TWI591708B - 用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜 - Google Patents

用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜 Download PDF

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Description

用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜
本發明係關於用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜，其具有用於覆晶型半導體背面之薄膜。該用於覆晶型半導體背面之薄膜用於保護半導體元件(例如半導體晶片)之背面及增強強度之目的。此外，本發明係關於使用用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜來製作半導體器件之方法及覆晶安裝式半導體器件。
最近，已日益要求半導體器件及其封裝之薄化及小型化。因此，作為半導體器件及其封裝，已廣泛利用其中半導體元件(例如半導體晶片)藉助覆晶結合安裝於基板上之覆晶型半導體器件。在此覆晶連接中，將半導體晶片以其中該半導體晶片之電路面與基板之電極形成面相對之形式固定至該基板。於此一半導體器件或類似器件中，可存在半導體晶片之背面由保護薄膜保護以阻止半導體晶片損壞或諸如此類之情形(參見，專利文獻1至10)。
專利文獻1：JP-A-2008-166451
專利文獻2：JP-A-2008-006386
專利文獻3：JP-A-2007-261035
專利文獻4：JP-A-2007-250970
專利文獻5：JP-A-2007-158026
專利文獻6：JP-A-2004-221169
專利文獻7：JP-A-2004-214288
專利文獻8：JP-A-2004-142430
專利文獻9：JP-A-2004-072108
專利文獻10：JP-A-2004-063551
然而，為藉由保護薄膜保護半導體晶片之背面，需要添加用於將保護薄膜附著至在切晶步驟中所獲得半導體晶片之背面的新步驟。因此，使步驟數目增加且使製作成本及諸如此類增加。因此，出於降低製作成本之目的，本發明者已研發出用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜。用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜具有一結構，其包括切晶帶，其具有基礎材料及該基礎材料上之壓敏黏合劑層；及用於覆晶型半導體背面之薄膜，其形成於該切晶帶之壓敏黏合劑層上。在製作半導體器件時，用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜係如下使用。首先，將半導體晶圓附著至用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜中之用於覆晶型半導體背面之薄膜上，接下來，對該半導體晶圓進行切晶以形成半導體元件。隨後，將該半導體元件連同該用於覆晶型半導體背面之薄膜一起自該切晶帶之壓敏黏合劑層剝離並拾取，且然後將該半導體元件覆晶連接至黏合體(例如基板)上。因此，獲得覆晶型半導體器件。然而，在上文所述用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜中，在壓敏黏合劑層與用於覆晶型半導體背面之薄膜之間具有高緊密黏合性之情形下，在一些情形下拾取半導體元件變得困難。
就半導體元件之拾取性質而言，本發明者已進一步研發用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜，其包括預先藉由用輻射線輻照固化之壓敏黏合劑層。由於在拾取半導體元件時，此用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜在壓敏黏合劑層與用於覆晶型半導體背面之薄膜之間展現良好剝離性質而不用輻射線輻照，因此可改良拾取性質。此外，由 於無需用輻射線輻照之步驟，因此可減少製作半導體器件之製作步驟之數目且亦可降低製作成本。
然而，在此一上文中所述用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜中，由於壓敏黏合劑層已預先經輻射固化，因此壓敏黏合劑層與用於覆晶型半導體背面之薄膜之間具有低緊密黏合性。
因此，舉例而言，存在對半導體晶圓進行切晶時半導體元件出現晶片飛邊及碎裂之問題。另外，亦存在切割時所用切削水滲入壓敏黏合劑層與用於覆晶型半導體背面之薄膜之間之問題。
本發明已考慮上述問題且其目的係提供用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜，其能夠防止在對半導體晶圓進行切晶時半導體元件出現晶片飛邊及碎裂及切晶中所用切削水滲入壓敏黏合劑層與用於覆晶型半導體背面之薄膜之間，同時維持在拾取半導體元件時之良好剝離性質，且提供製作半導體器件之方法。
為了解決上述問題，本發明者進行了廣泛且深入的研究。因此，已發現，可藉由採用以下組態來解決上述問題，藉此實現本發明。
亦即，本發明提供用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜，其包含用於覆晶型半導體背面之薄膜，其用於保護覆晶連接至黏合體上之半導體元件之背面；及切晶帶，該切晶帶包含基礎材料及提供於該基礎材料上之壓敏黏合劑層，該用於覆晶型半導體背面之薄膜形成於該壓敏黏合劑層上，其中該壓敏黏合劑層係輻射可固化壓敏黏合劑層，其對用於該覆晶型半導體背面之薄膜之壓敏黏合力藉由用輻射線輻照降低。
根據上述組態，由於壓敏黏合劑層與用於覆晶型半導體背面之 薄膜之間具有良好緊密黏合性，因此，舉例而言，可防止在對半導體晶圓進行切晶時半導體元件出現晶片飛邊及碎裂。此處，在切晶時，舉例而言，藉由以高速度旋轉切晶刀片或諸如此類來切削半導體晶圓，且通常藉由在切削部分上噴射用於冷卻並防止切削碎屑飛濺之切削水來執行切削。根據本發明，由於壓敏黏合劑層與用於覆晶型半導體背面之薄膜之間具有良好緊密黏合性，因此可防止切削水滲入此二者之間。此外，在上述組態中，由於使用輻射可固化型壓敏黏合劑層作為壓敏黏合劑層，因此對用於覆晶型半導體背面之薄膜之壓敏黏合力之降低可藉由在拾取(例如)半導體元件前立即用輻射線輻照壓敏黏合劑層來達成。因此，在拾取半導體元件連同用於覆晶型半導體背面之薄膜時，可很好地執行拾取而不會產生黏合劑殘餘物。附帶而言，半導體元件之背面意指與電路形成面(電路面)相對之面(非電路面)。
用於覆晶型半導體背面之薄膜較佳含有著色劑。由於此構造，用於覆晶型半導體背面之薄膜可具有展現極佳雷射標記性質及極佳外觀性質之功能。因此，舉例而言，可執行標記以藉助用於覆晶型半導體背面之薄膜，藉由利用諸如印刷方法及雷射標記方法等各種標記方法中之任一者，使用半導體元件來賦予該半導體元件或半導體器件之非電路側上之面各種資訊，例如文字資訊及圖形資訊。此外，可容易地將用於覆晶型半導體背面之薄膜與切晶帶彼此區別開，且因此可增強可加工性及諸如此類。
此外，本發明亦提供使用上述用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜來製作半導體器件之方法，該方法包含：將半導體晶圓附著至該用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜中之用於覆晶型半導體背面之薄膜上，對該半導體晶圓進行切晶以形成半導體元件，自基礎材料側用輻射線輻照該用於半導體背面之切晶帶一體型 薄膜中之壓敏黏合劑層，將該半導體元件連同該用於覆晶型半導體背面之薄膜一起自該切晶帶之壓敏黏合劑層剝離，及將該半導體元件覆晶連接至黏合體上。
根據該方法，將半導體晶圓附著至用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜中之用於覆晶型半導體背面之薄膜上，且以該半導體晶圓之背面受保護之狀態對該半導體晶圓進行切晶。此時，由於壓敏黏合劑層不預先藉由用輻射線或諸如此類輻照固化，因此與用於覆晶型半導體背面之薄膜之緊密黏合性呈良好狀態。因此，可防止半導體元件出現晶片飛邊及碎裂。此外，在切晶時，噴射切削水用於冷卻並防止切削碎屑飛濺。根據上述方法，由於壓敏黏合劑層與用於覆晶型半導體背面之薄膜之間具有良好緊密黏合性，因此可執行切晶，同時防止切削水滲入此二者之間。
此外，在上述方法中，藉由自基礎材料側用輻射線輻照壓敏黏合劑層來降低對用於覆晶型半導體背面之薄膜之壓敏黏合力。因此，半導體元件連同用於覆晶型半導體背面之薄膜可自切晶帶之壓敏黏合劑層容易地拾取而不會產生黏合劑殘餘物。亦即，根據製作方法，可防止在切晶步驟時半導體元件之晶片飛邊及碎裂及切削水滲入壓敏黏合劑層與用於覆晶型半導體背面之薄膜之間，且在拾取步驟時充分拾取半導體元件亦成為可能。
此外，本發明亦提供覆晶型半導體器件，其係藉由如上文中所述製作半導體器件之方法來製造。
根據本發明，在用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜(其包括切晶帶，其包括基礎材料及基礎材料上之輻射可固化壓敏黏合劑層、及形成於該壓敏黏合劑層上之用於覆晶型半導體背面之薄膜)中，由於採用輻射可固化壓敏黏合劑層(其對用於覆晶型半導體背面之薄膜之 壓敏黏合力可藉由用輻射線輻照降低)作為壓敏黏合劑層，因此藉由在拾取前(特定而言，在拾取時)用輻射線輻照該壓敏黏合劑層可充分執行半導體元件之拾取。此外，由於壓敏黏合劑層與用於覆晶型半導體背面之薄膜之間具有良好緊密黏合性且呈壓敏黏合劑層不用輻射線輻照之狀態，因此可防止在對半導體晶圓進行切晶時半導體元件出現晶片飛邊及碎裂。此外，在切晶時，噴射切削水用於冷卻並防止切削碎屑飛濺，但亦可防止切削水滲入壓敏黏合劑層與用於覆晶型半導體背面之薄膜之間。亦即，根據本發明組態，可提供用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜，其在拾取時能夠展現良好剝離性質，同時防止在切晶時半導體元件之晶片飛邊及碎裂及切削水滲入壓敏黏合劑層與用於覆晶型半導體背面之薄膜之間。
1‧‧‧用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜
2‧‧‧用於半導體背面之薄膜
3‧‧‧切晶帶
4‧‧‧半導體晶圓
5‧‧‧半導體晶片
6‧‧‧黏合體
11‧‧‧用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜
12‧‧‧用於半導體背面之薄膜
12a‧‧‧半導體晶圓附著部分
12b‧‧‧除半導體晶圓附著部分以外之部分
31‧‧‧基礎材料
32‧‧‧壓敏黏合劑層
32a‧‧‧對應於半導體晶圓附著部分之部分
32b‧‧‧除對應於半導體晶圓附著部分之部分以外之部分
51‧‧‧在半導體晶片5之電路面側處形成之凸塊
61‧‧‧用於接合黏合至黏合體6之連接墊之導電材料
圖1係展示本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜之一個實施例的剖面示意圖。
圖2係展示本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜之另一實施例的剖面示意圖。
圖3A至3E係展示用於使用本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜來製作半導體器件之方法之一個實施例的剖面示意圖。
參照圖1及2來闡述本發明實施例，但本發明並不限於該等實施例。圖1係根據本發明實施例展示用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜之一個實施例的剖面示意圖。圖2係根據本發明實施例展示用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜之另一實施例的剖面示意圖。附帶而言，於本說明書之圖式中，未給出對說明無關緊要之部分，且存在藉由放大、縮小等來展示以使說明變得容易之部分。
(用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜)
