CN102386879B - 表面声波谐振器、表面声波振荡器及电子设备 - Google Patents

表面声波谐振器、表面声波振荡器及电子设备 Download PDF

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Abstract

本发明提供表面声波谐振器、表面声波振荡器及电子设备，能够实现良好的频率温度特性。用于解决上述课题的SAW谐振器(10)具有：IDT(12)，其利用欧拉角为(-1°≤φ≤1°、117°≤θ≤142°、42.79°≤|ψ|≤49.57°)的石英基板(30)，并激励出阻带上端模式的SAW；和槽(32)，其是使位于构成IDT(12)的电极指(18)之间的基板凹陷而形成的，SAW谐振器(10)的特征在于，在设SAW的波长为λ、设槽(13)的深度为G的情况下，满足下式的关系：0.01λ≤G，并且在设IDT(12)的线占用率为η的情况下，槽(32)的深度G与所述线占用率η满足下式的关系：并且，所述IDT中的电极指的对数N处于下式所示的范围内：160≤N≤220。

Description

表面声波谐振器、表面声波振荡器及电子设备
技术领域
本发明涉及表面声波谐振器、安装了该表面声波谐振器的表面声波振荡器以及电子设备，尤其涉及在基板表面设置槽的类型的表面声波谐振器、安装了该表面声波谐振器的表面声波振荡器以及电子设备。
背景技术
在表面声波(SAW：surface acoustic wave)装置(例如SAW谐振器)中，SAW的阻带、石英基板的切角及IDT(interdigital transducer，叉指型换能器)的形成方式等对频率温度特性变化的影响较大。
例如，在专利文献1中公开了分别激励SAW阻带的上端模式、下端模式的结构、以及阻带的上端模式、下端模式中的各个驻波的分布等。
另外，在专利文献2～5中记载了SAW的阻带的上端模式的频率温度特性好于阻带的下端模式。并且，在专利文献2、3中记载了调整石英基板的切角，同时将电极的基准化膜厚(H/λ)加厚到约0.1，以便在采用瑞利波的SAW装置中得到良好的频率温度特性。
另外，在专利文献4中记载了在采用瑞利波(rayleigh wave)的SAW装置中调整石英基板的切角，同时将电极的基准化膜厚(H/λ)加厚约0.045以上。
另外，在专利文献5中记载了如下内容：采用旋转Y切X传播的石英基板，利用阻带的上端的谐振，由此与采用阻带的下端的谐振的情况相比，频率温度特性得到提高。
另外，在专利文献6及非专利文献1中记载了在采用ST切石英基板的SAW装置中，在构成IDT的电极指之间、构成反射器的导体带之间设置槽(groove)。并且，在非专利文献1中记载了频率温度特性随着槽的深度而变化。
另外，在专利文献7中记载了在采用LST切的石英基板的SAW装置中将表示频率温度特性的曲线设为三次曲线的结构，同时记载了在采用瑞利波的SAW装置中，未能发现具有诸如利用三次曲线表示的温度特性的切角的基板。
【现有技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】日本特开平11-214958号公报
【专利文献2】日本特开2006-148622号公报
【专利文献3】日本特开2007-208871号公报
【专利文献4】日本特开2007-267033号公报
【专利文献5】日本特开2002-100959号公报
【专利文献6】日本特开昭57-5418号公报
【专利文献7】日本专利第3851336号公报
【非专利文献】
【非专利文献1】グル一ブ形SAW共振器の製造条件と特性(電子通信学会技術研究報告MW82-59(1982))
如上所述，用于改善频率温度特性的因素有多种，尤其是在采用瑞利波的SAW装置中，认为加厚构成IDT的电极的膜厚是有助于频率温度特性的一个因素。但是，本申请的申请人通过实验发现，在加厚电极的膜厚时，老化特性和耐温度冲击特性等耐环境特性会变差。并且，在以改善频率温度特性为主要目的的情况下，如上所述，必须加厚电极膜厚，但是随之不可避免老化特性和耐温度冲击特性等的恶化。这也适用于Q值，很难在不加厚电极膜厚的情况下实现高Q化。
发明内容
因此，在本申请的发明中，提供表面声波谐振器、表面声波振荡器以及电子设备时的课题在于，第一实现良好的频率温度特性，第二提高耐环境特性，第三得到较高的Q值。
本发明正是为了解决上述问题的至少一部分问题而提出的，能够作为以下的方式或者应用例来实现。
[应用例1]一种表面声波谐振器，其具有IDT和电极指间槽，该IDT设于欧拉角为-1.5°≤φ≤1.5°、117°≤θ≤142°、41.9°≤|ψ|≤49.57°的石英基板上，由Al或者以Al为主体的合金构成，激励出阻带上端模式的表面声波，该电极指间槽是使位于构成所述IDT的电极指之间的基板凹陷而形成的，所述表面声波谐振器的特征在于，在设所述表面声波的波长为λ、设所述电极指间槽的深度为G的情况下，满足下式：
0.01λ≤G  …(1)
并且，在设所述IDT的线占用率为η的情况下，所述电极指间槽的深度G与所述线占用率η满足下式的关系：
- 2.5 × G λ + 0.675 ≤ η ≤ - 2.5 × G λ + 0.775 . . . ( 5 )
并且，所述IDT中的电极指的对数N处于下式所示的范围内：
160≤N≤220…(19)
根据具有这种特征的表面声波谐振器，能够提高频率温度特性。
[应用例2]根据应用例1所述的表面声波谐振器，其特征在于，所述电极指间槽的深度G满足下式的关系：
0.01λ≤G≤0.0695λ…(3)
根据具有这种特征的表面声波谐振器，即使是在电极指间槽的深度G由于制造时的误差而出现偏差的情况下，也能够将单体之间的谐振频率的偏移抑制在校正范围内。
[应用例3]根据应用例1或者应用例2所述的表面声波谐振器，其特征在于，在设所述IDT的电极膜厚为H的情况下，满足下式的关系：
0＜H≤0.035λ…(6)
根据具有这种特征的表面声波谐振器，能够实现在工作温度范围内表现出良好的频率温度特性。并且，通过具有这种特征，能够抑制随着电极膜厚增加而造成的耐环境特性的恶化。
[应用例4]根据应用例3所述的表面声波谐振器，其特征在于，所述线占用率η满足下式的关系：
η = - 2.533 × G λ - 2.269 × H λ + 0.785 ± 0.04 . . . ( 8 ) .
