JP7176475B2 - 半導体装置 - Google Patents
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第1実施形態の半導体装置について、図1および図2を参照しつつ説明する。なお、図1は、本実施形態における半導体装置に備えられる素子の1セル分を示した断面図である。つまり、半導体装置は、実際には、このセルが複数備えられることで構成されている。また、図1は、図2中のI-I線に沿った断面図に相当している。
第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対し、u-GaN層5およびp-GaN層12の構成を変更したものである。その他に関しては、第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
2 u-GaN層(第1半導体層)
3 u-AlGaN層(第2半導体層)
5 u-GaN層(第3半導体層)
6 ゲート構造部
7 リセス部
8 ゲート絶縁膜
9 MOSゲート電極
10 ソース電極
11 ドレイン電極
12 p-GaN層(第4半導体層)
13 ジャンクションゲート電極
Claims (2)
- 横型のスイッチングデバイスを有する半導体装置であって、
基板(1)上に形成され、ドリフト領域を構成する第1のGaN系半導体にて構成された第1半導体層(2)および前記第1のGaN系半導体よりもバンドギャップエネルギーが大きい第2のGaN系半導体にて構成された第2半導体層(3)にて構成されるヘテロジャンクション構造を有し、前記第2半導体層にリセス部(7)が形成されたチャネル形成層(2、3)と、
前記リセス部内に形成されたゲート絶縁膜(8)および該ゲート絶縁膜の上に形成されたMOS構造のゲート電極となるMOSゲート電極(9)を有するゲート構造部(6)と、
前記第2半導体層の上において、前記ゲート構造部を挟んだ両側に配置されたソース電極(10)およびドレイン電極(11)と、
前記第2半導体層の上において、前記ゲート構造部と前記ドレイン電極との間における前記ドレイン電極から離れた位置に配置され、不純物がドープされていない第3のGaN系半導体にて構成された第3半導体層(5)と、
前記第3半導体層の上に形成されたp型の第4のGaN系半導体によって構成された第4半導体層(12)と、
前記第4半導体層に接触させられたジャンクションゲート電極(13)と、を備えるスイッチングデバイスを有し、
前記ソース電極と前記ジャンクションゲート電極は、電気的に接続されており、
前記第3半導体層および前記第4半導体層は、前記ゲート絶縁膜のうちの前記ドレイン電極側の部分と接しており、さらに、前記ゲート構造部と前記ソース電極との間にも形成されており、前記ソース電極から離れていると共に、前記ゲート絶縁膜のうちの前記ソース電極側の部分とも接している半導体装置。 - 前記第3半導体層および前記第4半導体層は、前記基板の面方向に対する法線方向において、前記ゲート構造部を囲むように形成されている請求項1に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019100520A JP7176475B2 (ja) | 2019-05-29 | 2019-05-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2019100520A JP7176475B2 (ja) | 2019-05-29 | 2019-05-29 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2020194919A JP2020194919A (ja) | 2020-12-03 |
JP7176475B2 true JP7176475B2 (ja) | 2022-11-22 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2019100520A Active JP7176475B2 (ja) | 2019-05-29 | 2019-05-29 | 半導体装置 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP7176475B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022217436A1 (en) * | 2021-04-12 | 2022-10-20 | Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing thereof |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011243978A (ja) | 2010-04-23 | 2011-12-01 | Advanced Power Device Research Association | 窒化物系半導体装置 |
WO2011162243A1 (ja) | 2010-06-24 | 2011-12-29 | ザ ユニバーシティ オブ シェフィールド | 半導体素子 |
JP2012178464A (ja) | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2013077629A (ja) | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2019009308A (ja) | 2017-06-26 | 2019-01-17 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
-
2019
- 2019-05-29 JP JP2019100520A patent/JP7176475B2/ja active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011243978A (ja) | 2010-04-23 | 2011-12-01 | Advanced Power Device Research Association | 窒化物系半導体装置 |
WO2011162243A1 (ja) | 2010-06-24 | 2011-12-29 | ザ ユニバーシティ オブ シェフィールド | 半導体素子 |
JP2012178464A (ja) | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2013077629A (ja) | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2019009308A (ja) | 2017-06-26 | 2019-01-17 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020194919A (ja) | 2020-12-03 |
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