２４Ａ及びバリア薄膜１２４のＷＶＴＲは、互いと同様又は異なることができる。
[0109] 幾つかの実施形態では、結合層１２４Ａは、可撓性感圧接着剤（ＰＳＡ）又はバリア薄膜１２４Ｂをカソード１２２に結合するように構成された他の適切な可撓性接着材料を含むことができる。結合層１２４Ａはカソード１２２上に塗布することができ、続けて、結合層１２４Ａ上にバリア薄膜１２４Ｂを塗布することができる。バリア薄膜１２４Ｂは、幾つかの実施形態によれば、金属ラミネート、金属フォイル、装飾性有色バッキング、又は他の適切な可撓性バリア材料を含むことができる。結合層１２４Ａ及びバリア薄膜１２４Ｂは、光学透過性、反射性、又は不透明であることができる。
[0110] ステップ８３０において、熱伝導層が封緘層上に形成される。例えば、図５に示されるように、熱伝導層５２６はバリア薄膜１２４Ａ上に配置することができる。幾つかの実施形態では、熱伝導層５２６は、金属フォイルの層、金属メッシュ構造化層、又は可撓性熱伝導材料の他の適切な層を含むことができる。幾つかの実施形態では、熱伝導層５２６は、スプレー、ペイント、スピンコーティング、プリント、転写、又は他の適切な熱伝導材料堆積方法を使用して堆積させることができる。幾つかの実施形態では、熱伝導層５２６は、約１０ｎｍから約１５０ｎｍの範囲（例えば、約２０ｎｍ、約５０ｎｍ、又は約１５０ｎｍ）又は約１５０ｎｍ未満のＺ軸に沿った垂直寸法（例えば厚さ）を有することができる。
[0111] ステップ８３５において、色処理層が基板上に形成される。例えば、図７に示されるように、色処理層７３２は基板１０２上に配置することができる。幾つかの実施形態では、色処理層７３２は、例えば、インクジェットプリント、ノズルプリント、コンタクトプリント、又は適切な溶液プリント技術により形成される事前パターニング層であることができ、自己接着性であることができ、又は結合層１２４Ａと同様の結合層を使用して基板１０２に結合することができる。
[0112] ステップ８４０において、封緘層が色処理層上に形成される。例えば、図７に示されるように、封緘層７２４は色処理層７３２上に配置することができる。封緘層７２４は、結合層１２４Ａ及びバリア薄膜１２４Ｂとそれぞれ同様の結合層７２４Ａ及びバリア薄膜７２４Ｂを含むことができるが、結合層７２４Ａ及びバリア薄膜７２４Ｂは光学透過性であることができ、光７０１を実質的に吸収せずに光７０１を発せられるようにする。
[0113] ステップ８４５において、アウトカップリング層が基板上に直接又は間接的に形成される。例えば、図５に示されるように、アウトカップリング層５２８は基板１０２上に直接配置することができる。幾つかの実施形態では、図７を参照して論考したように、アウトカップリング層５２８は色処理層７３２上又はバリア薄膜７２４Ｂ上に配置することができ、したがって、基板上に間接的に配置することができる。
[0114] 幾つかの実施形態では、ステップ８３０は、ステップ８３５、８４０、又は８４５の前又は後に実行することができる。
バリア層被覆されたナノ構造の実施形態例
[0115] 図９は、幾つかの実施形態によるバリア層被覆されたルミネッセントナノ構造（ＮＳ）９００の断面構造を示す。幾つかの実施形態では、ＮＳ９００の集団はＥＭＬ１１４の発光層に含まれることができる。バリア層被覆されたＮＳ９００は、ＮＳ９０１及びバリア層９０６を含む。ＮＳ９０１はコア９０２及びシェル９０４を含む。コア９０２は、発光する半導体材料を含む。コア９０２の半導体材料の例には、リン化インジウム（ＩｎＰ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、硫化鉛（ＰｂＳ）、ヒ化インジウム（ＩｎＡｓ）、リン化インジウムガリウム（ＩｎＧａＰ）、セレン化カドミウム亜鉛（ＣｄＺｎＳｅ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、及びテルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）がある。直接バンドギャップを示す任意の他のＩＩ－ＶＩ族、ＩＩＩ－Ｖ族、三元化合物、又は四元化合物半導体構造も同様に使用することができる。実施形態では、コア９０２は、幾つかの例を挙げれば、金属、ハロゲン、及び合金等の１つ又は複数のドーパントを含むこともできる。金属ドーパントの例は、亜鉛（Ｚｎ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、又はそれらの組合せを含むことができるが、これらに限定されない。ハロゲンドーパントの例は、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、又はヨウ素（Ｉ）を含むことができるが、これらに限定されない。コア９０２における１つ又は複数のドーパントの存在は、非ドープＮＳと比較してＮＳ９０１の構造的、電気的、及び／又は光学的安定性及びＱＹを改善することができる。
[0116] コア９０２は、実施形態によれば、２０ｎｍ未満のサイズの直径を有することができる。別の実施形態では、コア９０２は、約１ｎｍ～約１０ｎｍのサイズの直径を有することができる。コア９０２のサイズ、ひいてはＮＳ９０１のサイズをナノメートル範囲で調整可能なことにより、光学スペクトル全体の光電子放出カバレッジが可能になる。一般に、大きいＮＳほど、スペクトルの赤端に向かう光を発し、一方、小さいＮＳほど、スペクトルの青端に向かう光を発する。この効果は、大きいＮＳほど、小さいＮＳよりも密に離間されたエネルギーレベルを有するため、生じる。これにより、ＮＳは、より少ないエネルギーを含む光子、すなわち、スペクトルの赤端により近い光子を吸収することができる。
