JP2008034567A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/48479—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball on the semiconductor or solid-state body
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- H01L2224/48477—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding)
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- H01L2224/48476—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area
- H01L2224/48477—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding)
- H01L2224/48484—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) being a plurality of pre-balls disposed side-to-side
- H01L2224/48485—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) being a plurality of pre-balls disposed side-to-side the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball
- H01L2224/48487—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) being a plurality of pre-balls disposed side-to-side the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball outside the semiconductor or solid-state body
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48475—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
- H01L2224/48499—Material of the auxiliary connecting means
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
- H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48617—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
- H01L2224/48624—Aluminium (Al) as principal constituent
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
- H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48638—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/48647—Copper (Cu) as principal constituent
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
- H01L2224/487—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48717—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
- H01L2224/48724—Aluminium (Al) as principal constituent
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
- H01L2224/487—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48738—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/48747—Copper (Cu) as principal constituent
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48799—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
- H01L2224/488—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48817—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
- H01L2224/48824—Aluminium (Al) as principal constituent
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48799—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
- H01L2224/488—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48838—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/48847—Copper (Cu) as principal constituent
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4899—Auxiliary members for wire connectors, e.g. flow-barriers, reinforcing structures, spacers, alignment aids
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- H01L2224/494—Connecting portions
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
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- H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
- H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
- H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
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- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
- H01L2224/85051—Forming additional members, e.g. for "wedge-on-ball", "ball-on-wedge", "ball-on-ball" connections
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- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
- H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
- H01L2224/8518—Translational movements
- H01L2224/85186—Translational movements connecting first outside the semiconductor or solid-state body, i.e. off-chip, reverse stitch
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- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
- H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
- H01L2224/8518—Translational movements
- H01L2224/85191—Translational movements connecting first both on and outside the semiconductor or solid-state body, i.e. regular and reverse stitches
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- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
- H01L2224/85206—Direction of oscillation
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/85951—Forming additional members, e.g. for reinforcing
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85986—Specific sequence of steps, e.g. repetition of manufacturing steps, time sequence
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- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06572—Auxiliary carrier between devices, the carrier having an electrical connection structure
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
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- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体装置は、表面に電極21が配設された基板10と、表面に電極22が配設され前記基板10に支持された第1の半導体素子11Aとを具備する半導体装置であって、
前記基板10上及び前記第1の半導体素子11A上の少なくともいずれかに配設された少なくとも一つの電極(電極21及び電極22の少なくともいずれか)に、第1のバンプ31を介して第1のワイヤ41が接続され、当該第1のワイヤ41の被接続部に、第2のバンプ32を介して第2のワイヤ42が接続されてなる。
【選択図】図1
Description
このような場合、半導体チップ上の1つの電極端子に対し複数、例えば2本のワイヤを接続することにより、電極端子数を低減して半導体チップの小型化を図ることができ、もって半導体装置の小型化を実現することができる。
尚、前記特許文献1〜8にあっては、複数の半導体チップを積層配置し、半導体チップ間をそれぞれワイヤで接続した半導体装置が提案されている。
