JPS60198861A
(ja)
|
1984-03-23 |
1985-10-08 |
Fujitsu Ltd |
薄膜トランジスタ
|
JPH0244256B2
(ja)
|
1987-01-28 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
JPH0244260B2
(ja)
|
1987-02-24 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
JPS63210023A
(ja)
|
1987-02-24 |
1988-08-31 |
Natl Inst For Res In Inorg Mater |
InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
|
JPH0244258B2
(ja)
|
1987-02-24 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
JPH0244262B2
(ja)
|
1987-02-27 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
JPH0244263B2
(ja)
|
1987-04-22 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
JPH05224626A
(ja)
|
1992-02-14 |
1993-09-03 |
Fujitsu Ltd |
液晶表示装置
|
JPH05251705A
(ja)
|
1992-03-04 |
1993-09-28 |
Fuji Xerox Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
JPH05265961A
(ja)
*
|
1992-03-19 |
1993-10-15 |
Idemitsu Kosan Co Ltd |
電子ブック
|
JP3479375B2
(ja)
|
1995-03-27 |
2003-12-15 |
科学技術振興事業団 |
亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
|
WO1997006554A2
(en)
|
1995-08-03 |
1997-02-20 |
Philips Electronics N.V. |
Semiconductor device provided with transparent switching element
|
JP3625598B2
(ja)
|
1995-12-30 |
2005-03-02 |
三星電子株式会社 |
液晶表示装置の製造方法
|
US6219381B1
(en)
*
|
1997-05-26 |
2001-04-17 |
Kabushiki Kaisha Toshiba |
Image processing apparatus and method for realizing trick play
|
JP4170454B2
(ja)
|
1998-07-24 |
2008-10-22 |
Hoya株式会社 |
透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
|
JP2000150861A
(ja)
|
1998-11-16 |
2000-05-30 |
Tdk Corp |
酸化物薄膜
|
JP3276930B2
(ja)
|
1998-11-17 |
2002-04-22 |
科学技術振興事業団 |
トランジスタ及び半導体装置
|
JP3413118B2
(ja)
*
|
1999-02-02 |
2003-06-03 |
株式会社東芝 |
液晶表示装置
|
TW460731B
(en)
|
1999-09-03 |
2001-10-21 |
Ind Tech Res Inst |
Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
|
JP4137394B2
(ja)
*
|
2000-10-05 |
2008-08-20 |
シャープ株式会社 |
表示装置の駆動方法、それを用いた表示装置、およびその表示装置を搭載した携帯機器
|
JP3766926B2
(ja)
|
2000-04-28 |
2006-04-19 |
シャープ株式会社 |
表示装置の駆動方法およびそれを用いた表示装置ならびに携帯機器
|
WO2001084226A1
(fr)
|
2000-04-28 |
2001-11-08 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Unite d'affichage, procede d'excitation pour unite d'affichage, et appareil electronique de montage d'une unite d'affichage
|
JP4040826B2
(ja)
*
|
2000-06-23 |
2008-01-30 |
株式会社東芝 |
画像処理方法および画像表示システム
|
JP4089858B2
(ja)
|
2000-09-01 |
2008-05-28 |
国立大学法人東北大学 |
半導体デバイス
|
JP2008233925A
(ja)
|
2000-10-05 |
2008-10-02 |
Sharp Corp |
表示装置の駆動方法、それを用いた表示装置、およびその表示装置を搭載した携帯機器
|
KR20020038482A
(ko)
|
2000-11-15 |
2002-05-23 |
모리시타 요이찌 |
박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
|
JP2002158893A
(ja)
*
|
2000-11-22 |
2002-05-31 |
Minolta Co Ltd |
画像補正装置、画像補正方法および記録媒体
|
JP3730159B2
(ja)
*
|
2001-01-12 |
2005-12-21 |
シャープ株式会社 |
表示装置の駆動方法および表示装置
|
JP2002223291A
(ja)
*
|
2001-01-26 |
2002-08-09 |
Olympus Optical Co Ltd |
無線携帯情報表示装置
|
JP3997731B2
(ja)
|
2001-03-19 |
2007-10-24 |
富士ゼロックス株式会社 |
基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
|
JP2002289859A
(ja)
|
2001-03-23 |
2002-10-04 |
Minolta Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
JP3749147B2
(ja)
*
|
2001-07-27 |
2006-02-22 |
シャープ株式会社 |
表示装置
|
JP3815599B2
(ja)
*
|
2001-08-30 |
2006-08-30 |
株式会社ディーアンドエムホールディングス |
データ再生装置
|
JP4090716B2
(ja)
|
2001-09-10 |
2008-05-28 |
雅司 川崎 |
薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
|
JP3925839B2
(ja)
|
2001-09-10 |
2007-06-06 |
シャープ株式会社 |
半導体記憶装置およびその試験方法
|
JP4164562B2
(ja)
|
2002-09-11 |
2008-10-15 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