[0117] シェル９０４はコア９０２を囲み、コア９０２の外面に配置される。シェル９０４は、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、硫化亜鉛カドミウム（ＺｎＣｄＳ）、セレン化硫化亜鉛（ＺｎＳｅＳ）、及び硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含むことができるが、これらに限定されない。実施形態では、シェル９０４は厚さ９０４ｔ、例えば１つ又は複数の単層を有することができる。他の実施形態では、シェル９０４は、約１ｎｍ～約１０ｎｍの厚さ９０４ｔを有することができる。シェル９０４は、コア９０２との格子不整合を低減し、ＮＳ９０１のＱＹを改善させるのを促進するのに利用することができる。シェル９０４はまた、コア９０２上のダングリングボンド等の表面トラップ状態を不動態化し除去して、ＮＳ９０１のＱＹを増大させるのに役立つこともできる。表面トラップ状態の存在は、非放射性再結合中心を提供し、ＮＳ９０１の放射効率の低下の一因となり得る。
[0118] 代替の実施形態では、本発明の趣旨及び範囲から逸脱せずに、ＮＳ９０１はシェル９０４に配置された第２のシェル、又はコア９０２を囲む３つ以上のシェルを含むことができる。実施形態では、第２のシェルは、１つ又は複数の単層厚であることができ、そうである必要はないが通常、半導体材料でもある。第２のシェルは、保護をコア９０２に提供することができる。第２のシェルの材料は硫化亜鉛（ＺｎＳ）であることができるが、本発明の趣旨及び範囲から逸脱せずに、他の材料を使用してもよく、同様にドーパントを含んでもよい。
[0119] バリア層９０６は、ＮＳ９０１に被覆を形成するように構成されることができる。実施形態では、バリア層９０６は、シェル９０４の外面９０４ａに配置され、外面９０４ａと実質的に接触する。１つ又は複数のシェルを有するＮＳ９０１の実施形態では、バリア層９０６は、ＮＳ９０１の最外シェルに配置され、最外シェルに実質的に接触することができる。実施形態例では、バリア層９０６は、複数のＮＳを有する溶液、組成物、及び／又は薄膜において、ＮＳ９０１と１つ又は複数のＮＳとの間のスペーサとして作用するように構成されることができ、複数のＮＳはＮＳ９０１及び／又はバリア層が被覆されたＮＳ９００と同様であることができる。そのようなＮＳ溶液、ＮＳ組成物、及び／又はＮＳ薄膜では、バリア層９０６は、隣接するＮＳとのＮＳ９０１の凝集を防ぐのに役立つことができる。隣接するＮＳとのＮＳ９０１の凝集は、ＮＳ９０１のサイズ増大、ひいてはＮＳ９０１を含む凝集したＮＳ（図示せず）の光学発光性の低下又は消失に繋がる恐れがある。更なる実施形態では、バリア層９０６は、例えば、水分、空気、及び／又はＮＳ９０１の構造性及び光学特性に悪影響を及ぼし得る過酷な環境（例えば、高温及びＮＳのリソグラフィプロセス中及び／又はＮＳベースのデバイスの製造プロセス中に使用される化学物質）からの保護をＮＳ９０１に提供する。
[0120] バリア層９０６は、非晶質、光学透過性、及び／又は電気的に非活性の１つ又は複数の材料を含むことができる。適切なバリア層は、無機酸化物、ハロゲン化合物、及び／又は窒化物等であるが、これらに限定されない無機材料を含む。バリア層９０６の材料の例には、種々の実施形態によれば、Ａｌ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｉ、又はＺｒの酸化物及び／又は窒化物がある。バリア層９０６は、種々の実施形態では、約０．５ｎｍから約１５ｎｍの範囲の厚さ９０６ｔを有することができる。
[0121] バリア層が被覆されたＮＳ９００は追加又は任意選択的に、ＮＳ９０１にバッファー被覆を形成するように構成されたバッファー層９０７を含むことができる。実施形態では、バッファー層１０７はシェル９０４上に配置され、シェル９０４の外面９０４ａ及びバリア層９０６の内面９０６ａと実質的に接触する。バッファー層１０７は、ＮＳ９０１と、例えば、ＮＳ９０１へのバリア層９０６の形成等のＮＳ９０１への後続処理中に使用される化学物質との間のバッファーとして作用するように構成されることができる。
[0122] バッファー層９０７は、ＮＳ９０１への後続処理中に使用される化学物質との反応に起因して、ＮＳ９０１の光学発光性が消失するのを実質的に低減及び／又は阻止するのに役立つことができる。バッファー層９０７は、非晶質、光学透過性、及び／又は電気的に活性である１つ又は複数の材料を含むことができる。バッファー層９０７の１つ又は複数の材料は、無機材料又は有機材料を含むことができる。バッファー層９０７の無機材料の例には、種々の実施形態によれば、金属の酸化物及び／又は窒化物がある。金属酸化物の例には、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、又はＭｇＯがある。バッファー層９０７は、種々の実施形態では、約１ｎｍから約５ｎｍの範囲の厚さ９０７ｔを有することができる。
[0123] 図９に示されるように、実施形態によれば、バリア層が被覆されたＮＳ９００は追加又は任意選択的に、複数のリガンド又は界面活性剤９０８を含むことができる。リガンド又は界面活性剤９０８は、実施形態によれば、バリア層９０６の外面等のバリア層が被覆されたＮＳ９００の外面又はシェル９０４若しくは第２のシェルの外面に吸着又は結合することができる。複数のリガンド又は界面活性剤９０８は、親水性又は極性ヘッド９０８ａと、疎水性又は非極性テール９０８ｂとを含むことができる。親水性又は極性ヘッド９０８ａはバリア層９０６に結合することができる。リガンド又は界面活性剤９０８の存在は、例えば、ＮＳの形成中、溶液、組成物、及び／又は薄膜においてＮＳ９００及び／又はＮＳ９０１を他のＮＳから分離するのに役立つことができる。ＮＳが、形成中に凝集できる場合、ＮＳ９００及び／又はＮＳ９０１等のＮＳの量子効率は低下し得る。リガンド又は界面活性剤９０８は、非極性溶媒における混和性を提供するか又は他の化合物が結合するための反応サイト（例えば、逆ミセル系）を提供する疎水性等、バリア層で被覆されたＮＳ９００に対して特定の特性を与えるようにも使用することができる。
