JP6800167B2 - 半導体加工用テープ - Google Patents

Description

本発明は、半導体加工用テープに関し、特に、フェイスダウン（ｆａｃｅ ｄｏｗｎ）方式で実装される半導体チップの裏面を保護するための金属層を有する半導体加工用テープに関する。

近年、半導体装置及びそのパッケージの薄型化、小型化がより一層求められている。いわゆるフェイスダウン(ｆａｃｅ ｄｏｗｎ)方式と呼ばれる実装法を用いた半導体装置の製造が行われている。フェイスダウン方式では、回路面に導通を確保するためのバンプと呼ばれる凸状の電極が形成されてなる半導体チップを用い、回路面を反転（フェイスダウン）させて、電極を基板に接続する構造（いわゆるフリップチップ接続）となる。

このような半導体装置では、半導体チップの裏面を半導体加工用テープにより保護し、半導体チップの損傷等を防止している場合がある（特許文献１参照）。さらに、半導体素子上に、金属層と接着層とからなる片面接着フィルムを、接着層を介して貼り付けることも知られている（特許文献２参照）。

フリップチップ接続の代表的な手順としては、半導体加工用テープを接着した半導体チップ表面に形成された半田バンプ等をフラックスに浸漬し、その後バンプと基板上に形成された電極（必要に応じてこの電極上にも半田バンプが形成されている）とを接触させ、最後に半田バンプを溶融させて半田バンプと電極とをリフロー接続させる。フラックスは、半田付けの際の半田バンプの洗浄や酸化の防止、半田の濡れ性の改善等を目的として用いられている。以上の手順により、半導体チップと基板との間の良好な電気的接続を構築することができる。

そこで、フラックスが付着してもシミの発生を防止することができ、外観性に優れる半導体装置を製造可能な半導体加工用テープとして、接着剤層と、この接着剤層上に積層された保護層とを備え、保護層をガラス転移温度が２００℃以上である耐熱性樹脂又は金属で構成したフリップチップ型半導体裏面用フィルムが提案されている（特許文献３参照）。

特開２００７−１５８０２６号公報 特開２００７−２３５０２２号公報 特開２０１２−０３３６２６号公報

しかしながら、上記特許文献１のように、放射線硬化性成分又は熱硬化性成分を含んだ樹脂を放射線又は熱により硬化させて保護膜を形成する場合、硬化後の保護膜と半導体ウエハの熱膨張係数差が大きいため、加工途中の半導体ウエハや半導体チップに反りが生じるという問題があった。

この点、上記特許文献２や特許文献３のように、金属の保護層（以下、金属層という）を接着剤層を介して半導体ウエハに接着することにより反りは防止できる。ここで、特許文献３には、基材上に粘着剤層が積層されたダイシングテープの粘着剤層上に、保護層および接着剤層を設けたフリップチップ型半導体裏面用フィルムも開示されている。

このようなダイシングテープ一体型のフリップチップ型半導体裏面用フィルム（以下、半導体加工用テープという）は、通常、接着剤層上には接着剤層を保護するためにセパレータが設けられており、半導体ウエハに接着剤層を貼合する際には、接着剤層にシワが寄った状態で半導体ウエハが貼合されてしまわないように、接着剤層側を下にしてセパレータを少しずつ剥離しつつ、ダイシングテープ側から貼合ローラで押さえつけながら貼合する。このように貼合したとき、従来の半導体加工用テープでは、金属層にシワが発生するという問題があった。

保護層のシワは以下のメカニズムにより発生すると推察される。セパレータを剥離する際にフリップチップ型半導体裏面用フィルムには一方向に張力がかかる。ダイシングテープはエキスパンド性を有するため、張力がかかる方向に伸びて変形するため、張力がかかる方向に沿ってシワが発生する。そうすると、ダイシングテープ上に設けられた金属層および接着剤層にもシワが生じる。しかしながら、フリップチップ型半導体裏面用フィルムはセパレータが剥離された直後に貼合ローラで押さえられ、このとき、ダイシングテープと接着剤層は柔軟性に余裕があるため、貼合ローラに沿った方向に引き伸ばされ、セパレータの剥離時に発生したシワが解消される。しかしながら、金属からなる保護層はこれに追従できず、シワが発生した状態で貼合されてしまうと考えられる。

上述のような半導体加工用テープは、通常、長尺のセパレータ上に半導体ウエハに対応する所定形状にプリカットされた保護層及び接着剤層が形成されたフリップチップ型半導体裏面用フィルムとダイシングテープとを保護層と粘着剤層とが合わさるように貼り合わせ、ダイシングテープを基材フィルム側からリングフレームに対応する所定形状（通常は円形）にプリカット加工したものがロール状に巻かれた形状となっている。このようにロール状の半導体加工用テープを用いた場合に、特に金属層のシワの発生は顕著である。以下に、図３を用いてより詳細に説明する。

まず、半導体加工用テープ１００を半導体ウエハＷおよびリングフレームＲに貼合する装置・方法を概略的に説明する。ロール状に巻かれた半導体加工用テープ１００は図３においてＡ方向へシート状に引き出され、Ｂ方向に巻き取りローラ１０２により巻き取られていく。半導体加工用テープ１００の引き出し経路には、剥離用くさび１０３が設けられており、剥離用くさび１０３の先端部を折り返し点として、セパレータ１０１のみが引き剥がされ、巻き取りローラ１０２に巻き取られる。 剥離用くさび１０３の先端部の下方には、貼合台１０４が設けられており、貼合台１０４の上面には、半導体ウエハＷおよびリングフレームＲが配置されている。 剥離用くさび１０３によりセパレータ１０１から引き剥がされたフリップチップ型半導体裏面用フィルム１０５（金属層と接着剤層の積層体）およびダイシングテープ１０６は、リングフレームＲおよび半導体ウエハＷ上に導かれ、貼合ローラ１０７によってリングフレームＲおよび半導体ウエハＷに貼合される。貼合台１０４は、図３において左方向へ移動しており、次のリングフレームＲおよび半導体ウエハＷにフリップチップ型半導体裏面用フィルム１０５とダイシングテープ１０６との積層体が貼合されることが繰り返される。