|
US7061014B2
(en)
|
2001-11-05 |
2006-06-13 |
Japan Science And Technology Agency |
Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
|
JP4083486B2
(ja)
|
2002-02-21 |
2008-04-30 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法
|
CN1445821A
(zh)
|
2002-03-15 |
2003-10-01 |
三洋电机株式会社 |
ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
|
JP3933591B2
(ja)
|
2002-03-26 |
2007-06-20 |
淳二 城戸 |
有機エレクトロルミネッセント素子
|
US7339187B2
(en)
|
2002-05-21 |
2008-03-04 |
State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University |
Transistor structures
|
JP2004022625A
(ja)
|
2002-06-13 |
2004-01-22 |
Murata Mfg Co Ltd |
半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
|
US7105868B2
(en)
|
2002-06-24 |
2006-09-12 |
Cermet, Inc. |
High-electron mobility transistor with zinc oxide
|
US7067843B2
(en)
|
2002-10-11 |
2006-06-27 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Transparent oxide semiconductor thin film transistors
|
JP4186767B2
(ja)
*
|
2002-10-31 |
2008-11-26 |
セイコーエプソン株式会社 |
電気光学装置及び電子機器
|
JP4166105B2
(ja)
|
2003-03-06 |
2008-10-15 |
シャープ株式会社 |
半導体装置およびその製造方法
|
JP2004273732A
(ja)
|
2003-03-07 |
2004-09-30 |
Sharp Corp |
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
|
JP4108633B2
(ja)
|
2003-06-20 |
2008-06-25 |
シャープ株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
|
US7262463B2
(en)
|
2003-07-25 |
2007-08-28 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Transistor including a deposited channel region having a doped portion
|
US7282782B2
(en)
|
2004-03-12 |
2007-10-16 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Combined binary oxide semiconductor device
|
US7145174B2
(en)
|
2004-03-12 |
2006-12-05 |
Hewlett-Packard Development Company, Lp. |
Semiconductor device
|
US7297977B2
(en)
|
2004-03-12 |
2007-11-20 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Semiconductor device
|
JP4620046B2
(ja)
|
2004-03-12 |
2011-01-26 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
薄膜トランジスタ及びその製造方法
|
US7211825B2
(en)
|
2004-06-14 |
2007-05-01 |
Yi-Chi Shih |
Indium oxide-based thin film transistors and circuits
|
JP4877873B2
(ja)
*
|
2004-08-03 |
2012-02-15 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置及びその作製方法
|
JP2006100760A
(ja)
|
2004-09-02 |
2006-04-13 |
Casio Comput Co Ltd |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
US7285501B2
(en)
|
2004-09-17 |
2007-10-23 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Method of forming a solution processed device
|
JP2006098765A
(ja)
*
|
2004-09-29 |
2006-04-13 |
Seiko Epson Corp |
画像表示装置、画像表示システム、画像出力機器、及び画像表示装置のリフレッシュレート設定方法
|
JP4698998B2
(ja)
*
|
2004-09-30 |
2011-06-08 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
液晶表示装置の作製方法
|
JP4754798B2
(ja)
*
|
2004-09-30 |
2011-08-24 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置の作製方法
|
US7298084B2
(en)
|
2004-11-02 |
2007-11-20 |
3M Innovative Properties Company |
Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
|
US7829444B2
(en)
|
2004-11-10 |
2010-11-09 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Field effect transistor manufacturing method
|
US7453065B2
(en)
|
2004-11-10 |
2008-11-18 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Sensor and image pickup device
|
JP5126729B2
(ja)
|
2004-11-10 |
2013-01-23 |
キヤノン株式会社 |
画像表示装置
|
US7791072B2
(en)
*
|
2004-11-10 |
2010-09-07 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Display
|
WO2006051995A1
(en)
|
2004-11-10 |