[0124] リガンド９０８として使用することができる多様なリガンドが存在する。幾つかの実施形態では、リガンドは、ラウリン酸、カプロン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、及びオレイン酸から選択される脂肪酸である。幾つかの実施形態では、リガンドは、トリオクチルホスフィン酸化物（ＴＯＰＯ）、トリオクチルホスフィン（ＴＯＰ）、ジフェニルホスフィン（ＤＰＰ）、トリフェニルフォスフィン酸化物、及びトリブチルホスフィン酸化物から選択される有機ホスフィン又は有機ホスフィン酸化物である。幾つかの実施形態では、リガンドは、ドデシルアミン、オレイルアミン、ヘキサデシルアミン、及びオクタデシルアミンから選択されるアミンである。幾つかの実施形態では、リガンドは、トリオクチルホスフィン（ＴＯＰ）である。幾つかの実施形態では、リガンドはオレイルアミンである。幾つかの実施形態では、リガンドはチオール、例えばオクタンチオールである。幾つかの実施形態では、リガンドはジフェニルホスフィンである。幾つかの実施形態では、リガンドは、これらの脂肪酸の何れかの中性塩又はこれらのアミン、ホスフィン、若しくはホスフィンオキシドの何れかのカルコゲン化物、例えば、オレイン酸亜鉛、ラウリン酸亜鉛、ＴＯＰ－セレン化物、又はＴＯＰ－硫化物である。
[0125] 界面活性剤９０８として使用することができる、多種多様な界面活性剤が存在する。幾つかの実施形態では、非イオン性界面活性剤を界面活性剤９０８として使用することができる。非イオン性界面活性剤の幾つかの例には、ポリオキシエチレン（５）ノニルフェニルエーテル（商品名ＩＧＥＰＡＬ ＣＯ－５２０）、ポリオキシエチレン（９）ノニルフェニルエーテル（ＩＧＥＰＡＬ ＣＯ－６３０）、オクチルフェノキシポリ（エチレンオキシ）エタノール（ＩＧＥＰＡＬ ＣＡ－６３０）、ポリエチレングリコールオレイルエーテル（Ｂｒｉｊ ９３）、ポリエチレングリコールヘキサデシルエーテル（Ｂｒｉｊ ５２）、ポリエチレングリコールオクタデシルエーテル（Ｂｒｉｊ Ｓ１０）、ポリオキシエチレン（１０）イソオクチルシクロヘキシルエーテル（Ｔｒｉｔｏｎ Ｘ－１００）、及びポリオキシエチレン分岐ノニルシクロヘキシルエーテル（Ｔｒｉｔｏｎ Ｎ－１０１）がある。
[0126] 幾つかの実施形態では、アニオン界面活性剤を界面活性剤９０８として使用することができる。アニオン界面活性剤の幾つかの例には、ジオクチルスルホコハク酸ナトリウム、ステアリン酸ナトリウム、ラウリル硫酸ナトリウム、リン酸モノドデシルナトリウム、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、及びミリスチル硫酸ナトリウムがある。
[0127] 幾つかの実施形態では、ＮＳ９０１及び／又は９００は、赤色、橙色、及び／又は黄色範囲等の１つ又は複数の種々の色範囲の光を発するように統合することができる。幾つかの実施形態では、ＮＳ９０１及び／又は９００は、緑及び／又は黄色範囲の光を発するように統合することができる。幾つかの実施形態では、ＮＳ９０１及び／又は９００は、青、藍、紫、及び／又は紫外線範囲の光を発するように統合することができる。幾つかの実施形態では、ＮＳ９０１及び／又は９００は、約６０５ｎｍ～約６５０ｎｍ、約５１０ｎｍ～約５５０ｎｍ、又は約３００ｎｍ～約４９５ｎｍの一次発光ピーク波長を有するように統合することができる。
[0128] ＮＳ９０１及び／又は９００は、高ＱＹを示すように統合することができる。幾つかの実施形態では、ＮＳ９０１及び／又は９００は、８０％～１００％又は８５％～９０％のＱＹを示すように統合することができる。
[0129] したがって、種々の実施形態によれば、ＮＳ９００は、ＮＳ９０１上のバリア層９０６の存在が、ＮＳ９０１の光学発光性を実質的に変えない又は消失しないように統合することができる。
ナノ構造薄膜の実施形態例
[0130] 図１０は、実施形態によるＮＳ薄膜１０００の断面図を示す。幾つかの実施形態では、ＥＭＬ１１４の発光層はＮＳ薄膜１０００と同様であることができる。
[0131] ＮＳ薄膜１０００は、実施形態によれば、複数のバリア層が被覆されたコア－シェルＮＳ９００（図９）及びマトリックス材料１０１０を含むことができる。ＮＳ９００は、幾つかの実施形態によれば、マトリックス材料１０１０に埋め込む又は他の方法で配置することができる。本明細書で使用されるとき、「埋め込まれる」という用語は、ＮＳがマトリックス材料１０１０内に囲まれる又は包まれることを示すのに使用される。実施形態では、ＮＳ９００がマトリックス材料１０１０全体にわたり均一に分布することができるが、他の実施形態では、ＮＳ９００は特定用途に向けた非均一分布関数に従って分布することができることに留意されたい。ＮＳ９００が同じ直径サイズで示される場合であっても、サイズ分布を有することができることを当業者ならば理解することに留意されたい。
[0132] 実施形態では、ＮＳ９００は、青可視波長スペクトル、緑可視波長スペクトル、又は赤可視波長スペクトルで発光するサイズを有するＮＳの同種集団を含むことができる。他の実施形態では、ＮＳ９００は、青可視波長スペクトルで発光するサイズを有するＮＳの第１の集団、緑可視波長スペクトルで発光するサイズを有するＮＳの第２の集団、及び赤可視波長スペクトルで発光するサイズを有するＮＳの第３の集団を含むことができる。
[0133] マトリックス材料１０１０は、ＮＳ９００を収容可能な任意の適切なホストマトリックス材料であることができる。適切なマトリックス材料は、ＮＳ９００及びＮＳ薄膜１０００をデバイスに適用するのに使用される任意の周囲のパッケージ材料又は層と化学的及び光学的に適合することができる。適切なマトリックス材料は、一次光及び二次光の両方を透過し、それにより、一次光及び二次光の両方にマトリックス材料を透過させることができる無黄変光学材料を含むことができる。実施形態では、マトリックス材料１０１０はＮＳ９００のそれぞれを完全に囲むことができる。マトリックス材料１０１０は、可撓性又は成形性ＮＳ薄膜１０００が望まれる用途では可撓性であることができる。代替的には、マトリックス材料１０１０は、高強度非可撓性材料を含むことができる。