如圖1中所展示，用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1(在下文中有時亦稱作「切晶帶一體型半導體背面保護薄膜」、「用於具有切晶帶之半導體背面之薄膜」或「具有切晶帶之半導體背面保護薄膜」)具有一組態，該組態包括：切晶帶3，其包括形成於基礎材料31上之壓敏黏合劑層32；及形成於壓敏黏合劑層32上之用於覆晶型半導體背面之薄膜2(在下文中有時稱作「用於半導體背面之薄膜」或「半導體背面保護薄膜」)。用於半導體背面之薄膜2僅形成於對應於半導體晶圓附著部分之部分32a上。此外，本發明可係用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜11，其具有一組態，該組態包括提供於壓敏黏合劑層32之整個表面上之用於半導體背面之薄膜12。附帶而言，用於半導體背面之薄膜2之表面(欲附著至該晶圓之背面之表面)可經隔離物或諸如此類保護直至該薄膜附著至該晶圓背面為止。
(用於覆晶型半導體背面之薄膜)
用於半導體背面之薄膜2(或12)具有薄膜形狀。在用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜作為產品之實施例中，用於半導體背面之薄膜2(或12)通常呈未固化狀態(包括半固化狀態)，且在用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜附著至半導體晶圓後經熱固化(詳情將稍後闡述)。
用於半導體背面之薄膜2(或12)可由樹脂組合物形成且較佳由含有熱固性樹脂組份及熱塑性樹脂組份之樹脂組合物形成。此外，用於半導體背面之薄膜2(或12)可由不使用熱固性樹脂組份之熱塑性樹脂組合物構成或可由不使用熱塑性樹脂組份之熱固性樹脂組合物構成。
該熱塑性樹脂之實例包括天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂(例如6-耐綸(6-nylon)及6,6-耐綸)、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂、飽和聚酯樹脂(例如PET(聚對苯二甲酸乙二酯)或 PBT(聚對苯二甲酸丁二酯))、聚醯胺醯亞胺樹脂或氟樹脂。該熱塑性樹脂可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。在該等熱塑性樹脂之中，含有少量離子雜質之丙烯酸系樹脂(其具有高耐熱性且能夠確保半導體元件之可靠性)係尤佳的。
該等丙烯酸系樹脂不受特別限制，且其實例包括含有一種或兩種或更多種具有直鏈或具支鏈烷基之丙烯酸或甲基丙烯之酯作為組份的聚合物，該直鏈或具支鏈烷基具有30個或更少個碳原子、較佳4至18個碳原子、更佳6至10個碳原子且尤其8或9個碳原子。亦即，在本發明中，丙烯酸系樹脂具有亦包括甲基丙烯酸系樹脂在內的寬泛含義。該烷基之實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、2-乙基已基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基及十八烷基。
此外，用於形成該等丙烯酸系樹脂之其他單體(除其中烷基係具有30個或以下碳原子者之丙烯酸或甲基丙烯酸烷基酯以外的單體)不受特別限制，且其實例包括：含羧基之單體，例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙基酯、丙烯酸羧戊基酯、衣康酸(itaconic acid)、馬來酸、富馬酸及巴豆酸；酸酐單體，例如馬來酸酐及衣康酸酐；含羥基之單體，例如(甲基)丙烯酸2-羥乙基酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙基酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁基酯、(甲基)丙烯酸6-羥己基酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛基酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸基酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂基酯及甲基丙烯酸(4-羥甲基環己基)酯；含磺酸基團之單體，例如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙基酯及(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸；及含磷酸基團之單體，例如磷酸2-羥乙基丙烯醯基酯。就此而言，(甲基)丙烯酸意指丙烯酸及/或甲基丙烯酸，(甲基)丙烯酸酯意指 丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯，(甲基)丙烯醯基意指丙烯醯基及/或甲基丙烯醯基等，其在整個說明書中皆應適用。
此外，該熱固性樹脂之實例除環氧樹脂及酚系樹脂以外，亦包括胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂及熱固性聚醯亞胺樹脂。該熱固性酚系樹脂組份可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。作為熱固性樹脂組份，僅含有少量侵蝕半導體元件之離子雜質之環氧樹脂係適宜的。此外，該酚系樹脂適宜用作該等環氧樹脂之固化劑。
該環氧樹脂不受特別限制且，舉例而言，可使用雙官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂(例如雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、芴型環氧樹脂、苯酚酚醛型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛型環氧樹脂、叁羥苯基甲烷型環氧樹脂及四羥苯基乙烷烷型環氧樹脂)，或環氧樹脂(例如乙內醯脲型環氧樹脂、三縮水甘油基異氰尿酸酯型環氧樹脂或縮水甘油基胺型環氧樹脂)。
作為該環氧樹脂，在上文所例示之彼等環氧樹脂之中，酚醛型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、叁羥苯基甲烷型環氧樹脂及四羥苯基乙烷型環氧樹脂係較佳的。此乃因該等環氧樹脂與作為固化劑之酚系樹脂具有高反應性且在耐熱性等方面係優異的。
此外，上述酚系樹脂用作環氧樹脂之固化劑，且其實例包括酚醛型酚系樹脂，例如苯酚酚醛樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛樹脂、第三丁基苯酚酚醛樹脂及壬基苯酚酚醛樹脂；甲階型酚系樹脂；及聚羥基苯乙烯(polyoxystyrene)，例如聚-對-羥基苯乙烯。該酚系樹脂可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。在該等酚系樹脂之中，苯酚酚醛樹脂及苯酚芳烷基樹脂係尤佳的。此乃因可改良該半 導體器件之連接可靠性。
環氧樹脂對酚系樹脂之混合比較佳使得(例如)酚系樹脂中之羥基變成0.5至2.0當量/當量環氧樹脂組份中之環氧基。其更佳為0.8至1.2當量。亦即，當該混合比變得超出該範圍時，固化反應不能充分地進行，且環氧樹脂經固化產物之特性趨於劣化。
在本發明中，可使用用於環氧樹脂及酚系樹脂之熱固化加速觸媒。熱固化加速觸媒不受特別限制且可適宜地選自已知熱固化加速觸媒並使用。該熱固化加速觸媒可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。作為該熱固化加速觸媒，例如，可使用胺基固化加速觸媒、磷基固化加速觸媒、咪唑基固化加速觸媒、硼基固化加速觸媒或磷-硼基固化加速觸媒。
用於半導體背面之薄膜特別適於由含有環氧樹脂及酚系樹脂之樹脂組合物或含有環氧樹脂、酚系樹脂及丙烯酸系樹脂之樹脂組合物形成。由於該等樹脂僅含有少量離子雜質且具有高耐熱性，因此可確保半導體元件之可靠性。在此種情形下，儘管混合比不受特別限制，但例如，在含有丙烯酸系樹脂之情形下，以100重量份丙烯酸系樹脂組份計，環氧樹脂與酚系樹脂之混合量可適當地選自10重量份數至200重量份數之範圍。
重要的是，用於半導體背面之薄膜2(或12)對半導體晶圓之背面(非電路形成面)具有黏合性(緊密黏合性)。用於半導體背面之薄膜2(或12)可由(例如)含有環氧樹脂作為熱固性樹脂組份之樹脂組合物形成。在將用於半導體背面之薄膜2(或12)預先固化至一定程度之情形下，在其製備時，可添加能夠與聚合物之分子鏈末端之官能團或諸如此類反應的多官能團化合物作為交聯劑。藉此，可增強高溫下之黏合特性並可改良耐熱性。
交聯劑不受特別限制且可使用已知交聯劑。具體而言，舉例而 言，不僅可提及異氰酸酯基交聯劑、環氧基交聯劑、三聚氰胺基交聯劑及過氧化物基交聯劑，而且可提及尿素基交聯劑、金屬醇鹽基交聯劑、金屬螯合物基交聯劑、金屬鹽基交聯劑、碳二亞胺基交聯劑、噁唑啉基交聯劑、氮丙啶基交聯劑、胺基交聯劑及諸如此類。作為該交聯劑，異氰酸酯基交聯劑或環氧基交聯劑係適宜的。交聯劑可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。
異氰酸酯基交聯劑之實例包括低碳數脂肪族多異氰酸酯，例如1,2-伸乙基二異氰酸酯、1,4-伸丁基二異氰酸酯、及1,6-六亞甲基二異氰酸酯；脂環族多異氰酸酯，例如伸環戊基二異氰酸酯、伸環己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化伸甲苯基二異氰酸酯及氫化伸二甲苯基二異氰酸酯；及芳香族多異氰酸酯，例如2,4-伸甲苯基二異氰酸酯、2,6-伸甲苯基二異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯及伸二甲苯基二異氰酸酯。另外，亦可使用三羥甲基丙烷/伸甲苯基二異氰酸酯三聚體加合物[商品名：「COLONATE L」，由Nippon Polyurethane Industry有限責任公司製造]、三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚體加合物[商品名「COLONATE HL」，由Nippon Polyurethane Industry有限責任公司製造]、及諸如此類。此外，環氧基交聯劑之實例包括N,N,N',N'-四縮水甘油基間伸二甲苯基二胺、二縮水甘油基苯胺、1,3-雙(N,N-縮水甘油基胺基甲基)環己烷、1,6-己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇聚縮水甘油醚、甘油聚縮水甘油醚、異戊四醇聚縮水甘油醚、聚甘油聚縮水甘油醚、山梨醇酐聚縮水甘油醚、三羥甲基丙烷聚縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基-叁(2-羥乙基)異氰尿酸酯、間苯二酚二縮水甘油醚、及雙酚-S-二縮水甘油醚，亦及分子中具有兩個或更多個環氧基團之環氧 基樹脂。
欲使用之交聯劑之量不受特別限制且可根據該交聯度適當地選擇。具體而言，較佳地，交聯劑之量以100重量份聚合物組份(特定而言，在分子鏈末端處具有官能團之聚合物)計通常為7重量份數或更低(例如，0.05重量份數至7重量份數)。當交聯劑之量以100重量份聚合物組份計大於7重量份數時，黏合力降低，使得該情形不佳。自改良內聚力之觀點而言，交聯劑之量以100重量份聚合物組份計較佳為0.05重量份數或更高。
在本發明中，代替使用交聯劑或連同使用交聯劑，亦可藉由用電子束、紫外線或諸如此類輻照來執行交聯處理。
用於半導體背面之薄膜2(或12)較佳係有色的。藉此，可展現極佳雷射標記性質及極佳外觀性質，且製備具有增值外觀性質之半導體器件成為可能。如上所述，由於用於半導體背面之有色薄膜2(或12)具有極佳標記性質，因此可執行標記以藉助半導體背面之薄膜2(或12)，藉由利用諸如印刷方法及雷射標記方法等各種標記方法中之任一者，使用半導體元件來賦予該半導體元件或半導體器件之非電路側上之面各種資訊，例如文字資訊及圖形資訊。特定而言，藉由控制著色之色彩而使得以極佳可見度觀察藉由標記所賦予之資訊(例如，文字資訊及圖形資訊)成為可能。此外，當用於半導體背面之薄膜係有色的時，可容易地將切晶帶與用於半導體背面之薄膜彼此區別開，使得可增強可加工性及諸如此類。此外，舉例而言，作為半導體器件，可藉由使用不同色彩來將其產品進行分類。在用於半導體背面之薄膜2(或12)係有色之情形下(在該薄膜既非無色亦非透明之情形下)，藉由著色展示之色彩不受特別限制，但(例如)較佳為深色，例如黑色、藍色或紅色，且黑色尤其適宜。
