JP2011170343A5 - 表示装置 - Google Patents

表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2011170343A5
JP2011170343A5 JP2011009493A JP2011009493A JP2011170343A5 JP 2011170343 A5 JP2011170343 A5 JP 2011170343A5 JP 2011009493 A JP2011009493 A JP 2011009493A JP 2011009493 A JP2011009493 A JP 2011009493A JP 2011170343 A5 JP2011170343 A5 JP 2011170343A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
electrically connected
drain
source
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011009493A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5631759B2 (ja
JP2011170343A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2011009493A priority Critical patent/JP5631759B2/ja
Priority claimed from JP2011009493A external-priority patent/JP5631759B2/ja
Publication of JP2011170343A publication Critical patent/JP2011170343A/ja
Publication of JP2011170343A5 publication Critical patent/JP2011170343A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5631759B2 publication Critical patent/JP5631759B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (3)

  1. 画素部を有し、
    前記画素部は、
    第1のトランジスタと、
    表示素子とを有し、
    前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、信号線と電気的に接続され、
    前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記表示素子の一方の電極と電気的に接続され、
    前記第1のトランジスタのゲートは、走査線と電気的に接続され、
    前記表示素子の他方の電極は、第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、共通接続部を介して第1の端子と電気的に接続され、
    前記第2のトランジスタのゲートは、第2の端子と電気的に接続され、
    前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタは、酸化物半導体層を有することを特徴とする表示装置。
  2. 走査線側駆動回路と、
    信号線側駆動回路と、
    画素部を有し、
    前記画素部は、
    第1のトランジスタと、
    表示素子とを有し、
    前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、信号線と電気的に接続され、
    前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記表示素子の一方の電極と電気的に接続され、
    前記第1のトランジスタのゲートは、走査線と電気的に接続され、
    前記表示素子の他方の電極は、第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、共通接続部を介して第1の端子と電気的に接続され、
    前記第2のトランジスタのゲートは、第2の端子と電気的に接続され、
    前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタは、酸化物半導体層を有し、
    前記走査線側駆動回路は、第1のクロック信号及び第1のスタートパルスに基づく第1の信号を、前記走査線へ供給する機能を有し、
    前記信号線側駆動回路は、第2のクロック信号及び第2のスタートパルスに基づく第2の信号を、前記信号線へ供給する機能を有し、
    前記第1のクロック信号、前記第1のスタートパルス、前記第2のクロック信号、及び前記第2のスタートパルスの供給が停止している期間において、前記第1のトランジスタが非導通状態となり前記表示素子の第1の電極が浮遊状態となり、かつ前記第2のトランジスタが非導通状態となり前記表示素子の第2の電極が浮遊状態となることを特徴とする表示装置。
  3. 走査線側駆動回路と、
    信号線側駆動回路と、
    画素部を有し、
    前記画素部は、
    第1のトランジスタと、
    表示素子とを有し、
    前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、信号線と電気的に接続され、
    前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記表示素子の一方の電極と電気的に接続され、
    前記第1のトランジスタのゲートは、走査線と電気的に接続され、
    前記表示素子の他方の電極は、第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、共通接続部を介して第1の端子と電気的に接続され、
    前記第2のトランジスタのゲートは、第2の端子と電気的に接続され、
    前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタは、酸化物半導体層を有し、
    前記走査線側駆動回路は、第1のクロック信号及び第1のスタートパルスに基づく第1の信号を、前記走査線へ供給する機能を有し、
    前記信号線側駆動回路は、第2のクロック信号及び第2のスタートパルスに基づく第2の信号を、前記信号線へ供給する機能を有し、
    前記第1のクロック信号、前記第1のスタートパルス、前記第2のクロック信号、及び前記第2のスタートパルスの供給が停止している期間において、前記第1のトランジスタが非導通状態となり前記表示素子の第1の電極が浮遊状態となり、かつ前記第2のトランジスタが非導通状態となり前記表示素子の第2の電極が浮遊状態となり、前記信号線へ前記第2の信号の供給を停止させことができることを特徴とする表示装置。
JP2011009493A 2010-01-20 2011-01-20 表示装置 Active JP5631759B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011009493A JP5631759B2 (ja) 2010-01-20 2011-01-20 表示装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010010186 2010-01-20
JP2010010186 2010-01-20
JP2011009493A JP5631759B2 (ja) 2010-01-20 2011-01-20 表示装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014206929A Division JP2015045872A (ja) 2010-01-20 2014-10-08 表示装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2011170343A JP2011170343A (ja) 2011-09-01
JP2011170343A5 true JP2011170343A5 (ja) 2013-12-19
JP5631759B2 JP5631759B2 (ja) 2014-11-26