次に、貼合の際に金属層にシワが発生するメカニズムについて説明する。ロール状の半導体加工用テープ１００、巻き取りローラ１０２、貼合台１０４のスピードと張力の調整により、フリップチップ型半導体裏面用フィルム１０５とダイシングテープ１０６が剥離される前のセパレータ１０１にはＣ方向に引っ張る力がかかっている。これは、半導体加工用テープ１００に張力をかけてピンと張った状態で貼合することで、シワなく貼合できるようにするためである。

貼合の最も初期の段階では、ダイシングテープ１０６の先端のみがリングフレームに貼合される。ダイシングテープ１０６は通常円形にプリカットされているため、このとき貼合される部分は点状態となっている。そして、残りの部分はセパレータ１０１から剥離されずセパレータ１０１上に残っているため、セパレータ１０１とともにＣ方向に引っぱられている状態になる。ダイシングテープ１０６はエキスパンド性を有するため、張力がかかると伸びて変形する。しかも、片側は点で固定された状態で引っ張られるので、セパレータ１０１の短手方向における中央部（固定されている部分近傍）と端部との間で伸びの状態に違いが生じ、Ｃ方向にシワ（ヨレ）が発生することになる。そして、ダイシングテープ１０６にヨレが生じると、その上に設けられたフリップチップ型半導体裏面用フィルム１０５にもヨレが発生する。

その後、貼合台１０４が移動して貼合が進むと、ダイシングテープ１０６やフリップチップ型半導体裏面用フィルム１０５が順次セパレータ１０１から剥離されて、Ｃ方向にかかっていた張力から解放され、ヨレが発生した状態のダイシングテープ１０６が貼合ローラ１０７に沿うことで、ヨレが解消されて貼合されることになる。これは、ヨレが発生する程度の張力がかかっていても、ダイシングテープ１０６にはまだ柔軟性に余裕があり、貼合ローラ１０７に沿わせる、すなわちセパレータ１０１の短手方向に引っ張る方向の力がかかれば短手方向に伸びてヨレを解消できるポテンシャルがあるからだと思われる。同様に、フリップチップ型半導体裏面用フィルム１０５の接着剤層もヨレが解消された状態で半導体ウエハＷに貼合される。

しかし、金属層は、Ｃ方向に引っ張られてヨレが発生した状態で、短手方向に引っ張っても追従して伸びることができない。その結果貼合ローラ１０７に沿わせようとすると、ヨレが折りジワとして確立してしまい、その状態で半導体ウエハＷに貼合されてしまうという現象が起きる。

金属層にシワが発生した状態で半導体ウエハに貼合されてしまうと、フリップチップ型半導体裏面用フィルムの厚みの均一性が失われた状態でウエハに貼合されることになるので、ウエハが割れる恐れがある、またシワの部分から接着剤層からの剥離が生じやすくなり、パッケージクラックの原因となるため信頼性も悪くなる。

そこで、本発明は、半導体ウエハへの貼合時に金属層にシワが発生するのを防止することができる半導体加工用テープを提供することを課題とする。

以上の課題を解決するため、本発明に係る半導体加工用テープは、基材フィルムと粘着剤層とを有するダイシングテープと、前記粘着剤層上に設けられた金属層と、前記金属層上に設けられており、前記金属層を半導体チップの裏面に接着するための接着剤層とを有し前記ダイシングテープ１３のループステフネスが２０ｍＮ以上２００ｍＮ未満であることを特徴とする。

上記半導体加工用テープは、前記金属層が銅、ニッケル、アルミニウム、ステンレスのいずれかからなることが好ましい。

また、上記半導体加工用テープは、前記ダイシングテープの厚さが、５５μｍ以上２１５μｍ未満であることが好ましい。

本発明によれば、半導体ウエハへの貼合時に金属層にシワが発生するのを防止することができる。

本発明の実施形態に係る半導体加工用テープの構造を模式的に示す断面図である。 本発明の実施形態に係る半導体加工用テープの使用方法を説明するための断面図である。 半導体加工用テープを半導体ウエハおよびリングフレームに貼合する装置・方法を説明するための図面である。

以下に、本発明の実施の形態について詳細に説明する。

図１は、本発明の実施形態に係る半導体加工用テープ１０を示す断面図である。この半導体加工用テープ１０は、基材フィルム１１と基材フィルム１１上に設けられた粘着剤層１２とからなるダイシングテープ１３を有しており、粘着剤層１２上には、半導体チップＣ（図２参照）を保護するための金属層１４と、金属層１４上に設けられた接着剤層１５とが設けられている。

接着剤層１５は、金属層１４に接する面とは反対側の面がセパレータ（剥離ライナー）により保護されていることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまで接着剤層１５を保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、半導体加工用テープ１０の製造過程において、ダイシングテープ１３の粘着剤層１２に金属層１４を貼合する際の支持基材として用いることができる。

ダイシングテープ１３、金属層１４及び接着剤層１５は、使用工程や装置に合わせて予め所定形状に切断（プリカット）されていてもよい。さらに、本発明の半導体加工用テープ１０は、半導体ウエハＷ１枚分ごとに切断された形態であってもよいし、半導体ウエハＷ１枚分ごとに切断されたものが複数形成された長尺のシートを、ロール状に巻き取った形態であってもよい。以下に、各構成要素について説明する。

＜基材フィルム１１＞
基材フィルム１１としては、ダイシングテープ１３のループステフネスが２０ｍＮ以上２００ｍＮ未満となるものであれば、従来公知のものを特に制限することなく使用することができるが、後述の粘着剤層１２として放射線硬化性の材料を使用する場合には、放射線透過性を有するものを使用することが好ましい。

例えば、その材料として、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、及びこれらの混合物を列挙することができる。また、基材フィルム１１はこれらの群から選ばれる２種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又は複層化されたものでもよい。

基材フィルム１１の厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、５０〜２００μｍが好ましい。

基材フィルム１１と粘着剤層１２との密着性を向上させるために、基材フィルム１１の表面に、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的表面処理を施してもよい。

また、本実施の形態においては、基材フィルム１１の上に直接的に粘着剤層１２を設けたが、密着性をあげるためのプライマ層や、ダイシング時の切削性向上ためのアンカー層、応力緩和層、静電防止層等を介して間接的に設けてもよい。

