JP2012064672A - 窒化物系半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ショットキー電極30が、ソース電極24とドレイン電極26とが対向する領域の、ソース電極24とドレイン電極26とが対向する方向と略直交する方向にゲート電極28と並んで形成されている。ショットキー電極30は、AlGaN層20とショットキー接合されており、ソース電極24に電気的に接続されている。
【選択図】図1
Description
12 基板
14 バッファ層
16 GaN層
18 2DEG層
20 AlGaN層
21、51 リセス部
22、52 表面保護膜
23、53 ゲート絶縁膜
24 ソース電極
26 ドレイン電極
28 ゲート電極
30、72 ショットキー電極
32 MOSFET部
64 p−AlGaN層
Claims (8)
- 基板と、
前記基板上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層上に形成された窒化物系化合物半導体より成る電子走行層と、
前記電子走行層上に形成され、前記電子走行層とはバンドギャップエネルギーが異なる電子供給層と、
前記電子供給層上に、対向して配置されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間でかつ、前記ソース電極と前記ドレイン電極とが対向する方向と直交する方向の一部の領域に、前記電子供給層に形成されたリセス部と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間でかつ、前記ソース電極と前記ドレイン電極とが対向する方向と直交する方向の他の領域に形成された、前記ソース電極に接続されてキャリアを輸送するキャリア輸送用電極と、
前記リセス部内部を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、
前記リセス部内の前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
を備えた窒化物系半導体装置。 - 前記電子走行層に発生する2次元電子ガスのシートキャリア濃度は2×1012cm−2以上である、請求項1に記載の窒化物系半導体装置。
- 前記キャリア輸送用電極と前記ドレイン電極との距離が、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との距離よりも短い、請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
- 前記キャリア輸送用電極が、前記電子供給層及び前記電子走行層の少なくとも一方とショットキー接合されている、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の窒化物系半導体装置。
- 前記電子供給層の表面から前記電子供給層内部または前記電子走行層内部に到る深さまでの領域に前記キャリア輸送用電極が形成されている請求項4に記載の窒化物系半導体装置。
- 前記電子供給層上にp型半導体層を備え、前記p型半導体層上に前記キャリア輸送用電極がオーミック接合されている、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の窒化物系半導体装置。
- 前記ソース電極から前記リセス部の下部領域に到るまでの前記ゲート絶縁膜の下部領域に形成された第1のn+半導体層と、
前記リセス部の下部領域から前記キャリア輸送用電極の手前に到るまでの前記ゲート絶縁膜の下部領域に形成され、前記キャリア輸送用電極に接続されていない第2のn+層のうち少なくともいずれか、
を備えた請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の窒化物系半導体装置。 - 前記ドレイン電極の下部領域の電子供給層及び電子走行層にn+半導体層を備える、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の窒化物系半導体装置。
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