JP2005093864A - 電力用半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電力用半導体装置は、ノンドープAlXGa1−XN(0≦X≦1)の第1半導体層1と、第1半導体層1上に配設されたノンドープ若しくはn型AlYGa1−YN(0≦Y≦1、X<Y)の第2半導体層2と、を有する。第2半導体層2には、互いに離間するように配設されたソース電極14及びドレイン電極15が電気的に接続される。ソース電極14とドレイン電極15との間で第2半導体層2上にゲート電極13が配設される。ゲート電極13とドレイン電極15との間で絶縁膜16が第2半導体層2を覆う。第1フィールドプレート電極17が絶縁膜16上に配設され且つゲート電極13に電気的に接続される。第2フィールドプレート電極18が絶縁膜16上に配設され且つソース電極14に電気的に接続される。
【選択図】 図1
Description
ノンドープAlXGa1−XN(0≦X≦1)の第1半導体層と、
前記第1半導体層上に配設されたノンドープ若しくはn型AlYGa1−YN(0≦Y≦1、X<Y)の第2半導体層と、
互いに離間するように配設され且つ前記第2半導体層に電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間で前記第2半導体層上に配設されたゲート電極と、
前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間で前記第2半導体層を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜上に配設され且つ前記ゲート電極に電気的に接続された第1フィールドプレート電極と、
前記絶縁膜上に配設され且つ前記ソース電極に電気的に接続された第2フィールドプレート電極と、
を具備することを特徴とする。
ノンドープAlXGa1−XN(0≦X≦1)の第1半導体層と、
前記第1半導体層上に配設されたノンドープ若しくはn型AlYGa1−YN(0≦Y≦1、X<Y)の第2半導体層と、
互いに離間するように前記第2半導体層上若しくは前記第2半導体層の表面内に配設され且つ前記第2半導体層よりも低い抵抗を有するn型AlZGa1−ZN(0≦Z≦1)の第1及び第2コンタクト層と、
前記第1及び第2コンタクト層上に配設されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間で前記第2半導体層上に配設されたゲート電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間で前記ゲート電極を覆うように前記第2半導体層上に配設された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に配設され且つ前記ソース電極に電気的に接続された第1フィールドプレート電極と、
前記絶縁膜上に配設され且つ前記ドレイン電極に電気的に接続された第2フィールドプレート電極と、
を具備することを特徴とする。
ノンドープAlXGa1−XN(0≦X≦1)の第1半導体層と、
前記第1半導体層上に配設されたノンドープ若しくはn型AlYGa1−YN(0≦Y≦1、X<Y)の第2半導体層と、
互いに離間するように配設され且つ前記第2半導体層に電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間で前記第2半導体層上に配設されたゲート電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間で前記ゲート電極を覆うように前記第2半導体層上に配設された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に配設され且つ前記ソース電極に電気的に接続された第1フィールドプレート電極と、
前記絶縁膜上に配設され且つ前記ドレイン電極に電気的に接続された第2フィールドプレート電極と、
前記ドレイン電極に隣接して前記第1及び第2半導体層にコンタクトし且つ前記ドレイン電極に電気的に接続されたドレインコンタクト電極と、
を具備することを特徴とする。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る窒化物系の電力用半導体装置(GaN系パワーHEMT)を模式的に示す断面図である。
図2は、本発明の第2の実施の形態に係る窒化物系の電力用半導体装置(GaN系パワーHEMT)を模式的に示す断面図である。
図3は、本発明の第3の実施の形態に係る窒化物系の電力用半導体装置(GaN系パワーHEMT)を模式的に示す断面図である。
図4は、本発明の第4の実施の形態に係る窒化物系の電力用半導体装置(GaN系パワーHEMT)を模式的に示す断面図である。
図5は、本発明の第5の実施の形態に係る窒化物系の電力用半導体装置(GaN系パワーHEMT)を模式的に示す断面図である。
図6は、本発明の第6の実施の形態に係る窒化物系の電力用半導体装置(GaN系パワーHEMT)を模式的に示す断面図である。
チャネル層31はAlXGa1−XN(0≦X≦1)、例えば、GaNからなる。バリア層32はAlYGa1−YN(0≦Y≦1、X<Y)、例えば、Al0.2 Ga0.8 Nからなる。一方、ソース及びドレインコンタクト層33、34は、エッチングにより溝を形成した後に選択成長により埋込み層を形成するプロセス、或いは、n型不純物のイオン注入と熱処理とを使用するプロセスなどにより形成することが可能である。従って、ソース及びドレインコンタクト層33、34の組成は、プロセスに依存して決定される。しかし、ソース及びドレインコンタクト層33、34は、一般式として、AlZGa1−ZN(0≦Z≦1)で表すことができる。
図7は、本発明の第7の実施の形態に係る窒化物系の電力用半導体装置(GaN系パワーHEMT)を模式的に示す断面図である。
図8は、本発明の第8の実施の形態に係る窒化物系の電力用半導体装置(GaN系パワーHEMT)を模式的に示す断面図である。
図11は、本発明の第9の実施の形態に係る窒化物系の電力用半導体装置(GaN系パワーHEMT)を模式的に示す断面図である。
図12は、本発明の第10の実施の形態に係る窒化物系の電力用半導体装置(GaN系パワーHEMT)を模式的に示す断面図である。
図13は、本発明の第11の実施の形態に係る窒化物系の電力用半導体装置(GaN系パワーHEMT)を模式的に示す断面図である。
Claims (22)
- ノンドープAlXGa1−XN(0≦X≦1)の第1半導体層と、
前記第1半導体層上に配設されたノンドープ若しくはn型AlYGa1−YN(0≦Y≦1、X<Y)の第2半導体層と、
互いに離間するように配設され且つ前記第2半導体層に電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間で前記第2半導体層上に配設されたゲート電極と、
前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間で前記第2半導体層を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜上に配設され且つ前記ゲート電極に電気的に接続された第1フィールドプレート電極と、
前記絶縁膜上に配設され且つ前記ソース電極に電気的に接続された第2フィールドプレート電極と、
を具備することを特徴とする電力用半導体装置。 - 前記第2フィールドプレート電極は前記第1フィールドプレート電極と前記ドレイン電極との間に介在する介在電極部を具備することを特徴とする請求項1に記載の電力用半導体装置。
- 前記絶縁膜は前記第2半導体層上に配設された第1絶縁膜を具備し、前記第1フィールドプレート電極及び前記介在電極部は前記第1絶縁膜上に配設されることを特徴とする請求項2に記載の電力用半導体装置。
- 前記第2フィールドプレート電極は、前記ソース電極と前記介在電極部とを接続すると共に層間絶縁膜を介して前記第1フィールドプレート電極を覆う被覆電極部を具備することを特徴とする請求項3に記載の電力用半導体装置。
- 前記第2フィールドプレート電極は、層間絶縁膜を介して前記第1フィールドプレート電極を覆う被覆電極部を具備し、前記被覆電極部の先端部は、前記第1フィールドプレート電極よりも前記ドレイン電極側に延在することを特徴とする請求項1に記載の電力用半導体装置。
- 前記絶縁膜は、前記第1及び第2フィールドプレート電極下において夫々第1及び第2厚さを有し、前記第2厚さは前記第1厚さよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の電力用半導体装置。
- 前記絶縁膜は前記第2半導体層上に配設された第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に配設された第2絶縁膜とを具備し、前記第1フィールドプレート電極は前記第1絶縁膜上に配設され、前記第2フィールドプレート電極は前記第2絶縁膜上に配設されることを特徴とする請求項6に記載の電力用半導体装置。
- 前記絶縁膜上に配設され且つ前記ドレイン電極に電気的に接続された第3フィールドプレート電極を更に具備することを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の電力用半導体装置。
- 前記絶縁膜は前記第2半導体層上に配設された第1絶縁膜を具備し、前記第1及び第3フィールドプレート電極は前記第1絶縁膜上に配設されることを特徴とする請求項8に記載の電力用半導体装置。
- 前記絶縁膜は前記第2半導体層上に配設された第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に配設された第2絶縁膜とを具備し、前記第1フィールドプレート電極は前記第1絶縁膜上に配設され、前記第3フィールドプレート電極は前記第2絶縁膜上に配設された部分を有することを特徴とする請求項8または9に記載の電力用半導体装置。
- ノンドープAlXGa1−XN(0≦X≦1)の第1半導体層と、
前記第1半導体層上に配設されたノンドープ若しくはn型AlYGa1−YN(0≦Y≦1、X<Y)の第2半導体層と、
互いに離間するように前記第2半導体層上若しくは前記第2半導体層の表面内に配設され且つ前記第2半導体層よりも低い抵抗を有するn型AlZGa1−ZN(0≦Z≦1)の第1及び第2コンタクト層と、
前記第1及び第2コンタクト層上に配設されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間で前記第2半導体層上に配設されたゲート電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間で前記ゲート電極を覆うように前記第2半導体層上に配設された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に配設され且つ前記ソース電極に電気的に接続された第1フィールドプレート電極と、
前記絶縁膜上に配設され且つ前記ドレイン電極に電気的に接続された第2フィールドプレート電極と、
を具備することを特徴とする電力用半導体装置。 - 前記第1及び第2コンタクト層は、前記第2半導体層の表面内に形成され且つ前記第1及び第2半導体層の界面を越えて前記第1半導体層内に延在することを特徴とする請求項11に記載の電力用半導体装置。
- 前記第1及び第2コンタクト層は、前記第1半導体層とは反対側で、前記第2半導体層の表面上に突出するように配設されることを特徴とする請求項11に記載の電力用半導体装置。
- 前記第2半導体層とは反対側で、前記第1半導体層上に、p型AlXGa1−XN(0≦X≦1)の第3半導体層が配設されることを特徴とする請求項11乃至13のいずれかに記載の電力用半導体装置。
- 前記第3半導体層は前記ソース電極に電気的に接続されることを特徴とする請求項14に記載の電力用半導体装置。
- 前記ソース電極と前記ドレイン電極とを結ぶ方向において、前記ゲート電極の端部を越えて前記ドレイン電極側に延在する前記第1フィールドプレート電極の部分の第1投影長と、前記絶縁膜上における前記第2フィールドプレート電極の部分の第2投影長との比は、0.9〜1.1に設定されることを特徴とする請求項11乃至15のいずれかに記載の電力用半導体装置。
- 前記第2投影長は、前記第1半導体層の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項16に記載の電力用半導体装置。
- ノンドープAlXGa1−XN(0≦X≦1)の第1半導体層と、
前記第1半導体層上に配設されたノンドープ若しくはn型AlYGa1−YN(0≦Y≦1、X<Y)の第2半導体層と、
互いに離間するように配設され且つ前記第2半導体層に電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間で前記第2半導体層上に配設されたゲート電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間で前記ゲート電極を覆うように前記第2半導体層上に配設された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に配設され且つ前記ソース電極に電気的に接続された第1フィールドプレート電極と、
前記絶縁膜上に配設され且つ前記ドレイン電極に電気的に接続された第2フィールドプレート電極と、
前記ドレイン電極に隣接して前記第1及び第2半導体層にコンタクトし且つ前記ドレイン電極に電気的に接続されたドレインコンタクト電極と、
を具備することを特徴とする電力用半導体装置。 - 前記ドレインコンタクト電極は、前記第2半導体層の表面から前記第1及び第2半導体層の界面を越えて前記第1半導体層内に延在するトレンチ内に配設されることを特徴とする請求項18に記載の電力用半導体装置。
- 前記ソース電極に隣接して前記第1及び第2半導体層にコンタクトし且つ前記ソース電極に電気的に接続されたソースコンタクト電極を更に具備することを特徴とする請求項18または19に記載の電力用半導体装置。
- 前記ソースコンタクト電極は、前記第2半導体層の表面から前記第1及び第2半導体層の界面を越えて前記第1半導体層内に延在するトレンチ内に配設されることを特徴とする請求項20に記載の電力用半導体装置。
- 互いに離間するように前記第2半導体層上に配設され且つ前記第2半導体層よりも低い抵抗を有するn型AlZGa1−ZN(0≦Z≦1)の第1及び第2コンタクト層を更に具備し、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は前記第1及び第2コンタクト層上に夫々配設されることを特徴とする請求項18乃至21のいずれかに記載の電力用半導体装置。
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