通过将η设定为在应用例3的电极膜厚的范围内满足式(8)，能够将二次温度系数控制在大致±0.01ppm/℃2以内。
[应用例5]根据应用例3或者应用例4所述的表面声波谐振器，其特征在于，所述电极指间槽的深度G与所述电极膜厚H之和满足下式的关系：
0.0407λ≤G+H
通过如上述那样设定电极指间槽的深度G与电极膜厚H之和，能够得到比以往的表面声波谐振器更高的Q值。
[应用例6]根据应用例1至应用例5的任意一例中所述的表面声波谐振器，其特征在于，所述ψ和所述θ满足下式的关系：
ψ＝1.191×10-3×θ3-4.490×10-1×θ2+5.646×101×θ-2.324×103±1.0…(17)
通过使用以具有这种特征的切角切取的石英基板来制造表面声波谐振器，能够实现在较大范围内表现出良好频率温度特性的表面声波谐振器。
[应用例7]根据应用例1至应用例6的任意一例中所述的表面声波谐振器，其特征在于，在设所述IDT的阻带上端模式的频率为ft2、设反射器的阻带下端模式的频率为fr1、设所述反射器的阻带上端模式的频率为fr2时，满足下式的关系：
fr1＜ft2＜fr2…(18)
其中，所述反射器被配置成在表面声波的传播方向上夹着所述IDT。
通过具有这种特征，在IDT的阻带上端模式的频率ft2处，反射器的反射系数|Γ|增大，IDT激励出的阻带上端模式的表面声波被反射器以高反射系数向IDT侧反射。并且，阻带上端模式的表面声波的能量封闭增强，能够实现低损耗的表面声波谐振器。
[应用例8]根据应用例1至应用例7的任意一例中所述的表面声波谐振器，其特征在于，在构成所述反射器的导体带之间设置有导体带间槽，所述导体带间槽的深度比所述电极指间槽的深度浅。
通过具有这种特征，能够使反射器的阻带相对于IDT的阻带向高域侧进行频移。因此，能够实现式(18)的关系。
[应用例9]一种表面声波振荡器，其特征在于，该表面声波振荡器具有应用例1至应用例8的任意一例中所述的表面声波谐振器。
[应用例10]一种电子设备，其特征在于，该电子设备具有应用例1至应用例8的任意一例中所述的表面声波谐振器。
附图说明
图1是表示实施方式的SAW装置的结构的图。
图2是表示阻带上端模式与下端模式间的关系的图。
图3是表示电极指间槽的深度与工作温度范围内的频率变动量间的关系的曲线图。
图4是表示阻带上端模式的谐振点以及阻带下端模式的谐振点处的与线占用率η的变化相伴的二次温度系数变化的差异的曲线图。
图5是表示设电极膜厚为0并改变电极指间槽的深度时的线占用率η与二次温度系数β间的关系的曲线图。
图6是表示设电极膜厚为0时使得二次温度系数为0的电极指间槽的深度与线占用率η间的关系的曲线图。
图7是表示设电极膜厚为0并改变电极指间槽的深度时的线占用率η与频率变动量ΔF间的关系的曲线图。
图8是表示电极指间槽的深度偏差±0.001λ时的特定的电极指间槽的深度与由于偏差而产生于SAW谐振器间的频率差间的关系的曲线图。
图9是表示改变电极膜厚时的二次温度系数为0的电极指间槽的深度与线占用率η间的关系的曲线图。
图10是表示将各个电极膜厚的情况下的使得二次温度系数为0的η1与电极指间槽间的关系汇总在一个曲线图中而得到的图。
图11是用近似直线表示从电极膜厚H≈0到H＝0.035λ时的电极指间槽与线占用率η间的关系的图。
图12是表示设电极膜厚为0.01λ并改变电极指间槽的深度时的线占用率η与二次温度系数β间的关系的曲线图。
图13是表示设电极膜厚为0.015λ并改变电极指间槽的深度时的线占用率η与二次温度系数β间的关系的曲线图。
图14是表示设电极膜厚为0.02λ并改变电极指间槽的深度时的线占用率η与二次温度系数β间的关系的曲线图。
图15是表示设电极膜厚为0.025λ并改变电极指间槽的深度时的线占用率η与二次温度系数β间的关系的曲线图。
图16是表示设电极膜厚为0.03λ并改变电极指间槽的深度时的线占用率η与二次温度系数β间的关系的曲线图。
图17是表示设电极膜厚为0.035λ并改变电极指间槽的深度时的线占用率η与二次温度系数β间的关系的曲线图。
图18是表示设电极膜厚为0.01λ并改变电极指间槽的深度时的线占用率η与频率变动量ΔF间的关系的曲线图。
图19是表示设电极膜厚为0.015λ并改变电极指间槽的深度时的线占用率η与频率变动量ΔF间的关系的曲线图。
图20是表示设电极膜厚为0.02λ并改变电极指间槽的深度时的线占用率η与频率变动量ΔF间的关系的曲线图。
图21是表示设电极膜厚为0.025λ并改变电极指间槽的深度时的线占用率η与频率变动量ΔF间的关系的曲线图。
图22是表示设电极膜厚为0.03λ并改变电极指间槽的深度时的线占用率η与频率变动量ΔF间的关系的曲线图。
图23是表示设电极膜厚为0.035λ并改变电极指间槽的深度时的线占用率η与频率变动量ΔF间的关系的曲线图。
图24是表示确定了电极膜厚、线占用率η时的电极指间槽与欧拉角ψ间的关系的曲线图。
图25是将改变了电极膜厚的电极指间槽与欧拉角ψ间的关系的曲线图汇总在一个曲线图中而得到的图。
图26是表示使得二次温度系数β为-0.01ppm/℃2的电极指间槽与欧拉角ψ间的关系的曲线图。
图27是表示使得二次温度系数β为+0.01ppm/℃2的电极指间槽与欧拉角ψ间的关系的曲线图。
图28是表示电极膜厚0.02λ、电极指间槽的深度0.04λ的情况下的欧拉角θ与二次温度系数β间的关系的曲线图。
图29是表示欧拉角φ与二次温度系数β间的关系的曲线图。
图30是表示频率温度特性良好的欧拉角θ与欧拉角ψ间的关系的曲线图。
图31是表示使得频率温度特性最好的条件下的4个试验片的频率温度特性数据的例子的图。
图32是表示作为电极指间槽与电极膜厚之和的阶差和CI值之间的关系的曲线图。
图33是表示本实施方式的SAW谐振器的等效电路常数和静态特性的例子的表。
