JP2007324132A - ポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体、電解質膜とその製造方法および燃料電池 - Google Patents

ポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体、電解質膜とその製造方法および燃料電池 Download PDF

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Abstract

【課題】酸トラッピング能と機械的及び化学的安定性、および高温でのリン酸補液能が向上した、ポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体、電解質膜とその製造方法及び燃料電池を提供する。
【解決手段】本発明によれば、一官能性の第1ベンゾオキサジン系モノマー、多官能性の第2ベンゾオキサジン系モノマー及び架橋性化合物の重合結果物であるポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体、これを含む電解質膜とその製造方法及び燃料電池が提供される。ポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体は、酸トラッピング能と機械的及び化学的安定性、および高温でのリン酸補液能が向上しているため、ベンゾオキサジン系化合物の架橋体からなる電解質膜は、プロトン伝導度を増大させるためにリン酸のようなプロトンキャリアの含浸量を増加させる場合にも機械的及び化学的安定性に優れ、高温無加湿用燃料電池に有効に使われうる。
【選択図】図1

Description

本発明は、ポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体、電解質膜とその製造方法および燃料電池に係り、より詳細には、新規のポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体と、これを含む高温無加湿用燃料電池の電解質膜及びこれを採用した燃料電池に関する。
従来、電圧を印加することによってイオンが移動するイオン伝導体が知られている。このイオン伝導体は、電池や電気化学センサーなどの電気化学装置として、広く利用されている。
例えば、燃料電池においては、発電効率、システム効率、構成部材の長期耐久性の観点で、100〜300℃の作動温度で無加湿あるいは相対湿度50%以下の低加湿作動条件で良好なプロトン伝導性を長期安定的に示すプロトン伝導体が、要求されている。
従来の固体高分子型燃料電池の開発においては、前記要求に鑑みて検討されてきたが、パーフルオロカーボンスルホン酸膜を電解質膜として利用した固体高分子型燃料電池では、100〜300℃の作動温度で、相対湿度50%以下では、十分な発電性能を得られない短所がある。
また、従来プロトン伝導性付与剤を含有させた電解質膜を使用した燃料電池、シリカ分散膜を使用した燃料電池、無機−有機複合膜を使用した燃料電池、リン酸ドーピングされた高分子電解質膜を使用した燃料電池、またはイオン性液体複合膜を使用した燃料電池がある。
また、リン酸などの強酸をドーピングさせたポリベンズイミダゾール(PBI)からなる固体高分子電解質膜が開示されている(特許文献1参照)。
米国特許第5,525,436号明細書
しかし、前述した電解質膜は、リン酸ドーピングでイオン伝導度は増大するが、電解質膜の機械的特性が劣化するという問題点がある。特に、リン酸などの強酸がドーピングされたPBIは、高温での機械的及び化学的安定性が欠如し、リン酸の補液能も低下するという問題点がある。
そこで、本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的は、酸トラッピング能と機械的及び化学的安定性、および高温でのリン酸補液能が向上した、新規かつ改良されたポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体と、この架橋体を利用した電解質膜とその製造方法を提供することにある。
また、本発明が解決しようとする他の技術的課題は、前記電解質膜を採用することによって、燃料の効率及び発電効率が向上した燃料電池を提供することである。
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、下記化学式1で表示される第1ベンゾオキサジン系モノマーと、下記化学式2で表示される第2ベンゾオキサジン系モノマーと、架橋性化合物と、の重合生成物(反応生成物)であることを特徴とするポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体が提供される。
前記化学式1において、Rは、水素、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC4−C20シクロアルキル基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、またはシアノ基であり、Rは、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC7−C20アリールアルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリールアルキル基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環アルキル基である。