Family

ID=44306887

Family Applications (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011009493A Active JP5631759B2 (ja) 2010-01-20 2011-01-20 表示装置
JP2014206929A Withdrawn JP2015045872A (ja) 2010-01-20 2014-10-08 表示装置
JP2016133085A Withdrawn JP2016181005A (ja) 2010-01-20 2016-07-05 表示装置
JP2017062448A Withdrawn JP2017120446A (ja) 2010-01-20 2017-03-28 液晶表示装置
JP2017242406A Withdrawn JP2018060225A (ja) 2010-01-20 2017-12-19 電子機器
JP2019116414A Withdrawn JP2019174839A (ja) 2010-01-20 2019-06-24 電子機器

Family Applications After (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014206929A Withdrawn JP2015045872A (ja) 2010-01-20 2014-10-08 表示装置
JP2016133085A Withdrawn JP2016181005A (ja) 2010-01-20 2016-07-05 表示装置
JP2017062448A Withdrawn JP2017120446A (ja) 2010-01-20 2017-03-28 液晶表示装置
JP2017242406A Withdrawn JP2018060225A (ja) 2010-01-20 2017-12-19 電子機器
JP2019116414A Withdrawn JP2019174839A (ja) 2010-01-20 2019-06-24 電子機器

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8947406B2 (ja)
JP (6) JP5631759B2 (ja)
KR (1) KR101816505B1 (ja)
CN (1) CN102714029B (ja)
TW (1) TWI573119B (ja)
WO (1) WO2011090087A1 (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011089844A1 (en) 2010-01-24 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US20130021309A1 (en) * 2011-07-22 2013-01-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods and devices for driving a display using both an active matrix addressing scheme and a passive matrix addressing scheme
US8988409B2 (en) 2011-07-22 2015-03-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods and devices for voltage reduction for active matrix displays using variability of pixel device capacitance
US10416504B2 (en) * 2013-05-21 2019-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR102087967B1 (ko) * 2013-07-30 2020-04-16 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
KR102207220B1 (ko) * 2013-09-05 2021-01-25 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 드라이버, 디스플레이 드라이버 구동방법 및 영상 표시 시스템
KR102485165B1 (ko) * 2015-08-21 2023-01-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
CN105388646B (zh) * 2015-12-14 2019-02-12 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示屏及液晶显示屏的色偏补偿方法
CN105654052A (zh) * 2015-12-31 2016-06-08 田雪松 点阵文件切割方法
US10347174B2 (en) * 2017-01-03 2019-07-09 Solomon Systech Limited System of compressed frame scanning for a display and a method thereof
JP6375016B1 (ja) * 2017-04-26 2018-08-15 住友化学株式会社 電極付き基板、積層基板及び有機デバイスの製造方法
CN107318048B (zh) * 2017-06-06 2019-12-10 深圳市创维软件有限公司 一种电压采集方法、装置及存储介质

