JP2012060420A5 - 弾性表面波デバイス、電子機器、センサー装置および弾性表面波デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
第1の形態の弾性表面波デバイスは、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板と、
前記水晶基板上に設けられ、複数の電極指を備え、ストップバンド上端モードのレイリー波を励振するＩＤＴと、を有し、
周波数温度特性が極大値と、極小値と、それらの間に変曲点とを有する曲線で表され、前記変曲点の温度が前記ＩＤＴのライン占有率によって制御されることを特徴とする弾性表面波デバイス。
第２の形態の弾性表面波デバイスは、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板と、
前記水晶基板上に設けられ、複数の電極指を備え、ストップバンド上端モードのレイリー波を励振するＩＤＴと、
平面視で、前記電極指の間に位置する前記水晶基板の部分にある電極指間溝と、を有し、
前記レイリー波の波長λと前記電極指間溝の深さＧとが、０．０１λ≦Ｇ≦０．０７λの関係を満足し、
前記ＩＤＴのライン占有率ηと前記電極指間溝の深さＧとが、
及び、
の関係を満足し、
周波数温度特性が極大値と、極小値と、前記極大値と前記極小値との間に変曲点とを有する曲線で表され、前記変曲点の温度が動作温度範囲の中心温度Ｔc から±３０℃の範囲内にあるように前記ＩＤＴのライン占有率によって制御されることを特徴とする弾性表面波デバイス。
第３の形態の弾性表面波デバイスは、前記ＩＤＴのライン占有率ηが、
ａ(Ｔc−30) ６ ＋ｂ(Ｔc−30) ５ ＋ｃ(Ｔc−30) ４ ＋ｄ(Ｔc−30) ３ ＋ｅ(Ｔc−30) ２ ＋ｆ(Ｔc−30)＋0.606≦η≦ａ(Ｔc＋30) ６ ＋ｂ(Ｔc＋30) ５ ＋ｃ(Ｔc＋30) ４ ＋ｄ(Ｔc＋30) ３ ＋ｅ(Ｔc＋30) ２ ＋ｆ(Ｔc＋30)＋0.606、
（但し、ａ＝−2.60×10 −１２ 、ｂ＝4.84×10 −１０ 、ｃ＝−2.13×10 −８ 、ｄ＝1.98×10 −７ 、ｅ＝1.42×10 −５ 、ｆ＝1.48×10 −４ ）
を満足することを特徴とする第２の形態に記載の弾性表面波デバイス。
第４の形態の弾性表面波デバイスは、前記水晶基板のオイラー角ψが、４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°の範囲内にあることを特徴とする第２の形態又は第３の形態に記載の弾性表面波デバイス。
第５の形態の弾性表面波デバイスは、前記電極指の膜厚をＨとし、前記ＩＤＴのライン占有率ηが、
を満足することを特徴とする第２の形態乃至第４の形態のいずれか１形態に記載の弾性表面波デバイス。
第６の形態の弾性表面波デバイスは、前記電極指間溝の深さＧと前記電極指の膜厚Ｈとの和が、０．０４０７λ≦Ｇ＋Ｈを満足することを特徴とする第２の形態乃至第５の形態のいずれか１形態に記載の弾性表面波デバイス。
第７の形態の弾性表面波デバイスは、前記弾性表面波の伝播方向に沿ってＩＤＴを挟むように配置され、それぞれ複数の導体ストリップを備えている一対の反射器と、
平面視で、前記導体ストリップの間に位置する前記水晶基板の部分にある導体ストリップ間溝と、を更に有し、
前記電極指及び前記導体ストリップに直交する第１の方向と前記水晶基板の電気軸とのなす角度が前記水晶基板のオイラー角ψであり、
前記ＩＤＴ及び前記反射器の少なくとも一部が、前記第１の方向と角度δをもって交差する第２の方向に配置され、
前記角度δが前記水晶基板のパワーフロー角±１°の範囲内に設定されていることを特徴とする第２の形態乃至第６の形態のいずれか１形態に記載の弾性表面波デバイス。
第８の形態の弾性表面波デバイスは、前記ＩＤＴを駆動するための発振回路を更に有することを特徴とする第１の形態乃至第７の形態のいずれか１形態に記載の弾性表面波デバイス。
第９の形態は、第１の形態乃至第８の形態のいずれか１形態に記載の弾性表面波デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
第１０の形態は、第１の形態乃至第８の形態のいずれか１形態に記載の弾性表面波デバイスを備えることを特徴とするセンサー装置。
第１１の形態の弾性表面波デバイスの製造方法は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板と、
前記水晶基板上に設けられ、複数の電極指を備え、ストップバンド上端モードのレイリー波を励振するＩＤＴと、を有し、
周波数温度特性が極大値と、極小値と、前記極大値と前記極小値との間に変曲点とを有する曲線で表される弾性表面波デバイスの製造方法であって、
前記弾性表面波デバイスの動作温度範囲を設定する工程と、
前記変曲点の温度が前記動作温度範囲の中心温度Ｔc から±３０℃の範囲内にあるように前記ＩＤＴのライン占有率を設定する工程と、
を有することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
本発明のＳＡＷデバイスは、或る側面において、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板と、
該水晶基板の主面に設けられた複数の電極指からなり、ストップバンド上端モードのレイリー波を励振するＩＤＴとを有し、
周波数温度特性が極大値と、極小値と、それらの間に変曲点とを有する曲線で表され、変曲点の温度が所望の動作温度範囲内にあるようにＩＤＴのライン占有率によって調整可能であることを特徴とする。