＜粘着剤層１２＞
粘着剤層１２に使用される樹脂としては、特に限定されるものではなく、粘着剤に使用される公知の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂等を使用することができるが、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。

アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。

アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。

更に、アクリル系ポリマーは、架橋されるため、多官能性モノマー等も必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。

アクリル系ポリマーの調製は、例えば１種又は２種以上の成分モノマーの混合物に溶液重合方式や乳化重合方式、塊状重合方式や懸濁重合方式等の適宜な方式を適用して行うことができる。粘着剤層１２は、ウエハの汚染防止等の点より低分子量物質の含有を抑制した組成が好ましく、かかる点より重量平均分子量が３０万以上、特に４０万〜３００万のアクリル系ポリマーを主成分とするものが好ましいことから粘着剤は、内部架橋方式や外部架橋方式等による適宜な架橋タイプとすることもできる。

また、粘着剤層１２の架橋密度の制御のため、例えば多官能イソシアネート系化合物、多官能エポキシ系化合物、メラミン系化合物、金属塩系化合物、金属キレート系化合物、アミノ樹脂系化合物、又は過酸化物等の適宜な外部架橋剤を用いて架橋処理する方式や、炭素−炭素二重結合を２個以上有する低分子化合物を混合してエネルギー線の照射等により架橋処理する方式等の適亘な方式を採用することができる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、更には０．１重量部〜５重量部配合するのが好ましい。尚、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。

粘着剤層１２を構成する粘着剤としては、放射線硬化型粘着剤が好適である。放射線硬化型粘着剤としては、前述の粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分や放射線硬化性のオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。

配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらのモノマー成分は、１種又は２種以上併用できる。

また、放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５重量部〜５００重量部、好ましくは７０重量部〜１５０重量部程度である。

また、放射線硬化型粘着剤としては、前記添加型の放射線硬化型粘着剤の他に、ベースポリマーとして炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤も挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くを含まないため、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができるため好ましい。

炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。

アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計の上で容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。

これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。

内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分等の光重合性化合物を配合することもできる。当該光重合性化合物の配合量は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部以下の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲内である。

放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させることが好ましい。

上述のアクリル系ポリマーの中でも、特にＣＨ₂＝ＣＨＣＯＯＲ（式中、Ｒは炭素数が４〜８のアルキル基である。）で表されるアクリル酸エステルと、ヒドロキシル基含有モノマーと、分子内にラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物とで構成されるアクリル系ポリマーＡが好ましい。

アクリル酸アルキルエステルのアルキル基の炭素数が４未満であると、剥離力が大きくなり過ぎてピックアップ性が低下する場合がある。一方、アクリル酸アルキルエステルのアルキル基の炭素数が８を超えると、金属層１５との接着性又は密着性が低下し、その結果、ダイシングの際に金属層１５の剥離が発生する場合がある。

上記アクリル系ポリマーＡは、必要に応じ、他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。

アクリル系ポリマーＡでは、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物が用いられる。すなわち、アクリルポリマーは、前記アクリル酸エステルやヒドロキシル基含有モノマー等のモノマー組成物によるポリマーに、二重結合含有イソシアネート化合物が付加反応された構成を有していることが好ましい。従って、アクリル系ポリマーは、その分子構造内に、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有していることが好ましい。これにより、活性エネルギー線（紫外線など）の照射によって硬化する活性エネルギー線硬化型粘着剤層（紫外線硬化型粘着剤層など）とすることができ、金属層１５と粘着剤層１２との剥離力を低下させることができる。

二重結合含有イソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、アクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、２−アクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。二重結合含有イソシアネート化合物は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、活性エネルギー線硬化型粘着剤には、活性エネルギー線照射前の粘着力や、活性エネルギー線照射後の粘着力を調整する為、外部架橋剤を適宜に用いることもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。外部架橋剤の使用量は、一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、２０重量部以下（好ましくは０．１重量部〜１０重量部）である。更に、活性エネルギー線硬化型粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤、発泡剤等の添加剤が配合されていてもよい。

粘着剤層１２の厚みは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。また、粘着剤層１２は単層で構成されても複数層で構成されていてもよい。

ダイシングテープ１３の厚さは、取扱い性の観点から５５μｍ以上が好ましく、半導体加工用テープの強度を高める観点から７０μｍ以上が好ましい。また、ダイシング後にエキスパンドが必要であることから２１５μｍ未満が好ましく、ピックアップ性に優れる観点から１６０μｍ未満が好ましい。

ダイシングテープ１３は、下記の条件下で測定したループステフネスが２０ｍＮ以上２００ｍＮ未満であり、好ましくは２６ｍＮ以上、より好ましくは３３ｍＮ以上である。
ループステフネス測定条件：
装置；ループステフネステスタＤＡ（東洋精機株式会社製、商品名）
ループ（サンプル）形状；長さ８０ｍｍ、幅２５ｍｍ
圧子の押し込み速度；３．３ｍｍ／ｓｅｃ
測定データ； 幅２５ｍｍに切り出したダイシングテープの試験片を粘着剤層が付着している表面がループの内側となるようにΩ字状のループ形に曲げたうえで、その長さ方向の両端を重ねて、ループの周長が８０ｍｍになるようにその重ねた部分をチャックで把持した。試験片をループが環状になるように固定し、そのループを圧縮速度３．３ｍｍ／ｓｅｃで、圧子がループと接触した時点から１０ｍｍ押し込んだときにロードセルに検出される負荷荷重値を求めることにより測定する。

ダイシングテープ１３のループステフネスを２０ｍＮ以上とすることにより、半導体加工用テープ１０を半導体ウエハＷに貼合する最も初期の段階で、ダイシングテープ１３の先端のみがリングフレームに固定され、残りの部分がセパレータとともに、図３におけるＣ方向に引っ張られたとしても、ダイシングテープ１０が変形して伸びるのを防止することができる。このため、ダイシングテープ１０およびその上に設けられている金属層１４、接着剤層１５にシワが生じることを防止することができる。ダイシングテープ１３のループステフネスが２００ｍＮ以上とすると、半導体加工用テープ１０に貼合された半導体ウエハＷをチップ状に個片化（ダイシング）した後、個片化された半導体チップＣをピックアップする際に、突き上げピンにより基材フィルム１１側から半導体チップＣを突き上げたときに、金属層１４と粘着剤層１２との間に十分な剥離きっかけができず、半導体チップＣを良好にピックアップすることができない。

