JP2008512877A - 微小電子部品および/または光電子回路シートを製作する方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図16
Description
ステップ#1:ステージング領域を用意する。
ステップ#2:ガラス基板28を洗浄する。
ステップ#3:ゲート金属層32をスパッタ堆積させる。
ステップ#4:洗浄し、フォトレジスト(図示せず)を被覆して硬化させる。
ステップ#5:マスク1(図示せず)を位置合わせし、露光する。
ステップ#6:レジストを現像し、ゲート金属をエッチングし、フォトレジストを剥ぎ取り、エアナイフで乾かす。
ステップ#7:窒化シリコン層36、アモルファスシリコン(またはポリシリコン)層44、およびn+ドーパント層48を堆積させる。
ステップ#8:洗浄し、フォトレジスト(図示せず)を被覆して硬化させる。
ステップ#9:マスク2(図示せず)を位置合わせし、露光する。
ステップ#10:レジストを現像し、洗浄し、エアナイフで乾かす。
ステップ#11:a−Siパターンを、層44および48内にドライエッチングし、フォトレジストを剥ぎ取る。
ステップ#12:超音波洗浄する。
ステップ#13:ITO層40をスパッタ堆積させる。
ステップ#14:洗浄し、フォトレジスト(図示せず)を被覆して硬化させる。
ステップ#15:マスク3(図示せず)を位置合わせし、露光する。
ステップ#16:現像し、ITO層40をエッチングし、フォトレジストを剥ぎ取り、エアナイフで乾かす。
ステップ#17:S/Dおよび相互接続金属層52をスパッタ堆積させる。
ステップ#18:洗浄し、フォトレジスト(図示せず)を被覆して硬化させる。
ステップ#19:マスク4(図示せず)を位置合わせし、露光する。
ステップ#20:現像し、S/Dおよび相互接続金属層48をエッチングし、フォトレジストを剥ぎ取り、エアナイフで乾かす。
ステップ#21:n+ドープ層48をドライエッチングする。
ステップ#22:パッシベーション層56を、プラズマ化学気相成長を使用して堆積させる。
ステップ#23:洗浄し、フォトレジスト(図示せず)を被覆して硬化させる。
ステップ#24:マスク5(図示せず)を位置合わせし、露光する。
ステップ#25:フォトレジストを現像して洗浄し、エアナイフで乾かす。
ステップ#26:パッシベーション層をドライエッチングし、フォトレジストを剥ぎ取る。
ステップ#27:超音波洗浄する。
ステップ#28:試験および検査する。
ステップ#29:短絡をレーザ修復する。
図2A〜Bを再度参照し、図3A〜3O(このセクションでは、アルファベットのステップ識別子、例えば「ステップB」の「B」は、図3A〜3Oの関連図に対応する)も参照すると、EDM法200は、所望の適用分野向けに適当な仮基板300を選択することができるステップAから開始することができる。一般に、仮基板300は、電子デバイス層308(図3E)、すなわち、EDM法200を使用して製作される電子デバイスの一部または全部を構成する層のスタック304(図3E)を形成するためのプラットフォームを提供する。仮基板200は、デバイス層スタック304の適切な形成を可能にするために必要な特性に基づいて選択されるべきである。仮基板300は、ロールツーロール処理に対応するように、剛性か可撓性のどちらでもよいことに留意されたい。仮基板が剛性である実施形態であれば、依然としてシートツーシート(sheet−to−sheet)製作が可能になる。EDM法200内のある時点で、いくつかのステップの実施を可能にするために、仮基板300が除去される。仮基板については、以下の「仮基板」という名称のセクションで、より詳細に説明される。
読者に、本発明の広い範囲のより良い理解をもたらすために、上記で説明した本発明の方法例のいくつかのステップおよび他の側面を、以下により詳細に論じる。
上述のように、仮基板300は、デバイス層スタック形成用のプラットフォームとして働く。仮基板300を、その必要はないが、後続の処理ステップで除去することができる。仮基板300を、本発明に関連して、それで製作することができる非常に多くのさまざまな材料がある。やはり述べたように、仮基板300は、可撓性か剛性のどちらでもよい。仮基板300としての使用に適した可撓性基板には、ポリマー、金属、紙、布、ガラス、およびそれらの組合せがあるが、それらに限定されない。仮基板300として使用するための剛性基板には、セラミック、金属、ガラス、半導体、およびそれらの組合せがあるが、それらに限定されない。仮基板は、透明でも、不透明でも、半透明でもよい。
必要ではないが、所与の選択した材料に関して、仮基板300を最も薄くすることが有利となり得る。仮基板300の厚さは、材料の選択および製造中に所望される可撓性に応じて、数μm〜数百μmに及ぶことができる。場合によっては、セラミックマットやセラミック箔のように、厚さが数mmに及ぶこともある。基本的に厚さには制限がない。いくつかの代表的な諸実施形態が、仮基板300に適した多種多様な材料を例示する目的で示されたが、本明細書において開示されない材料を、本発明の範囲から逸脱することなく取り入れることができることが、当業者には明らかになるであろう。
上述のように、希望するなら、スチフナ312を、仮基板300の追加の機械的支持用に使用することができる。スチフナ312は、仮基板300に関して上記で概説された材料のいずれかで製作することができ、仮基板の材料とは異なる、または仮基板の材料と同一の材料で製作することができる。当業者には明らかになるように、従来の基板間の取付け技術を使用してスチフナ312を仮基板300に取り付ける多くの方法がある。そうした技術には、とりわけ、エポキシ、接着剤、室温加硫、シリコーン、ウレタン、およびセラミックを使用する化学的接合がある。接合剤は、例えばプラズマ、可視光、紫外光、温度、圧力、嫌気性環境などを使用して硬化/活性化することができる。接合を、化学薬品、活性化プラズマ処理、真空プロセスなどを使用した表面処理によって開始することもできる。接合法には、マイクロ波接合、陽極接合、融解接合、接着、共晶、レジスト、はんだ、熱圧縮および/または低温ガラスを含むこともできる。取付けを、リベット、溶接部、スタッド、スプロケット、クリップなどを使用して行うこともできる。
上記で論じたように、特定の適用分野向けに選択された仮基板300が、満足な表面の品質を有する場合もあれば、有さない場合もある。表面の品質が満足できるものではない場合、表面粗さによる任意の凹凸を均す(すなわち平坦化)するために、平坦化層316をそうした基板の表面上に堆積させることができる。さらに、平坦化層は、とりわけ、熱バリア、化学的バリア、応力除去層および/またはパッシベーション層として働くこともでき、後続の層の仮基板300への接合強度を増すために使用することも、ことによるとできるかもしれない。
上記で論じたように、いくつかの適用分野では、犠牲剥離層324を、デバイス層スタック304を堆積させる前に、平坦化層316(または仮基板300の平坦化された表面320)上に形成することが望ましい場合がある。その場合剥離層324は、後続の処理中に、仮基板300をデバイス層スタック304から分離するための、剥離、すなわち剥離層として働くことができる。剥離層324は、特定の適用分野に応じて、いくつかの機能のうちのいずれか1つまたは複数を果たすことができる。例えば、選択された仮基板300が高価である場合、それを何度も再使用することが望ましい場合がある。その場合、剥離層324がその機能を可能にし、それにより大幅なコストの節約を実現することができる。剥離層324がないと、仮基板300を切り離すための唯一の選択肢は、それを物理的または化学的に、それぞれ研削またはエッチングによって除去することになり得る。
いくつかの代表的な諸実施形態が、使用することができる多種多様な材料を例示する目的で示されたが、本明細書において開示されない材料を、本発明の範囲から逸脱することなく使用することができることが、当業者には明らかになるであろう。
典型的な微小電子デバイスは、金属、誘電体、および/または半導体材料からなる、いくつかの被覆層を備える。これらの被覆層の一部または全部を、電子デバイス層スタック304内に、電子デバイス層308として含めることができる。図2のEDM法など、本発明のEDM法を使用して形成される電子デバイスの性質に応じて、デバイス層308は、組成の点で有機でも無機でもよい。
いくつかの代表的な諸実施形態が、使用することができる多種多様な被覆材料を例示する目的で示されたが、本明細書において開示されない他の被覆材料を、本発明の範囲から逸脱することなく使用することができることが、当業者には明らかになるであろう。
本発明のEDM法で利用される各レジスト層328、340向けに選択される材料を、一般的なその特性を適切な刺激の下で適合させるまたは特性に影響を及ぼすことができる多種多様な摂動活性化化合物から選択することができる。一般には、有機または無機といった、任意の化合物またはシステムを、そのエネルギー障壁が、放射、マイクロ波、光、熱、電界、磁界、化学触媒、応力−張力−圧力などを加えることによって低減され得るように設計することができる。さらに、適当な刺激での露光と同時のエネルギー障壁のこうした低減は、とりわけ抵抗、コンダクタンス、容量、誘電率、電荷保持、屈折率、n表面反射;光の吸収、透過および散乱;ぬれおよび収着の差、磁化率、化学的溶解度、重合、光架橋、光退色、フォトストラティフィケーション(photostratification)、腐食の量、結晶化、ならびに高さの変化を引き起こすことができる。したがって、これらの特性を利用するシステムおよび化合物を、パターン付き表面およびレリーフ構造を形成する手段として使用することができる。
上述のように、希望するなら、保護層336、344を、対応するそれぞれのレジスト層328、340の外面を後続の処理中に保護するために、またそうした処理中に第2の(仮)基板としての役割を果たすために、使用することができる。各保護層336、344を、仮基板300に関して上記で概説された材料のいずれかで構成することができるが、もちろん、組成の面で、選択された仮基板の組成と異なっても、同一でもよい。
保護層336、344の一方または両方が使用される場合、それぞれを、対応するそれぞれのレジスト層328、340に、エポキシ、接着剤、RTV、シリコーン、ウレタンなどを使用する化学的接合を含むがそれらに限定されない、さまざまな方法のうち任意の適切なもので取り付けることができる。これらの材料は、水または溶剤溶性のエポキシ、接着剤などでよく、とりわけ、プラズマ、光、UV、温度、圧力、または嫌気性環境を使用して、硬化/活性化することができる。接合を、とりわけ、化学薬品、活性化プラズマ処理、および真空プロセスを使用する表面処理によって開始することもできる。接合法は、とりわけマイクロ波、陽極、融解、接着、共晶、レジスト、はんだ、熱圧縮および/または低温ガラスを含むがそれらに限定されない、さまざまなタイプでよい。
上記で論じられたように、EDM法200(図2A〜B)内のある時点で、仮基板300を電子デバイス層スタック304から除去することが望ましくなる、または必要になることがある。そうである場合、仮基板300の除去を、いくつかの方法のうちいずれか1つ、例えば、1つまたは複数の適切なエネルギー源を使用して、適切な1つまたはいくつかの衝撃を、切り離す前面の切り離しを開始し維持するように与えることで、実施することができる。そうしたエネルギー源には、とりわけ、機械的源、化学的源、放射源、電気的源、および熱シンクまたは熱源があるが、それらに限定されない。さらに、仮基板300に、基板のデバイス層スタック304からの切り離し開始中、またはその前に、分離作用を容易にする/促進するのを助けるために、応力、ひずみ、ずれ、張力、および/または他の形式の機械的、化学的、電気的、放射処理を施すことができる。こうした形式の「処理」は、選択された分離面を分離して境界を定める助けにもなる。これらの分離衝撃を、フラッド、時間的に変化する、空間的に変化する、または連続する方式で付与することができる。
レジスト層328、340に関して上記で論じられたように、選択されたレジストシステムを、そのエネルギー障壁が放射、マイクロ波、光、熱、電界、磁界、化学触媒、応力−張力−圧力などを加えることによって変わるように設計することができる。光源(すなわち放射源)が、エネルギー障壁のこうした低減のための活性化手段として選択された場合、光源は、コヒーレント光源(例えばレーザ)でも、インコヒーレント光源(例えばランプ)でもよい。レーザベースシステムでは、連続、パルス、変調、スイッチ、またはマイクロ−ナノ−フェムト秒パルスを用いる超高速レーザを使用することができる。レーザ/レジストの組合せを、2光子、3光子、および他の非線形領域の下で動作させることもできる。さらに、選択されたレーザは、シングルラインでもマルチラインでもよく、とりわけ固体、ダイオード励起固体、気体、エキシマ、イオンまたは半導体レーザでよい。そうしたレーザの出力は、例えば、スペクトルの紫外(UV)、可視(VIS)、近赤外(NIR)、赤外(IR)または遠赤外(FIR)部内にあってよい。インコヒーレント光源の例には、やはり利用することができるさまざまな広帯域放射源の中でもとりわけ、UVランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプ、および水銀アークランプがある。レーザは、インコヒーレント放射の放射源となることもでき、適切なインコヒーレント放射源として含まれることを意味することに留意されたい。
レジスト層328、340を、同時または非同時に、製作しようとする電子デバイスの1つまたは複数のタイプに必要とされる所定のパターンを用いて露光することができる。露光には、従来のマスキング技術またはマスクレス技術を利用することができる。非同時露光を、時間T=1に一方の表面上に、時間T=2に他方の表面上に、その時間T1およびT2中に基板またはマスクを相互に関係して移動させずに、順次実施することができる。露光は、レジスト層328、340が、水平位置、垂直位置、または中間の角度に向けられた状態で実施することができる。さらに、露光システムには、回転ドラムまたはフラットベッド機構を組み込むことができる。
パターン付きマスクをレジスト層328、340上に結像するために、とりわけ投影、プロキシミティ、ミラー投影、コンタクトリソグラフィなど、従来のリソグラフィ技術を使用することができる。さらに、とりわけマスクレスリソグラフィ、可変倍率投影、自動焦点深度補正、ゾーンプレートアレイリソグラフィなどの新しい技術を使用することもできる。さらに、グレーティングライトバルブ(GLV)やデジタルライトプロセッシング(DLP)リソグラフィなどの走査モードリソグラフィを使用することもできる。走査技術には、連続走査またはステップアンドスキャンアンドリピート(step and scan and repeat)技術を含むことができる。レーザダイレクトイメージング(LDI)など、他の技術を使用することもできる。
上記で論じたように、デバイス層スタック304、レジスト層328、340、および/または保護層336、344を除去、すなわち、これらの層の一部分を、本発明のEDM法の特定の適用中に製作される各電子デバイスの一部または全部を形成するように、さまざまな除去技術によって選択的に除去することができる。適切な除去技術には、とりわけ、ウェットおよびドライエッチング/ミリング技術、ならびに電磁気ダイレクトアブレーションがあるが、それらに限定されない。適切なドライエッチング技術の例には、とりわけ、RIE、プラズマ/プレーナエッチング、PEエッチング、ICPエッチング、DRIE、スパッタリング、イオン強化エッチング、イオンビームミリング、化学アシストイオンビームミリング、ECRプラズマ、HDP、マイクロ波および高周波プラズマアシストエッチング、ならびにレーザ誘起/アシスト化学エッチングがある。化学的源を、フラッド、時間的に変化する、空間的に変化する、または連続する方式で導入することができる。電磁アブレーションの一例が、レーザダイレクトイメージングまたは光アブレーションである。
上記で論じたように、本発明のEDM法の間のある時点で、永久基板348などの永久基板を、パターン形成後のデバイス層スタック304に積層、または取り付けることが望ましい場合がある。これもやはり、仮基板300および保護層336、244に関して上記で論じられたように、2つの構造を接合して一緒にする多くの方法がある。永久基板348用に選択される材料のタイプにもちろん応じて、仮基板300および保護層336、344に関して上述された取付け技術のいずれか1つを使用して、永久基板をデバイス層スタック304に固定することができる。
上記で論じたように、電子デバイス層308や永久基板348など、さまざまな層に使用される材料に応じて、デバイス層を、望ましくない環境の影響から分離する、またはその他の方法で保護するために、デバイス層スタック304に、1層または複数層のパッシベーション層356を設けることが望ましい、または必要な場合がある。1層または複数層のパッシベーション層356用に選択される1つまたは複数の材料は、所望されるパッシベーションの性質に応じて、絶縁体でも、金属でもよい。例えば、TFT、コンデンサなどの電子構造を分離するためには、パッシベーション材料は一般に絶縁体である。仮基板300に関して上記に列挙された絶縁体/金属材料のいずれかを、パッシベーション層として機能するように、薄膜または厚膜の形で堆積させることができる。
一般に、上記で論じたように、永久基板348は、完成された回路シート用の、永久的な裏打ち基板、またはプラットフォームである。永久基板348は、特定の適用分野に適するように、必要に応じて透明でも、不透明でも、半透明でもよい。永久基板348での使用に適した材料には、仮基板300に関して上記に列挙された材料が含まれる。永久基板348自体に加えて、他の機能/機能的層を永久基板内または永久基板上に、デバイス層スタック304に積層する前または積層した後に構築することができる。例えば、永久基板348は、本質的に平坦化/バリア層として働くことができる;耐引っかき性層を、基板上または基板の下に堆積させることができる;UV保護層を、基板上に堆積させる、または基板の構成内に組み込むことができる;カラーフィルタおよびブラックマスク被覆を、基板上に堆積させることができる;また、基板とデバイス層スタック304の間の気密接合を容易にする、または可能にするための金属エッジシーム/画素シームを堆積させることができる。密封は、マイクロ波接合または他の従来の密封法によってもたらすことができる。
ここで図8A〜8Vを参照すると、以下は、表示装置のアクティブマトリックスバックプレーンとして使用することができる、本発明の特定のアクティブマトリックス画素回路シート800(図8V)を製作するための、レシピ例である。
ステップB:スチフナ808を仮基板804の裏面に取り付ける。例えば、スチフナ808は、約100〜200μmの厚さを有するニッケルでも、ステンレス鋼でも、他の金属箔でもよい。
ステップC:アルミニウム箔仮基板804の露出面を、表面810の高度の平坦化を実現するように電解研磨する。
ステップD:ゲート金属層812を堆積させる。あるいは、アルミニウム箔仮基板804を合金して、ゲート金属層として本質的に使用することもできる。
