CN110582839B - 辐射固化型切割用粘合带 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种辐射固化型切割用粘合带，其即使对于设置有贯通电极的半导体芯片等也能够在拾取工序中容易地进行拾取而不产生残胶。本发明的辐射固化型切割用粘合带1是在基材片2上设置有辐射固化型粘合剂层3的辐射固化型粘合带1，其特征在于，辐射固化后的拉伸弹性模量与辐射固化前的拉伸弹性模量之比小于1.0。

Description

辐射固化型切割用粘合带
技术领域
本发明涉及在为了使半导体晶片等实现元件小片化而进行切割分离(切割)时用于固定该半导体晶片等被切割体的粘合带。
背景技术
以往的半导体装置是将设置在基板上的半导体芯片通过引线接合进行导电连接而制造的。近年来，对于设备的进一步小型化、薄型化、轻量化的要求，针对这些设备的内部所使用的以半导体装置为首的电子部件也提出了同样的要求。为了实现电子部件的小型化，提出了例如层叠半导体芯片来实现高密度安装的三维安装技术(例如参照专利文献1)。进而，作为进行三维安装技术的方法，例如提出了对芯片形成从表面向背面贯通的电极(贯通电极)，并将该芯片借助该电极而层叠于被称为内插器(interposer)的安装用芯片而得的半导体封装结构(例如参照专利文献2)。
正在进行以下的研究：在将形成有贯通电极的晶片切割分离为元件小片(半导体芯片)(切割工序)、拾取这些半导体芯片的工序(拾取工序)中，使用具有辐射固化型粘合层的晶片切割加工用粘合带。
在使用具有辐射固化型粘合层的晶片切割用粘合带的情况下，必须在切割工序中充分地保持晶片。但是，设置有贯通电极的晶片通常在一面或两面存在高度为3μm～几十μm的贯通电极的突起部。因此，即使贴合以往的切割加工用粘合带，也无法追随于该突起部而无法保持晶片的情况很多。进而，其结果是，有时会在贯通电极的突起周边部产生空隙。通常，在切割工序中，利用被称为刀片的旋转刃而单片化为芯片。若在粘合剂层与贯通电极的突起周边部之间存在空隙而无法充分保持，则会由于切削时的冲击而导致芯片振动，引起刀片与芯片的碰撞，产生芯片缺损(破片，tipping)而使芯片的成品率降低。
为了消除切割工序中的不良情况，提出了使粘合剂层的凝胶分数和10℃下的储能模量在特定范围内的辐射固化型切割用粘合带(例如参照专利文献3)。专利文献3的辐射固化型切割用粘合带通过具有凝胶分数和储能模量在特定范围内的粘合剂层，从而消除了切割工序中的上述不良情况。
然而，上述专利文献3的辐射固化型切割用粘合带在进行切割后，通过对粘合剂层照射辐射线使其固化而降低粘合力时，粘合剂层发生固化收缩，因此粘合剂层咬入贯穿电极等晶片表面的突起，存在无法良好地拾取所切割的半导体芯片的问题。上述专利文献3的辐射固化型切割用粘合带中，使用了包含因刺激而产生气体的气体产生剂的粘合剂。但是，从在粘合剂中产生气体的机理来看，由于粘合剂变脆，因此产生粘合剂碎屑对芯片的附着(残胶)，有可能使成品率降低。
因此，为了消除拾取工序中的不良情况，提出了将辐射线照射前后的杨氏模量设定在特定范围内的辐射固化型切割用粘合带(例如参照专利文献4)。专利文献4的辐射固化型切割用粘合带通过将辐射线照射前后的杨氏模量设定在特定范围内，从而消除了切割工序中的上述不良情况。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-50738号公报
专利文献2：日本特开2005-236245号公报
专利文献3：日本特开2006-202926号公报
专利文献4：日本专利5294365号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，近年来开发出贯通电极等晶片表面的突起的形状、高度各种各样的产品，存在即使使用上述专利文献4的辐射固化型切割用粘合带也会因粘合剂层的固化收缩而导致粘合剂层咬入晶片表面的突起、无法良好地拾取所切割的半导体芯片的问题。
因此，本发明的目的在于，提供一种即使对于设置有贯通电极的半导体芯片等也能够在拾取工序中容易地进行拾取而不产生残胶的辐射固化型切割用粘合带。
