JP2015223689A - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ドームクラックの発生に起因する不良素子の増加を抑制する。【解決手段】MEMS素子を用いた電子部品であって、機能素子を有する基板10上に設けられた絶縁層20と、絶縁層20上の一部に設けられた、機械的可動部を有するMEMS素子30と、絶縁層20上及びMEMS素子30上に設けられ、絶縁層20と共にMEMS素子30を収容する空洞を形成し、且つ該空洞に連通する複数の貫通孔42aが設けられた第1のキャップ層42と、第1のキャップ層42を覆うように設けられた第2のキャップ層44とを備えている。そして、空洞の外側で空洞を囲むリング状の領域に、少なくとも第2のキャップ層44を貫通してリング状溝部44aが設けられている。【選択図】 図1
Description
本発明の実施形態は、MEMS素子を有する電子部品及びその製造方法に関する。
MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)素子は、機械的可動部分を有するデバイスである。このため、機械的可動部分を中空構造内に設置する必要があり、これを実現するために薄膜ドーム構造が採用されている。
しかし、MEMS素子用の薄膜ドームは、薄膜ドームを形成する絶縁層にクラックが生じることがあり、このようなドームクラックが発生した場合、外部の水分がドーム内部に浸入して素子の特性劣化を招く。
発明が解決しようとする課題は、ドームクラックの発生に起因する不良素子の増加を抑制できる電子部品及びその製造方法を提供することにある。
実施形態の電子部品は、機能素子を有する基板上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上の一部に設けられた、機械的可動部を有するMEMS素子と、前記絶縁層上及び前記MEMS素子上に設けられ、前記絶縁層と共に前記MEMS素子を収容する空洞を形成し、且つ該空洞に連通する複数の貫通孔が設けられた第1のキャップ層と、前記第1のキャップ層を覆うように設けられた第2のキャップ層と、前記空洞の外側で前記空洞を囲むリング状の領域に、少なくとも前記第2のキャップ層を貫通して設けられたリング状溝部と、を具備している。
実施形態のMEMSの特徴は、例えば通常の半導体デバイスと異なり機械的可動部分を有するデバイスであるという点である。従って、MEMSデバイスを実装する際には機械的可動部分を活かすため、中空構造(空洞)を有する実装技術/パッケージが必要不可欠である。
一方、微細化、コスト削減、ハンドリングの容易性といったことから、個別チップの実装では無く、ウエハー状態で中空構造を形成できる実装技術が必要となりつつある。これをWLP(Wafer Level Package)と称し、特に中空構造を絶縁性の薄膜で形成した構造を薄膜ドーム構造と称している。
以下、実施形態の電子部品を、図面を参照して説明する。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係わる電子部品の概略構成を示す断面図である。
図1は、第1の実施形態に係わる電子部品の概略構成を示す断面図である。
Si等の半導体基板の表面部にCMOS回路等の機能素子(図示せず)が形成された基板10上に、厚膜(10〜40μm)の絶縁層20が設けられている。
絶縁層20上の一部に、MEMS素子30の下部電極31が設けられている。下部電極31は、後述するアンカー部が設けられる電極31aと後述する上部電極と近接可能な電極31bとで構成されている。
下部電極31を覆うように絶縁層20上に薄膜の絶縁層からなるパッシベーション膜32が設けられている。電極31a上でパッシベーション膜32が一部除去され、このパッシベーション膜32を除去した部分でアンカー部35の下端(一端)が電極31aに接続されている。アンカー部35の上端(他端)に接続されるようにMEMS素子の上部電極36が設けられている。そして、上部電極36は、アンカー部35に接続された部分以外が可動可能となっており、上部電極36と電極31bとで可変容量キャパシタを構成するものとなっている。
下部電極31、アンカー部35、及び上部電極36からなるMEMS素子30を収容する空洞(薄膜ドーム)を形成するように、パッシベーション膜32上に第1のキャップ層42が設けられている。このキャップ層42は、例えば無機材料のSi−O結合を主成分とするシリコン化合物、例えば厚さが1μm程度のシリコン酸化膜である。