[0134] マトリックス材料１０１０は、ポリマー、他の半導体ナノ粒子、有機酸化物及び無機酸化物、又は他の半導体材料若しくは絶縁材料を含むことができる。マトリックス材料１０１０で使用されるのに適切なポリマーは、このような目的に使用することができる、当業者に既知の任意のポリマーであり得る。ポリマーは、実質的に半透明であるか又は実質的に透明であり得る。マトリックス材料１０１０としては、限定されないが、エポキシ、アクリレート、ノルボレン、ポリエチレン、ポリ（ビニルブチラール）：ポリ（酢酸ビニル）、ポリ尿素、ポリウレタンと、限定されないが、アミノシリコーン（ＡＭＳ）、ポリフェニルメチルシロキサン、ポリフェニルアルキルシロキサン、ポリジフェニルシロキサン、ポリジアルキルシロキサン、シルセスキオキサン、フッ素化シリコーン、並びにビニル及び水素化物置換シリコーンを含むシリコーン及びシリコーン誘導体と、限定されないが、メタクリル酸メチル、メタクリル酸ブチル及びメタクリル酸ラウリルを含むモノマーから形成されたアクリルポリマー及びコポリマーと、ポリスチレン、アミノポリスチレン（ＡＰＳ）、及びポリ（アクリロニトリルエチレンスチレン）（ＡＥＳ）等のスチレン系ポリマーと、ジビニルベンゼン等の二官能性モノマーと架橋されるポリマーと、リガンド材料を架橋するのに適切な架橋剤、エポキシを形成するためにリガンドアミン（例えば、ＡＰＳ又はＰＥＩリガンドアミン）と結合するエポキシド等を挙げることができる。
[0135] 幾つかの実施形態では、マトリックス材料１０１０は、ＮＳ薄膜１０００の光変換を改善することができる、ＴｉＯ２マイクロビーズ、ＺｎＳマイクロビーズ、又はガラスマイクロビーズ等の散乱マイクロビーズを含む。幾つかの実施形態では、マトリックス材料１０１０は導体又は半導体材料を含むことができる。
[0136] 別の実施形態では、マトリックス材料１０１０は、低い酸素及び水分透過性を有し、高い光安定性及び化学安定性を示し、有利な屈折率を示し、ＮＳ９００の外面に付着し、したがってＮＳ９００を保護するための気密シールを提供することができる。別の実施形態では、マトリックス材料１０１０は、ロールツーロール処理を促進するようにＵＶ硬化又は熱硬化法によって硬化可能であり得る。
[0137] 幾つかの実施形態によれば、ＮＳ薄膜１０００は、ポリマー（例えば、フォトレジスト）にＮＳ９００を混合し、基板上にＮＳ－ポリマー混合物を鋳造することにより、ＮＳ９００をモノマーと混合し、それらを合わせて重合することにより、ゾルゲルにＮＳ９００を混合して酸化物を形成することにより又は当業者に既知の他の任意の方法により形成されることができる。
ルミネッセントナノ構造体の実施形態例
[0138] 本明細書では、ルミネッセントナノ構造体（ＮＳ）を有する種々の組成物について記載する。ルミネッセントナノ構造体の、それらの吸収特性、発光特性及び屈折率特性を含む種々の特性は、種々の応用に適合させ及び調整することができる。
[0139] ＮＳの材料特性は、実質的に均質であり得るか、又は幾つかの実施形態では不均質であり得る。ＮＳの光学特性は、それらの粒径、化学組成、又は表面組成によって決まり得る。約１ｎｍ～約２０ｎｍの範囲でルミネッセントＮＳサイズを適合させ得ることにより、光スペクトル全体における光電子放出カバレッジが演色における大きい汎用性を提供できるようにすることができる。粒子封緘は、化学物質及びＵＶ劣化剤に対する堅牢性を提供することができる。
[0140] 本明細書に記載した実施形態で使用されるルミネッセントＮＳは、当業者に既知の任意の方法を用いて製造することができる。適切な方法及びナノ結晶例は、米国特許第７，３７４，８０７号、２００４年３月１０日付けで出願された米国特許出願第１０／７９６，８３２号、米国特許第６，９４９，２０６号、及び２００４年６月８日付けで出願された米国仮特許出願第６０／５７８，２３６号に開示されており、それらのそれぞれの開示は、それらの全体が参照により本明細書に援用される。
[0141] 本明細書に記載した実施形態で使用されるルミネッセントＮＳは、無機材料及びより好適には無機導電性又は半導体材料を含む任意の適切な材料から製造することができる。適切な半導体材料としては、米国特許出願第１０／７９６，８３２号に開示されているものを挙げることができ、ＩＩ－ＶＩ族、ＩＩＩ－Ｖ族、ＩＶ－ＶＩ族、Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族、及びＩＶ族半導体を含む任意のタイプの半導体を挙げることができる。適切な半導体材料としては、限定されないが、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｂ、Ｃ（ダイアモンドを含む）、Ｐ、ＢＮ、ＢＰ、ＢＡｓ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＢｅＳ、ＢｅＳｅ、ＢｅＴｅ、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＧｅＳ、ＧｅＳｅ、ＧｅＴｅ、ＳｕＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＯ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＣｕＦ、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ、Ｓｉ３Ｎ４、Ｇｅ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）２（Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ）３、Ａｌ２ＣＯ、ＣｕＩｎＧａＳ、ＣｕＩｎＧａＳｅ、及び２種以上のこのような半導体の適切な組合せを挙げることができる。