在本發明實施例中，深色基本上意指具有60或更小(0至60)、較 佳50或更小(0至50)、且更佳40或更小(0至40)之L*(界定於L*a*b*色空間中)之深色。
此外，黑色基本上意指具有35或更小(0至35)、較佳30或更小(0至30)、且更佳25或更小(0至25)之L*(界定於L*a*b*色空間中)之基於黑色的色彩。就此而言，在黑色中，界定於L*a*b*色空間中之a*及b*中之每一者皆可根據L*之值適宜地選擇。舉例而言，a*及b*兩者皆處於較佳-10至10、更佳-5至5、且進一步較佳-3至3(特定而言0或約0)之範圍內。
在本發明中，界定於L*a*b*色空間中之L*、a*及b*可藉由藉助色差儀(由美能達(Minolta)有限責任公司製造之商品名「CR-200」；色差儀)之量測來確定。L*a*b*色空間係於1976年由國際照明協會(Commission Internationale de l'Eclairage)(CIE)所推薦之色空間，且意指稱作CIE1976(L*a*b*)色空間之色空間。此外，L*a*b*色空間界定於JIS Z8729中之日本工業標準(Japanese Industrial Standards)中。
在根據目標色彩對用於半導體背面之薄膜2(或12)著色時，可使用染色劑(著色劑)。作為此一染色劑，可適宜地使用各種深色染色劑，例如黑色染色劑、藍色染色劑及紅色染色劑，且黑色染色劑更適宜。染色劑可係顏料及染料中之任一者。染色劑可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。就此而言，作為染料，可使用任何形式之染料，例如酸性染料、反應性染料、直接染料、分散染料及陽離子染料。此外，亦就顏料而言，其形式不受特別限制且可自已知顏料之中適宜地選擇並使用。
特定而言，當使用染料作為著色劑時，染料因溶於用於半導體背面之薄膜2(或12)中而變成均勻地或幾乎均勻地分散之狀態，由此可容易地製作具有均勻或幾乎均勻之色彩密度的用於半導體背面之薄膜(因此，用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜)。因此，當使用染料 作為著色劑時，用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1中之用於半導體背面之薄膜2(或12)可具有均勻或幾乎均勻之色彩密度且可增強標記性質及外觀性質。
該黑色染色劑不受特別限制且可(例如)自無機黑色顏料及黑色染料中適宜地選擇。此外，黑色染色劑可係其中將青色染色劑(藍綠色染色劑)、紫紅色染色劑(紅紫色染色劑)與黃色染色劑(黃色染色劑)混合之染色劑混合物。黑色染色劑可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。當然，黑色染色劑可與具有不同於黑色之色彩之染色劑組合使用。
黑色染色劑之具體實例包括碳黑(例如爐法碳黑、槽法碳黑、乙炔碳黑、熱裂法碳黑或燈黑)、石墨、氧化銅、二氧化錳、偶氮型顏料(例如，甲亞胺偶氮黑)、苯胺黑、苝黑、鈦黑、青黑、活性碳、鐵氧體(例如非磁性鐵氧體或磁性鐵氧體)、磁石、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬、鉻錯合物、複合氧化物型黑色顏料及蒽醌型有機黑色顏料。
在本發明中，作為該黑色染色劑，亦可利用黑色染料，例如C.I.溶劑黑3、7、22、27、29、34、43、70、C.I.直接黑17、19、22、32、38、51、71、G.I.酸性黑1、2、24、26、31、48、52、107、109、110、119、154及C.I.分散黑1、3、10、24；黑色顏料，例如C.I.顏料黑1、7；及諸如此類。
作為此等黑色染色劑，例如，商品名「Oil Black BY」、商品名「Oil Black BS」、商品名「Oil Black HBB」、商品名「Oil Black 803」、商品名「Oil Black 860」、商品名「Oil Black 5970」、商品名「Oil Black 5906」、商品名「Oil Black 5905」(由Orient Chemical Industries有限責任公司製造)及諸如此類可自市面購得。
除黑色著色劑以外之著色劑之實例包括青色著色劑、紫紅色著色劑及黃色著色劑。青色染色劑之實例包括青色染料，例如C.I.溶劑 藍25、36、60、70、93、95；C.I.酸性藍6及45；青色顏料，例如C.I.顏料藍1、2、3、15、15：1、15：2、15：3、15：4、15：5、15：6、16、17、17：1、18、22、25、56、60、63、65、66；C.I.還原藍4、60；及C.I.顏料綠7。
此外，在紫紅色染色劑之中，紫紅色染料之實例包括C.I.溶劑紅1、3、8、23、24、25、27、30、49、52、58、63、81、82、83、84、100、109、111、121、122；C.I.分散紅9；C.I.溶劑紫8、13、14、21、27；C.I.分散紫1；C.I.鹼性紅1、2、9、12、13、14、15、17、18、22、23、24、27、29、32、34、35、36、37、38、39、40；C.I.鹼性紫1、3、7、10、15、21、25、26、27及28。
在紫紅色染色劑之中，紫紅色顏料之實例包括C.I.顏料紅1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、21、22、23、30、31、32、37、38、39、40、41、42、48：1、48：2、48：3、48：4、49、49：1、50、51、52、52：2、53：1、54、55、56、57：1、58、60、60：1、63、63：1、63：2、64、64：1、67、68、81、83、87、88、89、90、92、101、104、105、106、108、112、114、122、123、139、144、146、147、149、150、151、163、166、168、170、171、172、175、176、177、178、179、184、185、187、190、193、202、206、207、209、219、222、224、238、245；C.I.顏料紫3、9、19、23、31、32、33、36、38、43、50；C.I.還原紅1、2、10、13、15、23、29及35。
此外，黃色著色劑之實例包括黃色染料，例如C.I.溶劑黃19、44、77、79、81、82、93、98、103、104、112及162；黃色顏料，例如C.I.顏料橙31、43；C.I.顏料黃1、2、3、4、5、6、7、10、11、12、13、14、15、16、17、23、24、34、35、37、42、53、55、65、73、74、75、81、83、93、94、95、97、98、100、101、104、108、 109、110、113、114、116、117、120、128、129、133、138、139、147、150、151、153、154、155、156、167、172、173、180、185、195；C.I.還原黃1、3及20。
各種染色劑(例如青色染色劑、紫紅色染色劑及黃色染色劑)可分別單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。就此而言，在使用各種染色劑(例如青色染色劑、紫紅色染色劑及黃色染色劑)中之兩個或更多個種類時，此等染色劑之混合比(或摻合比)不受特別限制且可根據每一染色劑之種類、目標色彩等適宜地選擇。
在用於半導體背面之薄膜2(或12)係有色之情形下，有色形式不受特別限制。用於半導體背面之薄膜可係(例如)添加有著色劑之單層薄膜形物件。此外，薄膜可係層壓薄膜，其中至少由熱固性樹脂組份及著色劑層形成之樹脂層至少經層壓。就此而言，在用於半導體背面之薄膜2(或12)係樹脂層及著色劑層之層壓薄膜之情形下，呈層壓形式之用於半導體背面之薄膜2(或12)較佳具有層壓形式之樹脂層/著色劑層/樹脂層。在此種情形下，兩個位於著色劑層兩側之樹脂層可係具有相同組成之樹脂層或可係具有不同組成之樹脂層。
在用於半導體背面之薄膜2(或12)中，可根據需要適宜地摻合其他添加劑。除填充劑、阻燃劑、矽烷偶聯劑及離子捕獲劑以外，其他添加劑之實例包括增量劑、抗老化劑、抗氧化劑及表面活性劑。
填充劑可係無機填充劑及有機填充劑中之任一者，但無機填充劑係適宜的。藉由摻合填充劑(例如無機填充劑)，可達成對用於半導體背面之薄膜之導電性之賦予、對導熱性之改良、對彈性模數之控制及諸如此類。就此而言，用於半導體背面之薄膜2(或12)可係導電的或不導電的。無機填充劑之實例包括由二氧化矽、黏土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、陶瓷(例如矽碳化物及矽氮化物)、金屬或合金(例如鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀及焊料)、 碳及諸如此類構成之各種無機粉末。填充劑可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。特定而言，填充劑適宜為二氧化矽且更適宜為熔融二氧化矽。無機填充劑之平均粒子直徑較佳在0.1μm至80μm之範圍內。無機填充劑之平均粒子直徑可藉由雷射繞射型粒子大小分佈量測裝置來量測。
填充劑(特定而言，無機填充劑)之摻合量以100重量份有機樹脂組份計較佳為80重量份或更低(0重量份數至80重量份數)，且更佳0重量份數至70重量份數。
阻燃劑之實例包括三氧化銻、五氧化二銻及溴化環氧樹脂。阻燃劑可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。矽烷偶聯劑之實例包括β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧基矽烷及γ-縮水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基矽烷。矽烷偶聯劑可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。離子捕獲劑之實例包括水滑石及氫氧化鉍。離子捕獲劑可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。
用於半導體背面之薄膜2(或12)可藉由(例如)利用常用方法來形成，包括將熱固性樹脂(例如環氧樹脂)及若需要熱塑性樹脂(例如丙烯酸系樹脂)及可選溶劑及其他添加劑混合以製備樹脂組合物，隨後使其形成薄膜形層。具體而言，作為用於半導體背面之薄膜之薄膜形層(黏合劑層)可藉由(例如)下述方法來形成，包括將樹脂組合物施加於切晶帶之壓敏黏合劑層32上之方法；包括將樹脂組合物施加於適當隔離物(例如釋放紙)上以形成樹脂層(或黏合劑層)且隨後將其轉移(轉錄)於壓敏黏合劑層32上之方法；或諸如此類。就此而言，樹脂組合物可係溶液或分散液。
附帶而言，在用於半導體背面之薄膜2(或12)係由含有熱固性樹脂組份(例如環氧樹脂)之樹脂組合物形成之情形下，在將用於半導體 背面之薄膜2(或12)施加至半導體晶圓前之階段，該薄膜呈熱固性樹脂組份未固化或部分固化之狀態。在此種情形下，在將其施加至該半導體晶圓之後(具體而言，通常，在覆晶結合步驟中固化囊封材料時)，用於半導體背面之薄膜2(或12)中之熱固性樹脂組份完全或幾乎完全固化。
如上所述，由於用於半導體背面之薄膜2(或12)呈熱固性樹脂組份未固化或部分固化之狀態，甚至當該薄膜含有熱固性樹脂組份時，因此用於半導體背面之薄膜之凝膠分數不受特別限制，但例如，適宜地選自50重量%或更低(0重量%至50重量%)之範圍且較佳為30重量%或更低(0重量%至30重量%)且尤佳為10重量%或更低(0重量%至10重量%)。用於半導體背面之薄膜2(或12)之凝膠分數可藉由下述量測方法來量測。
<凝膠分數量測方法>
自用於半導體背面之薄膜2(或12)取約0.1g之樣品並對其進行精確稱重(樣品重量)，且在將該樣品包裹於網型薄片中之後，將其在室溫下在約50mL之甲苯中浸漬1週。此後，自甲苯中取出溶劑不溶性物質(網型薄片中之內容物)且在130℃下乾燥約2小時，在乾燥後對該溶劑不溶性物質進行稱重(浸漬及乾燥後之重量)，且隨後根據下述表示式(a)計算凝膠分數(重量%)。