第1のキャップ層42には、薄膜ドーム内と連通する複数の貫通孔42aが設けられている。貫通孔42aは、後述する薄膜ドーム形成のための犠牲層をアッシング等により除去するためのものである。
キャップ層42上に、貫通孔42aを塞ぐように、例えば有機材料のポリイミド等の有機樹脂からなる封止層43が設けられている。この封止膜43は、例えば炭素を主成分とする紫外線硬化型樹脂であり、具体的にはプレポリマー、モノマー、光重合開始剤、添加剤などからなる樹脂膜である。なお、封止膜43は、貫通孔42aを確実に塞ぐように形成すれば良く、薄膜ドーム部よりも僅かに大きい範囲に形成されている。
封止層43を覆うように、第1のキャップ層42上に、例えば無機材料のSi−N結合を主成分とするシリコン化合物、例えばシリコン窒化膜(SiN)からなる第2のキャップ層44が設けられている。このキャップ層44は、第1のキャップ層42よりもガス透過率が小さく、防湿性に優れており、水分などの有害ガスが封止膜43を透過してドーム内に侵入するのを防止する。第2のキャップ層44としては、SiNの代わりに、シリコン炭化膜(SiC)、アルミニウム酸化膜(Al2O3)、アルミニウム窒化膜(AlN)を用いることができる。
薄膜ドームの外側で該ドームを囲むように、第2のキャップ層44を貫通する貫通孔(溝部)45が設けられている。即ち、薄膜ドームを囲むパターンにリング状の溝部45が設けられている。溝部45内には、Cu等の金属膜46が埋め込まれている。
そして、キャップ層44及び金属膜46を覆うように、有機材料の樹脂からなる保護膜47が設けられている。この保護膜47は、第2のキャップ層44よりも伸縮性の大きい絶縁性の材料であり、薄膜ドーム内への水分の侵入防止に寄与する。
図2は、基板10に形成されたCMOS回路の一例を示す断面図である。Si等の半導体基板101の表面部にゲート絶縁膜111、ゲート電極112及びソース/ドレイン領域113からなるMOSトランジスタ110が形成されている。なお、図2では1つのトランジスタしか示していないが、複数のトランジスタでCMOS回路が構成されている。トランジスタ110上に、SiO2 等の層間絶縁膜122及びAl等の配線層121からなる多層配線120が形成されている。そして、多層配線120上に膜厚の厚い絶縁層20が設けられ、絶縁層20上に前記MEMS素子が形成されている。
ここで、トランジスタ110を含む多層配線部の膜厚は約5μm程度であり、絶縁層20の膜厚は10〜40μmと厚いものとなっている。さらに、MEMS部分の膜厚は30μm程度である。また、図には示さないが、絶縁層20に形成されたビアを介してMEMS素子とCMOS回路とは電気的に接続されている。
次に、本実施形態の電子部品の製造方法について、図3乃至図5を参照して説明する。
まず、図3(a)に示すように、基板10上に形成した厚さ30μmのSiO等の絶縁層20の上に、Al等からなる下部電極31(31a,31b)を数百nm〜数μm厚で形成し、その上にCVD(Chemical Vapor Deposition)法等でSiOやSiN等のパッシベーション膜32を数十nm〜数百nm厚に成膜する。さらに、電極31a上でパッシベーション膜32の一部にアンカー部形成のための孔を開口する。続いて、ポリイミド等の有機材料を第1犠牲層33として成膜する。
なお、基板10は、前述したように、半導体基板101上にCMOS回路等を形成したものであり、CMOS回路は後に形成されるMEMSデバイスと電気的に接続される。
次いで、図3(b)に示すように、第1犠牲層33を所望の形状にパターニングする。なお、犠牲層33のパターニング方法については、犠牲層33を数百nm〜数μm厚で塗布後に、感光露光/現像しても良い。また、犠牲層33上に通常のリソグラフィー法で形成したレジストパターンを用い、RIE(Reactive Ion Etching)法によって選択エッチングしても良い。さらに、犠牲層33上に成膜したSiO膜等を通常のリソグラフィー法によるレジストパターンとRIE法又はウェットエッチング法によってパターニングし、これをハードマスクとして用いてパターン形成しても良い。
また、犠牲層33にはパッシベーション膜32に設けた孔に対応する孔を開ける。なお、予めパッシベーション膜32に電極31aに繋がる孔を設けるのではなく、第1犠牲層33に孔を設ける際に、パッシベーション膜32の孔を同時に設けるようにしても良い。
次いで、図3(c)に示すように、全面にスパッタリング法等によりAl等の金属膜34を数百nm〜数μm厚で成膜する。