Family Cites Families (158)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH05224626A (ja) 1992-02-14 1993-09-03 Fujitsu Ltd 液晶表示装置
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JPH05265961A (ja) * 1992-03-19 1993-10-15 Idemitsu Kosan Co Ltd 電子ブック
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
KR100394896B1 (ko) 1995-08-03 2003-11-28 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 투명스위칭소자를포함하는반도체장치
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
US6219381B1 (en) * 1997-05-26 2001-04-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Image processing apparatus and method for realizing trick play
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Hoya株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
JP3413118B2 (ja) * 1999-02-02 2003-06-03 株式会社東芝 液晶表示装置
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP4137394B2 (ja) * 2000-10-05 2008-08-20 シャープ株式会社 表示装置の駆動方法、それを用いた表示装置、およびその表示装置を搭載した携帯機器
JP3766926B2 (ja) 2000-04-28 2006-04-19 シャープ株式会社 表示装置の駆動方法およびそれを用いた表示装置ならびに携帯機器
US7321353B2 (en) 2000-04-28 2008-01-22 Sharp Kabushiki Kaisha Display device method of driving same and electronic device mounting same
JP4040826B2 (ja) * 2000-06-23 2008-01-30 株式会社東芝 画像処理方法および画像表示システム
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
JP2008233925A (ja) 2000-10-05 2008-10-02 Sharp Corp 表示装置の駆動方法、それを用いた表示装置、およびその表示装置を搭載した携帯機器
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP2002158893A (ja) * 2000-11-22 2002-05-31 Minolta Co Ltd 画像補正装置、画像補正方法および記録媒体
JP3730159B2 (ja) * 2001-01-12 2005-12-21 シャープ株式会社 表示装置の駆動方法および表示装置
JP2002223291A (ja) * 2001-01-26 2002-08-09 Olympus Optical Co Ltd 無線携帯情報表示装置
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3749147B2 (ja) * 2001-07-27 2006-02-22 シャープ株式会社 表示装置
JP3815599B2 (ja) * 2001-08-30 2006-08-30 株式会社ディーアンドエムホールディングス データ再生装置
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
WO2003040441A1 (en) 2001-11-05 2003-05-15 Japan Science And Technology Agency Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法
CN1445821A (zh) 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4186767B2 (ja) * 2002-10-31 2008-11-26 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
JP4620046B2 (ja) 2004-03-12 2011-01-26 独立行政法人科学技術振興機構 薄膜トランジスタ及びその製造方法
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP4877873B2 (ja) * 2004-08-03 2012-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその作製方法
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
JP2006098765A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Seiko Epson Corp 画像表示装置、画像表示システム、画像出力機器、及び画像表示装置のリフレッシュレート設定方法
JP4754798B2 (ja) * 2004-09-30 2011-08-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
JP4698998B2 (ja) * 2004-09-30 2011-06-08 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
KR100911698B1 (ko) 2004-11-10 2009-08-10 캐논 가부시끼가이샤 비정질 산화물을 사용한 전계 효과 트랜지스터
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
KR100953596B1 (ko) 2004-11-10 2010-04-21 캐논 가부시끼가이샤 발광장치
US7601984B2 (en) 2004-11-10 2009-10-13 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor with amorphous oxide active layer containing microcrystals and gate electrode opposed to active layer through gate insulator
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
JP5126729B2 (ja) 2004-11-10 2013-01-23 キヤノン株式会社 画像表示装置
US7791072B2 (en) * 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
US7608531B2 (en) 2005-01-28 2009-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
TWI472037B (zh) 2005-01-28 2015-02-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
WO2006105077A2 (en) 2005-03-28 2006-10-05 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機el表示装置およびその製造方法
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP5371174B2 (ja) * 2005-09-12 2013-12-18 キヤノン株式会社 画像表示装置及び画像表示方法
JP5078246B2 (ja) 2005-09-29 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
EP1998374A3 (en) * 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
JP5064747B2 (ja) 2005-09-29 2012-10-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
KR101112655B1 (ko) 2005-11-15 2012-02-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액티브 매트릭스 디스플레이 장치 및 텔레비전 수신기
JP5395994B2 (ja) * 2005-11-18 2014-01-22 出光興産株式会社 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
JP5015473B2 (ja) * 2006-02-15 2012-08-29 財団法人高知県産業振興センター 薄膜トランジスタアレイ及びその製法
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
WO2007105778A1 (en) * 2006-03-10 2007-09-20 Canon Kabushiki Kaisha Driving circuit of display element and image display apparatus
CN101047814A (zh) * 2006-03-30 2007-10-03 南京Lg同创彩色显示系统有限责任公司 无线电视接收机的字幕显示方法
JP5508664B2 (ja) * 2006-04-05 2014-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置及び電子機器