凝膠分數(重量%)=[(浸漬及乾燥後之重量)/(樣品重量)]×100 (a)
用於半導體背面之薄膜2(或12)之凝膠分數可受控於樹脂組份之種類及含量及交聯劑之種類及含量以及加熱溫度、加熱時間及諸如此類。
在本發明中，在用於半導體背面之薄膜2(或12)係由含有熱固性樹脂(例如環氧樹脂)之樹脂組合物形成之薄膜形物件之情形下，可有效地展現對半導體晶圓之緊密黏合性。
附帶而言，由於在半導體晶圓之切晶步驟中使用切削水，因此用於半導體背面之薄膜2(或12)在一些情形下吸收水分而具有正常狀態或更高之含水量。當在仍維持此一高含水量之情形下執行覆晶結合時，在一些情形下，在用於半導體背面之薄膜2(或12)與半導體晶圓或處理體(半導體)之間之黏合介面處殘留水蒸氣並產生鼓起。因此，藉由將用於半導體背面之薄膜2(或12)構成為在其每一表面上提供具有高透濕性之核心材料之組態，水蒸氣擴散且因此可避免此一問題。根據此一觀點，在核心材料之一個表面或兩個表面上形成用於半導體背面之薄膜2(或12)的多層結構可用作用於半導體背面之薄膜。核心材料之實例包括薄膜(例如，聚醯亞胺薄膜、聚酯薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚萘二甲酸乙二酯薄膜、聚碳酸酯薄膜等)、經玻璃纖維或塑膠非編織纖維強化之樹脂基板、矽基板及玻璃基板。
用於半導體背面之薄膜2(或12)之厚度(在層壓薄膜之情形下總厚度)不受特別限制，但可(例如)適宜地選自約2μm至200μm之範圍。此外，厚度較佳為約4μm至160μm、更佳約6μm至100μm且尤其約10μm至80μm。
呈未固化狀態之用於半導體背面之薄膜2(或12)在23℃下之抗張儲存彈性模數較佳為1GPa或更高(例如，1GPa至50GPa)、更佳2GPa或更高，且尤其3GPa或更高係適宜的。當抗張儲存彈性模數係1GPa或更高時，在將半導體晶片連同用於半導體背面之薄膜2(或12)一起自切晶帶之壓敏黏合劑層32剝離後，將用於半導體背面之薄膜2(或12)置於支撐件上並執行輸送或諸如此類時，可有效地抑制或防止該用於半導體背面之薄膜附著至該支撐件。就此而言，支撐件係(例如)載體帶中之頂部帶、底部帶及諸如此類。在用於半導體背面之薄膜2(12)係由含有熱固性樹脂組份之樹脂組合物形成之情形下，如上文所述，該熱固性樹脂組份通常呈未固化或部分地固化之狀態，使得用 於半導體背面之薄膜在23℃下的抗張儲存彈性模數通常係呈該熱固性樹脂組份未固化或部分地固化之狀態之23℃下之抗張儲存彈性模數。
此處，用於半導體背面之薄膜2(或12)可為單層或層壓複數個層之層壓薄膜。在層壓薄膜之情形下，作為整體層壓薄膜，抗張儲存彈性模數充分地為1GPa或更高(例如，1GPa至50GPa)。此外，呈未固化狀態下之用於半導體背面之薄膜之抗張儲存彈性模數(23℃)可藉由適宜地設定樹脂組份(熱塑性樹脂及/或熱固性樹脂)之種類及含量或填充劑(例如二氧化矽填充劑)之種類及含量來加以控制。在用於半導體背面之薄膜2(或12)係層壓複數個層之層壓薄膜之情形下(在用於半導體背面之薄膜具有層壓層之形式之情形下)，作為層壓層形式，可例示(例如)由晶圓黏合劑層及雷射標記層構成之層壓形式。此外，在晶圓黏合劑層與雷射標記層之間，可提供其他層(中間層、光屏蔽層、強化層、有色層、基礎材料層、電磁波屏蔽層、導熱層、壓敏黏合劑層等)。就此而言，晶圓黏合劑層係對晶圓展現極佳緊密黏合性(黏合性質)之層及與晶圓背面接觸之層。另一方面，雷射標記層係展現極佳雷射標記性質之層及用於在半導體晶片背面上進行雷射標記之層。
抗張儲存彈性模數係藉由以下來確定：製備呈未固化狀態之用於半導體背面之薄膜2(或12)而不層壓於切晶帶3上並使用由Rheometrics有限責任公司製造之動態黏彈性量測裝置「固體分析器RS A2」在處於規定溫度(23℃)下之氮氣氛下在10mm之樣品寬度、22.5mm之樣品長度、0.2mm之樣品厚度、1Hz之頻率及10℃/min之溫度升高速率之條件下在抗張模式下量測彈性模數，且將量測彈性模數視為所獲抗張儲存彈性模數之值。
在展示於圖1中之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1中，較佳設計該薄膜，使得用於半導體背面之薄膜2對半導體晶圓之壓敏黏合力大於對壓敏黏合劑層32之上述部分32a之壓敏黏合力(稍後提 及)。儘管對半導體晶圓之壓敏黏合力係端視種類來適宜地設定，但鑒於切晶、拾取及晶圓結合之可靠性以及拾取性質，壓敏黏合力較佳在0.5N/20mm至15N/20mm之範圍內、更佳在0.7N/20mm至10N/20mm之範圍內。此外，用於半導體背面之薄膜2對上述部分32a之壓敏黏合力較佳在0.02N/20mm至10N/20mm之範圍內、更佳在0.05N/20mm至5N/20mm之範圍內。附帶而言，壓敏黏合力係在常溫(23℃)、180°之剝離角及300mm/min之剝離速率之條件下量測的值。
在展示於圖2中之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜11中，較佳設計該薄膜，使得半導體晶圓附著部分12a對半導體晶圓之壓敏黏合力大於對壓敏黏合劑層32之部分32a的壓敏黏合力(稍後提及)。儘管對半導體晶圓之壓敏黏合力係端視種類來適宜地設定，但鑒於切晶、拾取及晶圓結合之可靠性以及拾取性質，如上文所述，壓敏黏合力較佳在0.5N/20mm至15N/20mm之範圍內、更佳在0.7N/20mm至10N/20mm之範圍內。此外，半導體晶圓附著部分12a對上述部分32a之壓敏黏合力較佳在0.02N/20mm至10N/20mm之範圍、更佳在0.05N/20mm至5N/20mm之範圍內。此外，除半導體晶圓附著部分12a以外之部分12b對除上述部分32a以外之部分32b的壓敏黏合力較佳在0.50N/20mm至20N/20mm之範圍內、更佳在0.70N/20mm至15N/20mm之範圍內。附帶而言，上述壓敏黏合力係在常溫(23℃)、180°之剝離角及300mm/min之剝離速率之條件下量測的值。
用於半導體背面之薄膜2(或12)較佳經隔離物(釋放襯墊，未展示於圖中)保護。隔離物具有作為保護材料用於保護晶圓背面保護薄膜直至其被實際使用之功能。此外，在將用於半導體背面之薄膜2(或12)轉移至切晶帶之基礎材料上之壓敏黏合劑層32時，隔離物可進一步用作支撐基礎材料。在半導體晶圓附著至用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1之用於半導體背面之薄膜之後，剝離隔離物。就隔離物 而言，亦可使用聚乙烯或聚丙烯薄膜、以及塑膠薄膜(例如聚對苯二甲酸乙二酯)、表面塗佈有釋放劑(例如氟基釋放劑或丙烯酸長鏈烷基酯基釋放劑)之紙或諸如此類。隔離物可藉由習知之方法來形成。此外，隔離物之厚度或諸如此類不受特別限制。
用於半導體背面之薄膜2(或12)較佳經在至少一個表面上具有釋放層之隔離物保持。
此外，用於半導體背面之薄膜2(或12)內對可見光之光透射比(可見光透射比，波長：400至800nm)不受特別限定，但(例如)較佳在20%或更低(0至20%)之範圍內、更佳10%或低(0至10%)且尤佳5%或更低(0至5%)。當用於半導體背面之薄膜2(或12)具有超過20%之可見光透射比時，擔心光透射比可能不利地影響半導體元件。可見光透射比(%)可受控於用於半導體背面之薄膜2(或12)之樹脂組份之種類及含量、著色劑(例如顏料或染料)之種類及含量、無機填充料之含量及諸如此類。
可如下確定用於半導體背面之薄膜2(或12)之可見光透射比(%)。亦即，製備本身厚度(平均厚度)為20μm之用於半導體背面之薄膜2(或12)。隨後，在規定強度內用波長為400至800nm之可見光輻照用於半導體背面之薄膜2(或12)[裝置：由Shimadzu公司製造之可見光產生裝置][商品名「ABSORPTION SPECTRO PHOTOMETER」]，並量測透射可見光之強度。此外，可根據可見光透射穿過用於半導體背面之薄膜2(或12)之前及之後的強度變化來確定可見光透射比(%)。就此而言，亦可自厚度不為20μm之用於半導體背面之薄膜2(或12)之可見光透射比(%；波長：400至800nm)的值獲得厚度為20μm之用於半導體背面之薄膜2(或12)的可見光透射比(%；波長：400至800nm)。在本發明中，可見光透射比(%)係在厚度為20μm之用於半導體背面之薄膜2(或12)之情形下確定，但本發明之用於半導體背面之薄膜並不限於 厚度為20μm者。
此外，作為用於半導體背面之薄膜2(或12)，具有較低水分吸收率者更佳。具體而言，水分吸收率較佳為1重量%或更低且更佳0.8重量%更低。藉由將水分吸收率調節至1重量%或更低，可增強雷射標記性質。此外，舉例而言，可在回流步驟中抑制或防止用於半導體背面之薄膜2(或12)與半導體元件之間產生空隙。水分吸收率係自在使用於半導體背面之薄膜2(或12)在85℃之溫度及85%RH之濕度之氣氛下靜置168小時之前及之後的重量變化所計算之值。在用於半導體背面之薄膜2(或12)係由含有熱固性樹脂之樹脂組合物形成之情形下，水分吸收率意指當使該薄膜在熱固化後在85℃之溫度及85%RH之濕度之氣氛下靜置168小時所獲得的值。此外，水分吸收率可藉由(例如)改變所欲添加無機填充劑之量來調節。
此外，作為用於半導體背面之薄膜2(或12)，具有較小比率之揮發性物質者更佳。具體而言，用於半導體背面之薄膜2(或12)在加熱處理後之重量減少之比率(重量減少比)較佳為1重量%或更低且更佳0.8重量%或更低。加熱處理之條件係250℃之加熱溫度及1小時之加熱時間。藉由將重量減少比調節至1重量%或更低，可增強雷射標記性質。此外，舉例而言，可在回流步驟中抑制或防止覆晶型半導體器件中產生裂紋。重量減少比可藉由(例如)添加能夠在無鉛焊料回流時減少裂紋之產生之無機物質來加以調節。在用於半導體背面之薄膜2(或12)係由含有熱固性樹脂組份之樹脂組合物形成之情形下，重量減少比係當在250℃之溫度及1小時之加熱時間之條件下加熱熱固化後之用於半導體背面之薄膜時所獲得之值。
(切晶帶)
切晶帶3包括由基礎材料31及形成於基礎材料31上之壓敏黏合劑層32。因此，切晶帶3充分地具有層壓基礎材料31與壓敏黏合劑層32 之組態。基礎材料(支撐基礎材料)可用作壓敏黏合劑層及諸如此類之支撐材料。基礎材料31較佳具有輻射線透射性質。作為基礎材料31，舉例而言，可使用(例如)合適薄材料，例如紙基基礎材料，例如紙；纖維基基礎材料，例如織物、非編織纖維、毛氈、及網狀物；金屬基基礎材料，例如金屬箔及金屬板；塑膠基礎材料，例如塑膠膜及薄片；橡膠基基礎材料，例如橡膠薄片；發泡體，例如發泡薄片；及其壓層[特定而言，塑膠基材料與其他基礎材料之壓層、塑膠膜(或薄片)相互之壓層等]。在本發明中，作為該基礎材料，可適宜地採用塑膠基礎材料，例如塑膠膜及薄片。此等塑膠材料之原材料之實例包括烯烴樹脂，例如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、及乙烯-丙烯共聚物；使用乙烯作為單體組份之共聚物，例如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、及乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物；聚酯，例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、及聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)；丙烯酸系樹脂；聚氯乙烯(PVC)；聚胺基甲酸酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS)；醯胺基樹脂，例如聚醯胺(耐綸)及全芳香族聚醯胺(芳香族聚醯胺(aramide))；聚醚醚酮(PEEK)；聚醯亞胺；聚醚醯亞胺；聚二氯亞乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纖維素基樹脂；聚矽氧樹脂；及氟化樹脂。
另外，基礎材料31之材料包括聚合物，例如上述樹脂之交聯材料。若需要，塑膠薄膜可不拉伸即使用或可在經受單軸或雙軸拉伸處理後使用。根據藉由拉伸處理或諸如此類賦予熱收縮性質之樹脂薄片，藉由基礎材料31在切晶後之熱收縮來減小壓敏黏合劑層32與用於半導體背面之薄膜2(或12)之間之黏合區域，且因此可有助於回收半導體晶片。
可對基礎材料31之表面上施用常用表面處理(例如，化學或物理處理，例如鉻酸鹽處理、暴露於臭氧、暴露於火焰、暴露於高壓電 擊、或離子化輻射處理、或使用底塗劑(例如，稍後提及之壓敏黏合劑物質)之塗佈處理)以增強與相鄰層之緊密黏合性、固持性質及諸如此類。