图34是本实施方式的SAW谐振器的阻抗曲线数据。
图35是用于将以往的SAW谐振器的阶差与Q值间的关系、和本实施方式的SAW谐振器的阶差与Q值间的关系进行比较的曲线图。
图36是表示IDT与反射器的SAW反射特性的图。
图37是表示热循环试验中的电极膜厚与频率变动间的关系的曲线图。
图38是表示本实施方式的SAW谐振器的谐振特性的相位的曲线图，是表示阻带的下端模式与上端模式重叠时的例子的图。
图39是表示本实施方式的SAW谐振器的谐振特性的相位的曲线图，是表示阻带的下端模式未与上端模式重叠时的例子的图。
图40是表示本实施方式的SAW谐振器的谐振特性的相位的曲线图，是表示阻带的下端模式与上端模式重叠的IDT对数N＝144时的例子的图。
图41是表示本实施方式的SAW谐振器的谐振特性的相位的曲线图，是表示阻带的下端模式未与上端模式重叠的IDT对数N＝220时的例子的图。
图42是表示本实施方式的SAW谐振器的谐振特性的相位的曲线图，是表示阻带的下端模式与上端模式重叠的IDT对数N＝270时的例子的图。
图43是表示实施方式的SAW振荡器的结构的图。
标号说明
10表面声波谐振器(SAW谐振器)；12IDT；14a、14b梳齿状电极；16总线(busbar)；18电极指；20反射器；22导体带；30石英基板；32槽。
具体实施方式
下面，参照附图详细说明本发明的表面声波谐振器、表面声波振荡器以及电子设备的实施方式。
首先，参照图1对本发明的表面声波(SAW)谐振器的第1实施方式进行说明。在图1中，图1(A)是SAW谐振器的平面图，图1(B)是部分放大剖面图，图1(C)是用于详细说明该图1(B)的放大图。
本实施方式的SAW谐振器10以石英基板30、IDT 12和反射器20为基础而构成。石英基板30采用由X轴(电气轴)、Y轴(机械轴)和Z轴(光轴)表示结晶轴的基板。
在本实施方式中，石英基板30采用由欧拉角(-1°≤φ≤1°，117°≤θ≤142°，41.9°≤|ψ|≤49.57°)表示的面内旋转ST切石英基板。在此，对欧拉角进行说明。由欧拉角(0°，0°，0°)表示的基板为具有与Z轴垂直的主面的Z切基板。这里，欧拉角(，θ，ψ)中的是关于Z切基板的第1旋转的参数，是将Z轴作为旋转轴、将从+X轴向+Y轴侧旋转的方向作为正旋转角度的第1旋转角度。欧拉角中的θ是关于Z切基板在第1旋转后进行的第2旋转的参数，是将第1旋转后的X轴作为旋转轴、将第1旋转后的从+Y轴向+Z轴旋转的方向作为正旋转角度的第2旋转角度。压电基板的切面由第1旋转角度和第2旋转角度θ决定。欧拉角中的ψ是关于Z切基板在第2旋转后进行的第3旋转的参数，是将第2旋转后的Z轴作为旋转轴、将第2旋转后的从+X轴向第2旋转后的+Y轴侧旋转的方向作为正旋转角度的第3旋转角度。SAW的传播方向由相对于第2旋转后的X轴的第3旋转角度ψ表示。
IDT 12具有一对利用总线16将多个电极指18的基端部连接而形成的梳齿状电极14a、14b，且隔开规定的间隔将构成一个梳齿状电极14a(或14b)的电极指18与构成另一个梳齿状电极14b(或14a)的电极指18交替地配置。在此，电极指18被配置在与作为表面声波传播方向的X’轴垂直的方向上。由如此构成的SAW谐振器10激励出的SAW是Rayleigh型(瑞利型)SAW，在第3旋转后的Z轴和第3旋转后的X轴这两个轴上具有振动位移分量。这样，通过使SAW的传播方向偏离作为石英结晶轴的X轴，能够激励出阻带上端模式的SAW。
在此，对阻带上端模式的SAW与下端模式的SAW间的关系进行说明。在由图2所示的标准型IDT 12(图2所示的是构成IDT 12的电极指18)形成的阻带下端模式及上端模式的SAW中，各驻波的波腹(或者波节)的位置相互错开π/2。图2是表示标准型IDT 12的阻带上端模式和下端模式的驻波的分布的图。
根据图2，如上所述，实线示出的阻带下端模式的驻波的波腹位于电极指18的中央位置，即反射中心位置，单点划线示出的阻带上端模式的驻波的波节位于反射中心位置。
以在SAW的传播方向上夹着所述IDT 12的方式，设置有一对反射器20。作为具体的结构，将与构成IDT 12的电极指18平行地设置的多个导体带22的两端分别连接起来。
另外，在主动利用来自石英基板的SAW传播方向的端面的反射波的端面反射型SAW谐振器、和通过增多IDT的电极指对数来由IDT自身激励出SAW驻波的多对IDT型SAW谐振器中，不一定需要反射器。
作为构成具有这种结构的IDT 12和反射器20的电极膜的材料，能够采用铝(Al)或者以Al为主体的合金。另外，在采用合金作为电极膜材料的情况下，将除了作为主成分的Al之外的金属的重量比设为10％以下即可。
具有上述基本结构的SAW谐振器10的石英基板30在IDT 12的电极指之间、反射器20的导体带之间设置有槽(电极指间槽)32。
对于设置在石英基板30上的槽32，在设阻带上端模式中的SAW的波长为λ、设槽深为G的情况下，只要满足下式即可：
0.01λ≤G  …(1)
此外，在针对槽深G设定上限值的情况下，参照图3可知，只要满足以下范围即可：
0.01λ≤G≤0.094λ…(2)
这是因为，通过在这种范围内设定槽深G，能够将工作温度范围内(-40℃～+85℃)的频率变动量控制在之后详述的目标值25ppm以下。另外，槽深G的优选范围是：
0.01λ≤G≤0.0695λ…(3)
通过在这种范围内设定槽深G，即使槽深G产生了制造上的偏差，也能够将SAW谐振器10的个体之间的谐振频率的偏移量抑制在校正范围内。
并且，如图1(C)所示，线占有率η是指，用电极指18的线宽(在仅有石英凸部的情况下是指凸部宽度)L除以电极指18之间的节距(pitch)λ/2(＝L+S)而得到的值。因此，线占有率η可以用式(4)来表示。
η = L L + S . . . ( 4 ) .