[0142] 幾つかの実施形態では、ルミネッセントＮＳは、ｐ型ドーパント又はｎ型ドーパントからなる群からのドーパントを有することができる。ＮＳは、ＩＩ－ＶＩ族又はＩＩＩ－Ｖ族半導体も有することができる。ＩＩ－ＶＩ族又はＩＩＩ－Ｖ族半導体ＮＳの例としては、周期表の、Ｚｎ、Ｃｄ、及びＨｇ等のＩＩ族の元素とＳ、Ｓｅ、Ｔｅ、及びＰｏ等のＶＩ族の任意の元素との任意の組合せ並びに周期表の、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、及びＴｌ等のＩＩＩ族の元素とＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、及びＢｉ等のＶ属の任意の元素との任意の組合せを挙げることができる。
[0143] 本明細書に記載したルミネッセントＮＳは、それらの表面に対して共役、協働、会合、又は付着させたリガンドを更に含むこともできる。適切なリガンドとしては、米国特許第８，２８３，４１２号、米国特許出願公開第２００８／０２３７５４０号、米国特許出願公開第２０１０／０１１０７２８号、米国特許第８，５６３，１３３号、米国特許第７，６４５，３９７号、米国特許第７，３７４，８０７号、米国特許第６，９４９，２０６号、米国特許第７，５７２，３９３号、及び米国特許第７，２６７，８７５号に開示されているものを含む、当業者に既知の任意の群を含むことができ、これらの特許及び特許公開の各々の開示は、参照により本明細書に援用される。このようなリガンドの使用は、ポリマーを含む種々の溶剤及びマトリックス内に混和されるルミネッセントＮＳの能力を促進することができる。種々の溶剤及びマトリックスにおけるルミネッセントＮＳの混和性（すなわち分離せずに混合される能力）を向上させることにより、ＮＳが合わせて凝集せず、したがって光を散乱させないように、ＮＳがポリマー組成物全体にわたって分散し得るようにすることができる。このようなリガンドは、本明細書では「混和性増強」リガンドとして述べる。
[0144] 幾つかの実施形態では、マトリックス材料に分散されるか又は埋め込まれるルミネッセントＮＳを有する組成物を提供する。適切なマトリックス材料は、ポリマー材料、有機酸化物及び無機酸化物を含む、当業者に既知の任意の材料であり得る。本明細書に記載した組成物は、層、封緘材料、コーティング、シート、又は薄膜であり得る。層、ポリマー層、マトリックス、シート又は薄膜について言及する本明細書に記載した実施形態では、これらの用語は同義に使用され、そのように記載した実施形態は、何れか１つのタイプの組成物に限定されず、本明細書に記載したか又は当技術分野で既知の任意のマトリックス材料又は層を包含することが理解されるべきである。
[0145] （例えば、米国特許第７，３７４，８０７号に開示されているような）ダウンコンバートＮＳは、特定の波長の光を吸収し、次いで第２の波長で発光するように適合されるルミネッセントナノ構造体の発光特性を利用し、それによりアクティブソース（例えばＬＥＤ）の性能及び効率の向上を可能にする。
[0146] ルミネッセントＮＳを生成するために当業者に既知の任意の方法を使用することができるが、無機ナノ材料蛍光体の制御された成長のための溶液相コロイド法を使用することができる。Alivisatos, A. P.,“Semiconductor clusters, nanocrystals, and quantum dots,”Science 271:933 (1996)；X. Peng, M. Schlamp, A. Kadavanich, A. P. Alivisatos,“Epitaxial growth of highly luminescentCdSe/CdS Core/Shell nanocrystals with photostability and electronic accessibility,”J. Am. Chem. Soc. 30:7019-7029 (1997)及びC. B. Murray, D. J. Norris, M. G. Bawendi,“Synthesis and characterization of nearly monodisperse CdE (E = sulfur, selenium, tellurium) semiconductor nanocrystallites,”J Am. Chem. Soc. 115:8706 (1993)を参照されたい。これらの開示は、それらの全体が参照により本明細書でに援用される。
[0147] 実施形態によれば、ＣｄＳｅは、この材料の合成の相対成熟度に起因して、一例において可視光ダウンコンバージョンのためのＮＳ材料として使用することができる。汎用的な界面化学の使用に起因して、非カドミウム含有ＮＳを置換することも可能であり得る。
[0148] 半導体ＮＳにおいて、光誘導発光がＮＳのバンド端状態から発生する。ルミネッセントＮＳからのバンド端発光は、表面電子状態から発生する放射及び非放射減衰チャネルと競合する。X. Peng, et al., J Am. Chem. Soc. 30:7019-7029 (1997)。その結果として、ダングリングボンド等の表面欠陥の存在が無放射再結合中心を提供し、発光効率の低下の一因となる。表面トラップ状態を不動態化して除去するための効率的及び永続的な方法は、ＮＳの表面上で無機シェル材料をエピタキシャル成長させることであり得る。X. Peng, et al., J. Am. Chem. Soc. 30:701 9-7029 (1997)。シェル材料は、電子レベルがコア材料に対してタイプ１になるように選択することができる（例えば、コアに対する電子及び正孔を局所化する電位ステップを提供するためにより大きいバンドギャップを有する）。結果として、無放射再結合の確率を低下させることができる。