次いで、図3(d)に示すように、金属膜34を配線形状にパターニングしてMEMSの上部電極36を形成する。ここで、金属膜34の犠牲層33の穴部に埋め込まれて電極31aに接続された部分がアンカー部35となる。また、金属膜34のパターニングには、通常のリソグラフィー法で形成したレジストパターンとRIE法を用いて形成しても良いし、ウェットエッチング法によってパターン形成しても良い。
次いで、図4(e)に示すように、薄膜ドーム形成工程に入る。即ち、ポリイミド等の有機材料を第2犠牲層41として数百nm〜数μm厚で塗布後、パターニングを行ってドームを形成すべき部分に残す。犠牲層41のパターニング方法については、犠牲層41を数百nm〜数μm厚で塗布後に、感光露光/現像しても良い。また、犠牲層41上に通常のリソグラフィー法で形成したレジストパターンを用い、RIE法によって選択エッチングしても良い。さらに、犠牲層41上に成膜したSiO膜等を通常のリソグラフィー法によるレジストパターンとRIE法又はウェットエッチング法によってパターニングし、これをハードマスクとしてパターン形成しても良い。
次いで、図4(f)に示すように、第2犠牲層41及びパッシベーション膜32上に、薄膜ドーム層となるSiO等の例えば無機材料からなる第1のキャップ層42をCVD法等で数百nm〜数μm厚に成膜する。
次いで、キャップ層42上にレジスト(図示せず)を塗布した後に、通常のリソグラフィー法によって感光パターニングを行った後、図4(g)に示すように、RIE法やウェットエッチング法を用いて、キャップ層42に犠牲層除去用の貫通孔42aを形成する。
次いで、図4(h)に示すように、O2 ガス等を用いたアッシングによる手法で、図示していない貫通孔用レジストパターン、第1犠牲層33、第2犠牲層41の除去を行って、薄膜ドームを形成する。これにより、MEMS30の上部電極36を可動可能にする。ここで、薄膜ドーム内に存在した犠牲層33,41は貫通孔42aを通したアッシングにより容易に除去することができる。
次いで、図5(i)に示すように、ポリイミド等の有機材料からなる封止層43を成膜して、第1のキャップ層42の貫通孔42aの封止を行い、更に封止層43を所望の形状にパターニングを行う。封止層43のパターニング方法については、封止層43を数百nm〜数μm厚で塗布後に、感光露光/現像しても良い。また、封止層43上に通常のリソグラフィー法で形成したレジストパターンを用い、RIE法によって選択エッチングしても良い。さらに、封止膜43上に成膜したSiO膜等を通常のリソグラフィー法によるレジストパターンとRIE法又はウェットエッチング法によってパターニングし、これをハードマスクとしてパターン形成しても良い。
次いで、図5(j)に示すように、防湿層としての役割を果たすSiN等の無機材料からなる絶縁膜の第2のキャップ層44をCVD法等で数百nm〜数μm厚に成膜する。続いて、通常のリソグラフィー法とRIE法又はウェットエッチング法による電極開口などのパターン形成を行って、薄膜ドーム構造が完成する。このとき、少なくとも1つの薄膜ドームを取り囲むようにリング状パターンの溝部45をフィールド上に同時に形成する(図中ではリング状パターンの片側のみの断面を示している)。より具体的には、第2のキャップ層44上に、薄膜ドームを囲むリング状パターンの開口を有するレジストマスクを形成し、RIEによって第2のキャップ層44を選択エッチングする。
ここで、リング状パターンの溝部45は少なくとも第2のキャップ層44を貫通していることが必要である。即ち、溝部45は第2のキャップ層44のみを貫通しても良いし、第1のキャップ層42まで貫通していても良い。さらに、溝部45が第1及び第2のキャップ層42,44を貫通し、CMOS回路とMEMSデバイスの間にある絶縁層20の途中まで到達していても良い。
次いで、図5(k)に示すように、リング状パターンの溝部45に、例えばCu再配線の手法を用いてCu等の金属膜46を埋め込み形成する。具体的には、数十nm〜数百nm厚のTi或いはTiNといったバリアメタル層とCuシード層をスパッタリング法等で成膜した後、通常のリソグラフィー法を用いてレジスト膜に所望パターンの形成を行い、電解めっき法等でCuを埋め込む。そして、レジスト膜を剥離した後、バリアメタル層とCuシード層をウェットエッチングすることにより、薄膜ドームを取り囲む溝部45にCu金属膜46が埋め込まれたリング状パターンが形成される。