更に、前記半導体装置に於いては、積層配置された複数の半導体チップに於ける、2つの半導体チップ同士の電極パッド間がワイヤで結線され、当該結線された電極パッドのうちの1つと、別の半導体チップの電極パッド又は配線基板のボンディングパッド若しくはリードフレームのボンディングリードとが別のワイヤを用いて結線されている。
このような構成に於いては、個々の半導体チップに於ける電極パッドと配線基板のボンディングパッド又はリードフレームのボンディングリードとを個別にワイヤで結線する場合に比して、ワイヤの長さが長くなり過ぎなくて済むという利点がある。ワイヤの長さが長いと、ワイヤループを安定した形状に制御して形成することが困難となり、ワイヤ形成時に、隣接ワイヤと接触することがあり、製造歩留りが低下してしまう。また、ワイヤのループ高さが高くなり、半導体装置の小型化(薄型化)の要求に応ずることができない。更に、ワイヤが変形し易くなり、ワイヤを樹脂封止する際、樹脂の流動により、隣接するワイヤ同士が接触し、半導体装置が正常に機能しない状態を生じてしまう。
また、特許文献5及び特許文献9には、1つの電極パッド上に第1及び第2の2本のワイヤをボンディングする方法が開示されている。具体的には、2本のワイヤをボンディングする、半導体チップの電極パッド上に、予めバンプを配設し、他の半導体チップの電極パッド又は配線基板のボンディングパッド若しくはリードフレームのボンディングリードに、第1ボンディングを行い、次いで、前記バンプ上に第2ボンディングを行うことにより第1のワイヤを形成する。その後、更に別の半導体チップの電極パッド又は配線基板のボンディングパッド若しくはリードフレームのボンディングリードに、第1ボンディングを行い、次いで、前記バンプ上に第2ボンディングを行うことにより、第2のワイヤを形成する。
尚、通常のワイヤボンディングに於いては、前記第1ボンディングは、ワイヤの一端をスパークさせてボールを形成し、当該ボールをボンディングキャピラリを介して、荷重及び超音波を印加することにより電極パッド等に押し付けてボンディングする、所謂ボールボンディング(ネイルヘッドボンディングと称することもある)法により行われる。また、前記第2ボンディングは、ボンディングキャピラリの先端部(フェイス部)でワイヤを電極パッド等に押し付けてボンディングする、所謂スティッチボンディング法により行われる。しかし、これらの場合、バンプ上に2本のワイヤの第2ボンディング側端を重ねて、又は隣接してボンディングする際、第2のワイヤを第2ボンディングするときに、先に形成した第1のワイヤの第2ボンディング部にボンディングキャピラリが接触し、第1ワイヤの第2ボンディング部の接続を劣化させてしまうという問題がある。
具体的には、2本のワイヤがボンディングされる半導体チップの電極パッド上に、予めバンプを配設し、他の半導体チップの電極パッド又は配線基板のボンディングパッド若しくはリードフレームのボンディングリードに、第1ボンディングを行い、次いで、前記バンプ上に第2ボンディングを行うことにより第1のワイヤを形成する。その後、前記バンプ上に第1ボンディングを行い、更に別の半導体チップの電極パッド又は配線基板のボンディングパッド若しくはリードフレームのボンディングリードに、第2ボンディングを行うことにより、第2のワイヤを形成する。尚、上述の通り、通常、前記第1ボンディングは所謂ボールボンディングで行われ、前記第2ボンディングは所謂スティッチボンディングにより行われる。
一方、ワイヤを封止樹脂により封止する際、半導体チップに於ける電極パッド、配線基板に於けるボンディングパッド、及びリードフレームに於けるボンディングリードの配置構成によっては、隣接するワイヤ同士が交差するように結線する必要があり、ワイヤボンディングを行うのが困難となることがある。また、ワイヤが交差すると、隣接するワイヤ同士が接触し、半導体装置が正常に機能しないことがあるという問題がある。例えば、前記特許文献1に記載の第1図(a)に示すように、階段状に同じようなループ形状のワイヤが連続的に形成される場合、ワイヤ同士が交差する部分でショートが発生することがある。
本発明の半導体装置は、表面に電極が配設された基板と、表面に電極が配設され前記基板に支持された第1の半導体素子とを具備する半導体装置であって、前記基板上及び前記第1の半導体素子上の少なくともいずれかに配設された少なくとも一つの電極に、第1のバンプを介して第1のワイヤが接続され、当該第1のワイヤの被接続部に、第2のバンプを介して第2のワイヤが接続されてなることを特徴とする。
当該半導体装置に於いては、前記基板上及び前記第1の半導体素子上の少なくともいずれかに配設された少なくとも一つの電極に対し、前記第1のワイヤ及び前記第2のワイヤが、前記第2のバンプを介した状態にて接続されているので、前記第1のワイヤの被接続部の劣化が防止される。また、隣接ワイヤ間での接触が防止され、特に、ワイヤがクロスして配置される場合にも隣接ワイヤ間での接触によるショートの発生が防止され、ワイヤ結線の自由度が高い。この為、ワイヤ配線の高密度化を図ることができ、小型で高性能である。
該半導体装置に於いても、前記基体上及び前記第1の半導体素子上の少なくともいずれかに配設された少なくとも一つの電極に対し、前記第1のワイヤ及び前記第2のワイヤが、前記第2のバンプを介した状態にて接続されているので、前記第1のワイヤの被接続部の劣化が防止されるだけでなく、隣接ワイヤ間での接触が防止され、ワイヤ結線の自由度が高い。
当該半導体装置の製造方法では、先ず、表面に電極が配設された前記基板上に、表面に電極が配設された前記半導体素子が搭載される。前記基板上及び前記半導体素子上の少なくともいずれかに配設された少なくとも一つの電極に、前記第1のバンプを介して前記第1のワイヤが接続される。前記第1のワイヤの被接続部に、前記第2のバンプを介して前記第2のワイヤが接続される。その結果、隣接ワイヤ間での接触が防止され、ワイヤ結線の自由度が向上し、特に、ワイヤがクロスして配置される場合にも隣接ワイヤ間での接触によるショートの発生が防止され、ワイヤ配線の高密度化が実現された、半導体装置が効率的に得られる。
本発明による半導体装置の第1の実施例を、図1に示す。
本実施例に於ける半導体装置100は、所謂BGA(ボールグリッドアレイ)タイプと称される半導体装置である。
かかる半導体装置100にあっては、基板10の主面(上面)上に、二つの半導体チップ(半導体素子)11A及び半導体チップ11Bが、それぞれ接着剤12A及び12Bを介して積層されて搭載されている。
かかるチップ積層構造は、異なる種類の半導体素子の組合せによる半導体装置の多機能化、メモリの大容量化による高機能化などを目的として適用される。
そして、前記基板10に於いて選択された電極21と、半導体チップ11Aに於いて選択された電極22とは、ボンディングワイヤ(接続線、接続用リード線、以下、「ワイヤ」と称する)41により相互に接続され、また当該半導体チップ11Aに於いて選択された電極22と、半導体チップ11Bに於いて選択された電極23とはワイヤ42によって相互に接続されている。
尚、図1にあっては、当該半導体装置に於ける半導体チップの積層方向とは垂直の方向から見た構成が示される為、前記基板10に於ける電極21、半導体チップ11Aに於ける電極22、半導体チップ11Bに於ける電極23は、それぞれ1個が示されるのみであるが、勿論当該基板10、半導体チップ11A及び半導体チップ11Bには、それぞれ複数個の電極が配設されている。
当該電極22は、当該半導体チップ11Aに於ける複数個の電極のうちの一つ或いは複数個であって、半導体チップ11Bの電極23と、同一の電圧或いは同一の電気信号が印加される電極である。
そして、当該半導体チップ11Aに於ける電極22上には、バンプ31が配設されている。
前記ワイヤ41の一端(始端)は、球(ボール)状部Bとされて、基板10に於いて選択された電極21に対して所謂ボールボンディング法により接続され、また当該ワイヤ41の他端(終端)は半導体チップ11Aの電極22上に配設された前記バンプ31に対してスティッチボンディング法により接続されている。
そして、前記ワイヤ42の一端(始端)は、球(ボール)状部Bとされて、半導体チップ11Bに於いて選択された電極23に対してボールボンディング法により接続され、その他端(終端)は前記バンプ32に対しスティッチボンディング法により接続されている。
即ち、半導体チップ11Aに於いて選択された電極22にあっては、当該電極22上に配設されたバンプ31に対してワイヤ41がスティッチボンディングされ、更に当該ワイヤ41の被スティッチボンディング部S上にはバンプ32が配設され、当該バンプ32に対してワイヤ42がスティッチボンディングされており、ワイヤ41及びワイヤ42の被スティッチボンディング部Sは、当該半導体チップ11Aに於ける電極22上にあって、バンプ32を介して積層状態とされて接続されている。
尚、当該ワイヤ41及びワイヤ42の接続順はこれに限られるものではなく、バンプ31に対してワイヤ42をスティッチボンディングし、その被スティッチボンディング部S上にバンプ32を配設し、当該バンプ32に対してワイヤ41をスティッチボンディングすることも勿論実施可能である。
前記電極21も、当該配線層と同様の材料から形成されている。
また、前記半導体チップ11Aに配設された電極22、及び半導体チップ11Bに配設された電極23は、電極パッドとも称され、所謂ウエハプロセス工程に於いて、アルミニウム(Al)合金、或いは銅(Cu)合金などから形成される。
前記半導体チップ11A及び半導体チップ11Bは、シリコン(Si)或いはガリウム砒素(GaAs)等の半導体材料からなり、その一方の主面に、所謂ウエハプロセス工程をもって能動素子、受動素子を含む電子回路が形成されており、電極22及び電極23はそれぞれ、当該電子回路形成面に絶縁層或いは多層配線層を介して配設されている。前記能動素子、受動素子及び電極相互間は、配線層を介して接続されている。
また、前記バンプ31及びバンプ32は、前記ワイヤ41及びワイヤ42と同様の材料が適用され、その形成方法としては、所謂ボールボンディング法を適用することができる。
一方、前記接着剤12A及び12Bとしては、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、或いはアクリル系樹脂等の絶縁性樹脂接着剤を適用することができる。
更に、前記封止用樹脂13としては、エポキシ樹脂が適用され得る。
従って、当該電極22近傍に於ける、被接続ワイヤ(ワイヤ41及びワイヤ42)の形成するループ高さを低くすることができる。
この為、当該ワイヤ41及びワイヤ42の上方に、他のワイヤを、そのループ高さを必要以上に高くすることなく配置することができ、ワイヤ結線の自由度が高められる。また、これにより、封止用樹脂13の高さ(厚さ)を抑制することができ、半導体装置の小型化を図ることができる。
かかるバンプ32の積層配設により、バンプ31とワイヤ41との接続が補強される。
従って、当該ワイヤ42の被スティッチボンディング部Sとワイヤ41の被スティッチボンディング部Sとの間は離間され、ワイヤ42はワイヤ41の被スティッチボンディング部に干渉することなく、バンプ32に対してスティッチボンディング処理される。
更にこのとき、当該バンプ32の存在によって、ワイヤ42の被接続方向(導出方向)の自由度が高まり、もってワイヤ41及びワイヤ42は、その接続方向(導出方向)に制限を生じない。
前記実施例1に於ける半導体装置100は、次の様に変形することができる。
即ち、図2に示すように、基板10に替えて、所謂リードフレーム構造を適用してもよい。
当該半導体装置150に於いては、リードフレーム15のダイパッド15A上に、半導体チップ11A及び半導体チップ11Bが積層されて配置されている。
そして、当該ダイパッド15A、リードフレーム15のインナーリード15B、半導体チップ11A及び半導体チップ11Bは、ワイヤ41及びワイヤ42と共に封止用樹脂13により樹脂封止されている。