前記水晶基板上に設けられ、複数の電極指を備え、ストップバンド上端モードのレイリー波を励振するＩＤＴと、を有し、
周波数温度特性が極大値と、極小値と、それらの間に変曲点とを有する曲線で表され、前記変曲点の温度が前記ＩＤＴのライン占有率によって制御されることを特徴とする弾性表面波デバイス。
第２の形態の弾性表面波デバイスは、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板と、
前記水晶基板上に設けられ、複数の電極指を備え、ストップバンド上端モードのレイリー波を励振するＩＤＴと、
平面視で、前記電極指の間に位置する前記水晶基板の部分にある電極指間溝と、を有し、
前記レイリー波の波長λと前記電極指間溝の深さＧとが、０．０１λ≦Ｇ≦０．０７λの関係を満足し、
前記ＩＤＴのライン占有率ηと前記電極指間溝の深さＧとが、
周波数温度特性が極大値と、極小値と、前記極大値と前記極小値との間に変曲点とを有する曲線で表され、前記変曲点の温度が動作温度範囲の中心温度Ｔc から±３０℃の範囲内にあるように前記ＩＤＴのライン占有率によって制御されることを特徴とする弾性表面波デバイス。
第３の形態の弾性表面波デバイスは、前記ＩＤＴのライン占有率ηが、
ａ(Ｔc−30) ６ ＋ｂ(Ｔc−30) ５ ＋ｃ(Ｔc−30) ４ ＋ｄ(Ｔc−30) ３ ＋ｅ(Ｔc−30) ２ ＋ｆ(Ｔc−30)＋0.606≦η≦ａ(Ｔc＋30) ６ ＋ｂ(Ｔc＋30) ５ ＋ｃ(Ｔc＋30) ４ ＋ｄ(Ｔc＋30) ３ ＋ｅ(Ｔc＋30) ２ ＋ｆ(Ｔc＋30)＋0.606、
（但し、ａ＝−2.60×10 −１２ 、ｂ＝4.84×10 −１０ 、ｃ＝−2.13×10 −８ 、ｄ＝1.98×10 −７ 、ｅ＝1.42×10 −５ 、ｆ＝1.48×10 −４ ）
を満足することを特徴とする第２の形態に記載の弾性表面波デバイス。
第４の形態の弾性表面波デバイスは、前記水晶基板のオイラー角ψが、４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°の範囲内にあることを特徴とする第２の形態又は第３の形態に記載の弾性表面波デバイス。
第５の形態の弾性表面波デバイスは、前記電極指の膜厚をＨとし、前記ＩＤＴのライン占有率ηが、
第６の形態の弾性表面波デバイスは、前記電極指間溝の深さＧと前記電極指の膜厚Ｈとの和が、０．０４０７λ≦Ｇ＋Ｈを満足することを特徴とする第２の形態乃至第５の形態のいずれか１形態に記載の弾性表面波デバイス。
第７の形態の弾性表面波デバイスは、前記弾性表面波の伝播方向に沿ってＩＤＴを挟むように配置され、それぞれ複数の導体ストリップを備えている一対の反射器と、
平面視で、前記導体ストリップの間に位置する前記水晶基板の部分にある導体ストリップ間溝と、を更に有し、
前記電極指及び前記導体ストリップに直交する第１の方向と前記水晶基板の電気軸とのなす角度が前記水晶基板のオイラー角ψであり、
前記ＩＤＴ及び前記反射器の少なくとも一部が、前記第１の方向と角度δをもって交差する第２の方向に配置され、
前記角度δが前記水晶基板のパワーフロー角±１°の範囲内に設定されていることを特徴とする第２の形態乃至第６の形態のいずれか１形態に記載の弾性表面波デバイス。
第８の形態の弾性表面波デバイスは、前記ＩＤＴを駆動するための発振回路を更に有することを特徴とする第１の形態乃至第７の形態のいずれか１形態に記載の弾性表面波デバイス。
第９の形態は、第１の形態乃至第８の形態のいずれか１形態に記載の弾性表面波デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
第１０の形態は、第１の形態乃至第８の形態のいずれか１形態に記載の弾性表面波デバイスを備えることを特徴とするセンサー装置。
第１１の形態の弾性表面波デバイスの製造方法は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板と、
前記水晶基板上に設けられ、複数の電極指を備え、ストップバンド上端モードのレイリー波を励振するＩＤＴと、を有し、
周波数温度特性が極大値と、極小値と、前記極大値と前記極小値との間に変曲点とを有する曲線で表される弾性表面波デバイスの製造方法であって、
前記弾性表面波デバイスの動作温度範囲を設定する工程と、
前記変曲点の温度が前記動作温度範囲の中心温度Ｔc から±３０℃の範囲内にあるように前記ＩＤＴのライン占有率を設定する工程と、
を有することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
本発明のＳＡＷデバイスは、或る側面において、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板と、
該水晶基板の主面に設けられた複数の電極指からなり、ストップバンド上端モードのレイリー波を励振するＩＤＴとを有し、
周波数温度特性が極大値と、極小値と、それらの間に変曲点とを有する曲線で表され、変曲点の温度が所望の動作温度範囲内にあるようにＩＤＴのライン占有率によって調整可能であることを特徴とする。
Claims (11)
- オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板と、
前記水晶基板上に設けられ、複数の電極指を備え、ストップバンド上端モードのレイリー波を励振するＩＤＴと、を有し、
周波数温度特性が極大値と、極小値と、それらの間に変曲点とを有する曲線で表され、前記変曲点の温度が前記ＩＤＴのライン占有率によって制御されることを特徴とする弾性表面波デバイス。 - オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板と、