ここで、SiN等からなる第2のキャップ層44は水分が侵入しやすいため、エッチングにより端部が露出するのはあまり望ましくない。このため、溝部45内に金属膜46を埋め込むのはキャップ層44の端部からの水分の侵入防止に有効である。但し、水分の侵入が問題とならない場合は、金属膜46の埋め込みは必ずしも行わなくても良い。その場合には、薄膜ドームを取り囲むリング状パターン部は、キャップ層44に形成された溝部45の部分のみの構造となる。
これ以降は、デバイスを保護するため、例えば有機材料のパッシベーション用樹脂からなる保護膜47の成膜及びパターニングを行うことにより、前記図1に示す構造が完成する。
このように本実施形態によれば、MEMS素子30を収容する薄膜ドームの外側に、該ドームを囲むようにリング状パターンの溝部を、デバイスのフィールド部に配置したデバイス構造としている。より具体的には、薄膜ドームを囲むリング状の領域に第2のキャップ層44を貫通する溝部45を設けている。このため、薄膜ドームの外からのクラックが薄膜ドーム内に侵入するのを抑制できる。さらに、薄膜ドーム内で発生したクラックがフィールド部を伝搬して隣接する他のMEMS素子の薄膜ドームにもクラックを引き起こすことを防止できる。即ち、ドームクラックの発生に起因して不良素子が増えるのを抑制することが可能となる。つまり、ウェハー状態で信頼性の高い中空構造を形成するWLPの構造を実現することができる。
ここで、薄膜ドームを構成する絶縁層20、第1のキャップ層42、及び第2のキャップ層44のうちで、第2のキャップ層44が最も硬くクラックが伝搬しやすい。従って、第2のキャップ層44を貫通するように溝部45を形成することは、最もクラックが伝搬しやすい第2のキャップ層44におけるクラックの伝搬を阻止するために有効である。また、第1のキャップ層42を貫通するように溝部45を形成すること、更には絶縁層20に達するように溝部45を形成することは、クラックの伝搬防止により有効である。
また、絶縁層20を貫通するように溝部45を形成してもよいが、絶縁層20を貫通しないように溝部45を形成すると、貫通する溝を深く形成する必要がなく、比較的容易に形成することができ、下層素子へのダメージを抑制することができる。
(第2の実施形態)
図6乃至図11は、第2の実施形態に係わる電子部品を説明するためのもので、MEMS素子の薄膜ドーム周辺に配置されたリング状パターンの断面図を示している。なお、図1と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
図6乃至図11は、第2の実施形態に係わる電子部品を説明するためのもので、MEMS素子の薄膜ドーム周辺に配置されたリング状パターンの断面図を示している。なお、図1と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
第1及び第2のキャップ層42,44の端部位置と溝の深さに各種のバリエーションがある。
即ち、図6(a)は第2のキャップ層44のみに貫通孔45が形成されている例であり、図6(b)は第1及び第2のキャップ層42,44に貫通孔45が形成されている例であり、図6(c)は第1及び第2のキャップ層42,44を貫通し絶縁層20の途中まで溝部45が形成されている例である。図7(a)は第2のキャップ層44が後退し、第1のキャップ層42に貫通孔45が形成されている例であり、図7(b)は第2のキャップ層44が後退し、第1のキャップ層42を貫通し絶縁層20の途中まで溝部45が形成されている例である。図8(a)は第1のキャップ層42が後退し、第2のキャップ層44に貫通孔45が形成されている例であり、図8(b)は第1のキャップ層42が後退し、第2のキャップ層44を貫通し絶縁層20の途中まで溝部45が形成されている例である。
なお、上記の各例では、溝部45を埋め込むようにCu等の金属膜46が形成され、更にその上に有機樹脂等の保護膜47が形成されている。
このように、リング状パターンは種々の変形が可能であり、何れの構造においてもドーム内外へのドームクラックの伝搬を抑制することが可能である。また、溝部45内に埋め込む金属膜46は、水分の侵入防止に有効であるが、水分の侵入が問題とならない場合は、金属膜46を省略することも可能である。さらに、キャップ層42,44及び封止膜43等で十分な保護が可能な場合は、保護膜47を省略することも可能である。
また、図9〜図11は、保護膜47を形成した後に貫通穴(溝部)45を形成した例であり、図9は図6に対応し、図10は図7に対応し、図11は図8に対応している。
