JP2008186925A - 絶縁ゲート炭化珪素半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SiCn+基板1上にn−型半導体層3を備え、該層中に埋め込みp型ベース領域26、27と、前記n−型半導体層3の表面から前記p型ベース領域26に達する深さのトレンチ19と、その底部の前記p型ベース領域26の表面に選択形成されるn+型第一ソース領域30と、前記トレンチ19側壁表面に形成され一端が前記第一ソース領域30に接するp型チャネル領域24と、この領域の前記トレンチ側表面にゲート絶縁膜25を介して接するゲート電極22と、そのトレンチ側表面に層間絶縁膜28を介して接し、且つ前記トレンチ底部に露出する第一ソース領域30とp型ベース領域26とに接するソース電極20とを備える。
【選択図】 図1
Description
特許請求の範囲の請求項3記載の発明によれば、前記トレンチ間の前記一導電型低濃度堆積半導体層の表面層に高濃度の一導電型第二ソース領域を備えた特許請求の範囲の請求項1記載の絶縁ゲート型炭化珪素半導体装置とする。
特許請求の範囲の請求項5記載の発明によれば、前記トレンチの底部に前記第一ベース領域に達する深さのコンタクト用トレンチを備え、該コンタクト用トレンチ内にソース電極を設ける特許請求の範囲の請求項4記載の絶縁ゲート型炭化珪素半導体装置とする。
図1は実施例1にかかる絶縁ゲート型炭化珪素半導体装置の断面図である。図2は実施例1にかかる絶縁ゲート型炭化珪素半導体装置の等価回路図である。図3は実施例1にかかる絶縁ゲート型炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図である。図4は実施例2にかかる絶縁ゲート型炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図である。図5は実施例3にかかる絶縁ゲート型炭化珪素半導体装置の断面図である。図6は実施例4にかかる絶縁ゲート型炭化珪素半導体装置の断面図である。図7は実施例5にかかる絶縁ゲート型炭化珪素半導体装置の断面図である。
3、3a n型高抵抗(低濃度)ドリフト層
10 ドレイン端子
15 SIT
16 MOSFET
17 ソース端子
18 ゲート端子
20 ソース電極
21 ドレイン電極
22 ゲート電極
23 SITのソース領域、n+第二ソース領域
24 pチャネル領域
25 ゲート絶縁膜
26 pベース領域
27 p+ゲート領域
28 層間絶縁膜
29a、29c イオン注入マスク
29b エッチングマスク
30 n+第一ソース領域
31 SITのチャネル領域、ピンチオフ領域。
Claims (6)
- 炭化珪素を主たる半導体材料とし、一導電型高濃度半導体基板上に堆積される一導電型低濃度堆積半導体層を備え、該一導電型低濃度堆積半導体層中に埋め込み形成される他導電型ベース領域と、前記一導電型低濃度堆積半導体層の表面から前記他導電型ベース領域に達する深さのトレンチと、該トレンチ底部の前記他導電型ベース領域の表面層に選択的に形成される一導電型第一ソース領域と、前記トレンチ側壁の前記一導電型低濃度堆積半導体層の表面層に形成され一端が前記一導電型第一ソース領域に接する他導電型チャネル領域と、該他導電型チャネル領域の前記トレンチ側壁表面にゲート絶縁膜を介して接するゲート電極と、該ゲート電極のトレンチ側表面に層間絶縁膜を介して接し、且つ前記トレンチ底部に露出する、一導電型第一ソース領域表面と前記他導電型ベース領域表面とに接するソース電極とを備えることを特徴とする絶縁ゲート型炭化珪素半導体装置。
- 該他導電型チャネル領域の前記トレンチ側壁表面にゲート絶縁膜を介して接するゲート電極が前記トレンチ間の前記一導電型低濃度堆積半導体層の上部に延長されていないことを特徴とする請求項1記載の絶縁ゲート型炭化珪素半導体装置。
- 前記トレンチ間の前記一導電型低濃度堆積半導体層の表面層に高濃度の一導電型第二ソース領域を備えたことを特徴とする請求項1記載の絶縁ゲート型炭化珪素半導体装置。
- 前記他導電型ベース領域が深くて高濃度の第一ベース領域と浅くて低濃度の第二ベース領域との二層構成であることを特徴とする請求項3記載の絶縁ゲート型炭化珪素半導体装置。
- 前記トレンチの底部に前記第一ベース領域に達する深さのコンタクト用トレンチを備え、該コンタクト用トレンチ内にソース電極を設けることを特徴とする請求項4記載の絶縁ゲート型炭化珪素半導体装置。
- 請求項3記載の絶縁ゲート型炭化珪素半導体装置を製造する際に、前記低濃度堆積半導体層中に埋め込み形成される他導電型ベース領域と前記低濃度堆積半導体層の表面から前記他導電型ベース領域に達する深さのトレンチとをそれぞれ形成し、該トレンチの側壁に斜めイオン注入による他導電型チャネル領域を形成後、前記一導電型第一ソース領域と一導電型第二ソース領域とを同時に形成することを特徴とする絶縁ゲート型炭化珪素半導体装置の製造方法。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012064672A (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-29 | Advanced Power Device Research Association | 窒化物系半導体装置 |
WO2013080679A1 (ja) * | 2011-12-02 | 2013-06-06 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
US8525254B2 (en) | 2010-08-12 | 2013-09-03 | Infineon Technologies Austria Ag | Silicone carbide trench semiconductor device |
JP2014135494A (ja) * | 2013-01-14 | 2014-07-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 二重並列チャネル構造を持つ半導体素子及びその半導体素子の製造方法 |
JP5585646B2 (ja) * | 2010-03-04 | 2014-09-10 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | ノーマリーオフ型埋め込みゲート型炭化珪素静電誘導トランジスタの設計方法、ノーマリーオフ型埋め込みゲート型炭化珪素静電誘導トランジスタおよびその製造方法 |
JP2017092472A (ja) * | 2015-11-10 | 2017-05-25 | アナログ デバイシス グローバル | Fet−バイポーラトランジスタの組み合わせ、およびこのようなfet−バイポーラトランジスタの組み合わせを備えたスイッチ |
WO2018231866A1 (en) * | 2017-06-12 | 2018-12-20 | Maxpower Semiconductor, Inc. | Trench-gated heterostructure and double-heterojunction active devices |
US10468487B2 (en) | 2015-10-16 | 2019-11-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008177335A (ja) * | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 炭化珪素絶縁ゲート型半導体装置。 |