用于解决问题的手段
为了解决上述课题，本发明的辐射固化型切割用粘合带是在基材片上设置有辐射固化型粘合剂层的辐射固化型粘合带，其特征在于，辐射固化后的拉伸弹性模量与辐射固化前的拉伸弹性模量之比小于1.0。
优选上述辐射固化型切割用粘合带在23℃下测定的上述粘合剂层的辐射固化前的储能模量G'在测定频率0.1～10Hz的整个范围内为1.8×104Pa～4.0×104Pa。
另外，优选上述辐射固化型切割用粘合带的上述粘合剂层的辐射固化前的损耗系数tanδ为0.25以上。
另外，上述辐射固化型切割用粘合带可以在切割半导体晶片时适合地使用。
另外，上述辐射固化型切割用粘合带可以在上述半导体晶片的贴合于上述粘合剂层的面具有突起物或高度差的情况下适合地使用。
发明的效果
根据本发明，能够减少切割工序中的破片，而且即使对于设置有贯通电极的半导体芯片也能够在拾取工序中容易地进行拾取而不产生残胶。
附图说明
图1是示意性表示本发明的实施方式的辐射固化型切割用粘合带的结构的截面图。
图2是示意性表示使用本发明实施例的辐射固化型切割用粘合带进行了切割的芯片的结构的俯视图。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行详细说明。
本发明的实施方式的辐射固化型切割用粘合带1在基材片2的至少一侧形成有至少1层粘合剂层3。图1是表示本发明的辐射固化型切割用粘合带1的优选实施方式的概略截面图，辐射固化型切割用粘合带1具有基材片2，在基材片2上形成有粘合剂层3。
本发明的实施方式的辐射固化型切割用粘合带1的辐射固化后的拉伸弹性模量与辐射固化前的拉伸弹性模量之比(辐射固化后的拉伸弹性模量/辐射固化前的拉伸弹性模量)小于1.0。
将辐射固化型切割用粘合带1的要贴合粘合剂层3的面具有凸起或高度差的晶片贴合于辐射固化型切割用粘合带1时，优选凸起或高度差几乎完全被粘合剂层3掩埋。如果凸起或高度差与辐射固化型切割用粘合带1之间存在空隙，则因切割工序中的旋转刃(刀片)的振动而导致芯片大幅振动，发生与刀片或相邻的芯片的接触，产生芯片缺损。
另一方面，在凸起或高度差几乎完全被粘合剂层3掩埋的情况下，能够降低由旋转刃引起的振动的影响，但在构成粘合剂层3的粘合剂使用辐射固化型粘合剂组成的情况下，由于粘合剂层3在与凸起或高度差密合的状态下发生固化，因此，在拾取工序时，粘合剂层3钩挂在凸起或高度差上，有时产生无法拾取的不良情况。
在此，辐射固化型粘合剂是指至少含有在分子内末端具有碳-碳不饱和键的化合物(a)和被称为引发剂的通过接受辐射线而产生自由基的化合物的粘合组合物。通过被照射辐射线而使引发剂被活化，通过产生的自由基而使末端的碳-碳不饱和键接着被活化，从而陆续与化合物(a)键合，化合物(a)彼此形成交联。
在交联形成前，分散在粘合剂中的多个化合物(a)通过交联而聚集、键合，因此，粘合剂在交联后比交联前变硬。如果在与凸起或高度差密合的状态下发生该交联反应，则变硬的粘合剂会钩挂在凸起或高度差上，妨碍顺利的剥离。特别是，在具有贯通电极的晶片中，由于贯通晶片内部地形成有凸起，因此芯片强度显著弱，在存在剥离障碍的情况下，容易引起芯片破损。通过调整粘合剂的固化程度，能够抑制由该粘合剂的固化所引起的对凸起或高度差的钩挂。
作为观察粘合剂固化程度的指标，有辐射固化型切割用粘合带1的拉伸弹性模量。辐射固化前的拉伸弹性模量与固化后的拉伸弹性模量之比(辐射固化后的拉伸弹性模量/固化前的拉伸弹性模量)越接近1，则意味着与交联形成前相比的硬度变化越小。如上所述，辐射固化型粘合剂层3通过辐射线照射而发生固化反应，因此，通常上述比值大于1。
与此相对，本发明的实施方式的辐射固化型切割用粘合带1的辐射固化后的拉伸弹性模量与辐射固化前的拉伸弹性模量之比(辐射固化后的拉伸弹性模量/辐射固化前的拉伸弹性模量)小于1.0。
在该比值小于1.0的情况下，对凸起或高度差的钩挂少，能够容易地进行拾取。在该比值为1.0以上的情况下，根据凸起或高度差的大小而产生钩挂，在拾取工序的上推时，施加在芯片上的应力变大，无法拾取或产生芯片破损。