2006-05-18 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Field effect transistor employing an amorphous oxide
|
US7863611B2
(en)
|
2004-11-10 |
2011-01-04 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Integrated circuits utilizing amorphous oxides
|
CA2708335A1
(en)
|
2004-11-10 |
2006-05-18 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Amorphous oxide and field effect transistor
|
AU2005302963B2
(en)
|
2004-11-10 |
2009-07-02 |
Cannon Kabushiki Kaisha |
Light-emitting device
|
US7579224B2
(en)
|
2005-01-21 |
2009-08-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing a thin film semiconductor device
|
US7608531B2
(en)
|
2005-01-28 |
2009-10-27 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
|
TWI562380B
(en)
|
2005-01-28 |
2016-12-11 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
|
US7858451B2
(en)
|
2005-02-03 |
2010-12-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
|
US7948171B2
(en)
|
2005-02-18 |
2011-05-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Light emitting device
|
US20060197092A1
(en)
|
2005-03-03 |
2006-09-07 |
Randy Hoffman |
System and method for forming conductive material on a substrate
|
US8681077B2
(en)
|
2005-03-18 |
2014-03-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
|
WO2006105077A2
(en)
|
2005-03-28 |
2006-10-05 |
Massachusetts Institute Of Technology |
Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
|
US7645478B2
(en)
|
2005-03-31 |
2010-01-12 |
3M Innovative Properties Company |
Methods of making displays
|
US8300031B2
(en)
|
2005-04-20 |
2012-10-30 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
|
JP2006344849A
(ja)
|
2005-06-10 |
2006-12-21 |
Casio Comput Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
US7402506B2
(en)
|
2005-06-16 |
2008-07-22 |
Eastman Kodak Company |
Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
|
US7691666B2
(en)
|
2005-06-16 |
2010-04-06 |
Eastman Kodak Company |
Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
|
US7507618B2
(en)
|
2005-06-27 |
2009-03-24 |
3M Innovative Properties Company |
Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
|
KR100711890B1
(ko)
|
2005-07-28 |
2007-04-25 |
삼성에스디아이 주식회사 |
유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
|
JP2007059128A
(ja)
|
2005-08-23 |
2007-03-08 |
Canon Inc |
有機el表示装置およびその製造方法
|
JP2007073705A
(ja)
|
2005-09-06 |
2007-03-22 |
Canon Inc |
酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
JP4850457B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2012-01-11 |
キヤノン株式会社 |
薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
|
JP5116225B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2013-01-09 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体デバイスの製造方法
|
JP4280736B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2009-06-17 |
キヤノン株式会社 |
半導体素子
|
JP5371174B2
(ja)
*
|
2005-09-12 |
2013-12-18 |
キヤノン株式会社 |
画像表示装置及び画像表示方法
|
EP3614442A3
(en)
*
|
2005-09-29 |
2020-03-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof
|
JP5064747B2
(ja)
|
2005-09-29 |
2012-10-31 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法
|
JP5078246B2
(ja)
|
2005-09-29 |
2012-11-21 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、及び半導体装置の作製方法
|
JP5037808B2
(ja)
|
2005-10-20 |
2012-10-03 |
キヤノン株式会社 |
アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
|
KR101117948B1
(ko)
|
2005-11-15 |
2012-02-15 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
액정 디스플레이 장치 제조 방법
|
JP5395994B2
(ja)
*
|
2005-11-18 |
2014-01-22 |
出光興産株式会社 |