这里，对于本实施方式的SAW谐振器10，优选在式(5)的范围内设定线占有率η。此外，由式(5)还可知，可通过设定槽32的深度G来导出η。
- 2.5 × G λ + 0.675 ≤ η ≤ - 2.5 × G λ + 0.775 . . . ( 5 ) .
另外，本实施方式的SAW谐振器10中的电极膜材料(IDT 12及反射器20等)的膜厚的优选范围是：
0＜H≤0.035λ…(6)
此外，关于线占有率η，在考虑了式(6)所示的电极膜厚的情况下，可通过式(7)求出η：
η = - 2.533 × G λ - 2.269 × H λ + 0.785 . . . ( 7 ) .
关于线占有率η，电极膜厚越厚，则电气特性(尤其是谐振频率)的制造偏差越大，在电极膜厚H为式(6)的范围内，线占有率η产生±0.04以内的制造偏差，而在H＞0.035λ的范围内，很可能产生比±0.04更大的制造偏差。但是，只要电极膜厚H处于式(6)的范围内且线占有率η的偏差为±0.04以内，就能够实现二次温度系数β小的SAW装置。即，线占有率η可以容许达到在式(7)上加上±0.04的公差后的式(8)的范围。
η = - 2.533 × G λ - 2.269 × H λ + 0.785 ± 0.04 . . . ( 8 ) .
在上述结构的本实施方式的SAW谐振器10中，其目的在于，在设二次温度系数β为±0.01ppm/℃2以内且希望SAW的工作温度范围为-40℃～+85℃的情况下，将频率温度特性提高到这样的程度，即：能够使该工作温度范围内的频率变动量ΔF处于25ppm以下的程度。另外，由于二次温度系数β是表示SAW频率温度特性的曲线的多项式近似的二次系数，因而二次温度系数的绝对值小就意味着频率变动量小，频率温度特性良好。以下是使用与上述结构的SAW装置具有能够达到本发明目的的要素的情况相关的仿真而得出的证明。
另外，对于使用被称为ST切的石英基板而将传播方向设为X晶轴方向的SAW谐振器，在工作温度范围相同的情况下，工作温度范围内的频率变动量ΔF约为117ppm，二次温度系数β为-0.030ppm/℃2左右。此外，对于使用了由欧拉角(0，123°，45°)表示石英基板的切角和SAW传播方向且工作温度范围相同的面内旋转ST切石英基板的SAW谐振器，频率变动量ΔF约为63ppm，二次温度系数β为-0.016ppm/℃2左右。
如上所述，SAW谐振器10的频率温度特性的变化与IDT 12中的电极指18的线占用率η、电极膜厚H、槽深G等有关。并且，本实施方式的SAW谐振器10采用阻带上端模式的激励。
图4是表示改变线占用率η使SAW在石英基板30中传播时的二次温度系数β的变化的曲线图。在图4中，图4(A)表示设槽深G为0.02λ时的阻带上端模式的谐振中的二次温度系数β，图4(B)表示设槽深G为0.02λ时的阻带下端模式的谐振中的二次温度系数β。并且，在图4中，图4(C)表示设槽深G为0.04λ时的阻带上端模式的谐振中的二次温度系数β，图4(D)表示设槽深G为0.04λ时的阻带下端模式的谐振中的二次温度系数β。另外，图4所示的仿真表示为了减少使频率温度特性变动的因素而以某种形式使SAW在没有设置电极膜的石英基板30中传播时的例子。并且，石英基板30的切角采用欧拉角(0°，123°，ψ)的切角。另外，关于ψ，适当选择使得二次温度系数β的绝对值最小的值。
根据图4可知，在阻带上端模式的情况和下端模式的情况下，在线占用率η为0.6～0.7附近，二次温度系数β变化都比较大。并且，对阻带上端模式的二次温度系数β的变化与阻带下端模式的二次温度系数β的变化进行比较，能够得知如下情况。即，阻带下端模式的二次温度系数β的变化是从负侧进一步向负侧变化，由此使得特性下降(二次温度系数β的绝对值增大)。与此相对，阻带上端模式的二次温度系数β的变化是从负侧向正侧变化，因而特性提高(二次温度系数β的绝对值减小)。
由此，可以说为了在SAW装置中得到良好的频率温度特性，优选采用阻带上端模式的振动。
接着，发明者针对在使槽深G进行各种变化后的石英基板中传播阻带上端模式的SAW时的线占用率η与二次温度系数β间的关系进行了研究。
图5是表示使槽深G从0.01λ(1％λ)变化到0.08λ(8％λ)时的线占用率η与二次温度系数β间的关系的仿真曲线图。根据图5可知，从槽深G为0.0125λ(1.25％λ)附近起开始出现β＝0的点，即，表示频率温度特性的近似曲线呈现为三次曲线的点。而且，由图5可知，β＝0时的η各有2处(η较大时的β＝0的点(η1)以及η较小时的β＝0的点(η2))。此外，根据图5可知，η2与η1相比，线占有率η相对于槽深G的变化的变动量更大。
关于这一点，通过参照图6能够加深对其的理解。图6是分别描绘了逐渐改变槽深G时使得二次温度系数β为0的η1、η2的曲线图。根据图6可知，随着槽深G变大，η1、η2彼此变小，但对于η2，在槽深G＝0.04λ附近，变动量的范围增大到超出了在0.5λ～0.9λ的范围内示出的曲线图的程度。即，可以说η2相对于槽深G的变化的变动量更大。
图7是将图5中的纵轴设为频率变动量ΔF来替换二次温度系数β的曲线图。根据图7显然可知，在β＝0的两个点(η1、η2)处，频率变动量ΔF下降。另外，根据图7可知，在β＝0的两个点，无论在改变槽深G后的哪个曲线图中，都是在相当于η1的点处，能够将频率变动量ΔF抑制得更小。