粘合剂的硬化程度取决于化合物(a)的含量、种类，为了使上述比值小于1.0，可以减少化合物(a)的含量。这是因为，在交联形成前进行分散而产生的化合物(a)及其他构成物的分子的相互缠绕因化合物(a)在交联反应中聚集而得以消除。
另外，此处的拉伸弹性模量是根据JIS K 7127:1999而得到的值。另外，一般而言，与粘合剂层3相比，基材片2更厚且刚性更高，但通过采取辐射固化型切割用粘合带1的拉伸弹性模量之比，能够仅对粘合剂层3的拉伸弹性模量进行对比。
在此，辐射线的照射量没有特别限制，例如在紫外线的情况下，优选为100～1000mJ/cm2，进一步优选为200～500mJ/cm2。
为了防止半导体芯片的破片，优选在23℃下测定的辐射固化前的粘合剂层3的储能模量G'在测定频率为0.1～10Hz的整个范围内为1.8×104～4.0×104Pa。G'低于1.8×104Pa时，粘合剂层3能够充分地密合于凸起或高度差，但由于粘合剂层3过于柔软，因此无法抑制切割工序中由旋转刃引起的振动，产生破片。另外，大于4.0×104Pa时，粘合剂层3无法充分密合于凸起或高度差，形成空隙，因此，由于切割工序中的旋转刃的振动而产生破片。
另外，为了维持粘合剂层3充分地密合于凸起或高度差的状态，优选辐射固化前的粘合剂层3的损耗系数tanδ为0.25以上。损耗系数tanδ用损耗模量G"与储能模量G'之比(G"/G')表示。在tanδ小的情况下，即使在粘合剂层3能够充分地密合于凸起或高度差的情况下，也会由于回弹能力大而难以维持密合的状态。粘合剂层3的损耗系数tanδ小于0.25时，无法维持密合的状态，在晶片与粘合带之间产生空隙，根据上述机理，破片可能会恶化。
以下，对本实施方式的辐射固化型切割用粘合带1的各构成要素进行详细说明。
(基材片2)
构成基材片2的树脂没有特别限制，可以使用能够形成为片状的树脂。例如可以使用聚丙烯、高密度聚乙烯(HDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、线型低密度聚乙烯(LLDPE)、乙烯-丙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯-丙烯-二烯共聚物硫化物、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸丁酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚氨酯、聚酰胺、离聚物、丁腈橡胶、丁基橡胶、苯乙烯异戊二烯橡胶、苯乙烯丁二烯橡胶、天然橡胶及其氢化物或改性物等。这些树脂可以单独使用，或者混合两种以上使用，还可以形成2层以上的多层结构。
基材片2的厚度没有特别限制，但如果过薄则操作困难，如果过厚则在拾取工序时难以传递上推夹具的应力，因此优选50～150μm，进一步优选70～100μm。
为了提高密合性，可以对基材片2的与粘合剂层3接触的面实施电晕处理或者实施底漆等处理。
(粘合剂层3)
构成粘合剂层3的粘合剂组合物优选使用例如日本特开平7-135189号公报等中记载的粘合剂组合物，但不限于这些，可以使用对于橡胶类或丙烯酸类的基础聚合物配合在分子中具有至少2个辐射线聚合性碳-碳双键的化合物(以下称为光聚合性化合物)以及光聚合引发剂而成的粘合剂组合物，或者在丙烯酸类的基础聚合物上加成具有碳-碳双键的化合物而成的粘合剂组合物。
作为在丙烯酸类聚合物中引入碳-碳双键的方法，没有特别限制，例如可以列举如下方法等：在使用具有官能团的单体作为共聚性单体进行共聚而制备含有官能团的丙烯酸类聚合物后，使具有能够与含有官能团的丙烯酸类聚合物中的官能团发生反应的官能团和碳-碳双键的化合物在维持碳-碳双键的辐射固化性(辐射线聚合性)的状态下与含有官能团的丙烯酸类聚合物进行缩合反应或加成反应，由此制备在分子内具有碳-碳双键的丙烯酸类聚合物。
上述橡胶类或丙烯酸类的基础聚合物可以使用天然橡胶、各种合成橡胶等橡胶类聚合物；或者聚(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸烷基酯与能够与其共聚的其它不饱和单体的共聚物等丙烯酸类聚合物。