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ZnO TFT
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4347322B2 (ja) * 2006-07-14 2009-10-21 ソニー株式会社 受信装置および方法、並びにプログラム
JP4404881B2 (ja) * 2006-08-09 2010-01-27 日本電気株式会社 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法及び液晶表示装置
JP4999400B2 (ja) * 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Nec液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4946286B2 (ja) * 2006-09-11 2012-06-06 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタアレイ、それを用いた画像表示装置およびその駆動方法
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP5227502B2 (ja) * 2006-09-15 2013-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の駆動方法、液晶表示装置及び電子機器
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
JP2008108985A (ja) * 2006-10-26 2008-05-08 Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center 半導体素子の製法
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーelディスプレイおよびその製造方法
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
JP5508662B2 (ja) * 2007-01-12 2014-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
JP5121254B2 (ja) * 2007-02-28 2013-01-16 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタおよび表示装置
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
JP2008225353A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Ricoh Co Ltd 画像表示システム、画像表示方法、およびプログラム
JP4727684B2 (ja) * 2007-03-27 2011-07-20 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
US8274078B2 (en) 2007-04-25 2012-09-25 Canon Kabushiki Kaisha Metal oxynitride semiconductor containing zinc
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
US7903107B2 (en) * 2007-06-18 2011-03-08 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Adaptive refresh rate features
JP2009031750A (ja) * 2007-06-28 2009-02-12 Fujifilm Corp 有機el表示装置およびその製造方法
KR20090002841A (ko) * 2007-07-04 2009-01-09 삼성전자주식회사 산화물 반도체, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5160836B2 (ja) * 2007-08-08 2013-03-13 ルネサスエレクトロニクス株式会社 テレビジョン受像機
KR101563692B1 (ko) * 2007-10-19 2015-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 그 구동 방법
WO2009075281A1 (ja) * 2007-12-13 2009-06-18 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
US8202365B2 (en) 2007-12-17 2012-06-19 Fujifilm Corporation Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film
JP2009206508A (ja) * 2008-01-31 2009-09-10 Canon Inc 薄膜トランジスタ及び表示装置
JP2009224595A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Fujifilm Corp 有機電界発光表示装置及びその製造方法
JP2009231664A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Idemitsu Kosan Co Ltd 電界効果トランジスタ及びその製造方法
JP2009246775A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Canon Inc 画像再生装置
JP2009253204A (ja) * 2008-04-10 2009-10-29 Idemitsu Kosan Co Ltd 酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
KR101468591B1 (ko) * 2008-05-29 2014-12-04 삼성전자주식회사 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터
US9600175B2 (en) * 2008-07-14 2017-03-21 Sony Corporation Method and system for classification sign display
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
US20100166383A1 (en) * 2008-12-31 2010-07-01 Nxp B.V. System and method for providing trick modes
US20100198582A1 (en) * 2009-02-02 2010-08-05 Gregory Walker Johnson Verbal command laptop computer and software
KR101865546B1 (ko) 2009-10-16 2018-06-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함한 전자 기기
KR101840623B1 (ko) 2009-12-04 2018-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기
KR101871654B1 (ko) 2009-12-18 2018-06-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법 및 표시 장치
WO2011074379A1 (en) 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and driving method thereof
KR101872678B1 (ko) 2009-12-28 2018-07-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 기기
WO2011081011A1 (en) 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and manufacturing method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011170343A5 (ja) 表示装置
JP2012238028A5 (ja) 発光装置の駆動方法
JP2011181905A5 (ja)
JP2016036043A5 (ja) 半導体装置及び表示装置
JP2010250303A5 (ja)
JP2011100117A5 (ja) 液晶表示装置
JP2011118377A5 (ja) 半導体装置
JP2011091376A5 (ja)
JP2010252318A5 (ja) 液晶表示装置
JP2011029579A5 (ja) 表示装置
JP2012098741A5 (ja) 表示装置
JP2013211088A5 (ja) 表示装置
JP2009163268A5 (ja)
JP2011100723A5 (ja) 表示装置
JP2013225153A5 (ja) 表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP2013066172A5 (ja) 半導体装置及び表示装置
JP2013174921A5 (ja)
JP2012039059A5 (ja)
JP2013012483A5 (ja) 発光装置
JP2010250304A5 (ja) 液晶表示装置
JP2010109357A5 (ja)
JP2011141529A5 (ja)
JP2010250305A5 (ja) 液晶表示装置
JP2012032799A5 (ja) 液晶表示装置
JP2014098901A5 (ja) 半導体装置、表示装置、表示モジュール及び電子機器