即ち、図9(a)は保護膜47と第2のキャップ層44に貫通孔45が形成されている例であり、図9(b)は保護膜47と第1及び第2のキャップ層42,44に貫通孔45が形成されている例であり、図9(c)は保護膜47と第1及び第2のキャップ層42,44を貫通し絶縁層20の途中まで溝部45が形成されている例である。図10(a)は第2のキャップ層44が後退し、保護膜47に溝部45が形成されている例であり、図10(b)は第2のキャップ層44が後退し、保護膜47と第1のキャップ層42に貫通孔45が形成されている例であり、図10(c)は第2のキャップ層44が後退し、保護膜47と第1のキャップ層42を貫通し、絶縁層20の途中まで溝部45が形成されている例である。図11(a)は第1のキャップ層42が後退し、保護膜47と第2のキャップ層44に貫通孔45が形成されている例であり、図11(b)は第1のキャップ層42が後退し、第2のキャップ層44を貫通し絶縁層20の途中まで溝部45が形成されている例である。この場合も、金属膜46を省略することが可能である。
このように本実施形態によれば、MEMS素子30を収容する薄膜ドームの外側にリング状パターンの溝部45を形成することにより、先に説明した第1の実施形態と同様の効果が得られる。そして、溝部45の構造及び深さは適宜変更可能であり、薄膜ドーム内外でクラックの伝搬を効率良く抑制できる構造を選択すれば良い。
(第3の実施形態)
図12及び図13は、第3の実施形態に係わる電子部品を説明するためのもので、MEMS素子からの引出線の配置例を示している。図12(a)及び図13(a)は平面図、図12(b)は図12(a)の矢視I−I’断面図、図13(b)は図13(a)の矢視II−II’断面図である。なお、図1と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
図12及び図13は、第3の実施形態に係わる電子部品を説明するためのもので、MEMS素子からの引出線の配置例を示している。図12(a)及び図13(a)は平面図、図12(b)は図12(a)の矢視I−I’断面図、図13(b)は図13(a)の矢視II−II’断面図である。なお、図1と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
図12では、MEMS素子30からの引出線51がリング状パターン内側で下側、即ちCMOS回路側に向かう場合の例で、絶縁層20を貫通するビア52が形成されている。
一方、図13はMEMS素子30からの引出線61がリング状パターン内側で上側、即ち外部側に向かう場合の例で、第1及び第2のキャップ層42,44を貫通するビア62が形成されている。そして、ビア62の上面側にバンプやパッド等の外部端子63が形成されている。
なお、上記の例では複数のMEMS素子30を囲むようにリング状パターンが形成されているが、1つのMEMS素子30を囲むようにリング状パターンを形成しても良いのは勿論のことである。また、上記の例ではリング状パターンの溝部45内に金属膜46が埋め込まれている例を示しているが、金属膜46は省略することも可能である。
このように本実施形態では、MEMS素子30からの引き出し線をリング状パターンの内側に引き出すことにより、リング状パターンによるクラック伝達の抑制効果を維持することができる。
また、図12及び図13の両方の構成を採用しても良い。即ち、MEMS素子30からの引出線51がリング状パターン内側で、絶縁層20を貫通するビア52に接続され、更にMEMS素子30からの別の引出線61がリング状パターン内側で、第1及び第2のキャップ層42,44を貫通するビア62に接続される構成としても良い。
(第4の実施形態)
図14は、第4の実施形態に係わる電子部品を説明するためのもので、リング状パターンの構成をダイシング部分に適用した例である。なお、図1と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
図14は、第4の実施形態に係わる電子部品を説明するためのもので、リング状パターンの構成をダイシング部分に適用した例である。なお、図1と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
基板上に形成された複数の素子を各々のチップに分離する場合、一般にブレードを用いたダイシングにより分離している。このとき、ダイシングの位置合わせのために基板表面に浅い溝を形成する必要がある。
本実施形態では、図14(a)に示すように、第1及び第2のキャップ層42,44を貫通し、絶縁層20に達するように溝部45を形成する。具体的には、第2のキャップ層44の上面に、ダイシングラインの開口を有するマスク(図示せず)を形成した後、RIE等により選択エッチングを行うことにより、キャップ層44,キャップ層42,パッシベーション膜32を貫通し、絶縁層20の途中に達する溝部45を形成する。続いて、図14(b)に示すように、ブレード60を用いて溝部45の中央でダイシングを行うことにより、基板を複数のチップに分離する。
