TWI437689B - 半導體裝置 - Google Patents

半導體裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI437689B
TWI437689B TW100105261A TW100105261A TWI437689B TW I437689 B TWI437689 B TW I437689B TW 100105261 A TW100105261 A TW 100105261A TW 100105261 A TW100105261 A TW 100105261A TW I437689 B TWI437689 B TW I437689B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
insulating film
inorganic insulating
semiconductor device
organic insulating
sealing structure
Prior art date
Application number
TW100105261A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201203510A (en
Inventor
Susumu Obata
Takahiro Sogou
Yusaku Asano
Takeshi Miyagi
Original Assignee
Toshiba Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Kk filed Critical Toshiba Kk
Publication of TW201203510A publication Critical patent/TW201203510A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI437689B publication Critical patent/TWI437689B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/09—Packages
    • B81B2207/091—Arrangements for connecting external electrical signals to mechanical structures inside the package
    • B81B2207/094—Feed-through, via
    • B81B2207/095—Feed-through, via through the lid
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/09—Packages
    • B81B2207/091—Arrangements for connecting external electrical signals to mechanical structures inside the package
    • B81B2207/094—Feed-through, via
    • B81B2207/096—Feed-through, via through the substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/01—Packaging MEMS
    • B81C2203/0145—Hermetically sealing an opening in the lid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Description

半導體裝置
本文描述的實施例通常相關於半導體裝置。
近年，半導體裝置已使用在各種領域中。明確地說，隨著將半導體裝置載置於其上的設備之小型化的進步，也已要求半導體裝置的小型化。為迎合此種要求，不將晶片置於平面上，而係倍置於層中，且因此形成為一半導體裝置。
在如上文所述之所謂的積體電路中，必需在如此堆疊於另一晶片上的晶片之間實現導通。例如，已提出設置貫穿電極以在該等堆疊晶片之間實現導通的半導體裝置封裝結構。
近年，各種微機械已使用在許多領域中。跟隨此趨勢，稱為微機電系統(MEMS)的微機械技術已有進展。再者，也已發展將藉由使用MEMS技術製造的MEMS裝置連接在基材上的半導體裝置。在如上文所述之該半導體裝置的情形中，將層間絕緣膜形成在將用於驅動MEMS裝置之驅動器IC形成於其上的基材上，並將MEMS裝置形成在所關注之該層間絕緣膜上。
然而，明確地說，在包括處理高頻訊號之MEMS裝置的半導體裝置之情形中，必需在基材(驅動器IC)及MEMS裝置之間確保足夠的距離，以維持MEMS裝置的高頻特徵。因此，在將四乙氧矽烷(TEOS)使用為該層間絕緣膜的情形中，例如，將此TEOS膜形成為厚膜，以得到10μm或以上的厚度，並確保基材及MEMS裝置之間的距離。
