JP2011170343A - 表示装置の表示方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】デジタルデータファイルで提供される画像と、デジタルデータファイルで提供される表示装置の動作に関連付けられた情報を用いて、オフ電流が低減されたスイッチング素子に接続された画素電極を有する画素を複数設けた表示装置に、画像を表示すればよい。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、デジタルデータファイルで提供される画像の種類に応じて表示装置の動作を決定し、当該画像を表示する表示装置の構成及び方法について図1、乃至図6を用いて説明する。
本実施の形態では、デジタルデータファイルで提供される表示装置の動作に関連付けられた情報を用いて、デジタルデータファイルで提供される画像を、オフ電流が低減されたスイッチング素子を画素に設けた表示装置で表示する方法について説明する。特に、動画の標準再生モード、及び表示パネルのリフレッシュ動作を低減して再生する簡易再生モードについて図3、乃至図7を用いて説明する。
本実施の形態では、本明細書に開示する表示装置に適用できるトランジスタの例を示す。本明細書に開示する表示装置に適用できるトランジスタの構造は特に限定されず、例えばトップゲート構造、又はボトムゲート構造のスタガ型及びプレーナ型などを用いることができる。また、トランジスタはチャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造でも、二つ形成されるダブルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。また、チャネル領域の上下にゲート絶縁層を介して配置された2つのゲート電極層を有する、デュアルゲート型でもよい。なお、図8(A)乃至(D)にトランジスタの断面構造の一例を以下に示す。図8(A)乃至(D)に示すトランジスタは、半導体として酸化物半導体を用いるものである。酸化物半導体を用いることのメリットは、比較的簡単かつ低温のプロセスで高い移動度と低いオフ電流が得られることであるが、もちろん、他の半導体を用いてもよい。
本実施の形態は、酸化物半導体層を含むトランジスタ、及び作製方法の一例を、図9を用いて詳細に説明する。上記実施の形態と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程は、上記実施の形態と同様に行うことができ、繰り返しの説明は省略する。
本実施の形態においては、上記実施の形態で説明した表示装置を具備する電子機器の例について説明する。
110 画像処理回路
113 表示制御回路
116 記憶回路
117 分離回路
119 デコーダ
120 表示パネル
121 駆動回路部
121A ゲート線側駆動回路
121B 信号線側駆動回路
122 画素部
123 画素
124 ゲート線
125 信号線
126 端子部
126A 端子
126B 端子
127 スイッチング素子
128 共通電極部
130 照明手段
210 容量素子
214 トランジスタ
215 表示素子
301 期間
302 期間
303 期間
304 期間
400 基板
401 ゲート電極層
402 ゲート絶縁層
403 酸化物半導体層
405a ソース電極層
405b ドレイン電極層
407 絶縁層
409 保護絶縁層
410 トランジスタ
420 トランジスタ
427 絶縁層
430 トランジスタ
436a 配線層
436b 配線層
437 絶縁層
440 トランジスタ
450 窒素雰囲気下
505 基板
506 保護絶縁層
507 ゲート絶縁層
510 トランジスタ
511 ゲート電極層
515a ソース電極層
515b ドレイン電極層
516 絶縁層
530 酸化物半導体膜
531 酸化物半導体層
601 期間
602 期間
603 期間
604 期間
9630 筐体
9631 表示部
9632 操作キー
9633 太陽電池
9634 充放電制御回路
9635 バッテリー
9636 コンバータ
9637 コンバータ
Claims (6)
- デジタルデータファイルで提供される画像と、
前記デジタルデータファイルで提供される表示装置の動作に関連付けられた情報を用いて、
オフ電流が低減されたスイッチング素子に接続された画素電極を有する画素を複数設けた表示装置に、前記画像を表示する表示方法。 - 表示パネルと、画像処理回路と、を有し、
前記表示パネルは画素を複数有し、
前記画素は走査線と信号線に接続され、
オフ電流が低減されたトランジスタと、
前記トランジスタに接続された画素電極と、を有し、
前記画素電極は液晶の配向状態を制御し、
前記画像処理回路は、
デジタルデータファイルで提供される表示装置の動作に関連付けられた情報を記憶する記憶回路と、
前記デジタルデータファイルで提供される表示装置の動作に関連付けられた情報に従って表示パネルに画像信号と制御信号を出力する表示制御回路と、を有する表示装置の表示方法。 - 前記デジタルデータファイルで提供される表示装置の動作に関連付けられた情報がデジタルデータファイルの拡張子である、
請求項1又は請求項2記載の表示装置の表示方法。 - 前記デジタルデータファイルで提供される表示装置の動作に関連付けられた情報がスクリプトである、
請求項1又は請求項2記載の表示装置の表示方法。 - 前記デジタルデータファイルで提供される表示装置の動作に関連付けられた情報がヘッダ情報である、
請求項1又は請求項2記載の表示装置の表示方法。 - 高純度化された酸化物半導体層を含むトランジスタに接続された液晶素子を画素に有する、
請求項1乃至請求項5記載の表示装置の表示方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020126269A (ja) * | 2013-05-21 | 2020-08-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101878224B1 (ko) | 2010-01-24 | 2018-07-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치와 이의 제조 방법 |
US8988409B2 (en) | 2011-07-22 | 2015-03-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods and devices for voltage reduction for active matrix displays using variability of pixel device capacitance |
US20130021309A1 (en) * | 2011-07-22 | 2013-01-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods and devices for driving a display using both an active matrix addressing scheme and a passive matrix addressing scheme |
KR102087967B1 (ko) * | 2013-07-30 | 2020-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 구동 방법 |
KR102207220B1 (ko) * | 2013-09-05 | 2021-01-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 드라이버, 디스플레이 드라이버 구동방법 및 영상 표시 시스템 |
KR102485165B1 (ko) * | 2015-08-21 | 2023-01-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 구동 방법 |
CN105388646B (zh) * | 2015-12-14 | 2019-02-12 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示屏及液晶显示屏的色偏补偿方法 |
CN105654052A (zh) * | 2015-12-31 | 2016-06-08 | 田雪松 | 点阵文件切割方法 |
US10347174B2 (en) * | 2017-01-03 | 2019-07-09 | Solomon Systech Limited | System of compressed frame scanning for a display and a method thereof |
JP6375016B1 (ja) * | 2017-04-26 | 2018-08-15 | 住友化学株式会社 | 電極付き基板、積層基板及び有機デバイスの製造方法 |
CN107318048B (zh) * | 2017-06-06 | 2019-12-10 | 深圳市创维软件有限公司 | 一种电压采集方法、装置及存储介质 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05224626A (ja) * | 1992-02-14 | 1993-09-03 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置 |