そして、当該ワイヤ41の被スティッチボンディング部S上に、バンプ32が配設されている。
更に、前記ワイヤ42の一端(始端)は、球(ボール)状部Bとされて、半導体チップ11Bに於いて選択された電極23に対して所謂ボールボンディング法により接続され、その他端(終端)は前記バンプ32に対しスティッチボンディング法により接続されている。
かかる構成に於いても、前記実施例1と同様の効果が発揮される。
前記半導体装置100に於いて、電極22に接続される2本のワイヤ(ワイヤ41及びワイヤ42)の接続順を逆にした場合の接続構成を、図3に示す。
即ち、先ず半導体チップ11A上に配設された電極22と、半導体チップ11B上に配設された電極23とをワイヤ42により接続した後に、基板10に配設された電極21と、半導体チップ11A上に配設された電極22とをワイヤ41により接続する。
尚、ワイヤ42は、その一端(始端)が半導体チップ11B上に配設された電極23に対してボールボンディング法により接続される。また、ワイヤ41は、その一端(始端)が基板10に配設された電極21に対してボールボンディング法により接続される。
このような接続手順によっても、前記実施例1と同様の効果が発揮される。
尚、図3及びこれ以降の図に於いては、封止用樹脂13及び外部接続端子14としてのハンダボールについて、図示及びその説明を省略する。
本発明による半導体装置の第2の実施例を、図4に示す。
本実施例に於ける半導体装置200にあっては、前記実施例1の変形例その2に示す構成に於いて、バンプ31とバンプ32との間に、バンプ33が複数個(2個)積層されて配設されている。
この様にバンプ31とバンプ32との間に、更にバンプ33を配設することにより、ワイヤ41とワイヤ42との離間距離が拡大され、もってワイヤ42に干渉することなく、より確実にワイヤ41のスティッチボンディングを行うことができる。
また、当該バンプ33の配設により、電極22に於けるワイヤ41の被スティッチボンディング部Sの高さが高くされ、もって当該ワイヤ41のループ高さが高くされる。
従って、当該ワイヤ41のループの下方に、図示されない他のワイヤを配置させることができ、ワイヤ結線の自由度を高めることができる。
尚、バンプ33の個数(段数)は、本実施例では2個(段)であるが、勿論これに限られるものではなく、1個(段)であってもよいし、3以上の個(段)数であってもよい。
また、前記実施例1に示す構成にあっても、必要に応じて、ワイヤ41の被スティッチボンディング部S上に、当該バンプ33を配設してもよいことは勿論である。
本発明による半導体装置の第3の実施例を、図5に示す。
本実施例に於ける半導体装置300にあっては、電極22上にあって、バンプ31上に配設されたバンプ32に対してスティッチボンディング法により接続されたワイヤ42の被スティッチボンディング部S上に、更にバンプ34が配設される。
当該ワイヤ42の被スティッチボンディング部S上に、更に前記バンプ34が配設されることにより、前記バンプ32に対するワイヤ42の被スティッチボンディング部Sが補強され、その接続がより強固なものとされる。
また、当該バンプ34に対して、更に別のワイヤをボンディングすることも可能となり、設計の自由度を高めることができる。
本発明による半導体装置の第4の実施例を、図6に示す。
本実施例に於ける半導体装置400にあっては、前記基板10の上面に選択的に配置された2つの電極21A及び21Bのそれぞれが、ワイヤ41A及びワイヤ41Bにより、半導体チップ11Aに於ける電極22へ接続されている。
また、当該半導体チップ11A上に配設された半導体チップ11Bの電極23はワイヤ42により、半導体チップ11Aの電極22へ接続されている。
即ち、当該半導体装置400にあっては、一つの電極22に対して、3本のワイヤが接続されている。
そして、当該ワイヤ41Aの被スティッチボンディング部S上に、バンプ32が配設されている。
更に、前記ワイヤ42の一端(始端)は、球(ボール)状部Bとされて、半導体チップ11Bに於ける電極23に対してボールボンディング法により接続され、その他端(終端)が前記バンプ32に対してスティッチボンディング法により接続されている。
当該ワイヤ42の被スティッチボンディング部S上に、バンプ34が配設されている。
そして、前記ワイヤ41Bの一端(始端)は、球(ボール)状部Bとされて、基板10に於ける電極21Bに対してボールボンディング法により接続され、その他端(終端)が前記バンプ34に対してスティッチボンディング法により接続されている。
尚、前記半導体チップ11A、半導体チップ11Bに対する電源を強化する必要がある場合、本実施例のワイヤ接続構成に於いて、基板10に配設された電極21A及び電極21Bを共に電源端子とすることにより、電源を強化した半導体装置を構成することができる。
本発明による半導体装置の第5の実施例を、図7に示す。
本実施例に於ける半導体装置500にあっては、半導体チップ11A上に、当該半導体チップ11Aの電極22から離間して半導体チップ11Bが搭載され、当該半導体チップ11Bと電極22との間には、中継部材50が載置され、接着剤12を介して半導体チップ11A上に固着されている。
当該中継部材50は、板状の半導体部材或いは絶縁性部材からなる基体51上に、中継用電極52が選択的に配設されている。そして、当該電極52上にはバンプ31が配設されている。
本実施例にあっては、前記ワイヤ41の一端(始端)は、球(ボール)状部Bとされて、半導体チップ11Aに於ける電極22に対して所謂ボールボンディング法により接続され、また当該ワイヤ41の他端(終端)は、中継部材50の電極52上の前記バンプ31に対してスティッチボンディング法により接続されている。
そして、当該ワイヤ41の被スティッチボンディング部S上には、バンプ32が配設されている。
更に、前記ワイヤ42の一端(始端)は、球(ボール)状部Bとされて、半導体チップ11Bに於ける電極23に対してボールボンディング法により接続され、その他端(終端)は、前記バンプ32に対してスティッチボンディング法により接続されている。
尚、当該ワイヤ41及びワイヤ42の接続順はこれに限られるものではなく、バンプ31に対してワイヤ42の終端をスティッチボンディングし、その被スティッチボンディング部S上にバンプ32を配設し、当該バンプ32に対してワイヤ41の終端をスティッチボンディングすることも勿論可能である。
この場合、中継部材50を、半導体チップ11Bの製造に用いる設備と同様の設備を用いて製造することができる。
中継部材の厚みは、半導体チップ11Bの厚みと同等であるのが好ましく、例えば、50〜200μmの厚みとされるのが好ましい。
また、当該中継部材50上には、必要に応じて複数の電極が配設されてもよく、電極間を相互に接続する配線層が設けられてもよい。
これにより、ワイヤ結線の自由度を向上させることができる。
また、前記半導体チップ11Aに於ける電極22と、前記半導体チップ11Bに於ける電極23との間を、1本のワイヤで結線する場合に比して、短いワイヤを用いて結線することができる。この為、ワイヤ長が長過ぎることにより生じる、ワイヤループの変形等による隣接ワイヤ間の接触、及び当該接触による電気的短絡(ショート)の発生を防止することができる。
前記実施例5に於ける半導体装置500は、以下の様に変形することができる。
即ち、図8に示すように、前記中継部材50を大面積の板状とし、半導体チップ11Aと半導体チップ11Bとの間に介在させて配置することもできる。
当該半導体装置550にあっては、前記半導体チップ11A、板状の中継部材50及び前記半導体チップ11Bが、基板10の一方の主面(上面)上に、それぞれ接着剤12A、接着剤12、及び接着剤12Bを介して順次積層されて搭載されている。
かかる構成に於いても、前記実施例5と同様の効果が発揮され、中継部材50によってワイヤ結線を中継させることができ、ワイヤ結線の自由度を向上させ、またワイヤショートの発生を防止することができる。
即ち、半導体チップ11B上に配設された電極23と、中継部材50上に配設された電極52とをワイヤ42により接続した後、当該ワイヤ42の被スティッチボンディング部S上にバンプ32を配設し、当該バンプ32に対して半導体チップ11A上に配設された電極22から導出されたワイヤ41の終端をスティッチボンディングしている。
勿論、先ずワイヤ41を接続し、しかる後ワイヤ42を接続することも選択することができる。
本発明による半導体装置の第6の実施例を、図9に示す。
本実施例に於ける半導体装置600にあっては、基板10の一方の主面(上面)上に、3個の半導体チップ(半導体素子)11A、11B及び11Cが、それぞれ接着剤12A、12B及び12Cを介して積層されて搭載されている。
そして、前記基板10に於いて選択された電極21と半導体チップ11Aに於いて選択された電極22とは、ワイヤ41により相互に接続され、また当該半導体チップ11Aの電極22と半導体チップ11Bに於いて選択された電極23とはワイヤ42により相互に接続され、更に当該半導体チップ11Bの電極23と半導体チップ11Cに於いて選択された電極24とはワイヤ43によって相互に接続されている。
尚、図9にあっては、当該半導体装置に於ける半導体チップの積層方向とは垂直の方向から見た構成が示される為、前記基板10に於ける電極21、半導体チップ11Aに於ける電極22、半導体チップ11Bに於ける電極23、及び半導体チップ11Cに於ける電極24は、それぞれ1個が示されるのみであるが、勿論当該基板10、及び半導体チップ11A〜11Cには、それぞれ複数個の電極が配設されている。
また、前記半導体チップ11Aの電極22上にはバンプ31aが配設されており、また前記半導体チップ11Bの電極23上にはバンプ31bが配設されている。
そして、前記ワイヤ41の一端(始端)は、球(ボール)状部Bとされて、基板10に於ける電極21に対して所謂ボールボンディング法により接続され、また当該ワイヤ41の他端(終端)は、半導体チップ11Aの電極22上の前記バンプ31aに対してスティッチボンディング法により接続されている。
更に、当該ワイヤ42の被スティッチボンディング部S上には、バンプ32が配設されている。
また、半導体チップ11Bの電極は、半導体チップ11Aと半導体チップ11Cとの間を接続するワイヤの中継を果たしている。
従って、複数個の半導体チップ相互間にワイヤを接続する際、ワイヤの接続構成について、その選択の幅を拡げることができる。
本発明による半導体装置の第7の実施例を、図10に示す。
本実施例に於ける半導体装置700にあっては、基板10の一方の主面(上面)上に、半導体チップ(半導体素子)11Aが、接着剤12Aにより固着されて搭載されている。
そして、当該基板10の上面に於いて、半導体チップ11Aの近傍には、電極が選択的に配設されており、また当該半導体チップ11Aの上面(電子回路形成面)にも、電極22が複数個配設されている。そして、前記基板10の上面に配置された電極の中から、2つの電極21A及び21Bが選択され、それぞれがワイヤ41A及びワイヤ41Bにより、前記半導体チップ11Aに於いて選択された電極22と相互に接続されている。
前記半導体チップ11Aの電極22上には、バンプ31が配設されている。
そして、当該ワイヤ41Aの被スティッチボンディング部S上に、バンプ32が配設されている。
一方、前記ワイヤ41Bの一端(始端)は、球(ボール)状部Bとされて、基板10の電極21Bに対してボールボンディング法により接続され、またその他端(終端)は、前記バンプ32に対してスティッチボンディング法により接続されている。
かかる場合、基板10上の電極数を必要に応じて増加することも容易であり、このとき、先に接続されたワイヤのスティッチボンディング部上にバンプを配設し、当該バンプに対し次のワイヤをスティッチボンディングする。
本発明による半導体装置の第8の実施例を、図11に示す。
本実施例に於ける半導体装置800にあっては、基板10の一方の主面(上面)上に、二つの半導体チップ(半導体素子)11A及び半導体チップ11Bが、それぞれ接着剤12A及び接着剤12Bを介して積層されて搭載されている。