[0149] コア－シェル構造体は、コアＮＳを含有する反応混合物に、シェル材料を含有する有機金属前駆物質を加えることによって得ることができる。この場合、核生成事象及びそれに続く成長ではなく、コアは、核として作用し、シェルは、それらの表面から成長することができる。反応の温度は、シェル材料のナノ結晶の独立核生成を防止する一方、コア表面へのシェル材料モノマーの添加に有利になるように低く維持される。反応混合物における界面活性剤は、シェル材料の制御された成長を誘導し、及び溶解度を確保するために存在する。２つの材料間に低い格子不整合がある場合、均一及びエピタキシャル成長したシェルを得ることができる。
[0150] コア－シェルルミネッセントＮＳを準備するための材料例としては、限定されないが、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｂ、Ｃ（ダイアモンドを含む）、Ｐ、Ｃｏ、Ａｕ、ＢＮ、ＢＰ、ＢＡｓ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｃ、ＢｅＳ、ＢｃＳｅ、ＢｃＴｅ、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＧｅＳ、ＧｅＳｅ、ＧｅＴｅ、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＯ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＣｕＰ、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ、Ｓｉ３Ｎ４、Ｇｅ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）２（Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ）３、ＡｌＣＯを挙げることができ、本発明の実施に使用するシェルルミネッセントＮＳとしては、限定されないが、（コア／シェルとして表した）ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ、ＰｂＳｅ／ＰｂＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＴｅ／ＣｄＳ、ＣｄＴｅ／ＺｎＳと共に他のものが挙げられる。
[0151] 本明細書で記載した実施形態で使用されるルミネッセントＮＳは、サイズが約１００ｎｍ未満、及び約１ｎｍ未満にまで縮小し、可視光を吸収することができる。本明細書で用いる可視光は、人間の目に可視である約３８０～約７８０ナノメートルの波長の電磁放射線である。可視光は、赤色、橙色、黄色、緑色、青色、藍色及び紫色等、スペクトルの種々の色に分離することができる。青色光は、波長が約４３５ｎｍ～約４９５ｎｍの光を含むことができ、緑色光は、波長が約４９５ｎｍ～約５７０ｎｍの光を含むことができ、赤色光は、波長が約６２０ｎｍ～約７５０ｎｍの光を含むことができる。
[0152] 種々の実施形態によれば、ルミネッセントＮＳは、それらが紫外、近赤外、及び／又赤外スペクトルにおける光子を吸収するようなサイズ及び組成を有することができる。紫外線スペクトルは、波長が約１００ｎｍ～約４００ｎｍの光を含むことができ、近赤外スペクトルは、波長が約７５０ｎｍ～約１００μｍの光を含むことができ、赤外スペクトルは、波長が約７５０ｎｍ～約３００μｍの光を含むことができる。
[0153] 本明細書に記載した種々の実施形態において他の適切な材料のルミネッセントＮＳを使用することができるが、幾つかの実施形態では、ＮＳは、本明細書に記載した実施形態で使用されるナノ結晶の集団を形成するためにＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＣｄＳｅ、又はそれらの任意の組合せであり得る。上述したように、更なる実施形態では、ルミネッセントＮＳは、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、又はＩｎＰ／ＺｎＳ等のコア／シェルナノ結晶であり得る。
[0154] 適切なルミネッセントナノ構造体、種々の溶解度増強リガンドの添加を含むルミネッセントナノ構造体を準備する方法は、公開された米国特許出願公開第２０１２／０１１３６７２号に見出すことができ、その開示は、その全体が参照により本明細書に援用される。
[0155] 本明細書において幾つかの実施形態について例示し説明したが、特許請求の範囲は、説明し示した部分の具体的な形態又は配置に限定されるべきではないことが理解されるべきである。本明細書では、例示的な実施形態を開示しており、具体的な用語を採用しているが、それらの用語は、限定を目的とするものではなく、一般的及び説明的な意味でのみ使用されている。上記の教示に鑑みて、実施形態の変更形態及び変形形態が可能である。したがって、実施形態は、具体的に説明されているものと別の方法で実施され得ることが理解されるべきである。

Claims (32)

  1. 可撓性電界発光（ＦＥＬ）デバイスであって、
    第１のピーク波長を有する第１の光を生成するように構成された量子ドット（ＱＤ）薄膜を含むデバイス積層と、
    前記デバイス積層を支持し、前記第１の光の第１の部分を発するように構成された可撓性基板と、
    前記デバイス積層に配置された封緘層であって、前記封緘層は、水分又は酸素からの機械的及び環境的保護を前記ＦＥＬデバイスに提供するように構成される、封緘層と、
    前記可撓性基板に配置されるアウトカップリング層であって、前記アウトカップリング層は、