JP2008065225A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ、それを用いた画像表示装置およびその駆動方法 |
JP2008233925A (ja) * | 2000-10-05 | 2008-10-02 | Sharp Corp | 表示装置の駆動方法、それを用いた表示装置、およびその表示装置を搭載した携帯機器 |
Family Cites Families (155)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH05265961A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-15 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 電子ブック |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
DE69635107D1 (de) | 1995-08-03 | 2005-09-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
US6219381B1 (en) * | 1997-05-26 | 2001-04-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image processing apparatus and method for realizing trick play |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
JP3413118B2 (ja) * | 1999-02-02 | 2003-06-03 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置 |
TW460731B (en) * | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4137394B2 (ja) * | 2000-10-05 | 2008-08-20 | シャープ株式会社 | 表示装置の駆動方法、それを用いた表示装置、およびその表示装置を搭載した携帯機器 |
EP1296174B1 (en) | 2000-04-28 | 2016-03-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display unit, drive method for display unit, electronic apparatus mounting display unit thereon |
JP3766926B2 (ja) | 2000-04-28 | 2006-04-19 | シャープ株式会社 | 表示装置の駆動方法およびそれを用いた表示装置ならびに携帯機器 |
JP4040826B2 (ja) * | 2000-06-23 | 2008-01-30 | 株式会社東芝 | 画像処理方法および画像表示システム |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP2002158893A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-05-31 | Minolta Co Ltd | 画像補正装置、画像補正方法および記録媒体 |
JP3730159B2 (ja) * | 2001-01-12 | 2005-12-21 | シャープ株式会社 | 表示装置の駆動方法および表示装置 |
JP2002223291A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Olympus Optical Co Ltd | 無線携帯情報表示装置 |
JP3997731B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3749147B2 (ja) * | 2001-07-27 | 2006-02-22 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
JP3815599B2 (ja) * | 2001-08-30 | 2006-08-30 | 株式会社ディーアンドエムホールディングス | データ再生装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) * | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) * | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) * | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4186767B2 (ja) * | 2002-10-31 | 2008-11-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) * | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) * | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
EP1737044B1 (en) * | 2004-03-12 | 2014-12-10 | Japan Science and Technology Agency | Amorphous oxide and thin film transistor |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7145174B2 (en) * | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) * | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP4877873B2 (ja) * | 2004-08-03 | 2012-02-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及びその作製方法 |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) * | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
JP2006098765A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Seiko Epson Corp | 画像表示装置、画像表示システム、画像出力機器、及び画像表示装置のリフレッシュレート設定方法 |
JP4698998B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2011-06-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
JP4754798B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2011-08-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
US7298084B2 (en) * | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7453065B2 (en) * | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
AU2005302962B2 (en) * | 2004-11-10 | 2009-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous oxide and field effect transistor |
US7872259B2 (en) * | 2004-11-10 | 2011-01-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
JP5126729B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-01-23 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置 |
US7829444B2 (en) * | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7791072B2 (en) * | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7863611B2 (en) * | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