作为光聚合性化合物，例如可以列举三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、甘油二(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸与多元醇的酯化物；酯丙烯酸酯低聚物；2-丙烯基-二-3-丁烯基氰脲酸酯等具有含碳-碳双键的基团的氰脲酸酯系化合物；异氰脲酸三(2-丙烯酰氧基乙基)酯、异氰脲酸三(2-甲基丙烯酰氧基乙基)酯、双(2-丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸2-羟基乙酯、2-[(5-丙烯酰氧基己基)氧基]乙基异氰脲酸双(2-丙烯酰氧基乙基)酯，三(1,3-二丙烯酰氧基-2-丙基-氧基羰基氨基-正己基)异氰脲酸酯、三(1-丙烯酰氧基乙基-3-甲基丙烯酰氧基-2-丙基-氧基羰基氨基-正己基)异氰脲酸酯、三(4-丙烯酰氧基-正丁基)异氰脲酸酯等具有含碳-碳双键的基团的异氰脲酸酯系化合物等。这些光聚合性化合物可以单独使用，也可以组合2种以上使用。
若辐射固化前后的拉伸弹性模量比小于1.0，则一分子中的碳-碳双键数没有特别限制，一分子中的碳-碳双键数优选为2～6个。另外，对于配合量也没有特别限制，相对于粘合剂的上述基础聚合物100质量份，优选10～90质量份，进一步优选10～40质量份。
通过在粘合剂中混入光聚合引发剂，可以使辐射固化型粘合剂发生由辐射线照射引起的聚合固化反应。作为这样的光聚合引发剂，例如可以举出苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻丙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚等苯偶姻烷基醚类引发剂；二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮、聚乙烯基二苯甲酮等二苯甲酮系引发剂；α-羟基环己基苯基酮、4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α,α'-二甲基苯乙酮、甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-吗啉代丙烷-1等芳香族酮系引发剂；苄基二甲基缩酮等芳香族缩酮系引发剂；噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2-乙基噻吨酮、2-异丙基噻吨酮、2-十二烷基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二异丙基噻吨酮等噻吨酮系引发剂；苯偶姻等苯偶姻系引发剂；以及α-酮醇系化合物(2-甲基-2-羟基苯丙酮等)、芳香族磺酰氯系化合物(2-萘磺酰氯等)、光活性肟系化合物(1-苯酮-1,1-丙二酮-2-(邻乙氧基羰基)肟等)、樟脑醌、卤化酮、酰基氧化膦、酰基膦酸酯等。光聚合引发剂可以单独使用或组合2种以上使用。
光聚合引发剂的配合量没有特别限制，相对于粘合剂的上述基础聚合物100质量份，优选为1～10质量份，进一步优选为2～7质量份。
另外，在上述粘合剂中，根据需要可以配合异氰酸酯系固化剂。作为异氰酸酯系固化剂，具体来说，可以使用多异氰酸酯化合物，例如2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、1,3-苯二亚甲基二异氰酸酯、1,4-苯二亚甲基二异氰酸酯、二苯基甲烷-4,4'-二异氰酸酯、二苯基甲烷-2,4'-二异氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、二环己基甲烷-4,4'-二异氰酸酯、二环己基甲烷-2,4'-二异氰酸酯、赖氨酸异氰酸酯等。
固化剂的配合量没有特别限制，相对于粘合剂的上述基础聚合物100质量份，优选为0.01～10质量份，进一步优选为0.1～5质量份。
在用于形成辐射固化型粘合剂的粘合剂组合物中，根据需要可以含有例如增粘剂、抗老化剂、填充剂、着色剂、阻燃剂、防静电剂、软化剂、紫外线吸收剂、抗氧化剂、增塑剂、表面活性剂等公知的添加剂等。