ここで、ダイシングラインの内側の構成、即ち各々のチップの構成は、先に説明した第3の実施形態と同様としても良い。例えば、前記図12に示す構成において、溝45はダイシングラインに沿って形成し、金属膜46は形成しない状態で、ブレード60によるダイシングを行うようにしても良い。前記図13に示す構成においても同様に適用可能であり、更に図12及び第13を組み合わせた構造においても同様に適用可能である。
このように本実施形態では、ダイシングラインにリング状パターンの溝部45を形成することにより、ダイシングを容易に行うことができる。そしてこの場合、第1及び第2のキャップ層42,44はRIE等によりエッチングしているため、ダイシングによるブレード60との接触によりキャップ層42,44に応力が加わることはない。このため、ダイシングにより第1及び第2のキャップ層42,44にクラックが生じることはない。
即ち、SiN等の無機材料からなる比較的硬い第2のキャップ層44にブレード60が接触すると、第2のキャップ層44にクラックが生じることがある。しかし、本実施形態のように、ダイシングラインに溝部45を形成することにより、第2のキャップ層44とブレード60との接触を無くし、クラック発生の要因を無くすことができる。
また、絶縁層20の途中まで溝部45を形成しているため、絶縁層20の膜剥がれが生じることはない。即ち、絶縁層20を貫通するように溝部45を形成すると、絶縁層20の厚い端面が露出し、応力により絶縁層20の剥がれが生じることがあるが、これを未然に防止することができる。また、絶縁層20は、前記図2に示したように下部の多層配線等に比して膜厚が十分に厚いものであり、絶縁層20の途中でエッチングを停止するのは容易である。そして、絶縁層20の途中でエッチングを停止するため、下層素子にダメージを与えるのを防止することができる利点もある。
また、第3の実施形態の構成に適用することにより、第3の実施形態と同様に、リング状パターンによるクラック伝達の抑制効果を維持できる効果も得られる。
(変形例)
なお、本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではない。
なお、本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではない。
基板に設ける機能素子は必ずしもCMOS回路に限るものではなく、各種の回路素子を設けることが可能である。また、薄膜ドーム内に収容するMEMS素子は1個又は2個に限るものではなく、3個以上ででもあっても良い。さらに、リング状パターンは、必ずしも1つの薄膜ドームを囲むように形成するのではなく、複数の薄膜ドームを囲むパターンに形成しても良い。
また、MEMS素子の構造は、前記図1に示すようなキャパシタを構成するものに限らず、機械的可動部を有するものであれば良い。例えば、導電性の可動部の動きにより上部電極と下部電極との接触/非接触を可能にするスイッチ素子を構成するものであっても良い。
また、封止膜は第1のキャップ層の貫通孔を塞ぐために設けているが、第2のキャップ層の形成により貫通孔を確実に塞ぐことできる場合は、封止膜を省略することも可能である。さらに、キャップ層のみで薄膜ドーム内を十分に保護できる場合は、保護膜を省略することも可能である。
本発明の幾つかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
(付記)
以上説明した本発明は、次の構成を特徴としている。
以上説明した本発明は、次の構成を特徴としている。
(1)MEMS素子を備えた電子部品であって、機能素子を有する基板上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上の一部に設けられた、機械的可動部を有するMEMS素子と、前記絶縁層上及び前記MEMS素子上に設けられ、前記絶縁層と共に前記MEMS素子を収容する空洞を形成し、且つ該空洞に連通する複数の貫通孔が設けられた第1のキャップ層と、前記第1のキャップ層を覆うように設けられた第2のキャップ層と、前記空洞の外側で前記空洞を囲むリング状の領域に、少なくとも前記第2のキャップ層を貫通して設けられたリング状溝部と、を具備した。
(2) (1) において、前記溝部は、前記第2のキャップ層の上面から、前記絶縁層を貫通しない深さまで形成されている。
