CN107534429B - 弹性波装置及其制造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 80
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 66
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 66
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 33
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 25
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 21
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 21
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 11
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 10
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 6
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 255
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 229910003334 KNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000135164 Timea Species 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N dilithium;[oxido(oxoboranyloxy)boranyl]oxy-oxoboranyloxyborinate Chemical compound [Li+].[Li+].O=BOB([O-])OB([O-])OB=O PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 langasite Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
- H03H9/131—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials consisting of a multilayered structure
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
- H03H9/132—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials characterized by a particular shape
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14538—Formation
- H03H9/14541—Multilayer finger or busbar electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/19—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of quartz
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/067—Forming single-layered electrodes of multilayered piezoelectric or electrostrictive parts
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8542—Alkali metal based oxides, e.g. lithium, sodium or potassium niobates
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
提供一种能够减小激励弹性波时的IDT电极的形变、能够使得IMD特性良好的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：具有电极形成面(3a)的压电基板(3)、和被设置在电极形成面(3a)上的IDT电极(2)。IDT电极(2)具有：被设置在电极形成面(3a)上的紧贴层(4)、和被设置在紧贴层(4)上的主电极层(6)。紧贴层4具有第1层(4A)、第2层(4B)。第1层(4A)、第2层(4B)具有第1侧面(4Ac)、第2侧面(4Bc)。第1侧面(4Ac)、第2侧面(4Bc)的至少一部分与电极形成面(3a)的法线方向Z形成第1侧面(4Ac)的倾斜角度(θ1)、第2侧面(4Bc)的倾斜角度(θ2)，以使得第2层(4B)紧贴于主电极层(6)的面的面积小于第1层(4A)紧贴于压电基板(3)的面的面积。第2侧面(4Bc)的倾斜角度(θ2)小于第1侧面(4Ac)的倾斜角度(θ1)。
Description
技术领域
本发明涉及弹性波装置及其制造方法。
背景技术
以往，弹性波装置被广泛用于移动电话等。例如，下述的专利文献1中公开了具有IDT电极的弹性波装置的一例。该弹性波装置具有：压电基板、设置在压电基板上的中间层、和设置在中间层上的电极膜。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2001-217672号公报
发明内容
-发明要解决的课题-
在利用剥离加工法来制造专利文献1所记载的这种弹性波装置的情况下，在压电基板上以及抗蚀剂图案上蒸镀中间层用的金属膜以及电极膜用的金属膜。上述中间层用的金属采用熔点高的金属。因此，在形成中间层时，有时由于来自蒸镀源的辐射热、来自蒸镀粒子的热传导而抗蚀剂图案出现较大的变形。这样一来，有时中间层的侧面会出现较大的倾斜。因此，存在IDT电极被激励时的电极膜的形变变大、IMD特性出现劣化的情况。
本发明的目的在于：提供一种无论上述中间层用的金属的熔点如何而能够使得弹性波被激励时的IDT电极的形变较小、能够使得IMD特性良好的弹性波装置及其制造方法。
-解决课题的手段-
在本发明的某个宽泛的方面，提供一种弹性波装置，其具备：压电基板，具有电极形成面；和IDT电极，被设置在所述压电基板的所述电极形成面上，所述IDT电极具有：被设置在所述压电基板的所述电极形成面上的紧贴层、和被设置在所述紧贴层上的主电极层，所述紧贴层具有紧贴于所述压电基板的第1层、和紧贴于所述主电极层的第2层，所述第1层具有第1侧面，所述第2层具有第2侧面，所述第1侧面、所述第2侧面的至少一部分分别相对于所述电极形成面的法线方向处于倾斜，以使得所述第2层紧贴于所述主电极层的面的面积小于所述第1层紧贴于所述压电基板的面的面积，在将所述第1侧面、所述第2侧面的处于倾斜的部分与所述电极形成面的法线方向所形成的角度分别设为所述第1侧面、所述第2侧面的倾斜角度时，所述第2侧面的所述倾斜角度小于所述第1侧面的所述倾斜角度。
在本发明所涉及的弹性波装置的其他的特定方面，所述主电极层具有侧面，在将所述主电极层的所述侧面与所述压电基板的所述电极形成面的法线方向所形成的角度设为所述主电极层的所述侧面的倾斜角度时，所述主电极层的所述侧面的所述倾斜角度为所述第2侧面的所述倾斜角度以下。该情况下，能够更进一步减小弹性波被激励时的主电极层的形变。
在本发明所涉及的弹性波装置的进一步其他的特定方面，构成所述紧贴层的金属的弹性率大于构成所述主电极层的金属的弹性率。在该情况下，能够有效地减小弹性波被激励时的主电极层的形变。
在本发明所涉及的弹性波装置的另外的特定方面，构成所述紧贴层的金属的熔点为构成所述主电极层的金属的熔点以上。该情况下，能够更为可靠地减小弹性波被激励时的主电极层的形变。
在本发明所涉及的弹性波装置的进一步另外的特定方面，所述紧贴层由Ti构成，所述主电极层由Al构成。该情况下，能够更进一步减小弹性波被激励时的主电极层的形变。
在本发明的其他的宽泛方面，提供一种弹性波装置，具备：压电基板，具有电极形成面；和IDT电极，被设置在所述压电基板的所述电极形成面上，所述IDT电极具有：被设置在所述压电基板的所述电极形成面上的紧贴层、被设置在所述紧贴层上的中间层、和被设置在所述中间层上的主电极层，所述紧贴层以及所述中间层分别具有侧面，所述紧贴层的所述侧面的至少一部分相对于所述电极形成面的法线方向处于倾斜，以使得在所述紧贴层中紧贴于所述中间层的面的面积小于紧贴于所述压电基板的面的面积，所述中间层的所述侧面的至少一部分相对于所述电极形成面的法线方向处于倾斜，以使得在所述中间层中相接于所述主电极层的面的面积小于紧贴于所述紧贴层的面的面积，在将所述紧贴层的所述侧面的处于倾斜的部分以及所述中间层的所述侧面的处于倾斜的部分与所述电极形成面的法线方向所形成的角度分别设为所述紧贴层的所述侧面以及所述中间层的所述侧面的倾斜角度时，所述中间层的所述侧面的所述倾斜角度小于所述紧贴层的所述侧面的所述倾斜角度。该情况下，能够更进一步减小弹性波被激励时的主电极层的形变。