本发明中的粘合剂层3可以利用公知的粘合剂层3的形成方法来形成。例如，通过将上述粘合剂组合物涂布于基材片2的规定面而形成粘合剂层的方法；或者将粘合剂组合物涂布在隔片(例如涂布有脱模剂的塑料制膜或片等)上而形成粘合剂层3后，将该粘合剂层3转印到基材片2的规定面上的方法，能够在基材片2上形成粘合剂层3。粘合剂层3的厚度只要高于凸起或高度差，则没有特别限制。
需要说明的是，图1中示出了具有粘合剂层3为单层的形态的辐射固化型切割用粘合带1，但也可以具有层叠了多个粘合剂层3的形态。层叠有多个粘合剂层3时，优选的是：具有在切割时贴合晶片的面的粘合剂层3为辐射固化型的粘合剂层3，在23℃下测定的辐射固化前的储能模量G'在测定频率为0.1～10Hz的整个范围内为1.8×104～4.0×104Pa，辐射固化前的损耗系数tanδ为0.25以上。
另外，根据需要，在供于实用之前的期间，为了保护粘合剂层3，也可以在粘合剂层3侧事先粘贴通常作为隔片使用的合成树脂膜。作为合成树脂膜的构成材料，可以举出聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等的合成树脂膜或纸等。为了提高从粘合剂层3剥离的剥离性，可以根据需要对合成树脂膜的表面实施硅酮处理、长链烷基处理、氟处理等剥离处理。合成树脂膜的厚度通常为10～100μm，优选为25～50μm左右。
＜使用方法＞
接着，对本发明的辐射固化型切割用粘合带1的使用方法进行说明。
本发明的辐射固化型切割用粘合带1在向作为被切割物的半导体部件粘贴的固定(mount)工序后，按照常规方法供于切割，再转移到辐射线照射、拾取工序。作为半导体部件，可以列举硅半导体、化合物半导体、半导体封装体、玻璃、陶瓷等，辐射固化型切割用粘合带1可以适合地用于具有贯通电极的半导体晶片的切割。
在固定工序中，通常将被切割物与辐射固化型切割用粘合带1重叠，一边通过使用了压接辊的按压装置等公知的按压装置进行按压，一边进行被切割物与粘合带的贴附。在与被切割物的密合不充分的情况下，也可以采用加热被切割物的方法。
在切割工序中，使刀片高速旋转，将被切割物切割成规定的尺寸。切割可以采用切入至切割带的一部分为止的、被称为全切割(full-cut)的切割方式等。
在切割后，通过紫外线的照射使粘合剂层3固化，使粘合性降低。通过紫外线照射，粘合剂层3的粘合性因固化而降低，可以使剥离变得容易。在此，紫外线的照射量没有特别限制，优选为100～1000mJ/cm2，进一步优选为200～500mJ/cm2。
在紫外线照射后，供于拾取工序。在拾取工序中，可以设置扩张工序。作为拾取方法，没有特别限定，可以采用以往公知的各种拾取方法。例如，可以列举利用针等工具从切割带上将各个切割片上推，并利用拾取装置拾取被上推的切割片的方法等。
以下，基于实施例对本发明进行更详细的说明，但本发明并不限定于这些实施例。
＜构成粘合剂层的树脂组合物＞
作为构成粘合剂层的树脂组合物，制备以下的A～F。
(粘合剂组合物A)
相对于100质量份的丙烯酸系聚合物(由23mol％的丙烯酸乙酯、56mol％的丙烯酸丁酯、21mol％的丙烯酸甲氧基乙酯构成的丙烯酸系共聚物(重均分子量为90万))100质量份，加入多异氰酸酯化合物(日本聚氨酯公司制，商品名：CORONATE L)2质量份、作为光聚合性化合物的四羟甲基甲烷四丙烯酸酯20质量份、以及光聚合引发剂(日本Ciba Geigy公司制，商品名：Irgacure 184)2质量份并进行混合，制备辐射固化性的粘合剂组合物A。
(粘合剂组合物B)
除了使光聚合性化合物为30质量份的季戊四醇三丙烯酸酯以外，与粘合剂组合物A同样地制备粘合剂组合物B。
(粘合剂组合物C)
除了使丙烯酸类聚合物为由丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸2-羟基乙酯形成的共聚物(重均分子量为50万)以外，与粘合剂组合物A同样地制备粘合剂组合物C。
(粘合剂组合物D)
除了使光聚合性化合物为二季戊四醇六丙烯酸酯、使配合量为18质量份以外，与粘合剂组合物C同样地制备粘合剂组合物D。