半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ
|
TWI292281B
(en)
|
2005-12-29 |
2008-01-01 |
Ind Tech Res Inst |
Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
|
US7867636B2
(en)
|
2006-01-11 |
2011-01-11 |
Murata Manufacturing Co., Ltd. |
Transparent conductive film and method for manufacturing the same
|
JP4977478B2
(ja)
|
2006-01-21 |
2012-07-18 |
三星電子株式会社 |
ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法
|
US7576394B2
(en)
|
2006-02-02 |
2009-08-18 |
Kochi Industrial Promotion Center |
Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
|
US7977169B2
(en)
*
|
2006-02-15 |
2011-07-12 |
Kochi Industrial Promotion Center |
Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
|
JP5015473B2
(ja)
*
|
2006-02-15 |
2012-08-29 |
財団法人高知県産業振興センター |
薄膜トランジスタアレイ及びその製法
|
WO2007105778A1
(en)
*
|
2006-03-10 |
2007-09-20 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Driving circuit of display element and image display apparatus
|
CN101047814A
(zh)
*
|
2006-03-30 |
2007-10-03 |
南京Lg同创彩色显示系统有限责任公司 |
无线电视接收机的字幕显示方法
|
JP5508664B2
(ja)
*
|
2006-04-05 |
2014-06-04 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、表示装置及び電子機器
|
KR20070101595A
(ko)
|
2006-04-11 |
2007-10-17 |
삼성전자주식회사 |
ZnO TFT
|
US20070252928A1
(en)
|
2006-04-28 |
2007-11-01 |
Toppan Printing Co., Ltd. |
Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
|
JP5028033B2
(ja)
|
2006-06-13 |
2012-09-19 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体膜のドライエッチング方法
|
JP4347322B2
(ja)
*
|
2006-07-14 |
2009-10-21 |
ソニー株式会社 |
受信装置および方法、並びにプログラム
|
JP4999400B2
(ja)
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|
2006-08-09 |
2012-08-15 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体膜のドライエッチング方法
|
JP4609797B2
(ja)
|
2006-08-09 |
2011-01-12 |
Nec液晶テクノロジー株式会社 |
薄膜デバイス及びその製造方法
|
JP4404881B2
(ja)
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2006-08-09 |
2010-01-27 |
日本電気株式会社 |
薄膜トランジスタアレイ、その製造方法及び液晶表示装置
|
JP4946286B2
(ja)
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|
2006-09-11 |
2012-06-06 |
凸版印刷株式会社 |
薄膜トランジスタアレイ、それを用いた画像表示装置およびその駆動方法
|
JP5227502B2
(ja)
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|
2006-09-15 |
2013-07-03 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
液晶表示装置の駆動方法、液晶表示装置及び電子機器
|
JP4332545B2
(ja)
|
2006-09-15 |
2009-09-16 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタ及びその製造方法
|
JP4274219B2
(ja)
|
2006-09-27 |
2009-06-03 |
セイコーエプソン株式会社 |
電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
|
JP5164357B2
(ja)
|
2006-09-27 |
2013-03-21 |
キヤノン株式会社 |
半導体装置及び半導体装置の製造方法
|
US7622371B2
(en)
|
2006-10-10 |
2009-11-24 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
|
JP2008108985A
(ja)
*
|
2006-10-26 |
2008-05-08 |
Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center |
半導体素子の製法
|
US7772021B2
(en)
|
2006-11-29 |
2010-08-10 |
Samsung Electronics Co., Ltd. |
Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
|
JP2008140684A
(ja)
|
2006-12-04 |
2008-06-19 |
Toppan Printing Co Ltd |
カラーelディスプレイおよびその製造方法
|
KR101303578B1
(ko)
|
2007-01-05 |
2013-09-09 |
삼성전자주식회사 |
박막 식각 방법
|
JP5508662B2
(ja)
*
|
2007-01-12 |
2014-06-04 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置
|
US8207063B2
(en)
|
2007-01-26 |
2012-06-26 |
Eastman Kodak Company |
Process for atomic layer deposition
|
JP5121254B2
(ja)
*
|
2007-02-28 |
2013-01-16 |
キヤノン株式会社 |
薄膜トランジスタおよび表示装置
|
KR100851215B1
(ko)
|
2007-03-14 |
2008-08-07 |
삼성에스디아이 주식회사 |
박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