前記化学式2において、Rは、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC7−C20アリールアルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリールアルキル基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環アルキル基であり、Rは、置換もしくは非置換のC1−C20アルキレン基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニレン基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニレン基、置換もしくは非置換のC6−C20アリーレン基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリーレン基、−C(=O)−、および、−SO−からなる群から選択される。
前記第2ベンゾオキサジン系モノマーの含有量は、第1ベンゾオキサジン系モノマー100質量部を基準として、0.5〜50質量部であってもよい。
前記化学式1において、Rは、C1−C10アルキル基、アリル基、C6−C20アリール基、tert−ブチル基、C2−C10アルケニル基、C2−C10アルキニル基であってもよい。
前記化学式1及び化学式2において、Rは、フェニル基、−CH−CH=CH、下記構造式1で表示される置換基であってもよい。
前記化学式2において、Rは、−C(CH−、−C(CF−、−C(=O)−、−SO−、−CH−、−C(CCl)−、−CH(CH)−、−CH(CF)−または、下記構造式2で表される置換基であってもよい。
前記構造式2において、Rは、フェニル基、−CH−CH=CH、または、下記構造式1で表される置換基である。
前記化学式1の化合物は、下記化学式3〜12で表される化合物であってもよい。
前記化学式2で表される化合物は、下記化学式13〜17で表示される化合物のなかから選択された一つであってもよい。
前記化学式13〜化学式17において、Rは、−C(CH−、−C(CF−、−C(=O)−、−SO−、−CH−、−C(CCl)−、−CH(CH)−、−CH(CF)−、または、下記構造式2で表される置換基であり、Rは、フェニル基、−CH−CH=CH、または下記構造式1で表される置換基である。
前記架橋性化合物は、ポリベンズイミダゾール、ポリベンズチアゾール、ポリベンゾオキサゾール及びポリイミドからなる群から選択された一つ以上の化合物であってもよい。
前記架橋性化合物の含有量は、第1ベンゾオキサジン系モノマーと第2ベンゾオキサジン系モノマーとの総質量100質量部を基準として、10〜90質量部であってもよい。
上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、上記のポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体を含む電解質膜が提供される。
前記電解質膜は、プロトン伝導体を含んでもよい。
前記プロトン伝導体は、リン酸およびC1−C10アルキルリン酸からなる群から選択された一つ以上であり、前記プロトン伝導体の含有量は、ポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体100質量部を基準として、100〜1000質量部であってもよい。
上記課題を解決するために、本発明の更に別の観点によれば、下記化学式1で表示される第1ベンゾオキサジン系モノマー、化学式2で表示される第2ベンゾオキサジン系モノマー及び架橋性化合物を混合する工程と、前記混合物を硬化し、当該混合物をプロトン伝導体に含浸して電解質膜を形成する工程と、を含み、下記化学式1で表示される第1ベンゾオキサジン系モノマー、下記化学式2で表示される第2ベンゾオキサジン系モノマー及び架橋性化合物の重合生成物であるポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体を含む電解質膜を得ることを特徴とする、電解質膜の製造方法が提供される。
前記化学式1において、Rは、水素、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC4−C20シクロアルキル基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、またはシアノ基であり、Rは、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC7−C20アリールアルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリールアルキル基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環アルキル基である。
前記化学式2において、Rは、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC7−C20アリールアルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリールアルキル基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環アルキル基であり、Rは、置換もしくは非置換のC1−C20アルキレン基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニレン基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニレン基、置換もしくは非置換のC6−C20アリーレン基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリーレン基、−C(=O)−、および、−SO−からなる群から選択される。
前記第2ベンゾオキサジン系モノマーの含有量は、第1ベンゾオキサジン系モノマー100質量部を基準として、0.5〜50質量部であってもよい。