    前記可撓性基板内の前記第１の光の第２の部分の全内反射を阻止し、前記可撓性基板から前記第２の部分を抽出するか、又は
    前記ＦＥＬデバイスが前記抽出された第２の部分により照明される表面と実質的に共形配置されることに応答して、前記アウトカップリング層と前記表面との間の境界面における空気ギャップをなくす
    ように構成される、アウトカップリング層と、
    を含む、ＦＥＬデバイス。
  2. 前記可撓性基板と前記アウトカップリング層との間に介在する色処理層を更に含み、前記色処理層は、前記第１の光をダウンコンバートして、前記第１のピーク波長と異なる第２のピーク波長を有する第２の光を生成するように構成される、請求項１に記載のＦＥＬデバイス。
  3. 前記封緘層に配置される熱伝導層を更に含み、前記熱伝導層は、前記デバイス積層から熱を放散するように構成される、請求項１又は２に記載のＦＥＬデバイス。
  4. 前記封緘層は、前記デバイス積層から熱を放散するよう構成される、請求項１又は２に記載のＦＥＬデバイス。
  5. 前記アウトカップリング層は、前記デバイス積層により生成された熱から前記表面を熱的に絶縁するように更に構成される、請求項１～４の何れか１項に記載のＦＥＬデバイス。
  6. 前記ＱＤ薄膜は、赤色光、緑色光、青色光、又は近赤外線光を発するように構成された非カドミウム含有ＱＤの集団を含む、請求項１～５の何れか１項に記載のＦＥＬデバイス。
  7. 前記封緘層は結合層及びバリア薄膜を含み、
    前記結合層は、感圧接着層を含み、前記バリア薄膜を前記デバイス積層に取り付けるように構成される、請求項１～６の何れか１項に記載のＦＥＬデバイス。
  8. 前記可撓性基板又は前記アウトカップリング層に配置される第２の封緘層を更に含む、請求項１～７の何れか１項に記載のＦＥＬデバイス。
  9. 前記アウトカップリング層に配置された機能層を更に含み、前記機能層は、前記第１の光を前記ＦＥＬデバイスの表面にわたり実質的に均一に拡散するように構成される、請求項１～８の何れか１項に記載のＦＥＬデバイス。
  10. 前記可撓性基板は波形構造を含む、請求項１～９の何れか１項に記載のＦＥＬデバイス。
  11. 前記熱伝導層は、金属フォイル又は金属メッシュ構造化層を含む、請求項１～１０の何れか１項に記載のＦＥＬデバイス。
  12. 前記ＦＥＬデバイスは、駆動電圧約７Ｖ及び一次電界発光ピーク波長約６３０ｎｍにおいて輝度約２５，０００ｃｄ／ｍ２を有する前記第１の部分を発するように構成される、請求項１～１１の何れか１項に記載のＦＥＬデバイス。
  13. 可撓性電界発光（ＦＥＬ）デバイスであって、
    可撓性基板と、
    前記可撓性基板に配置される第１及び第２のデバイス積層であって、前記第１及び第２のデバイス積層は、第１及び第２のピーク波長をそれぞれ有する第１及び第２の光を同時に発するように構成される、第１及び第２の量子ドット（ＱＤ）ベースの発光層（ＥＭＬ）を含み、前記第１及び第２のピーク波長は互いに異なる、第１及び第２のデバイス積層と、
    前記第１及び第２のデバイス積層に配置される封緘層と、
    前記可撓性基板に配置されるアウトカップリング層であって、前記アウトカップリング層は、前記第１及び第２の光の部分を前記デバイス積層から同時に抽出するように構成される、アウトカップリング層と、
    を含むＦＥＬデバイス。
  14. 前記アウトカップリング層は、前記ＦＥＬデバイスが前記抽出された部分により照明される表面と実質的に共形配置されることに応答して、前記アウトカップリング層と前記表面との間の境界面における空気ギャップをなくすように更に構成される、請求項１３に記載のＦＥＬデバイス。
  15. 前記封緘層に配置される熱伝導層を更に含み、前記熱伝導層は、前記第１及び第２のデバイス積層から熱を放散するように構成される、請求項１３又は１４に記載のＦＥＬデバイス。
  16. 前記アウトカップリング層は、前記第１及び第２のデバイス積層により生成された熱から前記表面を熱的に絶縁するように更に構成される、請求項１３～１５の何れか１項に記載のＦＥＬデバイス。
  17. 前記第１及び第２のＥＭＬはそれぞれ非カドミウム含有ＱＤを含む、請求項１３～１６の何れか１項に記載のＦＥＬデバイス。
  18. 前記第１及び第２のデバイス積層は、前記可撓性基板上に互いに隣接して配置される、請求項１３～１７の何れか１項に記載のＦＥＬデバイス。
  19. 前記第１及び第２のデバイス積層は、共通のアノード及び共通のカソードを有する、請求項１３～１８の何れか１項に記載のＦＥＬデバイス。
  20. 前記第１及び第２のピーク波長は約６６０ｎｍである、請求項１３～１９の何れか１項に記載のＦＥＬデバイス。
  21. 前記第１又は第２のピーク波長は約８６０ｎｍである、請求項１３～１９の何れか１項に記載のＦＥＬデバイス。
  22. 可撓性電界発光（ＦＥＬ）デバイスを作製する方法であって、
    アノード材料層を有する可撓性基板を提供することと、
    前記アノード材料層上に量子ドット（ＱＤ）薄膜を形成することと、
    前記ＱＤ薄膜上にカソードを形成することと、
    前記カソード上に封緘層を形成することと、
    前記可撓性基板上にアウトカップリング層を形成することと、
    を含む方法。
  23. 前記可撓性基板を提供することは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）層と、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を有するアノード材料の前堆積層とを有する基板を使用することを含む、請求項２２に記載の方法。
  24. 前記可撓性基板を提供することは、波形構造を使用することを含む、請求項２２又は２３に記載の方法。
  25. 前記封緘層を形成することは、