CA2585071A1 (en) * | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor employing an amorphous oxide |
US7579224B2 (en) * | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI505473B (zh) * | 2005-01-28 | 2015-10-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI445178B (zh) * | 2005-01-28 | 2014-07-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) * | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) * | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) * | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) * | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) * | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) * | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) * | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) * | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) * | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) * | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP2007073705A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4280736B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP5116225B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP5371174B2 (ja) * | 2005-09-12 | 2013-12-18 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置及び画像表示方法 |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
EP1998375A3 (en) * | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method |
JP5037808B2 (ja) * | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR101117948B1 (ko) * | 2005-11-15 | 2012-02-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 디스플레이 장치 제조 방법 |
JP5395994B2 (ja) * | 2005-11-18 | 2014-01-22 | 出光興産株式会社 | 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ |
TWI292281B (en) * | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) * | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) * | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) * | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
JP5015473B2 (ja) * | 2006-02-15 | 2012-08-29 | 財団法人高知県産業振興センター | 薄膜トランジスタアレイ及びその製法 |
US7977169B2 (en) * | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
US8599111B2 (en) * | 2006-03-10 | 2013-12-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Driving circuit of display element and image display apparatus |
CN101047814A (zh) * | 2006-03-30 | 2007-10-03 | 南京Lg同创彩色显示系统有限责任公司 | 无线电视接收机的字幕显示方法 |
JP5508664B2 (ja) * | 2006-04-05 | 2014-06-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置及び電子機器 |
KR20070101595A (ko) * | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) * | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) * | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4347322B2 (ja) * | 2006-07-14 | 2009-10-21 | ソニー株式会社 | 受信装置および方法、並びにプログラム |
JP4404881B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2010-01-27 | 日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法及び液晶表示装置 |
JP4609797B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP5227502B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2013-07-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の駆動方法、液晶表示装置及び電子機器 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4274219B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5164357B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7622371B2 (en) * | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
JP2008108985A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center | 半導体素子の製法 |
US7772021B2 (en) * | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) * | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
JP5508662B2 (ja) * | 2007-01-12 | 2014-06-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US8207063B2 (en) * | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
JP5121254B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2013-01-16 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
KR100851215B1 (ko) * | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
JP2008225353A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Ricoh Co Ltd | 画像表示システム、画像表示方法、およびプログラム |
JP4727684B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2011-07-20 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