ステップE:窒化シリコン(SiNx)層(被覆)816、アモルファス水素化シリコン層820、およびn+ドープアモルファスシリコン層824を、PECVDを使用して、真空を破壊せずに順次、デバイス層スタック826を形成するように堆積させる。これらの材料の厚さを、特定の適用分野に応じて変えることができる。
ステップF:ソース/ドレイン(S/D)および金属相互接続層828を、好ましくは真空を破壊せずに、堆積させる。
ステップG:金属層828の上面にレジスト層832を堆積させる。
ステップH:保護用の、引き剥がし可能な(または水溶性、UVで切り離し可能な、などの)保護ポリマーシート(層)836を、レジスト層832の自由表面上に積層する。
ステップI:スチフナ808(図8H)を切り離す。
ステップJ:レジスト層840を、アルミニウム箔仮基板804の自由表面上に堆積させる。
ステップK:保護用の、引き剥がし可能な(または水溶性、UVで切り離し可能な、などの)保護ポリマーシート844を、レジスト層840の自由表面上に積層する。
ステップL:レジスト層832、840を同時に、従来のコンタクトリソグラフィおよびバイナリマスク846A〜Bを使用して、露光する。
ステップM:レジスト層832を現像し、その結果図示のパターン848が付与される。
ステップN:ソース/ドレイン、金属相互接続層828を、適切なウェットまたはドライエッチング技術を使用して、図示のようにエッチングする。
ステップO1:n+ドープアモルファスシリコン層824(オーム接点)を、ドライエッチングを使用してエッチングする。一般に、このステップ中、水素化アモルファスシリコン層820も部分的にエッチングされる。金属層828が、その下の材料の任意のエッチングを抑制するためのストップとして働く。
ステップO2:レジスト層832(図O1)の任意の残りの部分を除去する。
ステップP:任意選択で、パッシベーション層852を堆積させる。
ステップQ1:永久基板856を、デバイス層スタック826の表面に固定する。固定剤858(エポキシ、接着剤など)が、エッチング後のn+ドープ溝に流れ込み、本質的なパッシベーション層として働くことに留意されたい。固定剤の選択を、この二次的な機能を考慮することによって決定することができる。
ステップQ2:レジスト層840を現像し、その結果図示のパターン860が付与される。図Q3は、(下側の)パターン860が(上側の)パターン848と適切に重なり合っている様子を示す、オーバーレイ884である。オーバーレイ884は、それぞれが、対応するそれぞれのゲート領域890およびソース/ドレイン領域892を含む、4つのTFT領域888を示す。
ステップR:ゲート金属定義を金属層812からエッチングする。
ステップS:下にあるSiNx絶縁体層816、水素化アモルファスシリコン層820、およびn+ドープアモルファスシリコン層824を、金属層828の下面に達するまでエッチングする。一般に、このステップで、デバイス層スタック826内のTFT864の構造(便宜上、そのうちの1つしか示されていない)の形成が完了する。
ステップT:酸化インジウムスズ(ITO)層868を、図示のように堆積させる。
ステップU:ITO層868を、画素電極872を画定するように、必要に応じてパターン形成してエッチングする。
ステップV:希望するなら、パッシベーション層876を、ゲート金属層812の上に堆積させる。しかし、アルミニウム/アルミニウム合金(またはゲート金属としてどんな金属が選択されようともその)表面の酸化により、十分な保護をもたらすことができる。
1.アルミニウムは、650℃以上の融点を有し、従来の表示装置の製造で一般に使用されるPECVD堆積温度(450℃未満)に、容易に耐えることができる。
2.仮基板804に使用されているアルミニウム箔の代わりに、本開示の以前のセクションですでに述べたように、非常に薄いステンレスまたは他の鋼、ニッケル、金属、あるいはポリイミドシートを使用することができる。
3.TFT864の最も決定的に重大な層の全てのパターン形成が、一度で効果的に実施された。デバイス層816、820、824、828を、逆の順序で堆積させ(上下逆スタック)、それでもなお同じ結果をもたらすことができることに留意されたい。すなわち、S/D金属層828を最初に、n+ドープシリコン層824を2番目に、水素化アモルファスシリコン層820およびシリコン窒化物層816を3番目に、次いでゲート金属層812を堆積させる。もちろん、マスクの位置も同様に逆にされる必要がある。
4.示されたコンタクトリソグラフィの代わりに、投影/プロキシミティリソグラフィを容易に使用することができることが、当業者には明らかなはずである。さらに、マスクレス振幅走査リソグラフィ技術を、例示されたバイナリマスクの代わりに使用することもできる。
5.このレシピでは、デバイス層スタック826の各側に、単一被覆レジスト層832、840を利用する。各ITO画素電極872を、フォトリソグラフィの粗い重合せのみを使用して、容易にパターン形成してエッチングすることができる。
6.二酸化シリコンおよび窒化シリコンは、表示装置/エレクトロニクス業界で、パッシベーション材料として一般に使用されている。
7.前面用の電気光学材料(例えば、液晶、OLED/PLED材料、電気泳動材料、エレクトロクロミック材料など)が、ITO層868上にあることになる点に留意されたい。
8.当業者には理解されるように、この構成では、ストレージ−コンデンサ−オン−ゲート(storage−capacitor−on−gate)設計を使用することができ、または別法として、独立のストレージコンデンサを、金属またはITOを堆積させることによって製作することもできる。このコンデンサ(図示せず)は、パッシベーションステップPの後で永久基板を固定する前に、堆積させることができる。
10.レジスト層832を現像し、レジスト層832を使用してデバイス層スタック826をエッチングする前に、レジスト層840をまず現像し、その後エッチングして、永久基板856に積層することができるかもしれない。その場合、ITO層868および電気光学材料が、従来の設計に似た方式で、最後には上面になる。
11.例1のレシピは、TFTバックプレーンを、透明または不透明にすることを可能にするものである。これは、選択される永久基板のスペクトル特性によって決定される。
例1で詳述されたレシピを、透明なTFTバックプレーンを必要としない表示装置用に改変することができる。例えば、上面発光OLED/PLEDなどの自発光装置、または電気泳動、エレクトロクロミック、反射型LCDのような反射型装置は、動作用のバックライトを必要としない。改変されたレシピの例は、以下のとおりである。以下のレシピ内のステップA〜Lは、上記の例1において明かされたステップA〜Lと同一であることに留意されたい。以下のステップは、対応するそれぞれの図9A〜9V中に図示される。
ステップB:スチフナ904を仮基板900の裏面に取り付ける。例えば、スチフナ904は、約100〜200μmの厚さを有するニッケルでも、ステンレス鋼でも、他の金属箔でもよい。
ステップC:アルミニウム箔仮基板900の露出面を、表面906上の高度の平坦化を実現するように電解研磨する。
ステップD:ゲート金属層908を堆積させる。あるいは、アルミニウム箔仮基板900を合金して、ゲート金属層として本質的に使用することもできる。
ステップE:窒化シリコン(SiNx)層912(被覆)、アモルファス水素化シリコン層916、およびn+ドープアモルファスシリコン層920を、PECVDを使用して、真空を破壊せずに順次堆積させる。これらの材料の厚さを、各適用分野に必要とされるように変えることができる。
ステップF:ソース/ドレイン(S/D)および金属相互接続層924を、好ましくは真空を破壊せずに、堆積させる。
ステップG:金属層924の上面にレジスト層928を堆積させる。
ステップH:保護用の、引き剥がし可能な(または水溶性、UVで切り離し可能な、などの)保護ポリマーシート932を、レジスト層928の自由表面上に積層する。
ステップI:スチフナ904(図9H)を切り離す。
ステップJ:レジスト層936を、アルミニウム箔仮基板900の自由表面上に堆積させる。
ステップK:保護用の、引き剥がし可能な(または水溶性、UVで切り離し可能な、などの)保護ポリマーシート940を、レジスト層936の自由表面上に積層する。
ステップL:レジスト層928、936を同時に、従来のコンタクトリソグラフィおよびバイナリマスク942−A〜Bを使用して、露光する。
ステップM:レジスト層936を現像し、その結果図示のパターン944が付与される。
ステップN:ゲート金属定義を金属層908内にエッチングする。
ステップO:永久基板948を、金属層908の上に、エポキシ950を使用して固定する。エポキシ950は、必要なら、ゲート金属用のパッシベーション層として働くことができる。
ステップP1:レジスト層928を現像し、その結果図示のパターン952が付与される。図P2は、(下側の)パターン952が(上側の)パターン944と適切に重なり合っている様子を示す、オーバーレイ976である。オーバーレイ976は、それぞれが、対応するそれぞれのゲート領域984およびソース/ドレイン領域988を含み、各TFT領域のソース/ドレイン領域それぞれのうち一方が画素電極領域990と一体化された、4つのTFT領域980を示す。
ステップQ:S/Dおよび金属相互接続層924を、ウェットエッチングまたはドライエッチング技術を使用して、図示のようにエッチングする。n+ドープアモルファスシリコン層920(オーム接点)を、ドライエッチングによってエッチングする。(一般に、このステップ中、水素化アモルファスシリコン層916も、部分的にエッチングされる)。金属層924が、その下の材料のエッチングを抑制するためのストップとして働く。
ステップR:レジスト層928(図9Q)の任意の残りの部分を除去する。
ステップS:SiNxまたはSiO2層などのパッシベーション層956を堆積させる。
ステップT:パッシベーション層956の上面に導体層960を堆積させる(例えば、ITO、金属など)。
ステップU:導体層960をパターン形成して、画素電極964にする。
ステップV:電気光学材料968を、画素電極964の上に堆積/充填する。
すぐ上で概説されたレシピは、不透明なTFTバックプレーンの製作を可能にするものである。平行板コンデンサを使用する駆動型画素電極設計を、このレシピを使用して行うことができる。そうした設計を、とりわけ反射型LCD表示装置、上面発光型OLED/PLED表示装置、電気泳動表示装置、およびエレクトロクロミック表示装置用のTFTバックプレーンに使用することができる。これらのタイプの表示装置では、バックライトを使用せず、したがって、前面からドレイン金属部分の下の水素化アモルファスシリコン層916上に透過される光がないので、このレシピのTFT972(図9V)に伴う光誘起漏れ電流の問題がない。
例2で詳述されたレシピを、透明なTFTバックプレーンを必要としない表示装置用にさらに改変することができる。改変されたレシピの例は、以下のとおりである。以下のレシピ内のステップA〜Lは、上記の例1および2のそれぞれにおいて明かされたステップA〜Lと同一であることに留意されたい。図10A〜10Uは、以下の対応するそれぞれのステップを示す。
ステップB:スチフナ1004を仮基板の裏面に取り付ける。例えば、スチフナは、約100〜200μmの厚さを有するニッケルでも、ステンレス鋼でも、他の金属箔でもよい。
ステップC:アルミニウム箔仮基板1000の露出面を、表面1006上の高度の平坦化を実現するように電解研磨する。
ステップD:ゲート金属層1008を堆積させる。あるいは、アルミニウム箔仮基板1000を合金して、ゲート金属層として本質的に使用することもできる。
ステップE:窒化シリコン(SiNx)層1012(被覆)、アモルファス水素化シリコン層1016、およびn+ドープアモルファスシリコン層1020を、PECVDを使用して、真空を破壊せずに順次堆積させる。これらの材料の厚さを、各適用分野に適するように変えることができる。
ステップF:ソース/ドレイン(S/D)および金属相互接続層1024を、好ましくは真空を破壊せずに、堆積させる。
ステップG:金属層1024の上面にレジスト層1028を堆積させる。
ステップH:保護用の、引き剥がし可能な(または水溶性、UVで切り離し可能な、などの)保護ポリマーシート1032を、レジスト層1028の自由表面上に積層する。
ステップI:スチフナ1004(図10H)を切り離す。
ステップJ:レジスト層1036を、アルミニウム箔仮基板1000の自由表面上に堆積させる。
ステップK:保護用の、引き剥がし可能な(または水溶性、UVで切り離し可能な、などの)保護ポリマーシート1040を、レジスト層1036の自由表面上に積層する。
ステップL:レジスト層1028、1036を同時に、従来のコンタクトリソグラフィおよびバイナリマスク1042A〜Bを使用して、露光する。
ステップM:レジスト層1028を現像し、その結果図示のパターン1044が付与される。パターン1044は、上記の例2のパターン944と同一であることに留意されたい。
ステップN1:S/Dおよび金属相互接続層1024を、ウェットエッチングまたはドライエッチング技術を使用して、図示のようにエッチングする。このステップで、画素電極1046を形成する。
ステップN2:n+ドープアモルファスシリコン層1020(オーム接点)を、ドライエッチングによってエッチングする。(一般に、このステップ中、水素化アモルファスシリコン層1016も、部分的にエッチングされる)。金属層1024が、その下の材料の任意のエッチングを抑制するためのストップとして働く。
ステップO:レジスト層1028(図10N2)の任意の残りの部分を除去する。
ステップP:任意選択で、パッシベーション層1048、例えば、SiNxまたはSiO2層を堆積させる。
ステップQ:永久基板1052を、パッシベーション層1048が設けられていればそれに、または金属層1024に、例えばエポキシ1050を使用して固定する。エポキシ1050は、必要なら、金属層1024用のパッシベーション層として働くことができる。
ステップR1:レジスト層1036を現像し、その結果図示のパターン1056が付与される。パターン1056は、例1および2でそれぞれ使用されたパターン860、952と同一であることに留意されたい。図R2は、(下側の)パターン1036が(上側の)パターン1028と適切に重なり合っている様子を示す、オーバーレイ1072である。オーバーレイ1072は、それぞれが、対応するそれぞれのゲート領域1080およびソース/ドレイン領域1084を含み、各TFT領域のソース/ドレイン領域それぞれのうち一方が対応する画素電極領域1088と一体化された、4つのTFT領域1076を示す。
ステップS:ゲート金属定義を金属層1008内にエッチングする。下にあるSiNx絶縁層1012、水素化アモルファスシリコン層1016、およびn+ドープアモルファスシリコン層1020を、S/Dおよび電極画素金属層1024の下面に達するまでエッチングする。
ステップT:必要なら、パッシベーション層1060を、ゲート金属層1008の上に堆積させる。パッシベーション層1060をパターン形成する。
ステップU:電気光学材料1064を、画素電極1046の上面に堆積/充填する。
上記の例2で詳述されたレシピを、透明なTFTバックプレーンを必要としない表示装置用にさらに改変することができる。改変されたレシピの例は、以下のとおりである。以下のレシピのステップA〜Eは、上記の例1および2のそれぞれにおいて明かされたステップA〜Eと同一であることに留意されたい。図11A〜11Vは、以下の対応するそれぞれのステップを示す。
ステップB:スチフナ1104を仮基板1100の裏面に取り付ける。例えば、スチフナ1104は、約100〜200μmの厚さを有するニッケルでも、ステンレス鋼でも、他の金属箔でもよい。
ステップC:アルミニウム箔仮基板1100の露出面を、表面1106上の高度の平坦化を実現するように電解研磨する。
ステップD:ゲート金属層1108を堆積させる。あるいは、アルミニウム箔仮基板1100を合金化して、ゲート金属層として本質的に使用することもできる。
ステップE:窒化シリコン(SiNx)層1112(被覆)、アモルファス水素化シリコン層1116、およびn+ドープアモルファスシリコン層1120を、PECVDを使用して、真空を破壊せずに順次堆積させる。これらの材料の厚さを、適用分野に特有であるように変えることができる。
ステップF:ITO層1124を、好ましくは、ステップEで利用された真空を破壊せずに、堆積させる。
ステップG:ソース/ドレイン(S/D)および金属相互接続層1128を、好ましくは、ステップFおよびGで利用された真空を破壊せずに、堆積させる。
ステップH:金属層1128の上面にレジスト層1132を堆積させる。
ステップI:保護用の、引き剥がし可能な(または水溶性、UVで切り離し可能な、などの)保護ポリマーシート1136を、レジスト層1132の自由表面上に積層する。
ステップJ:スチフナ1104(図11I)を切り離す。
ステップK:レジスト層1140を、アルミニウム箔仮基板1100の自由表面上に堆積させる。
ステップL:保護用の、引き剥がし可能な(または水溶性、UVで切り離し可能な、などの)保護ポリマーシート1144を、レジスト層1140の自由表面上に積層する。
ステップM:レジスト層1132、1140を同時に、従来のコンタクトリソグラフィおよびバイナリマスク1146A〜Bを使用して、露光する。
ステップN:レジスト層1132を現像し、その結果図示のパターン1148が付与される。パターン1148は、例2および3でそれぞれ使用されたパターン944、1044と同一であることに留意されたい。
ステップO1:金属層1128を、ウェットエッチングまたはドライエッチング技術を使用してエッチングする。
ステップO2:ドライまたはウェットエッチング技術を使用して、ITO層1124を、画素電極1150を画定するように貫通エッチングする。
ステップO3:n+ドープアモルファスシリコン層1120(オーム接点)を、ドライエッチングによってエッチングする。(一般に、このステップ中、水素化アモルファスシリコン層1116も部分的にエッチングされる)。金属層1128が、その下の材料の任意のエッチングを抑制するためのマスクとして働く。
ステップP:レジスト層1132(図11O3)の任意の残りの部分を除去する。
ステップQ:任意選択で、パッシベーション層1152、例えば、SiNxまたはSiO2を堆積させる。
ステップR:永久基板1156を、パッシベーション層1152が設けられていればそれに、または金属層1128に、例えばエポキシ1158を使用して固定する。エポキシ1158は、必要なら、金属層1128用のパッシベーション層として働くことができる。
ステップS1:レジスト層1140を、図示のマスクパターン1160を使用して現像する。マスクパターン1160は、例1および2でそれぞれ使用されたマスクパターン860、952と同一であることに留意されたい。図S2は、(下側の)パターン1160が(上側の)パターン1148と適切に重なり合っている様子を示す、オーバーレイ1172である。オーバーレイ1172は、それぞれが、対応するそれぞれのゲート領域1180およびソース/ドレイン領域1184を含み、各TFT領域のソース/ドレイン領域それぞれのうち一方が画素電極領域1188と一体化された、4つのTFT領域1176を示す。
ステップT:ゲート金属定義を金属層1108内にエッチングする。下にあるSiNx絶縁層1112、水素化アモルファスシリコン層1116、およびn+ドープアモルファスシリコン層1120を、ITO層1124の下面に達するまでエッチングする。
ステップU:必要なら、パッシベーション層1164を、ゲート金属層1108の上に堆積させる。パッシベーション層1164をパターン形成する。
ステップV:電気光学材料1168を、画素電極1150の上に堆積/充填する。
例1のレシピを使用して製作されるTFTバックプレーンの1つの潜在的な欠点は、ゲート金属ラインの下に、水素化アモルファスシリコンがエッチングされない層が存在し得ることである。水素化アモルファスシリコンは、光導電性材料であるので、そうしたTFTバックプレーンが、バックライトを有する透過システム内で利用される場合、例えばバックライト照射される透過LCD表示装置内の場合と同様に、TFTスイッチ内に異常なスイッチングの問題、および漏れ電流を引き起こす恐れがある。これに関連して、図12は、例1のマスクパターン848、860(図8Mおよび8Q2)のオーバーレイ1200を示す。オーバーレイ1200では、マスクパターン848が、ソース/ドレイン領域1204A〜Bおよびデータバスライン1208を画定し、マスクパターン860が、ゲート金属領域1212およびゲートバスライン1216を画定している。オーバーレイ1200では、全体的にエッチングされないことがある、ゲートバスライン1216の下の領域1220が強調されている。例5において詳述される以下のレシピでは、この問題を都合よく解消することができる方法について述べる。図13A〜13ABは、以下の対応するそれぞれのステップを示す。
ステップB:スチフナ1304を仮基板1300の裏面に取り付ける。例えば、スチフナ1304は、約100〜200μmの厚さを有するニッケルでも、ステンレス鋼でも、他の金属箔でもよい。
ステップC:アルミニウム箔仮基板1300の露出面を、表面1306上の高度の平坦化を実現するように電解研磨する。
ステップD:ゲート金属層1308を堆積させる。あるいは、アルミニウム箔仮基板1300を合金して、ゲート金属層として本質的に使用することもできる。
ステップE:窒化シリコン(SiNx)層1312(被覆)、アモルファス水素化シリコン層1316、およびn+ドープアモルファスシリコン層1320を、PECVDを使用して、真空を破壊せずに順次堆積させる。これらの材料の厚さを、特定の適用分野に応じて変えることができる。
ステップF:ソース/ドレイン(S/D)および金属相互接続層1324を、好ましくは、ステップEで利用された真空を破壊せずに、堆積させる。
ステップG:金属層1324を覆ってレジスト層被覆1328Aを堆積させる。
ステップH:レジスト層被覆1328A上にレジスト層被覆1328Bを堆積させる。
ステップI:保護用の、引き剥がし可能な(または水溶性、UVで切り離し可能な、などの)保護ポリマーシート1332を、レジスト層被覆1328Bの自由表面上に積層する。
ステップJ:スチフナ1304(図13I)を切り離す。
ステップK:レジスト層1336を、仮基板1300の自由表面上に堆積させる。
ステップL:保護用の、引き剥がし可能な(または水溶性、UVで切り離し可能な、などの)保護ポリマーシート1340を、レジスト層1336の自由表面上に積層する。
ステップM:レジスト層被覆1328A〜B、およびレジスト層1336を、2波長マスクレスリソグラフィ/レーザ直接描画リソグラフィを使用して、同時に露光する。レジスト層被覆1328Aは、組成または分光応答の点で、レジスト層被覆1328Bとは異なることに留意されたい。また、レジスト層被覆1328Bは、(図7のλ1またはλ2といった)波長を適度に透過し、それがレジスト層被覆1328Aによって吸収される。レジスト層1336は、組成または分光応答の点で、レジスト層被覆1328Aまたはレジスト層被覆1328Bと同一でよい。
ステップN:レジスト層被覆1328Bを現像する。この被覆に付与されたパターン1344に留意されたい。
ステップO1:レジスト層被覆1328Aを、ウェットエッチングまたはドライエッチング技術を使用して、図示のようにエッチングする。
ステップO2:金属層1324、n+ドープアモルファスシリコン層1320、および水素化アモルファスシリコン層1316を、ずっと下方にシリコン窒化物層1312の上部までエッチングする。(このステップにより、ゲートバスラインの下の光導電性アモルファスシリコン層1316が除去されることになる。)
ステップP:レジスト層被覆1328B(図13O2)の任意の残りの部分を除去する。
ステップQ:レジスト層被覆1328Aを現像する。この現像段階中に、パターン1346の黒い露出領域が後に残され、ハッチングされた領域が除去されることに留意されたい。
ステップR:金属層1324をエッチングして、S/D領域および金属相互接続領域を画定する。
ステップS:n+ドープアモルファスシリコン層1320、および部分的に水素化アモルファスシリコン層1316内にエッチングする。
ステップT:レジスト層被覆1328A(図13S)の任意の残りの部分を除去する。
ステップU:任意選択で、パッシベーション層1348、例えば、SiNxまたはSiO2層を堆積させる。
ステップV:永久基板1352を、パッシベーション層1348が設けられていればそれに、または金属層1324に、例えばエポキシ1354を使用して固定する。エポキシ1354は、必要なら、金属層1324用のパッシベーション層として働くことができる。
ステップW1:レジスト層1336を、マスクパターン1352を使用して現像する。付与されるパターン1356は、例1で使用されたパターン860(図8Q2)と同一であることに留意されたい。図W2は、(下側の)パターン1352が(上側の)パターン1344、1346と適切に重なり合っている様子を示す、オーバーレイ1380である。オーバーレイ1380は、それぞれが、対応するそれぞれのゲート領域1388およびソース/ドレイン領域1392を含み、各TFT領域のソース/ドレイン領域それぞれのうち一方が画素電極領域1396と一体化された、4つのTFT領域1384を示す。
ステップX:ゲート金属定義を金属層1308内にエッチングする。
ステップY:下にあるSiNx絶縁体層1312、水素化アモルファスシリコン層1316、およびn+ドープアモルファスシリコン層1320を、S/Dおよび電極画素金属層1324の下面に達するまでエッチングする。
ステップZ:ゲート金属層1308を覆ってITO層1360を堆積させる。
ステップAA:ITO層1360を、画素電極1372を画定するようにパターン形成する。
ステップAB:電気光学材料1376を、画素電極1372の上面に堆積/充填する。
1.アルミニウムは、650℃以上の融点を有し、従来の表示装置の製造で一般に使用されるPECVD堆積温度(450℃未満)に、容易に耐えることができる。
2.仮基板1300に使用されているアルミニウム箔の代わりに、本開示の以前のセクションですでに述べたように、非常に薄いニッケル、またはポリイミドシートを使用することができる。
3.TFTの最も決定的に重大な層の全てのパターン形成が、一度で効果的に実施された。デバイス層1312、1316、1320、1324を、逆の順序で堆積させ(上下逆スタック)、それでもなお同じ結果をもたらすことができることに留意されたい。すなわち、S/D金属層1324を最初に、n+ドープシリコン層1320を2番目に、水素化アモルファスシリコン層1316を3番目に、シリコン窒化物層1312を4番目に、次いでゲート金属層1308を堆積させる。もちろん、マスクの位置も同様に逆にされる必要がある。
4.カラーマスクまたはグレースケールマスクを使用する投影/プロキシミティ/コンタクトリソグラフィを容易に、示されたマスクレス技術の代わりに使用することができることも、明らかである。
5.このレシピでは、2被覆レジスト層1328を一方の表面上に、1被覆レジスト層1336を他方の表面上に利用する。ITO画素電極1372は、容易にパターン形成してエッチングすることができ、フォトリソグラフィの粗い重合せのみを必要とする。
6.前面用の電気光学材料1376(例えば、液晶、OLED/PLED材料、電気泳動材料、エレクトロクロミック材料など)が、ITO層1360上にあることになる点に留意されたい。
7.この構成では、ストレージ−コンデンサ−オン−ゲート設計を使用することができ、または別法として、独立のストレージコンデンサを、金属またはITOを堆積させることによって製作することもできる。このコンデンサ(図示せず)は、パッシベーションステップPの後で永久基板1352を固定する前に、堆積させることができる。
8.レジスト層1336をまず現像し、その後エッチングして、永久基板1348に積層し、その後レジスト層被覆1328B、1328Aを現像し、対応する層をエッチングすることができたかもしれない。その場合、ITO層1356および電気光学材料1364が、従来の設計に似た方式で、上面になることになる。
9.例5のレシピは、TFT内の光誘起漏れ電流に伴ういかなる問題もなく、透過型LCD表示装置および底面発光OLED/PLED表示装置内で使用することができるTFTバックプレーンを可能にするものである。しかし、もちろん、このレシピで、広く適用可能なバックプレーンを製作することができ、このレシピを、とりわけ反射型LCD表示装置、前面発光型OLED/PLED表示装置、電気泳動表示装置、およびエレクトロクロミック表示装置に使用することもできる。
10.基本的に、画素領域を画定する溝が、レジスト層被覆1328Bをマスクとして使用して形成され、次いでソースとドレインの間のエッチバック領域が、レジスト層被覆1328Aをマスクとして使用し画定されて形成される。パッシベーション層1344が、このトレンチおよびソース/ドレイン領域を埋め、画素領域がその中にある画定壁を形成する。ITOまたは他の透明な導電性電極材料を、そのトレンチ内に堆積させ、そうした層を全体的にパターン形成する必要性を潜在的に取り除くことができる。
11.トレンチの存在は、伝導性ナノチューブペーストを使用する場合に、特に助けとなり得る。ペーストを、それ以上パターン形成をする必要なく、画素領域内にインクジェット印刷することができる。
12.表面ごとにレジスト被覆以上のものを使用すると、TFTパターンに手を加える際に、さらなる自由度がもたらされることが明らかである。
13.追加例には、ブラックマトリックスを統合して、画素電極領域を取り囲むことができるように、2つのレジスト層被覆を一方の表面上に、追加の2つのレジスト層被覆を他方の表面上に使用することが含まれる。
14.RFIDタグ用に、アンテナ素子を、TFT素子と同時に製作することができる。
15.X線デジタルイメージングシート用のPINセンサを、例5のレシピを使用して製作することができる。実際、PIN被覆(pドープシリコンおよびnドープシリコン)を、ソース/ドレイン金属層1324の後に堆積させ、次いで一方のレジスト層で分離し、他面の残りのレジスト層を、TFTの形成に使用することができる。
この例のレシピは、例5のレシピに基づく変形である。この場合、2被覆レジスト層が片面に、単一被覆レジストが他面に使用されるのではなく、2被覆レジスト層が各側に使用される。こうすることにより、永久基板を他面に配置しながら、パターン形成されたITO画素電極を片面に実現することが可能になる。レシピは以下のとおりである。図14A〜14ADは、以下の対応するそれぞれのステップを示す。
ステップB:スチフナ1404を仮基板1400の裏面に取り付ける。例えば、スチフナ1404は、約100〜200μmの厚さを有するニッケルでも、ステンレス鋼でも、他の金属箔でもよい。
ステップC:アルミニウム箔仮基板1400の露出面を、表面1406の高度の平坦化を実現するように電解研磨する。
ステップD:ゲート金属層1408を堆積させる。あるいは、アルミニウム箔仮基板1400を合金して、ゲート金属層として本質的に使用することもできる。
ステップE:窒化シリコン(SiNx)層1412(被覆)、アモルファス水素化シリコン層1416、およびn+ドープアモルファスシリコン層1420を、PECVDを使用して、真空を破壊せずに順次堆積させる。これらの材料の厚さを、適用分野に特有であるように変えることができる。
ステップF:ソース/ドレイン(S/D)および金属相互接続層1424を、好ましくは、ステップEで利用された真空を破壊せずに、堆積させる。
ステップG:金属層1424上にITO層1428を堆積させる。
ステップH:ITO層1428上にレジスト層被覆1432Aを堆積させる。
ステップI:レジスト層被覆1432A上にレジスト層被覆1432Bを堆積させる。
ステップJ:保護用の、引き剥がし可能な(または水溶性、UVで切り離し可能な、などの)保護ポリマーシート1436を、レジスト層被覆1432Bの自由表面上に積層する。
ステップK:スチフナ1404(図14J)を切り離す。
ステップL:レジスト層被覆1440Aを、アルミニウム箔仮基板1400の自由表面上に堆積させる。
ステップM:レジスト層被覆1440A上にレジスト層被覆1440Bを堆積させる。
ステップN:保護用の、引き剥がし可能な(または水溶性、UVで切り離し可能な、などの)保護ポリマーシート1444を、レジスト層被覆1440Bの自由表面上に積層する。
ステップO:全てのレジスト層被覆1432A〜B、1440A〜Bを、2波長マスクレスリソグラフィ/レーザ直接描画リソグラフィ(図7を参照)を使用して、同時に露光する。レジスト層被覆1432B、1440Bはそれぞれ、組成または分光応答の点で、対応するそれぞれの、下にあるレジスト層被覆1432A、1440Aとは異なることに留意されたい。また、レジスト層被覆1432B、1440Bはそれぞれ、(図7のλ1またはλ2といった)波長を適度に透過し、それが対応するそれぞれの、下にあるレジスト層被覆1432A、1440Aによって吸収される。レジスト被覆層1432Aは、レジスト被覆層1440Aと同一でよく、レジスト層被覆1432Bは、レジスト層被覆1440Bに等しくてよい。
ステップP:レジスト層被覆1440Bを現像する。付与されたパターン1448に留意されたい。
ステップQ:レジスト層被覆1440Aおよびゲート金属層1408をエッチングする。
ステップR:下にあるSiNx絶縁体層1412、水素化アモルファスシリコン層1416、n+ドープアモルファスシリコン層1420、およびS/D金属層1424を、ITO層1428の下面に達するまでエッチングする。
ステップS:レジスト層被覆1440B(図14R)の任意の残りの部分を除去する。
ステップT:レジスト層被覆1440Aを現像する。付与されたパターン1452に留意されたい。
ステップU:ゲート金属定義を金属層1408内にエッチングする。
ステップV:パッシベーション層1456を堆積させる。
ステップW:必要なら、画素コンデンサ1460(不透明または透明)を堆積させてパターン形成する。
ステップX:永久基板1464を、パッシベーション層1456が設けられていればそれに、例えばエポキシ1466を使用して固定する。エポキシ1466は、必要なら、ゲート金属層1408用のパッシベーション層として働くことができる。
ステップY:レジスト層被覆1432Bを現像する。付与されたパターン1468に留意されたい。
ステップZ1:レジスト層被覆1432Aを、ウェットエッチングまたはドライエッチング技術を使用して、図示のようにエッチングする。
ステップZ2:金属層1424、n+ドープアモルファスシリコン層1420、および水素化アモルファスシリコン層1416を、ずっと下方にシリコン窒化物層1412までエッチングする。(このステップにより、ゲートバスラインの下の光導電性アモルファスシリコン層1416が除去されることになる。)
ステップAA:レジスト層被覆1432B(図Z2)の任意の残りの部分を除去する。
ステップAB1:レジスト層被覆1432Aを現像する。この現像段階中に、付与されたパターン1470の黒い露出領域が後に残され、ハッチングされた領域が、除去されることに留意されたい。図14AB2は、(下側の)パターン1468、1470が(上側の)パターン1448、1452と適切に重なり合っている様子を示す、オーバーレイ1480である。オーバーレイ1480は、それぞれが、対応するそれぞれのゲート領域1488およびソース/ドレイン領域1492を含み、各TFT領域のソース/ドレイン領域それぞれのうち一方が画素電極領域1496と一体化された、4つのTFT領域1484を示す。金属層1424をエッチングして、S/D領域および金属相互接続領域を画定する。このエッチングは、図面中に示される断面では行われないことに留意されたい。エッチングされた領域については、図AB2のオーバーレイを参照されたい。n+ドープアモルファスシリコン層1420を、また部分的に水素化アモルファスシリコン層1416内にエッチングする。レジスト層被覆1432A(図AB1)の任意の残りの部分を除去する。
ステップAC:パッシベーション層1472、例えばSiNxまたはSiO2層を堆積させて、パターン形成する。
ステップAD:電気光学材料1476を、画素電極層1428を覆って堆積/充填する。
上記の例1−6では、水素化アモルファスシリコンを使用するレシピについて詳述してきた。高温ポリシリコン、または再結晶化シリコンを、アモルファスシリコンの代わりに使用することができることが、当業者には理解されよう。堆積されたままのポリシリコンには、それがTFTに使用されることを制限してきた、高度の表面粗さがあることが知られている。そうした粗いシリコン層上に堆積された絶縁体層上の高界面トラップ密度、漏れ電流問題、および他の表面異常が、問題となる点として特定されてきた。堆積されたままの高温ポリシリコンを使用した最近の実験において、本発明者は、堆積後のポリシリコン層の上面が実に非常に粗く、可視放射を散乱させることを観測した。しかし、その同じ層の下面が調査すると、高度に光沢のある表面が露呈した。この表面は、光学的に表面粗さが非常に低いことを意味する、見た目には非常に光沢のあるものであった。
上記の例6のレシピと同様に、例13のレシピでは、2被覆レジスト層を片面に、2被覆レジスト層を他面に利用する。この場合、これらの4つのレジスト層被覆を使用することで、永久基板を一方の表面に固定した状態で、パターン形成されたITO画素電極を他方の表面上に実現することが可能になる。レシピは以下のとおりである。図15A〜15AIは、以下の対応するそれぞれのステップを示す。
ステップB:スチフナ1504を仮基板1500の裏面に取り付ける。例えば、スチフナ1504は、約100〜200μmの厚さを有するニッケルでも、ステンレス鋼でも、他の金属箔でもよい。
ステップC:アルミニウム箔仮基板1500の露出面を、表面1506上の高度の平坦化を実現するように電解研磨する。
ステップD:ゲート金属層1508を堆積させる。あるいは、アルミニウム箔仮基板1500を合金して、ゲート金属層として本質的に使用することもできる。
ステップE:窒化シリコン(SiNx)層1512(被覆)、アモルファス水素化シリコン層1516、およびn+ドープアモルファスシリコン層1520を、PECVDを使用して、真空を破壊せずに順次堆積させる。これらの材料の厚さを、適用分野に特有であるように変えることができる。
ステップF:ソース/ドレイン(S/D)および金属相互接続層1524を、好ましくは、ステップEで利用された真空を破壊せずに、堆積させる。
ステップG:金属層1524上に、ITO層1528を堆積させる。
ステップH:ITO層1528上に、パッシベーション層1532を堆積させる。(この層は、無機でも有機でもよい。あるいは、次のステップで加えられるレジストが、イメージング層としてだけでなく、パッシベーション層としても機能する場合もある。)
ステップI:パッシベーション層1532上に、レジスト層被覆1536Aを堆積させる。
ステップJ:レジスト層被覆1536A上に、レジスト層被覆1536Bを堆積させる。
ステップK:保護用の、引き剥がし可能な(または水溶性、UVで切り離し可能な、などの)保護ポリマーシート1540を、レジスト層被覆1536Bの自由表面上に積層する。
ステップL:スチフナ1504(図15K)を切り離す。
ステップM:レジスト層被覆1544Aを、アルミニウム箔仮基板1500の自由表面上に堆積させる。
ステップN:レジスト層被覆1544A上にレジスト層被覆1544Bを堆積させる。
ステップO:保護用の、引き剥がし可能な(または水溶性、UVで切り離し可能な、などの)保護ポリマーシート1548を、レジスト層被覆1544Bの自由表面上に積層する。
ステップP:全てのレジスト層被覆1536A〜B、1544A〜Bを、2波長マスクレスリソグラフィ/レーザ直接描画リソグラフィ(図7を参照)を使用して、同時に露光する。レジスト層被覆1536B、1544Bはそれぞれ、組成または分光応答の点で、対応するそれぞれの、下にあるレジスト層被覆1536A、1544Aとは異なることに留意されたい。また、レジスト層被覆1536B、1544Bはそれぞれ、(図7のλ1またはλ2といった)波長を適度に透過し、それが、対応するそれぞれの、下にあるレジスト層被覆1536A、1544Aによって吸収される。レジスト被覆層1536Aは、レジスト被覆層1544Aと同一でよく、レジスト層被覆1536Bは、レジスト層被覆1544Bに等しくてよい。
ステップQ:レジスト層被覆1544Bを、マスクパターン1522を使用して現像する。ポジティブレジストが使用されているか、それともネガティブレジストが使用されているかによって、図15Qに示すマスクパターン1552の上面図内の黒い部分に、マスク材料がある、またはそうした材料がないことになる。
ステップR:レジスト層被覆1544Aおよびゲート金属層1508をエッチングする。
ステップS:下にあるSiNx絶縁体層1512、水素化アモルファスシリコン層1516、n+ドープアモルファスシリコン層1520、およびS/D金属層1524を、ITO層1528の下面に達するまでエッチングする。
ステップT:レジスト層被覆1544B(図15S)の任意の残りの部分を除去する。
ステップU:レジスト層被覆1544Aを現像する。マスクパターン1556に留意されたい。ポジティブレジストが使用されているか、それともネガティブレジストが使用されているかによって、図15Uに示すマスクパターン1556の上面図内の黒い部分に、マスク材料がある、またはそうした材料がないことになる。
ステップV:ゲート金属定義を露呈させ、またゲートバスラインを互いに分離するために、SiNx層1512まで下方にエッチングする。
ステップW:レジスト層被覆1544A(図15V)の任意の残りの部分を除去する。
以下の各ステップは、任意選択である。
ステップX:パッシベーション層1560を堆積させる。
ステップY:必要なら、画素コンデンサ1564(不透明または透明)を堆積させて、パターン形成する。
ステップZ:永久基板1568を、パッシベーション層1560が設けられていればそれに、または永久基板1568が取り付けられることになる他のどんな層でもそれに、例えばエポキシ1570を使用して固定する。エポキシ1570は、必要なら、ゲート金属層1508用のパッシベーション層として働くことができる。
ステップAA:レジスト層被覆1536B(図15Z)を現像する。この層に付与されたパターン1572に留意されたい。
ステップAB:レジスト層被覆1536Aを、ウェットエッチングまたはドライエッチング技術を使用して、図示のようにエッチングする。
ステップAC:パッシベーション層1532と、ITO層1528と、TFTチャネル定義/金属層1524(およびデータラインを互いに分離するための分離部分)と、n+ドープアモルファスシリコン層1520とを、また部分的に水素化アモルファスシリコン層1516内に、エッチングする。
ステップAD:レジスト層被覆1536B(図AC)の任意の残りの部分を除去する。
ステップAE:レジスト層被覆1536A(図15AD)を現像する。付与されたパターン1576に留意されたい。
ステップAF:パッシベーション層1532をエッチングして、その下のITO層1528を露呈させる。
ステップAG:レジスト層被覆1536Aの任意の残りの部分を除去する。希望するなら、別のパッシベーション層1580を、TFTチャネルの上面に堆積させてパターン形成する。(これは、適切な有機または無機誘電体層のインクジェット、スクリーン印刷などを使用して、TFTチャネルの上面だけに局所的に行うことができる。)
ステップAH:電気光学材料1584を、画素電極層1528を覆って堆積/充填する。
1.例13のレシピは、TFT内の光誘起漏れ電流に伴ういかなる問題もなく、透過型LCD表示装置および底面発光OLED/PLED表示装置内で使用することのできるTFTバックプレーンを可能にするものである。しかし、もちろん、このレシピで、広く適用可能なバックプレーンを製作することができ、このレシピを、とりわけ反射型LCD表示装置、前面発光型OLED/PLED表示装置、電気泳動表示装置、およびエレクトロクロミック表示装置に使用することもできる。
2.アルミニウムは、650℃以上の融点を有し、従来の表示装置の製造で一般に使用されるPECVD堆積温度(450℃未満)に、容易に耐えることができる。
3.仮基板1500に使用されているアルミニウム箔の代わりに、本開示の以前のセクションですでに述べたように、とりわけ非常に薄いニッケルまたはポリイミドシートを使用することができる。
4.TFTの最も決定的に重大な層の全てのパターン形成が、一度で効果的に実施された。デバイス層を、逆の順序で堆積させ(上下逆スタック)、それでもなお同じ結果をもたらすことができることに留意されたい。すなわち、S/D金属層1524を最初に、n+ドープシリコン層1520を2番目に、水素化アモルファスシリコン層1516およびシリコン窒化物層1512を3番目に、次いでゲート金属層1508を堆積させる。もちろん、マスクの位置も同様に逆にされる必要がある。
5.投影/プロキシミティリソグラフィを容易に、示されたコンタクトリソグラフィの代わりに使用することができることが、当業者には明らかなはずである。さらに、マスクレス振幅走査リソグラフィ技術を、例示されたバイナリマスクの代わりに使用することもできる。
6.このレシピでは、2被覆レジスト層を各側に利用する。ITO画素電極は、容易にパターン形成してエッチングすることができ、フォトリソグラフィの粗い重合せのみを必要とする。
7.最も決定的に重大な位置合わせは、レジスト層被覆1536(図15Jおよび15Q)とレジスト層被覆1540A(図15Mおよび15AE)用の、パターン1552と1576との間である。他の位置合わせ、すなわち、レジスト層被覆1536A、1544B(図15I、15N、15U、および15AA)については、それほど決定的に重大ではなく、そう希望するなら、後に行うこともできる。
8.前面用の電気光学材料1584(例えば、とりわけ液晶、OLED/PLED、電気泳動、エレクトロクロミックなど)が、ITO層1528上にあることになる点に留意されたい。
9.この構成では、ストレージ−コンデンサ−オン−ゲート設計を使用することができ、または別法として、独立のストレージコンデンサを、金属またはITOの堆積を使用して製作することもできる。そうしたコンデンサ(図示せず)は、パッシベーションステップXの後で永久基板に積層する前に、堆積させることができる。
10.TFTチャネルのパッシベーションを、それ以上パターン形成をする必要なく、有機誘電体を使用するインクジェット印刷またはスクリーン印刷など、局所化された粗い技術を使用して、容易に行うことができる。
11.表面ごとにレジスト層被覆以上のものを使用すると、TFTパターンに手を加える際にさらなる自由度がもたらされることが、当業者には容易に理解されよう。例えば、ブラックマトリックスを、画素電極領域を取り囲む領域に統合することができる。これは、コントラストを増大させるため、または、光が光導電性アモルファスシリコン層に衝突するのを可能にするゲートおよびデータラインの分離部分に起因する、TFT内の光誘起電流を低減させるために行うことができる。このブラックマトリックスは、有機または無機材料から構成することができ、他の方法の中でもとりわけ堆積またはスクリーン印刷によって加えることができる。
12.この例および他の例で明かされた技術を、とりわけ表示装置、X線センサ、RFIDタグ、光学的文字認識のような適用分野向けのイメージセンサ、ハンディスキャナ、指紋スキャナ、ネームカードスキャナ、パーソナルコンピュータ用スキャナ、ファクシミリ装置、写真複写機、CADシステム、測定システム、および電子黒板用のバックプレーンを製作するために使用することができる。
この例は、ステップG(ITO層1528の堆積)の後にパッシベーション層1532の堆積がない、すなわち、ステップHがないことを除いて、例13と同一である。そのような方式では、単一のレジスト層被覆1536B(図15J)だけが必要とされる。それに対応して、図15Qのマスクパターン1552だけが必要とされる。パッシベーション層1532(図15H)の代わりに、上記の例13のレシピ内でステップADの後に、パッシベーション層を堆積させてパターン形成することができる。
1.フォトレジスト層の除去に、さらにはそのように希望するなら被覆層の除去にさえも、化学エッチングの代わりに光アブレーションを使用することができる。
2.光アブレーションと光露光とを、パターン形成と下にある層の画定を一緒にするように、統合することができる。
3.レジスト層に保護のために付着された引き剥がし可能な保護被覆を、レジストを現像する前に引き剥がすことができる。あるいはそれを、エッチングして除くこともできる。また、レジスト層の露光を、引き剥がし可能な被覆を介して実施することもできる。そうした場合、保護被覆が、レジスト材料をパターン形成するのに使用される光の波長(または刺激)を透過することが望ましい。
4.例13および14のレシピではそれぞれ、説明したように、2つ以上のイメージング層(これらの例では被覆)を、レジスト層ごとに利用する。グレースケースリソグラフィが使用される場合、単一のイメージング層を使用して同様の結果を実現することができることが理解されよう。
5.チャネル幅画定イメージング層(被覆)およびゲート幅画定イメージング層(被覆)が、相互に非常に高度に位置合わせされる必要があることが、当業者には明らかとなろう。他のイメージング層は、必要であれば、後で露光することができる。当業者には明らかになるように、全てのイメージング層を一度で露光することが、必ずしもではないが有利である。
6.無機レジスト材料を使用することができる。そうした材料を、真空蒸着、または非常に均一な厚さを有する層をもたらす他の技術によって堆積させることができる。こうすることにより、さまざまなイメージング層内のイメージパターン間の非常に分解能の高い位置合わせが可能になる。そうした無機レジスト材料は、任意のベーキングまたは有機レジスト材料に必要な他の処理を必要としない。さらに、無機レジスト材料は、露光中にその中にパターン形成された、隠れているイメージを損なわずに高温まで加熱することができる。この独自の特性により、レジスト(イメージング)の劣化を気にせずに、パターン形成後に、ITO、画素コンデンサおよびパッシベーション層を高温で堆積させることが可能になる。
7.ガラス上のLCDバックプレーン用の現在の製造方法では、ガラス表面(被覆およびフォトマスク)上の基準点となるマークが、TFT回路を形成するために行わなければならない複数のパターン形成ステップ用の位置合わせ点として働く。
8.本開示において明かされた技術および方法を、アモルファスシリコンおよびゲルマニウムのような、(可視光に対して)不透明な半導体材料だけにでなく、有機半導体ならびにとりわけZnO、ZnO:Al、TiO2、およびTiOのような透明な導電性酸化物をパターン形成するためにも使用することができることが、当業者なら容易に理解されるであろう。
9.提示された例のいくつかで示したように、ゲートバスラインおよびデータバスラインの下方の露出されたアモルファスシリコンに起因する、TFT領域内の光誘起電流に伴う懸念があり得る。これは、データバスラインおよびゲートバスラインの上面に、非導電性の、暗吸収(dark absorbing)黒色塗料、染料または被覆(有機または無機)を使用して遮光構造を形成することによって、容易に対処することができる。一般にそうした構造は、従来のTFTバックプレーン製作技術で通常使用されており、「ブラックマトリックスアレイ」と呼ばれている。しかし、本発明では、ブラックマトリックスアレイを、一方の表面(データライン)上および他方の表面(ゲートライン)上の両方に形成しても、これらの表面のうち一方上だけに形成してもよい。さらに、ブラックマトリックスアレイを、別の基板上(例えば、カラーフィルタ基板上)に形成しても、TFTバックプレーン上に直接形成してもよい。
10.永久基板をTFTバックプレーンに接合するために使用される接合剤(機構)は、上記で論じたように、とりわけエポキシ、接着剤、またはシリコーンでよい。この接合剤を、希望するなら、接合強度を増大させるために、とりわけプラズマまたはUV放射を使用して表面改質することができる。さらに、施与および硬化中の泡の形成を低減させる/解消するために、接合剤を脱泡することもできる。接合を、必要に応じて、真空環境、制御ガス環境、または周囲空気中で行うことができる。さらに、接合剤は、積層前に、TFT回路シートのエッチングされた陥凹の凹凸を均し、埋めるための平坦化層として働くこともできる。これは、とりわけ液体モノマーを使用して行うことができる。平坦化層の硬化プロセスは、とりわけ熱、光、UV放射、またはマイクロ波放射によって活性化することができる。
Claims (24)
- 電子または光電子回路シートを製作する方法であって、
a)複数のパターン形成されていないデバイス層を有するスタックを形成するステップであって、前記スタックが、第1の表面、および前記第1の表面の反対側に第2の表面を有する、ステップと、
b)複数のデバイスを少なくとも部分的に形成するように、前記スタックの前記第1の表面上から、第1の所定のパターン内で、材料を除去するステップと、
c)前記複数のデバイスを少なくとも部分的に形成するように、前記スタックの前記第2の表面上から、第2の所定のパターン内で、材料を除去するステップとを含む方法。 - 前記第1の所定のパターンが、前記第2の所定のパターンとは異なる、請求項1に記載の方法。
- 前記ステップa)は、前記スタックを仮基板上に形成するステップを含み、前記方法は、前記仮基板を除去するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記仮基板と前記スタックの間に、少なくとも1層の剥離層を設けるステップをさらに含み、前記少なくとも1層の剥離層が、前記仮基板の前記除去を助ける、請求項3に記載の方法。
- 前記第1および第2の表面のうち一方から材料が除去された後に、永久基板を前記第1および第2の表面のうち一方に固定するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 仮基板を選択するステップと、前記ステップa)の前に、スチフナを前記基板に固定するステップとをさらに含み、前記ステップa)が、前記スタックを前記基板上に形成するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ステップb)に続いて、前記スタックから少なくとも前記スチフナを除去するステップをさらに含む、請求項6に記載の方法。
- 前記ステップb)の前に、前記スタックの前記第1の表面に対面するレジスト層を形成するステップと、前記レジスト層内に、互いに異なる対応するそれぞれの複数のイメージを、複数のイメージング層上に付与するステップとをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記複数のイメージを付与する前記ステップは、前記複数のイメージを、電磁、熱、電界、磁界、電子ビーム、および音波からなる群から選択されるエネルギーを使用して活性化するステップを含む、請求項8に記載の方法。
- 前記レジスト層を形成する前記ステップは、単一レジスト被覆を堆積させるステップからなる、請求項8に記載の方法。
- 前記レジスト層を形成する前記ステップは、複数のレジスト被覆を堆積させるステップを含む、請求項8に記載の方法。
- 電子または光電子回路シートを製造する方法であって、
a)第1の基板を設けるステップと、
b)前記第1の基板上に、複数のパターン形成されていない電子デバイス層を備えるスタックを形成するステップであって、前記スタックが、前記基板に面する第1の表面を有する、ステップと、
c)前記第1の基板を除去するステップと、
d)複数の電子デバイスを少なくとも部分的に形成するように、前記スタックの前記第1の表面上から、所定のパターン内で、材料を除去するステップとを含む方法。 - 前記ステップd)の前に、前記スタックの前記第1の表面に対面するレジスト層を形成するステップと、前記レジスト層内の複数のイメージング層上に、互いに異なる対応するそれぞれの複数のイメージを付与するステップとをさらに含む、請求項12に記載の方法。
- 前記複数のイメージを付与する前記ステップが、前記複数のイメージを、電磁、熱、電界、磁界、電子ビーム、および音波からなる群から選択されるエネルギーを使用して活性化するステップを含む、請求項13に記載の方法。
- 前記レジスト層を形成する前記ステップが、単一レジスト被覆を堆積させるステップからなる、請求項13に記載の方法。
- 前記レジスト層を形成する前記ステップが、複数のレジスト被覆を堆積させるステップを含む、請求項13に記載の方法。
- 第2の基板を、前記第1の表面に対面するように前記スタックに固定するステップをさらに含む、請求項12に記載の方法。
- 第2の基板を、前記第2の表面に対面するように前記スタックに固定するステップをさらに含む、請求項12に記載の方法。
- 電子または光電子回路シートを製作する方法であって、
a)複数のパターン形成されていないデバイス層を有するデバイス層スタックを形成するステップと、
b)レジスト層を、前記デバイス層スタックと作用する関係に配置するステップと、
c)互いに異なる複数のイメージを前記レジスト層内の異なるイメージングレベルのところに付与するように、前記レジスト層を活性化するステップとを含む方法。 - 前記レジスト層が、単一被覆層である、請求項19に記載の方法。
- 前記レジスト層が、異なる刺激で活性化される複数のレジスト被覆層を備え、前記ステップc)が、前記レジスト層を、前記複数のレジスト被覆層のそれぞれを互いに実質的に独立して活性化するように、前記異なる刺激を含むエネルギーで活性化するステップを含む、請求項19に記載の方法。
- 前記ステップc)は、前記レジスト層を前記複数のイメージにそれぞれ対応する複数の刺激を用いて励起するステップを含み、前記複数の刺激は、電磁エネルギー、熱エネルギー、電界エネルギー、磁界エネルギー、電子ビームエネルギー、および音波エネルギーからなる群から選択される、請求項19に記載の方法。
- 前記複数のイメージは、実質的に同時に付与される、請求項19に記載の方法。
- 前記複数のイメージは、異なる時間に付与される、請求項19に記載の方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009533845A (ja) * | 2006-04-07 | 2009-09-17 | バルサチリス・エルエルシー | 結晶ドナーからへき開されたドニー層を使用して厚膜および薄膜デバイスを製造するシステムおよび方法 |
JP2011503670A (ja) * | 2007-11-20 | 2011-01-27 | イーストマン コダック カンパニー | ディスプレイ回路を製造するための多色マスク方法 |
JP2011238812A (ja) * | 2010-05-12 | 2011-11-24 | Japan Steel Works Ltd:The | 結晶化半導体薄膜の製造方法および結晶化半導体薄膜 |
JP2012142360A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Ulvac Japan Ltd | 半導体装置 |
US11538653B2 (en) * | 2019-12-13 | 2022-12-27 | Beijing Normal University | Ion beam lithography method based on ion beam lithography system |
Families Citing this family (190)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6746886B2 (en) * | 2001-03-19 | 2004-06-08 | Texas Instruments Incorporated | MEMS device with controlled gas space chemistry |
KR100753568B1 (ko) * | 2003-06-30 | 2007-08-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 비정질 반도체층의 결정화방법 및 이를 이용한 액정표시소자의 제조방법 |
US7566001B2 (en) * | 2003-08-29 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | IC card |
US7354845B2 (en) * | 2004-08-24 | 2008-04-08 | Otb Group B.V. | In-line process for making thin film electronic devices |
TWI246502B (en) * | 2004-11-30 | 2006-01-01 | Wen-Chang Dung | Method for forming a separable interface and micro electromechanical film made therefrom |
US20060131616A1 (en) * | 2004-12-21 | 2006-06-22 | Devaney Douglas E | Copperless flexible circuit |
KR20060072680A (ko) * | 2004-12-23 | 2006-06-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 커패시터 및 그 제조방법 |
US20060144274A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
US8576162B2 (en) * | 2005-03-14 | 2013-11-05 | Sipix Imaging, Inc. | Manufacturing processes of backplane for segment displays |
US20070251551A1 (en) * | 2005-04-15 | 2007-11-01 | Korzenski Michael B | Removal of high-dose ion-implanted photoresist using self-assembled monolayers in solvent systems |
JP4652122B2 (ja) * | 2005-05-18 | 2011-03-16 | 株式会社日立製作所 | 投射型映像表示装置、それに用いる光学部材及び光学ユニット |
JP4892894B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2012-03-07 | 株式会社島津製作所 | 光または放射線検出ユニットの製造方法、およびその製造方法で製造された光または放射線検出ユニット |
US20070082432A1 (en) * | 2005-09-06 | 2007-04-12 | Lee Wai M | Variable exposure photolithography |
DE102005044306A1 (de) * | 2005-09-16 | 2007-03-22 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen |
CN100471362C (zh) * | 2005-09-21 | 2009-03-18 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | 柔性电路板的制作方法 |
US7968426B1 (en) * | 2005-10-24 | 2011-06-28 | Microwave Bonding Instruments, Inc. | Systems and methods for bonding semiconductor substrates to metal substrates using microwave energy |
CN1956172A (zh) * | 2005-10-26 | 2007-05-02 | 群康科技(深圳)有限公司 | 薄膜晶体管基板及其制造方法 |
US8043950B2 (en) | 2005-10-26 | 2011-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR101219046B1 (ko) * | 2005-11-17 | 2013-01-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치와 이의 제조방법 |
KR101201318B1 (ko) * | 2005-12-08 | 2012-11-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 컬러필터기판 및 그 제조방법 |
DE102005060795A1 (de) * | 2005-12-16 | 2007-07-12 | Siemens Ag | Flachbilddetektor |
FR2896619B1 (fr) * | 2006-01-23 | 2008-05-23 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'un substrat composite a proprietes electriques ameliorees |
US8120168B2 (en) | 2006-03-21 | 2012-02-21 | Promerus Llc | Methods and materials useful for chip stacking, chip and wafer bonding |
TWI443783B (zh) * | 2006-03-21 | 2014-07-01 | Promerus Llc | 用於晶片堆疊,晶片及晶圓結合之方法及材料 |
WO2007117698A2 (en) * | 2006-04-07 | 2007-10-18 | Qd Vision, Inc. | Composition including material, methods of depositing material, articles including same and systems for depositing material |
US7781697B2 (en) * | 2006-04-10 | 2010-08-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-display and methods |
US20070241178A1 (en) * | 2006-04-14 | 2007-10-18 | Withum Timothy O | Electronically enabled forms |
WO2007120877A2 (en) * | 2006-04-14 | 2007-10-25 | Qd Vision, Inc. | Transfer surface for manufacturing a light emitting device |
DE102006019963B4 (de) * | 2006-04-28 | 2023-12-07 | Envisiontec Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines dreidimensionalen Objekts durch schichtweises Verfestigen eines unter Einwirkung von elektromagnetischer Strahlung verfestigbaren Materials mittels Maskenbelichtung |
US8906490B2 (en) * | 2006-05-19 | 2014-12-09 | Eastman Kodak Company | Multicolor mask |
US20070269750A1 (en) * | 2006-05-19 | 2007-11-22 | Eastman Kodak Company | Colored masking for forming transparent structures |
WO2008111947A1 (en) * | 2006-06-24 | 2008-09-18 | Qd Vision, Inc. | Methods and articles including nanomaterial |
JP5204959B2 (ja) * | 2006-06-26 | 2013-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
CN102156901B (zh) * | 2006-06-26 | 2013-05-08 | 株式会社半导体能源研究所 | 包括半导体器件的纸及具有该纸的物品 |
WO2008002660A2 (en) * | 2006-06-28 | 2008-01-03 | Northwestern University | Crosslinked polymeric dielectric materials and methods of manufacturing and use thereof |
KR101095159B1 (ko) * | 2006-07-05 | 2011-12-16 | 아리조나 보드 오브 리전트스, 아리조나주의 아리조나 주립대 대행법인 | 기판에 경질 캐리어를 일시 부착시키는 방법 |
DE102006033701B4 (de) * | 2006-07-20 | 2012-02-23 | Infineon Technologies Ag | Herstellungsverfahren für ein elektronisches Bauelement in VQFN-Bauweise |
JP2008060552A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-03-13 | Osaka Univ | 電子回路装置とその製造方法 |
WO2008033388A2 (en) * | 2006-09-12 | 2008-03-20 | Qd Vision, Inc. | A composite including nanoparticles, methods, and products including a composite |
CN103956336B (zh) * | 2006-09-20 | 2019-08-16 | 伊利诺伊大学评议会 | 用于制造可转移半导体结构、器件和器件构件的松脱策略 |
US7573420B2 (en) * | 2007-05-14 | 2009-08-11 | Infineon Technologies Ag | RF front-end for a radar system |
US20080083706A1 (en) * | 2006-10-05 | 2008-04-10 | Mu-Gahat Enterprises, Llc | Reverse side film laser circuit etching |
US7633035B2 (en) * | 2006-10-05 | 2009-12-15 | Mu-Gahat Holdings Inc. | Reverse side film laser circuit etching |
US8323735B2 (en) * | 2006-10-13 | 2012-12-04 | Solopower, Inc. | Method and apparatus to form solar cell absorber layers with planar surface |
US8187904B2 (en) * | 2008-07-21 | 2012-05-29 | Solopower, Inc. | Methods of forming thin layers of photovoltaic absorbers |
US7913381B2 (en) * | 2006-10-26 | 2011-03-29 | Carestream Health, Inc. | Metal substrate having electronic devices formed thereon |
DE102006052606B4 (de) * | 2006-11-08 | 2008-09-18 | Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung von PDLCDs |
US8138588B2 (en) * | 2006-12-21 | 2012-03-20 | Texas Instruments Incorporated | Package stiffener and a packaged device using the same |
US20080165119A1 (en) * | 2007-01-05 | 2008-07-10 | Chan-Long Shieh | Active matrix with write memory |
US8420978B2 (en) | 2007-01-18 | 2013-04-16 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | High throughput, low cost dual-mode patterning method for large area substrates |
US7857907B2 (en) * | 2007-01-25 | 2010-12-28 | Au Optronics Corporation | Methods of forming silicon nanocrystals by laser annealing |
US20080179762A1 (en) * | 2007-01-25 | 2008-07-31 | Au Optronics Corporation | Layered structure with laser-induced aggregation silicon nano-dots in a silicon-rich dielectric layer, and applications of the same |
WO2008095747A1 (de) * | 2007-02-07 | 2008-08-14 | Continental Automotive Gmbh | Herstellungsverfahren für ein schicht-bauelement |
US20080205010A1 (en) * | 2007-02-26 | 2008-08-28 | 3M Innovative Properties Company | Active matrix backplanes allowing relaxed alignment tolerance |
US8232531B2 (en) * | 2007-03-29 | 2012-07-31 | Varian Medical Systems, Inc. | Corrosion barrier layer for photoconductive X-ray imagers |
US7677058B2 (en) * | 2007-05-07 | 2010-03-16 | Corning Incorporated | Process and apparatus for making glass sheet |
JP4746003B2 (ja) * | 2007-05-07 | 2011-08-10 | リンテック株式会社 | 移載装置及び移載方法 |
WO2009014590A2 (en) * | 2007-06-25 | 2009-01-29 | Qd Vision, Inc. | Compositions and methods including depositing nanomaterial |
TWI350563B (en) * | 2007-07-10 | 2011-10-11 | Delta Electronics Inc | Manufacturing method of light emitting diode apparatus |
US8652763B2 (en) * | 2007-07-16 | 2014-02-18 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Method for fabricating dual damascene profiles using sub pixel-voting lithography and devices made by same |
US20090061251A1 (en) * | 2007-08-27 | 2009-03-05 | Mu-Gahat Enterprises, Llc | Laser circuit etching by additive deposition |
US20090061112A1 (en) * | 2007-08-27 | 2009-03-05 | Mu-Gahat Enterprises, Llc | Laser circuit etching by subtractive deposition |
WO2009032117A2 (en) * | 2007-08-31 | 2009-03-12 | Corning Incorporated | Reactive surface on a polymeric substrate |
CN101803008B (zh) * | 2007-09-07 | 2012-11-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
US20100233838A1 (en) * | 2009-03-10 | 2010-09-16 | Emcore Solar Power, Inc. | Mounting of Solar Cells on a Flexible Substrate |
US8129098B2 (en) * | 2007-11-20 | 2012-03-06 | Eastman Kodak Company | Colored mask combined with selective area deposition |
JP4479834B2 (ja) * | 2008-01-24 | 2010-06-09 | ソニー株式会社 | マイクロレンズの製造方法および固体撮像装置の製造方法 |
TW201001624A (en) * | 2008-01-24 | 2010-01-01 | Soligie Inc | Silicon thin film transistors, systems, and methods of making same |
KR100927548B1 (ko) * | 2008-01-29 | 2009-11-20 | 주식회사 티씨케이 | 표면에 세라믹이 코팅된 금속 및 그 제조방법 |
US8236125B2 (en) * | 2008-02-28 | 2012-08-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing thin film multilayer device, method for manufacturing display device, and thin film multilayer device |
US8546067B2 (en) * | 2008-03-21 | 2013-10-01 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Material assisted laser ablation |
US7705411B2 (en) * | 2008-04-09 | 2010-04-27 | National Semiconductor Corporation | MEMS-topped integrated circuit with a stress relief layer |
US8044755B2 (en) * | 2008-04-09 | 2011-10-25 | National Semiconductor Corporation | MEMS power inductor |
TWI378029B (en) * | 2008-04-11 | 2012-12-01 | San Fang Chemical Industry Co | Patterning method for a covering material by using a high-power exciting beam |
US8673163B2 (en) * | 2008-06-27 | 2014-03-18 | Apple Inc. | Method for fabricating thin sheets of glass |
US7810355B2 (en) | 2008-06-30 | 2010-10-12 | Apple Inc. | Full perimeter chemical strengthening of substrates |
US20100226629A1 (en) * | 2008-07-21 | 2010-09-09 | Solopower, Inc. | Roll-to-roll processing and tools for thin film solar cell manufacturing |
US7998846B2 (en) * | 2008-09-12 | 2011-08-16 | Spansion Llc | 3-D integrated circuit system and method |
JP2010093068A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-04-22 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置およびその製造方法 |
US8187795B2 (en) * | 2008-12-09 | 2012-05-29 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Patterning methods for stretchable structures |
KR101046064B1 (ko) * | 2008-12-11 | 2011-07-01 | 삼성전기주식회사 | 박막소자 제조방법 |
US7981772B2 (en) * | 2008-12-29 | 2011-07-19 | International Business Machines Corporation | Methods of fabricating nanostructures |
US20100297435A1 (en) * | 2009-01-28 | 2010-11-25 | Kaul Anupama B | Nanotubes and related manufacturing processes |
EP2404228B1 (en) | 2009-03-02 | 2020-01-15 | Apple Inc. | Techniques for strengthening glass covers for portable electronic devices |
JP2010232163A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-10-14 | Fujifilm Corp | 発光表示装置の製造方法、発光表示装置、及び発光ディスプレイ |
FR2944124B1 (fr) * | 2009-04-03 | 2012-05-11 | Paragon Identification | Etiquette d'identification de radio frequence(rfid) et procede de fabrication de l'etiquette |
WO2010132539A2 (en) * | 2009-05-14 | 2010-11-18 | Photonic Glass Corporation | Methods and apparatus for wavelength conversion in solar cells and solar cell covers |
US8062733B2 (en) * | 2009-05-15 | 2011-11-22 | Corning Incorporated | Roll-to-roll glass material attributes and fingerprint |
DE102009026682A1 (de) * | 2009-06-03 | 2010-12-09 | Robert Bosch Gmbh | Bauelement mit einer mikromechanischen Mikrofonstruktur und Verfahren zu dessen Herstellung |
US8111724B2 (en) | 2009-07-07 | 2012-02-07 | International Business Machines Corporation | Temperature control device for optoelectronic devices |
US20110008525A1 (en) * | 2009-07-10 | 2011-01-13 | General Electric Company | Condensation and curing of materials within a coating system |
US8359884B2 (en) * | 2009-07-17 | 2013-01-29 | Corning Incorporated | Roll-to-roll glass: touch-free process and multilayer approach |
US20110050623A1 (en) * | 2009-08-31 | 2011-03-03 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Organic conductive composition and touch panel input device including the same |
KR101113692B1 (ko) * | 2009-09-17 | 2012-02-27 | 한국과학기술원 | 태양전지 제조방법 및 이에 의하여 제조된 태양전지 |
JP5257314B2 (ja) * | 2009-09-29 | 2013-08-07 | 大日本印刷株式会社 | 積層体、準備用支持体、積層体の製造方法、及びデバイスの製造方法 |
US9011104B2 (en) * | 2010-01-06 | 2015-04-21 | General Electric Company | Articles having damping coatings thereon |
US9778685B2 (en) | 2011-05-04 | 2017-10-03 | Apple Inc. | Housing for portable electronic device with reduced border region |
US8435798B2 (en) * | 2010-01-13 | 2013-05-07 | California Institute Of Technology | Applications and methods of operating a three-dimensional nano-electro-mechanical resonator and related devices |
US8438876B2 (en) * | 2010-03-29 | 2013-05-14 | Corning Incorporated | Method and apparatus for removing glass soot sheet from substrate |
US9213451B2 (en) | 2010-06-04 | 2015-12-15 | Apple Inc. | Thin glass for touch panel sensors and methods therefor |
US8512588B2 (en) * | 2010-08-13 | 2013-08-20 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Method of fabricating a scalable nanoporous membrane filter |
US10189743B2 (en) | 2010-08-18 | 2019-01-29 | Apple Inc. | Enhanced strengthening of glass |
US8824140B2 (en) | 2010-09-17 | 2014-09-02 | Apple Inc. | Glass enclosure |
KR101381815B1 (ko) * | 2010-09-29 | 2014-04-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 패널 및 그 제조방법 |
KR101295532B1 (ko) * | 2010-11-11 | 2013-08-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉시블 평판소자의 제조방법 |
JP5670178B2 (ja) | 2010-12-28 | 2015-02-18 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光装置 |
US8847232B2 (en) | 2011-01-07 | 2014-09-30 | Eastman Kodak Company | Transistor including reduced channel length |
US8383469B2 (en) | 2011-01-07 | 2013-02-26 | Eastman Kodak Company | Producing transistor including reduced channel length |
US7985684B1 (en) * | 2011-01-07 | 2011-07-26 | Eastman Kodak Company | Actuating transistor including reduced channel length |
US8847226B2 (en) | 2011-01-07 | 2014-09-30 | Eastman Kodak Company | Transistor including multiple reentrant profiles |
US8338291B2 (en) | 2011-01-07 | 2012-12-25 | Eastman Kodak Company | Producing transistor including multiple reentrant profiles |
US8304347B2 (en) | 2011-01-07 | 2012-11-06 | Eastman Kodak Company | Actuating transistor including multiple reentrant profiles |
US10781135B2 (en) | 2011-03-16 | 2020-09-22 | Apple Inc. | Strengthening variable thickness glass |
US9725359B2 (en) | 2011-03-16 | 2017-08-08 | Apple Inc. | Electronic device having selectively strengthened glass |
TWI445626B (zh) * | 2011-03-18 | 2014-07-21 | Eternal Chemical Co Ltd | 製造軟性元件的方法 |
CN102736764B (zh) * | 2011-04-04 | 2015-08-12 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 触控面板及其制造方法 |
US9128666B2 (en) | 2011-05-04 | 2015-09-08 | Apple Inc. | Housing for portable electronic device with reduced border region |
US9765934B2 (en) | 2011-05-16 | 2017-09-19 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Thermally managed LED arrays assembled by printing |
US8745559B2 (en) * | 2011-07-06 | 2014-06-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Systems and methods for creating frequency-dependent netlist |
US9321669B2 (en) | 2011-08-23 | 2016-04-26 | Corning Incorporated | Thin glass sheet with tunable coefficient of thermal expansion |
US8617942B2 (en) | 2011-08-26 | 2013-12-31 | Eastman Kodak Company | Producing transistor including single layer reentrant profile |
US8592909B2 (en) | 2011-08-26 | 2013-11-26 | Eastman Kodak Company | Transistor including single layer reentrant profile |
US8637355B2 (en) | 2011-08-26 | 2014-01-28 | Eastman Kodak Company | Actuating transistor including single layer reentrant profile |
US9944554B2 (en) | 2011-09-15 | 2018-04-17 | Apple Inc. | Perforated mother sheet for partial edge chemical strengthening and method therefor |
US9953845B2 (en) * | 2011-09-23 | 2018-04-24 | Te Connectivity Corporation | Methods and systems for forming electronic modules |
US9516149B2 (en) | 2011-09-29 | 2016-12-06 | Apple Inc. | Multi-layer transparent structures for electronic device housings |
US8865576B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-10-21 | Eastman Kodak Company | Producing vertical transistor having reduced parasitic capacitance |
US8803227B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-08-12 | Eastman Kodak Company | Vertical transistor having reduced parasitic capacitance |
IN2014DN03390A (ja) | 2011-10-03 | 2015-06-05 | Hitachi Chemical Co Ltd | |
US10144669B2 (en) | 2011-11-21 | 2018-12-04 | Apple Inc. | Self-optimizing chemical strengthening bath for glass |
JP5469653B2 (ja) * | 2011-12-12 | 2014-04-16 | 本田技研工業株式会社 | 非破壊検査システム |
US8587084B2 (en) * | 2012-01-02 | 2013-11-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Seamless multi-poly structure and methods of making same |
US8684613B2 (en) | 2012-01-10 | 2014-04-01 | Apple Inc. | Integrated camera window |
US10133156B2 (en) | 2012-01-10 | 2018-11-20 | Apple Inc. | Fused opaque and clear glass for camera or display window |
US8773848B2 (en) | 2012-01-25 | 2014-07-08 | Apple Inc. | Fused glass device housings |
US9199870B2 (en) | 2012-05-22 | 2015-12-01 | Corning Incorporated | Electrostatic method and apparatus to form low-particulate defect thin glass sheets |
KR20140019689A (ko) * | 2012-08-07 | 2014-02-17 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
US9946302B2 (en) | 2012-09-19 | 2018-04-17 | Apple Inc. | Exposed glass article with inner recessed area for portable electronic device housing |
KR20140064481A (ko) * | 2012-11-20 | 2014-05-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US9552977B2 (en) * | 2012-12-10 | 2017-01-24 | Intel Corporation | Landside stiffening capacitors to enable ultrathin and other low-Z products |
KR102047922B1 (ko) | 2013-02-07 | 2019-11-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 기판, 플렉서블 기판의 제조 방법, 플렉서블 표시 장치, 및 플렉서블 표시 장치 제조 방법 |
WO2014172617A1 (en) * | 2013-04-18 | 2014-10-23 | Cornell University | Monolithic pzt actuator, stage, and method for making |
US9459661B2 (en) | 2013-06-19 | 2016-10-04 | Apple Inc. | Camouflaged openings in electronic device housings |
JP6487424B2 (ja) * | 2013-06-27 | 2019-03-20 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光システムのミラー及びミラーを加工する方法 |
US9102011B2 (en) * | 2013-08-02 | 2015-08-11 | Rofin-Sinar Technologies Inc. | Method and apparatus for non-ablative, photoacoustic compression machining in transparent materials using filamentation by burst ultrafast laser pulses |
TWI541508B (zh) * | 2013-09-09 | 2016-07-11 | 群創光電股份有限公司 | 指紋辨識裝置 |
US9105854B2 (en) | 2013-09-20 | 2015-08-11 | International Business Machines Corporation | Transferable transparent conductive oxide |
US9117824B2 (en) | 2013-09-20 | 2015-08-25 | International Business Machines Corporation | Embedded on-chip security |
KR20150043080A (ko) * | 2013-10-14 | 2015-04-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US9452946B2 (en) | 2013-10-18 | 2016-09-27 | Corning Incorporated | Locally-sintered porous soot parts and methods of forming |
KR102110918B1 (ko) * | 2013-10-29 | 2020-05-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
DE102013019434A1 (de) * | 2013-11-20 | 2015-05-21 | Berliner Glas Kgaa Herbert Kubatz Gmbh & Co. | Festkörperfügen eines Trägerkörpers und einer Deckschicht, insbesondere durch anodisches Bonden |
US10153519B2 (en) | 2013-12-27 | 2018-12-11 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Deformable origami batteries |
CN103809809B (zh) * | 2014-01-28 | 2017-03-29 | 北京京东方光电科技有限公司 | 触摸装置及其制造方法 |
US9577196B2 (en) | 2014-02-28 | 2017-02-21 | International Business Machines Corporation | Optoelectronics integration by transfer process |
US9886062B2 (en) | 2014-02-28 | 2018-02-06 | Apple Inc. | Exposed glass article with enhanced stiffness for portable electronic device housing |
US10665377B2 (en) * | 2014-05-05 | 2020-05-26 | 3D Glass Solutions, Inc. | 2D and 3D inductors antenna and transformers fabricating photoactive substrates |
US20160005653A1 (en) * | 2014-07-02 | 2016-01-07 | Nxp B.V. | Flexible wafer-level chip-scale packages with improved board-level reliability |
US9627575B2 (en) | 2014-09-11 | 2017-04-18 | International Business Machines Corporation | Photodiode structures |
WO2016049444A1 (en) | 2014-09-26 | 2016-03-31 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Stretchable batteries |
US10437083B1 (en) * | 2014-10-20 | 2019-10-08 | Lockheed Martin Corporation | Individually addressable infrared mask array |
US20160120472A1 (en) * | 2014-10-31 | 2016-05-05 | The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Low Dissolution Rate Device and Method |
WO2016109652A1 (en) | 2015-01-02 | 2016-07-07 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Archimedean spiral design for deformable electronics |
KR20160084570A (ko) * | 2015-01-05 | 2016-07-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 소자의 제조방법 |
US10502991B2 (en) * | 2015-02-05 | 2019-12-10 | The Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Origami displays and methods for their manufacture |
KR20160112818A (ko) * | 2015-03-20 | 2016-09-28 | 현대자동차주식회사 | 커브드 디스플레이용 터치 센서 및 그 제조 방법 |
US9472411B1 (en) | 2015-03-27 | 2016-10-18 | International Business Machines Corporation | Spalling using dissolvable release layer |
JP2016188907A (ja) | 2015-03-30 | 2016-11-04 | セイコーエプソン株式会社 | 体積ホログラフィック素子、体積ホログラフィック素子の製造方法、および表示装置 |
KR101627815B1 (ko) * | 2015-04-21 | 2016-06-08 | 인천대학교 산학협력단 | 비결정질 이그조(igzo) tft 기반 트랜젼트 반도체의 제조 방법 |
US9711350B2 (en) | 2015-06-03 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for semiconductor passivation by nitridation |
KR102042872B1 (ko) * | 2015-07-28 | 2019-11-08 | 주식회사 엘지화학 | 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법 |
US9422187B1 (en) | 2015-08-21 | 2016-08-23 | Corning Incorporated | Laser sintering system and method for forming high purity, low roughness silica glass |
KR101983013B1 (ko) * | 2015-09-25 | 2019-05-28 | 동우 화인켐 주식회사 | 필름 터치 센서 및 그 제조 방법 |
JP6561804B2 (ja) * | 2015-12-03 | 2019-08-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN105448825B (zh) * | 2016-01-07 | 2018-12-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板的制备方法及显示基板、显示装置 |
US10390698B2 (en) | 2016-06-16 | 2019-08-27 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Conductive and stretchable polymer composite |
DE102016217929A1 (de) | 2016-09-20 | 2018-03-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie |
JP6911386B2 (ja) * | 2017-03-02 | 2021-07-28 | Tdk株式会社 | 電子部品の製造方法 |
US10534204B2 (en) | 2017-11-03 | 2020-01-14 | International Business Machines Corporation | Structured photorefractive layer stack |
JP7008824B2 (ja) | 2017-12-15 | 2022-01-25 | スリーディー グラス ソリューションズ,インク | 接続伝送線路共振rfフィルタ |
PL241081B1 (pl) * | 2018-03-28 | 2022-08-01 | Univ Jagiellonski | Sposób wytwarzania warstw aktywnych polimerowych urządzeń optoelektronicznych |
CN109491139A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-03-19 | 武汉华星光电技术有限公司 | 背光源的制作方法 |
CN109324444B (zh) * | 2018-11-28 | 2020-10-16 | 武汉华星光电技术有限公司 | 面光源背光模组及液晶显示面板、led芯片的焊接方法 |
WO2020264467A1 (en) * | 2019-06-28 | 2020-12-30 | Gentex Corporation | Improved aerospace dust cover |
RU2727061C1 (ru) * | 2019-10-21 | 2020-07-17 | Федеральное государственное бюджетное образовательной учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ повышения добротности термоэлектрического материала на основе твердого раствора Bi2Te3-Bi2Se3 |
US11626815B2 (en) | 2019-10-23 | 2023-04-11 | Guangdong University Of Technology | High-precision rigid-flexible coupling rotating platform and control method thereof |
FR3103315B1 (fr) * | 2019-11-19 | 2021-12-03 | St Microelectronics Tours Sas | Procédé de fabrication de puces électroniques |
US11908617B2 (en) | 2020-04-17 | 2024-02-20 | 3D Glass Solutions, Inc. | Broadband induction |
CN115056042B (zh) * | 2022-05-30 | 2023-11-14 | 西北工业大学 | 一种降低全无机CsPbBr3钙钛矿器件漏电流的表面处理方法 |
WO2024077393A1 (en) * | 2022-10-13 | 2024-04-18 | Vuereal Inc. | Black matrix integration |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09260678A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-10-03 | Canon Inc | 薄膜半導体装置の製造方法 |
JPH09325365A (ja) * | 1996-06-07 | 1997-12-16 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子の製造方法および液晶表示装置 |
US5741624A (en) * | 1996-02-13 | 1998-04-21 | Micron Technology, Inc. | Method for reducing photolithographic steps in a semiconductor interconnect process |
JP2001210789A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-08-03 | Hitachi Ltd | 薄膜コンデンサ内蔵電子回路及びその製造方法 |
JP2001320059A (ja) * | 2000-05-05 | 2001-11-16 | Chi Mei Electronics Corp | 薄膜トランジスタ液晶表示装置とその製造方法 |
JP2002231603A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Nec Kagoshima Ltd | レジストパターン形成方法及びそれを用いたアクティブマトリクス基板の製造方法 |
Family Cites Families (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4023197A (en) * | 1974-04-15 | 1977-05-10 | Ibm Corporation | Integrated circuit chip carrier and method for forming the same |
US4237600A (en) * | 1978-11-16 | 1980-12-09 | Rca Corporation | Method for fabricating stacked semiconductor diodes for high power/low loss applications |
US7304634B2 (en) * | 1995-07-20 | 2007-12-04 | E Ink Corporation | Rear electrode structures for electrophoretic displays |
EP0791459B1 (en) * | 1996-02-22 | 2002-05-22 | Seiko Epson Corporation | Ink-jet recording head, ink-jet recording apparatus using the same, and method for producing ink-jet recording head |
US5817550A (en) * | 1996-03-05 | 1998-10-06 | Regents Of The University Of California | Method for formation of thin film transistors on plastic substrates |
EP1655633A3 (en) * | 1996-08-27 | 2006-06-21 | Seiko Epson Corporation | Exfoliating method, transferring method of thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device |
US6980196B1 (en) * | 1997-03-18 | 2005-12-27 | Massachusetts Institute Of Technology | Printable electronic display |
JP3228181B2 (ja) * | 1997-05-12 | 2001-11-12 | ヤマハ株式会社 | 平坦配線形成法 |
JPH1126733A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-29 | Seiko Epson Corp | 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器 |
JPH11102867A (ja) * | 1997-07-16 | 1999-04-13 | Sony Corp | 半導体薄膜の形成方法およびプラスチック基板 |
US6930754B1 (en) * | 1998-06-30 | 2005-08-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Multiple exposure method |
US6150256A (en) * | 1998-10-30 | 2000-11-21 | International Business Machines Corporation | Method for forming self-aligned features |
TW413844B (en) * | 1998-11-26 | 2000-12-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Manufacturing methods of thin film transistor array panels for liquid crystal displays and photolithography method of thin films |
US6274412B1 (en) * | 1998-12-21 | 2001-08-14 | Parelec, Inc. | Material and method for printing high conductivity electrical conductors and other components on thin film transistor arrays |
US6287899B1 (en) * | 1998-12-31 | 2001-09-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panels for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same |
US6107006A (en) * | 1999-01-18 | 2000-08-22 | Winbond Electronics Corp. | Method for forming pattern |
US6461775B1 (en) * | 1999-05-14 | 2002-10-08 | 3M Innovative Properties Company | Thermal transfer of a black matrix containing carbon black |
US6517995B1 (en) * | 1999-09-14 | 2003-02-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Fabrication of finely featured devices by liquid embossing |
EP1234199A1 (en) * | 1999-12-02 | 2002-08-28 | Gemfire Corporation | Photodefinition of optical devices |
TW451447B (en) * | 1999-12-31 | 2001-08-21 | Samsung Electronics Co Ltd | Contact structures of wirings and methods for manufacturing the same, and thin film transistor array panels including the same and methods for manufacturing the same |
JP2001308002A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-11-02 | Canon Inc | フォトマスクを用いたパターン作製方法、及びパターン作製装置 |
CN1237623C (zh) * | 2000-04-18 | 2006-01-18 | 伊英克公司 | 在衬底上成形晶体管的方法和含聚亚苯基聚酰亚胺的衬底 |
US6774397B2 (en) * | 2000-05-12 | 2004-08-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2002010814A1 (en) * | 2000-08-01 | 2002-02-07 | University Of Maryland, College Park | Method for fabrication of vertically coupled integrated optical structures |
US6291266B1 (en) * | 2000-11-29 | 2001-09-18 | Hrl Laboratories, Llc | Method for fabricating large area flexible electronics |
US6794221B2 (en) * | 2000-11-29 | 2004-09-21 | Hrl Laboratories, Llc | Method of placing elements into receptors in a substrate |
TW490857B (en) * | 2001-02-05 | 2002-06-11 | Samsung Electronics Co Ltd | Thin film transistor array substrate for liquid crystal display and method of fabricating same |
GB2379284A (en) * | 2001-09-01 | 2003-03-05 | Zarlink Semiconductor Ltd | Multiple level photolithography |
JP2003173015A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-06-20 | Hoya Corp | グレートーンマスクの製造方法 |
US6885032B2 (en) * | 2001-11-21 | 2005-04-26 | Visible Tech-Knowledgy, Inc. | Display assembly having flexible transistors on a flexible substrate |
WO2003060986A2 (en) * | 2002-01-11 | 2003-07-24 | The Pennsylvania State University | Method of forming a removable support with a sacrificial layers and of transferring devices |
US6653030B2 (en) * | 2002-01-23 | 2003-11-25 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical-mechanical feature fabrication during manufacture of semiconductors and other micro-devices and nano-devices that include micron and sub-micron features |
CA2374338A1 (en) * | 2002-03-01 | 2003-09-01 | Ignis Innovations Inc. | Fabrication method for large area mechanically flexible circuits and displays |
US6660576B2 (en) * | 2002-03-11 | 2003-12-09 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Substrate and method for producing variable quality substrate material |
US6885146B2 (en) * | 2002-03-14 | 2005-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device comprising substrates, contrast medium and barrier layers between contrast medium and each of substrates |
JP3996794B2 (ja) * | 2002-03-14 | 2007-10-24 | 株式会社 液晶先端技術開発センター | 露光方法及び装置 |
DE60211470T2 (de) * | 2002-03-15 | 2006-11-09 | Vhf Technologies S.A. | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von flexiblen Halbleiter-Einrichtungen |
US6885028B2 (en) * | 2002-03-25 | 2005-04-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Transistor array and active-matrix substrate |
US20030188426A1 (en) * | 2002-04-05 | 2003-10-09 | Display Research Laboratories, Inc. | Method and system for fabricating and transferring microcircuits |
US7223672B2 (en) * | 2002-04-24 | 2007-05-29 | E Ink Corporation | Processes for forming backplanes for electro-optic displays |
JP2005524110A (ja) * | 2002-04-24 | 2005-08-11 | イー−インク コーポレイション | 電子表示装置 |
US6861365B2 (en) * | 2002-06-28 | 2005-03-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method and system for forming a semiconductor device |
US6642092B1 (en) * | 2002-07-11 | 2003-11-04 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Thin-film transistors formed on a metal foil substrate |
US6872509B2 (en) * | 2002-08-05 | 2005-03-29 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for photolithographic processing |
US6887792B2 (en) * | 2002-09-17 | 2005-05-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Embossed mask lithography |
SG125922A1 (en) * | 2002-09-20 | 2006-10-30 | Asml Netherlands Bv | Device inspection |
US20040110326A1 (en) * | 2002-11-20 | 2004-06-10 | Charles Forbes | Active matrix thin film transistor array backplane |
KR100905017B1 (ko) * | 2002-12-27 | 2009-06-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
KR100919635B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2009-09-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 능동행렬 표시장치 |
US20040180295A1 (en) * | 2003-03-10 | 2004-09-16 | Sheng-Yueh Chang | Method for fabricating a dual damascene structure using a single photoresist layer |
US7056834B2 (en) * | 2004-02-10 | 2006-06-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Forming a plurality of thin-film devices using imprint lithography |
-
2005
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-
2007
- 2007-07-11 US US11/776,061 patent/US20070254490A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5741624A (en) * | 1996-02-13 | 1998-04-21 | Micron Technology, Inc. | Method for reducing photolithographic steps in a semiconductor interconnect process |
JPH09260678A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-10-03 | Canon Inc | 薄膜半導体装置の製造方法 |
JPH09325365A (ja) * | 1996-06-07 | 1997-12-16 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子の製造方法および液晶表示装置 |
JP2001210789A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-08-03 | Hitachi Ltd | 薄膜コンデンサ内蔵電子回路及びその製造方法 |
JP2001320059A (ja) * | 2000-05-05 | 2001-11-16 | Chi Mei Electronics Corp | 薄膜トランジスタ液晶表示装置とその製造方法 |
JP2002231603A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Nec Kagoshima Ltd | レジストパターン形成方法及びそれを用いたアクティブマトリクス基板の製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009533845A (ja) * | 2006-04-07 | 2009-09-17 | バルサチリス・エルエルシー | 結晶ドナーからへき開されたドニー層を使用して厚膜および薄膜デバイスを製造するシステムおよび方法 |
JP2011503670A (ja) * | 2007-11-20 | 2011-01-27 | イーストマン コダック カンパニー | ディスプレイ回路を製造するための多色マスク方法 |
JP2011238812A (ja) * | 2010-05-12 | 2011-11-24 | Japan Steel Works Ltd:The | 結晶化半導体薄膜の製造方法および結晶化半導体薄膜 |
JP2012142360A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Ulvac Japan Ltd | 半導体装置 |
US11538653B2 (en) * | 2019-12-13 | 2022-12-27 | Beijing Normal University | Ion beam lithography method based on ion beam lithography system |
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