作為基礎材料31，可適宜地選擇並使用相同種類或不同種類之材料，且若需要，可摻合並使用若干種類之材料。此外，為賦予基礎材料31抗靜電能力，可在基礎材料31上形成由金屬、其合金或氧化物構成的厚度為約30至500埃之導電物質之蒸氣沈積層。基礎材料31可係單層或其兩個或更多個之多層。
基礎材料31之厚度(在層壓層之情形下總厚度)不受特別限制且可根據強度、撓性、既定使用目的及諸如此類來適當地選擇。舉例而言，厚度通常為1,000μm或以下(例如1μm至1,000μm)、較佳10μm至500μm、進一步較佳20μm至300μm、且尤佳約30μm至200μm，但並不限於此。
附帶而言，基礎材料31可含有在不損害本發明之優點及諸如此類之範圍內之各種添加劑(著色劑、填充劑、增塑劑、抗老化劑、抗氧化劑、表面活性劑、阻燃劑等)。
壓敏黏合劑層32係至少由輻射可固化壓敏黏合劑形成，且對用於半導體背面之薄膜2(或12)之壓敏黏合力之降低可藉由用輻射線輻照來達成。欲在拾取時固化之部分不必為壓敏黏合劑層32之整個區域。至少對應於用於半導體背面之薄膜2或用於半導體背面之薄膜12中之半導體晶圓附著部分12a的部分32a經固化則足夠(參見圖1及2)。在展示於圖1中之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1之情形下，可將切晶環35固定至壓敏黏合劑層32中之部分32b。作為切晶環35，可使用由金屬(例如不銹鋼)構成者或由樹脂製成者。
在用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1(或11)中，鑒於晶圓之固定及固持力，壓敏黏合劑層32對用於半導體背面之薄膜2(或12)之 壓敏黏合力較佳在0.02N/20mm至10N/20mm之範圍內、更佳在0.05N/20mm至5N/20mm之範圍內。當壓敏黏合力小於0.02N/20mm時，半導體元件之黏合及固定不充分，使得存在切晶時出現晶片飛邊及碎裂之情形。此外，由於壓敏黏合劑層32與用於半導體背面之薄膜2(或12)之間之緊密黏合性降低，因此在一些情形下，切晶時所用切削水會滲入此二者之間。另一方面，當壓敏黏合力超過10N/20mm時，存在切晶環上出現黏合劑殘餘物之情形。附帶而言，壓敏黏合力係在常溫(23℃)、180°之剝離角及300mm/min之剝離速率之條件下所量測之值。
此外，當將半導體晶圓之直徑視為r1，將壓敏黏合劑層32中上述部分32a之直徑視為r2，且將用於半導體背面之薄膜2或用於半導體背面之薄膜12中之半導體晶圓附著部分12a之直徑視為r3時，較佳滿足關係：r1<r2<r3。藉此，半導體晶圓之整個表面可黏合並固定至用於半導體背面之薄膜2(或12)上。
作為輻射可固化壓敏黏合劑，可使用內部UV可固化壓敏黏合劑(內部型UV可固化壓敏黏合劑)，其中使用在丙烯酸系聚合物側鏈或主鏈中具有自由基反應性碳-碳雙鍵之聚合物作為基礎聚合物；加成型輻射可固化壓敏黏合劑，其中將UV可固化單體組份或寡聚物組份摻合至丙烯酸系壓敏黏合劑中；及諸如此類。由於內部UV可固化壓敏黏合劑將不含有低分子量組份之寡聚物組份或諸如此類，或在大多數情形下不含有該組份，因此可形成具有穩定層結構之壓敏黏合劑層，而隨時間推移寡聚物組份或諸如此類不會遷移，以使得內部UV可固化壓敏黏合劑可適宜地用作輻射可固化壓敏黏合劑。就此而言，UV可固化壓敏黏合劑可係混合內部UV可固化壓敏黏合劑與加成型UV可固化壓敏黏合劑之UV可固化壓敏黏合劑。具體而言，可使用UV可固化壓敏黏合劑，其中以使特性不劣化之此一程度將UV可固化單體組 份或寡聚物組份摻合至含有基礎聚合物(特定而言，丙烯酸系聚合物)之內部UV可固化壓敏黏合劑中，該基礎聚合物具有自由基反應性碳-碳雙鍵。
在本發明中，作為丙烯酸系聚合物，可提及彼等使用丙烯酸酯作為主要單體組份者。丙烯酸酯之實例包括丙烯酸烷基酯(例如，具有1至30個碳原子、尤其4至18碳原子個之直鏈或具支鏈鏈烷基酯，例如甲基酯、乙基酯、丙基酯、異丙基酯、丁基酯、異丁基酯、第二丁基酯、第三丁基酯、戊基酯、異戊基酯、己基酯、庚基酯、辛基酯、2-乙基己基酯、異辛基酯、壬基酯、癸基酯、異癸基酯、十一基酯、十二基酯、十三基酯、十四基酯、十六基酯、十八基酯、二十基酯等)及丙烯酸環烷基酯(例如，環戊基酯、環己基酯等)。該等單體可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。
在上文所例示之此等丙烯酸酯中，在本發明中，較佳使用由化學式CH2=CHCOOR(其中R係具有6至10個碳原子、更佳8至9個碳原子之烷基)所代表之單體。當碳原子之數目係6或更大時，可抑制具有過大剝離力並防止拾取性質降低。另一方面，當碳原子之數目係10或更小時，可抑制與用於半導體背面之薄膜2(或12)之黏合性之減小，且因此，可防止在切晶時出現晶片飛邊。此外，在丙烯酸酯由化學式CH2=CHCOOR代表之情形下，摻合比以丙烯酸系聚合物中之100mol%丙烯酸酯計較佳為50至91mol%、更佳80至87mol%。當摻合比小於50mol%時，剝離力變得過大且在一些情形下拾取性質可能降低。另一方面，當比率超過90mol%時，壓敏黏合性降低且存在切晶時出現晶片飛邊之情形。此外，在由上述化學式代表之單體中，丙烯酸2-乙基己基酯、丙烯酸異辛基酯及丙烯酸異壬基酯尤佳。
丙烯酸系聚合物可係使用可與丙烯酸酯共聚之含羥基之單體作為單體組份者。含羥基之單體之實例包括(甲基)丙烯酸2-羥乙基酯、 (甲基)丙烯酸2-羥丙基酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁基酯、(甲基)丙烯酸6-羥己基酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛基酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸基酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂基酯及(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲基酯。作為含羥基之單體，羥基烷基中之烷基具有2至4個碳原子之(甲基)丙烯酸羥基烷基酯(例如，(甲基)丙烯酸2-羥乙基酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙基酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁基酯等)係適宜的。其中，可適宜地使用羥基烷基中之烷基具有2至4個碳原子之丙烯酸羥基烷基酯(例如，丙烯酸2-羥乙基酯、丙烯酸2-羥丙基酯、丙烯酸4-羥丁基酯等)。含羥基之單體可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。
含羥基之單體之摻合比以100mol%丙烯酸酯計，較佳在10至40mol%之範圍內、較佳在15至30mol%之範圍內。當摻合比小於10mol%時，UV輻照後之交聯不充分且在一些情形下拾取性質可降低。另一方面，當摻合比超過40mol%時，壓敏黏合劑之極性增加，且與用於半導體背面之薄膜2(或12)之相互作用變高，使得剝離變難。
出於改良內聚力、耐熱性及諸如此類之目的，丙烯酸系聚合物可含有對應於可與丙烯酸烷基酯共聚合之其他單體組份之單元。此一單體組份之實例包括甲基丙烯酸烷基酯，例如甲基丙烯酸甲基酯、甲基丙烯酸乙基酯、甲基丙烯酸丙基酯、甲基丙烯酸異丙基酯、甲基丙烯酸丁基酯、甲基丙烯酸異丁基酯、甲基丙烯酸第三丁基酯、甲基丙烯酸第二丁基酯及甲基丙烯酸戊基酯；含羧基之單體，例如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙基酯、(甲基)丙烯酸羧戊基酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸及巴豆酸；酸酐單體，例如馬來酸酐及衣康酸酐；含磺酸基團之單體，例如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙基酯、及(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸；含磷酸基團之單體，例如磷酸2-羥乙基丙烯醯基酯；及甲基丙烯醯胺、丙烯腈及甲基丙烯酸環烷 基酯。該等可共聚單體組份可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。欲使用之可共聚合單體之量以總單體組份計，較佳為40重量%或更低。然而，在含羧基之單體之情形下，壓敏黏合劑層32與用於半導體背面之薄膜2(或12)之間之邊界面藉由羧基與用於半導體背面之薄膜2(或12)中環氧樹脂中之環氧基團反應而消失，使得此二者之間之剝離性質可能降低。因此，欲使用之含羧基之單體的量以總單體組份計，較佳為0至3重量%。此外，在該等單體組份中，構成本發明壓敏黏合劑層32之丙烯酸系聚合物較佳不含有丙烯酸作為單體組份。此乃因在一些情形下丙烯酸擴散至用於半導體背面之薄膜2(或12)中且可導致壓敏黏合劑層32與用於半導體背面之薄膜2(或12)之間之邊界面消失，從而降低剝離性質。
此處，丙烯酸系聚合物較佳不含有多官能團單體作為用於共聚合之單體。藉此，多官能團單體不可能擴散至用於半導體背面之薄膜2(或12)中，且因此可防止因壓敏黏合劑層32與用於半導體背面之薄膜2(或12)之間之邊界面消失而降低拾取性質。
另外，可藉由使用在分子中具有自由基反應性碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物來獲得丙烯酸系聚合物，其中將自由基反應性碳-碳雙鍵引入該丙烯酸系聚合物(特定而言，含羥基之丙烯酸系聚合物)之側鏈或主鏈或主鏈末端中。異氰酸酯化合物之實例包括異氰酸甲基丙烯醯基酯、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙基酯、異氰酸2-丙烯醯氧基乙基酯及異氰酸間-異丙烯基-α,α-二甲基苄基酯。
在分子中具有自由基反應性碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物之摻合比以100mol%含羥基之單體計，較佳在70至90mol%之範圍內、更佳在75至85mol%之範圍內。當摻合比小於70mol%時，UV輻照後之交聯不充分且在一些情形下拾取性質可降低。另一方面，當摻合比超過90mol%時，壓敏黏合劑之極性增加，且與用於半導體背面之薄膜 2(或12)之相互作用變高，使得拾取性質降低。
丙烯酸系聚合物係藉由使上述單體混合物經受聚合來獲得。亦可藉由溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮液聚合及諸如此類中之任一方法來實施聚合。為了防止玷污清潔黏合體，較少含量之低分子量物質更佳。自此一觀點而言，丙烯酸系聚合物之重量平均分子量較佳為350,000至1,000,000且進一步較佳為約450,000至800,000。重量平均分子量係藉由GPC(凝膠滲透層析)來量測且係依據聚苯乙烯計算之值。
在本發明中，可將在分子中具有兩個或更多個自由基反應性碳-碳雙鍵之化合物摻合至內部UV可固化壓敏黏合劑中。在分子中具有兩個或更多個自由基反應性碳-碳雙鍵之化合物用於調節交聯度，調節抗張彈性模數及諸如此類。作為在分子中具有兩個或更多個自由基反應性碳-碳雙鍵之化合物，可提及欲用於加成型輻射可固化壓敏黏合劑中之UV可固化單體組份及寡聚物組份。具體而言，在分子中具有兩個或更多個自由基反應性碳-碳雙鍵之此化合物之組份的實例包括諸如以下等單體：胺基甲酸酯寡聚物、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、異戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、異戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二異戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二異戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、及1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。此外，亦可提及上述異氰酸酯化合物。此外，可提及各種UV可固化寡聚物，例如胺基甲酸酯基、聚醚基、聚酯基、聚碳酸酯基及聚丁二烯基寡聚物，且彼等分子量在約100至30,000之範圍內者係適宜的。此外，在分子中具有兩個或更多個自由基反應性碳-碳雙鍵之化合物的摻合比以100重量份構成壓敏黏合劑之丙烯酸系聚合物計，為500重量份數或更低(例如，5重量份數至500重量份數)、較佳約40重量份數至150重量份數。當摻合比小於5 重量份數時，在用輻射線輻照後之交聯度較低，使得抗張彈性模數降低。因此，在對半導體晶圓進行切晶時，在切晶環附著至壓敏黏合劑層32上之情形下，在切晶環上出現膏糊殘餘物。在拾取半導體晶片時，在一些情形下，拾取性質可因過大剝離力而降低。另一方面，當摻合比超過500重量份數時，抗張彈性模數增加。因此，存在切晶時出現晶片飛邊之情形。
