JP2009196078A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 機能素子を有する基板と、
   前記基板とともに前記機能素子を収納する空洞を形成し、複数の貫通孔を有する絶縁性の第１の膜と、
   前記複数の貫通孔の上面を塞いで前記第１の膜上に形成され、前記第１の膜よりガス透過率の大きい絶縁性の第２の膜と、
   少なくとも前記第２の膜上に形成され、前記第２の膜よりガス透過率の小さい絶縁性の第３の膜と、
   前記第３の膜上に形成され、前記第３の膜より伸縮性の大きい絶縁性の第４の膜と、
   を具備することを特徴とする電気部品。
2. 前記第２の膜の側面が、前記第２の膜よりガス透過率の小さい絶縁性の第５の膜で覆われていることを特徴とする請求項１記載の電気部品。
3. 前記第５の膜は、前記第３の膜と同一の膜により形成されていることを特徴とする請求項２記載の電気部品。
4. 一端部が前記機能素子に接続されるとともに、前記基板に沿って前記第２の膜の外側に延伸した配線と、
   前記第２の膜と離間して前記配線の他端側を覆うとともに、前記配線の他端部に開口を有する有機膜と、
   前記開口の周りの前記有機膜にオーバラップして、前記配線の他端部に接続されたバンプと、
   を具備することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電気部品。
5. 前記第１の膜は無機膜であり、前記第２の膜は有機膜であり、前記第３の膜は無機膜であり、前記第４の膜は有機膜であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の電気部品。
6. 前記第１の膜がＳｉ―Ｏ結合を主成分とするシリコン化合物であり、
   前記第２の膜が炭素を主成分とする熱硬化型樹脂、紫外線硬化型樹脂および電子ビーム硬化型樹脂のいずれかであり、
   前記第３の膜がＳｉ−Ｎ結合を主成分とするシリコン化合物であり、
   前記第４の膜がエポキシ系樹脂、又はポリイミド系樹脂であることを特徴とする請求項1乃至５のいずれかに記載の電気部品。
7. 前記第２の膜の外側に、前記機能素子を外部に電気的に接続するための電極が形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の電気部品。
8. 前記貫通孔の径は、前記第１の膜の前記第２の膜側から前記空洞側に向かって小さくされていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の電気部品。
9. 前記貫通孔は、前記機能素子の上方に位置する第１の膜に形成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の電気部品。
10. 基板上に機能素子を形成し、
    前記基板と複数の貫通孔を有する絶縁性の第１の膜とにより前記機能素子を収納する空洞を形成し、
    前記複数の貫通孔の上面を塞ぐため、前記第１の膜上に前記第１の膜よりガス透過率の大きい絶縁性の第２の膜を形成し、
    少なくとも前記第２の膜上に前記第２の膜よりガス透過率の小さい絶縁性の第３の膜を形成し、
    前記第３の膜上に前記第３の膜より伸縮性の大きい絶縁性の第４の膜を形成したことを特徴とする電気部品の製造方法。
11. 前記空洞の形成前に、レジスト膜をマスクとして前記機能素子を覆い前記空洞を形成するための犠牲膜を形成し、
    前記犠牲膜上に、複数の貫通孔を有する絶縁性の第１の膜を形成し、
    前記複数の貫通孔を介して前記犠牲膜を除去し、前記空洞を形成することを特徴とする請求項１０記載の電気部品の製造方法。