当該基板10の上面に於いて、半導体チップ11Aの近傍には、複数個の電極が選択的に配設されており、また、当該半導体チップ11Aの上面(電子回路形成面)及び半導体チップ11Bの上面(電子回路形成面)にも、電極が複数個配設されている。
前記基板10の上面に配置された複数個の電極に於いて、2つの電極21A及び21Bが選択され、また、前記半導体チップ11Aの上面に配置された電極に於いて電極22が選択されている。また、前記半導体チップ11Bの上面に配置された電極に於いては、当該半導体チップ11Bの略中央近傍に配設された電極23Aと、当該半導体チップ11Bのエッジ近傍に配設された電極23Bとが選択されている。
一方、基板10に於いて選択された電極21Bと、半導体チップ11Bに於いて選択された電極23Bとは、ワイヤ45により相互に接続され、更に半導体チップ11Bに於いて選択された電極23Aと前記電極23Bとは、ワイヤ46により相互に接続されている。
そして、電極23B上には、バンプ31が配設されている。
また、ワイヤ46の一端(始端)は、球(ボール)状部Bとされて、半導体チップ11Bの略中央近傍に配設された電極23Aに対してボールボンディング法により接続され、また当該ワイヤ46の他端(終端)は、半導体チップ11Bに於ける電極23B上のバンプ31に対してスティッチボンディング法により接続されている。
そして、当該ワイヤ46の被スティッチボンディング部S上には、バンプ32が配設されている。
一方、前記ワイヤ45の一端(始端)は、球(ボール)状部Bとされて、基板10に於ける電極21Bにボールボンディング法により接続され、その他端(終端)がバンプ32に対して、スティッチボンディング法により接続されている。
また、当該ワイヤ44の接続は、ワイヤ45の接続に先行してなされる。
本発明の半導体装置の製造方法について、前記半導体装置100の製造方法を掲げ、図面を参照しつつ説明する。
かかる半導体装置100にあっては、基板10の主面(上面)上に、二つの半導体素子(半導体チップ)11A及び11Bが、それぞれ接着剤12A及び12Bを介して積層されて搭載されている。
当該基板10の上面に於いて、半導体チップ11Aの近傍には、所謂フォトエッチング法、選択メッキ法などにより形成された電極21(電極パッドとも称される)が選択的に配設されており、また当該半導体チップ11Aの上面(電子回路形成面)には、所謂ウエハプロセス工程に於いて形成された電極(電極パッド)22が複数個配設されている。同様に半導体チップ11Bの上面(電子回路形成面)にも、所謂ウエハプロセス工程に於いて形成された電極(電極パッド)23が複数個配設されている。
かかる基板、半導体チップの積層構造を得る為、その一方の主面上に接着剤12A及び12Bを介して半導体チップ11A及び半導体チップ11Bが順次積層された基板10を、ボンディングステージ(図示せず)上に載置し、半導体チップ11A、半導体チップ11B及び基板10を加熱する。この際の加熱温度は、70℃〜200℃とされる。
そして、半導体チップ11Aの電極22上に、ボール部30を当接させ、ボンディングキャピラリ61により、当該ボール部30に荷重を印加すると共に、当該荷重の印加方向に対して垂直方向に超音波振動を付与しつつ、当該ボール状部30を電極22にボンディングする(図12B参照)。
尚、当該超音波振動の印加は、電極(電極パッド)22の表面に於ける酸化膜或いは汚染物を除去して、ボール状部30と電極22との間のボンディングを確実に行う為に有効である。
尚、ボンディングキャピラリ61の垂直方向への引き上げに先立って、或いはバンプ31の形成後に、当該バンプ31の頂部に対し平坦化処理を施してもよい。
球状化処理は、前述のトーチ電極を用いての高電圧スパーク法が適用される。
次いで、前記ボンディングキャピラリ61を、電極21に対して垂直方向に引き上げる(図13C参照)。
尚、かかるボンディングは、同一金属材料(金)間での接続であるため、超音波振動の付与を必要としない。
即ち、ボンディングキャピラリ61から導出された金(Au)ワイヤの先端に、再度金(Au)ボール状部30を形成する(図14A参照)。
かかる、金(Au)ワイヤの球状化処理は、前述のトーチ電極を用いての高電圧スパーク法が適用される。
しかる後、ボンディングキャピラリ61を引き上げることにより金(Au)ワイヤは切断され、金(Au)バンプ31上に金(Au)バンプ32が配置される(図14C参照)。
尚、金(Au)バンプ32の頂部に対し、適宜平坦化処理を施してもよい。
即ち、ボンディングキャピラリ61を電極23の上方に配置し、ボンディングキャピラリ61から導出された金(Au)ワイヤ42の先端に、再度金(Au)ボール状部Bを形成する(図15A参照)。
そして、電極23上に、金(Au)ボール状部Bを当接させ、ボンディングキャピラリ61により、当該金(Au)ボール状部Bに荷重を印加すると共に、当該荷重の印加方向に対して垂直方向に超音波振動を付与して、ボンディングを行う(図15B参照)。
その後、ボンディングキャピラリ61を電極23表面に対して垂直方向に引き上げる(図15C参照)。
そして、金(Au)バンプ32上に、金(Au)ワイヤ42を押圧し、スティッチボンディングを行う(図15E参照)。
この結果、前記金(Au)ワイヤ42の他端(終端)は、金(Au)バンプ32にスティッチボンディングされ、スティッチボンディング部Sが形成される(図15F参照)。
そして、封止用樹脂13により樹脂封止を行い、基板10の裏面にハンダボール14を形成することにより、前記半導体装置100が形成される。
また、当該バンプ32を配設することにより、ワイヤ42を電極22に接続する際、ワイヤ42の被スティッチボンディング部Sが、当該バンプ32を介して電極22に接続される。この為、ワイヤ42の被スティッチボンディング部Sとワイヤ41とを離間させることができ、ワイヤ41に干渉することなく、ワイヤ42のスティッチボンディングを行うことができる。
前述の如く、基板10、半導体チップ11A及び半導体チップ11Bの電極間の接続がワイヤボンディング法によりなされる場合、当該基板10、半導体チップ11A及び半導体チップ11Bに於ける複数個の電極間を接続するワイヤが、交差する形態を生ずる場合がある。
本実施例にあっては、かかる交差状態を含むワイヤボンディング法について、前記バンプ配設構造を含むワイヤ接続構造を適用した構成を示す。
尚、図16Bに於いて、図16B−iはワイヤ結線を示す上面図であり、図16B−iiは半導体チップの積層方向に対して垂直方向から見た側面図であって、図16B−iに於ける矢印P方向より見た状態を示す。
当該基板10の上面に於いて、半導体チップ11Aの近傍に位置するよう配設された複数個の電極(電極パッド)中、電極21A、電極21B及び電極21Cが、また半導体チップ11Aの上面(電子回路形成面)に形成された複数個の電極(電極パッド)中、電極22A及び電極22Bが、更に半導体チップ11Bの上面(電子回路形成面)に形成された電極(電極パッド)中、電極23A及び電極23Bが図示されている。
前記半導体チップ11A上の電極22A及び22Bは、半導体チップ11Aの縁部(エッジ)近傍に配置され、前記半導体チップ11B上の電極23A及び23Bは、半導体チップ11Bの縁部(エッジ)近傍に配置されている。
そして、基板10に於いて選択された電極21Aと、半導体チップ11Aに於いて選択された電極22Bとは、金(Au)ワイヤ101により相互に接続される。
また、基板10に於いて選択された電極21Bと、半導体チップ11Bに於いて選択された電極23Bとは、金(Au)ワイヤ102により相互に接続される。
一方、基板10に於いて選択された電極21Cと、半導体チップ11Aに於いて選択された電極22Aとは、金(Au)ワイヤ103により相互に接続され、更に前記半導体チップ11Aに於いて選択された電極22Aと、半導体チップ11Bに於いて選択された電極23Aとは、金(Au)ワイヤ104により相互に接続される。
従って、かかる交差ポイントに於いて、ワイヤ相互間の接触を防止する構成が必要とされる。
図示される実施形態にあっては、半導体チップ11Aの電極22Aに対し、2本のワイヤが接続される。
かかる構成に於いて、半導体チップ11Aの電極22A上にはバンプ31が配設され、また、半導体チップ11Bに於ける電極23B上にもバンプ31が配設されている。
そして、前記ワイヤ101の一端(始端)は球(ボール)状部Bとされて、半導体チップ11Aに於いて選択された電極22Bに対してボールボンディング法により接続され、その他端(終端)は、基板10に於いて選択された電極21Aに対してスティッチボンディング法により接続されている。
また、ワイヤ102の一端(始端)は、基板10に於いて選択された電極21Bに対してボールボンディング法により接続され、その他端(終端)は、半導体チップ11Bに於いて選択された電極23B上のバンプ31に対してスティッチボンディング法により接続されている。
また、ワイヤ103の一端(始端)は、球(ボール)状部Bとされて、基板10に於いて選択された電極21Cに対してボールボンディング法により接続され、また当該ワイヤ103の他端(終端)は、半導体チップ11Aに於いて選択された電極22A上のバンプ31に対してスティッチボンディング法により接続されている。当該ワイヤ103の被スティッチボンディング部S上には、バンプ32が配設されている。
そして、ワイヤ104の一端(始端)は球(ボール)状部Bとされて、半導体チップ11Bに於いて選択された電極23Aに対してボールボンディング法により接続され、その他端(終端)は、前記半導体チップ11Aに於いて選択された電極22A上のバンプ31の上に配設された前記バンプ32に対し、スティッチボンディング法により接続されている。
従って、当該電極22A近傍に於けるワイヤ103及びワイヤ104の形成するループ高さを低くすることができる。
その結果、ワイヤ103及びワイヤ104を、電極22A近傍のワイヤ101及びワイヤ102から離間させつつ配置することができ、図16Aに示すワイヤ交差ポイントX1〜X3の何れに於いても接触・ショートを生じない。
この為、ワイヤが交差する構成を有する半導体装置を製造することができ、半導体装置の小型化を実現することができる。
まず、積層された半導体チップ11Aに於ける電極22A上にバンプ31を配設し、また半導体チップ11Bに於ける電極23B上にもバンプ31を配設する。
しかる後、当該ワイヤ103の被スティッチボンディング部S上に、バンプ32を配設する。
このとき、当該ワイヤ101と前記ワイヤ102とは、ワイヤの導出方向(結線方向)が異なるため、ワイヤループの最高位部分の位置が異なる。従って、図16Aに於けるワイヤ交差ポイントX2に於いて、ワイヤ101とワイヤ102との接触が回避される。
この結果、当該ワイヤ104と前記ワイヤ102とは、ワイヤの導出方向(結線方向)が異なり、ワイヤループの最高位部分の位置が異なる。従って、図16Aに於けるワイヤ交差ポイントX3でにあっても、ワイヤ102とワイヤ104との接触が回避される。
また、ワイヤループの最高位部分の位置を異ならせることにより、当該ワイヤにボンディングキャピラリが接触することも回避することができ、効率的に半導体装置を製造することができる。
図16Cに於いて、図16C−iはワイヤ結線を示す上面図であり、図16C−iiは半導体チップの積層方向に対して垂直方向から見た側面図であって、図16C−iに於ける矢印P方向より見た構成を示す。
図16Dに於いて、図16D−iはワイヤ結線を示す上面図であり、図16D−iiは半導体チップの積層方向に対して垂直方向から見た側面図であって、図16D−iに於ける矢印P方向より見た構成を示す。
即ち、ワイヤ103はその一端(始端)が、半導体チップ11Aに於ける電極22A上の前記バンプ31に対してボールボンディング法により接続され、その他端(終端)が基板10に於ける電極21Cに対してスティッチボンディング法により接続されている。
この為、当該ワイヤ103と前記ワイヤ101は、ワイヤの導出方向(結線方向)が同一であり、ワイヤループの最高位部分の位置がほぼ同一となる。この為、前記図16Aに於けるワイヤ交差ポイントX1に於いて、ワイヤ103とワイヤ101との接触が生じてしまう。