前記架橋性化合物の含有量は、前記第1ベンゾオキサジン系モノマーと第2ベンゾオキサジン系モノマーとの総質量100質量部を基準として、5〜95質量部であってもよい。
前記硬化は、50〜250℃で行われてもよい。
前記プロトン伝導体の含有量は、架橋性化合物100質量部を基準として、100〜1000質量部であってもよい。
前記プロトン伝導体は、リン酸およびC1−C10アルキルリン酸からなる群から選択された一つ以上であり、前記プロトン伝導体の含有量は、ポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体100質量部を基準として、100〜1000質量部であってもよい。
上記課題を解決するために、本発明の更に別の観点によれば、下記化学式1で表示されるベンゾオキサジン第1モノマー、下記化学式2で表示される第2ベンゾオキサジン系モノマー及び架橋性化合物を混合する工程と、前記混合物で膜を形成し、当該膜を硬化してプロトン伝導体に含浸する工程と、を含み、下記化学式1で表示される第1ベンゾオキサジン系モノマー、下記化学式2で表示される第2ベンゾオキサジン系モノマー及び架橋性化合物の重合生成物であるポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体を含む電解質膜を得ることを特徴とする、電解質膜の製造方法が提供される。
前記化学式1において、Rは、水素、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC4−C20シクロアルキル基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、またはシアノ基であり、Rは、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC7−C20アリールアルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリールアルキル基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環アルキル基である。
前記化学式2において、Rは、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC7−C20アリールアルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリールアルキル基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環アルキル基であり、Rは、置換もしくは非置換のC1−C20アルキレン基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニレン基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニレン基、置換もしくは非置換のC6−C20アリーレン基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリーレン基、−C(=O)−、および、−SO−からなる群から選択される。
前記膜を形成する工程は、前記第1ベンゾオキサジン系モノマーと第2ベンゾオキサジン系モノマーと架橋性化合物と、の混合物を、テープキャスティングして行われてもよい。
前記膜を形成する工程は、前記第1ベンゾオキサジン系モノマーと第2ベンゾオキサジン系モノマーと架橋性化合物と、の混合物を、支持体上にキャスティングして行われてもよい。
支持体から硬化結果物を剥離して、支持体を除去する工程を更に行ってもよい。
前記第2ベンゾオキサジン系モノマーの含有量は、第1ベンゾオキサジン系モノマー100質量部を基準として、0.5〜50質量部であってもよい。
前記架橋性化合物の含有量は、前記第1ベンゾオキサジン系モノマーと第2ベンゾオキサジン系モノマーとの総質量100質量部を基準として、5〜95質量部であってもよい。
前記硬化は、50〜250℃で行われてもよい。
前記プロトン伝導体の含有量は、架橋性化合物100質量部を基準として、100〜1000質量部であってもよい。
前記プロトン伝導体は、リン酸およびC1−C10アルキルリン酸からなる群から選択された一つ以上であり、前記プロトン伝導体の含有量は、ポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体100質量部を基準として、100〜1000質量部であってもよい。
上記課題を解決するために、本発明の更に別の観点によれば、上記ポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体を含む電解質膜を備える燃料電池が提供される。
本発明によるポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体は、ベンゾオキサジン系化合物の強い酸トラッピング能を持ち、架橋により機械的特性が向上してポリリン酸に溶解されず、化学的に非常に安定する。これを利用して製造された電解質膜は、高温でリン酸補液能が優秀なだけでなく、機械的、化学的安定性が非常に改善される。
また、本発明のポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体は、他の重合開始剤や架橋剤を使用せずに単純な熱を通じた重合過程を経て得ることができ、別途の架橋剤をさらに必要としないために、工程上にみる際に、量産面で望ましい。また、前記架橋体の合成時に使われる出発物質が、非常に低廉でコストダウンになるという利点がある。
特に本発明のベンゾオキサジン系化合物の架橋体からなる電解質膜は、プロトン伝導度を増大させるためにリン酸のようなプロトンキャリアの含浸量を増加させる場合にも、機械的及び化学的安定性が良好に維持され、高温無加湿用燃料電池に有効に使用可能である。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
燃料電池用電解質膜の伝導度を向上させるために、リン酸の含浸量を増大させると、高温での機械的特性が劣化する。特に、リン酸などの強酸をドーピングさせたポリベンズイミダゾール(PBI)からなる固体高分子電解質膜の場合には、高温での機械的、化学的安定性が欠如し、リン酸の補液能も低下する傾向を示す。
前述した問題点を解決するために、ポリベンゾオキサジン系化合物とポリベンズイミダゾール(PBI)とを混合し、その熱硬化工程を通じて作った電解質膜は、本出願人の大韓民国特許出願第2005−81994号、第2005−81995号及び第2006−11831号を参照できる。
しかし、前記方法によって得られた電解質膜は、PBIが単独で使われた電解質膜に比べて、高温での機械的、化学的安定性欠如によって招かれるピンホール現象は完全に克服されたが、実際のシステム適用時に反復的なオンオフ動作時の開放回路電圧が不十分であり、改善の余地がある。
このために本発明は、下記化学式1で表示される第1ベンゾオキサジン系モノマーと下記化学式2で表示される多官能性の第2ベンゾオキサジン系モノマーとを架橋剤と重合して得たポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体を利用して電解質膜を完成し、リン酸のようなプロトンキャリアを限界含浸量以上に付加した場合でも、機械的かつ化学的安定性の優秀な電解質膜を得ることができる。
前記多官能性の第2ベンゾオキサジン系モノマーは、第1ベンゾオキサジン系モノマーに比べて少量添加され、架橋結合サイトの増大による一官能性の第1ベンゾオキサジン系モノマーの開環重合の加速化を図りつつ、構造的固相化を通じてさらに堅い架橋共重合体網状構造を確保する。
前記化学式1において、Rは、水素、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC4−C20シクロアルキル基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、またはシアノ基であり、Rは、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC7−C20アリールアルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリールアルキル基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環アルキル基である。
前記化学式2において、Rは、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC7−C20アリールアルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリールアルキル基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環アルキル基であり、Rは、置換もしくは非置換のC1−C20アルキレン基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニレン基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニレン基、置換もしくは非置換のC6−C20アリーレン基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリーレン基、−C(=O)−、および、−SO−からなる群から選択される。
本発明において、前記第2ベンゾオキサジン系モノマーの含有量は、第1ベンゾオキサジン系モノマー100質量部を基準として、0.5〜50質量部であることが望ましく、特に1〜10質量部であることがさらに望ましい。このように第1ベンゾオキサジン系モノマーは、架橋性化合物と重合されて電解質膜を形成するための高分子マトリックス形成用モノマーとして使われ、前記第2ベンゾオキサジン系モノマーは、電解質膜の形成時に添加剤として使われる。
前記化学式1でRは、tert−ブチル基であることが好ましい。
前記化学式1及び化学式2でRは、例えば、フェニル基、−CH−CH=CH、または下記構造式1で表示される置換基であることが好ましい。
前記化学式2において、Rが例えば、−C(CH−、−C(CF−、−C(=O)−、−SO−、−CH−、−C(CCl)−、−CH(CH)−、−CH(CF)−である場合には、ベンゾオキサジン環を2つ含有する二官能性ベンゾオキサジン化合物であり、Rが例えば下記構造式2で表示される置換基である場合には、ベンゾオキサジン環を3つ含有する三官能性ベンゾオキサジン系化合物である。
前記構造式2において、Rは、例えば、フェニル基、−CH−CH=CH、下記構造式1で表示される置換基であることが好ましい。
前記化学式1で表示される第1ベンゾオキサジン系モノマーの例として、例えば、下記化学式3〜12で表示される化合物を挙げることができる。
前記化学式2で表示される第2ベンゾオキサジン系モノマーの具体的な例として、例えば、下記化学式13〜17で表示される化合物がある。
前記化学式13〜化学式17において、Rは、例えば、−C(CH−、−C(CF−、−C(=O)−、−SO−、−CH−、−C(CCl)−、−CH(CH)−、−CH(CF)−、または、下記構造式2で表される置換基であり、Rは、例えば、フェニル基、−CH−CH=CH、または下記構造式1で表される置換基である。
本発明で使われる架橋性化合物は、ベンゾオキサジン系モノマーと架橋結合を形成できる化合物ならば、いずれも使用可能である。