在本发明所涉及的弹性波装置的进一步另外的特定方面，所述主电极层具有侧面，在将所述主电极层的所述侧面与所述电极形成面的法线方向所形成的角度设为所述主电极层的所述侧面的倾斜角度时，所述主电极层的所述侧面的所述倾斜角度为所述中间层的所述侧面的所述倾斜角度以下。该情况下，能够更进一步减小弹性波被激励时的主电极层的形变。
在本发明所涉及的弹性波装置的进一步另外的特定方面，构成所述紧贴层的金属的弹性率为构成所述中间层的金属的弹性率以上，构成所述中间层的金属的弹性率大于构成所述主电极层的金属的弹性率。该情况下，能够有效地减小弹性波被激励时的主电极层的形变。
在本发明所涉及的弹性波装置的进一步另外的特定方面，构成所述紧贴层的金属的熔点为构成所述中间层的金属的熔点以上，构成所述中间层的金属的熔点为构成所述主电极层的金属的熔点以上。该情况下，能够更可靠地减小弹性波被激励时的主电极层的形变。
在本发明所涉及的弹性波装置的进一步另外的特定方面，所述紧贴层由NiCr以及Ti之中的任一者构成，所述中间层由Ti构成，所述主电极层由Al构成。该情况下，能够更进一步减小弹性波被激励时的主电极层的形变。
本发明所涉及的弹性波装置的制造方法是具有紧贴层以及主电极层的IDT电极被设置在压电基板上的弹性波装置的制造方法，包括：准备具有电极形成面的压电基板的工序；和将IDT电极设置在所述压电基板的所述电极形成面上的工序，该工序具有在所述压电基板的所述电极形成面上层叠阻挡层的工序、对所述阻挡层进行图案化的工序、在所述压电基板上以及所述阻挡层上通过蒸镀法来层叠紧贴层用的金属膜的工序、在所述紧贴层用的金属膜上通过蒸镀法来层叠主电极层用的金属膜的工序、和将所述阻挡层从所述压电基板剥离的工序，所述紧贴层具有紧贴于所述压电基板的第1层、和紧贴于所述主电极层的第2层，所述第1层具有第1侧面，所述第2层具有第2侧面，在所述压电基板上以及所述阻挡层上层叠所述紧贴层用的金属膜的工序中，通过改变蒸镀法的条件的同时层叠所述紧贴层用的金属膜，使所述第1侧面、所述第2侧面相对于所述电极形成面的法线方向倾斜，以使得所述第2层紧贴于所述主电极层的面的面积小于所述第1层紧贴于所述压电基板的面的面积，在将所述第1侧面、所述第2侧面与所述电极形成面的法线方向所形成的角度分别设为所述第1侧面、所述第2侧面的倾斜角度时，所述第2侧面的所述倾斜角度小于所述第1侧面的所述倾斜角度。该情况下，能够更进一步减小弹性波被激励时的主电极层的形变。
在本发明所涉及的弹性波装置的制造方法的某个特定方面，在所述压电基板上以及所述阻挡层上层叠所述紧贴层用的金属膜的工序中，使形成所述第2层时的蒸镀法中的成膜速度比形成所述第1层时的蒸镀法中的成膜速度慢。该情况下，能够更为可靠地减小弹性波被激励时的主电极层的形变。
-发明效果-
根据本发明，可提供一种能够减小激励弹性波时的IDT电极的形变、能够使得IMD特性良好的弹性波装置及其制造方法。
附图说明
图1是本发明的第1实施方式所涉及的弹性波装置的正面剖视图。
图2(a)是本发明的第1实施方式中的IDT电极的放大正面剖视图，图2(b)是本发明的第1实施方式中的IDT电极的部分欠缺放大正面剖视图。
图3是比较例中的IDT电极的放大正面剖视图。
图4(a)以及图4(b)是表示本发明的第1实施方式以及比较例中的、沿着IDT电极的电极指的弹性波传播方向的位置与主电极层的压电基板侧的面的形变的S4分量的关系的图。
图5是表示形变的S4分量与3次谐波的水平的关系的图。
图6(a)～图6(c)是用于说明本发明的第1实施方式所涉及的弹性波装置的制造方法的部分欠缺正面剖视图。
图7(a)以及图7(b)是用于说明本发明的第1实施方式所涉及的弹性波装置的制造方法的部分欠缺正面剖视图。
图8是本发明的第2实施方式中的IDT电极的正面剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图来说明本发明的具体的实施方式，由此使得本发明变得明了。
另外，本说明书中记载的各实施方式是例示的例子，需要指出的是在不同的实施方式之间能够进行构成的部分置换或者组合。
图1是本发明的第1实施方式所涉及的弹性波装置的正面剖视图。
弹性波装置1具有压电基板3。压电基板3由LiTaO3构成。另外，压电基板的材料没有特别限定，可以由适当的压电单晶、压电陶瓷构成。更为具体而言，压电基板可以由例如LiNbO3、KNbO3、水晶、硅酸镓镧、ZnO、PZT、或四硼酸锂等构成。
压电基板3具有电极形成面3a。在电极形成面3a上形成有IDT电极2。通过对IDT电极2施加交流电压，由此激励出弹性波。本实施方式中，在IDT电极2的弹性波传播方向的两侧，设有反射器8。由此，构成了1端口型的弹性波谐振器。另外，也可以不设置反射器。