前記水晶基板上に設けられ、複数の電極指を備え、ストップバンド上端モードのレイリー波を励振するＩＤＴと、
平面視で、前記電極指の間に位置する前記水晶基板の部分にある電極指間溝と、を有し、
前記レイリー波の波長λと前記電極指間溝の深さＧとが、０．０１λ≦Ｇ≦０．０７λの関係を満足し、
前記ＩＤＴのライン占有率ηと前記電極指間溝の深さＧとが、
及び、
の関係を満足し、
周波数温度特性が極大値と、極小値と、前記極大値と前記極小値との間に変曲点とを有する曲線で表され、前記変曲点の温度が動作温度範囲の中心温度Ｔc から±３０℃の範囲内にあるように前記ＩＤＴのライン占有率によって制御されることを特徴とする弾性表面波デバイス。 - 前記ＩＤＴのライン占有率ηが、
ａ(Ｔc−30)６＋ｂ(Ｔc−30)５＋ｃ(Ｔc−30)４＋ｄ(Ｔc−30)３＋ｅ(Ｔc−30)２＋ｆ(Ｔc−30)＋0.606≦η≦ａ(Ｔc＋30)６＋ｂ(Ｔc＋30)５＋ｃ(Ｔc＋30)４＋ｄ(Ｔc＋30)３＋ｅ(Ｔc＋30)２＋ｆ(Ｔc＋30)＋0.606、
（但し、ａ＝−2.60×10−１２、ｂ＝4.84×10−１０、ｃ＝−2.13×10−８、ｄ＝1.98×10−７、ｅ＝1.42×10−５、ｆ＝1.48×10−４）
を満足することを特徴とする請求項２に記載の弾性表面波デバイス。 - 前記水晶基板のオイラー角ψが、４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°の範囲内にあることを特徴とする請求項２又は３に記載の弾性表面波デバイス。
- 前記電極指の膜厚をＨとし、前記ＩＤＴのライン占有率ηが、
を満足することを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイス。 - 前記電極指間溝の深さＧと前記電極指の膜厚Ｈとの和が、０．０４０７λ≦Ｇ＋Ｈを満足することを特徴とする請求項２乃至５のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイス。
- 前記弾性表面波の伝播方向に沿ってＩＤＴを挟むように配置され、それぞれ複数の導体ストリップを備えている一対の反射器と、
平面視で、前記導体ストリップの間に位置する前記水晶基板の部分にある導体ストリップ間溝と、を更に有し、
前記電極指及び前記導体ストリップに直交する第１の方向と前記水晶基板の電気軸とのなす角度が前記水晶基板のオイラー角ψであり、
前記ＩＤＴ及び前記反射器の少なくとも一部が、前記第１の方向と角度δをもって交差する第２の方向に配置され、
前記角度δが前記水晶基板のパワーフロー角±１°の範囲内に設定されていることを特徴とする請求項２乃至６のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイス。 - 前記ＩＤＴを駆動するための発振回路を更に有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイス。
- 請求項１乃至８のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
- 請求項１乃至８のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイスを備えることを特徴とするセンサー装置。
- オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板と、
前記水晶基板上に設けられ、複数の電極指を備え、ストップバンド上端モードのレイリー波を励振するＩＤＴと、を有し、
周波数温度特性が極大値と、極小値と、前記極大値と前記極小値との間に変曲点とを有する曲線で表される弾性表面波デバイスの製造方法であって、
前記弾性表面波デバイスの動作温度範囲を設定する工程と、
前記変曲点の温度が前記動作温度範囲の中心温度Ｔc から±３０℃の範囲内にあるように前記ＩＤＴのライン占有率を設定する工程と、
を有することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
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| JP5648908B2 (ja) * | 2010-12-07 | 2015-01-07 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイス、並びに発振器、および電子機器 |
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| CN107534429B (zh) * | 2015-07-17 | 2020-12-11 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置及其制造方法 |
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| CN112204880A (zh) * | 2018-05-02 | 2021-01-08 | 株式会社村田制作所 | 谐振子以及谐振装置 |
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| WO2021222409A1 (en) * | 2020-04-29 | 2021-11-04 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with controlled conductor sidewall angles |
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Family Cites Families (94)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US382217A (en) | 1888-05-01 | Sand-molding machine | ||
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| JPS54156455A (en) | 1978-05-31 | 1979-12-10 | Toshiba Corp | Surface acoustic wave element and its trimming method |
| GB2078042B (en) | 1980-06-13 | 1984-08-08 | Nippon Telegraph & Telephone | Surface acoustic wave resonator |
| JPS575418A (en) | 1980-06-13 | 1982-01-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Cavity type surface elastic wave resonator |
| JPS5799813A (en) | 1980-12-13 | 1982-06-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Surface acoustic wave resonator |
| JPS5833309A (ja) | 1981-08-21 | 1983-02-26 | Toyo Commun Equip Co Ltd | すべり波共振器 |
| JPS60232812A (ja) | 1984-04-28 | 1985-11-19 | Kobe Steel Ltd | 鋼片の押込剪断方法 |
| JPS6192011A (ja) | 1984-10-11 | 1986-05-10 | Nec Kansai Ltd | 弾性表面波素子の製造方法 |
| JPS6388910A (ja) | 1986-10-02 | 1988-04-20 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 弾性表面波共振子 |
| JPS6468114A (en) | 1987-09-09 | 1989-03-14 | Hiroshi Shimizu | Structure for idt exciting type piezoelectric resonator |
| JPH01231412A (ja) | 1988-03-11 | 1989-09-14 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波ディバイスの周波数特性調整方法 |
| JPH02189011A (ja) | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
| JP2839104B2 (ja) | 1990-01-20 | 1998-12-16 | 株式会社シマノ | 釣用リールの変速装置 |
| JPH03266846A (ja) | 1990-03-16 | 1991-11-27 | Konica Corp | 感光性平版印刷版の処理方法及び処理装置 |
| CA2038474C (en) | 1990-03-19 | 1994-09-20 | Yoshio Satoh | Surface-acoustic-waver filter having a plurality of electrodes |
| JP2982208B2 (ja) | 1990-03-30 | 1999-11-22 | 富士通株式会社 | 弾性表面波素子 |
| JPH0590865A (ja) | 1991-09-30 | 1993-04-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波フイルタの中心周波数調整方法 |
| JP3411124B2 (ja) | 1994-05-13 | 2003-05-26 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波モジュール素子の製造方法 |
| WO1996010293A1 (fr) * | 1994-09-29 | 1996-04-04 | Seiko Epson Corporation | Dispositif a ondes acoustiques de surface |
| JP3284009B2 (ja) | 1994-10-03 | 2002-05-20 | ミサワホーム株式会社 | 地下室付き建物 |
| US5815900A (en) | 1995-03-06 | 1998-10-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a surface acoustic wave module |
| JPH10270974A (ja) | 1997-03-25 | 1998-10-09 | Kenwood Corp | 表面弾性波素子 |
| JP3266846B2 (ja) | 1998-01-20 | 2002-03-18 | 東洋通信機株式会社 | 反射反転型弾性表面波変換器及びフィルタ |
| JP3301399B2 (ja) | 1998-02-16 | 2002-07-15 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| FR2779289B1 (fr) | 1998-05-29 | 2000-09-01 | Thomson Csf | Transducteur unidirectionnel grave a ondes acoustiques de surface |
| JP3840852B2 (ja) | 1998-10-15 | 2006-11-01 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波装置及び２ポート弾性表面波共振子 |
| JP2000216632A (ja) | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Kubota Corp | 表面弾性波発振器 |
| US6674215B1 (en) | 1999-11-16 | 2004-01-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Elastic wave device |
| JP2002100959A (ja) | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 弾性表面波デバイス |
| JP3897229B2 (ja) | 2001-04-27 | 2007-03-22 | 株式会社村田製作所 | 表面波フィルタ |
| AUPR507601A0 (en) * | 2001-05-21 | 2001-06-14 | Microtechnology Centre Management Limited | Surface acoustic wave sensor |
| JP3724575B2 (ja) | 2001-08-09 | 2005-12-07 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波装置 |
| JP3622202B2 (ja) | 2001-08-29 | 2005-02-23 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波装置の温度特性調整方法 |
| JP2003188675A (ja) | 2001-12-19 | 2003-07-04 | Alps Electric Co Ltd | 表面弾性波素子及びそれを備えたデュプレクサ |
| JP2003258601A (ja) | 2001-12-28 | 2003-09-12 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波装置およびそれを用いた通信機器 |
| JP2003283282A (ja) | 2002-01-15 | 2003-10-03 | Murata Mfg Co Ltd | 電極を有する電子部品、及びその製造方法、通信装置 |
| JP3826877B2 (ja) | 2002-01-22 | 2006-09-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置およびそれを有する通信装置 |
| EP1401099B1 (en) | 2002-04-15 | 2012-06-06 | Panasonic Corporation | Surface acoustic wave device, and mobile communication device and sensor both using same |
| CN1286266C (zh) * | 2002-10-04 | 2006-11-22 | 精工爱普生株式会社 | 弹性表面波器件及其温度特性调整方法 |
| JP2004274696A (ja) * | 2002-10-04 | 2004-09-30 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波装置および弾性表面波装置の温度特性調整方法 |
| JP4306458B2 (ja) * | 2003-03-20 | 2009-08-05 | セイコーエプソン株式会社 | 電圧制御型発振器、クロック変換器及び電子機器 |
| JP2005012736A (ja) | 2003-06-17 | 2005-01-13 | Kazuhiko Yamanouchi | 弾性表面波変換器とこれを用いた電子装置 |
| US7135805B2 (en) | 2003-04-08 | 2006-11-14 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Surface acoustic wave transducer |
| JP4246604B2 (ja) | 2003-11-18 | 2009-04-02 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波デバイス |
| JP2005204275A (ja) | 2003-12-12 | 2005-07-28 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子片およびその製造方法並びに弾性表面波装置 |
| US7315805B2 (en) | 2004-02-05 | 2008-01-01 | Raytheon Company | Operations and support discrete event stimulation system and method |
| KR100858324B1 (ko) | 2004-04-01 | 2008-09-17 | 엡슨 토요콤 가부시키가이샤 | 탄성 표면파 디바이스 |
| JP2006013576A (ja) | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Epson Toyocom Corp | Ｓａｗデバイスとこれを用いた装置 |
| JP2006074136A (ja) | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子片および弾性表面波装置 |
| JP2006148622A (ja) | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波装置および電子機器 |
| JP2006203408A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Epson Toyocom Corp | 弾性表面波デバイス |
| EP1926210A3 (en) | 2004-12-03 | 2013-04-17 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device |
| JP2006186623A (ja) | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子、その製造方法、及び弾性表面波デバイス |
| JP2006295311A (ja) | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子片および弾性表面波装置 |
| JP3851336B1 (ja) | 2005-05-31 | 2006-11-29 | 隆彌 渡邊 | 弾性表面波装置 |
| WO2006137464A1 (ja) | 2005-06-21 | 2006-12-28 | Epson Toyocom Corporation | 弾性表面波デバイス、モジュール、及び発振器 |
| JP2007093213A (ja) | 2005-09-26 | 2007-04-12 | Epson Toyocom Corp | 圧力センサ |
| JP4809042B2 (ja) | 2005-11-10 | 2011-11-02 | 日本電波工業株式会社 | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
| JP4569447B2 (ja) | 2005-11-18 | 2010-10-27 | エプソントヨコム株式会社 | 弾性表面波素子片および弾性表面波デバイス |
| JP4412292B2 (ja) * | 2006-02-06 | 2010-02-10 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波装置および電子機器 |
| JP2007259414A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-10-04 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波装置の温度特性調整方法および弾性表面波装置の製造方法、弾性表面波装置 |
| JP2007267033A (ja) | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Epson Toyocom Corp | 弾性表面波素子及び弾性表面波デバイス |
| JP5141856B2 (ja) | 2006-04-04 | 2013-02-13 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波装置の製造方法、及び弾性表面波装置 |
| JP4968510B2 (ja) | 2006-04-27 | 2012-07-04 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波素子片の周波数温度特性調整方法、及び弾性表面波素子片、並びに弾性表面波デバイス |
| JP2007300287A (ja) | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Epson Toyocom Corp | 弾性表面波素子および弾性表面波デバイス並びに電子機器 |
| JP2007333500A (ja) | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Epson Toyocom Corp | 圧力センサの製造方法および圧力センサ |
| JP4158818B2 (ja) | 2006-06-21 | 2008-10-01 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ |
| JP2008078739A (ja) | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイスおよびフィルタ |
| JP2008078984A (ja) | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Epson Toyocom Corp | Ｓａｗデバイスおよび電子機器 |
| US7504705B2 (en) * | 2006-09-29 | 2009-03-17 | International Business Machines Corporation | Striped on-chip inductor |
| JP4645957B2 (ja) | 2006-09-29 | 2011-03-09 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波素子片および弾性表面波装置 |
| JP4465625B2 (ja) | 2006-09-29 | 2010-05-19 | Ｔｄｋ株式会社 | 弾性表面波フィルタおよび弾性表面波共振器 |
| JP2008177886A (ja) | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Seiko Epson Corp | Ｆｓｋ変調器 |
| JP2008236295A (ja) | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Seiko Epson Corp | Ｓａｗ共振子 |
| JP2008278349A (ja) | 2007-05-02 | 2008-11-13 | Seiko Epson Corp | Ｓａｗ共振子 |
| JP5018227B2 (ja) | 2007-05-15 | 2012-09-05 | セイコーエプソン株式会社 | 力検知ユニット |
| JP2008286521A (ja) | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Epson Toyocom Corp | 回転速度検知ユニット、及び回転速度センサ |
| JP4591800B2 (ja) | 2008-02-20 | 2010-12-01 | エプソントヨコム株式会社 | 弾性表面波デバイスおよび弾性表面波発振器 |
| JP5146160B2 (ja) | 2008-07-02 | 2013-02-20 | 株式会社村田製作所 | 弾性波共振子及びラダー型フィルタ |
| JP2010103720A (ja) * | 2008-10-23 | 2010-05-06 | Epson Toyocom Corp | 弾性表面波デバイス |
| KR20110081865A (ko) | 2008-10-24 | 2011-07-14 | 엡슨 토요콤 가부시키 가이샤 | 탄성 표면파 공진자, 탄성 표면파 발진기 및 탄성 표면파 모듈 장치 |
| JP4645923B2 (ja) | 2009-02-27 | 2011-03-09 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器 |
| US8952596B2 (en) | 2009-02-27 | 2015-02-10 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic instrument |
| JP5678486B2 (ja) * | 2010-06-17 | 2015-03-04 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器 |
| JP2012049818A (ja) | 2010-08-26 | 2012-03-08 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、電子機器 |
| JP5934464B2 (ja) * | 2010-08-26 | 2016-06-15 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器、ならびに電子機器 |
| JP2012060422A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
| JP2012060419A (ja) | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
| JP2012060420A (ja) | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
| JP2012060418A (ja) | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
| JP2012060421A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
| JP5652606B2 (ja) | 2010-12-03 | 2015-01-14 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、及び電子機器 |
| JP5648908B2 (ja) * | 2010-12-07 | 2015-01-07 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイス、並びに発振器、および電子機器 |
-
2010
- 2010-09-09 JP JP2010201751A patent/JP2012060420A/ja not_active Withdrawn
-
2011
- 2011-08-31 CN CN201110264418.XA patent/CN102403979B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-01 US US13/223,405 patent/US9048806B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-06-04 US US14/295,748 patent/US20140285063A1/en not_active Abandoned
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