即ち、ワイヤ104の一端(始端)が、半導体チップ11Aに於ける電極22A上のバンプ31に対してボールボンディング法により接続され、その他端(終端)が半導体チップ11Bに於ける電極23A上のバンプ31にスティッチボンディング法により接続されている。
この為、当該ワイヤ104と前記ワイヤ102は、ワイヤループの高さがほぼ同一となる。この為、前記図16Aに於けるワイヤ交差ポイントX3に於いて、ワイヤ102とワイヤ104との接触が生じてしまう。
前述の如く、基板10、半導体チップ11A及び半導体チップ11Bの電極間の接続がワイヤボンディング法によりなされる場合、当該基板10、半導体チップ11A及び半導体チップ11Bに於ける複数個の電極間を接続するワイヤが、交差する形態を生ずる場合がある。
本実施例にあっては、かかる交差状態を含むワイヤボンディング法について、前記バンプ配設構造を含むワイヤ接続構造を、半導体チップに於ける電極が当該半導体チップの中央部に配設された構造に適用した構成を示す。
図17Bに於いて、図17B−iはワイヤ結線を示す上面図であり、図17B−iiは半導体チップの積層方向に対して垂直方向から見た側面図であって、図17B−iに於ける矢印P方向より見た構成を示す。
一方、半導体チップ11B上の電極23A及び23Bは、当該半導体チップ11Bの略中央部に位置して配設されている。
また、基板10に於いて選択された電極21Bと、半導体チップ11Aに於いて選択された電極22Bとは、ワイヤ113により相互に接続され、また当該半導体チップ11Aに於いて選択された電極22Bと、半導体チップ11Bに於いて選択された電極23Aとは、ワイヤ114により相互に接続されている。
図示される実施形態にあっては、半導体チップ11Aの電極22A、電極22Bに対し、それぞれ2本のワイヤが接続される。
かかる構成に於いて、半導体チップ11Aの電極22A及び電極22B上には、それぞれバンプ31が配設されている。また、半導体チップ11Bに於ける電極23A上にも、バンプ31が配設されている。
本実施例の特徴的構成として、当該電極22A上のバンプ31に於けるワイヤ111の被スティッチボンディング部S上には、3個のバンプ33を介してバンプ32が配設されている。
一方、前記ワイヤ112の一端(始端)は、球(ボール)状部Bとされて、半導体チップ11Bに於いて選択された電極23Bに対してボールボンディング法により接続され、その他端(終端)は、前記バンプ32に対してスティッチボンディング法により接続されている。
また、前記ワイヤ113の一端(始端)は、球(ボール)状部Bとされて、基板10に於いて選択された電極21Bに対してボールボンディング法により接続され、その他端(終端)は、半導体チップ11Aに於いて選択された電極22B上のバンプ31に対してスティッチボンディング法により接続されている。
更に、前記ワイヤ114の一端(始端)は、球(ボール)状部Bとされて、前記電極22B上のワイヤ113の被スティッチボンディング部Sを含む前記バンプ31に対してボールボンディング法により接続され、その他端(終端)は、半導体チップ11Bに於いて選択された電極23A上の前記バンプ31に対してスティッチボンディング法により接続されている。
この結果、より確実にワイヤ111とワイヤ112は互いに干渉することなく、当該ワイヤ112のスティッチボンディングがなされる。
また、半導体チップ11Aの電極22Aに於けるワイヤ112の被スティッチボンディング部Sの高さが実質的に高くなることから、半導体チップ11Bのエッジとワイヤ112との接触が防止される。
しかも、ワイヤ102とワイヤ104の形成するワイヤループの最高位置が異なることから、図17Aに示すワイヤ交差ポイントXに於けるショートの発生防止することができる。
この為、ワイヤが交差する構成を有する半導体装置を製造することができ、半導体装置の小型化を実現することができる。
まず、半導体チップ11Aに於ける電極22A及び22B上にそれぞれバンプ31を配設し、一方半導体チップ11Bに於ける電極23A上にもバンプ31を配設する。
尚、これらのワイヤ111、ワイヤ113の結線順序は逆であってもよい。
次に、電極22A上のバンプ31上に配設された前記バンプ33上に、バンプ32を配設する。
このとき、バンプ32の高さは、積層固着された半導体チップ11Bの表面の高さと同等以上の高さとなるように設定されるのが望ましい。
この為、前記バンプ33は、当該バンプ32の高さが半導体チップ11Bの表面の高さと同等以上の高さとなるようにその数が選択される。当該バンプ32の高さが半導体チップ11Bの上表面の高さと同等以上の高さとなる場合には、バンプ33は必ずしも必要としない。
このとき、バンプ32(及びバンプ33)の配設により、電極22Aに於けるワイヤ112との接続部の高さが高くなっているため、半導体チップ11Bの縁部(エッジ)と当該ワイヤ112との接触が回避される。
この結果、ワイヤ112とワイヤ114とは、ワイヤの導出方向(結線方向)が異なり、ワイヤループの最高位置部分が異なる。従って、図17Aに於けるワイヤ交差ポイントXにあっても、ワイヤ112とワイヤ114との接触が回避される。
即ち、この様に互いに近接し且つ高さの異なる位置に在る複数個の電極間を接続するワイヤが交差する場合であっても、当該ワイヤの接続手順を選択することにより、ワイヤループの最高位部分の位置を異ならせ、もって交差部分に於ける接触を防止することができる。
また、ワイヤループの最高位部分の位置を異ならせることにより、当該ワイヤにボンディングキャピラリが接触することも回避することができ、半導体装置を効率的に製造することができる。
即ち、ワイヤ112は、その一端(始端)が、半導体チップ11Bに於ける電極23B上のバンプ31に対しボールボンディング法により接続され、他端(終端)が半導体チップ11Aに於ける電極22A上に、バンプ32(及びバンプ33)を介すること無く、ワイヤ111の被スティッチボンディング部Sを含むバンプ31に対してスティッチボンディング法により接続されている。
この為、当該ワイヤ112は半導体チップ11Bの縁部(エッジ)に接触してしまう。
同様に、ワイヤ114を用いて、半導体チップ11Bに於ける電極23Aと、半導体チップ11Aに於ける電極22B上の前記バンプ31とを接続すると、当該ワイヤ114は半導体チップ11Bの縁部(エッジ)に接触してしまう。
即ち、ワイヤ112は、その一端(始端)を前記ワイヤ111の被スティッチボンディング部Sを含む半導体チップ11Aに於ける電極22A上のバンプ31に所謂ボールボンディング法により接続され、その他端(終端)が、半導体チップ11Bに於ける電極23B上のバンプ31に対してスティッチボンディング法により接続されている。
一方、ワイヤ114も、その一端(始端)を前記ワイヤ113の被スティッチボンディング部Sを含む半導体チップ11Aに於ける電極22B上のバンプ31に所謂ボールボンディング法により接続され、その他端(終端)が、半導体チップ11Bに於ける電極23A上のバンプ31に対してスティッチボンディング法により接続されている。
このような結線形態にあっては、ワイヤ112とワイヤ114は、ボンディング・導出方向が同一であるため、ワイヤのループ形状も同一の形状を呈する。
従って、図17Aに於けるワイヤ交差ポイントXにて、ワイヤ112とワイヤ114との接触を生じてしまう。
(付記1) 表面に電極が配設された基板と、
表面に電極が配設され前記基板に支持された第1の半導体素子と
を具備する半導体装置であって、
前記基板上及び前記第1の半導体素子上の少なくともいずれかに配設された少なくとも一つの電極に、第1のバンプを介して第1のワイヤが接続され、
当該第1のワイヤの被接続部に、第2のバンプを介して第2のワイヤが接続されてなる
ことを特徴とする半導体装置。
(付記2) 第1のワイヤ及び第2のワイヤは、それぞれ第1のバンプ及び第2のバンプに対してスティッチボンディングされてなる付記1に記載の半導体装置。
(付記3) 第1のバンプと第2のバンプとの間に、少なくとも1つの第3のバンプが配設された付記1から2のいずれかに記載の半導体装置。
(付記4) 第2のワイヤの被接続部に第4のバンプが配設され、更に第3のワイヤが接続されてなる付記1から3のいずれかに記載の半導体装置。
(付記5) 表面に電極が配設され第1の半導体素子に支持された第2の半導体素子を更に具備する付記1から4のいずれかに記載の半導体装置。
(付記6) 第1の半導体素子及び第2の半導体素子の電極は電源端子であり、
当該電極が、前記第2の半導体素子の中央部近傍に位置する第3の電極と第4のワイヤにて電気的に接続される付記5に記載の半導体装置。
(付記7) 第1のワイヤ及び第2のワイヤの少なくともいずれかと交差し、かつ離間して配置された第5のワイヤを有する付記1から6のいずれかに記載の半導体装置。
(付記8) 表面に電極が配設された第1の半導体素子と、
表面に電極が配設され前記第1の半導体素子に支持された基体と
を具備する半導体装置であって、
前記基体上及び前記第1の半導体素子上の少なくともいずれかに配設された少なくとも一つの電極に、第1のバンプを介して第1のワイヤが接続され、
当該第1のワイヤの被接続部に、第2のバンプを介して第2のワイヤが接続されてなる
ことを特徴とする半導体装置。
(付記9) 第1の半導体素子上及び基体上の少なくともいずれかに第2の半導体素子が配設される付記8に記載の半導体装置。
(付記10) 表面に電極が配設された基板上に、表面に電極が配設された半導体素子を搭載する工程と、
前記基板上及び前記半導体素子上の少なくともいずれかに配設された少なくとも一つの電極に、第1のバンプを介して第1のワイヤを接続する工程と、
前記第1のワイヤの被接続部に、第2のバンプを介して第2のワイヤを接続する工程と
を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記11) 第1のバンプ及び第2のバンプに対し、それぞれ第1のワイヤ及び第2のワイヤをスティッチボンディング法により接続する付記10に記載の半導体装置の製造方法。
(付記12) 第1のバンプの形成が、荷重の印加及び当該荷重の印加方向に対して略直交方向への超音波振動の付与によるボールボンディングにより行われ、
第2のバンプの形成が、荷重の印加によるボールボンディングにより行われる付記10から11のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
本発明の半導体装置の製造方法によれば、隣接ワイヤ間に於ける接触が防止され、ワイヤが交差して配置される場合にもワイヤ間の接触が防止されて、ワイヤ配線の高密度化を図ることができ、小型で高性能な半導体装置を効率的に製造することができる。
11A,11B,11C・・・半導体チップ
12,12A,12B,12C・・・接着剤
13・・・封止用樹脂
14・・・外部接続端子(ハンダボール)
15・・・リードフレーム
15A・・・ダイパッド
15B・・・インナーリード
21,21A,21B,21C,22,22A,22B,23,23A,23B,24・・・電極
31,31a,31b,32,33,34・・・バンプ
41,41A,41B,42,42A,42B,43,44,45・・・ワイヤ
50・・・中継部材
51・・・基体
52・・・電極
100,150,200,300,400,500,550,600・・・半導体装置
101〜104,111〜114・・・ワイヤ
B・・・ワイヤの球(ボール)状部
S・・・ワイヤのスティッチボンディング部
Claims (10)
- 表面に電極が配設された基板と、
表面に電極が配設され前記基板に支持された第1の半導体素子と
を具備する半導体装置であって、
前記基板上及び前記第1の半導体素子上の少なくともいずれかに配設された少なくとも一つの電極に、第1のバンプを介して第1のワイヤが接続され、
当該第1のワイヤの被接続部に、第2のバンプを介して第2のワイヤが接続されてなる