(粘合剂组合物E)
使0.15质量份的作为具有光聚合性碳-碳双键和官能团的化合物的2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(昭和电工公司制，商品名：KARENZ MOI)与100质量份的由丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸、丙烯酸2-羟基乙酯形成的丙烯酸系共聚物发生反应，得到相对于主链的重复单元键合了具有丙烯酸系单体部分的残基的聚合物(重均分子量为60万)，所述丙烯酸系单体部分具有含辐射固化性碳-碳双键的基团。相对于100质量份的上述聚合物，加入1质量份的多异氰酸酯化合物(日本聚氨酯公司制、商品名：CORONATE L)、及0.5质量份的光聚合引发剂(日本Ciba Geigy公司制，商品名：Irgacure-184)并混合，制备辐射固化性的粘合剂组合物E。
(粘合剂组合物F)
除了使多异氰酸酯化合物的配合量为0.25质量份以外，与粘合剂组合物E同样地制备粘合剂组合物F。
(粘合剂组合物J)
除了使2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯的配合量为0.1质量份以外，与粘合剂组合物F同样地制备粘合剂组合物J。
＜基材片＞
作为基材片，准备以下的G、H。
(基材片G)
将乙烯-甲基丙烯酸-Zn++离聚物树脂(三井杜邦Polychemical公司制，商品名：HIMILAN 1706)用双螺杆混炼机以约200℃进行膜挤出成型，制造厚度为100μm的基材片G。
(基材片H)
使用双螺杆混炼机以约200℃对乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(日本UNIKA公司制、商品名：NUC-3758)进行膜挤出成型，制造厚度为100μm的基材片H。
＜辐射固化型切割用粘合带的制作＞
如表1所示，在各基材片G、H上分别以干燥后的厚度成为25μm的方式涂布上述粘合剂组合物F，形成粘合剂层，制造实施例1、3～7、比较例1、2中的辐射固化型切割用粘合带。另外，以干燥后的厚度成为30μm的方式涂布粘合组合物A，形成粘合剂层，制造实施例2的辐射固化型切割用粘合带。
<粘合带的拉伸弹性模量比>
使用实施例1～7及比较例1、2的辐射固化型切割用粘合带，按照JIS K 7127/2/300，制作试验片并实施拉伸试验，算出紫外线照射前的拉伸弹性模量。另外，从粘合带试验样品的基材片侧照射200mJ/mm2的紫外线，使粘合剂层固化后，实施同样的试验，算出紫外线照射后的拉伸弹性模量。所有试验均将测定数n＝5的平均值作为试验结果。由这些结果算出拉伸弹性模量比((紫外线照射后)/(紫外线照射前))。其结果示于表1。
<粘合剂层的粘弹性>
将粘合剂组合物A～F分别以干燥后的厚度成为25μm的方式涂布在脱模膜上，形成粘合剂层后，将粘合剂层从脱模膜上剥离，以总厚度成为约2mm的方式重叠，制作试验样品。将该试验样品冲裁成直径为8mm的圆盘状，用平行板夹住，使用粘弹性测定装置(TAInstruments公司制、商品名：ARES)，在下述条件下进行测定。根据读取的数据记录储能模量G'的最大值和最小值、以及损耗系数tanδ的最小值。将其结果示于表1。
(测定条件)
测定频率：0.1～10Hz
设定温度：23℃
＜辐射固化型切割用粘合带的评价＞
准备8英寸、厚度为30μm的Si晶片，该Si晶片上以100μm的间隔形成有直径为15μm的球形突起5(参照图2)。然后，将实施例1～7和比较例1、2的辐射固化型切割用粘合带与环形框一起贴合。
(埋入性评价)
从刚贴合后的辐射固化型切割用粘合带面的上方用目视观察球形突起周围有无气泡。将没有气泡的情况作为合格品记为○，将气泡尺寸为10μm以下的情况作为可接受品记为△，将气泡尺寸大于10μm的情况作为不合格品记为×。将其结果示于表1。
(贴合后的经时变化评价)
贴合后，在切割盒中放置1小时后，实施与埋入性评价同样的评价。将与埋入性评价相比没有变化的情况作为合格品记为○，将气泡尺寸的扩大幅度为5μm以下的情况作为可接受品记为△，将气泡尺寸的扩大幅度大于5μm的情况作为不合格品记为×。将其结果示于表1。