＜金属層１４＞
金属層１４を構成する金属としては特に限定されず、例えば、アルミニウム、鉄、チタン、スズ、ニッケル及び銅からなる群より選択される少なくとも１種の金属および／またはそれらの合金であることがレーザーマーキング性の点から好ましい。これらの中でも、銅、アルミニウムまたはそれらの合金は熱伝導性が高く金属層を介した放熱の効果が得られる。また、銅、アルミニウム、鉄、ニッケルまたはそれらの合金は電子デバイスパッケージの反り抑制効果も得られる。

金属層１４の厚さは、半導体ウエハＷあるいは半導体チップＣの取扱い性及び加工性等を考慮して適宜決定することができ、通常２〜２００μｍの範囲であり、３〜１００μｍであることが好ましく、４〜８０μｍであることがより好ましく、５〜５０μｍであることが特に好ましい。金属層は２００μｍ以上になると巻取りが困難になり、５０μｍ以上になると加工性の問題から生産性が低下する。一方、取扱い性の観点から最低でも２μｍ以上が必要である。

＜接着剤層１５＞
接着剤層１５は、接着剤を予めフィルム化したものである。

接着剤層１５は、少なくとも熱硬化性樹脂により形成されており、少なくとも熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とにより形成されていることが好ましい。

熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂は単独で又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。

アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下（好ましくは炭素数４〜１８、更に好ましくは炭素数６〜１０、特に好ましくは炭素数８又は９）の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。すなわち、本発明では、アクリル樹脂とは、メタクリル樹脂も含む広義の意味である。前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、へキシル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ドデシル基（ラウリル基）、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基等が挙げられる。

また、アクリル樹脂を形成するための他のモノマー（アルキル基の炭素数が３０以下のアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステル以外のモノマー）としては、特に限定されるものではなく、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーなどが挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸とはアクリル酸及び／又はメタクリル酸をいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。

また、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂の他、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。熱硬化性樹脂は、単独で又は２種以上併用して用いることができる。熱硬化性樹脂としては、特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等含有が少ないエポキシ樹脂が好適である。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂を好適に用いることができる。

エポキシ樹脂としては、特に限定は無く、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオンレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型エポキシ樹脂、トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂若しくはグリシジルアミン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を用いることができる。

エポキシ樹脂としては、例示のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。

更に、フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。フェノール樹脂は単独で又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。

エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５当量〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８当量〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。

また、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒が用いられていても良い。熱硬化促進触媒としては、特に制限されず、公知の熱硬化促進触媒の中から適宜選択して用いることができる。熱硬化促進触媒は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。熱硬化促進触媒としては、例えば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン−ホウ素系硬化促進剤などを用いることができる。

エポキシ樹脂の硬化剤としては、上述のようにフェノール樹脂を用いることが好ましいが、アミン類、酸無水物類等の公知の硬化剤を使用することもできる。

接着剤層１５は、半導体ウエハの裏面（回路非形成面）に対して接着性（密着性）を有していることが重要である。そこで、接着剤層１５を予めある程度架橋させておくため、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておいてもよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。

架橋剤としては、特に制限されず、公知の架橋剤を用いることができる。具体的には、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤の他、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤などが挙げられる。架橋剤としては、イソシアネート系架橋剤やエポキシ系架橋剤が好適である。また、前記架橋剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。

なお、本発明では、架橋剤を用いる代わりに、あるいは、架橋剤を用いるとともに、電子線や紫外線などの照射により架橋処理を施すことも可能である。

接着剤層１５には、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば、充填剤（フィラー）、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤の他、増量剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤などが挙げられる。

充填剤としては、無機充填剤、有機充填剤のいずれであってもよいが、無機充填剤が好適である。無機充填剤等の充填剤の配合により、接着剤層１５に熱伝導性の向上、弾性率の調節等を図ることができる。無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田などの金属、又は合金類、その他カーボンなどからなる種々の無機粉末などが挙げられる。充填剤は単独で又は２種以上を併用して用いることができる。充填剤としては、なかでも、シリカまたはアルミナが、シリカとしては特に溶融シリカが好適である。なお、無機充填剤の平均粒径は０．０１μｍ〜８０μｍの範囲内であることが好ましい。また、接着剤層の厚さが２０μｍ以下の場合は、０．０１μｍ〜５μｍの範囲内であることが好ましい。上記の無機充填剤の平均粒径を所定範囲にすることで、接着剤層と金属層やウエハ等の被着体との貼付性を損なわずに接着性を発揮することができる。無機充填剤の平均粒径は、例えば、レーザー回折型粒度分布測定装置によって測定することができる。

充填剤（特に無機充填剤）の配合量は、有機樹脂成分に対して８０重量％以下（０重量％〜８０重量％）であることが好ましく、特に０重量％〜７０重量％であることが好適である。

また、難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。難燃剤は、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。シランカップリング剤は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。イオントラップ剤は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。

接着剤層１５は、接着性と信頼性の観点から、特に（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）フェノキシ樹脂、および（Ｄ）表面処理された無機充填材を含有し、（Ｄ）の含有量が（Ａ）〜（Ｄ）の合計に対して４０重量％以上６５重量％以下であることが好ましい。

（Ａ）エポキシ樹脂を用いることにより、高い接着性、耐水性、耐熱性を得られる。エポキシ樹脂としては、上述の公知のエポキシ樹脂を用いることができる。（Ｂ）硬化剤は上述の公知の硬化剤を用いることができる。

（Ｃ）フェノキシ樹脂は、フェノキシ樹脂は分子鎖が長くエポキシ樹脂と構造が似ており、高架橋密度の組成物中で可とう性材料として作用し、高靭性を付与するので高強度でありながらタフネスな組成物が得られる。好ましいフェノキシ樹脂は、主骨格がビスフェノールＡ型のものであるが、その他にビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂、ビスフェノールＡ／Ｆ混合型フェノキシ樹脂や臭素化フェノキシ樹脂等市販のフェノキシ樹脂が好ましいものとして挙げられる。