根据上述趋势，可以认为对于在制造时容易产生误差的批量产品，优选采用β＝0的点相对于槽深G变动的变动量较小的一方，即η1。图3示出在各个槽深G的情况下使得二次温度系数β为最小的点(η1)处的频率变动量ΔF与槽深G间的关系的曲线图。根据图3，使得频率变动量ΔF成为目标值25ppm以下的槽深G的下限值是0.01λ，槽深G的范围是该下限值以上，即0.01λ≤G。
另外，在图3中通过仿真追加了使槽深G成为0.08以上时的例子。根据该仿真可知，在槽深G为0.01λ以上时，频率变动量ΔF为25ppm以下，然后每当槽深G增加时，频率变动量ΔF减小。但是，在槽深G达到约0.09λ以上时，频率变动量ΔF再次增加，在槽深G超过0.094λ时，频率变动量ΔF超过25ppm。
图3所示的曲线图是在石英基板30上未形成IDT 12和反射器20等的电极膜的状态下的仿真，参照以下详述的图16～图21可知，可以认为SAW谐振器10在设置了电极膜时能够减小频率变动量ΔF。因此，当要确定槽深G的上限值时，只要设定为未形成电极膜的状态下的最大值即可，即G≤0.094λ，为了实现目标，作为优选的槽深G的范围，可表示为下式：
0.01λ≤G≤0.094λ…(9)
此外，在批量生产工序中，槽深G最多具有±0.001λ左右的偏差。因此，图8示出了在线占有率η恒定的情况下槽深G发生了±0.001λ的偏差时、SAW谐振器10的各个频率变动量Δf。根据图8可知，在G＝0.04λ的情况下，当槽深G发生了±0.001λ的偏差时，即，在槽深为0.039λ≤G≤0.041λ的范围内，频率变动量Δf为±500ppm左右。
在此，认为如果频率变动量Δf小于±1000ppm，则能够通过各种频率微调单元进行频率调整。而当频率变动量Δf为±1000ppm以上时，频率调整会对Q值、CI(crystalimpedance：晶体阻抗)值等静态特性及长期可靠性产生影响，从而导致SAW谐振器10的合格率降低。
关于将图8所示的描绘点连接而成的直线，通过导出表示频率变动量Δf[ppm]与槽深G间的关系的近似式，能够得到式(10)。
Δf＝16334G-137…(10)
这里，求出使Δf＜1000ppm的G值而得到G≤0.0695λ。因此，作为本实施方式的槽深G的范围，可适当优选下式：
0.01λ≤G≤0.0695λ…(11)
接着，图9示出了对二次温度系数β＝0时的η、即表示出三次温度特性的线占有率η与槽深G间的关系的曲线图。石英基板30的欧拉角为(0°，123°，ψ)。这里，关于ψ，适当选择了使频率温度特性表现出三次曲线趋势的角度，即，使二次温度系数β＝0的角度。此外，图24示出了在与图9同样的条件下得到使β＝0的η时的欧拉角ψ与槽深G间的关系。在图24的电极膜厚H＝0.02λ的曲线图中，虽未示出ψ＜42°的绘制点，不过在G＝0.03λ处，该曲线图中的η2的绘制点为ψ＝41.9°。关于各电极膜厚的情况下的槽深G与线占有率η间的关系，根据之后详述的图12～图17来得到绘制图。
根据图9可知，无论在哪个膜厚的情况下，如上所述，η1由于槽深G的变化而产生的变动都小于η2。因此，对于图9中的各个膜厚的曲线图，提取出η1并汇总在图10中。根据图10可知，η1集中在虚线所示的线中。并且，根据图10所示，表示线占用率η的上限的绘制点是电极膜厚H＝0.01λ的SAW谐振器，表示线占用率η的下限的绘制点是电极膜厚H＝0.035λ的SAW谐振器。即，随着将电极膜厚H加厚，能够实现二次温度系数β＝0的线占用率η减小。
在此基础上，针对表示线占用率η的上限的绘制点和表示线占用率η的下限的绘制点分别求出近似式，能够导出式(12)和式(13)。
η = - 2.5 × G λ + 0.775 . . . ( 12 )
η = - 2.5 × G λ + 0.675 · · · ( 13 ) .
根据式(12)和式(13)，可以说在图10中在虚线包围的范围内，能够在式(14)的范围内确定η。
- 2.5 × G λ + 0.675 ≤ η ≤ - 2.5 × G λ + 0.775 . . . ( 14 ) .
在此，在容许二次温度系数β为±0.01ppm/℃2以内的情况下，确认到：如果同时满足式(11)和式(14)，则二次温度系数β处于±0.01ppm/℃2以内。
并且，根据式(12)～(14)，如果针对电极膜厚H≈0，0.01λ，0.02λ，0.03λ，0.035λ的SAW谐振器10，分别用近似直线表示β＝0时的槽深G与线占有率η间的关系，则如图11所示。此外，未设有电极膜的石英基板30的槽深G与线占有率η间的关系如图6所示。
根据表示基于这些电极膜厚H的近似直线的近似式，频率温度特性良好的槽深G与线占用率η间的关系式如式(15)所示。
η = - 2.533 × G λ - 2.269 × H λ + 0.785 . . . ( 15 ) .
关于线占有率η，电极膜厚越厚，则电气特性(尤其是谐振频率)的制造偏差越大，在电极膜厚H为式(6)的范围内，线占有率η产生±0.04以内的制造偏差，而在H＞0.035λ的范围内，很可能产生比±0.04更大的制造偏差。但是，只要电极膜厚H处于式(6)的范围内且线占有率η的偏差为±0.04以内，就能实现二次温度系数β小的SAW装置。即，在考虑到线占有率的制造偏差而将二次温度系数设为±0.01ppm/℃2以内的情况下，线占有率η可以容许达到在式(15)上加上±0.04的公差后的式(16)的范围。
η = - 2.533 × G λ - 2.269 × H λ + 0.785 ± 0.04 . . . ( 16 ) .