將自由基反應性碳-碳雙鍵引入丙烯酸系聚合物中之方法不受特別限制且可採用各種方法。然而，根據分子設計容易將自由基反應性碳-碳雙鍵引入聚合物側鏈中。舉例而言，可提及一種方法，其中使具有羥基之單體預先共聚合成丙烯酸系聚合物，且隨後與具有與羥基具有反應性之異氰酸酯基團及自由基反應性碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物進行縮合或加成反應，同時維持自由基反應性碳-碳雙鍵之輻射可固化性。作為具有異氰酸酯基團及自由基反應性碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物，可提及彼等上文中所例示者。
輻射可固化壓敏黏合劑較佳含有光聚合起始劑。光聚合起始劑之實例包括α-酮醇基化合物，例如4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮及1-羥基環己基苯基酮；苯乙酮基化合物，例如甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮及2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉基丙烷-1；安息香(benzoin)醚基化合物，例如安息香乙基醚、安息香異丙基醚及茴香偶姻甲基醚；縮酮基化合物，例如苄基二甲基縮酮；芳香族磺醯氯基化合物，例如2-萘磺醯氯；光學活性肟基化合物，例如1-苯基酮-1,1-丙二酮-2-(o-乙氧基羰基)肟；二苯甲酮基化合物，例如二苯甲酮、苯甲醯基苯甲酸及3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮；噻噸酮-基化合物，例如噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2,4-二氯噻噸酮、2,4-二乙基噻噸 酮及2,4-二異丙基噻噸酮；樟腦醌；鹵化酮；醯基氧化膦；及醯基膦酸酯。光聚合起始劑之摻合量以100重量份基礎聚合物(例如構成壓敏黏合劑之丙烯酸系聚合物)計係(例如)約0.05至20重量份數。
附帶而言，在用輻射線輻照時出現氧抑制固化之情形下，期望關斷來自輻射可固化壓敏黏合劑層32之表面之氧(空氣)。方法之實例包括包括用隔離物覆蓋壓敏黏合劑層32之表面之方法、包括在氮氣氣氛中用輻射線(例如UV射線)執行輻照之方法、及諸如此類。
在本發明中，壓敏黏合劑層32可含有在不損害本發明之優點之範圍內之各種添加劑(例如，增黏樹脂、著色劑、增稠劑、增量劑、填充劑、增塑劑、抗老化劑、抗氧化劑、表面活性劑、交聯劑等)。
交聯劑可用於調節UV輻照前之壓敏黏合力、調節UV輻照後之壓敏黏合力、及諸如此類。藉由使用交聯劑，可達成外部交聯。交聯劑不受特別限制且可使用已知交聯劑。具體而言，作為交聯劑，不僅可提及異氰酸酯基交聯劑、環氧基交聯劑、三聚氰胺基交聯劑及過氧化物基交聯劑，而且可提及尿素基交聯劑、金屬醇鹽基交聯劑、金屬螯合物基交聯劑、金屬鹽基交聯劑、碳二亞胺基交聯劑、噁唑啉基交聯劑、氮丙啶基交聯劑、胺基交聯劑及諸如此類，且異氰酸酯基交聯劑及環氧基交聯劑係適宜的。交聯劑可單獨地或以兩個或更多個種類之組合形式採用。附帶而言，欲使用之交聯劑之量不受特別限制，但可端視與欲交聯基礎聚合物(特定而言，丙烯酸系聚合物)之平衡且進一步端視作為壓敏黏合劑之應用來適當地確定。一般而言，較佳以100重量份基礎聚合物計摻合約20重量份數或更低、進一步0.1重量份數至10重量份數之交聯劑。
異氰酸酯基交聯劑之實例包括低碳數脂肪族多異氰酸酯，例如1,2-伸乙基二異氰酸酯、1,4-伸丁基二異氰酸酯、及1,6-六亞甲基二異氰酸酯；脂環族多異氰酸酯，例如伸環戊基二異氰酸酯、伸環己基二 異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化伸甲苯基二異氰酸酯及氫化伸二甲苯基二異氰酸酯；及芳香族多異氰酸酯，例如2,4-伸甲苯基二異氰酸酯、2,6-伸甲苯基二異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯及伸二甲苯基二異氰酸酯。另外，亦可使用三羥甲基丙烷/伸甲苯基二異氰酸酯三聚體加合物[商品名：「COLONATE L」，由Nippon Polyurethane Industry有限責任公司製造]、三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚體加合物[商品名「COLONATE HL」，由Nippon Polyurethane Industry有限責任公司製造]、及諸如此類。此外，環氧基交聯劑之實例包括N,N,N',N'-四縮水甘油基間伸二甲苯基二胺、二縮水甘油基苯胺、1,3-雙(N,N-縮水甘油基胺基甲基)環己烷、1,6-己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇聚縮水甘油醚、甘油聚縮水甘油醚、異戊四醇聚縮水甘油醚、聚甘油聚縮水甘油醚、山梨醇酐聚縮水甘油醚、三羥甲基丙烷聚縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基-叁(2-羥乙基)異氰尿酸酯、間苯二酚二縮水甘油醚、及雙酚-S-二縮水甘油醚，亦及分子中具有兩個或更多個環氧基團之環氧基樹脂。
壓敏黏合劑層32可藉由(例如)利用包括將壓敏黏合劑與可選溶劑以及其他添加劑混合並隨後使該混合物成形為薄片狀層之常用方法來形成。具體而言，舉例而言，可提及下述方法：包括在基礎材料31上施加含有壓敏黏合劑及可選溶劑及其他添加劑之混合物之方法；包括在適當隔離物(例如釋放紙)上施加上述混合物以形成壓敏黏合劑層並隨後將其轉移(轉錄)於基礎材料31上之方法；或諸如此類。
壓敏黏合劑層32之厚度不受特別限制，且例如，較佳為約5μm至300μm、較佳5μm至200μm、進一步較佳5μm至100μm且尤佳7 μm至50μm。當壓敏黏合劑層32之厚度在上述範圍內時，可展現適當壓敏黏合力。壓敏黏合劑層可係單層或多層。
附帶而言，在本發明中，可將用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1(或11)製成具有抗靜電功能。由於此組態，可防止電路因在黏合其時及在剝離其時產生靜電能或因靜電能對半導體晶圓或諸如此類充電而引起斷裂。賦予抗靜電功能可藉由適當方式(例如添加抗靜電劑或導電物質至基礎材料31、壓敏黏合劑層32及用於半導體背面之薄膜2(或12)之方法或提供由電荷轉移錯合物、金屬薄膜或諸如此類構成之導電層至基礎材料31上之方法)來執行。作為該等方法，擔心改變該半導體晶圓之品質之雜質離子難以產生之方法係較佳的。基於賦予導電性、改良導熱性等目的所摻合之導電物質(導電填充劑)之實例包括銀、鋁、金、銅、鎳、導電合金或諸如此類之球形、針形、薄片形金屬粉末；金屬氧化物，例如氧化鋁；非晶形碳黑及石墨。然而，自無電洩漏之觀點而言，用於半導體背面之薄膜2(或12)較佳不導電。
此外，用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1(或11)既可以如輥般捲繞之形式形成或可以層壓薄片(薄膜)之形式形成。舉例而言，在薄膜具有如輥般捲繞之形式之情形下，將薄膜捲繞成呈根據需要呈半導體背面之薄膜2(或12)受隔離物保護之狀態之輥，藉此可將該薄膜製成呈如輥般捲繞之狀態或形式之用於切晶帶一體型薄膜1(或11)。就此而言，呈如輥般捲繞之狀態或形式之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1(或11)可由基礎材料31、形成於基礎材料31之一個表面上之壓敏黏合劑層32、形成於壓敏黏合劑層31上之用於半導體背面之薄膜2(或12)與形成於基礎材料32之另一表面上之經可釋放處理層(後表面經處理層)構成。
附帶而言，用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1之厚度(用於半 導體背面之薄膜之厚度與包括基礎材料31及壓敏黏合劑層32之切晶帶之厚度的總厚度)可係(例如)選自8μm至1,500μm之範圍且較佳20μm至850μm、更佳31μm至500μm且尤佳47μm至330μm。
就此而言，在用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1(或11)中，藉由控制用於半導體背面之薄膜2(或12)之厚度與切晶帶3之壓敏黏合劑層32之厚度的比率或用於半導體背面之薄膜2(或12)之厚度與切晶帶之厚度(基礎材料31與壓敏黏合劑層32之總厚度)的比率，可改良切晶步驟時之切晶性質、拾取步驟時之拾取性質及諸如此類，且可自半導體晶圓之切晶步驟至半導體晶片之覆晶結合步驟有效地利用用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1(或11)。
(用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜之製作方法)
使用展示於圖1中之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1作為實例來闡述本發明實施例之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜的製作方法。首先，可藉由習知薄膜形成方法來形成基礎材料31。薄膜形成方法之實例包括日曆膜形成方法(calendar film-forming method)、在有機溶劑中之澆鑄方法、在緊密密封系統中之膨脹擠出方法、T模具擠出方法、共擠出方法及乾式層壓方法。
接下來，藉由將壓敏黏合劑組合物施加至基礎材料31上、隨後進行乾燥(若需要藉由在加熱下交聯)來形成壓敏黏合劑層32。施加方法之實例包括輥塗佈、絲網塗佈及凹版塗佈。就此而言，可將壓敏黏合劑組合物直接施加至基礎材料31上以在基礎材料31上形成壓敏黏合劑層32，或可將壓敏黏合劑組合物施加至表面已經受可釋放處理之釋放紙或諸如此類上以形成壓敏黏合劑層32，且隨後可將壓敏黏合劑層32轉移至基礎材料31上。因此，製備在基礎材料31上形成壓敏黏合劑層32之切晶帶3。
另一方面，塗佈層係藉由以下形成：將用於形成用於半導體背 面之薄膜2之形成材料施加至釋放紙上以在乾燥後具有規定厚度並在規定條件下進一步乾燥(在需要熱固化或諸如此類之情形下，若需要執行熱處理以達成乾燥)。藉由將塗佈層轉移至壓敏黏合劑層32上，在壓敏黏合劑層32上形成用於半導體背面之薄膜2。就此而言，用於半導體背面之薄膜2亦可藉由以下形成於壓敏黏合劑層32上：將用於形成用於半導體背面之薄膜2之形成材料直接施加至壓敏黏合劑層32上，隨後在規定條件下乾燥(在需要熱固化或諸如此類之情形下，若需要執行加熱處理以達成乾燥)。因此，可獲得本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1。隨帶而言，在形成用於半導體背面之薄膜2時執行熱固化之情形下，重要的是，執行熱固化至呈一部分固化狀態之此一程度。然而，較佳不執行該熱固化。
可在製作半導體器件(包括覆晶連接步驟)時適宜地使用本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1(或11)。亦即，在製作覆晶安裝式半導體器件時使用本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1(或11)且因此該覆晶安裝式半導體器件係在用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1(或11)之用於半導體背面之薄膜2(或12)附著至該半導體晶片之背面之狀況或形式下製作。因此，根據本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1(或11)可用於覆晶安裝式半導體器件(呈藉由覆晶結合方法將該半導體晶片固定至(例如)基板之黏合體之狀態或形式之半導體器件)。
(半導體晶圓)
半導體晶圓不受特別限制，只要其係已知或常用半導體晶圓且可自由各種材料製成之半導體晶圓之中適當地選擇並使用即可。在本發明中，作為該半導體晶圓，可適宜地使用矽晶圓。
(半導體器件之製作方法)
製作本發明半導體器件之方法將參照圖3A至3E來闡述。圖3A至 3E係展示在使用用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1之情形下製作半導體器件之方法的剖面示意圖。
在製作半導體器件之方法中，可使用用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1來製作半導體器件。具體而言，該方法包括將半導體晶圓4附著至用於半導體背面之薄膜2上之步驟、切晶半導體晶圓4以形成半導體元件之步驟、自基礎材料31側用輻射線輻照用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1中之壓敏黏合劑層32之步驟、將半導體元件5連同用於半導體背面之薄膜2一起自切晶帶3之壓敏黏合劑層32剝離之步驟、及將半導體元件5覆晶連接至黏合體6上之步驟。
(安裝步驟)
首先，如圖3A中所展示，將視情況提供於用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1之用於半導體背面之薄膜2上之隔離物適宜地剝離且將半導體晶圓4附著至欲藉由黏合及固持固定之用於半導體背面之薄膜2上(安裝步驟)。此時，用於半導體背面之薄膜2呈未固化狀態(包括半固化狀態)。此外，將用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1附著至半導體晶圓4之背面。半導體晶圓4之背面意指與電路面相反之面(亦稱作非電路側面、非電極形成面等)。附著方法不受特別限定，但藉由壓製結合之方法係較佳的。壓製結合通常在用壓製構件(例如壓製輥)壓製的同時執行。
(切晶步驟)
接下來，如圖3B中所展示，對半導體晶圓4進行切晶。因此，將半導體晶圓4切削成規定大小並使其個體化(形成為小件)以製作半導體晶片5。舉例而言，自半導體晶圓4之電路面側根據正常方法來執行該切晶。此外，本步驟可採用(例如)形成達用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1之狹縫之切削方法(稱作全切)。用於本步驟之切晶裝置不受特別限制，且可使用習知裝置。此外，由於藉由以高速度旋轉切 晶刀片或諸如此類來切削半導體晶圓4，因此藉由將用於冷卻並防止切削碎屑飛濺之切削水噴射至切削部分來執行切削。此處，當壓敏黏合劑層32不經輻射固化時，與用於半導體背面之薄膜2之緊密黏合性極佳，使得可確定地防止切削水滲入此二者之間。此外，由於半導體晶圓4係由具有用於半導體背面之薄膜2之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1黏合並固定，因此可抑制晶片裂紋及晶片飛邊，同時亦可抑制半導體晶圓4之損壞。就此而言，當用於半導體背面之薄膜2係由含有環氧樹脂之樹脂組合物形成時，在切削表面處可抑制或防止自用於半導體背面之薄膜之壓敏黏合劑層產生黏合劑擠出，甚至當藉由切晶來切削其時。因此，可抑制或防止切削表面本身重新附著(成塊)且因此可進一步更方便地執行在下文中欲提及之拾取。
另外，在展開用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1之情形下，可使用習知展開裝置來執行展開。該展開裝置具有能夠將該用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1向下推進穿過切晶環之環形外環及具有小於該外環之直徑且支撐該用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜之內環。由於該展開步驟，因此可防止毗鄰半導體晶片因在在下文中欲提及之拾取步驟中彼此接觸而損壞。
(輻射線輻照步驟)
接下來，如圖3C中所展示，自基礎材料31側用輻射線輻照壓敏黏合劑層32。藉此，可降低壓敏黏合劑層32對用於半導體背面之薄膜2(或12)之壓敏黏合力。可在壓敏黏合劑層32之整個表面上或僅在對應於用於半導體背面之薄膜2或用於半導體背面之薄膜12之半導體晶圓附著部分12a之部分32a上執行輻射線輻照。在後一情形下，在使除對應於用於半導體背面之薄膜2或用於半導體背面之薄膜12之半導體晶圓附著部分12a之部分以外之部分的全部或一部分光屏蔽後，執行輻射線輻照。就光屏蔽材料而言，可藉由印刷、蒸氣沈積或諸如此類 來製備能夠作為支撐薄膜上之光遮罩者。
較佳在50mJ/cm2至2,000mJ/cm2之範圍內且進一步較佳在100mJ/cm2至1,000mJ/cm之範圍內實施輻射線輻照。用50mJ/cm或更高(特定而言，100mJ/cm2或更高)之輻射輻照使壓敏黏合劑層32之固化充分並使自用於半導體背面之薄膜2(或12)之剝離性質較佳。因此，良好拾取性能成為可能且可防止在拾取後壓敏黏合劑對用於半導體背面之薄膜2(或12)之附著(所謂黏合劑殘餘物)。另一方面，用2,000mJ/cm2或更低(特定而言，1,000mJ/cm2或更低)之輻射輻照可降低對基礎材料31之熱損壞。另外，可防止壓敏黏合劑層32之固化之過度進展導致抗張彈性模數增加過多並因此導致展開性質降低。附帶而言，作為輻射線，可提及X射線、UV射線、電子束及諸如此類。
附帶而言，在圖3A至3E中所展示之實施例中，儘管輻射線輻照步驟係在切晶步驟與拾取步驟之間之步驟，但其可在任一階段(例如，在安裝步驟之前、在安裝步驟與切晶步驟之間、或諸如此類)執行，只要其在拾取步驟之前執行即可。
(拾取步驟)
為收集黏合且固定至用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1之半導體晶片5，如圖3D中所展示，執行對半導體晶片5之拾取以將半導體晶片5連同用於半導體背面之薄膜2一起自切晶帶3剝離。拾取方法不受特別限制，且可採用習知之各種方法。舉例而言，可提及包括用針將每一半導體晶片5自用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1之基礎材料31側向上推動並用拾取裝置拾取經推動半導體晶片5之方法。然而，在本發明中，由於壓敏黏合劑層32已預先藉由用輻射線輻照固化，因此不執行用輻射線對壓敏黏合劑層32之輻照。就此而言，利用用於半導體背面之薄膜2保護所拾取半導體晶片5之背面。
(覆晶連接步驟)
藉由如圖3E中所展示覆晶結合方法(覆晶安裝方法)將所拾取半導體晶片5固定至黏合體6，例如基板。具體而言，根據通常方式將半導體晶片5以半導體晶片5之電路面(亦稱作正面、電路圖案形成面、電極形成面等)與黏合體6相對之形式固定至黏合體6。舉例而言，使形成於半導體晶片5之電路面側處之凸塊51與接合附著至黏合體6之連接墊之導電材料61(例如焊料)接觸並使導電材料61在壓製下熔化，藉此可確保半導體晶片5與黏合體6之間的電連接且可將半導體晶片5固定至黏合體6(覆晶結合步驟)。此時，形成在半導體晶片5與黏合體6之間形成間隙且間隙間之距離通常為約30μm至300μm。就此而言，在使半導體晶片5覆晶結合於黏合體6上後，重要的是，洗滌半導體晶片5與黏合體6之相對面及間隙並隨後將囊封材料(例如囊封樹脂)填充至該等間隙中以執行囊封。
作為黏合體6，可使用各種基板，例如引線框架及電路板(例如佈線電路板)。基板之材料不受特別限制且可提及陶瓷基板及塑膠基板。塑膠基板之實例包括環氧基板、雙馬來醯亞胺三嗪基板及聚醯亞胺基板。
在覆晶結合步驟(覆晶連接步驟)中，凸塊及導電材料之材料不受特別限制且其實例包括焊料(合金)，例如錫-鉛基金屬材料、錫-銀基金屬材料、錫-銀-銅基金屬材料、錫-鋅基金屬材料、及錫-鋅-鉍基金屬材料、以及金基金屬材料及銅-基金屬材料。
附帶而言，在覆晶結合步驟中，熔化導電材料以連接半導體晶片5之電路面側處之凸塊與黏合體6之表面上之導電材料。在熔化導電材料時之溫度通常為約260℃(例如，250℃至300℃)。可藉由用環氧樹脂或類似物形成半導體背面之薄膜來將本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜製成具有能夠承受覆晶結合步驟中之高溫之耐熱性。
在本步驟中，較佳洗滌半導體晶片5與黏合體6之間的相對面(電極形成面)及間隙。在洗滌時欲使用之洗滌液不受特別限制且其實例包括有機洗滌液及水性洗滌液。本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜中的半導體背面之薄膜對洗滌液具有耐溶劑性且對該等洗滌液實質上無溶解性。因此，如上所述，可採用各種洗滌液作為該洗滌液且洗滌可藉由任一習用方法來達成而無需任何專門洗滌液。
接下來，執行囊封步驟以囊封覆晶結合之半導體晶片5與黏合體6之間之間隙。使用囊封樹脂來執行囊封步驟。此時之囊封條件不受特別限制，但囊封樹脂之固化通常在175℃下實施60秒至90秒。然而，在本發明中，對此沒有限制，舉例而言，該固化可在165℃至185℃之溫度下實施數分鐘。藉由在此步驟中進行熱處理，囊封樹脂隨熱固化進行而固化。此外，藉由該步驟，用於半導體背面之薄膜2可完全或幾乎完全固化且可以極佳緊密黏合性附著至背面半導體元件。此外，本發明之用於半導體背面之薄膜2可連同囊封步驟中之囊封材料一起熱固化，甚至當薄膜呈未固化狀態時，使得無需新添加熱固化用於半導體背面之薄膜2之步驟。
囊封樹脂不受特別限制，只要該材料係具有絕緣性質(絕緣樹脂)之樹脂即可，且可在已知囊封材料(例如囊封樹脂)中適宜地選擇並使用。囊封樹脂較佳係具有彈性之絕緣樹脂。囊封樹脂之實例包括含有環氧樹脂之樹脂組合物。作為環氧樹脂，可提及上文中所例示之環氧樹脂。此外，由含有環氧樹脂之樹脂組合物構成之囊封樹脂可含有不同於環氧樹脂之熱固性樹脂(例如酚系樹脂)或除環氧樹脂以外亦含有熱塑性樹脂。附帶而言，亦可利用酚系樹脂作為環氧樹脂之固化劑，且作為酚系樹脂，可提及上文中所例示之酚系樹脂。
根據使用用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1及用於半導體背面之薄膜製造之半導體器件(覆晶安裝式半導體器件)，用於半導體背 面之薄膜附著至該半導體晶片之背面，且因此可以極佳可見度施加雷射標記。特定而言，甚至當該標記方法係雷射標記方法時，可以極佳反差比施加雷射標記，且可以良好可見度觀察到藉由雷射標記所施加之各種資訊(例如，文字資訊及圖形資訊)。在雷射標記時，可利用已知雷射標記裝置。此外，作為雷射，可利用各種雷射，例如氣體雷射、固態雷射及液體雷射。具體而言，作為氣體雷射，可利用任何已知氣體雷射而無特別限制，但二氧化碳雷射(CO2雷射)及准分子雷射(ArF雷射、KrF雷射、XeCl雷射、XeF雷射等)係適宜的。作為固態雷射，可利用任何已知固態雷射而無特別限制，但YAG雷射(例如Nd：YAG雷射)及YVO4雷射係適宜的。
由於使用本發明之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜1製作之半導體器件係藉由覆晶安裝方法安裝之半導體器件，因此該器件具有與藉由晶粒結合安裝方法安裝之半導體器件相比薄化及小型化之形狀。因此，可適宜地採用半導體器件作為各種電子器件及電子部分或其材料及部件。具體而言，作為利用本發明之覆晶安裝式半導體器件之電子器件，可提及所謂「行動電話」及「PHS」、小型電腦[例如，所謂「PDA」(手持式終端機)、所謂「筆記本型個人電腦」、所謂「Net Book(商品名)」、及所謂「可戴式電腦」等]、呈「行動電話」與電腦整合之形式之小型電子器件、所謂「Digital Camara(商品名)」、所謂「數位攝影機」、小型電視機、小型遊戲機、小型數位聲訊播放器、所謂「電子記事本」、所謂「電子詞典」、用於所謂「電子書」之電子器件終端機、諸如小型數位型手錶等行動電子器件(可攜式電子器件)、及諸如此類。不必說，亦可提及除行動電子器件以外之電子器件(固定型電子器件等)，例如，所謂「桌上型個人電腦」、薄型電視機、用於記錄及重現之電子器件(硬磁碟記錄器、DVD播放器等)、投影機、微機械、及諸如此類。另外，電子部分或電子器件 及電子部分之材料及部件不受特別限制且其實例包括所謂「CPU」之部分及各種記憶體器件(所謂「記憶體」、硬磁碟等)之部件。