然而，雖然必需將MEMS裝置形成在儘可能遠離基材的位置，以容許MEMS裝置發揮其特徵，沈積所需之層間絕緣膜需要時間。再者，儘管必須設置貫穿電極以在基材及MEMS裝置之間實現導通，將通孔形成在此層間絕緣膜中可導致製造成本及製造步驟以及製造時間增加的此種不利情況。
通常，根據一實施例，半導體裝置包括：基材；有機絕緣膜，設置在該基材上；無機絕緣膜，形成在該有機絕緣膜上，比該有機絕緣膜更薄；空洞密封結構，形成在該無機絕緣膜上，且在將MEMS元件密封在內側的同時確保該空洞密封結構自身與該MEMS元件之間的間隙；通孔，穿透該有機絕緣膜及該無機絕緣膜而形成；以及導電構件，將其填入該通孔中，並電性連接該MEMS元件及藉由填入該通孔中而形成的電極。
茲參考該等圖式於下文詳細地提供第一及第二實施例的描述。
(第一實施例)
圖1係顯示根據第一實施例的半導體裝置1之整體組態的橫剖面圖。在半導體裝置1中，將有機絕緣膜3及無機絕緣膜4分別形成在基材2上，另外，在無機絕緣膜4上，形成將MEMS元件5密封於內側的同時確保其間之間隙的空洞密封結構6。在有機絕緣膜3及無機絕緣膜4中，將通孔7形成為穿透有機絕緣膜3及無機絕緣膜4。以導電構件8填充通孔7，因此將形成在基材2及MEMS元件5上的電極彼此電性連接。再者，將外部電極9連接至導電構件8，且半導體裝置1經由外部電極9電性連接至另一設備。使用抗焊劑10將在空洞密封結構6或導電構件8與外部電極9之間的連接部密封。
基材2主要係由以單晶矽組成的基底材料2a形成。在基底材料2a的主表面上，配置諸如電晶體、電阻器、以及電容器的元件，此外，配置將元件連接至另一元件的配線，因此構成積體電路。在圖1中，將此等積體電路共同顯示為配線層2b。在配線層2b的主表面上，形成複數個訊號電極2c，彼等電性連接至配線層2b並待連接至外側。基材2具有上文提及的組態，且功能在總體上為驅動器IC。
將有機絕緣膜3形成在基材2(之主表面側)上。如上文所提及的，隨著待於下文描述之基材2(驅動器IC)與MEMS元件5之間的距離變大，將MEMS元件5之高頻特徵維持在較佳狀態變得可能。同時，為形成包括MEMS元件5的空洞密封結構6，無機絕緣膜4係必要的。因此，在此之前，已將此無機絕緣膜形成為厚膜，從而確保基材2(驅動器IC)與MEMS元件5之間的距離。
然而，如上文所提及的，形成厚無機絕緣膜需要時間及費用。因此，如果製造該半導體裝置，鑒於該半導體裝置的製造效率、及生產時間等，形成厚無機絕緣膜並不實際。
在這方面，在第一實施例中，為確保基材2(驅動器IC)與MEMS元件5之間的距離，不使用其形成需要時間及費用的無機絕緣膜，而使用可在較短時間內以較低成本形成的有機絕緣膜。同時，將具有所需厚度的無機絕緣膜4形成在此有機絕緣膜3上，從而滿足無機絕緣膜4係形成包括MEMS元件5的空洞密封結構6之所必要的條件。
將待於稍後描述的通孔7形成在有機絕緣膜3中。因此，將經由其輕易地形成通孔7，且例如，其可藉由光微影技術型樣化的光敏聚合物適當地使用為有機絕緣膜3。例如，作為該光敏聚合物，可提及的有聚醯亞胺樹脂、聚-伸苯基-苯並雙唑樹脂(PBO)樹脂、以及具有低介電常數(例如，介電常數：3或以下)的氟樹脂。再者，將空洞密封結構6形成在有機絕緣膜3上方的同時將無機絕緣膜4夾於其間，且要求有機絕緣膜3具有足以忍受在空洞密封結構6形成時所產生之熱負載的高耐熱性。此外，排放較少氣體且吸收較少濕氣之光敏聚合物係較佳的。
藉由使用旋轉塗佈、噴霧塗佈、或列印法將有機絕緣膜3形成在基材2(驅動器IC)上。鑒於MEMS元件5的特徵，將有機絕緣膜3的厚度形成為，例如，5μm或以上，10μm或以上為佳。
將無機絕緣膜4形成在有機絕緣膜3上。除了上文提及的TEOS膜外，例如，將添加氟之氧化矽膜(SiOF膜)及添加碳的氧化矽膜(SiOC膜)適當地使用為無機絕緣膜4。藉由使用化學氣相沈積(CVD)法、電漿強化化學氣相沈積(PE-CVD)法、或物理氣相沈積(PVD)法等沈積無機絕緣膜4。此無機絕緣膜4係形成空洞密封結構6所需要的膜，並將其形成有，例如，1μm至3μm的厚度。
藉由通用MEMS處理將MEMS元件5形成在無機絕緣膜4上，並在以空洞密封結構6密封的同時確保空洞密封結構6與MEMS元件5之間的間隙。須注意MEMS元件5的形成處理包括，例如，藉由使用光微影技術之用於光阻膜的氧電漿灰化步驟，以及剝落液體處理步驟的此種步驟。然而，因為有機絕緣膜3係以無機絕緣膜4覆蓋，甚至在將MEMS元件5形成在無機絕緣膜上時，有機絕緣膜3也不會受損。
將通孔7形成為穿透有機絕緣膜3及無機絕緣膜4。以導電構件8填充通孔7，因此將基材2(驅動器IC)、MEMS元件5、以及外部電極9電性連接至另一者。然而，通孔7包括分別在有機絕緣膜3及無機絕緣膜4中的開口，彼等位於基材2(驅動器IC)側上。將此等開口形成為使得有機絕緣膜3的開口小於無機絕緣膜4之開口，並將彼等形成為從無機絕緣膜4的開口朝向有機絕緣膜3之開口逐漸變窄的此種形狀。須注意，在第一實施例中，也將無機絕緣膜4形成在通孔7的表面上。例如，銅(Cu)適合使用為導電構件8。