|
JP2008225353A
(ja)
*
|
2007-03-15 |
2008-09-25 |
Ricoh Co Ltd |
画像表示システム、画像表示方法、およびプログラム
|
JP4727684B2
(ja)
*
|
2007-03-27 |
2011-07-20 |
富士フイルム株式会社 |
薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
|
US7795613B2
(en)
|
2007-04-17 |
2010-09-14 |
Toppan Printing Co., Ltd. |
Structure with transistor
|
KR101325053B1
(ko)
|
2007-04-18 |
2013-11-05 |
삼성디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
|
KR20080094300A
(ko)
|
2007-04-19 |
2008-10-23 |
삼성전자주식회사 |
박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
|
KR101334181B1
(ko)
|
2007-04-20 |
2013-11-28 |
삼성전자주식회사 |
선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
|
WO2008133345A1
(en)
|
2007-04-25 |
2008-11-06 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Oxynitride semiconductor
|
KR101345376B1
(ko)
|
2007-05-29 |
2013-12-24 |
삼성전자주식회사 |
ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
|
US7903107B2
(en)
*
|
2007-06-18 |
2011-03-08 |
Sony Ericsson Mobile Communications Ab |
Adaptive refresh rate features
|
JP2009031750A
(ja)
*
|
2007-06-28 |
2009-02-12 |
Fujifilm Corp |
有機el表示装置およびその製造方法
|
KR20090002841A
(ko)
*
|
2007-07-04 |
2009-01-09 |
삼성전자주식회사 |
산화물 반도체, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
|
JP5160836B2
(ja)
*
|
2007-08-08 |
2013-03-13 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
テレビジョン受像機
|
CN101821797A
(zh)
*
|
2007-10-19 |
2010-09-01 |
株式会社半导体能源研究所 |
显示器件及其驱动方法
|
CN103258857B
(zh)
*
|
2007-12-13 |
2016-05-11 |
出光兴产株式会社 |
使用了氧化物半导体的场效应晶体管及其制造方法
|
JP5215158B2
(ja)
|
2007-12-17 |
2013-06-19 |
富士フイルム株式会社 |
無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
|
JP2009206508A
(ja)
*
|
2008-01-31 |
2009-09-10 |
Canon Inc |
薄膜トランジスタ及び表示装置
|
JP2009224595A
(ja)
*
|
2008-03-17 |
2009-10-01 |
Fujifilm Corp |
有機電界発光表示装置及びその製造方法
|
JP2009231664A
(ja)
*
|
2008-03-25 |
2009-10-08 |
Idemitsu Kosan Co Ltd |
電界効果トランジスタ及びその製造方法
|
JP2009246775A
(ja)
*
|
2008-03-31 |
2009-10-22 |
Canon Inc |
画像再生装置
|
JP2009253204A
(ja)
*
|
2008-04-10 |
2009-10-29 |
Idemitsu Kosan Co Ltd |
酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
|
KR101468591B1
(ko)
*
|
2008-05-29 |
2014-12-04 |
삼성전자주식회사 |
산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터
|
US9600175B2
(en)
*
|
2008-07-14 |
2017-03-21 |
Sony Corporation |
Method and system for classification sign display
|
JP4623179B2
(ja)
|
2008-09-18 |
2011-02-02 |
ソニー株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
JP5451280B2
(ja)
|
2008-10-09 |
2014-03-26 |
キヤノン株式会社 |
ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
|
US20100166383A1
(en)
*
|
2008-12-31 |
2010-07-01 |
Nxp B.V. |
System and method for providing trick modes
|
US20100198582A1
(en)
*
|
2009-02-02 |
2010-08-05 |
Gregory Walker Johnson |
Verbal command laptop computer and software
|
KR101801540B1
(ko)
|
2009-10-16 |
2017-11-27 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함한 전자 기기
|
WO2011068106A1
(en)
|
2009-12-04 |
2011-06-09 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device and electronic device including the same
|
KR101763660B1
(ko)
|
2009-12-18 |
2017-08-01 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
액정 표시 장치 및 그 구동 방법
|
KR101763508B1
(ko)
|
2009-12-18 |
2017-07-31 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치의 구동 방법 및 표시 장치
|
WO2011081011A1
(en)
|
2009-12-28 |
2011-07-07 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
|
CN105353551A
(zh)
|
2009-12-28 |
2016-02-24 |
株式会社半导体能源研究所 |
液晶显示装置及电子设备
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