US7795613B2 (en) * | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) * | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) * | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) * | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
US8274078B2 (en) * | 2007-04-25 | 2012-09-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Metal oxynitride semiconductor containing zinc |
KR101345376B1 (ko) * | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US7903107B2 (en) * | 2007-06-18 | 2011-03-08 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | Adaptive refresh rate features |
JP2009031750A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-02-12 | Fujifilm Corp | 有機el表示装置およびその製造方法 |
KR20090002841A (ko) * | 2007-07-04 | 2009-01-09 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP5160836B2 (ja) * | 2007-08-08 | 2013-03-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | テレビジョン受像機 |
KR101563692B1 (ko) * | 2007-10-19 | 2015-10-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 그 구동 방법 |
WO2009075281A1 (ja) * | 2007-12-13 | 2009-06-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
US8202365B2 (en) * | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
JP2009206508A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-09-10 | Canon Inc | 薄膜トランジスタ及び表示装置 |
JP2009224595A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Fujifilm Corp | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
JP2009231664A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
JP2009246775A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Canon Inc | 画像再生装置 |
JP2009253204A (ja) * | 2008-04-10 | 2009-10-29 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
KR101468591B1 (ko) * | 2008-05-29 | 2014-12-04 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 |
US9600175B2 (en) * | 2008-07-14 | 2017-03-21 | Sony Corporation | Method and system for classification sign display |
JP4623179B2 (ja) * | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) * | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
US20100166383A1 (en) * | 2008-12-31 | 2010-07-01 | Nxp B.V. | System and method for providing trick modes |
US20100198582A1 (en) * | 2009-02-02 | 2010-08-05 | Gregory Walker Johnson | Verbal command laptop computer and software |
KR101717460B1 (ko) * | 2009-10-16 | 2017-03-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함한 전자 기기 |
KR101840623B1 (ko) * | 2009-12-04 | 2018-03-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기 |
CN102656625B (zh) * | 2009-12-18 | 2016-08-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 用于驱动液晶显示设备的方法 |
CN107886916B (zh) * | 2009-12-18 | 2021-09-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示装置及其驱动方法 |
WO2011081011A1 (en) * | 2009-12-28 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
CN105353551A (zh) * | 2009-12-28 | 2016-02-24 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示装置及电子设备 |
-
2011
- 2011-01-13 KR KR1020127021483A patent/KR101816505B1/ko active IP Right Grant
- 2011-01-13 WO PCT/JP2011/050902 patent/WO2011090087A1/en active Application Filing
- 2011-01-13 CN CN201180006612.6A patent/CN102714029B/zh active Active
- 2011-01-18 US US13/008,233 patent/US8947406B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-01-19 TW TW100101965A patent/TWI573119B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-01-20 JP JP2011009493A patent/JP5631759B2/ja active Active
-
2014
- 2014-10-08 JP JP2014206929A patent/JP2015045872A/ja not_active Withdrawn
-
2016
- 2016-07-05 JP JP2016133085A patent/JP2016181005A/ja not_active Withdrawn
-
2017
- 2017-03-28 JP JP2017062448A patent/JP2017120446A/ja not_active Withdrawn
- 2017-12-19 JP JP2017242406A patent/JP2018060225A/ja not_active Withdrawn
-
2019
- 2019-06-24 JP JP2019116414A patent/JP2019174839A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05224626A (ja) * | 1992-02-14 | 1993-09-03 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置 |
JP2008233925A (ja) * | 2000-10-05 | 2008-10-02 | Sharp Corp | 表示装置の駆動方法、それを用いた表示装置、およびその表示装置を搭載した携帯機器 |
JP2008065225A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ、それを用いた画像表示装置およびその駆動方法 |
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