實例
在下文中將以例示性方式詳細闡述本發明較佳實例。然而，除非超出本發明之主旨，否則本發明並不限於以下實例。此外，除非另有說明，否則每一實例中之份數皆係重量標準。
實例1 <切晶帶之製備>
在裝配有冷卻管、氮入口管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中放置86.4份丙烯酸2-乙基己基酯(在下文中亦稱作「2EHA」)、13.6份丙烯酸2-羥乙基酯(在下文中亦稱作「HEA」)、0.2份過氧化苯甲醯及65份甲苯，並使整體在氮流中在61℃下經受6小時聚合處理以獲得丙烯酸系聚合物A。
向丙烯酸系聚合物A中添加14.6份異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙基酯(在下文中亦稱作「MOI」)，並使整體在空氣流中在50℃下經受48小時加成反應處理以獲得丙烯酸系聚合物A'。
然後，將2份多異氰酸酯化合物(商品名「COLONATE L」，由Nippon Polyurethane Industry有限責任公司製造)及5份光聚合起始劑(商品名「IRGACURE 651」，由Ciba Specialty Chemicals製造)添加至100份丙烯酸系聚合物A'以獲得壓敏黏合劑組合物溶液A。
將壓敏黏合劑組合物溶液A施加至PET釋放襯墊之經聚矽氧處理面上，且隨後在120℃下乾燥2分鐘以形成厚度為10μm之壓敏黏合劑層。然後，將聚烯烴薄膜附著至所形成壓敏黏合劑層上。聚烯烴薄膜之厚度為100μm且包含印刷層，其用於遮蔽先前形成於對應於框架附著區域之部分上的輻射線。此後，將附著聚烯烴薄膜之壓敏黏合劑層在50℃下加熱24小時以執行交聯處理，藉此製備用於晶片固持之帶 A。
<用於覆晶型半導體背面之薄膜之製備>
以100份含有丙烯酸乙酯及甲基丙烯酸甲酯作為主要組份之丙烯酸酯基聚合物(商品名「PARACRON W-197CM」，由Negami Chemical Industrial有限責任公司製造)計，將113份環氧樹脂(商品名「EPICOAT 1004」，由JER有限責任公司製造)、121份苯酚樹脂(商品名「MILEX XLC-4L」，由Mitsui Chemicals公司製造)、246份球形二氧化矽(商品名「SO-25R」，由Admatechs有限責任公司製造)、5份染料1(商品名「OIL GREEN 502」，由Orient Chemical Industries有限責任公司製造)及5份染料2(商品名「OIL BLACK BS」，由Orient Chemical Industries有限責任公司製造)溶於甲基乙基酮中以製備具有23.6重量%之固體濃度之樹脂組合物之溶液。
將此樹脂組合物溶液施加至作為釋放襯墊(隔離物)之由厚度為50μm之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜構成之經可釋放處理薄膜(其已經受聚矽氧釋放處理)上，並隨後使其在130℃下乾燥2分鐘以製備平均厚度為20μm之用於覆晶型半導體背面之薄膜。
<用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜之製備>
使用層壓機將上述用於半導體背面之薄膜附著至切晶帶之壓敏黏合劑層上以製備用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜。就此而言，層壓機之條件如下。
<層壓機條件>
層壓機裝置：LPA330/450
層壓機溫度：40℃
壓層機速度：1,600mm/min
比較實例1 <切晶帶之製備>
以與實例1中相同之方式製備切晶帶。此後，用UV射線僅直接輻照壓敏黏合劑層中對應於半導體晶圓附著部分(直徑：200mm)之部分(直徑：220mm)以達成UV固化。藉此，製備本比較實例之切晶帶。UV射線之輻照條件如下。
<UV射線之輻照條件>
UV輻照裝置：高壓汞燈
UV輻照整合光量：500mJ/cm2
輸出：75W
輻照強度：150mW/cm2
<用於覆晶型半導體背面之薄膜之製備>
以與實例1中相同之方式製備用於覆晶型半導體背面之薄膜。
<用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜之製備>
使用層壓機將上述用於覆晶型半導體背面之薄膜附著至切晶帶之壓敏黏合劑層上以製備用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜。
(評估)
就實例1及比較實例1中製備之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜而言，藉由以下方法來評估或量測切晶性質及拾取性質。評估或量測之結果亦展示於表1中。
<切晶性質之評估方法>
使用實例1及比較實例1之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜，藉由實際對半導體晶圓進行切晶來評估切晶性質。亦即，評估半導體晶片是否存在晶片飛邊及碎裂之出現及是否存在切削水之滲入。
首先，使半導體晶圓(直徑：8英吋，厚度：0.6mm；矽鏡面晶圓)經受背面拋光處理，並使用厚度為0.2mm之鏡面晶圓作為工件。在將隔離物自用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜剝離後，在70℃下藉由輥壓結合將鏡面晶圓(直徑：8英吋，厚度：200μm；矽鏡面晶 圓)附著至用於半導體背面之薄膜上。此外，執行鏡面晶圓之切晶。以全切形式執行切晶以便切割成1.0mm2之晶片大小。就此而言，附著條件及切晶條件如下。
(半導體晶圓研磨條件)
研磨裝置：由DISCO公司製造之商品名「DFG-8560」
半導體晶圓：8英吋直徑(研磨背面以便自0.6mm之厚度直至0.2mm之厚度)
(附著條件)
附著裝置：由Nitto Seiki有限責任公司製造之商品名「MA-3000III」
附著速度：10mm/min
附著壓力：0.15MPa
附著時之階段溫度：70℃
(切晶條件)
切晶裝置：由DISCO公司製造之商品名「DFD-6361」
切晶環：「2-8-1」(由DISCO公司製造)
切晶速度：30mm/sec
切晶刀片：
Z1；由DISCO公司製造之「203O-SE 27HCDD」
Z2；由DISCO公司製造之「203O-SE 27HCBB」
切晶刀片旋轉速度：
Z1；40,000r/min
Z2；45,000r/min
切晶方法：階梯切削
晶圓晶片大小：1.0mm2
切削水進料：2.0L/min
(切晶時晶片飛邊及水滲入之評估標準)
自切晶帶之基礎材料側觀察在切晶時是否存在切削水之滲入。將未確認在壓敏黏合劑層與用於半導體背面之薄膜之間存在切削水之情形定級為「好」且將確認滲入之情形定級為「差」。此外，就晶片飛邊而言，當藉由對半導體晶圓進行切晶形成50件半導體晶片時，將晶片飛邊之出現數目為5件或更低之情形定級為「好」且將該數目超過5件之情形定級為「差」。
(切晶時碎裂之評估標準)
收集50件藉由切晶製備之半導體晶片並觀察該等半導體晶片之側面之最後切削麵。量測所有晶片之晶片裂紋(碎裂)之深度並將最深者視為半導體晶片之碎裂度。將碎裂度達到所存在半導體晶片厚度之一半或更高之情形(亦即，該值為100μm或更高之情形)定級為「差」，而將最大值小於100μm之情形定級為「好」。
<拾取性質之評估方法>
接下來，執行半導體晶片之拾取。在用UV射線輻照壓敏黏合劑層後執行拾取。輻照條件如下。在UV輻照後，藉由用針將晶片自用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜之切晶帶側向上推動來自壓敏黏合劑層拾取藉由切晶獲得之半導體晶片連同用於覆晶型半導體背面之薄膜。確定此時半導體晶片(總共400件)之拾取成功比(%)以評估拾取性質。因此，當拾取比接近於100%時，拾取性質較佳。就此而言，拾取條件如下。
<UV射線之輻照條件>
UV輻照裝置：高壓汞燈
UV輻照整合光量：500mJ/cm2
輸出：75W
輻照強度：150mW/cm2
附帶而言，自切晶帶之基礎材料側執行UV輻照。
(拾取條件)
拾取裝置：由Shinkawa有限責任公司製造之商品名「SPA-300」
拾取針之數目：1個針
針之向上推動速度：20mm/s
針之向上推進距離：500μm
拾取時間：1秒
切晶帶展開量：3mm
(結果)
如自表1所見，就實例1之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜而言，未確認切削水滲入壓敏黏合劑層與用於覆晶型半導體背面之薄膜之間。另外，確認可減少晶片飛邊及碎裂之出現。此外，拾取性質亦良好。另一方面，就比較實例1之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜而言，確認切削水滲入壓敏黏合劑層與用於覆晶型半導體背面之薄膜之間。此外，出現晶片飛邊及碎裂。
儘管本文已參照本發明具體實施例詳細闡述了本發明，但熟習此項技術者應瞭解，可對其實施多種改變及修改，此並不背離本發明範圍。
本申請案係基於2010年4月19日提出申請之日本專利申請案第 2010-096295號，其全部內容以引用方式併入本文中。
1‧‧‧用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜
2‧‧‧用於半導體背面之薄膜
3‧‧‧切晶帶
31‧‧‧基礎材料
32‧‧‧壓敏黏合劑層
32a‧‧‧對應於半導體晶圓附著部分之部分
32b‧‧‧除對應於半導體晶圓附著部分之部分以外之部分

Claims (7)

  1. 一種用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜，其包含用於覆晶型半導體背面之薄膜及切晶帶，該用於覆晶型半導體背面之薄膜係用於保護覆晶連接至黏合體上之半導體元件之背面，該切晶帶為於基礎材料上至少設置壓敏黏合劑層之構造，該用於覆晶型半導體背面之薄膜係設置於該壓敏黏合劑層上，該壓敏黏合劑層係對該用於覆晶型半導體背面之薄膜之壓敏黏合力因輻射線輻照而降低之輻射可固化型，於該基礎材料形成有光屏蔽材料，該光屏蔽材料係將除對應於用於覆晶型半導體背面之半導體晶圓附著部分以外之部分的至少一部分光屏蔽。
  2. 如請求項1之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜，其中該用於覆晶型半導體背面之薄膜添加有著色劑。
  3. 如請求項1之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜，其中形成該壓敏黏合劑層之輻射可固化壓敏黏合劑為丙烯酸系壓敏黏合劑，且該用於覆晶型半導體背面之薄膜包含丙烯酸系樹脂。
  4. 如請求項2之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜，其中形成該壓敏黏合劑層之輻射可固化壓敏黏合劑為丙烯酸系壓敏黏合劑，且該用於覆晶型半導體背面之薄膜包含丙烯酸系樹脂。
  5. 如請求項1至4中任一項之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜，其中於對應於該壓敏黏合劑層之框架附著區域之部分形成有光屏蔽材料。
  6. 一種製作半導體器件之方法，其係使用如請求項1至5中任一項之用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜以製作半導體器件之方 法，該方法包含以下步驟：將半導體晶圓附著至該用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜中之用於覆晶型半導體背面之薄膜上，對該半導體晶圓進行切晶以形成半導體元件，自該基礎材料側用輻射線輻照該用於半導體背面之切晶帶一體型薄膜中之該壓敏黏合劑層，將該半導體元件連同該用於覆晶型半導體背面之薄膜一起自該切晶帶之壓敏黏合劑層剝離，及將該半導體元件覆晶連接至該黏合體上。
  7. 一種覆晶型半導體器件，其係藉由如請求項6之製作半導體器件之方法所製造者。
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