US7663184B1 (en) * | 2008-07-31 | 2010-02-16 | Macronix International Co., Ltd. | Memory and method of fabricating the same |
JP2010045123A (ja) * | 2008-08-11 | 2010-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
TW201015718A (en) * | 2008-10-03 | 2010-04-16 | Sanyo Electric Co | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP5588670B2 (ja) * | 2008-12-25 | 2014-09-10 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP5588671B2 (ja) | 2008-12-25 | 2014-09-10 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2010225816A (ja) | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2011134910A (ja) | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Rohm Co Ltd | SiC電界効果トランジスタ |
JP5729331B2 (ja) * | 2011-04-12 | 2015-06-03 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
US20130240981A1 (en) * | 2011-04-22 | 2013-09-19 | Infineon Technologies Austria Ag | Transistor array with a mosfet and manufacturing method |
JP5867134B2 (ja) * | 2012-02-13 | 2016-02-24 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2013165197A (ja) | 2012-02-13 | 2013-08-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2014060362A (ja) | 2012-09-19 | 2014-04-03 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2014131008A (ja) * | 2012-11-29 | 2014-07-10 | Fuji Electric Co Ltd | ワイドバンドギャップ半導体装置 |
JP6078390B2 (ja) * | 2013-03-25 | 2017-02-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US20160013301A1 (en) * | 2014-07-10 | 2016-01-14 | Nuvoton Technology Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US10937874B2 (en) * | 2016-08-10 | 2021-03-02 | Nissan Motor Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN110518065B (zh) * | 2019-09-07 | 2021-07-02 | 电子科技大学 | 低功耗高可靠性的沟槽型碳化硅mosfet器件 |
CN113140632B (zh) * | 2020-01-17 | 2022-12-23 | 清纯半导体(宁波)有限公司 | 沟槽型mosfet器件及其制备方法 |
CN111883515A (zh) * | 2020-07-16 | 2020-11-03 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 沟槽栅器件及其制作方法 |
CN113130627B (zh) * | 2021-04-13 | 2022-08-23 | 电子科技大学 | 一种集成沟道二极管的碳化硅鳍状栅mosfet |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56165350A (en) * | 1980-05-26 | 1981-12-18 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and manufacture thereof |
JPS632368A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH0690009A (ja) * | 1992-03-05 | 1994-03-29 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2001291869A (ja) * | 2000-04-06 | 2001-10-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002353446A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-06 | Fuji Electric Co Ltd | トレンチ型半導体装置およびその製造方法 |
JP2003017699A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Toshiba Corp | 半導体素子及びその製造方法 |
JP2005012051A (ja) * | 2003-06-20 | 2005-01-13 | Toshiba Corp | 高耐圧半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3158973B2 (ja) | 1995-07-20 | 2001-04-23 | 富士電機株式会社 | 炭化けい素縦型fet |
SE9704149D0 (sv) | 1997-11-13 | 1997-11-13 | Abb Research Ltd | A semiconductor device of SiC and a transistor of SiC having an insulated gate |
JP4595144B2 (ja) | 1999-09-21 | 2010-12-08 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
JP4528460B2 (ja) | 2000-06-30 | 2010-08-18 | 株式会社東芝 | 半導体素子 |
JP4029595B2 (ja) * | 2001-10-15 | 2008-01-09 | 株式会社デンソー | SiC半導体装置の製造方法 |
US6858500B2 (en) * | 2002-01-16 | 2005-02-22 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and its manufacturing method |
JP4153811B2 (ja) | 2002-03-25 | 2008-09-24 | 株式会社東芝 | 高耐圧半導体装置及びその製造方法 |
US6855970B2 (en) | 2002-03-25 | 2005-02-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High-breakdown-voltage semiconductor device |
US6800904B2 (en) * | 2002-10-17 | 2004-10-05 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same |
WO2004036655A1 (ja) | 2002-10-18 | 2004-04-29 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 炭化ケイ素半導体装置及びその製造方法 |
JP4265234B2 (ja) | 2003-02-13 | 2009-05-20 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
US6800509B1 (en) * | 2003-06-24 | 2004-10-05 | Anpec Electronics Corporation | Process for enhancement of voltage endurance and reduction of parasitic capacitance for a trench power MOSFET |
JP4604241B2 (ja) | 2004-11-18 | 2011-01-05 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 炭化ケイ素mos電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
US7351637B2 (en) * | 2006-04-10 | 2008-04-01 | General Electric Company | Semiconductor transistors having reduced channel widths and methods of fabricating same |
JP2008177335A (ja) | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 炭化珪素絶縁ゲート型半導体装置。 |
-
2007
- 2007-01-29 JP JP2007017945A patent/JP5303839B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-01-29 US US12/021,773 patent/US7791135B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-07-23 US US12/842,116 patent/US8039346B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56165350A (en) * | 1980-05-26 | 1981-12-18 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and manufacture thereof |
JPS632368A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH0690009A (ja) * | 1992-03-05 | 1994-03-29 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2001291869A (ja) * | 2000-04-06 | 2001-10-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002353446A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-06 | Fuji Electric Co Ltd | トレンチ型半導体装置およびその製造方法 |
JP2003017699A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Toshiba Corp | 半導体素子及びその製造方法 |
JP2005012051A (ja) * | 2003-06-20 | 2005-01-13 | Toshiba Corp | 高耐圧半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5585646B2 (ja) * | 2010-03-04 | 2014-09-10 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | ノーマリーオフ型埋め込みゲート型炭化珪素静電誘導トランジスタの設計方法、ノーマリーオフ型埋め込みゲート型炭化珪素静電誘導トランジスタおよびその製造方法 |
US8525254B2 (en) | 2010-08-12 | 2013-09-03 | Infineon Technologies Austria Ag | Silicone carbide trench semiconductor device |
JP2012064672A (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-29 | Advanced Power Device Research Association | 窒化物系半導体装置 |
WO2013080679A1 (ja) * | 2011-12-02 | 2013-06-06 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2014135494A (ja) * | 2013-01-14 | 2014-07-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 二重並列チャネル構造を持つ半導体素子及びその半導体素子の製造方法 |
US10468487B2 (en) | 2015-10-16 | 2019-11-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
JP2017092472A (ja) * | 2015-11-10 | 2017-05-25 | アナログ デバイシス グローバル | Fet−バイポーラトランジスタの組み合わせ、およびこのようなfet−バイポーラトランジスタの組み合わせを備えたスイッチ |
WO2018231866A1 (en) * | 2017-06-12 | 2018-12-20 | Maxpower Semiconductor, Inc. | Trench-gated heterostructure and double-heterojunction active devices |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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