ことを特徴とする半導体装置。 - 第1のワイヤ及び第2のワイヤは、それぞれ第1のバンプ及び第2のバンプに対してスティッチボンディングされてなる請求項1に記載の半導体装置。
- 第1のバンプと第2のバンプとの間に、少なくとも1つの第3のバンプが配設された請求項1から2のいずれかに記載の半導体装置。
- 第2のワイヤの被接続部に第4のバンプが配設され、更に第3のワイヤが接続されてなる請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置。
- 表面に電極が配設され第1の半導体素子に支持された第2の半導体素子を更に具備する請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置。
- 第1の半導体素子及び第2の半導体素子の電極は電源端子であり、
当該電極が、前記第2の半導体素子の中央部近傍に位置する第3の電極と第4のワイヤにて電気的に接続される請求項5に記載の半導体装置。 - 表面に電極が配設された第1の半導体素子と、
表面に電極が配設され前記第1の半導体素子に支持された基体と
を具備する半導体装置であって、
前記基体上及び前記第1の半導体素子上の少なくともいずれかに配設された少なくとも一つの電極に、第1のバンプを介して第1のワイヤが接続され、
当該第1のワイヤの被接続部に、第2のバンプを介して第2のワイヤが接続されてなる
ことを特徴とする半導体装置。 - 第1の半導体素子上及び基体上の少なくともいずれかに第2の半導体素子が配設される請求項7に記載の半導体装置。
- 表面に電極が配設された基板上に、表面に電極が配設された半導体素子を搭載する工程と、
前記基板上及び前記半導体素子上の少なくともいずれかに配設された少なくとも一つの電極に、第1のバンプを介して第1のワイヤを接続する工程と、
前記第1のワイヤの被接続部に、第2のバンプを介して第2のワイヤを接続する工程と
を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1のバンプ及び第2のバンプに対し、それぞれ第1のワイヤ及び第2のワイヤをスティッチボンディング法により接続する請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
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CN200710001452.1A CN101114628B (zh) | 2006-07-27 | 2007-01-08 | 半导体器件及其制造方法 |
US12/557,986 US8134240B2 (en) | 2006-07-27 | 2009-09-11 | Semiconductor device and manufacturing method for the same |
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---|---|---|---|
JP2006205381A JP2008034567A (ja) | 2006-07-27 | 2006-07-27 | 半導体装置及びその製造方法 |
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TW (2) | TW201209947A (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009295988A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Micronas Gmbh | 特別に形作られたボンドワイヤを有する半導体装置およびそのような装置を製造するための方法 |
JP2012129489A (ja) * | 2010-12-13 | 2012-07-05 | Internatl Rectifier Corp | 電気的相互接続のためにリードフレームを用いるマルチチップモジュール(mcm)パワー・カッド・フラット・ノーリード(pqfn)半導体パッケージ |
US8304870B2 (en) | 2010-03-10 | 2012-11-06 | Renesas Electronics Corporation | Electronic device, relay member, and mounting substrate, and method for manufacturing the electronic device |
JP2013191738A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2013243209A (ja) * | 2012-05-18 | 2013-12-05 | Kyocera Corp | 半導体装置 |
US8609527B2 (en) | 2009-09-01 | 2013-12-17 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
JP2014120702A (ja) * | 2012-12-19 | 2014-06-30 | Azbil Corp | ワイヤボンディング方法 |
WO2014203739A1 (ja) * | 2013-06-18 | 2014-12-24 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2016187059A (ja) * | 2016-08-03 | 2016-10-27 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及び計測機器 |
US9620954B2 (en) | 2010-12-13 | 2017-04-11 | Infineon Technologies Americas Corp. | Semiconductor package having an over-temperature protection circuit utilizing multiple temperature threshold values |
US9659845B2 (en) | 2010-12-13 | 2017-05-23 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power quad flat no-lead (PQFN) package in a single shunt inverter circuit |
US9711437B2 (en) | 2010-12-13 | 2017-07-18 | Infineon Technologies Americas Corp. | Semiconductor package having multi-phase power inverter with internal temperature sensor |
JP2022047892A (ja) * | 2020-09-14 | 2022-03-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5481769B2 (ja) * | 2006-11-22 | 2014-04-23 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
TWI326914B (en) * | 2007-03-13 | 2010-07-01 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Multi-chip stack structure and fabrication method thereof |
US7847398B2 (en) * | 2007-08-01 | 2010-12-07 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device having a stacked bump to reduce kirkendall voids and or cracks and method of manufacturing |
US7859123B2 (en) * | 2008-09-19 | 2010-12-28 | Great Team Backend Foundry Inc. | Wire bonding structure and manufacturing method thereof |
US8168458B2 (en) * | 2008-12-08 | 2012-05-01 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming bond wires and stud bumps in recessed region of peripheral area around the device for electrical interconnection to other devices |
JP2010177456A (ja) * | 2009-01-29 | 2010-08-12 | Toshiba Corp | 半導体デバイス |
JP5062283B2 (ja) | 2009-04-30 | 2012-10-31 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
CN101924046A (zh) * | 2009-06-16 | 2010-12-22 | 飞思卡尔半导体公司 | 在半导体器件中形成引线键合的方法 |
WO2011043417A1 (ja) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US8008785B2 (en) * | 2009-12-22 | 2011-08-30 | Tessera Research Llc | Microelectronic assembly with joined bond elements having lowered inductance |
TWI409933B (zh) * | 2010-06-15 | 2013-09-21 | Powertech Technology Inc | 晶片堆疊封裝結構及其製法 |
JP2012004464A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Toshiba Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
CN102487025B (zh) * | 2010-12-08 | 2016-07-06 | 飞思卡尔半导体公司 | 用于长结合导线的支撑体 |
US9443795B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-09-13 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power quad flat no-lead (PQFN) package having bootstrap diodes on a common integrated circuit (IC) |
US9324646B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-04-26 | Infineon Technologies America Corp. | Open source power quad flat no-lead (PQFN) package |
US9449957B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-09-20 | Infineon Technologies Americas Corp. | Control and driver circuits on a power quad flat no-lead (PQFN) leadframe |