（Ｄ）表面処理された無機充填材としては、シランカップリング剤で表面処理された無機充填剤が挙げられる。無機充填材としては、上述の公知の無機充填剤を用いることができるが、好ましくはシリカ、アルミナである。シランカップリング剤で表面処理されていることにより、無機充填剤の分散性が良好になる。このため、流動性に優れるので金属層との接着力を向上させることができる。また、無機充填剤を高充填させることができるようになるので、吸水率を下げ耐湿性を向上させることができる。

シランカップリング剤による無機充填材の表面処理は、公知の方法により、シランカップリング剤溶液中に無機充填材を分散させることにより、無機充填剤の表面に存在する水酸基とシランカップリング剤のアルコキシ基等の加水分解基が加水分解されたシラノール基とを反応させて無機充填剤の表面にＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を生成することにより行われる。

（Ｄ）表面処理された無機充填材の含有量を（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）フェノキシ樹脂、および（Ｄ）表面処理された無機充填材の合計に対して４０重量％以上とすることにより、吸水率、飽和吸湿率を低下させることができ、また接着剤層の熱伝導性が向上し金属層を介して放熱の効果も得られる点で好ましい。（Ｄ）表面処理された無機充填材の含有量を（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）フェノキシ樹脂、および（Ｄ）表面処理された無機充填材の合計に対して６５重量％以下とすることにより、樹脂成分による流動性も確保できるので金属層やウエハとの接着力に優れる点で好ましい。

接着剤層１５の厚さは特に制限されるものではないが、通常３〜１００μｍが好ましく、５〜２０μｍがより好ましい。また、接着剤層１５は単層で構成されても複数層で構成されていてもよい。

接着剤層１５の吸水率は、１．５ｖｏｌ％以下であることが好ましい。吸水率の測定方法は次の通りである。すなわち、５０×５０ｍｍの大きさの接着剤層１５（フィルム状接着剤）をサンプルとし、サンプルを真空乾燥機中で、１２０℃、３時間乾燥させ、デシケータ中で放冷後、乾燥質量を測定しＭ１とする。サンプルを蒸留水に室温で２４時間浸してから取出し、サンプル表面をろ紙でふき取り、すばやく秤量してＭ２とする。吸水率は、次式（１）により算出される。
吸水率（ｖｏｌ％）＝［（Ｍ２‐Ｍ１）／（Ｍ１／ｄ）］×１００（１）
ここで、ｄはフィルムの密度である。
吸水率が１．５ｖｏｌ％を超えると、吸水した水分によりはんだリフロー時にパッケージクラックを生じるおそれがある。

接着剤層１５の飽和吸湿率は、１．０ｖｏｌ％以下であることが好ましい。飽和吸湿率の測定方法は次の通りである。すなわち、直径１００ｍｍの円形の接着剤層１５（フィルム状接着剤）をサンプルとし、サンプルを真空乾燥機中で１２０℃、３時間乾燥させ、デシケータ中で放冷後、乾燥質量を測定しＭ１とする。サンプルを８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽中で１６８時間吸湿してから取り出し、すばやく秤量してＭ２とする。飽和吸湿率は、次式（２）により算出される。

ここで、ｄはフィルムの密度である。
飽和吸湿率が１．０ｖｏｌ％を超えると、リフロー時の吸湿により蒸気圧の値が高くなり、良好なリフロー特性が得られないおそれがある。

接着剤層１５の残存揮発分は、３．０ｗｔ％以下であることが好ましい。残存揮発成分の測定方法は次の通りである。すなわち、５０×５０ｍｍの大きさの接着剤層１５（フィルム状接着剤）をサンプルとし、サンプルの初期の質量を測定しＭ１とし、サンプルを熱風循環恒温槽中で２００℃、２時間加熱後、秤量してＭ２とする。残存揮発分は、次式（３）により算出される。
残存揮発分（ｗｔ％）＝［（Ｍ２−Ｍ１）／Ｍ１］×１００ （３）
残存揮発分が３．０ｗｔ％を超えると、パッケージングの際の加熱により溶媒が揮発し、接着剤層１５の内部にボイドが発生して、パッケージクラックが発生するおそれがある。

金属層１４の線膨脹係数の接着剤層１５の線膨脹係数に対する比（金属層１４の線膨脹係数／接着剤層１５の線膨脹係数）は、０．３以上であることが好ましい。当該比が０．３未満であると、金属層１４と接着剤層１５との間で剥離が生じやすくなり、パッケージングの際にパッケージクラックが発生し、信頼性が低下するおそれがある。

（セパレータ）
セパレータは、接着剤層１５の取り扱い性をよくするとともに接着剤層１５を保護するためのものである。セパレータとしては、ポリエステル（ＰＥＴ、ＰＢＴ、ＰＥＮ、ＰＢＮ、ＰＴＴ）系、ポリオレフィン（ＰＰ、ＰＥ）系、共重合体（ＥＶＡ、ＥＥＡ、ＥＢＡ）系、またこれらの材料を一部置換して、更に接着性や機械的強度を向上したフィルム使用することができる。また、これらのフィルムの積層体であってもよい。

セパレータの厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、２５〜１００μｍが好ましい。

本実施の形態においては、粘着剤層１２の上に直接的に金属層１４を設けたが、本発明には、ピックアップ性を向上させるための剥離層や、半導体チップＣ、金属層１４、接着剤層１５と共に粘着剤層１２から剥離して半導体チップＣに機能を付与するための機能層（例えば、放熱層等）等を介して粘着剤層１２上に間接的に金属層１４を設ける場合を含む。また、金属層１４上に機能層を介して間接的に接着剤層１５を設ける場合を含む。

（半導体加工用テープ１０の製造方法）
本実施の形態に係る半導体加工用テープ１０の製造方法について説明する。まず、接着剤層１５は、樹脂組成物を調製し、フィルム状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、例えば、適当なセパレータ（剥離紙など）上に前記樹脂組成物を塗布して乾燥し（熱硬化が必要な場合などでは、必要に応じて加熱処理を施し乾燥して）、接着剤層１５を形成する方法等が挙げられる。前記樹脂組成物は、溶液であっても分散液であってもよい。次いで、得られる接着剤層１５と別途用意した金属層１４とを貼り合わせる。金属層１４としては、市販の金属箔を用いればよい。その後、接着剤層１５及び金属層１４を所定の大きさの円形ラベル形状に押切刃を用いてプリカットし、周辺の不要部分を除去する。