例如，錫-銀(Sn-Ag)焊料適合使用為外部電極9。須注意外部電極9的材料並未限制為此錫-銀焊料，並可能使用錫-銀焊料以外的雙組份焊料、以及三組份焊料、或無鉛焊料。
其次，藉由參考圖2至圖7提供上述半導體裝置1之製造方法的描述。首先，製備圖2所示的基材2。基材2(驅動器IC)係在已將該等積體裝置、配線層2b，諸如將該等積體電路的元件連接至另一者之配線、以及訊號電極2c製造在基底材料2a之主表面上的狀態中。具體地說，基材2(驅動器IC)係在切塊步驟之前之用於矽晶圓的預處理製程幾乎在半導體製程中終結的矽晶圓狀態中。須注意，在切塊步驟後，將此種基材2(驅動器IC)精細地分割，用於形成半導體裝置1。
隨後，如圖3所示，例如，藉由旋轉塗佈法將有機絕緣膜3形成在基材2(驅動器IC)上。如上文所提及的，有機絕緣膜3的沈積厚度為，例如，5μm或以上，10μm或以上為佳。然而，為抑制矽晶圓的扭曲，不將有機絕緣膜3沈積在矽晶圖的整體表面上，而在型樣化的同時排除作為待由切塊機切割之區域的切塊道部位。之後，藉由光微影技術形成通孔7。
如圖4所示，在通孔7形成於其中的有機絕緣膜3上，藉由使用，諸如PE-CVD法，形成無機絕緣膜4。如上文所提及的，無機絕緣膜4的沈積厚度約為，例如，3μm。然而，無機絕緣膜4係因為需要所關注之無機絕緣膜4以形成空洞密封結構6而形成，且因此，僅需將無機絕緣膜4形成為至少有在形成空洞密封結構6時所需之厚度。
在形成無機絕緣膜4的狀態中，也將無機絕緣膜4沈積在通孔7的表面上。再者，也將無機絕緣膜4沈積在形成在有機絕緣膜3與基材2(驅動器IC)接觸之部位上的開口上。
在此狀態中，將包括MEMS元件5之空洞密封結構6形成在無機絕緣膜4上(參考圖5)。然而，在空洞密封結構6形成於其上之此種區域的周圍上，存在以無機絕緣膜4覆蓋的通孔7。須注意空洞密封結構6的形成步驟係已為人所知之事，且因此，此處省略其描述。
然後，如圖6所示，將形成在通孔7之底部的無機絕緣膜4切除，並使基材2(驅動器IC)之訊號電極2c曝露。此係因為，若此等部位仍以無機絕緣膜4覆蓋，即使以導電構件8填充通孔7，仍不能確保基材2(驅動器IC)、MEMS元件5、以及外部電極9之間的導通。再者，與MEMS元件5通訊的開口也在同一時間形成。
在通孔7如圖7所示地以導電構件8填充之後，例如，藉由旋轉塗佈法將抗焊劑10塗佈於其上。藉由此步驟，將空洞密封結構6等密封。再者，藉由光微影技術將抗焊劑10型樣化，將在導電構件8上的抗焊劑10剝除，並將外部電極9形成在關注部位上。
外部電極9受回流處理，將其熔接並凝固，且因此成型為如圖1所示的球形。以此種方式，外部電極9及導電構件8可彼此電性連接及機械接合。如圖1所示之半導體裝置1係藉由受此等步驟處理而製造。
如已描述的，在藉由將包括MEMS元件之空洞密封結構形成在驅動器IC(基材)上而組成的半導體裝置中，必需確保驅動器IC及MEMS元件之間的距離，以容許MEMS裝置發揮並維持其高頻特徵。再者，如果形成該空洞密封結構，則必需沈積該無機絕緣膜。為符合此種要求，不藉由無機絕緣膜確保驅動器IC及MEMS元件之間的距離，而係使有機絕緣膜扮演確保驅動器IC及MEMS元件之間的距離之角色，因此減少製造時間及成本以及製造步驟的數量變得可能。再者，將無機絕緣膜沈積在有機絕緣膜上，因此空洞密封結構的形成也不受阻礙。
然而，依據根據第一實施例的半導體裝置1，可在提供能防止製造步驟之數量的非必要增加並減少製造時間之半導體裝置的同時，採用能充份地發揮MEMS裝置中之固有效能的裝置組態。
(第二實施例)
其次，提供第二實施例的描述。須注意，在第二實施例中，將相同的參考數字指定給與在上文提及之第一實施例中描述的組成元件相同之組成元件，並省略相同之組成元件的描述，因為該描述係重複的。
如圖8所示，第二實施例中的半導體裝置11與描述在第一實施例中之半導體裝置1的不同處在於無機絕緣膜4未沈積在通孔7的表面上。
從製程觀點，具有此種特性的半導體裝置11同樣地與半導體裝置1不同。因此，茲參考圖9至圖15提供半導體裝置11之製造方法的描述。須注意，如將圖2顯示時所描述的，半導體裝置11與第一實施例之半導體裝置1的相似處為製備基材2(驅動器IC)，其係在已將該等積體電路、配線層2b，諸如將該等積體電路之元件連接至另一者的配線、以及訊號電極2c製造在基底材料2a之主表面上的狀態中。
首先，如圖9所示，例如，藉由旋轉塗佈法將有機絕緣膜3形成在基材2(驅動器IC)上，並藉由光微影技術形成通孔7。如上文所提及的，有機絕緣膜3的厚度為，例如，5μm或以上，10μm或以上為佳。然而，有機絕緣膜3的厚度不係僅鑒於半導體裝置11的效能，如將於下文所描述的，也鑒於導電構件8在將導電構件8形成於有機絕緣膜3上之後的研磨而決定。
之後，如圖10所示，將導電構件8填充入通孔7中，並形成在有機絕緣膜3的整體表面上。須注意，雖然將有機絕緣膜3的表面描述為「整體表面」，將導電構件8形成於其上的同時將也在該處之切塊道的區域排除在外。
然後，如圖11所示，實施平坦化(研磨)，使得可僅保持形成在基材2(驅動器IC)之主表面上並從導電構件8側填充入通孔7的導電構件8，而與有機絕緣膜3受沖洗。此時，有機絕緣膜3出現在導電構件8的周圍。