图2(a)是第1实施方式中的IDT电极的放大正面剖视图。图2(b)是第1实施方式中的IDT电极的部分欠缺放大正面剖视图。另外，更为具体而言，图2(a)以及图2(b)中放大表示IDT电极具有的多个电极指之中的一根电极指。后述的图3、图6(a)～图6(c)、图7(a)以及图7(b)以及图8也同样。
如图2(a)所示，IDT电极2具有在压电基板3的电极形成面3a上所设置的紧贴层4。在紧贴层4上设置有主电极层6。紧贴层4相对于压电基板3的紧贴性比主电极层6相对于压电基板3的紧贴性高。紧贴层4具有紧贴于压电基板3的第1层4A。紧贴层4也具有紧贴于主电极层6的第2层4B。第1层4A和第2层4B在电极形成面3a的法线方向Z上连续设置。
本实施方式中，紧贴层4由Ti构成。另外，紧贴层没有特别限定，但是优选由与压电基板的紧贴性高的适当的金属构成。更为具体而言，期望紧贴层由例如Ti、Cr、NiCr、Zr、Ta、W或者Mo等构成。
本说明书中，主电极层6在弹性波的激励中是支配性的电极层。本实施方式的主电极层6由Al构成。另外，优选主电极层由电阻低的适当的金属构成。更为具体而言，期望主电极层由例如Al、Cu、Au或者Ag等构成。此外，通过在构成主电极层的金属中添加其他的元素，可以提高抗应力迁移性。例如，构成主电极层的材料中，以Al为主体，适当地采用添加Cu的合金等。
本实施方式中，紧贴层4的厚度为30nm，主电极层6的厚度为430nm。由IDT电极2的电极指间距离所规定的波长为4.6μm。IDT电极2的占空比为0.5。另外，IDT电极的各层的厚度、IDT电极的波长以及占空比没有特别限定。
紧贴层4的第1层4A具有第1侧面4Ac。第2层4B也具有第2侧面4Bc。第1侧面4Ac、第2侧面4Bc分别相对于电极形成面3a的法线方向Z而处于倾斜。更为具体而言，第1侧面4Ac、第2侧面4Bc处于倾斜，使得第2层4B紧贴于主电极层6的面的面积小于第1层4A紧贴于压电基板3的面的面积。另外，只要第1侧面、第2侧面的至少一部分分别相对于电极形成面的法线方向而处于倾斜即可。此外，主电极层6也具有侧面6c。
在此，将第1侧面4Ac、第2侧面4Bc与电极形成面3a的法线方向Z所形成的角度分别作为第1侧面4Ac、第2侧面4Bc的倾斜角度。更为具体而言，如图2(b)所示，在电极形成面的法线方向Z上延伸的点划线A与第1侧面4Ac所形成的角度是第1侧面4Ac的倾斜角度θ1。同样，点划线B与第2侧面4Bc所形成的角度是第2侧面4Bc的倾斜角度θ2。另外，第1侧面、第2侧面各自的一部分相对于电极形成面的法线方向处于倾斜的情况下，第1侧面、第2侧面的倾斜的部分与电极形成面的法线方向所形成的角度是第1侧面、第2侧面的倾斜角度。
本实施方式的特征在于：第2侧面4Bc的倾斜角度θ2小于第1侧面4Ac的倾斜角度θ1。换言之，随着从图2(a)所示的电极形成面3a向IDT电极2的层叠方向，电极指的宽度变细地层叠金属。由此，能够减小弹性波被激励时的IDT电极2中的主电极层6的形变，能够使得IMD特性良好。以下利用比较例对此进行说明。
图3是比较例中的IDT电极的放大正面剖视图。
比较例中的弹性波装置的IDT电极102的紧贴层104具有第1层104A、第2层104B。第1层104A、第2层104B具有第1侧面104Ac、第2侧面104Bc。比较例的弹性波装置中，不存在第1侧面104Ac的倾斜角度与第2侧面104Bc的倾斜角度的差。除了这一点，比较例中的弹性波装置具有与第1实施方式的弹性波装置1同样的构成。
图4(a)以及图4(b)是表示第1实施方式以及比较例中的、沿着IDT电极的电极指的弹性波传播方向的位置与主电极层的压电基板侧的面的形变的S4分量的关系的图。实线表示第1实施方式的结果，虚线表示比较例的结果。在将与电极指延伸的方向垂直的方向设为电极指的宽度方向时，图4(a)以及图4(b)中的横轴的值为0的位置相当于电极指的宽度方向的中心的位置。图4(a)表示从电极指的宽度方向的中心至一个端面的形变的大小。图4(b)是表示从电极指的宽度方向的中心至与图4(a)所示的端面相反的一侧的端面的形变的大小。
如上述，若对IDT电极施加电压，则激励出弹性波。此时，对IDT电极的压电基板侧的面施加应力。由此，在主电极层产生形变。在本实施方式以及比较例中，从电极指的中心越是接近于端面，则形变越大。此外，如图4(a)以及图4(b)所示，与比较例相比，本实施方式中能够减小形变。
更为具体而言，如图4(a)所示，在电极指的一个端面，比较例中形变为4.26×10-3，本实施方式中形变为3.99×10-3。这样，与比较例相比，本实施方式中能够使形变的S4分量减小0.27×10-3。进一步可知，在宽度方向上，从电极指的端面起在电极指的宽度方向的整体长度的约10％的范围内，能够有效地使得本实施方式的形变小于比较例的形变。
