JP2005268497A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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ball
bonding
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克己 石川
Hiroshi Takei
宏 武井
Shinya Makino
信也 牧野
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Abstract

【課題】 半導体チップ上に設ける電極の個数を少なくすると共に、チップサイズを小さくする。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、半導体チップ３上の電極５上にバンプ形状に加工したＡｕボール８を積み上げる工程を備え、前記積み上げたＡｕボール８上にリード電極４上のボールボンドを完了したＡｕ線６をステッチボンドして接続する工程を備え、更に、前記ステッチボンドしたＡｕボール８上にバンプ形状に加工したＡｕボール８を積み上げる工程を備えたところに特徴を有する。この製造方法によれば、半導体チップ３上に設ける電極５の個数を少なくすることができ、チップサイズを小さくし得る。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体チップの電極とリード電極とをワイヤボンディングすることにより接続する構成を備えた半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置である例えばＬＤ−ＭＯＳ等のパワー素子においては、大電流制御のために、半導体チップに複数の電極を設けると共に、複数のＡｕ線を接続可能な大きさのリード電極を設け、半導体チップの複数の電極とリード電極とをそれぞれ１本のＡｕ線でワイヤボンディングするように構成されている。この場合、複数（例えば３個）の電極とリード電極との間は、複数本（例えば３本）のＡｕ線でワイヤボンディングされている。尚、このようなワイヤボンディング技術に関連する技術を示す公報として、特許文献１が知られている。
特開平１０−２２９１００号公報
上記従来構成のパワー素子においては、大電流を流すために、半導体チップ上に多くの電極を設ける必要がある。このため、チップサイズが大きくなり、ひいては、半導体チップを搭載するアイランドのサイズも大きくなってしまうという問題点があった。
そこで、本発明の目的は、半導体チップ上に設ける電極の個数を少なくすることができ、チップサイズを小さくすることができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供するにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体チップ上の電極上にバンプ形状に加工したＡｕボールを積み上げる工程と、前記積み上げたＡｕボール上にリード電極上のボールボンドを完了したＡｕ線をステッチボンドして接続する工程と、前記ステッチボンドしたＡｕボール上にバンプ形状に加工したＡｕボールを積み上げる工程とを備えたところに特徴を有するものである。
上記半導体装置の製造方法によれば、半導体チップ上の電極上にＡｕボールを２個積み上げ、上記１個の電極上にＡｕ線を２本接続することが可能なように構成したので、半導体チップ上に設ける電極の個数を少なくすることができ、チップサイズを小さくすることができる。
また、上記構成の場合、前記２重に積み上げたＡｕボール上に、リード電極上のボールボンドを完了したＡｕ線をステッチボンドして接続する工程を備えることが好ましい。
更に、前記ステッチボンドしたＡｕボール上にバンプ形状に加工したＡｕボールを積み上げる工程と、この積み上げたＡｕボール上に、リード電極上のボールボンドを完了したＡｕ線をステッチボンドして接続する工程とを、順に複数回繰り返すように構成することがより一層好ましい。
一方、本発明の他の半導体装置の製造方法は、リード電極上にバンプ形状に加工したＡｕボールを積み上げる工程と、前記積み上げたＡｕボール上に、半導体チップの電極上のボールボンドを完了したＡｕ線をステッチボンドして接続する工程と、前記ステッチボンドしたＡｕボール上にバンプ形状に加工したＡｕボールを積み上げる工程とを備えたところに特徴を有する。
この半導体装置の製造方法によれば、リード電極上にＡｕボールを２個積み上げ、リード電極上における１箇所の部位にＡｕ線を２本接続することが可能なように構成したので、リード電極のサイズを小さくすることができる。
上記構成の場合、前記２重に積み上げたＡｕボール上に、半導体チップの電極上のボールボンドを完了したＡｕ線をステッチボンドして接続する工程を備えることが好ましい。
また、前記ステッチボンドしたＡｕボール上にバンプ形状に加工したＡｕボールを積み上げる工程と、この積み上げたＡｕボール上に、半導体チップの電極上のボールボンドを完了したＡｕ線をステッチボンドして接続する工程とを、順に複数回繰り返すように構成することがより一層良い。
また、本発明の半導体装置は、半導体チップと、リード電極とを備え、前記半導体チップの電極上にバンプ形状に加工したＡｕボールを積み上げ、この積み上げたＡｕボール上にリード電極上のボールボンドを完了したＡｕ線をステッチボンドして接続し、このステッチボンドしたＡｕボール上にバンプ形状に加工したＡｕボールを積み上げ、更に、この積み上げたＡｕボール上に、リード電極上のボールボンドを完了したＡｕ線をステッチボンドして接続するように構成したところに特徴を有するものである。
本発明の他の半導体装置は、半導体チップと、リード電極とを備え、前記リード電極上にバンプ形状に加工したＡｕボールを積み上げ、この積み上げたＡｕボール上に、前記半導体チップの１つの電極上のボールボンドを完了したＡｕ線をステッチボンドして接続し、このステッチボンドしたＡｕボール上にバンプ形状に加工したＡｕボールを積み上げ、更に、この積み上げたＡｕボール上に、前記半導体チップの他の電極上のボールボンドを完了したＡｕ線をステッチボンドして接続するように構成したものである。
また、上記構成の場合、半導体チップを載置するアイランドを備え、このアイランド上に第１の半導体チップを載置すると共に、この第１の半導体チップ上に第２の半導体チップを載置し、前記第１の半導体チップ上における前記第２の半導体チップが載置されていない部分に設けられた電極を前記１つの電極とし、前記第２の半導体チップ上に設けられた電極を前記他の電極とするように構成したところに特徴を有する。
更に、半導体チップを載置するアイランドを備え、このアイランド上に複数の半導体チップを並べて載置し、前記複数の半導体チップのうちの１つの半導体チップ上に設けられた電極を前記１つの電極とし、前記複数の半導体チップのうちの他の１つの半導体チップ上に設けられた電極を前記他の電極とするように構成することが良い。
また、半導体チップを載置するアイランドを備え、このアイランド上に複数の半導体チップを積み重ねて載置し、前記複数の半導体チップのうちの１つの半導体チップ上における他の半導体チップが載置されていない部分に設けられた電極上に、複数のＡｕボールを積み上げるように構成し、これら複数の積み上げたＡｕボールのうちの１つのＡｕボール上に、リード電極上のボールボンドを完了したＡｕ線、または、他の半導体チップの電極上のボールボンドを完了したＡｕ線をステッチボンドして接続するように構成することがより一層良い構成である。
以下、本発明をパワー素子に適用した第１の実施例について、図１ないし図８を参照して説明する。まず、図１は、本実施例の半導体装置１の全体構成を概略的に示す側面図である。この図１に示すように、上記半導体装置１は、アイランド２上に載置固定された半導体チップ３と、リード電極４とから構成されている。上記半導体チップ３は、例えばＩＧＢＴやパワーＭＯＳＦＥＴ等で構成されている。
半導体チップ３上に設けられた電極５と、リード電極４との間は、３本のＡｕ線６、６、６をワイヤボンディングすることにより接続されている。
ここで、半導体チップ３の電極５とリード電極４との間を接続するＡｕ線６のワイヤボンディング工程について、図２ないし図８を参照して説明する。まず、半導体チップ３の電極５上にプレボールボンドを実行して、図４に示すように、プレボール７を作成する。
このプレボールボンドは、具体的には、図２及び図３に示すような工程で実行するように構成されている。即ち、図２に示すように、先端にＡｕボール８が設けられたＡｕ線６をワイヤボンディング用のツール９にセットした後、このツール９を半導体チップ３の電極（パッド）５上に下降させる。続いて、図３に示すように、ツール９によりＡｕボール８に対して加重と超音波を印加することにより、塑性変形させながら、Ａｕボール８（プレボール７）を電極５に接合する。
そして、ツール９を上昇させることにより、Ａｕ線６をプルカットする（図４参照）。この場合、ツール９を設定高さだけ上昇させた後、ツール９を水平方向に移動させると共に、若干下降させることにより、Ａｕ線６を押しつぶしながら切断（せん断）するように構成することが好ましい。ここまでの工程が、半導体チップ３上の電極５上にバンプ形状に加工したＡｕボール８を積み上げる工程に相当する。
次に、先端にＡｕボール８が設けられたＡｕ線６をセットしたツール９をリード電極４上に下降させ、図２及び図３のワイヤボンディング工程と同様にして、リード電極４上にＡｕボール８を接続する（図５中の左部分参照）。これにより、１回目のボンド（ボールボンド）を完了する。続いて、ツール９を上昇させると共に、水平方向（図５中右方）に移動させて半導体チップ３の電極５の上方に位置させる（このとき、図５に示すように、ツール９の位置を若干右方へずらしておく）。
そして、ツール９を下降させることにより、Ａｕ線６を半導体チップ３の電極５上にステッチ形状１０にて接合して接続する（図６参照）。この後、ツール９を上昇させることにより、Ａｕ線６をプルカットする。これにより、２回目のボンド（ステッチボンド）が完了すると共に、図６に示すように、１本目のＡｕ線６のワイヤボンディングの工程が完了する。
ここまでの工程が、積み上げたＡｕボール８上にリード電極４上のボールボンドを完了したＡｕ線６をステッチボンドして接続する工程に相当する。
続いて、図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、ステッチボンドしたＡｕボール８上にバンプ形状に加工したＡｕボール８を積み上げる工程を実行する。具体的には、図７（ａ）に示すように、先端にＡｕボール８が設けられたＡｕ線６をセットしたツール９をステッチボンドしたＡｕボール８上に下降させ、図２及び図３の工程と同様にして、ステッチボンドしたＡｕボール８上にＡｕボール８を接合する（図７（ｂ）参照）。これにより、３回目のボンド（ボールボンド）が完了する。
続いて、ツール９を上昇させた後（図７（ｂ）参照）、Ａｕ線６をプルカットする（図７（ｃ）参照）。この場合も、ツール９を設定高さだけ上昇させた後、ツール９を水平方向に移動させると共に、若干下降させることにより、Ａｕ線６を押しつぶしながら切断するように構成している。
次に、上記２段積みしたＡｕボール８上と、リード電極４上との間に２本目のＡｕ線６をワイヤボンディングする工程を実行する。
具体的には、まず、先端にＡｕボール８が設けられたＡｕ線６をセットしたツール９をリード電極４上における２本目のＡｕ線６を接合する部位の上に下降させ、図２及び図３の工程と同様にして、上記リード電極４上にＡｕボール８を接続する（図８参照）。これにより、３回目のボンド（ボールボンド）が完了する。続いて、ツール９を上昇させると共に、水平方向（図８中右方）に移動させて半導体チップ３の電極５のＡｕボール８の上方に位置させる（このとき、図８に示すように、ツール９の位置をＡｕボール８の中心よりも若干右方へずらしておく）。
そして、ツール９を下降させることにより、Ａｕ線６を半導体チップ３の電極５上にステッチ形状にて接合して接続する。この後、ツール９を上昇させることにより、Ａｕ線６をプルカットする。これにより、４回目のボンド（ステッチボンド）が完了すると共に、２本目のＡｕ線６のワイヤボンディングが完了する。
ここまでの工程が、２重に積み上げたＡｕボール８上にリード電極４上のボールボンドを完了したＡｕ線６をステッチボンドして接続する工程に相当する。
この後、３本目のＡｕ線６をワイヤボンディングするために、上記ステッチボンドしたＡｕボール８上にバンプ形状に加工したＡｕボール８（３個目）を積み上げる工程を実行する。この工程は、上述した２個目のＡｕボール８を積み上げる工程（図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）参照）とほぼ同様にして実行するように構成されている。そして、上記３段積みしたＡｕボール８上と、リード電極４上との間に３本目のＡｕ線６をワイヤボンディングする工程を実行する。
この工程は、上述した２本目のＡｕ線６をワイヤボンディングする工程（図８参照）とほぼ同様にして実行するように構成されている。これにより、３本目のＡｕ線６のワイヤボンディングが完了する。この結果、図１に示す構成の半導体装置１が製造される。
そして、ここまでの工程によって、ステッチボンドしたＡｕボール８上にバンプ形状に加工したＡｕボール８を積み上げる工程と、この積み上げたＡｕボール８上にリード電極４上のボールボンドを完了したＡｕ線６をステッチボンドして接続する工程とを、順に複数回繰り返す製造工程が実現されている。
このような構成の本実施例によれば、半導体チップ３上の電極５上にＡｕボールを２個積み上げ、上記１つの電極５上にＡｕ線を２本接続することが可能なように構成したので、半導体チップ３上に設ける電極の個数を少なくすることができ、ひいては、チップサイズを小さくすることができる。そして、チップサイズを小さくできることから、アイランドサイズも小さくすることが可能になる。
更に、上記実施例の場合、２重に積み上げたＡｕボール８上にリード電極４上のボールボンドを完了したＡｕ線６をステッチボンドして接続する工程を備えるように構成したので、半導体チップ３の１つの電極５上にＡｕ線６を２本接続する構成を実現することができる。
更にまた、上記実施例においては、ステッチボンドしたＡｕボール８上にバンプ形状に加工したＡｕボール８を積み上げる工程と、この積み上げたＡｕボール８上にリード電極４上のボールボンドを完了したＡｕ線６をステッチボンドして接続する工程とを、順に複数回繰り返すように構成したので、半導体チップ３の１つの電極５上にＡｕ線６を３本以上接続する構成を容易に実現することができる。そして、この構成によれば、半導体チップ３上に設ける電極の個数をより一層少なくすることができ、チップサイズを更に一層小さくすることができる。
尚、上記実施例においては、半導体チップ３の電極５とリード電極４との間を３本のＡｕ線６でワイヤボンディングするように構成したが、これに限られるものではなく、２本または４本以上のＡｕ線６でワイヤボンディングするように構成しても良い。
図９は、本発明の第２の実施例を示すものである。尚、第１の実施例と同一構成には、同一符号を付している。この第２の実施例においては、リード電極４上にＡｕボール８を３段に積み上げ、各Ａｕボール８上に３本のＡｕ線６をそれぞれステッチボンドして接続するように構成した。尚、リード電極４上にＡｕボール８を３段に積み上げる工程と、各Ａｕボール８上に３本のＡｕ線６をそれぞれステッチボンドする工程は、第１の実施例で実施している各工程とほぼ同様にして実行されるように構成されている。
また、半導体チップ３側においては、３本のＡｕ線６は、半導体チップ３上に設けられた３個の電極５上にボールボンドされている。尚、上述した以外の第２の実施例の構成は、第１の実施例の構成と同じ構成となっている。
そして、上記第２の実施例においては、リード電極４上にバンプ形状に加工したＡｕボール８を積み上げる工程と、積み上げたＡｕボール８上に、半導体チップ３の電極５上のボールボンドを完了したＡｕ線６をステッチボンドして接続する工程と、ステッチボンドしたＡｕボール８上にバンプ形状に加工したＡｕボール８を積み上げる工程と、２重に積み上げたＡｕボール８上に、半導体チップ３の電極５上のボールボンドを完了したＡｕ線６をステッチボンドして接続する工程とが実行されるように構成されている。
更に、上記実施例では、上記ステッチボンドしたＡｕボール８上にバンプ形状に加工したＡｕボール８を積み上げる工程と、この積み上げたＡｕボール８上に、半導体チップ３の電極５上のボールボンドを完了したＡｕ線６をステッチボンドして接続する工程とを、順に複数回繰り返す製造工程が実行される構成となっている。
また、上記第２の実施例によれば、３本のＡｕ線６をリード電極４上の１ヶ所の部位に接続するように構成したので、リード電極４のサイズを小さくすることができる。
図１０は、本発明の第３の実施例を示すものである。尚、第２の実施例と同一構成には、同一符号を付している。この第３の実施例においては、アイランド２上に第１の半導体チップ１１を載置して固着すると共に、この第１の半導体チップ１１上に、これよりもサイズが小さい第２の半導体チップ１２を載置して固着し、更に、この第２の半導体チップ１２上に、これよりもサイズが小さい第３の半導体チップ１３を載置して固着している。即ち、３つの半導体チップ１１、１２、１３は、スタック構造となるように構成されている。