图12～图17示出在将电极膜厚分别设为0.01λ(1％λ)、0.015λ(1.5％λ)、0.02λ(2％λ)、0.025λ(2.5％λ)、0.03λ(3％λ)、0.035λ(3.5％λ)的情况下，在改变槽深G时的线占用率η与二次温度系数β间的关系的曲线图。
并且，图18～图23示出与图12～图17对应的SAW谐振器10的线占用率η与频率变动量ΔF间的关系的曲线图。另外，石英基板都采用欧拉角(0°，123°，ψ)的基板，ψ适当选择使得ΔF为最小的角度。
其中，图12是表示设电极膜厚H为0.01λ时的线占用率η与二次温度系数β间的关系的图，图18是表示设电极膜厚H为0.01λ时的线占用率η与频率变动量ΔF间的关系的图。
并且，图13是表示设电极膜厚H为0.015λ时的线占用率η与二次温度系数β间的关系的图，图19是表示设电极膜厚H为0.015λ时的线占用率η与频率变动量ΔF间的关系的图。
并且，图14是表示设电极膜厚H为0.02λ时的线占用率η与二次温度系数β间的关系的图，图20是表示设电极膜厚H为0.02λ时的线占用率η与频率变动量ΔF间的关系的图。
并且，图15是表示设电极膜厚H为0.025λ时的线占用率η与二次温度系数β间的关系的图，图21是表示设电极膜厚H为0.025λ时的线占用率η与频率变动量ΔF间的关系的图。
并且，图16是表示设电极膜厚H为0.03λ时的线占用率η与二次温度系数β间的关系的图，图22是表示设电极膜厚H为0.03λ时的线占用率η与频率变动量ΔF间的关系的图。
并且，图17是表示设电极膜厚H为0.035λ时的线占用率η与二次温度系数β间的关系的图，图23是表示设电极膜厚H为0.035λ时的线占用率η与频率变动量ΔF间的关系的图。
在这些图(图12～图23)中可以理解为：无论在哪个曲线图中都存在微小差异，但是其变化的趋势类似于图5、图7，该图5、图7是表示仅石英基板30中的线占用率η与二次温度系数β间的关系、以及线占用率η与频率变动量ΔF间的关系的曲线图。
即，可以说在除了电极膜之外的石英基板30单体的表面声波传播中，也能发挥本实施方式的效果。
图25对图24所示的曲线图中的根据η1而得到的ψ与槽深G间的关系进行了汇总。并且，选择η1的原因如上所述。由图25可知，即使在电极膜的膜厚发生变化的情况下，ψ的角度也基本没有差异，ψ的最佳角度随着槽深G的变动而发生变化。这也可以证明二次温度系数β的变化主要是由石英基板30的形态引起的。
与上述相同，针对使得二次温度系数β＝-0.01ppm/℃2的ψ和使得β＝+0.01ppm/℃2的ψ，求出它们与槽深G之间的关系，并归纳为图26和图27。当根据这些曲线图(图25～图27)来求取能够使-0.01≤β≤+0.01成立的ψ的角度时，可以将上述条件下恰当的ψ的角度范围设定为43°＜ψ＜45°，可以进一步优选设定为43.2°≤ψ≤44.2。
接着，图28示出了θ的角度变动时的二次温度系数β的变化，即θ与二次温度系数β间的关系。这里，仿真中使用的SAW装置是用欧拉角(0，θ，ψ)表示切角和SAW传播方向且槽深G为0.04λ的石英基板，电极膜厚H为0.02λ。此外，关于ψ，根据θ的设定角度而在上述角度范围内适当选择了使二次温度系数β的绝对值最小的值。另外，关于η，根据上式(15)，设为0.6383。
在这种条件下，根据示出了θ与二次温度系数β间的关系的图28可知，只要θ处于117°以上142°以下的范围内，就能使二次温度系数β的绝对值处于0.01ppm/℃2的范围内。因此，在上述设定值中，只要在117°≤θ≤142°范围内设定θ，就能构成具有良好频率温度特性的SAW谐振器10。
图29是示出在采用了欧拉角为(，123°，43.77°)的石英基板30且设槽深G为0.04λ、电极膜厚H为0.02λ、线占有率η为0.65的情况下，的角度与二次温度系数β间的关系的曲线图。
由图29可知，在φ为-2°、+2°的情况下，二次温度系数β分别低于-0.01，但当φ处于-1.5°～+1.5°的范围内时，二次温度系数β的绝对值可靠地位于0.01的范围内。由此，在上述设定值中，只要在-1.5°≤φ≤+1.5°、优选为-1°≤φ≤+1°的范围内设定φ，就能构成具有良好频率温度特性的SAW谐振器10。
在上述说明中，针对φ、θ、ψ，分别在一定条件下，导出了在与槽深G间的关系中最佳值的范围。与此相对，图30示出了使得-40℃～+85℃中的频率变动量最小的非常理想的θ与ψ之间的关系，且求出了其近似式。根据图30，ψ的角度随着θ的角度上升而变化，且如三次曲线所描绘的那样上升。此外，在图30的例子中，θ＝117°时的ψ为42.79°，θ＝142°时的ψ为49.57°。当将这些绘制点表示为近似曲线时，构成图30中虚线表示的曲线，近似式可用式(17)表示。ψ＝1.19024×10-3×θ3-4.48775×10-1×θ2+5.64362×101×θ-2.32327×103±1.0…(17)
由此，可通过设定θ来确定ψ，在θ的范围为117°≤θ≤142°的情况下，ψ的范围可以为42.79°≤ψ≤49.57°。此外，仿真中的槽深G、电极膜厚H分别为G＝0.04λ、H＝0.02λ。
基于上述原因，在本实施方式中，只要根据各种设定的条件来构成SAW谐振器10，就能构成满足目标值的可实现良好频率温度特性的SAW谐振器。
另外，在本实施方式的SAW谐振器10中，如式(6)及图12～图23所示，将电极膜的膜厚H设为0＜H≤0.035λ的范围内，实现了频率温度特性的改善。这与以往那样通过过度加厚膜厚H来实现频率温度特性的改善的方法不同，本实施方式是在保持耐环境特性的状态下实现了频率温度特性的改善。图37示出了热循环试验中的电极膜厚(Al电极膜厚)与频率变动之间的关系。另外，图37所示的热循环试验的结果是连续进行了8次如下这样的循环而得到的：将SAW谐振器置于-55℃的环境中30分钟，然后使环境温度上升到+125℃并置于该环境中30分钟。根据图37可知，与电极膜厚H为0.06λ且未设有电极指间槽的情况相比，在本实施方式的SAW谐振器10的电极膜厚H的范围内，频率变动(F变动)为其1/3以下。此外，在图37中，对于任意绘制点而言，H+G＝0.06λ均成立。
另外，针对在与图37相同的条件下制造出的SAW谐振器，进行了将其放置在125℃的环境中1000小时的高温放置试验，结果，与现有的SAW谐振器(H＝0.06λ且G＝0)相比，确认到：本实施方式的SAW谐振器在(H＝0.03λ且G＝0.03λ、H＝0.02λ且G＝0.04λ、H＝0.015λ且G＝0.045λ、H＝0.01λ且G＝0.05λ这4个条件)试验前后的频率变动量为其1/3以下。
