JP2008227476A5 - - Google Patents
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Claims (8)
- プリント基板に実装された光電変換装置であって、
前記光電変換装置は、光を受光するフォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力を増幅する増幅回路とを有し、
前記フォトダイオードを被覆する絶縁層の表面に、前記フォトダイオードと電気的に接続する第1の端子を有し、
前記増幅回路を被覆する前記絶縁層の表面に、前記増幅回路と電気的に接続する第2の端子を有し、
前記第1の端子と電気的に接続し、前記絶縁層の上面から前記第1の端子側の側面にかけて連続して延びる第1の接続電極を有し、
前記第2の端子と電気的に接続し、前記絶縁層の上面から前記第2の端子側の側面にかけて連続して延びる第2の接続電極を有し、
前記第1の接続電極及び前記第2の接続電極は、印刷法を用いて形成され、
前記第1の接続電極は、前記プリント基板上の第1の電極と電気的に接続され、
前記第2の接続電極は、前記プリント基板上の第2の電極と電気的に接続されていることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1において、
前記フォトダイオード及び前記増幅回路は、絶縁表面を有する基板の一表面に設けられ、
前記第1の接続電極及び前記第2の接続電極は、前記印刷法を用いて形成されたことによって、前記絶縁層上では、前記第1の接続電極及び前記第2の接続電極の形状が、前記絶縁表面を有する基板から離れるにしたがって細くなっていることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項2において、
前記絶縁表面を有する基板は、前記一表面と対向する端面から前記一表面に向けて内側に傾斜するテーパを有し、
前記第1の接続電極及び前記第2の接続電極は、前記印刷法を用いて、前記テーパに沿って形成されたことを特徴とする光電変換装置。 - 請求項3において、
前記第1の接続電極は、前記絶縁層の上面から前記第1の端子側の側面及び前記絶縁表面を有する基板の前記第1の端子側の側面にかけて連続して延び、
前記第2の接続電極は、前記絶縁層の上面から前記第2の端子側の側面及び前記絶縁表面を有する基板の前記第2の端子側の側面にかけて連続して延びていることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項2乃至請求項4のいずれか一において、
前記絶縁表面を有する基板は、ガラス基板でなることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記フォトダイオードは光電変換層を有し、
前記光電変換層の最下層の電極の一端は、前記増幅回路と電気的に接続され、
前記最下層の電極の他端の形状は、上面からみて格子状であることを特徴とする光電変換装置。 - プリント基板に実装された光電変換装置の作製方法であって、
前記光電変換装置は、光を受光するフォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力を増幅する増幅回路とを有し、
前記フォトダイオード、及び前記増幅回路を含む複数の集積回路を形成し、
前記複数の集積回路を被覆する絶縁層を形成し、
前記複数の集積回路のそれぞれにおいて、前記フォトダイオードと電気的に接続する第1の端子と、前記増幅回路と電気的に接続する第2の端子を形成し、
前記複数の集積回路に対して、一の集積回路と、他の集積回路との間の前記絶縁層に、複数のV字状の溝を形成し、
前記複数のV字状の溝の一を充填するように、印刷法を用いて第1の接続電極を、前記第1の端子と電気的に接続するように形成し、かつ前記複数のV字状の溝の他を充填するように、前記印刷法を用いて第2の接続電極を、前記第2の端子と電気的に接続するように形成し、
前記複数のV字状の溝で分断して、前記複数の集積回路を形成し、
前記第1の接続電極と、前記プリント基板上の第1の電極とを電気的に接続し、かつ前記第2の接続電極と、前記プリント基板上の第2の電極とを電気的に接続することを特徴とする光電変換装置の作製方法。 - 請求項7において、
前記複数のV字状の溝は、前記フォトダイオード、及び前記増幅回路が設けられた絶縁表面を有する基板に達するように形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
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US4690714A (en) * | 1979-01-29 | 1987-09-01 | Li Chou H | Method of making active solid state devices |
JPS5613777A (en) * | 1979-07-16 | 1981-02-10 | Shunpei Yamazaki | Photoelectric converter |
US4890383A (en) * | 1988-01-15 | 1990-01-02 | Simens Corporate Research & Support, Inc. | Method for producing displays and modular components |
JPH0666355B2 (ja) | 1988-12-16 | 1994-08-24 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の実装体およびその実装方法 |
US5291038A (en) * | 1990-12-19 | 1994-03-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflective type photointerrupter |
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DE69315907T2 (de) * | 1992-07-27 | 1998-04-16 | Murata Manufacturing Co | Elektronisches Vielschichtbauteil, Verfahren zur dessen Herstellung und Verfahren zur Messung seiner Charakteristiken |
US5635669A (en) * | 1992-07-27 | 1997-06-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer electronic component |
US5821597A (en) * | 1992-09-11 | 1998-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
US6720576B1 (en) * | 1992-09-11 | 2004-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing method and photoelectric conversion device |
JP3393842B2 (ja) | 1992-09-11 | 2003-04-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換装置の作製方法 |
JP3329512B2 (ja) | 1993-03-22 | 2002-09-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体回路およびその作製方法 |
US5501989A (en) * | 1993-03-22 | 1996-03-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of making semiconductor device/circuit having at least partially crystallized semiconductor layer |
JPH06342930A (ja) | 1993-06-01 | 1994-12-13 | Seikosha Co Ltd | 光検出用半導体装置 |
JP3464287B2 (ja) | 1994-09-05 | 2003-11-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP3825475B2 (ja) * | 1995-06-30 | 2006-09-27 | 株式会社 東芝 | 電子部品の製造方法 |
US20020053742A1 (en) * | 1995-09-01 | 2002-05-09 | Fumio Hata | IC package and its assembly method |
JP3507251B2 (ja) | 1995-09-01 | 2004-03-15 | キヤノン株式会社 | 光センサicパッケージおよびその組立方法 |
JP3725266B2 (ja) * | 1996-11-07 | 2005-12-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 配線形成方法 |
JPH11121783A (ja) * | 1997-10-09 | 1999-04-30 | Canon Inc | 光検出装置およびその製造方法 |
JP4372260B2 (ja) * | 1999-03-17 | 2009-11-25 | シャープ株式会社 | 液晶パネルの製造方法 |
JP3614030B2 (ja) * | 1999-04-02 | 2005-01-26 | 株式会社村田製作所 | マザー基板,子基板およびそれを用いた電子部品ならびにその製造方法 |
JP3523815B2 (ja) | 1999-08-30 | 2004-04-26 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
IL133453A0 (en) * | 1999-12-10 | 2001-04-30 | Shellcase Ltd | Methods for producing packaged integrated circuit devices and packaged integrated circuit devices produced thereby |
JP2001036097A (ja) | 2000-01-01 | 2001-02-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP5110748B2 (ja) | 2000-06-06 | 2012-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US6995753B2 (en) * | 2000-06-06 | 2006-02-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
JP2002072963A (ja) * | 2000-06-12 | 2002-03-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光モジュールおよびその駆動方法並びに光センサ |
JP2002026270A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-25 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP4477202B2 (ja) * | 2000-07-12 | 2010-06-09 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US7030551B2 (en) * | 2000-08-10 | 2006-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Area sensor and display apparatus provided with an area sensor |
US6495380B2 (en) * | 2000-12-11 | 2002-12-17 | Nortel Networks Limited | Epitaxially grown avalanche photodiode |
US6747290B2 (en) * | 2000-12-12 | 2004-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Information device |
KR100394808B1 (ko) * | 2001-07-19 | 2003-08-14 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 레벨 적층 칩 패키지 및 그 제조 방법 |
US6500760B1 (en) * | 2001-08-02 | 2002-12-31 | Sandia Corporation | Gold-based electrical interconnections for microelectronic devices |
JP2003060744A (ja) | 2001-08-21 | 2003-02-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 携帯機器 |
US6747348B2 (en) * | 2001-10-16 | 2004-06-08 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for leadless packaging of semiconductor devices |
US6777746B2 (en) * | 2002-03-27 | 2004-08-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Field effect transistor and application device thereof |
US6642081B1 (en) * | 2002-04-11 | 2003-11-04 | Robert Patti | Interlocking conductor method for bonding wafers to produce stacked integrated circuits |
JP2004022901A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Seiko Epson Corp | 光インターコネクション集積回路、光インターコネクション集積回路の製造方法、電気光学装置および電子機器 |
JP4005873B2 (ja) * | 2002-08-15 | 2007-11-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP4373063B2 (ja) * | 2002-09-02 | 2009-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子回路装置 |
EP2256807A3 (en) | 2003-01-08 | 2017-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device and its fabricating method |
US7042052B2 (en) * | 2003-02-10 | 2006-05-09 | Micron Technology, Inc. | Transistor constructions and electronic devices |
US7592201B2 (en) * | 2003-09-09 | 2009-09-22 | Csg Solar Ag | Adjustments of masks by re-flow |
JP2005129909A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光センサー装置および電子機器 |
US7253391B2 (en) | 2003-09-19 | 2007-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Optical sensor device and electronic apparatus |
JP4481135B2 (ja) * | 2003-10-06 | 2010-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
EP1523043B1 (en) * | 2003-10-06 | 2011-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Optical sensor and method for manufacturing the same |
JP4817636B2 (ja) * | 2004-10-04 | 2011-11-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
US7492028B2 (en) * | 2005-02-18 | 2009-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and manufacturing method of the same, and a semiconductor device |
JP5089880B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2012-12-05 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板内蔵用キャパシタ、キャパシタ内蔵配線基板及びその製造方法 |
US7923800B2 (en) * | 2006-12-27 | 2011-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
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