次に、ダイシングテープ１３を作製する。基材フィルム１１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。次に、基材フィルム１１上に粘着剤組成物を塗布し、乾燥させて（必要に応じて加熱架橋させて）粘着剤層１２を形成する。塗布方式としては、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。なお、粘着剤組成物を直接基材フィルム１１に塗布して、基材フィルム１１上に粘着剤層１２を形成してもよく、また、粘着剤組成物を表面に剥離処理を行った剥離紙等に塗布して粘着剤層１２を形成させた後、該粘着剤層１２を基材フィルム１１に転写させてもよい。これにより、基材フィルム１１上に粘着剤層１２が形成されたダイシングテープ１３が作製される。

その後、金属層１４と粘着剤層１２とが接するように、円形の金属層１４及び接着剤層１５が設けられたセパレータにダイシングテープ１３をラミネートし、場合によってはダイシングテープ１３も所定の大きさの円形ラベル形状等にプリカットすることにより、半導体加工用テープ１０が作られる。

＜使用方法＞
次に、本実施形態の半導体加工用テープ１０を使用して半導体装置を製造する方法について、図２を参照しながら説明する。

半導体装置の製造方法は、ダイシングテープ一体型の半導体加工用テープ１０上に半導体ウエハＷを貼着する工程（マウント工程）と、半導体ウエハＷをダイシングして半導体チップＣを形成する工程（ダイシング工程）と、半導体チップＣを半導体加工用テープ１０とともに、ダイシングテープ１３の粘着剤層１２から剥離する工程（ピックアップ工程）と、半導体チップＣを被着体１６上にフリップチップ接続する工程（フリップチップ接続工程）とを少なくとも具備する。

［マウント工程］
先ず、ダイシングテープ一体型の半導体加工用テープ１０上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離し、図２（Ａ）で示されるように、接着剤層１５に半導体ウエハＷを貼着して、これを接着保持させ固定する（マウント工程）。このとき接着剤層１５は未硬化状態（半硬化状態を含む）にある。また、ダイシングテープ一体型の半導体加工用テープ１０は、半導体ウエハＷの裏面に貼着される。半導体ウエハＷの裏面とは、回路面とは反対側の面（非回路面、非電極形成面などとも称される）を意味する。貼着方法は特に限定されないが、加熱圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行われる。また、加熱はヒートステージを貼合台としたり、加熱圧着ロールを用いることで行われる。

［ダイシング工程」
次に、図２（Ｂ）で示されるように、半導体ウエハＷのダイシングを行う。これにより、半導体ウエハＷを所定のサイズに切断して個片化（小片化）し、半導体チップＣを製造する。ダイシングは、例えば、半導体ウエハＷの回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えば、半導体加工用テープ１０まで切り込みを行うフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウエハＷは、半導体加工用テープ１０により優れた密着性で接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウエハＷの破損も抑制できる。なお、ダイシングテープ一体型の半導体加工用テープ１０のエキスパンドを行う場合、該エキスパンドは従来公知のエキスパンド装置を用いて行うことができる。

［ピックアップ工程］
図２（Ｃ）で示されるように、半導体チップＣのピックアップを行って、半導体チップＣを接着剤層１５及び金属層１４とともにダイシングテープ１３より剥離させる。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップＣを半導体加工用テープ１０の基材フィルム１１側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップＣをピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。なお、ピックアップされた半導体チップＣは、その裏面が金属層１４により保護されている。

［フリップチップ接続工程］
ピックアップした半導体チップＣは、図２（Ｄ）で示されるように、基板等の被着体１６に、フリップチップボンディング方式（フリップチップ実装方式）により固定させる。具体的には、半導体チップＣを、半導体チップＣの回路面（表面、回路パターン形成面、電極形成面などとも称される）が被着体１６と対向する形態で、被着体１６に常法に従い固定させる。例えば、まず半導体チップＣの回路面側に形成されている接続部としてのバンプ１７にフラックスを付着させる。次いで、半導体チップＣのバンプ１７を被着体１６の接続パッドに被着された接合用の導電材１８（半田など）に接触させて押圧しながらバンプ１７及び導電材１８を溶融させることにより、半導体チップＣと被着体１６との電気的導通を確保し、半導体チップＣを被着体１６に固定させることができる（フリップチップボンディング工程）。このとき、半導体チップＣと被着体１６との間には空隙が形成されており、その空隙間距離は、一般的に３０μｍ〜３００μｍ程度である。尚、半導体チップＣを被着体１６上にフリップチップボンディング（フリップチップ接続）した後は、半導体チップＣと被着体１６との対向面や間隙に残存するフラックスを洗浄除去し、該間隙に封止材（封止樹脂など）を充填させて封止する。

被着体１６としては、リードフレームや回路基板（配線回路基板など）等の各種基板を用いることができる。このような基板の材質としては、特に限定されるものではないが、セラミック基板や、プラスチック基板が挙げられる。プラスチック基板としては、例えば、エポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板等が挙げられる。また、他の半導体チップを被着体１６とし、上記半導体チップＣをフリップチップ接続することにより、チップオンチップ構造とすることもできる。

＜実施例＞
次に、本発明の効果をさらに明確にするために、実施例および比較例について詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

（１）ダイシングテープの作製
（粘着剤層組成物の調整）
官能基を有するアクリル系共重合体（Ａ１）として、２−エチルヘキシルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートおよびメタクリル酸からなり、２−エチルヘキシルアクリレートの比率が６０モル％、質量平均分子量７０万の共重合体を調製した。次に、ヨウ素価が２０となるように、２−イソシアナトエチルメタクリレートを添加して、ガラス転移温度−５０℃、水酸基価１０ｍｇＫＯＨ／ｇ、酸価５ｍｇＫＯＨ／ｇのアクリル系共重合体（ａ−１）を調製した。

アクリル系共重合体（ａ−１）１００質量部に対して、ポリイソシアネートとしてコロネートＬ（商品名、東ソー株式会社製）を５質量部加え、光重合開始剤としてＥｓａｃｕｒｅ ＫＩＰ １５０（商品名、Ｌａｍｂｅｒｔｉ社製）を３質量部加えた混合物を、酢酸エチルに溶解させ、攪拌して粘着剤組成物を調製した。

