JP2012049816A5 - - Google Patents

Description

本発明は上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
第１の形態の弾性表面波共振子は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，４１．９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板と、前記水晶基板上に設けられ、ＡｌまたはＡｌを主体とした合金により構成された複数の電極指を備え、ストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するＩＤＴと、平面視で、前記電極指の間に位置する前記水晶基板の部分にある電極指間溝と、を有し、前記弾性表面波の波長をλ、前記電極指間溝の深さをＧ、前記ＩＤＴのライン占有率をη、前記ＩＤＴにおける前記電極指の対数をＮとして、以下の式を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。

第２の形態の弾性表面波共振子は、第１の形態に記載の弾性表面波共振子であって、前記電極指間溝の深さＧが、

の関係を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。
第３の形態の弾性表面波共振子は、第１または第２の形態に記載の弾性表面波共振子であって、前記ＩＤＴの電極膜厚をＨとして、

の関係を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。
第４の形態の弾性表面波共振子は、第３の形態に記載の弾性表面波共振子であって、前記ライン占有率ηが、

の関係を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。
第５の形態の弾性表面波共振子は、第３または第４の形態に記載の弾性表面波共振子であって、前記電極指間溝の深さＧと前記電極膜厚Ｈとの和が、

の関係を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。
第６の形態の弾性表面波共振子は、第１乃至第５のいずれか１形態に記載の弾性表面波共振子であって、前記ψと前記θが、

の関係を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。
第７の形態の弾性表面波共振子は、第１乃至第６のいずれか１形態に記載の弾性表面波共振子であって、前記ＩＤＴにおけるストップバンド上端モードの周波数をｆｔ２、前記ＩＤＴを弾性表面波の伝搬方向に沿って挟み込むように配置される反射器におけるストップバンド下端モードの周波数をｆｒ１、前記反射器のストップバンド上端モードの周波数をｆｒ２として、

の関係を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。
第８の形態の弾性表面波共振子は、第１乃至第７のいずれか１形態に記載の弾性表面波共振子であって、前記反射器は、複数の導体ストリップと、平面視で、前記導体ストリップの間に位置する前記水晶基板の部分にある導体ストリップ間溝と、を有し、前記電極指間溝の深さよりも前記導体ストリップ間溝の深さの方が浅いことを特徴とする弾性表面波共振子。
第９の形態の弾性表面波共振子は、第１乃至第８のいずれか１形態に記載の弾性表面波共振子を備えたことを特徴とする弾性表面波発振器。
第１０の形態の弾性表面波共振子は、第１乃至第８のいずれか１形態に記載の弾性表面波共振子を備えたことを特徴とする電子機器。
［適用例１］オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，４１．９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板上に設けられ、ＡｌまたはＡｌを主体とした合金により構成されてストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するＩＤＴと、前記ＩＤＴを構成する電極指間に位置する基板を窪ませた電極指間溝を有する弾性表面波共振子であって、前記弾性表面波の波長をλ、前記電極指間溝の深さをＧとした場合に、

を満たし、かつ、前記ＩＤＴのライン占有率をηとした場合に、前記電極指間溝の深さＧと前記ライン占有率ηとが

の関係を満たすと共に、前記ＩＤＴにおける電極指の対数Ｎを

の範囲内としたことを特徴とする弾性表面波共振子。
このような特徴を持つ弾性表面波共振子によれば、周波数温度特性の向上を図ることができる。

Claims (10)

1. オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，４１．９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板と、
   前記水晶基板上に設けられ、ＡｌまたはＡｌを主体とした合金により構成された複数の電極指を備え、ストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するＩＤＴと、
   平面視で、前記電極指の間に位置する前記水晶基板の部分にある電極指間溝と、
   を有し、
   前記弾性表面波の波長をλ、前記電極指間溝の深さをＧ、前記ＩＤＴのライン占有率をη、前記ＩＤＴにおける前記電極指の対数をＮとして、以下の式を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。
   

   

   

   
2. 請求項１に記載の弾性表面波共振子であって、
   前記電極指間溝の深さＧが、
   

   

   の関係を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。
3. 請求項１または請求項２に記載の弾性表面波共振子であって、
   前記ＩＤＴの電極膜厚をＨとして、
   

   

   の関係を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。
4. 請求項３に記載の弾性表面波共振子であって、
   前記ライン占有率ηが、
   

   

   の関係を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。
5. 請求項３または請求項４に記載の弾性表面波共振子であって、
   前記電極指間溝の深さＧと前記電極膜厚Ｈとの和が、
   

   

   の関係を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の弾性表面波共振子であって、前記ψと前記θが、
   

   

   の関係を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の弾性表面波共振子であって、
   前記ＩＤＴにおけるストップバンド上端モードの周波数をｆｔ２、前記ＩＤＴを弾性表面波の伝搬方向に沿って挟み込むように配置される反射器におけるストップバンド下端モードの周波数をｆｒ１、前記反射器のストップバンド上端モードの周波数をｆｒ２として、
   

   

   の関係を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の弾性表面波共振子であって、
   前記反射器は、複数の導体ストリップと、平面視で、前記導体ストリップの間に位置する前記水晶基板の部分にある導体ストリップ間溝と、を有し、
   前記電極指間溝の深さよりも前記導体ストリップ間溝の深さの方が浅いことを特徴とする弾性表面波共振子。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の弾性表面波共振子を備えたことを特徴とする弾性表面波発振器。
10. 請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の弾性表面波共振子を備えたことを特徴とする電子機器。