然后，使用切割装置(DISCO公司制，商品名：DAD-340)，如图2所示那样，以使得芯片4的尺寸成为10mm见方的方式，在以下的条件下实施切割。需要说明的是，球形突起5如图2所示地形成，没有形成在刻划线上。
(切割条件)
刀片：DISCO公司制造的“27HECC”
刀片转速：40000rpm
切割速度：50mm/sec
切割深度：25μm
切断模式：顺铣(down cut)
(拾取性评价)
从辐射固化型切割用粘合带的基材片侧，以200mJ/mm2照射紫外线，使粘合剂层固化后，使用芯片拾取装置(Canon Machine公司制，商品名：CAP-300II)拾取单片化的芯片。在下述条件下拾取任意50个芯片，对拾取成功的芯片数进行计数，将50个芯片全部拾取成功的情况作为合格品记为○，将除此之外的情况作为不合格品记为×，评价拾取性。将其结果示于表1。需要说明的是，拾取失败是指无法剥离的情况以及所拾取的芯片产生裂纹的情况。
(拾取条件)
销数量：5根
销的间距：7.8×7.8mm
销尖端曲率：0.25mm
销上推量：0.30mm
(破片性评价)
利用光学显微镜观察在拾取性评价中采集的30个芯片的背面，测定破片的大小。将从芯片端部起到破片最深处为止的距离为5μm以下的情况作为合格品评价为○，将从芯片端部起到破片最深处为止的距离为6～15μm的情况作为可接受品评价为△，将大于15μm的情况作为不合格品评价为×。将其结果示于表1。
[表1]
Figure GDA0004025942350000141
如表1所示，实施例1～7的辐射固化型切割用粘合带由于辐射固化后的拉伸弹性模量相对于辐射固化前的拉伸弹性模量之比小于1.0，因此拾取性良好。与此相对，比较例1、2的辐射固化型切割用粘合带由于辐射固化后的拉伸弹性模量相对于辐射固化前的拉伸弹性模量之比超过1.0，因此无法良好地拾取。
另外，实施例1～3的辐射固化型切割用粘合带在23℃下测定的粘合剂层的辐射固化前的储能模量G'在测定频率为0.1～10Hz的整个范围内为1.8×104～4.0×104Pa，且粘合剂层的辐射固化前的损耗系数tanδ为0.25以上，因此埋入性、破片性、贴合后的经时变化均良好。与此相对，实施例4的辐射固化型切割用粘合带由于粘合剂层的辐射固化前的储能模量G'超过4.0×104Pa，因此与实施例1～3和实施例5的辐射固化型切割用粘合带相比，虽然埋入性差且破片性降低，但在容许范围内。另外，实施例6、7的辐射固化型切割用粘合带由于粘合剂层的辐射固化前的储能模量G'低于1.8×104Pa，因此与实施例1～5的辐射固化型切割用粘合带相比，虽然破片性差，但在容许范围内。另外，实施例5～7的辐射固化型切割用粘合带由于粘合剂层的辐射固化前的损耗系数tanδ小于0.25，因此与实施例1～4的辐射固化型切割用粘合带相比，由于贴合后的经时变化而产生晶片的浮起，破片性降低，但在容许范围内。
附图标记说明
1：辐射固化型切割用粘合带
2：基材片
3：粘合剂层
4：芯片
5：球形突起

Claims (5)

1.一种辐射固化型切割用粘合带，其为在基材片上设置有辐射固化型粘合剂层的辐射固化型粘合带，其特征在于，辐射固化后的拉伸弹性模量与辐射固化前的拉伸弹性模量之比为0.9以下，
在23℃下测定的所述粘合剂层的辐射固化前的储能模量G'在测定频率为0.1Hz～10Hz的整个范围内为1.8×104Pa～4.0×104Pa。
2.根据权利要求1所述的辐射固化型切割用粘合带，其特征在于，所述粘合剂层的辐射固化前的损耗系数tanδ为0.25以上。
3.根据权利要求1或2所述的辐射固化型切割用粘合带，其特征在于，在切割半导体晶片时使用。
4.根据权利要求3所述的辐射固化型切割用粘合带，其特征在于，所述半导体晶片在贴合于所述粘合剂层的面上具有突起物。
5.根据权利要求3所述的辐射固化型切割用粘合带，其特征在于，所述半导体晶片在贴合于所述粘合剂层的面上具有高度差。
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