そして、リード電極４上に積み上げた最下段のＡｕボール８と、第１の半導体チップ１１上における第２の半導体チップ１２が載置されていない部分に設けられた電極５とが、１本目のＡｕ線６でワイヤボンディングされている。また、リード電極４上に積み上げた２番目のＡｕボール８と、第２の半導体チップ１２上における第３の半導体チップ１３が載置されていない部分に設けられた電極５とが、２本目のＡｕ線６でワイヤボンディングされている。更に、リード電極４上に積み上げた最上段のＡｕボール８と、第３の半導体チップ１３上に設けられた電極５とが、３本目のＡｕ線６でワイヤボンディングされている。
尚、上述した以外の第３の実施例の構成は、第２の実施例の構成と同じ構成となっている。従って、第３の実施例においても、第２の実施例とほぼ同じ作用効果を得ることができる。
また、上記第３の実施例においては、アイランド２上に３つの半導体チップ１１、１２、１３を積み重ねるように構成したが、これに限られるものではなく、２個または４個以上の半導体チップを積み重ねるように構成しても良い。
図１１は、本発明の第４の実施例を示すものである。尚、第２の実施例と同一構成には、同一符号を付している。この第４の実施例においては、アイランド２上に例えば３個の半導体チップ１４、１４、１４を並べて載置して固着している。即ち、上記第４の時の場合、３個の半導体チップ１４、１４、１４は、マルチチップ構造なるように構成されている。そして、リード電極４上に積み上げた最下段のＡｕボール８と、図１１中の左端の半導体チップ１４上に設けられた電極５とが、１本目のＡｕ線６でワイヤボンディングされている。
また、リード電極４上に積み上げた２番目のＡｕボール８と、図１１中の中央の半導体チップ１４上に設けられた電極５とが、２本目のＡｕ線６でワイヤボンディングされている。更に、リード電極４上に積み上げた最上段のＡｕボール８と、図１１中の右端の半導体チップ１４上に設けられた電極５とが、３本目のＡｕ線６でワイヤボンディングされている。
尚、上述した以外の第４の実施例の構成は、第２の実施例の構成と同じ構成となっている。従って、第４の実施例においても、第２の実施例とほぼ同じ作用効果を得ることができる。
また、上記第４の実施例においては、アイランド２上に３つの半導体チップ３を並べて配置するように構成したが、これに限られるものではなく、２個または４個以上の半導体チップを並べて配置するように構成しても良い。
図１２は、本発明の第５の実施例を示すものである。尚、第３の実施例と同一構成には、同一符号を付している。この第５の実施例においては、アイランド２上に３つの半導体チップ１１、１２、１３をスタック構造となるように構成している。そして、第１の半導体チップ１１上における第２の半導体チップ１２が載置されていない部分に設けられた電極５上に、２個のＡｕボール８を積み上げている。更に、第２の半導体チップ１２上における第３の半導体チップ１３が載置されていない部分に設けられた電極５上に、３個のＡｕボール８を積み上げている。
そして、リード電極４上と、第１の半導体チップ１１の電極５上に積み上げた下段のＡｕボール８とが、１本目のＡｕ線６でワイヤボンディングされている。また、第１の半導体チップ１１の電極５上に積み上げた上段のＡｕボール８と、第２の半導体チップ１２の電極５上に積み上げた最下段のＡｕボール８とが、２本目のＡｕ線６でワイヤボンディングされている。更に、第２の半導体チップ１２上に積み上げた最上段のＡｕボール８と、第３の半導体チップ１３上に設けられた電極５とが、３本目のＡｕ線６でワイヤボンディングされている。
尚、上述した以外の第５の実施例の構成は、第３の実施例の構成と同じ構成となっている。従って、第５実施例においても、第３の実施例とほぼ同じ作用効果を得ることができる。特に、第５の実施例においては、第１の半導体チップ１１の電極５上に２個のＡｕボール８を積み上げると共に、第２の半導体チップ１２の電極５上に３個のＡｕボール８を積み上げるように構成したので、Ａｕ線６が半導体チップ１２、１３のエッジ部に接触して機能不良を起こすことを防止することができる。これにより、半導体チップ１１、１２、１３上における電極５の配置の設計自由度を高くすることができる。
図１３は、本発明の第６の実施例を示すものである。尚、第４の実施例と同一構成には、同一符号を付している。この第６の実施例においては、２個の半導体チップ３を２個のアイランド２の上にそれぞれ設けると共に、２個の半導体チップ３の間にリード電極４を配置するように構成した。そして、リード電極４上に２個のＡｕボール８を積み上げ、このうちの、下段のＡｕボール８上に、図１３中左の半導体チップ３上に設けられた３個の電極５上にそれぞれボールボンドされた３本のＡｕ線６をステッチボンドしている。
更に、リード電極４上に積み上げられた上段のＡｕボール８上に、図１３中右の半導体チップ３上に設けられた３個の電極５上にそれぞれボールボンドされた３本のＡｕ線６をステッチボンドしている。尚、上述した以外の第６の実施例の構成は、第４の実施例の構成と同じ構成となっている。従って、第６実施例においても、第４の実施例とほぼ同じ作用効果を得ることができる。特に、第６の実施例においては、６本のＡｕ線６をリード電極４上の１つの箇所に接合するように構成したので、リード電極４のサイズを小さくすることができる。
尚、上記第６の実施例においては、リード電極４上に２個のＡｕボール８を積み上げるように構成したが、これに限られるものではなく、リード電極４上に６個のＡｕボール８を積み上げ、各Ａｕボール８上にＡｕ線６を１本ずつステッチボンドするように構成しても良い。
図１４は、本発明の第７の実施例を示すものである。尚、第４の実施例と同一構成には、同一符号を付している。この第７の実施例においては、２個の半導体チップ３をアイランド２の上下面に固着する、即ち、両面実装するように構成している。
具体的には、アイランド２の上下面に半導体チップ３、３をそれぞれ実装し、リード電極４の上下面にそれぞれ３個のＡｕボール８を積み上げている。そして、リード電極４の上面に設けられた３個のＡｕボール８上に、アイランド２の上面に実装された半導体チップ３上に設けられた３個の電極５上にそれぞれボールボンドされた３本のＡｕ線６をそれぞれステッチボンドしている。
また、リード電極４の下面に設けられた３個のＡｕボール８上に、アイランド２の下面に実装された半導体チップ３上に設けられた３個の電極５上にそれぞれボールボンドされた３本のＡｕ線６をそれぞれステッチボンドしている。上述した以外の第７の実施例の構成は、第４の実施例の構成と同じ構成となっている。従って、第７実施例においても、第４の実施例とほぼ同じ作用効果を得ることができる。特に、第７の実施例においては、２個の半導体チップ３をアイランド２に両面実装するように構成したので、アイランド２及びリード電極４の各サイズを小さくすることができる。
本発明の第１の実施例を示す半導体装置の側面図 プレボールを作成する工程（その１）を示す縦断側面図 プレボールを作成する工程（その２）を示す縦断側面図 プレボールを作成した状態を示す縦断側面図 ボールボンドしたＡｕ線をＡｕボール上にステッチボンドする様子を示す縦断側面図 １本目のＡｕ線をワイヤボンディングした状態を示す縦断側面図 ステッチボンドしたＡｕボール上にＡｕボールを積み上げる工程を示す縦断側面図 ２本目のＡｕ線をワイヤボンディングする様子を示す縦断側面図 本発明の第２の実施例を示す図１相当図 本発明の第３の実施例を示す図１相当図 本発明の第４の実施例を示す図１相当図 本発明の第５の実施例を示す図１相当図 本発明の第６の実施例を示す図１相当図 本発明の第７の実施例を示す図１相当図
符号の説明
図面中、１は半導体装置、２はアイランド、３は半導体チップ、４はリード電極、５は電極、６はＡｕ線、７はプレボール、８はＡｕボール、１１は第１の半導体チップ、１２は第２の半導体チップ、１３は第３の半導体チップ、１４は半導体チップを示す。

Claims (11)

  1. 半導体チップ上の電極上にバンプ形状に加工したＡｕボールを積み上げる工程と、
    前記積み上げたＡｕボール上にリード電極上のボールボンドを完了したＡｕ線をステッチボンドして接続する工程と、
    前記ステッチボンドしたＡｕボール上にバンプ形状に加工したＡｕボールを積み上げる工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 前記２重に積み上げたＡｕボール上に、リード電極上のボールボンドを完了したＡｕ線をステッチボンドして接続する工程を備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  3. 前記ステッチボンドしたＡｕボール上にバンプ形状に加工したＡｕボールを積み上げる工程と、
    この積み上げたＡｕボール上に、リード電極上のボールボンドを完了したＡｕ線をステッチボンドして接続する工程とを、順に複数回繰り返すことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  4. リード電極上にバンプ形状に加工したＡｕボールを積み上げる工程と、
    前記積み上げたＡｕボール上に、半導体チップの電極上のボールボンドを完了したＡｕ線をステッチボンドして接続する工程と、
    前記ステッチボンドしたＡｕボール上にバンプ形状に加工したＡｕボールを積み上げる工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  5. 前記２重に積み上げたＡｕボール上に、半導体チップの電極上のボールボンドを完了したＡｕ線をステッチボンドして接続する工程を備えたことを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
  6. 前記ステッチボンドしたＡｕボール上にバンプ形状に加工したＡｕボールを積み上げる工程と、
    この積み上げたＡｕボール上に、半導体チップの電極上のボールボンドを完了したＡｕ線をステッチボンドして接続する工程とを、順に複数回繰り返すことを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
  7. 半導体チップと、
    リード電極とを備え、
    前記半導体チップの電極上にバンプ形状に加工したＡｕボールを積み上げ、この積み上げたＡｕボール上に、リード電極上のボールボンドを完了したＡｕ線をステッチボンドして接続し、このステッチボンドしたＡｕボール上にバンプ形状に加工したＡｕボールを積み上げ、更に、この積み上げたＡｕボール上に、リード電極上のボールボンドを完了したＡｕ線をステッチボンドして接続するように構成したことを特徴とする半導体装置。
  8. 半導体チップと、
    リード電極とを備え、
    前記リード電極上にバンプ形状に加工したＡｕボールを積み上げ、この積み上げたＡｕボール上に、前記半導体チップの１つの電極上のボールボンドを完了したＡｕ線をステッチボンドして接続し、このステッチボンドしたＡｕボール上にバンプ形状に加工したＡｕボールを積み上げ、更に、この積み上げたＡｕボール上に、前記半導体チップの他の電極上のボールボンドを完了したＡｕ線をステッチボンドして接続するように構成したことを特徴とする半導体装置。
  9. 半導体チップを載置するアイランドを備え、
    このアイランド上に第１の半導体チップを載置すると共に、
    この第１の半導体チップ上に第２の半導体チップを載置し、
    前記第１の半導体チップ上における前記第２の半導体チップが載置されていない部分に設けられた電極を前記１つの電極とし、
    前記第２の半導体チップ上に設けられた電極を前記他の電極とするように構成したことを特徴とする請求項８記載の半導体装置。
  10. 半導体チップを載置するアイランドを備え、
    このアイランド上に複数の半導体チップを並べて載置し、
    前記複数の半導体チップのうちの１つの半導体チップ上に設けられた電極を前記１つの電極とし、
    前記複数の半導体チップのうちの他の１つの半導体チップ上に設けられた電極を前記他の電極とするように構成したことを特徴とする請求項８記載の半導体装置。
  11. 半導体チップを載置するアイランドを備え、
    このアイランド上に複数の半導体チップを積み重ねて載置し、
    前記複数の半導体チップのうちの１つの半導体チップ上における他の半導体チップが載置されていない部分に設けられた電極上に、複数のＡｕボールを積み上げるように構成し、これら複数の積み上げたＡｕボールのうちの１つのＡｕボール上に、リード電極上のボールボンドを完了したＡｕ線、または、他の半導体チップの電極上のボールボンドを完了したＡｕ線をステッチボンドして接続するように構成したことを特徴とする請求項７記載の半導体装置。

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