US9524928B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-12-20 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power quad flat no-lead (PQFN) package having control and driver circuits |
US9362215B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-06-07 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power quad flat no-lead (PQFN) semiconductor package with leadframe islands for multi-phase power inverter |
US9355995B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-05-31 | Infineon Technologies Americas Corp. | Semiconductor packages utilizing leadframe panels with grooves in connecting bars |
US8609525B2 (en) * | 2011-03-21 | 2013-12-17 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit packaging system with interconnects and method of manufacture thereof |
JP5972539B2 (ja) * | 2011-08-10 | 2016-08-17 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. | 半導体装置 |
KR20130042210A (ko) * | 2011-10-18 | 2013-04-26 | 삼성전자주식회사 | 멀티-칩 패키지 및 그의 제조 방법 |
KR101917331B1 (ko) | 2012-02-08 | 2018-11-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 이를 제조하는 방법 |
TW201345353A (zh) * | 2012-04-20 | 2013-11-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 晶片組裝結構及晶片組裝方法 |
US9362254B1 (en) * | 2015-02-12 | 2016-06-07 | Nanya Technology Corporation | Wire bonding method and chip structure |
CN104457453B (zh) * | 2013-09-25 | 2019-05-07 | 北京铱钵隆芯科技有限责任公司 | 数码电子雷管发火控制件组及其生产方法 |
JP6242665B2 (ja) * | 2013-11-08 | 2017-12-06 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置 |
JP2015173235A (ja) * | 2014-03-12 | 2015-10-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
TWI567839B (zh) * | 2014-08-27 | 2017-01-21 | 矽品精密工業股份有限公司 | 打線構造及銲線形成方法 |
US20160064351A1 (en) * | 2014-08-30 | 2016-03-03 | Skyworks Solutions, Inc. | Wire bonding using elevated bumps for securing bonds |
CN105845655B (zh) * | 2016-03-24 | 2018-05-04 | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 | 微焊盘上叠加进行球形焊接的方法及微焊盘叠加键合结构 |
DE112016007133B4 (de) * | 2016-08-10 | 2021-08-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung |
CN107170691B (zh) * | 2017-05-27 | 2019-07-16 | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 | 一种微焊盘上叠加或并排进行自动楔焊的方法 |
DE102017114771B4 (de) * | 2017-06-29 | 2022-01-27 | Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Drahtverbindung sowie Bauelementanordnung mit Drahtverbindung |
US11894334B2 (en) * | 2018-10-15 | 2024-02-06 | Intel Corporation | Dual head capillary design for vertical wire bond |
US11791309B2 (en) * | 2018-12-12 | 2023-10-17 | Heraeus Materials Singapore Pte. Ltd. | Process for electrically connecting contact surfaces of electronic components |
KR20210090521A (ko) * | 2020-01-10 | 2021-07-20 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 본딩 와이어 분지 구조를 포함한 반도체 패키지 |
JP2022039620A (ja) * | 2020-08-28 | 2022-03-10 | キオクシア株式会社 | 半導体装置 |
CN115706336A (zh) * | 2021-08-05 | 2023-02-17 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置及其制造方法 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000114452A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2000307057A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-11-02 | Sharp Corp | 半導体装置、およびその製造方法 |
JP2001345339A (ja) * | 2000-06-02 | 2001-12-14 | Shinkawa Ltd | 半導体装置 |
JP2002110898A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2003197857A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-11 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
JP2003243442A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-08-29 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
JP2003243436A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-08-29 | Seiko Epson Corp | バンプの形成方法、バンプ付き半導体素子及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
JP2003303847A (ja) * | 2002-04-10 | 2003-10-24 | Kaijo Corp | 半導体構造およびボンディング方法 |
JP2004022777A (ja) * | 2002-06-17 | 2004-01-22 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2005183555A (ja) * | 2003-12-18 | 2005-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
JP2005268497A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Denso Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04142073A (ja) | 1990-10-02 | 1992-05-15 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置 |
US5422435A (en) * | 1992-05-22 | 1995-06-06 | National Semiconductor Corporation | Stacked multi-chip modules and method of manufacturing |
US6413797B2 (en) * | 1997-10-09 | 2002-07-02 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for making the same |
JP3481444B2 (ja) * | 1998-01-14 | 2003-12-22 | シャープ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3765952B2 (ja) | 1999-10-19 | 2006-04-12 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
JP3471270B2 (ja) | 1999-12-20 | 2003-12-02 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP3420153B2 (ja) * | 2000-01-24 | 2003-06-23 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
TW452954B (en) | 2000-05-25 | 2001-09-01 | Advanced Semiconductor Eng | Manufacturing method of multi-chip module |
TW465064B (en) * | 2000-12-22 | 2001-11-21 | Advanced Semiconductor Eng | Bonding process and the structure thereof |
JP2002237567A (ja) | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP2002252281A (ja) | 2001-02-27 | 2002-09-06 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US8089142B2 (en) | 2002-02-13 | 2012-01-03 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for a stacked-die interposer |
US6653723B2 (en) * | 2002-03-09 | 2003-11-25 | Fujitsu Limited | System for providing an open-cavity low profile encapsulated semiconductor package |
EP1367644A1 (en) * | 2002-05-29 | 2003-12-03 | STMicroelectronics S.r.l. | Semiconductor electronic device and method of manufacturing thereof |
US20030230796A1 (en) * | 2002-06-12 | 2003-12-18 | Aminuddin Ismail | Stacked die semiconductor device |
JP4007917B2 (ja) | 2003-01-14 | 2007-11-14 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
TWI348748B (en) * | 2003-10-07 | 2011-09-11 | Rohm Co Ltd | Semiconductor device and method of fabricating the same |
TWI240392B (en) | 2004-03-31 | 2005-09-21 | Advanced Semiconductor Eng | Process for packaging and stacking multiple chips with the same size |
TWI252571B (en) | 2004-10-21 | 2006-04-01 | Advanced Semiconductor Eng | Wire bonding process |
-
2006
- 2006-07-27 JP JP2006205381A patent/JP2008034567A/ja active Pending
- 2006-12-11 TW TW100142075A patent/TW201209947A/zh unknown
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- 2006-12-22 KR KR1020060132749A patent/KR100789874B1/ko active IP Right Grant
- 2006-12-22 US US11/643,836 patent/US20080023831A1/en not_active Abandoned
-
2007
- 2007-01-08 CN CN200710001452.1A patent/CN101114628B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-09-11 US US12/557,986 patent/US8134240B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000114452A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2000307057A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-11-02 | Sharp Corp | 半導体装置、およびその製造方法 |
JP2001345339A (ja) * | 2000-06-02 | 2001-12-14 | Shinkawa Ltd | 半導体装置 |
JP2002110898A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2003197857A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-11 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
JP2003243442A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-08-29 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
JP2003243436A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-08-29 | Seiko Epson Corp | バンプの形成方法、バンプ付き半導体素子及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
JP2003303847A (ja) * | 2002-04-10 | 2003-10-24 | Kaijo Corp | 半導体構造およびボンディング方法 |
JP2004022777A (ja) * | 2002-06-17 | 2004-01-22 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2005183555A (ja) * | 2003-12-18 | 2005-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
JP2005268497A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Denso Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009295988A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Micronas Gmbh | 特別に形作られたボンドワイヤを有する半導体装置およびそのような装置を製造するための方法 |
US8609527B2 (en) | 2009-09-01 | 2013-12-17 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
US8304870B2 (en) | 2010-03-10 | 2012-11-06 | Renesas Electronics Corporation | Electronic device, relay member, and mounting substrate, and method for manufacturing the electronic device |
US9620954B2 (en) | 2010-12-13 | 2017-04-11 | Infineon Technologies Americas Corp. | Semiconductor package having an over-temperature protection circuit utilizing multiple temperature threshold values |
US9711437B2 (en) | 2010-12-13 | 2017-07-18 | Infineon Technologies Americas Corp. | Semiconductor package having multi-phase power inverter with internal temperature sensor |
US8587101B2 (en) | 2010-12-13 | 2013-11-19 | International Rectifier Corporation | Multi-chip module (MCM) power quad flat no-lead (PQFN) semiconductor package utilizing a leadframe for electrical interconnections |
US10438876B2 (en) | 2010-12-13 | 2019-10-08 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power quad flat no-lead (PQFN) package in a single shunt inverter circuit |
US9324638B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-04-26 | Infineon Technologies Americas Corp. | Compact wirebonded power quad flat no-lead (PQFN) package |
US9899302B2 (en) | 2010-12-13 | 2018-02-20 | Infineon Technologies Americas Corp. | Semiconductor package having multi-phase power inverter with internal temperature sensor |
US9530724B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-12-27 | Infineon Technologies Americas Corp. | Compact power quad flat no-lead (PQFN) package |
JP2012129489A (ja) * | 2010-12-13 | 2012-07-05 | Internatl Rectifier Corp | 電気的相互接続のためにリードフレームを用いるマルチチップモジュール(mcm)パワー・カッド・フラット・ノーリード(pqfn)半導体パッケージ |
US9659845B2 (en) | 2010-12-13 | 2017-05-23 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power quad flat no-lead (PQFN) package in a single shunt inverter circuit |
JP2013191738A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2013243209A (ja) * | 2012-05-18 | 2013-12-05 | Kyocera Corp | 半導体装置 |
JP2014120702A (ja) * | 2012-12-19 | 2014-06-30 | Azbil Corp | ワイヤボンディング方法 |
WO2014203739A1 (ja) * | 2013-06-18 | 2014-12-24 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2016187059A (ja) * | 2016-08-03 | 2016-10-27 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及び計測機器 |
JP2022047892A (ja) * | 2020-09-14 | 2022-03-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP7412310B2 (ja) | 2020-09-14 | 2024-01-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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