如圖12所示，在有機絕緣膜3及導電構件8彼此受沖洗的此種表面上，例如，藉由使用PE-CVD法沈積無機絕緣膜4。如上文所提及的，無機絕緣膜4的沈積厚度約為，例如，3μm。然而，無機絕緣膜4係因為需要所關注之無機絕緣膜4以形成空洞密封結構6而形成，且因此，僅需將無機絕緣膜4形成為至少有在形成空洞密封結構6時所需之厚度。
在此狀態中，將包括MEMS元件5之空洞密封結構6形成在無機絕緣膜4上(參考圖13)。以無機絕緣膜4覆蓋通孔7。因此，將空洞密封結構6形成在以無機絕緣膜4覆蓋的基材2(驅動器IC)上。須注意空洞密封結構6的形成步驟係已為人所知之事，且因此，此處省略其描述。
然後，如圖14所示，將覆蓋通孔7之區域的無機絕緣膜4開啟，而將通孔7，亦即，導電構件8曝露。此係因為，若此等部位仍以無機絕緣膜4覆蓋，即使以導電構件8填充通孔7，仍不能確保基材2(驅動器IC)、MEMS元件5、以及外部電極9之間的導通。再者，與MEMS元件5通訊的開口也在同一時間形成。
將導電構件8形成為變成能填入已開啟之無機絕緣膜4中並也能連接至MEMS元件5(參考圖15)。
然後，例如，藉由旋轉塗佈法將抗焊劑10塗佈在空洞密封結構6、及導電構件8等上。藉由此步驟，將空洞密封結構6等密封。再者，藉由光微影技術將抗焊劑10型樣化，將在導電構件8上的抗焊劑10剝除，並將外部電極9形成在關注部位上。
外部電極9受回流處理，將其熔接並凝固，且因此成型為如圖8所示的球形。以此種方式，外部電極9及導電構件8可彼此電性連接及機械接合。如圖8所示之半導體裝置11係藉由受此等步驟處理而製造。
在藉由將包括MEMS元件之空洞密封結構形成在驅動器IC(基材)上而組成的半導體裝置中，必需確保驅動器IC及MEMS元件之間的距離，以容許MEMS裝置發揮並維持其高頻特徵。再者，如果形成該空洞密封結構，則必需沈積該無機絕緣膜。為符合此種要求，不藉由無機絕緣膜確保驅動器IC及MEMS元件之間的距離，而係使有機絕緣膜扮演確保驅動器IC及MEMS元件之間的距離之角色，因此減少製造時間及成本以及製造步驟的數量變得可能。再者，將無機絕緣膜沈積在有機絕緣膜上，因此空洞密封結構的形成也不受阻礙。
再者，在第二實施例的半導體裝置11中，如上文所提及的，在形成空洞密封結構6時，將無機絕緣膜4整體地沈積在待形成空洞密封結構6之區域的周圍上，並將所關注的該周圍轉變為平面狀態，而不具有開口，諸如形成於其上的通孔7。然而，相較於第一實施例描述之半導體裝置1的情形，可形成空洞密封結構6而無需在意該等周圍開口。
然而，依據根據第二實施例的半導體裝置11，可在提供能防止製造步驟之數量的非必要增加並減少製造時間之半導體裝置的同時，採用能充份地發揮MEMS裝置中之固有效能的裝置組態。
須注意，如果製造半導體裝置11，半導體裝置11也可不經由描述於上文提及之第二實施例中的該製造方法，而係藉由待於下文描述的方法製造。
具體地說，在將有機絕緣膜3形成於基材2(驅動器IC)上後，不立即設置通孔7，而係將無機絕緣膜4沈積在有機絕緣膜3上，並另外將空洞密封結構6形成於其上。
之後，藉由使用光微影技術將有機絕緣膜3及無機絕緣膜4連續地開啟，從而形成通孔7。然後，以導電構件8填充通孔7，隨後塗佈抗焊劑10並形成外部電極9，從而製造半導體裝置11。
半導體裝置11甚至可藉由採用如上文所述的製造流程製造。
(其他實施例)
當已然描述特定實施例時，此等實施例僅已藉由例示方式呈現，且未企圖限制本發明的範圍。實際上，本文描述的新奇設備可能以各種其他形式體現；此外，可能無須脫離本發明的精神而以本文描述之該設備的形式產生各種省略、替代、及改變。隨附之申請專利範圍及彼等的等效範圍意圖涵蓋落在本發明之範圍及精神內的此種形式或修改。
1、11．．．半導體裝置
2．．．基材
2a．．．基底材料
2b．．．配線層
2c．．．訊號電極
3．．．有機絕緣膜
4．．．無機絕緣膜
5．．．MEMS元件
6．．．空洞密封結構
7．．．通孔
8．．．導電構件
9．．．外部電極
10．．．抗焊劑
圖1係顯示根據第一實施例的半導體裝置之整體組態的橫剖面圖。
圖2至7係用於解釋根據第一實施例的半導體裝置之製造方法的橫剖面圖。
圖8係顯示根據第二實施例的半導體裝置之整體組態的橫剖面圖。
圖9至15係用於解釋根據第二實施例的半導體裝置之製造方法的橫剖面圖。
2．．．基材
3．．．有機絕緣膜
4．．．無機絕緣膜
5．．．MEMS元件
6．．．空洞密封結構

Claims (5)

  1. 一種半導體裝置，包含：驅動器IC；有機絕緣膜，設置在該驅動器IC上；無機絕緣膜，比該有機絕緣膜更薄地形成在該有機絕緣膜上；空洞密封結構，形成在該無機絕緣膜上，於其內部空洞地密封MEMS元件；通孔，貫通該有機絕緣膜與該無機絕緣膜而形成；以及導電構件，填入該通孔中，並使該驅動器IC及該MEMS元件電性連接。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中該通孔係以該有機絕緣膜的開口小於該無機絕緣膜之開口的方式形成。