    前記カソード上に感圧接着（ＰＳＡ）層を堆積することと、
    前記ＰＳＡ層上にバリア薄膜を堆積することと、
    を含む、請求項２２～２４の何れか１項に記載の方法。
  26. 前記ＰＳＡ層及び前記バリア薄膜を堆積することは、約１０－５ｇ／ｍ２日～約１０ｇ／ｍ２日の範囲の水蒸気透過速度（ＷＶＴＲ）を用いて可撓性接着材料及び可撓性バリア材料をそれぞれ堆積することを含む、請求項２５に記載の方法。
  27. 前記ＰＳＡ層及び前記バリア薄膜を堆積することは、可撓性材料を配置することを含む、請求項２５の何れか１項に記載の方法。
  28. 前記バリア薄膜を配置することは、前記ＰＳＡ層上に金属ラミネート又は金属フォイルを配置することを含む、請求項２５～２７の何れか１項に記載の方法。
  29. 前記バリア薄膜を配置することは、前記ＰＳＡ層上に光学透過性、反射性、又は不透明材料を配置することを含む、請求項２５～２７の何れか１項に記載の方法。
  30. 前記封緘層上に熱伝導層を形成することを更に含む、請求項２２～２９の何れか１項に記載の方法。
  31. 前記可撓性基板上に直接、色処理層を形成することを更に含む、請求項２２～３０の何れか１項に記載の方法。
  32. 前記色処理層上に第２の封緘層を形成することを更に含む、請求項３１に記載の方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7572393B2 (en) 2002-09-05 2009-08-11 Nanosys Inc. Organic species that facilitate charge transfer to or from nanostructures
KR101032672B1 (ko) 2002-09-05 2011-05-06 나노시스, 인크. 나노구조로의 전하 이동 또는 나노구조로부터의 전하 이동을 용이하게 하는 유기종
US7374807B2 (en) 2004-01-15 2008-05-20 Nanosys, Inc. Nanocrystal doped matrixes
US7645397B2 (en) 2004-01-15 2010-01-12 Nanosys, Inc. Nanocrystal doped matrixes
TWI406890B (zh) 2004-06-08 2013-09-01 Sandisk Corp 奈米結構之沉積後包封：併入該包封體之組成物、裝置及系統
US8563133B2 (en) 2004-06-08 2013-10-22 Sandisk Corporation Compositions and methods for modulation of nanostructure energy levels
US20100110728A1 (en) 2007-03-19 2010-05-06 Nanosys, Inc. Light-emitting diode (led) devices comprising nanocrystals
EP2121872B1 (en) 2007-03-19 2015-12-09 Nanosys, Inc. Methods for encapsulating nanocrystals
WO2009014707A2 (en) * 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
WO2010126606A2 (en) 2009-05-01 2010-11-04 Nanosys, Inc. Functionalized matrixes for dispersion of nanostructures
EP3839335A1 (en) 2010-11-10 2021-06-23 Nanosys, Inc. Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods
KR101973834B1 (ko) * 2012-04-20 2019-04-29 코니카 미놀타 가부시키가이샤 유기 일렉트로루미네센스 소자
EP3282000A1 (en) * 2016-08-11 2018-02-14 Avantama AG Solid polymer composition
US11223032B2 (en) * 2016-11-29 2022-01-11 Universal Display Corporation Thin film barrier structure
KR20180090421A (ko) * 2017-02-02 2018-08-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN107565059A (zh) 2017-10-09 2018-01-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Qled器件的封装方法及封装结构
CN111466037A (zh) * 2017-12-19 2020-07-28 科迪华公司 具有改进光输出耦合的发光装置
US11020605B2 (en) * 2018-05-29 2021-06-01 Carewear Corp. Method and system for irradiating tissue with pulsed blue and red light to reduce muscle fatigue, enhance wound healing and tissue repair, and reduce pain
US11380863B2 (en) 2019-03-19 2022-07-05 Nanosys, Inc. Flexible electroluminescent devices

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