(3) (1) (2) において、前記機能素子は、前記基板の表面部に設けられたCMOS回路である。
(4) (1)-(3) において、前記MEMS素子は、前記絶縁層上に形成された下部電極、前記下部電極上に一端が接続されたアンカー部、及び前記アンカー部の他端に接続されて可動可能な上部電極、を有する。
(5) (1)-(4) において、前記溝部の内部に、金属膜が埋め込まれている。
(6) (1)-(5) において、前記第1のキャップ層と前記第2のキャップ層との間に、前記第1のキャップ層の前記貫通孔を塞ぐ封止膜を有する。
(7) (1)-(6) において、前記第2のキャップ層上に形成された有機材料の保護膜を有する。
(8) (7) において、前記保護膜は前記第2のキャップ層よりも伸縮性の大きい絶縁膜である。
(9) (1)-(8) において、前記第2のキャップ層は、前記第1のキャップ層よりもガス透過率が小さい。
(10) (1)-(9) において、前記溝部は、前記基板を複数のチップに分離するためのダイシングラインに沿って設けられている。
(11) (10) において、前記溝部は、前記第2のキャップ層の上面から、前記第2のキャップ及び前記第1のキャップ層を貫通し、前記絶縁層の途中まで達している。
(12) (1)-(11) において、前記溝部を形成するリング状領域の内側に、前記MEMS素子に電気的に接続された引出線と、前記絶縁層の下方側へ続くビアとが、設けられている。
(13) (1)-(11) において、前記溝部を形成するリング状領域の内側に、前記MEMS素子に電気的に接続された引出線、前記絶縁層の上方側へ続くビア、及び前記ビアに接続された外部端子、が設けられている。
(14)MEMS素子を備えた電子部品であって、基板の一主面側に設けられたCMOS回路と、前記CMOS回路を覆うように前記基板上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上の一部に設けられた、機械的可動部を有するMEMS素子と、前記絶縁層上及び前記MEMS素子上に設けられ、前記絶縁層と共に前記MEMS素子を収容する空洞を形成し、且つ該空洞に連通する複数の貫通孔が設けられた第1のキャップ層と、前記第1のキャップ層の前記貫通孔を塞ぐように設けられた封止膜と、前記封止膜を覆うように前記第1のキャップ層上に設けられた、前記第1のキャップ層よりもガス透過率が小さい第2のキャップ層と、前記空洞の外側で前記空洞を囲むリング状の領域に、前記第2のキャップ層の上面から、前記第2のキャップ層を貫通し、前記絶縁層を貫通しない深さまで形成されたリング状溝部と、前記第2のキャップ層上に設けられた、前記第2のキャップ層よりも伸縮性の大きい絶縁性の保護膜と、を具備した。
(15)MEMS素子を備えた電子部品の製造方法であって、機能素子を有する基板上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上の一部に、機械的可動構造を有するMEMS素子を形成する工程と、前記MEMS素子を覆うように犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層及び前記絶縁層上に第1のキャップ層を形成する工程と、前記第1のキャップ層に複数の貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔を通して前記犠牲層を除去することにより、前記第1のキャップ層により前記MEMS素子の可動部をフリーにする空洞を形成する工程と、前記複数個の貫通孔を塞ぐように、前記第1のキャップ層上の一部に封止膜を形成する工程と、前記封止膜を覆うように、前記第1のキャップ層上に第2のキャップ層を形成する工程と、前記空洞の外側で前記空洞を囲むリング状の領域に、前記第2のキャップ層の上面から、前記第2のキャップ層を貫通し、前記絶縁層を貫通しない深さまで溝部を形成する工程と、を含む。
10…基板
20…絶縁層
30…MEMS素子
31…下部電極
32…パッシベーション膜
33…第1犠牲層
34…金属膜
35…アンカー部
36…上部電極
41…第2犠牲層
42…第1のキャップ層
43…封止膜
44…第2のキャップ層
45…リング状の溝
46…金属膜
47…保護膜
51,61…引き出し線
52,62…ビア
63…外部端子
101…半導体基板
110…MOSトランジスタ
111…ゲート絶縁膜
112…ゲート電極
113…ソース/ドレイン領域
120…多層配線
121…配線層
122…層間絶縁膜
20…絶縁層
30…MEMS素子