  3. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中於該通孔之表面形成有該無機絕緣膜。
  4. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中該空洞密封結構係於其內部在與該MEMS元件之間確保有空間。
  5. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中該通孔係配置於該空洞密封結構之外側。
TW100105261A 2010-03-03 2011-02-17 半導體裝置 TWI437689B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010046561A JP5091962B2 (ja) 2010-03-03 2010-03-03 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201203510A TW201203510A (en) 2012-01-16
TWI437689B true TWI437689B (zh) 2014-05-11

Family

ID=44530590

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100105261A TWI437689B (zh) 2010-03-03 2011-02-17 半導體裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8476741B2 (zh)
JP (1) JP5091962B2 (zh)
KR (2) KR101311053B1 (zh)
CN (1) CN102190279B (zh)
TW (1) TWI437689B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2806051B1 (en) 2012-01-18 2016-04-06 JFE Steel Corporation Method for prevention of yellowing on surface of steel sheet after pickling
JP2014053529A (ja) * 2012-09-10 2014-03-20 Toshiba Corp 電子装置
DE102013102213B4 (de) * 2013-03-06 2020-01-02 Snaptrack, Inc. Miniaturisiertes Bauelement mit Dünnschichtabdeckung und Verfahren zur Herstellung
US9630834B2 (en) * 2014-06-16 2017-04-25 InSense, Inc. Wafer scale monolithic CMOS-integration of free- and non-free-standing Metal- and Metal alloy-based MEMS structures in a sealed cavity

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000150510A (ja) * 1998-11-05 2000-05-30 Sony Corp 複合多孔質絶縁膜およびその形成方法、ならびに電子装置およびその製造方法
US7943412B2 (en) * 2001-12-10 2011-05-17 International Business Machines Corporation Low temperature Bi-CMOS compatible process for MEMS RF resonators and filters
JP2004304162A (ja) * 2003-03-17 2004-10-28 Seiko Epson Corp コンタクトホール形成方法、薄膜半導体装置の製造方法、電子デバイスの製造方法、電子デバイス
TWI239629B (en) * 2003-03-17 2005-09-11 Seiko Epson Corp Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, circuit substrate and electronic apparatus
CN100524734C (zh) * 2003-09-09 2009-08-05 三洋电机株式会社 含有电路元件和绝缘膜的半导体模块及其制造方法以及其应用
WO2005104248A1 (ja) * 2004-04-19 2005-11-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 発光素子駆動用半導体チップ、発光装置及び照明装置
JP4323435B2 (ja) 2005-01-06 2009-09-02 日本電信電話株式会社 半導体装置の製造方法
