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  1. 直流変換回路と、マイクロプロセッサとを有し、
    前記直流変換回路は、変換回路と、制御回路とを有し、
    前記変換回路は、誘導素子と、トランジスタとを有し、
    前記制御回路は、比較回路と、論理回路とを有し、
    前記比較回路として、第1の基準電位及び第2の基準電位を有するヒステリシスコンパレータを用い
    記比較回路は、前記変換回路の出力信号と前記第1の基準電位又は前記第2の基準電位とを比較することができる機能を有し、
    前記論理回路は、前記比較回路の出力信号と前記マイクロプロセッサのクロック信号とを演算することができる機能を有し、
    記トランジスタは、前記論理回路の出力信号に応じて前記誘導素子に流れる電流を制御することができる機能を有し、
    前記誘導素子は、前記電流に応じた起電力を発生させて前記変換回路の出力信号を生成することができる機能を有することを特徴とする半導体装置。
  2. 直流変換回路と、マイクロプロセッサと、画素が配置された表示部とを有し、
    前記直流変換回路は、変換回路と、制御回路とを有し、
    前記変換回路は、誘導素子と、トランジスタとを有し、
    前記制御回路は、比較回路と、論理回路とを有し、
    前記比較回路として、第1の基準電位及び第2の基準電位を有するヒステリシスコンパレータを用い
    記比較回路は、前記変換回路の出力信号と前記第1の基準電位又は前記第2の基準電位とを比較することができる機能を有し、
    前記論理回路は、前記比較回路の出力信号と前記マイクロプロセッサのクロック信号とを演算することができる機能を有し、
    記トランジスタは、前記論理回路の出力信号に応じて前記誘導素子に流れる電流を制御することができる機能を有し、
    前記誘導素子は、前記電流に応じた起電力を発生させて前記変換回路の出力信号を生成することができる機能を有し、
    前記表示部において、前記変換回路の出力信号に応じて記画素が駆動されることを特徴とする表示装置。
  3. 直流変換回路と、マイクロプロセッサと、画素が配置された表示部とを有し、
    前記直流変換回路は、変換回路と、制御回路とを有し、
    前記変換回路は、誘導素子と、トランジスタとを有し、
    前記制御回路は、比較回路と、増幅回路と、論理回路とを有し、
    前記比較回路として、第1の基準電位及び第2の基準電位を有するヒステリシスコンパレータを用い、
    前記制御回路において、前記比較回路が前記変換回路の出力信号と前記第1の基準電位又は前記第2の基準電位とを比較し、前記論理回路が前記比較回路の出力信号と前記マイクロプロセッサのクロック信号とを演算する第1の動作、又は、前記増幅回路が前記変換回路の出力信号と第3の基準電位との差分を増幅し、前記比較回路が前記増幅回路の出力信号と三角波とを比較する第2の動作が行われる機能を有し
    前記変換回路において
    前記トランジスタは、前記第1の動作による前記論理回路の出力信号又は前記第2の動作による前記比較回路の出力信号に応じて前記誘導素子に流れる電流を制御することができる機能を有し、
    前記誘導素子は、前記電流に応じた起電力を発生させて前記変換回路の出力信号を生成することができる機能を有し、
    前記表示部において、前記画素に1秒以上600秒以下の間隔でビデオ信号を書き込む第1の駆動、又は、前記画素に1/60秒以下の間隔で前記ビデオ信号を書き込む第2の駆動が行われ、
    記第1の駆動が行われる場合、前記第1の動作による前記変換回路の出力信号に応じて前記画素が駆動され
    前記第2の駆動が行われる場合、前記第2の動作による前記変換回路の出力信号に応じて前記画素が駆動されることを特徴とする表示装置。
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