31…下部電極
32…パッシベーション膜
33…第1犠牲層
34…金属膜
35…アンカー部
36…上部電極
41…第2犠牲層
42…第1のキャップ層
43…封止膜
44…第2のキャップ層
45…リング状の溝
46…金属膜
47…保護膜
51,61…引き出し線
52,62…ビア
63…外部端子
101…半導体基板
110…MOSトランジスタ
111…ゲート絶縁膜
112…ゲート電極
113…ソース/ドレイン領域
120…多層配線
121…配線層
122…層間絶縁膜
Claims (9)
- 機能素子を有する基板上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上の一部に設けられた、機械的可動部を有するMEMS素子と、
前記絶縁層上及び前記MEMS素子上に設けられ、前記絶縁層と共に前記MEMS素子を収容する空洞を形成し、且つ該空洞に連通する複数の貫通孔が設けられた第1のキャップ層と、
前記第1のキャップ層を覆うように設けられた第2のキャップ層と、
前記空洞の外側で前記空洞を囲むリング状の領域に、少なくとも前記第2のキャップ層を貫通して設けられたリング状溝部と、
を具備したことを特徴とする電子部品。 - 前記溝部は、前記第2のキャップ層の上面から、前記絶縁層を貫通しない深さまで形成されていることを特徴とする、請求項1記載の電子部品。
- 前記機能素子は、前記基板の表面部に設けられたCMOS回路であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の電子部品。
- 前記溝部の内部に、金属膜が埋め込まれていることを特徴とする、請求項1乃至3の何れかに記載の電子部品。
- 前記溝部は、前記基板を複数のチップに分離するためのダイシングラインに沿って設けられていることを特徴とする請求項1乃至4の何れかに記載の電子部品。
- 前記溝部は、前記第2のキャップ層の上面から、前記第2のキャップ及び前記第1のキャップ層を貫通し、前記絶縁層の途中まで達していることを特徴とする請求項5に記載の電子部品。
- 前記溝部を形成するリング状領域の内側に、前記MEMS素子に電気的に接続された引出線と、前記絶縁層の下方側へ続くビアとが、設けられていることを特徴とする、請求項1乃至6の何れかに記載の電子部品。
- 前記溝部を形成するリング状領域の内側に、前記MEMS素子に電気的に接続された引出線、前記絶縁層の上方側へ続くビア、及び前記ビアに接続された外部端子、が設けられていることを特徴とする、請求項1乃至6の何れかに記載の電子部品。
- 機能素子を有する基板上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上の一部に、機械的可動構造を有するMEMS素子を形成する工程と、
前記MEMS素子を覆うように犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層及び前記絶縁層上に第1のキャップ層を形成する工程と、
前記第1のキャップ層に複数の貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔を通して前記犠牲層を除去することにより、前記第1のキャップ層により前記MEMS素子の可動部をフリーにする空洞を形成する工程と、
前記複数個の貫通孔を塞ぐように、前記第1のキャップ層上の一部に封止膜を形成する工程と、
前記封止膜を覆うように、前記第1のキャップ層上に第2のキャップ層を形成する工程と、
前記空洞の外側で前記空洞を囲むリング状の領域に、前記第2のキャップ層の上面から、前記第2のキャップ層を貫通し、前記絶縁層を貫通しない深さまで溝部を形成する工程と、
を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
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2015
- 2015-03-10 US US14/643,750 patent/US20150344298A1/en not_active Abandoned
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KR20190049126A (ko) * | 2017-11-01 | 2019-05-09 | 서강대학교산학협력단 | 전기기계 소자 패키지 및 이의 제조 방법 |
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