在上述条件下，根据如下条件制造出的SAW谐振器10表现出图31所示的频率温度特性，所述条件是：H+G＝0.067λ(铝膜厚2000、槽深4700)，IDT的线占有率ηi＝0.6，反射器的线占有率ηr＝0.8，欧拉角为(0°，123°，43.5°)，IDT的对数为120对，相交宽度为40λ(λ＝10μm)，反射器个数(每一侧)为72个(36对)，电极指不具有倾角(电极指的排列方向与SAW的相位速度方向一致)。
图31描绘出试验片个数n＝4的频率温度特性。根据图31可知，这些试验片的工作温度范围内的频率变动量ΔF被抑制为大致20ppm以下。
在本实施方式中，说明了槽深G及电极膜厚H等对频率温度特性的影响。而槽深G与电极膜厚H的合计深度(阶差)还会影响等效电路常数和CI值等静态特性以及Q值。例如，图32是表示阶差从0.062λ变化到0.071λ的情况下的阶差与CI值之间的关系的曲线图。由图32可知，CI值在阶差为0.067λ时收敛，而在阶差增大到该值以上的情况下，CI值也未得到优化(未变低)。
图33归纳了表现出图31所示的频率温度特性的SAW谐振器10中的频率、等效电路常数以及静态特性。这里，F表示频率，Q表示Q值，γ表示电容比，CI表示CI(晶体阻抗：Crystal Impedance)值，M表示性能指数(优良指数：Figure ofMerit)。
另外，图35示出用于对现有的SAW谐振器与本实施方式的SAW谐振器10的阶差和Q值之间的关系进行比较的曲线图。其中，在图35中，粗线所示的曲线表示本实施方式的SAW谐振器10的特性，其在电极指之间设有槽，且采用了阻带上端模式的谐振。细线所示的曲线表示现有的SAW谐振器的特性，其在电极指之间未设置槽，且采用了阻带下端模式的谐振。根据图35可清楚地看出，当在电极指之间设有槽且采用了阻带上端模式的谐振时，与在电极指之间未设置槽且采用了阻带下端模式的谐振的情况相比，在阶差(G+H)为0.0407λ(4.07％λ)以上的区域内，得到了更高的Q值。
另外，仿真中的SAW谐振器的基本数据如下所述。
·本实施方式的SAW谐振器10的基本数据
H：0.02λ
G：变化
IDT线占用率ηi：0.6
反射器线占用率ηr：0.8
欧拉角(0°，123°，43.5°)
对数N：120
相交宽度W：40λ(λ＝10μm)
反射器个数(每一侧)：60
电极指不具有倾角
·以往的SAW谐振器的基本数据
H：变化
G：零
IDT线占用率ηi：0.4
反射器线占用率ηr：0.3
欧拉角(0°，123°，43.5°)
对数N：120
相交宽度W：40λ(λ＝10μm)
反射器个数(每一侧)：60
电极指不具有倾角
为了对这些SAW谐振器特性进行比较而参照图33及图35时，能够理解本实施方式的SAW谐振器10如何实现了高Q化。可认为这种高Q化基于能量封闭效果的提高，原因如下。
为了对在阻带上端模式下激励出的表面声波进行高效的能量封闭，如图36所示，只要将IDT 12的阻带上端频率ft2设定在反射器20的阻带下端频率fr1与反射器20的阻带上端频率fr2之间即可。即，只要设定为满足下式的关系即可：
fr1＜ft2＜fr2…(18)
由此，在IDT 12的阻带上端频率ft2处，反射器20的反射系数Γ变大，由IDT 12激励出的阻带上端模式的SAW被反射器20以高反射系数向IDT 12侧反射。并且，阻带上端模式的SAW的能量封闭变强，能够实现低损耗的谐振器。
与此相对，当将IDT 12的阻带上端频率ft2与反射器20的阻带下端频率fr1、反射器20的阻带上端频率fr2之间的关系设定为ft2＜fr1的状态、fr2＜ft2的状态时，在IDT 12的阻带上端频率ft2处，反射器20的反射系数Γ变小，难以实现较强的能量封闭状态。
这里，为了实现式(18)的状态，需要使反射器20的阻带相对于IDT 12的阻带向高域侧进行频移。具体地说，可通过使反射器20的导体带22的排列周期小于IDT12的电极指18的排列周期来实现。并且，作为其它的方法，能够通过使作为反射器20的导体带22而形成的电极膜的膜厚比作为IDT 12的电极指18而形成的电极膜的膜厚薄来实现，或者通过使反射器20的导体带间槽的深度比IDT 12的电极指间槽的深度浅来实现。并且，也可以将这些方法中的多种方法进行组合使用。
另外，根据图33，除了能够得到高Q化之外，还能够得到很高的优良指数M。另外，图34是示出得到图33的特性后的SAW谐振器的阻抗Z与频率之间的关系的曲线图。由图34可知，在谐振点附近不存在无用的寄生。
上述实施方式中示出了构成SAW谐振器10的IDT 12的所有电极指均交替地交叉的情况。不过，本发明的SAW谐振器10即使仅利用其石英基板也能够实现相应的效果。因此，即使间断地设置IDT 12的电极指18，也能够起到同样的效果。
另外，对于槽32，也可以在电极指18之间及反射器20的导体带22之间局部地进行设置。尤其，由于振动位移大的IDT 12的中央部会对频率温度特性带来决定性的影响，因此可以采用仅在该部分设置槽32的结构。即使是这种结构，也能够形成频率温度特性良好的SAW谐振器10。
在上述实施方式中，求出对电极膜厚H、槽深G、线占用率η以及欧拉角进行各种变化时的频率温度特性的变化，并进行了能够得到良好特性的范围的限定。针对这些各种仿真情况，本申请发明者通过实验发现：即使是在电极膜厚H、槽深G、线占用率η以及欧拉角处于良好的范围的情况下，也存在如图38所示那样谐振特性产生破坏的情况。
在以瑞利波中的阻带的上端模式为主振动的情况下，作为产生这种特性破坏的原因，可以列举阻带的下端模式的振动的至少一部分与所述上端模式重叠的情况。并且，本申请发明者发现IDT中的电极指的对数N可作为用于抑制这种下端模式重叠的一种结构。表1表示阶段性地改变对数N时的有无下端模式重叠的情况。
【表1】
  对数N   144   160   168   170   180   186   196   200   220   270
  下端模式的重叠   有   无   无   无   无   无   无   无   无   有
根据表1可知，只要在式(19)的范围内，就不会产生下端模式的重叠。另外，在没有下端模式与上端模式的重叠的情况下，谐振特性不会产生破坏，能够得到如图39所示的曲线图。由此，通过观察表示谐振特性相位的曲线图，能够判定有无下端模式的重叠。具体地讲，如图39所示，在通过1port测定(SAW谐振器的阻抗测定)确认相位的反射特性的情况下，可以说在相位为0°的2点的频率之间具有拐点时，下端模式的一部分与上端模式重叠。
