JP2007059589A - 窒化物半導体素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 窒化物半導体からなる第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に設けられ前記第1の半導体層よりもバンドギャップが大なるノンドープまたはn型の窒化物半導体からなる第2の半導体層と、を有する積層体と、前記積層体の主面上の第1の領域に直接もしくは絶縁膜を介して設けられた制御電極と、前記積層体の主面上の前記第1の領域の両端に隣接する第2及び第3の領域にそれぞれ設けられた第1及び第2の主電極と、前記積層体の主面上において前記第2の主電極を挟んで前記制御電極とは反対側に設けられた第3の主電極と、を備えたことを特徴とする窒化物半導体素子を提供する。
【選択図】 図1
Description
窒化物半導体からなる第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に設けられ前記第1の半導体層よりもバンドギャップが大なるノンドープまたはn型の窒化物半導体からなる第2の半導体層と、を有する積層体と、
前記積層体の主面上の第1の領域に直接もしくは絶縁膜を介して設けられた制御電極と、
前記積層体の主面上の前記第1の領域の両端に隣接する第2及び第3の領域にそれぞれ設けられた第1及び第2の主電極と、
前記積層体の主面上において前記第2の主電極を挟んで前記制御電極とは反対側に設けられた第3の主電極と、
を備えたことを特徴とする窒化物半導体素子が提供される。
図1は、本発明の実施形態に係る窒化物半導体のHFET構造の実施例を例示する断面図である。
同図に表すように、アンドープGaNなどからなるチャネル層10の主面上にアンドープAlGaNなどからなるバリア層20が積層され、さらに、その主面上にショットキー接合を形成するゲート電極40が設けられている。バリア層20は、チャネル層10よりもバンドギャップの大きな窒化物半導体により形成されている。ゲート電極40の両側には、ソース電極30と、ドレイン電極50と、が設けられている。ソース電極30とドレイン電極50間は、ドレイン電極50側が正極になるように電気的に接続され、ゲート電極40とソース電極30間は、ソース電極側が正極になるように電気的に接続される。ここで、ゲート電極40とドレイン電極50の間の距離Dgdが、ソース電極30とゲート電極40の間の距離Dsgより長くなるよう非対称に形成すると、耐圧の高いスイッチング素子が得られる。
また、図3は、比較例のHFET構造における動作を説明するための概念図である。
なお、図2以降の図面については、既出の図面に関して説明したものと同様の要素には同一の符号を付して、詳細な説明は適宜省略する。
まず、図3を参照しつつ、比較例のHFETにおける動作について説明する。本比較例のHFETの基本構造は、図1に表したものと同様であるが、ホール抜き電極60が設けられていない。
以上、本実施形態に係る窒化物半導体デバイスの耐アバランシェメカニズムを説明した。
図4は、本実施形態の窒化物半導体素子の第2の具体例を表す断面図である。
本具体例においては、ホール抜き電極60の下面が、その下方のGaNチャネル層10に近接する程度にAlGaNバリア層20に埋入されている。ホール抜き電極60とGaNチャネル層10とに挟持されたAlGaNバリア層20の膜厚を薄くすることにより、ホールがAlGaNバリア層20をトンネルし、ホールを速やかに引き抜くことができる。その結果として、低オン抵抗性を維持しつつ、アバランシェ耐量を向上させることができる。
本具体例においては、ホール引き抜き電極60はソース電極30と接続されている。すなわち、本発明の実施形態においてホール引き抜き電極60からホールを引き抜くためには、ホール抜き電極60がドレイン電極50に対して負にバイアスされていればよい。したがって、ソース電極30とホール抜き電極60とを共通接続して同一の負のバイアスを印加すればよい。このようにすると、ホール抜き電極60にバイアスを加える回路が不要になり、アバランシェ耐量を向上させることができる。
本具体例においては、ドレイン電極50とゲート電極40間の距離Laが、ドレイン電極50とホール抜き電極60間の距離Lbよりも長くなるように形成されている。つまり、ゲート電極40とソース電極30間の電圧は、ドレイン電極50とソース電極30間よりも小さくなるように設定する。このようにすると、アバランシェ降伏により生成されたホールをより確実にホール引き抜き電極60から引き抜くことができる。
すなわち、アバランシェ降伏により生じたホールを確実にホール抜き電極60から引き抜くためには、ゲート電極40とホール電極60間でアバランシェ降伏させるより、ドレイン電極50とホール抜き電極60間でアバランシェ降伏させることが望ましい。
本具体例においては、ドレイン電極50とゲート電極40間の距離Laを、ドレイン電極50とホール引き抜き電極60間の距離Lbよりも長くすることにより、ホール抜き電極60とドレイン電極50との間の電界強度が、ゲート電極40とドレイン電極50との間の電界強度よりも大きくなる。このため、ホール抜き電極60とドレイン電極50との間で確実にアバランシェ降伏させ、生成されたホールをほぼ全てホール引き抜き電極60へ引き抜くことにより、高いアバランシェ耐量が得られる。
本具体例においては、ホール引き抜き電極60はゲート電極40と接続され、同電位とされている。すなわち、ホール引き抜き電極60からホールを引き抜くためには、ホール引き抜き電極60がドレイン電極に対して負にバイアスされていればよい。
本具体例においては、ホール抜き電極60が接するGaNチャネル層10を深さD程度堀込み、GaN層10を埋入させるようにホール抜き電極60が設けられている。このようにホール抜き電極60をGaN層10に埋入すると、より確実にホールを引き抜くことが可能となる。なお、本具体例における各電極の接続関係としては、図1、図5及び図7に関して前述したいずれを採用することもできる。
本具体例においては、ソース電極30とドレイン電極50との間のAlGaNバリア層20にリセス部20Rが設けられ、このリセス部20Rに収容されるようにゲート電極40が設けられている。
このようにゲート電極40直下のAlGaNバリア層20の厚みを薄くすると、GaNチャネル層10とのヘテロ界面の電子濃度を選択的に低下させ、ゲート電圧を印加しない時にオフ状態とすることができる。つまり、いわゆる「ノーマリ・オフ型」のスイッチング素子を実現でき、短絡動作の防止やゲート駆動回路の簡略化が可能となる。そして、ホール引き抜き電極60を設けることにより、低オン抵抗を維持しつつアバランシェ耐量を向上させることができる。
本具体例においては、ホール抜き電極60とGaNチャネル層10との間にコンタクト層70が挟持されている。コンタクト層70の材料としては、例えば、p型InGaNを用いることができる。このようなコンタクト層70を設けることにより、ホールに対するコンタクト抵抗率が低減し、より速やかにホールを抜き出すことができる。
本具体例においては、ホール抜き電極60と、GaNチャネル層10及びAlGaNバリア層20との間にコンタクト層80が設けられる。コンタクト層80を、ホール引き抜き電極60の側面にまで回り込むように設けることにより、ホールの流入をさらに速やかにすることが可能となる。
本具体例においては、ゲート電極40下にp型のInGaN層44が形成されている。これにより、ゲート電極40下の2DEGチャネルが空乏化され、ノーマリーオフ動作が実現できる。p型のInGaN層44は、コンタクト層70と同時に形成することが可能である。
また、図13に表したように、p型の多結晶シリコン層によりゲート下半導体層46とコンタクト層80を形成してもノーマリオフ動作を実現可能である。
本具体例においては、図14(a)に表したように、AlGaNバリア層20の主面上において、平行に並んだゲート電極40とドレイン電極50は、このゲート電極側に設けられたソース電極30と、ドレイン電極50側に設けられソース電極30に接続されたホール抜き電極60と、により取り囲まれている。
本具体例においては、AlGaNバリア層20の主面上において、ストライプ状のホール抜き電極60は、ドレイン電極50で囲まれ、その外側でゲート電極40で囲まれ、さらに、その外側でソース電極30で囲まれている。
本具体例においては、ゲート電極40の上を覆うように絶縁膜90が形成されている。そして、絶縁膜90の上には、ソース電極30に接続されたフィールドプレート電極100が、ゲート電極40の上に延在するように設けられている。
このフィールドプレート電極100により、ゲート電極40の端部の電界が緩和され、ゲート・ドレイン間の耐圧が向上し、ホール抜き電極60とドレイン電極50間でより確実にアバランシェ降伏させることが可能となる。なお、フィールドプレート電極100をゲート電極40に接続しても、同様の効果が得られる。
本具体例においては、図16に関して前述したフィールドプレート電極100に加えて、さらに、ドレイン電極50に接続された第2フィールドプレート電極110が、絶縁膜90上をゲート電極40の方向へ延在するように設けられている。
本具体例においては絶縁膜90の上に、ソース電極30に接続されたフィールドプレート電極100がドレイン電極40の方向に延設され、一方、ホール抜き電極60に接続された第3フィールドプレート電極120が、ドレイン電極40の方向に延設されている。この時、ホール抜き電極60とドレイン電極50間で、確実にアバランシェ降伏を発生させるためには、ゲート電極40端部からフィールドプレート電極100の先端(ドレイン側)までの距離L1が、コンタクト層80端部から第3のフィールドプレート電極120の先端(ドレイン側)までの距離L2よりも長くなるように形成することが望ましい(L1>L2)。 本具体例においては、第3フィールドプレート電極120を設けることにより、ホール抜き電極60端部で電界が緩和されるため、素子全体の耐圧を向上させることができる。そして、ホール抜き電極60とドレイン電極50間で、確実にアバランシェ降伏を生させることができ、アバランシェ耐量を向上させることができる。
本具体例においては、ドレイン電極50に接続された第4フィールドプレート130が絶縁膜90を貫通して、絶縁膜90上に延在して設けられている。このフィールドプレート電極130を設けることにより、素子全体の耐圧をさらに向上させることができる。ここで、第4フィールドプレート130は、ゲート電極40方向に距離L3で延設され、ホール抜き電極60方向にも距離L4で延設されている。ホール抜き電極60とドレイン電極50間で、確実にアバランシェ降伏を生させるためには、ドレイン電極50端部からフィールドプレート電極130の先端(ゲート側)間での距離L3を、ドレイン電極端部からフィールドプレート電極130の先端(ホール抜き電極側)までの距離L4よりも長くすることが望ましい(L3>L4)。
例えば、本発明の窒化物半導体デバイスを構成する各要素の材質、形状、パターニング、などについては、当業者が適宜変更を加えたものであっても、本発明の要旨を包含する限りのいて本発明の範囲に包含される。
Schottoky Barrier Diode)と同様の構造からなるので、本実施形態を用いた高耐圧用のHSBDが得られる。
図20は、このようなMISゲート型の窒化物半導体素子を例示する断面図である。
このように、AlGaNバリア層20とゲート電極40との間にゲート絶縁膜150を設けたMISゲート型の窒化物半導体素子についても、本発明を同様に適用して同様の作用効果を得ることができる。
20 AlGaNバリア層
30 ソース電極
40 ゲート電極
50 ドレイン電極
60 ホール抜き電極
70 InGaN層
80 多結晶シリコン層
90 絶縁膜
100 フィールドプレート電極
110 第2のフィールドプレート電極
120 第3のフィールドプレート電極
130 第4のフィールドプレート電極
150 ゲート絶縁膜
Claims (5)
- 窒化物半導体からなる第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に設けられ前記第1の半導体層よりもバンドギャップが大なるノンドープまたはn型の窒化物半導体からなる第2の半導体層と、を有する積層体と、
前記積層体の主面上の第1の領域に直接もしくは絶縁膜を介して設けられた制御電極と、
前記積層体の主面上の前記第1の領域の両端に隣接する第2及び第3の領域にそれぞれ設けられた第1及び第2の主電極と、
前記積層体の主面上において前記第2の主電極を挟んで前記制御電極とは反対側に設けられた第3の主電極と、
を備えたことを特徴とする窒化物半導体素子。 - 前記第3の主電極は、前記第1の主電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1記載の窒化物半導体素子。
- 前記第3の主電極は、前記第1の半導体層に接触してなることを特徴とする請求項1または2に記載の窒化物半導体素子。
- 前記第3の主電極は、p型の半導体層を介して前記第1の半導体層に接続されてなることを特徴とする請求項1または2に記載の窒化物半導体素子。
- 前記制御電極と前記第2の主電極との間隔は、前記第2の主電極と前記第3の主電極との間隔よりも大なることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の窒化物半導体素子。
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