在图4(b)所示的电极指的端面，比较例中形变为4.26×10-3，本实施方式中形变为3.99×10-3。这样，在图4(b)所示的端面，与比较例相比，本实施方式中也能够使形变的S4分量减小0.27×10-3。进一步可知，在宽度方向上，从电极指的图4(b)所示的端面起在电极指的宽度方向的整个长度的约10％的范围内，也能够有效地使得本实施方式的形变小于比较例的形变。关于根据本实施方式能够减小形变，认为是基于以下的理论。
本实施方式中，如图2(a)所示，紧贴层4的第2侧面4Bc的倾斜角度小于第1侧面4Ac的倾斜角度。由此，在激励弹性波时施加于IDT电极2的电极指的侧面附近的应力相比于主电极层6更被分散在压电基板3侧。这样，由于在激励弹性波时的、主电极层6的压电基板3侧的面的应力集中被缓和，因此主电极层6的形变变小。
在此，如图2(b)所示，主电极层6的侧面6c与沿着压电基板3的电极形成面的法线方向Z的点划线C所形成角度是主电极层6的侧面6c的倾斜角度θ3。此时，如本实施方式那样，优选主电极层6的侧面6c的倾斜角度θ3为第2侧面4Bc的倾斜角度θ2以下。由此，能够更进一步减小主电极层6的形变。另外，可以主电极层的侧面的一部分相对于电极形成面的法线方向而处于倾斜，或者也可以侧面的全部处于倾斜。或者，也可以主电极层的侧面不具有相对于上述法线方向而倾斜的部分。在侧面相对于上述法线方向不倾斜的情况下，倾斜角度为0°。
接下来，说明形变与IMD特性的关系。以下，表示利用SH波的情况下的、形变的S4分量与3次谐波的水平的关系。另外，在下述的例子中，3次谐波是无用的波，3次谐波的水平越低，则IMD特性越良好。
图5是表示形变的S4分量与3次谐波的水平的关系的图。
如图5所示，可知形变的S4分量越小则3次谐波的水平越小。由此可知，如果减小IDT电极的形变，则能够改善IMD特性。
再者，如图2(a)所示那样，紧贴层4位于比主电极层6更靠近压电基板3侧的位置。除此以外，如上述那样，施加于IDT电极2的电极指的侧面附近的应力相比于主电极层6更被分散于压电基板3侧。本实施方式中，IDT电极2的紧贴层4由Ti构成，主电极层6由Al构成。这样，优选构成紧贴层4的金属的弹性率大于构成主电极层6的金属的弹性率。由此，能够减小在激励弹性波时从压电基板3侧施加于主电极层6的应力。因此，能够有效地抑制主电极层6的形变。
接下来，说明弹性波装置1的制造方法。
图6(a)～图6(c)是用于说明第1实施方式所涉及的弹性波装置的制造方法的部分欠缺正面剖视图。图7(a)以及图7(b)是用于说明第1实施方式所涉及的弹性波装置的制造方法的部分欠缺正面剖视图。另外，图7(a)以及图7(b)表示图6(a)～图6(c)所示的工序之后的工序。
如图6(a)所示，准备压电基板3。接下来，在压电基板3上层叠阻挡层7。接下来，使阻挡层7图案化。由此，阻挡层7开口，形成压电基板3处于露出的部分。在压电基板3上形成图案化的阻挡层7时，能够采用例如使用了负型光致抗蚀剂的光刻技术。
接下来，如图6(b)以及图6(c)所示，通过蒸镀法在压电基板3上以及阻挡层7上层叠紧贴层4用的金属膜。在阻挡层7开口的部分，上述金属膜被层叠在压电基板3上，形成紧贴层4。
不过，若通过蒸镀法而熔点高的金属膜被层叠在阻挡层7上，则由于金属膜的辐射热而阻挡层7变形。在此，将横切阻挡层7开口的部分的方向设为宽度方向W。由于阻挡层7的上述变形，阻挡层7开口的部分的最小的宽度W1变小。该宽度W1越小，则从压电基板3的电极形成面3a的法线方向Z观察时的、压电基板3露出的部分的宽度越小。在紧贴层4形成时，由于阻挡层7的上述变形会发展，因此紧贴层4的第1侧面4Ac、第2侧面4Bc出现倾斜。
此时，在本实施方式的弹性波装置1的制造中，与形成图6(b)所示的第1层4A时的成膜速度相比，使得形成图6(c)所示的第2层4B时的成膜速度变慢。更为具体而言，例如，将形成第1层4A时的成膜速度设为
，将形成第2层4B时的成膜速度设为
。成膜速度越慢，在来自阻挡层7上所蒸镀的金属膜的热传导、来自蒸镀源的辐射热越是被抑制。因此，阻挡层7的温度的上升也被抑制。越是高温，阻挡层7的变形的速度越快。由此，本实施方式中，与形成第1层4A时的阻挡层7的变形的速度相比，能够使得形成第2层4B时的阻挡层7的变形的速度更慢。因此，能够使得第2层4B的第2侧面4Bc的倾斜角度小于第1层4A的第1侧面4Ac的倾斜角度。
通过使形成第1层时的蒸镀法的条件与形成第2层时的蒸镀法的条件不同，可以抑制金属粒子与压电基板接触之后的、该金属粒子的移动距离。该情况下，能够使得第2层的第2侧面的倾斜角度小于第1层的第1侧面的倾斜角度。
返回至本实施方式的弹性波装置1的制造方法的说明，接下来，如图7(a)所示，通过蒸镀法在紧贴层4上层叠主电极层6用的金属。另外，在本实施方式中，紧贴层4由Ti构成，主电极层6由Al构成。这样，优选构成主电极层6的金属的熔点为构成紧贴层4的金属的熔点以下。这样一来，能够使得形成主电极层6时阻挡层7被加热的温度为形成紧贴层4时阻挡层7被加热的温度以下。由此，能够使得主电极层6的侧面6c的倾斜角度可靠地处于紧贴层4的第2侧面4Bc的倾斜角度以下。因此，能够更为可靠地抑制弹性波被激励时的主电极层6的形变。
接下来，如图7(b)所示，将图7(a)所示的阻挡层7从压电基板3剥离。
图8是本发明的第2实施方式中的IDT电极的部分欠缺正面剖视图。
第2实施方式的弹性波装置与第1实施方式的不同点在于，IDT电极12具有在紧贴层14与主电极层6之间所设置的中间层15。此外，紧贴层14的构成也与第1实施方式不同。在上述以外的部分，第2实施方式的弹性波装置具有与第1实施方式的弹性波装置1同样的构成。
紧贴层14相对于压电基板3的紧贴性为中间层15相对于压电基板3的紧贴性以上。紧贴层14具有侧面14c。与第1实施方式不同，紧贴层14的侧面14c的倾斜角度是一定的。在本实施方式中，紧贴层14由NiCr以及Ti之中的任意一个构成。另外，构成紧贴层的金属没有特别限定，但是与第1实施方式同样地，优选由与压电基板的紧贴性优异的适当金属构成。
在本实施方式中，中间层15由Ti构成。另外，构成中间层的金属没有特别限定。紧贴层与中间层也可以由相同的金属构成。
中间层15具有侧面15c。将侧面15c与压电基板3的电极形成面3a的法线方向Z所形成的角度设为侧面15c的倾斜角度。此时，中间层15的侧面15c的倾斜角度小于紧贴层14的侧面14c的倾斜角度。由此，能够与第1实施方式同样地，减小激励弹性波时的主电极层6的形变。因此，能够使得IMD特性良好。
另外，只要紧贴层的侧面的至少一部分相对于电极形成面的法线方向倾斜即可。在中间层，也只要中间层的侧面的至少一部分相对于电极形成面的法线方向倾斜即可。在紧贴层的侧面的一部分相对于上述法线方向处于倾斜的情况下，紧贴层的侧面处于倾斜的部分与上述法线方向所形成的角度是紧贴层的侧面的倾斜角度。在中间层的侧面的一部分相对于上述法线方向处于倾斜的情况下，中间层的侧面处于倾斜的部分与上述法线所形成的角度是中间层的侧面的倾斜角度。
进而，主电极层6的侧面6c的倾斜角度为中间层15的侧面15c的倾斜角度以下。由此，能够有效地减小激励弹性波时的主电极层6的形变。
构成紧贴层14的金属的熔点为构成中间层15的金属的熔点以上。由此，通过与上述制造方法同样的方法，能够容易使得中间层15的侧面15c的倾斜角度小于紧贴层14的侧面14c的倾斜角度。构成中间层15的金属的熔点为构成主电极层6的金属的熔点以上。由此，能够可靠地使主电极层6的侧面6c的倾斜角度为中间层15的侧面15c的倾斜角度以下。
构成紧贴层14的金属的弹性率为构成中间层15的金属的弹性率以上。构成中间层15的金属的弹性率大于构成主电极层6的金属的弹性率。由此，与第1实施方式同样地，能够更进一步减小激励弹性波时的主电极层6的形变。
-符号说明-
1...弹性波装置
2...IDT电极
3...压电基板
3a...电极形成面
4...紧贴层
4A、4B...第1层、第2层
4Ac、4Bc...第1侧面、第2侧面
6...主电极层
6c...侧面
7...阻挡层
8...反射器
12...IDT电极
14...紧贴层
14c...侧面
15...中间层
15c...侧面
102...IDT电极
104...紧贴层
104A、104B...第1层、第2层
104Ac、104Bc...第1侧面、第2侧面
Claims (12)
1.一种弹性波装置，具备：
压电基板，具有电极形成面；和
IDT电极，被设置在所述压电基板的所述电极形成面上，
所述IDT电极具有：被设置在所述压电基板的所述电极形成面上的紧贴层、和被设置在所述紧贴层上的主电极层，
所述紧贴层具有紧贴于所述压电基板的第1层、和紧贴于所述主电极层的第2层，
所述第1层具有第1侧面，所述第2层具有第2侧面，
所述第1侧面、所述第2侧面的至少一部分分别相对于所述电极形成面的法线方向处于倾斜，以使得所述第2层紧贴于所述主电极层的面的面积小于所述第1层紧贴于所述压电基板的面的面积，
在将所述第1侧面、所述第2侧面的处于倾斜的部分与所述电极形成面的法线方向所形成的角度分别设为所述第1侧面、所述第2侧面的倾斜角度时，所述第2侧面的所述倾斜角度小于所述第1侧面的所述倾斜角度。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述主电极层具有侧面，在将所述主电极层的所述侧面与所述压电基板的所述电极形成面的法线方向所形成的角度设为所述主电极层的所述侧面的倾斜角度时，所述主电极层的所述侧面的所述倾斜角度为所述第2侧面的所述倾斜角度以下。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，
