JP2011228450A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面を保護するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムと、ダイシングテープとを備えるダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムであって、
   前記ダイシングテープは、基材上に少なくとも粘着剤層が設けられた構造であり、
   前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムは前記粘着剤層上に設けられており、
   前記粘着剤層は、放射線の照射により、前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムに対する粘着力が低下する放射線硬化型であり、
   前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムに対する前記粘着剤層の粘着力が０．０２Ｎ／２０ｍｍ〜１０Ｎ／２０ｍｍであり、
   前記粘着力は、放射線硬化前の値であるダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム。
2. 前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムは着色剤が添加されたものである請求項１に記載のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム。
3. 請求項１に記載のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、
   前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムに於けるフリップチップ型半導体裏面用フィルム上に半導体ウェハを貼着する工程と、
   前記半導体ウェハをダイシングして半導体素子を形成する工程と、
   前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムにおける前記粘着剤層に対し、前記基材側から放射線を照射する工程と、
   前記半導体素子を前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムと共に、ダイシングテープの粘着剤層から剥離する工程と、
   前記半導体素子を前記被着体上にフリップチップ接続させる工程とを具備する半導体装置の製造方法。
4. 請求項３に記載の半導体装置の製造方法により製造されたものであるフリップチップ型半導体装置。