基材フィルムとして以下のものを作製した。
（基材フィルム１）
ポリプロピレンＰＰおよび熱可塑性エラストマーＨＳＢＲの混合物（ＰＰ：ＨＳＢＲ＝８０：２０）の樹脂ビーズを２００℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形して基材フィルム１を作製した。ポリプロピレンＰＰとしては、 出光石油化学株式会社製のＦ−３００ＳＰ（商品名）を、 熱可塑性エラストマーＨＳＢＲとしては、 ＪＳＲ株式会社製のダイナロン１３２０Ｐ（商品名）を使用した。

（基材フィルム２）
エチレン−アクリル酸共重合体アイオノマーの樹脂ビーズを２００℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１５０μｍの長尺フィルム状に成形して基材フィルム２を作製した。エチレン−アクリル酸共重合体アイオノマーは、三井デュポンポリケミカル株式会社製のハイミラン１７０６（商品名）を使用した。

（基材フィルム３）
エチレン−アクリル酸共重合体アイオノマーの樹脂ビーズを２００℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形して基材フィルム３を作製した。エチレン−アクリル酸共重合体アイオノマーは、三井デュポンポリケミカル株式会社製のハイミラン１６０１（商品名）を使用した。

（基材フィルム４）
エチレン−アクリル酸共重合体アイオノマーの樹脂ビーズを２００℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形して基材フィルム４を作製した。エチレン−アクリル酸共重合体アイオノマーは、三井デュポンポリケミカル株式会社製のハイミラン１８５５（商品名）を使用した。

（基材フィルム５）
エチレン−メタクリル酸共重合体の樹脂ビーズを２００℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形して基材フィルム５を作製した。エチレン−メタクリル酸共重合体は、三井デュポンポリケミカル株式会社製のニュクレルＮＯ３５Ｃ（商品名）を使用した。

（基材フィルム６）
ポリエチレンテレフタラートの樹脂ビーズを２８０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形して基材フィルム６を作製した。ポリエチレンテレフタラートは、東洋紡績株式会社製のコスモシャインＡ４１００（商品名）を使用した。

＜ダイシングテープ（１）＞
離型処理したポリエチレン−テレフタレートフィルムよりなる剥離ライナーに、上記粘着剤組成物を、乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗工し、１１０℃で３分間乾燥させた後、上記基材フィルム１と貼り合わせ、ダイシングテープ（１）を作製した。

＜ダイシングテープ（２）＞
上記基材フィルム２を用いた以外はダイシングテープ（１）と同様にして、ダイシングテープ（２）を作製した。

＜ダイシングテープ（３）＞
上記基材フィルム３を用いた以外はダイシングテープ（１）と同様にして、ダイシングテープ（３）を作製した。

＜ダイシングテープ（４）＞
上記基材フィルム４を用いた以外はダイシングテープ（１）と同様にして、ダイシングテープ（４）を作製した。

＜ダイシングテープ（５）＞
上記基材フィルム５を用いた以外はダイシングテープ（１）と同様にして、ダイシングテープ（５）を作製した。

＜ダイシングテープ（６）＞
上記基材フィルム６を用いた以外はダイシングテープ（１）と同様にして、ダイシングテープ（６）を作製した。

（２）接着剤層の作製
＜接着剤層（１）＞
エポキシ樹脂として「１００２」（商品名、三菱化学株式会社製、固形ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量６００）４０質量部、エポキシ樹脂として「８０６」（商品名、三菱化学株式会社製、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量１６０、比重１．２０）１００質量部、硬化剤として「Ｄｙｈａｒｄ１００ＳＦ」（商品名、Ｄｅｇｕｓｓａ社、ジシアンジアミド）５質量部、シリカフィラーとして「ＳＯ−Ｃ２」（商品名、アドマファイン株式会社製、平均粒径０．５μｍ）３５０質量部、及び、シリカフィラーとして「アエロジルＲ９７２」（商品名、日本アエロジル株式会社製、一次粒径の平均粒径０．０１６μｍ）３質量部からなる組成物にメチルエチルケトンを加え、攪拌混合し、均一な組成物とした。
これに、フェノキシ樹脂として「ＰＫＨＨ」（商品名、ＩＮＣＨＥＭ社製、質量平均分子量５２，０００、ガラス転移温度９２℃）１００質量部、カップリング剤として「ＫＢＭ−８０２」（商品名、信越シリコーン株式会社製、メルカプトプロピルトリメトキシシラン）０．６質量部、並びに、硬化促進剤として「キュアゾール２ＰＨＺ−ＰＷ」（商品名、四国化成株式会社製、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、分解温度２３０℃）０．５質量部を加え、均一になるまで攪拌混合した。更にこれを１００メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡することにより、接着剤組成物ｂ−１のワニスを得た。

離型処理したポリエチレン−テレフタレートフィルムよりなるセパレータに、接着剤組成物ｂ−１を、乾燥後の厚さが８μｍになるように塗工し、１１０℃で５分間乾燥させて、セパレータ上に接着剤層（１）が形成された接着フィルムを作製した。

（３）金属層
金属層として以下のものを準備した。
＜金属層（１）＞
１０８５（商品名、東洋アルミニウム株式会社製、アルミニウム箔、厚さ１２μｍ、熱伝導率２２１Ｗ／ｍ・Ｋ）
＜金属層（２）＞
圧延銅箔（商品名、株式会社ＵＡＣＪ製、タフピッチ銅箔、厚さ１８μｍ、熱伝導率３９１Ｗ／ｍ・Ｋ）
＜金属層（３）＞
Ｃ１８０４０（商品名、株式会社ＵＡＣＪ製、銅合金箔、厚さ１８μｍ、熱伝導率３２２Ｗ／ｍ・Ｋ）
＜金属層（４）＞
ＳＵＳ３０４（商品名、新日鉄住金マテリアルズ株式会社製、ステンレス箔、厚さ２０μｍ、熱伝導率１６．３Ｗ／ｍ・Ｋ）

（４）半導体加工用テープの作製
＜実施例１＞
以上のようにして得られた接着剤層（１）と金属層（１）とを貼り合わせ角度１２０°、圧力０．２ＭＰａ、速度１０ｍｍ／ｓの条件で貼り合わせ片面接着フィルムを作製した。ダイシングテープ（１）をリングフレームに貼合できる形状に、片面接着フィルムをウエハを覆うことのできるような形状にプリカットし、前記ダイシングテープ（１）の粘着剤層と前記片面接着フィルムの金属層側とを、片面接着フィルムの周囲に粘着剤層が露出するように貼り合わせ、実施例１の半導体加工用テープを作製した。

＜実施例２〜７、比較例１〜３＞
ダイシングテープ、接着剤組成物、金属層の組合せを表１に記載の組合せにした以外は、実施例１と同様の手法により、実施例２〜７、比較例１〜３の半導体加工用テープを作製した。

実施例１〜７及び比較例１〜３に係る半導体加工用テープについて以下の測定および評価を行った。その結果を表１に示す。

（ループステフネスの測定）
各実施例、比較例に使用したダイシングテープについて、以下の条件によりループスティフネステスを測定した。測定結果を表１に示す。
ループステフネス測定条件：
装置；ループステフネステスタＤＡ（東洋精機株式会社製、商品名）
ループ（サンプル）形状；長さ８０ｍｍ、幅２５ｍｍ
圧子の押し込み速度；３．３ｍｍ／ｓｅｃ
測定データ；幅２５ｍｍに切り出したダイシングテープの試験片を粘着剤層が付着している表面がループの内側となるようにΩ字状のループ形に曲げたうえで、その長さ方向の両端を重ねて、ループの周長が８０ｍｍになるようにその重ねた部分をチャックで把持した。試験片をループが環状になるように固定し、そのループを圧縮速度３．３ｍｍ／ｓｅｃで、圧子がループと接触した時点から１０ｍｍ押し込んだときにロードセルに検出される負荷荷重値を求めることにより測定する。

（ラミネート性の評価）
各実施例、比較例に係る半導体加工用テープを、以下の条件により半導体ウエハ１０枚に貼合した。半導体ウエハに貼合された半導体加工用テープを観察し、条件１，２の両方で１枚も金属層にシワが発生することなく貼合できたものを優良品として◎、条件１では金属層にシワが発生したが、条件２では１枚も金属層にシワが発生することなく貼合できたものを良品として○、条件１，２の両方で１枚でも金属層にシワが発生したものを不良品として×で評価した。評価結果を表１に示す。

＜ラミネート条件１＞
ラミネート装置：ウェーハマウンターＤＡＭ−８１２Ｍ（株式会社タカトリ製、商品名）
ラミネート速度：３０ｍｍ／ｓｅｃ
ラミネート圧力：０．１ＭＰａ
ラミネート温度：９０℃

＜ラミネート条件２＞
ラミネート装置：ウェーハマウンターＤＡＭ−８１２Ｍ（株式会社タカトリ製、商品名）
ラミネート速度：１０ｍｍ／ｓｅｃ
ラミネート圧力：０．１ＭＰａ
ラミネート温度：９０℃

（ピックアップ性の評価）
各実施例、比較例に係る半導体加工用テープに貼合した半導体ウエハを、ダイシング装置としてＤＡＤ３４０（株式会社ディスコ製、商品名）を用いて設定した分割予定ラインに沿って１５×８ｍｍ角にフルカットした。ダイシングテープの基材フィルム側から、紫外線を２００ｍＪ／ｍｍ²照射して粘着剤層を硬化させた後、個片化した半導体チップを、ダイスピッカー装置としてＣＡＰ−３００ＩＩ（キャノンマシナリー株式会社製）を用いてピックアップした。ピンハイトの設定は４００μｍとした。１００個の半導体チップをピックアップし、９５個以上問題なくピックアップできたものを良品として○、９５個未満しかピックアップできなかったものを不良品として×で評価した。なお、比較例１および比較例３は、半導体ウエハに良好に貼合することができなかったため、ピックアップ試験は実施していない。

＜レーザーマーク性の評価＞
ピックアップ性の評価で得られた半導体チップについて、以下の条件により文字加工を行った。以下の評価基準により評価した。レーザーマーキングにより形成された文字が目視（目視距離：約３０ｃｍ）にて視認できたものを良品として○、視認できなかったものを不良品として×で評価した。

＜レーザーマーキング条件＞
レーザーマーキング装置：ＭＤ−Ｘ１０００（株式会社キーエンス製、商品名）
波長：１０６４ｎｍ
強度：１３Ｗ
スキャンスピード：５００ｍｍ／ｓｅｃ

表１に示すように、実施例１〜７に係る半導体加工用テープは、ダイシングテープのループステフネスが２１ｍＮ以上１７４ｍＮ以下と請求項に規定する２０ｍＮ以上２００ｍＮ未満であるため、ラミネート性、ピックアップ性とも良好な結果となった。

これに対して、比較例１および３に係る半導体加工用テープは、ダイシングテープのループステフネスが２０ｍＮ未満であるため、ラミネート性に劣る結果となった。また、比較例２に係る半導体加工用テープは、ダイシングテープのループステフネスが２００ｍＮ以上であるため、ピックアップ性に劣る結果となった。

１０：半導体加工用テープ
１１：基材フィルム
１２：粘着剤層
１３：ダイシングテープ
１４：金属層
１５：接着剤層

Claims (3)

1. 基材フィルムと粘着剤層とを有するダイシングテープと、
   前記粘着剤層上に設けられた金属層と、
   前記金属層上に設けられており、前記金属層を半導体チップの裏面に接着するための接着剤層とを有し、
   前記金属層の厚さが５μｍ以上５０μｍ未満であり、
   前記ダイシングテープのループステフネスが２０ｍＮ以上２００ｍＮ未満であることを特徴とする半導体加工用テープ。
2. 前記金属層がアルミニウム、鉄、チタン、スズ、ニッケル及び銅からなる群より選択される少なくとも１種の金属および／またはそれらの合金のいずれかからなることを特徴とする請求項１に記載の半導体 加工用テープ。
3. 前記ダイシングテープの厚さが、５５μｍ以上２１５μｍ未満であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体加工用テープ。
   

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