图40、图41、图42示出表示表1中的IDT对数N为144、220、270时的谐振特性相位的曲线图。图40、图42表示在相位为0°的2点的频率之间具有拐点，下端模式的一部分与上端模式重叠。另一方面，图41表示在相位为0°的2点的频率之间没有拐点，下端模式的一部分未与上端模式重叠。
160≤N≤220…(19)
得到表1所示的数据时的SAW谐振器10的基本数据如下所述。另外，电极膜的构成材料为Al。
H：0.02λ
G：0.045λ
IDT线占用率ηi：0.64
反射器线占用率ηr：0.73
欧拉角(0°，123°，44°)
对数N：变化
相交宽度W：40λ(λ＝10μm)
反射器个数(每一侧)：178
电极指不具有倾角
并且，在上述实验中确认到：即使是在改变相交宽度等基本数据的情况下，在将对数N设为式(19)的范围时，也能够抑制下端模式的重叠。表2示出将对数N设为式(19)的范围、在改变相交宽度、欧拉角、IDT线占用率的情况下有无下端模式的重叠。在该实验中确认到，即使是在相交宽度30λ、欧拉角(0°，123°，44.5°)、IDT线占用率变化为0.62、0.63、0.65、0.66时，下端模式的一部分也不会与上端模式重叠。
【表2】
  对数N 220   220   220   220   220   220   220
  相交宽度[λ] 40   30   40   40   40   40   40
  欧拉角[°] 0，123，44   0，123，44   0，123，44.5   0，123，44   0，123，44   0，123，44   0，123，44
  IDT线占用率 0.64   0.64   0.64   0.62   0.63   0.65   0.64
  下端模式的重叠 无   无   无   无   无   无   无
这样，通过将IDT中的电极指的对数N设在式(19)的范围内，能够得到良好的谐振特性。并且，如果使用这种结构的SAW谐振器来构成振荡电路，则能够得到良好的振荡特性。
并且，在上述实施方式中，记述了电极膜采用Al或者以Al为主体的合金的情况。但是，只要是能够发挥与上述实施方式相同的效果的金属，则也可以使用其它的金属材料构成电极膜。
在上述实施方式中单纯地说明了SAW谐振器，但本发明的SAW谐振器也能够应用于SAW滤波器。并且，上述实施方式是仅设有一个IDT的单端子对SAW谐振器，但本发明也可应用于设有多个IDT的双端子对SAW谐振器，而且还可以应用于纵向耦合式或横向耦合式的双模式SAW滤波器及多模式SAW滤波器。
下面，参照图43对本发明的SAW振荡器进行说明。如图43所示，本发明的SAW振荡器由上述SAW谐振器10、对该SAW谐振器10的IDT 12施加电压并进行驱动控制的IC(integrated circuit：集成电路)50、和收容SAW谐振器10和IC 50的封装构成。另外，在图43中，图43(A)是卸下盖后的平面图，图43(B)是表示图43(A)中的A-A剖面的图。
在实施方式的SAW振荡器100中，将SAW谐振器10和IC 50收容在同一封装56中，利用金属线60将形成在封装56的底板56a上的电极图案54a～54g、SAW谐振器10的梳齿状电极14a、14b以及IC 50的焊盘52a～52f连接。并且，利用盖58将收容了SAW谐振器10和IC 50的封装56的腔室进行气密密封。通过采用这种结构，能够将IDT 12(参照图1)和IC 50、以及形成在封装56的底面上的未图示的外部安装电极电连接。
并且，本发明的SAW谐振器能够用作便携电话、硬盘、服务器计算机、以及有线/无线基站中的时钟源，本发明的电子设备是指在这些便携电话和硬盘等中安装了上述SAW谐振器的设备。

Claims (10)

1.一种表面声波谐振器，其具有IDT和电极指间槽，该IDT设于欧拉角为(φ、θ、ψ)的石英基板上，由Al或者以Al为主体的合金构成，激励出阻带上端模式的表面声波，该电极指间槽是使位于构成所述IDT的电极指之间的基板凹陷而形成的，其中，－1.5°≤φ≤1.5°、117°≤θ≤142°、41.9°≤|ψ|≤49.57°，所述表面声波谐振器的特征在于，
在设所述表面声波的波长为λ、设所述电极指间槽的深度为G的情况下，满足下式：
0.01λ≤G
并且，在设所述IDT的线占用率为η的情况下，所述电极指间槽的深度G与所述线占用率η满足下式的关系：
- 2.5 × G λ + 0.675 ≤ η ≤ - 2.5 × G λ + 0.775
并且，所述IDT中的电极指的对数N处于下式所示的范围内：
160≤N≤220。
2.根据权利要求1所述的表面声波谐振器，其特征在于，
所述电极指间槽的深度G满足下式的关系：
0.01λ≤G≤0.0695λ。
3.根据权利要求1所述的表面声波谐振器，其特征在于，
在设所述IDT的电极膜厚为H的情况下，满足下式的关系：
0＜H≤0.035λ。
4.根据权利要求3所述的表面声波谐振器，其特征在于，
所述线占用率η满足下式的关系：
η = - 2.533 × G λ - 2.269 × H λ + 0.785 ± 0.04 .
5.根据权利要求3所述的表面声波谐振器，其特征在于，
所述电极指间槽的深度G与所述电极膜厚H之和满足下式的关系：
0.0407λ≤G+H。
6.根据权利要求1所述的表面声波谐振器，其特征在于，所述ψ和所述θ满足下式的关系：
ψ＝1.191×10-3×θ3-4.490×10-1×θ2+5.646×101×6-2.324×103±1.0。
7.根据权利要求1所述的表面声波谐振器，其特征在于，
在设所述IDT的阻带上端模式的频率为ft2、设反射器的阻带下端模式的频率为fr1、设所述反射器的阻带上端模式的频率为fr2时，满足下式的关系：
fr1＜ft2＜fr2
其中，所述反射器被配置成在表面声波的传播方向上夹着所述IDT。
8.根据权利要求7所述的表面声波谐振器，其特征在于，
在构成所述反射器的导体带之间设置有导体带间槽，所述导体带间槽的深度比所述电极指间槽的深度浅。
9.一种表面声波振荡器，其特征在于，
该表面声波振荡器具有权利要求1至8中任意一项所述的表面声波谐振器。
10.一种电子设备，其特征在于，
该电子设备具有权利要求1至8中任意一项所述的表面声波谐振器。
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