构成所述紧贴层的金属的弹性率大于构成所述主电极层的金属的弹性率。
4.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，
构成所述紧贴层的金属的熔点为构成所述主电极层的金属的熔点以上。
5.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，
所述紧贴层由Ti构成，所述主电极层由Al构成。
6.一种弹性波装置，具备：
压电基板，具有电极形成面；和
IDT电极，被设置在所述压电基板的所述电极形成面上，
所述IDT电极具有：被设置在所述压电基板的所述电极形成面上的紧贴层、被设置在所述紧贴层上的中间层、和被设置在所述中间层上的主电极层，
所述紧贴层以及所述中间层分别具有侧面，
所述紧贴层的所述侧面的至少一部分相对于所述电极形成面的法线方向处于倾斜，以使得在所述紧贴层中紧贴于所述中间层的面的面积小于紧贴于所述压电基板的面的面积，所述中间层的所述侧面的至少一部分相对于所述电极形成面的法线方向处于倾斜，以使得在所述中间层中相接于所述主电极层的面的面积小于紧贴于所述紧贴层的面的面积，
在将所述紧贴层的所述侧面的处于倾斜的部分以及所述中间层的所述侧面的处于倾斜的部分与所述电极形成面的法线方向所形成的角度分别设为所述紧贴层的所述侧面以及所述中间层的所述侧面的倾斜角度时，所述中间层的所述侧面的所述倾斜角度小于所述紧贴层的所述侧面的所述倾斜角度。
7.根据权利要求6所述的弹性波装置，其中，
所述主电极层具有侧面，在将所述主电极层的所述侧面与所述电极形成面的法线方向所形成的角度设为所述主电极层的所述侧面的倾斜角度时，所述主电极层的所述侧面的所述倾斜角度为所述中间层的所述侧面的所述倾斜角度以下。
8.根据权利要求6或7所述的弹性波装置，其中，
构成所述紧贴层的金属的弹性率为构成所述中间层的金属的弹性率以上，构成所述中间层的金属的弹性率大于构成所述主电极层的金属的弹性率。
9.根据权利要求6或7所述的弹性波装置，其中，
构成所述紧贴层的金属的熔点为构成所述中间层的金属的熔点以上，构成所述中间层的金属的熔点为构成所述主电极层的金属的熔点以上。
10.根据权利要求6或7所述的弹性波装置，其中，
所述紧贴层由NiCr以及Ti之中的任一者构成，所述中间层由Ti构成，所述主电极层由Al构成。
11.一种弹性波装置的制造方法，是具有紧贴层以及主电极层的IDT电极被设置在压电基板上的弹性波装置的制造方法，包括：
准备具有电极形成面的压电基板的工序；和
将IDT电极设置在所述压电基板的所述电极形成面上的工序，该工序具有在所述压电基板的所述电极形成面上层叠阻挡层的工序、对所述阻挡层进行图案化的工序、在所述压电基板上以及所述阻挡层上通过蒸镀法来层叠紧贴层用的金属膜的工序、在所述紧贴层用的金属膜上通过蒸镀法来层叠主电极层用的金属膜的工序、和将所述阻挡层从所述压电基板剥离的工序，
所述紧贴层具有紧贴于所述压电基板的第1层、和紧贴于所述主电极层的第2层，所述第1层具有第1侧面，所述第2层具有第2侧面，
在所述压电基板上以及所述阻挡层上层叠所述紧贴层用的金属膜的工序中，通过改变蒸镀法的条件的同时层叠所述紧贴层用的金属膜，使所述第1侧面、所述第2侧面相对于所述电极形成面的法线方向倾斜，以使得所述第2层紧贴于所述主电极层的面的面积小于所述第1层紧贴于所述压电基板的面的面积，在将所述第1侧面、所述第2侧面与所述电极形成面的法线方向所形成的角度分别设为所述第1侧面、所述第2侧面的倾斜角度时，所述第2侧面的所述倾斜角度小于所述第1侧面的所述倾斜角度。
12.根据权利要求11所述的弹性波装置的制造方法，其中，
在所述压电基板上以及所述阻挡层上层叠所述紧贴层用的金属膜的工序中，使形成所述第2层时的蒸镀法中的成膜速度比形成所述第1层时的蒸镀法中的成膜速度慢。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015-142768 | 2015-07-17 | ||
| JP2015142768 | 2015-07-17 | ||
| PCT/JP2016/066248 WO2017013945A1 (ja) | 2015-07-17 | 2016-06-01 | 弾性波装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107534429A CN107534429A (zh) | 2018-01-02 |