JP4403977B2 (ja) * 2005-01-26 2010-01-27 ソニー株式会社 機能素子体及びその製造方法並びに回路モジュール
JP4269173B2 (ja) * 2005-07-06 2009-05-27 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP5026038B2 (ja) * 2006-09-22 2012-09-12 新光電気工業株式会社 電子部品装置
US20080136004A1 (en) * 2006-12-08 2008-06-12 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Multi-chip package structure and method of forming the same
DE102007026445A1 (de) * 2007-06-06 2008-12-11 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements
JP5305735B2 (ja) * 2008-05-26 2013-10-02 株式会社東芝 微小電気機械システム装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5091962B2 (ja) 2012-12-05
KR20110100161A (ko) 2011-09-09
TW201203510A (en) 2012-01-16
CN102190279B (zh) 2014-07-09
CN102190279A (zh) 2011-09-21
JP2011177861A (ja) 2011-09-15
KR20130074786A (ko) 2013-07-04
KR101311053B1 (ko) 2013-09-24
US8476741B2 (en) 2013-07-02
US20110215427A1 (en) 2011-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4327644B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP5479227B2 (ja) 半導体装置
JP4596001B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2008305897A (ja) 半導体装置およびその製造方法
TW201535551A (zh) 晶片封裝體及其製造方法
JP2009099991A (ja) 半導体素子のスタックキャパシタ及びその形成方法
JP2010103467A (ja) 半導体パッケージ及びその製造方法
US8697566B2 (en) Bump structure and manufacturing method thereof
US8587038B2 (en) Electric component and method of manufacturing the electric component
CN105047619A (zh) 晶片堆叠封装体及其制造方法
TWI437689B (zh) 半導體裝置
JP2012119601A (ja) インターポーザ及び半導体装置
JP4913563B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2007005357A (ja) 半導体装置の製造方法
US20060267190A1 (en) Semiconductor device, laminated semiconductor device, and method for producing semiconductor device
JP2006287094A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2007027482A (ja) 半導体装置及びその製造方法
TWI574597B (zh) 無核心層封裝基板與其製造方法
JP5291946B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2006351996A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP5209269B2 (ja) 電気装置及びその製造方法
KR100720518B1 (ko) 반도체 소자 및 그 제조방법
JP2011238742A (ja) 配線基板の製造方法及び配線基板
JP2011258762A (ja) 半導体装置及びその製造方法
TWI392070B (zh) 半導體元件暨嵌埋有半導體元件之封裝基板及其製法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees