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Abstract
【解決手段】走査回路の一段を構成する回路と、前記走査回路の出力ノードに接続された画素回路とを含み構成される表示装置要素を、一筆書きの要領で表示装置基板208に配設した構成とする。つまり走査回路の一段を構成する回路と、前記走査回路の出力ノードに接続された画素回路とを含む表示装置を、表示装置基板に連続して配設した構成とされる。走査回路はこれを駆動するために必要なクロック信号が1相のクロック信号である構成とすると良い。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の1実施の形態であるアクティブマトリクス型の液晶表示装置の構成を示す図である。図1を参照すると、本実施の形態は、表示装置基板(208)の外形形状にほぼ一致する表示領域内に、表示装置要素を一筆書きの要領で配設することで、面表示装置を構成するものとされる。すなわち、表示装置要素を、表示領域の形状に合うように1箇所以上屈曲させて、一筆書きの要領で配設し、これにより構成した面表示装置とされる。
前記第1の実施の形態では、図1を参照し説明したとおり、表示領域の全領域にわたって、表示装置要素が一筆書きの要領で配設されていた。
前記第1の実施の形態では、図1や図3を参照し説明したとおり、直線状に表示装置要素を配置して形成した行を複数行並べることで表示装置を構成した。本発明の第3の実施の形態においては、図5に示すように、表示装置要素を螺旋状に配置することで、面表示装置を構成した。
図6は、本発明の第4の実施の形態の構成を示す図である。本発明の第4の実施形態は、表示装置基板が開口50を有す面表示装置の一例である。この形状の場合であっても、表示装置要素を一筆書きの要領で配設することで、表示領域を埋め尽くし、面表示装置を構成でき、面表示装置の形状に対する設計の自由度が高い。面表示装置基板の開口部に沿ってドライバを配設する必要が無いため、表示装置の外形形状の自由度が高いといった効果が得られる。
図7は、本発明の第5の実施の形態の構成を示す図である。図7を参照して、本実施形態について説明する。本実施形態では、走査回路(204)と、走査回路の各出力ノードに接続された画素回路(202)とを、長尺の可撓性基板上に形成した。そして、この長尺の表示装置、すなわち、ライン状表示装置(302)を支持体(304)に巻きつけることにより、面表示装置を作成した。
上記実施の形態では、面表示装置の1形態として、アクティブマトリクス型の液晶表示装置の例を示しているが、表示装置の形態はこれに限定されるものではなく、例えば、EL(Electroluminescence)表示装置、電子ペーパー、電界放出型表示装置など、複数の画素によって構成される面表示装置で実施しても良く、上記実施の形態で述べた複数の効果が得られる。
アモルファスシリコンプロセス技術を使用して形成する形態でもよいし、
各種有機半導体プロセス技術を使用して形成してもよいし、
絶縁基板上に単結晶シリコン薄膜を形成してこれを利用して形成してもよい。
この実施例では、ポリシリコンプロセス技術を使用してTFT(Thin Film Transistor)基板を作成し、これを用いて透過型のアクティブマトリクス液晶表示装置を作成した。製造プロセスは、従来から知られる低温ポリシリコンTFT−LCDの製造技術を用いた。詳細な製造プロセスは、例えば、イー・エクスプレス社発行の「絵で見る低温poly−Si TFT−LCD製造プロセス05年版」に記載されている。
前記実施例1の図11の回路の場合、1画素につき、21個のトランジスタと、走査回路を駆動するためにクロック信号と、クロック信号の反転信号との2相クロック信号が必要であった。
DATA信号の電圧範囲を0〜5V、
インバータの電源電圧を−5Vと10V、
クロック信号のロウレベルを−7V、ハイレベルを12V
と設定した。
本発明の第3の実施例について説明する。図15を参照すると、本実施例の走査回路(204)は、走査回路一段につきクロックドインバータ回路(56)1個で構成される。
本実施例では、1画素あたりのトランジスタ数が5個で、クロック信号が単相、クロック信号の振幅電圧が走査回路の電源電圧と同一である構成の一例を説明する。図17は、本発明の第4の実施例の構成を示す図である。図17(a)を参照すると、この表示装置回路は、走査回路の一段を構成する回路(206)が、単相クロック制御型インバータ(60)を備え、単相クロック制御型インバータ(60)の出力信号を入力とする画素回路(202)が接続された構成である。
上記実施例では、ポリシリコンプロセス技術を使用して形成する液晶表示装置を中心に説明したが、走査回路や画素回路をポリシリコンTFTで形成した有機EL表示装置に適用してもよい。
12 データ配線
14 トランジスタ
16 液晶セル
18 共通電極
20 蓄積容量
22 蓄積容量の一端
30 ゲートドライバ回路
32 データドライバ回路
34 画素マトリクス
42 移行点
50 開口
52 折り返し部
54 インバータ回路
56 クロックドインバータ回路
58 トランスミッションゲート
60 単相クロック制御型インバータ
62、62a、62b サブ領域
100 TAB
101 フレキシブル基板
200 表示装置要素
202 画素回路
202a、202b、202c サブ画素
204 走査回路
206 走査回路の一段を構成する回路
208 表示装置基板
210 入力端子
212 表示装置要素の配設したもの
214 走査信号を出力するトランジスタ
216 表示装置
300 パルス転送配線
302 ライン状表示装置
304 支持体
350 画素スイッチ
Claims (19)
- 走査回路一段を構成する単位回路と、前記単位回路の出力ノードに接続された画素回路と、を含む表示装置要素を、複数個、一筆書きの要領で、表示装置基板に配設してなる、ことを特徴とする面表示装置。
- 前記走査回路が、1相のクロック信号で駆動される、ことを特徴とする請求項1記載の面表示装置。
- 出力ノードに走査信号を出力するトランジスタを含む走査回路と、
前記出力ノードに接続された画素回路と、
を有する面表示装置であって、
前記出力ノードに走査信号を出力するためのトランジスタと、1つの画素回路と、を1組とし、前記トランジスタと前記画素回路の組を、複数組配設し、表示領域のほぼ全領域を形成した、ことを特徴とする面表示装置。 - 前記走査回路に含まれるトランジスタと前記画素回路に含まれるトランジスタは、ガラス基板上に形成したポリシリコンTFTであり、アクティブマトリクス液晶表示装置を構成してなる、ことを特徴とする請求項3記載の面表示装置。
- 前記走査回路は、前記表示装置基板に、一箇所以上の折り返し部を備えて配設され、非矩形状の表示領域を形成自在としてなる、ことを特徴とする請求項1記載の面表示装置。
- 前記走査回路が螺旋形状に、前記表示装置基板に配設され、非矩形状の表示領域を形成した、ことを特徴とする請求項1記載の面表示装置。
- 複数の画素回路と、
前記複数の画素回路に順次電圧を印加する走査回路と、
を有する面表示装置であって、
前記走査回路の一部が、前記画素回路と画素回路との間、又は、画素回路の下に配設されている、ことを特徴とする面表示装置。 - 複数の画素回路と、
前記複数の画素回路に順次電圧を印加する走査回路と、
を含む回路を、1回以上屈曲させるように、表示装置基板上に配設した、ことを特徴とする面表示装置。 - 複数の画素回路と、
前記複数の画素回路に順次電圧を印加する走査回路と、
を含む回路を、螺旋状に、表示装置基板上に配設した、ことを特徴とする面表示装置。 - 走査回路と、前記走査回路により選択される画素回路と、を、ライン状に複数個形成した可撓性を有するライン状表示装置を、支持体に2回以上巻きつけて形成した、ことを特徴とする面表示装置。
- 前記走査回路一段を構成する前記単位回路が、前段から走査信号を受け、クロック信号に応じて前記走査信号を前記単位回路の出力ノードに出力する回路を備え、
前記画素回路は、表示素子と、データ信号と前記表示素子との接続を、対応する前記単位回路からの走査信号に基づきオン・オフ制御する画素スイッチを備えている、請求項1乃至10のいずれか一に記載の面表示装置。 - 請求項1乃至11のいずれか一に記載の面表示装置を備えた電子機器。
- 請求項1乃至11のいずれか一に記載の面表示装置を備えた装飾品。
- 画素スイッチを構成するトランジスタのゲート電極が、走査回路の出力ノードに接続された構成の表示装置であって、
前記走査回路の奇数段目の単位回路の出力ノードは、第1の極性の走査信号を出力し、
前記走査回路の偶数段目の単位回路の出力ノードは、前記第1の極性と逆の第2極性の走査信号を出力し、
前記走査回路の奇数段目の単位回路の出力ノードに接続される画素スイッチは、第1導電型のトランジスタよりなり、
前記走査回路の偶数段目の単位回路の出力ノードに接続される画素スイッチは、第2導電型のトランジスタよりなる、ことを特徴とする表示装置。 - 前記走査回路の奇数段目の単位回路は、
前段から供給されるパルス信号が入力されるインバータ回路と、
前記インバータ回路の出力ノードと、前記単位回路の出力ノードとの間に接続された第2導電型のスイッチトランジスタと、
を含み、
前記走査回路の偶数段目の単位回路は、
前段から供給されるパルス信号が入力されるインバータ回路と、
前記インバータ回路の出力ノードと、前記単位回路の出力ノードとの間に接続された第1導電型のスイッチトランジスタと、
を含み、
前記走査回路の奇数段目及び偶数段目の単位回路の前記スイッチトランジスタのゲート電極には、共通のクロック信号が入力される、ことを特徴とする請求項14記載の表示装置。 - 前記走査回路の奇数段目の単位回路及び偶数段目の単位回路は、
前段から供給されるパルス信号が入力され、その出力ノードが、出力ノードとされるクロックドインバータを含み、
前記走査回路の奇数段目の単位回路に含まれる前記クロックドインバータの第2導電型のトランジスタのゲート電極には、クロック信号が供給され、
前記クロックドインバータ回路の第1導電型のトランジスタのゲート電極には、クロック信号の反転信号が供給され、
前記走査回路の偶数段目の単位回路に含まれるクロックドインバータ回路の第2導電型のトランジスタのゲート電極には、クロック信号の反転信号が供給され、
前記クロックドインバータ回路の第1導電型のトランジスタのゲート電極には、クロック信号が供給される、ことを特徴とする請求項14記載の表示装置。 - 前記走査回路の奇数段目及び偶数段目の単位回路は、
前段から供給されるパルス信号が入力されるインバータ回路と、
前記インバータ回路の出力ノードと、前記単位回路の出力ノードとの間に接続されたCMOSトランスミッションゲートと、
を含み、
前記走査回路の奇数段目の単位回路に含まれる前記CMOSトランスミッションゲートの第2導電型のトランジスタのゲート電極にはクロック信号が供給され、
前記CMOSトランスミッションゲートの第1導電型のトランジスタのゲート電極には、前記クロック信号の反転信号が供給され、
前記走査回路の偶数段目の単位回路に含まれるCMOSトランスミッションゲートの第2導電型のトランジスタのゲート電極には、前記クロック信号の反転信号が供給され、CMOSトランスミッションゲートの第1導電型のトランジスタのゲート電極には前記クロック信号が供給される、ことを特徴とする請求項14記載の表示装置。 - 前記走査回路の奇数段目の単位回路及び偶数段目の単位回路は、
高位側電源と低位側電源間に直列形態に順に接続されている第1乃至第4のスイッチ素子を備え、
前記第1、第2のスイッチ素子は、p型のMOS型トランジスタよりなり、
前記第3、第4のスイッチ素子は、n型のMOS型トランジスタよりなり、
1個の前記p型のMOS型トランジスタと1個の前記n型のMOS型トランジスタのゲート電極は共通に接続されて、前段から供給されるパルス信号が入力され、
残りの2個の前記MOS型トランジスタのゲート電極には、クロック信号が入力され、
前記第2、第3のMOS型トランジスタのドレイン電極が、出力ノードとされる、単相クロック制御型インバータを含む、ことを特徴とする請求項14記載の表示装置。 - 入力端子又は前段からの走査信号を受け、入力されるクロック信号に応答して前記走査信号を出力ノードから出力する単位回路を、複数段、数珠つなぎに接続してなる走査回路と、
前記走査回路の単位回路に対応して設けられる複数の画素回路と、
を備え、
前記画素回路は、対応する前記走査回路の前記単位回路から出力される走査信号を制御端子に受けてオン・オフ制御される画素スイッチと、前記画素スイッチがオンのとき、データ信号の書き込みが行われる表示素子とを含み、
ライン、平面、又は立体の任意形状の表示領域を構成自在としてなる、ことを特徴とする表示装置。
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