| CN107534429B true CN107534429B (zh) | 2020-12-11 |
Family
ID=57834473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201680026762.6A Active CN107534429B (zh) | 2015-07-17 | 2016-06-01 | 弹性波装置及其制造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10924082B2 (zh) |
| JP (1) | JP6471802B2 (zh) |
| KR (1) | KR101931506B1 (zh) |
| CN (1) | CN107534429B (zh) |
| DE (1) | DE112016003221T5 (zh) |
| WO (1) | WO2017013945A1 (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6994855B2 (ja) * | 2017-07-12 | 2022-01-14 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子、分波器および通信装置 |
| JP7001013B2 (ja) * | 2018-08-01 | 2022-01-19 | 株式会社村田製作所 | コイル部品、コイル部品の製造方法 |
| WO2021205987A1 (ja) * | 2020-04-06 | 2021-10-14 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| WO2022044869A1 (ja) * | 2020-08-27 | 2022-03-03 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
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| WO2018131454A1 (ja) * | 2017-01-13 | 2018-07-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
-
2016
- 2016-06-01 CN CN201680026762.6A patent/CN107534429B/zh active Active
- 2016-06-01 WO PCT/JP2016/066248 patent/WO2017013945A1/ja active Application Filing
- 2016-06-01 JP JP2017529491A patent/JP6471802B2/ja active Active
- 2016-06-01 DE DE112016003221.8T patent/DE112016003221T5/de active Pending
- 2016-06-01 KR KR1020177032073A patent/KR101931506B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-12-06 US US15/832,851 patent/US10924082B2/en active Active
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| CN103999365A (zh) * | 2011-12-27 | 2014-08-20 | 京瓷株式会社 | 电子部件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2017013945A1 (ja) | 2017-01-26 |
| US20180097501A1 (en) | 2018-04-05 |
| KR20170134669A (ko) | 2017-12-06 |
| DE112016003221T5 (de) | 2018-04-19 |
| US10924082B2 (en) | 2021-02-16 |
| JPWO2017013945A1 (ja) | 2018-02-08 |
| KR101931506B1 (ko) | 2018-12-21 |
| JP6471802B2 (ja) | 2019-02-20 |
| CN107534429A (zh) | 2018-01-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |