TWI649398B

TWI649398B - 熱硬化型黏著組成物以及黏著片

Info

Publication number: TWI649398B
Application number: TW106130993A
Authority: TW
Inventors: 林志維; 賴俊廷
Original assignee: 達邁科技股份有限公司
Priority date: 2017-09-11
Filing date: 2017-09-11
Publication date: 2019-02-01
Also published as: TW201912742A

Abstract

本發明公開一種熱硬化型黏著組成物以及黏著片。熱硬化型黏著組成物具有介於80%至90%之間的一黏著力變化率，且所述黏著力變化率符合下列方程式：V=[(V0-V1)/V0]x100，其中，V為熱硬化型黏著組成物的黏著力變化率，V0為熱硬化型黏著組成物在常溫下的黏著力，而V1為硬化型黏著組成物被加熱至預定溫度後再冷卻至常溫的黏著力。

Description

熱硬化型黏著組成物以及黏著片

本發明涉及一種黏著組成物以及包含黏著組成物的黏著片，特別是涉及一種熱硬化型黏著組成物以及包含熱硬化型黏著組成物的黏著片。

在現有技術中，黏著材料諸如黏著片已被廣泛用於各種產品(例如半導體晶圓)的生產過程中。舉例而言，作為半導體晶圓切割時所用的黏著片。因此，使用黏著片以輔助半導體晶圓的切割工作時，黏著片的黏著力須足以與將半導體晶圓相互固定而不與半導體晶圓分離，即不發生剝離。另外，在半導體晶圓經過切割後，於進行拾取(pick-up)經切割的半導體晶圓的步驟中，則需要將黏著片與半導體晶圓分離。因此，用於半導體晶圓的生產過程的黏著片需要同時具備良好的黏著力，以及在經過處理後的易剝離的特性。

在現有的黏著片產品中，於進行所需的處理，例如經過高溫製程之後，黏著片與被黏附的物件之間的黏著力都會上升，因此，反而使得被黏附的物件上的剝離轉印污染量增多或產生殘膠等問題。

因此，為了解決上述問題，現有技術已發展出一種黏著片，其是在黏著片所使用的黏著材料的聚合物中加入具有光硬化特性的官能基。如此一來，在半導體晶圓經過切割後，只要對黏著片進行照光步驟，可以使得黏著片發生硬化而降低其黏著性。據此，可以輕易地在所需的時點將黏著片自經過切割的半導體晶圓剝離。

然而，對黏著片進行照光步驟，例如對光硬化型黏著片照射放射線需要額外添購放射線機台等設備，且在生產過程中需要新增站點，而增加生產成本與降低生產效率。除此之外，由於一般儲存或工作環境中仍或多或少存在有紫外線而影響光硬化黏著片的黏著力，因此，光硬化型黏著片具有不易保存的缺點。

因此，在現有技術中，用於保護或固定目標表面的黏著劑組合物仍然有改善的空間。

本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種熱硬化型黏著組成物，所述黏著片可以在經選擇的溫度下自被黏附的物件輕易剝離。具體來說，通過生產過程中固有的加熱步驟可以降低熱硬化型黏著組成物的黏著力，達到輕易剝離熱硬化型黏著片的效果，同時將被黏著體上的剝離轉印污染量控制在為最小值，進而達到不產生殘膠的技術效果。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種熱硬化型黏著組成物，其具有介於80%至90%之間的一黏著力變化率，且所述黏著力變化率符合下列方程式：V=[(V0-V1)/V0]x100，其中，V為所述熱硬化型黏著組成物的黏著力變化率，V0為所述熱硬化型黏著組成物在常溫下的黏著力，V1為所述硬化型黏著組成物被加熱至一預定溫度後再冷卻至常溫的黏著力。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是，提供一種黏著片，其包括一基膜以及一黏著層。所述黏著層設置於所述基膜上且是由一熱硬化型黏著組成物所形成，且且所述熱硬化型黏著組成物具有介於80%至98%之間的一黏著力變化率，且所述黏著力變化率符合下列方程式：V=[(V0-V1)/V0]x100，其中，V為所述熱硬化型黏著組成物的黏著力變化率，V0為所述熱硬化型黏著組成物在常溫下的黏著力，V1為所述硬化型黏著組成物被加熱至一預定溫度後再冷卻至常溫的黏著力。

本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的熱硬化型黏著組成物以及黏著片，其能通過“所述熱硬化型黏著組成物符合下列方程式：V=[(V0-V1)/V0]x100，其中，V為所述熱硬化型黏著組成物具有介於80%至98%之間的一黏著力變化率，且所述黏著力變化率”的技術方案，以使得黏著片可以在固有的半導體晶圓生產過程中的高溫加熱步驟下產生黏著力下降的效果，藉此本發明的黏著片可以在不增加生產過程的成本與複雜度的前提下，達到輕易剝離的功效。

為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而所提供的附圖僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。

以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“熱硬化型黏著組成物以及黏著片”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的精神下進行各種修飾與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。

首先，本發明實施例所提供的熱硬化型黏著組成物包括主體聚合物、至少一熱硬化基團以及熱硬化劑。以下將針對主體聚合物、熱硬化基團以及熱硬化劑進行詳細說明。

[主體聚合物]

主體聚合物包括衍生自至少一種單體的至少一個結構單元，且上述單體是含有可聚合的碳-碳雙鍵的丙烯醯基或者是含有可聚合的碳-碳雙鍵甲基丙烯醯基。在下文中，含有可聚合的碳-碳雙鍵的丙烯醯基或者是含有可聚合的碳-碳雙鍵甲基丙烯醯基將被稱為「具有可聚合的碳-碳雙鍵基之單體」。

另外，用以形成主體聚合物的至少一結構單元的單體，例如，含有可聚合的碳-碳雙鍵甲基丙烯醯基可以是飽和烴的(甲基)丙烯酸酯。飽和烴可以包含烷基、環烷基或是其等的組合。舉例而言，飽和烴可以是(甲基)丙烯酸烷基酯或是(甲基)丙烯酸環烷基酯。烷基可以是甲基、乙基、丁基、辛基、2-乙基己基、癸基、十二烷基、十三烷基或是十八烷基，而環烷基可以是環丙基、環丁基或是環己基。

除此之外，與本發明中的主體聚合物有關的單體除了上述飽和烴的(甲基)丙烯酸酯之外，還可以包含其他可共聚合的單體，諸如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯以及(甲基)丙烯酸羧基戊酯等含羧基單體；(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯以及(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等含羥基單體；(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、(甲基)丙烯酸烷基胺基烷基酯(例如甲基丙烯酸二甲基胺基乙酯、甲基丙烯酸第三丁基胺基乙酯等)、丙烯醯基嗎啉、丙烯腈、N,N-二甲基丙烯醯胺等側鏈上含有氮之單體；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基酯等含烷氧基單體；2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯以及(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基單體；丙烯醯基磷酸2-羥乙酯等含磷酸基單體；以及丙烯醯胺以及丙烯腈等。具體來說，當主體聚合物包括衍生自上述單體的結構單元時，主體聚合物的物理性質，例如凝聚力與耐熱性會被提升。事實上，通過使用上述單體，包括主體聚合物的產品在使用期間不易發生殘脫膠的情形，且更可以承受不同的加熱環境。

上述可共聚合的單體可以單獨使用以形成主體聚合物的結構單元，或是，可以同時使用兩種以上的可共聚合的單體以形成主體聚合物的結構單元。在本發明的一個實施例中，在用以形成主體聚合物的結構單元的單體中，是單獨使用丙烯酸系的單體，或是單獨使用甲基丙烯酸系的單體。

另外，用以形成主體聚合物的結構單元的單體還可以包含多官能單體，以在聚合反應中進行高度交聯反應。舉例而言，多官能單體可以是己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯或是(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯。

同樣地，上述多官能單體可以被單獨使用，或是可以同時使用兩種以上的多官能單體。或是，如前針對可共聚合的單體所述，在用以形成主體聚合物的結構單元的單體中，可以單獨使用丙烯酸系的單體或是甲基丙烯酸系的單體。通過使用多官能單體，可以使得所衍生而得的主體聚合物具有經改良的凝聚力與耐熱性。

如此一來，所形成的主體聚合物作為黏著膠體的內聚力可以被有效提升。在進一步使用具有不同的分解溫度的高溫硬化反應劑時，本發明所提供的黏著片可以通過高溫製備方法而具有良好的剝離效果，且降低殘留於產品表面的汙染物的含量。

如上所述，本發明的主體聚合物可以是通過單獨使用上述單體進行聚合反應而得，或是使用兩種以上的單體的混合物進行聚合反應而得。聚合反應的種類可以是溶液聚合、乳液聚合、整體聚合(mass polymerization)或是懸浮聚合反應。

經過聚合反應而形成主體聚合物後，主體聚合物可以具有大於20萬的重量平均分子量。較佳地，本發明實施例的主體聚合物是具有介於80萬至350萬之間的重量平均分子量。針對主體聚合物的重量平均分子量，其可以是以膠滲層析法測量並經過計算而得(重量平均分子量是藉由凝膠滲透層析儀(GPC)，以聚苯乙烯為標準品換算而得)。

具有介於上述範圍之內的重量平均分子量的主體聚合物可以具有較低的寡聚物含量。如此一來，在包含主體聚合物的熱硬化型黏著組成物經過熱硬化程序而自黏附物的表面剝離後，可以大幅減少殘留在黏附物表面的污染物。具體來說，基於上述針對與主體聚合物有關的單體的選擇，可以使得主體聚合物具有較高的分子量。據此，主體聚合物將具有較佳的物理性質，例如不易殘脫膠以及優良的耐熱性等。如此一來，低分子量物質不會隨時間經過於黏著劑中移動，進而確保熱硬化型黏著劑組合物的穩定性。相對的，若主體聚合物的分子量較低，則在黏著劑產品中的低分子量物質會對熱硬化型黏著劑組合物有不利的影響。

[熱硬化基團]

在本發明實施例中，熱硬化基團與主體聚合物必須相互配合以發揮本發明所欲達成的功效。具體來說，本發明實施例所提供的熱硬化型黏著組成物所包含的至少一熱硬化基團是有助於高溫熱硬化的基團，且可以是與主體聚合物的結構單元的「具有可聚合的碳-碳雙鍵基之單體」相同的基團。舉例而言，熱硬化基團可以同樣含有可聚合的碳-碳雙鍵基。

除此之外，熱硬化基團是以具有熱硬化基團的單體，或者是具有熱硬化基團的寡聚物的形式存在於硬化黏著劑組成物中。換句話說，熱硬化基團可以具有可聚合的碳-碳雙鍵基的單體或是寡聚物之形式存在。

在本發明中，熱硬化基團可以是通過鍵結方式而位於主體聚合物的側鏈上。或者是，熱硬化基團可以是由經由額外添加的具有熱硬化基團的寡聚物所提供。換句話說，主體聚合物的至少一個結構單元可以是衍生自具有熱硬化基團的單體，且這個結構單元是位於主體聚合物的側鏈上，抑或是在不改變主體聚合物的情況下，額外添加具有熱硬化基團的聚物。在本發明的實施例中，是使用額外添加的具有熱硬化基團的寡聚物作為熱硬化基團的來源。

本發明實施例所使用的熱硬化基可以衍生自具有熱硬化基的單體，而具有熱硬化基的單體可以是具有含可聚合的碳-碳雙鍵的丙烯醯基或是具有含可聚合的碳-碳雙鍵的甲基丙烯醯基的單體。或是，本發明實施例所使用的熱硬化基可以衍生自上述具有熱硬化基的單體的寡聚物。舉例而言，本發明實施例所使用的熱硬化基可以衍生自季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸與多元醇的酯化物；酯-丙烯酸酯寡聚物；2-丙烯基-3-丁烯基氰脲酸酯；或是異氰脲酸酯、異氰脲酸酯化合物等。

在本發明實施例中，可以單獨使用上述化合物的其中一種，或是併用兩種以上的上述化合物來形成熱硬化基團。

另外，當使用具有熱硬化基的單體衍生的寡聚物來構成本發明所提供的熱硬化型黏著組成物中的熱硬化基團時，具有熱硬化基團的寡聚物的含量並不加以限制。然而，為了使熱硬化型黏著組成物在高溫反應後對被黏附物的黏著力被控制在所欲的範圍內，以熱硬化型黏著組成物中主體聚合物的重量為基準，具有熱硬化基的單體中的可聚合的碳-碳雙鍵基的含量為介於0.2至10%之間，較佳是介於1至5%之間，且最佳是介於3至3.6%之間。基於上述範圍，可以適當地選擇熱硬化型黏著組成物中的熱硬化基團的含量。熱硬化基團的位置可以依據產品需求加以調整。

[熱硬化劑]

在本發明所提供的熱硬化型黏著組成物中的熱硬化劑可以是一種高溫熱硬化反應劑。高溫熱硬化反應劑在高溫過程下可以發生反應而達到降低熱硬化型黏著組成物的黏著力的效果。可用於本發明的熱硬化劑例舉於下表1中，且表1中同時列出其等的分解溫度。

通過熱硬化劑的使用，可以對本發明實施例所提供的熱硬化黏著組成物進行加熱步驟，而利用熱源起始聚合反應。用於本發明中的熱源可以是電波、電子束、紅外線、可見光線、紫外線、X射線或是γ射線。然而，本發明的加熱方式(即提供熱源的方式)不在此限制且也可以是通過熱風烘箱、鹵素燈、微波加熱、火爐或蒸氣熱傳導等方式提供熱源。

值得注意的是，進行高溫加熱步驟時，加熱溫度需要高於所使用的熱硬化劑的分解溫度，且加熱時間必須持續至少5分鐘。另外，使用高於所使用的硬化劑的分解溫度至少20℃的加熱溫度可以確保熱硬化型黏著組成物的熱硬化效果。

舉例而言，當採用上表1中的熱硬化劑28進行高溫加熱步驟，加熱溫度須高於121℃且加熱時間為至少5分鐘，較佳地，加熱溫度是高於141℃。如此一來，方能確保熱硬化型黏著組成物經過加熱而完全硬化。

[其他添加劑]

本發明實施例所提供的熱硬化型黏著組成物還可以包括用以起始主體聚合物聚合反應的熱聚合起始劑。熱聚合起始劑可以是過氧化苯(benzoyl peroxide)、偶氮二異丁腈(AIBN)或是其等的混合物。

以100份的主體聚合物為基準，在熱硬化型黏著組成物中的熱聚合起始劑的含量是介於0.1至20重量份之間，較佳地熱聚合起始劑的含量是介於0.5至10重量份。

實務上，本發明實施例所提供的熱硬化型黏著組成物在作為片狀材料(黏著片)時是具有特定的黏著力變化率。具體來說，本發明實施例所提供的熱硬化型黏著組成物符合下列方程式：V=[(V0-V1)/V0]x100；其中，V為所述熱硬化型黏著組成物的黏著力變化率且是介於80%至98%之間，V0為所述熱硬化型黏著組成物在常溫下的黏著力，V1為所述硬化型黏著組成物被加熱至一預定溫度後再冷卻至常溫的黏著力。

在本發明實施例中，常溫為介於22至26℃的溫度，而預定溫度則是依據所選用的熱硬化劑而會有所不同。舉例而言，當選用表1中所列的硬化劑1時，預定溫度可以是介於66至71℃之間。另外，加熱時間為至少5分鐘。另外，硬化型黏著組成物被加熱至上述預定溫度後再冷卻至常溫的黏著力為小於200gf/inch。

除此之外，本發明還提供一種黏著片。黏著片包括基膜以及如上所述的熱硬化型黏著組成物。據此，有關熱硬化型黏著劑組成物的組成皆如上所述，在此不再次敘述。

本發明所提供的黏著片可以具有不同形狀。具體來說，黏著片可以是片狀的黏著材料，或者是被捲取成卷狀的黏著材料。另外，黏著片的形狀可以依據應用的領域、用以黏附的產品型態，或是其他製造過程的參數而加以調整，本發明在此並不加以限制。

黏著片所包括的基膜是用以提供設置於基膜上的熱硬化型黏著組成物支撐。黏著片的基膜厚度可以是介於10至300微米(μm)之間，較佳地，基膜的厚度為介於30至200微米之間。

在本發明中，基膜可以是單層膜或是多層膜。換句話說，基膜可以由多種由不同材料所形成的薄膜相互堆疊而成。用以形成基膜的材料可以是聚合物材料，例如由下列物質所形成的塑膠材料：低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴，乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯的無規或是交替共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚胺基甲酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯等聚酯、聚醯亞胺、聚醚酮、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、氟樹脂、聚矽氧樹脂、纖維素系樹脂以及其等的混合物等。另外，依據製造過程的需求，以其產品特性等因素，這些材料也可以另外與功能性官能基或是功能性單體等可以提供附加特性的材料併用。

除此之外，用於黏著片的基膜還可以具有經過處理的表面。換句話說，基膜可以包括兩層以上的薄膜，且其中一層薄膜為含金屬的材料層(導電層)。例如，基膜的表面可以塗佈有金屬層、合金層或是金屬或是合金氧化物層，以提供基膜導電特性。含金屬的材料層可以通過蒸鍍或是電鍍方式而形成在另一層薄膜(基材層)的表面。在本發明實施例中，含金屬的材料層的厚度是介於3至50奈米之間。將含金屬的材料層(導電層)的厚度控制在上述範圍可以使得包括含金屬的材料層的基膜具有優異的防靜電特性。

另外，基膜還可以通過進行表面處理而可以良好地與其他層體相互緊密接合。舉例而言，可以對基膜進行物理處理或是化學處理，或是對基膜同時進行物理處理與化學處理。處理方式可以包括光處理、電暈放電、底塗(undercoat)處理、塗佈處理、交聯處理、鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露以及離子化放射線處理等。

本發明實施例所提供的黏著片中的黏著層可以通過塗佈步驟或是轉印步驟而形成在基膜的表面。舉例而言，可以直接將熱化型黏著組成物塗佈於基膜的表面。或者是，可以先將熱硬化型黏著組成物塗佈於一暫時載體的表面，暫時載體的表面預先設置有脫模劑，待塗佈於暫時載體的脫模劑上的熱硬化型黏著組成物乾燥成形後，再將乾燥成形的熱硬化型黏著組成物轉印至基膜的表面。

在本發明中，黏著層的厚度可以是介於1至50微米(μm)之間的範圍內。實務上，為了確保包括黏著層的黏著片的黏著力，黏著層必須具有大於1微米的厚度。

本發明實施例所提供的黏著片除了包括基膜與黏著層之外，還可以進一步包括離型層。離型層可以設置於黏著層的表面，使得黏著層設置於基膜與離型層之間。離型層可以具有介於10至200微米(μm)之間的厚度，且可以由紙、聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯所形成。離型層可以對黏著層提供保護以及隔離的效果，使得黏著片在儲存時不會受到外界環境的因素影響而降低黏著力等特性。

實務上，為了增加離型層的功能性，還可以賦予離型層抗紫外線的功能，藉此可以有效避免黏著片的黏著層受到儲存環境的紫外光影響而發生反應。另外，在使用時輕易將離型層自黏著層分離，離型層的表面可以經過特定表面處理步驟，舉例而言，對離型層的表面進行改質，諸如進行聚矽氧處理、長鏈烷基處理或是氟處理等剝離處理。

本發明實施例所提供的黏著片可以用於半導體產業中。舉例而言，黏著片可以用以黏附於半導體晶圓、半導體封裝件等。黏著片所黏附的物件的材料並不加以限制，舉例而言可以是金屬、陶瓷、玻離等材料。經過實驗證實，本發明實施例所提供的黏著片可以良好地適用於軟板、硬板、軟硬結合板、LED、或半導體相關電子產業生產過程中保護或是乘載用黏著片。

在將黏著片貼附於被黏附物上進行特定的生產或是製造步驟之後，在需要將黏著片自被黏附物移除之前，可以通過被黏附物本身生產程序中的加熱步驟而對黏著片的黏著層進行加熱處理。

一般而言，對本發明實施例所提供的黏著片實施加熱處理的時間是介於5至30分鐘之間。實務上，加熱時間須至少為5分鐘，藉此確保黏著層的黏著力降低率是足以在後續步驟中輕易將切割後的晶圓(被黏附物)自黏著片分離，達到容易拾取的技術效果。

接下來將以實施例以及比較例例示本發明實施例所提供的熱硬化型黏著組成物以及黏著片的內容與效果。

[主體聚合物的前驅物(主體膠)製備]

在一升(1L)的圓底燒瓶上裝設有分液漏斗、溫度計、氮氣導入管、冷凝管、真空密封件、攪拌棒、攪拌葉片的一般聚合用實驗裝置中添加入500克(g)的乙酸乙酯、75g的丙烯酸甲酯、40.5g 的丙烯酸2-乙基己酯以及2.2g的丙烯酸。

主體膠的熱聚合起始劑使用相對於單體總量為0.3重量%的AIBN。

接下來，在上述聚合用實驗裝置中通入氮氣，在進行攪拌下利用隔水加熱方式將實驗裝置內溶液溫度控制為65℃±2℃，反應12小時，獲得主體膠溶液。

[黏著劑溶液的製備]

於上述獲得的主體膠溶液中混合高溫反應熱硬化反應劑、具有熱硬化基團的硬化寡聚物，例如商品名為U-4HA或商品名為U-4H的單體(分別為含有丙烯醯基與甲基丙烯醯基的多官能單體，新中村化學公司製造)、多異氰酸酯系交聯劑以及乙酸乙酯，均勻攪拌以獲得黏著劑溶液。

相對於主體膠之單體總量，添加2%多異氰酸酯系交聯劑(Coronate L，日本聚氨酯公司製造)。

[黏著片的製作]

利用塗佈機將所獲得之聚合物溶液或黏著劑溶液塗佈於經聚矽氧系化合物進行剝離處理的PET膜的剝離處理面上，並於80℃之乾燥機中乾燥2分鐘，獲得厚度為10μm的黏著層。

使用市售一般聚醯亞胺(PI)膜(例如達邁產品編號TL-025的聚醯亞胺膜)作為基膜。事先對基膜的單面進行電暈處理。基膜的厚度為25μm。

用手壓輥將黏著層貼合於該基膜之電暈處理面上，於50℃下密接化處理72小時，製作黏著片。

[黏著力測試]

將上述黏著片切斷為寬度1吋(inch)，長度150毫米(mm)，用2公斤(kg)的輥使其貼合於在23℃(室溫下)進行過鏡面處理的拋光鋼板上。所述拋光鋼板是使用前用無塵布沾濕酒精及丙酮進行清潔並放置1小時。

其後，貼合在拋光鋼板上的黏著劑經過不同溫度的高溫處理後，於剝離速度300mm/分鐘、剝離角度180度下進行剝離，並測定黏著力(單位：gf/1inch)。高溫處理的溫度依據所選用的熱硬化劑的熱分解溫度而定。

用於各個實施例與比較例中的熱硬化基團的含量、熱硬化劑的種類與含量，以及經黏著力測試所得的結果列於下表2中。表2中的含量是以熱硬化型黏著組成物的總重計算。

在表3中，熱硬化劑8為叔丁基過氧基異丁酸酯，而熱硬化劑36為2,3-二甲基-2,3-二苯基丁烷。

由表3所顯示的測試結果可知，本發明實施例所提供的熱固性黏著組成物除了具有良好的初始黏著力V0，在進行高溫處理後則是具有介於特定範圍內的黏著力變化率。

[實施例的有益效果]

本發明的有益效果在於，本發明實施例所提供的熱硬化型黏著組成物以及黏著片，其能通過“所述熱硬化型黏著組成物符合下列方程式：V=[(V0-V1)/V0]x100，其中，V為所述熱硬化型黏著組成物的黏著力變化率且是介於80%至98%之間，V0為所述熱硬化型黏著組成物在常溫下的黏著力，V1為所述硬化型黏著組成物被加熱至一預定溫度後再冷卻至常溫的黏著力”的技術方案，以使得黏著片可以在固有的半導體晶圓生產過程中的高溫加熱步驟下產生黏著力下降的效果，藉此本發明的黏著片可以在不增加生產過程的成本與複雜度的前提下，達到輕易剝離的功效。

具體來說，本發明實施例所提供的熱硬化型黏著組成物以及由此製成的黏著片，是可以配合產品的製造方法中的加熱步驟的溫度範圍而選用具有不同分解溫度的熱硬化劑，或是配合所欲進行的加工步驟的溫度範圍而選用具有不同分解溫度的熱硬化劑，藉此輕易達到降低黏著組成物或是黏著片的黏著力，而使得其與被貼附的產品相互分離。

舉例而言，針對模製(molding)程序，可以配合其溫度條件(諸如150至200℃)選擇具有適當分解溫度的熱硬化劑，或是針對回焊(reflow)程序，也可以配合其溫度條件(諸如230至280℃)選擇具有適當分解溫度的熱硬化劑。如此一來，本發明的熱硬化型黏著組合物以及黏著片可以良好適用於不同產業以及製造程序，而具有較為廣泛的應用範圍。

以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及附圖內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。

Claims

一種熱硬化型黏著組成物，其包括一主體聚合物、至少一熱硬化基團，以所述主體聚合物的重量為基準，所述熱硬化基團的可聚合的碳-碳雙鍵基的含量為介於0.2至10%之間；其中，所述熱硬化型黏著組合物具有介於80%至90%之間的一黏著力變化率，且所述黏著力變化率符合下列方程式：V=[(V0-V1)/V0]x100，其中，V為所述熱硬化型黏著組成物的黏著力變化率，V0為所述熱硬化型黏著組成物在常溫下的黏著力，V1為所述硬化型黏著組成物被加熱至一預定溫度後再冷卻至常溫的黏著力。
如請求項1所述的熱硬化型黏著組成物，其中，所述硬化型黏著組成物被加熱至所述預定溫度後再冷卻至常溫的黏著力小於200gf/inch。
如請求項1所述的熱硬化型黏著組成物，其中，所述熱硬化型黏著組合物還包括一熱硬化劑，其中，所述主體聚合物包括衍生自一單體的至少一結構單元，所述單體是一含有可聚合的碳-碳雙鍵的丙烯醯基或者是一含有可聚合的碳-碳雙鍵甲基丙烯醯基。
如請求項3所述的熱硬化型黏著組成物，其中，所述熱硬化基團是以具有所述熱硬化基團的一單體或者是具有所述熱硬化基團的一寡聚物的形式存在於所述硬化黏著劑組成物中。
如請求項3所述的熱硬化型黏著組成物，其中，所述熱硬化基團是甲基丙烯醯基。
如請求項3所述的熱硬化型黏著組成物，其中，所述主體聚合物具有介於20萬至350萬之間的重量平均分子量。
一種黏著片，其包括：一基膜；以及一黏著層，所述黏著層設置於所述基膜上且是由一熱硬化型黏著組成物所形成，所述熱硬化型黏著組成物包括一主體聚合物、至少一熱硬化基團，以所述主體聚合物的重量為基準，所述熱硬化基團的可聚合的碳-碳雙鍵基的含量為介於0.2至10%之間；其中，所述熱硬化型黏著組成物具有介於80%至98%之間的一黏著力變化率，且所述黏著力變化率符合下列方程式：V=[(V0-V1)/V0]x100，其中，V為所述熱硬化型黏著組成物的黏著力變化率，V0為所述熱硬化型黏著組成物在常溫下的黏著力，V1為所述硬化型黏著組成物被加熱至一預定溫度後再冷卻至常溫的黏著力。
如請求項7所述的黏著片，其中，所述基膜具有一導電層以及一基材層，所述基膜具有介於10至300微米之間的厚度，且所述導電層具有介於3至50奈米之間的厚度。
如請求項7所述的黏著片，其中，所述熱硬化型黏著組合物還包括一熱硬化劑，其中，所述主體聚合物包括衍生自一單體的至少一結構單元，所述單體是一含有可聚合的碳-碳雙鍵的丙烯醯基或者是一含有可聚合的碳-碳雙鍵甲基丙烯醯基。
如請求項9所述的黏著片，其中，所述熱硬化基團是以具有所述熱硬化基團的一單體或者是具有所述熱硬化基團的一寡聚物的形式存在於所述硬化黏著劑組成物中。
如請求項9所述的黏著片，其中，所述熱硬化基團是甲基丙烯醯基。