前記架橋性化合物の非制限的な例として、例えば、ポリベンズイミダゾール(PBI)、ポリベンズチアゾール、ポリベンゾオキサゾール、ポリイミド系のうち選択された一つ以上を挙げることができる。
前述した化学式1で表示される第1ベンゾオキサジン系モノマーと、化学式2で表示される第2ベンゾオキサジン系モノマーと、架橋性化合物と、の重合結果物(反応生成物)であるポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体を合成する過程を説明すれば、次の通りである。
前記化学式1で表示される第1ベンゾオキサジン系モノマーと、化学式2で表示される第2ベンゾオキサジン系モノマーと、架橋性化合物と、を所定混合比で混合する。ここで、架橋性化合物の含有量は、第1ベンゾオキサジン系モノマーと、第2ベンゾオキサジン系モノマーと、の総質量100質量部を基準として、例えば、5〜95質量部であることが好ましい。
もし、架橋性化合物の含有量が5質量部未満ならば、リン酸が含浸されずにプロトン伝導性が落ち、95質量部を超過すれば、過剰リン酸の存在下で架橋体がポリリン酸に溶けて、ガス透過が発生して望ましくない。
前記化学式2の第2ベンゾオキサジン系モノマーの含有量は、化学式1の第1ベンゾオキサジン系モノマー100質量部を基準として、0.5〜50質量部であることが望ましく、特に、1〜10質量部であることがさらに望ましい。もし、第2ベンゾオキサジン系モノマーの含有量が0.5質量部未満ならば、限界含浸量以上での物理的、化学的性質が欠如し、50質量部を超過すれば、架橋密度の高集積化によってプロトンキャリアのドーピングレベルが容易でなく、望ましくない。
次いで、前記混合物の硬化反応を実施すれば、これらの相互架橋反応を通じてポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体を得ることができる。すなわち、第1ベンゾオキサジン系モノマー及び第2ベンゾオキサジン系モノマーは、熱的開環重合を通じたポリベンズイミダゾールのような架橋性化合物と重合(硬化)して高分子マトリックスを形成し、前記重合反応は、順次的な温度調節反応によって進み、硬化反応のための温度で最小限7時間以上の反応時間が確保されて始めて網状構造を形成できる。
図1は、本発明の一実施形態による第1ベンゾオキサジン系モノマーと第2ベンゾオキサジン系モノマーとポリベンズイミダゾールとの間の反応メカニズムを説明するための図面である。
図1を参照して、第1ベンゾオキサジン系モノマー及び第2ベンゾオキサジン系モノマーは、熱によってオキサジン環が開きつつポリベンズイミダゾール(nは100〜10,000の数である)のフェニル環にオルト位置に結合しつつ、図面に示したような成長方向に成長する相互架橋反応が起きる。
前記硬化反応の温度は、第1ベンゾオキサジン系モノマー、第2ベンゾオキサジン系モノマー、架橋性化合物の種類などによって可変的であるが、50〜250℃範囲内で実施する。もし、硬化反応の温度が50℃未満ならば、硬化反応自体が進まず、250℃範囲を超過すれば、副反応物質が得られて望ましくない。
前記硬化反応時間は、硬化反応温度に依存的であるが、前述した温度範囲で7時間以上、特に8〜20時間実施することが望ましい。
前述した化学式1の第1ベンゾオキサジン系モノマーと、化学式2の第2ベンゾオキサジン系モノマーと、架橋性化合物と、の間の重合結果物であるポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体について、その化学的及び物理的特性を説明すれば、次の通りである。
本発明によって得たポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体は、有機溶媒、酸、塩基にも溶けない熱硬化性特性がある。したがって、既存の高分子の分子量についての情報を得る最も一般的な方法であるGPC(Gel Permeation Chromatography)では、分子量測定が不可能である。
前述した重合結果物は、燃料電池の電解質膜として利用可能であり、このような電解質膜の製造過程を説明すれば、次の通りである。本発明の電解質膜は、下記の2つの方法によって製造可能であり、架橋性化合物としてはポリベンズイミダゾールを例として挙げて説明する。
第1の方法によれば、前述した化学式1で表示される第1ベンゾオキサジン系モノマーと、化学式2の第2ベンゾオキサジン系モノマーと、PBIのような架橋性化合物と、をブレンディングした後、これを50〜250℃、特に、80〜220℃範囲で硬化反応を実施する。次いで、これに酸のようなプロトン伝導体を含浸して、電解質膜を形成する。
第2の方法によれば、化学式1で表示される第1ベンゾオキサジン系モノマーと、化学式2の第2ベンゾオキサジン系モノマーと、PBIのような架橋性化合物と、の混合物を利用して、膜を形成する。
前記膜を形成する方法としては、例えば、テープキャスティング法を利用することも可能であり、通例的なコーティング法を利用することも可能である。コーティング法の例としては、例えば、支持体上にドクターブレードを利用して前記混合物をキャスティングする方法を挙げることができる。ここで、ドクターブレードとして、250〜500μmギャップを持つものを使用する。
もし、前記膜を形成する過程でドクターブレードを利用したキャスティング法を利用する場合には、硬化後、酸を含浸する工程以前に支持体から電解質膜を分離して支持体を除去する工程がさらに行われる。このように支持体を除去しようとする場合には、例えば、60〜80℃の蒸溜水に浸漬する過程を経る。
前記支持体としては、電解質膜を支持する役割を行えるものならばいずれも使用可能であり、支持体の例として、例えば、ガラス基板、ポリイミドフィルムなどを使用する。テープキャスティング法を利用する場合には、テープキャスティングされた膜をポリエチレンテレフタレートのような支持体から分離した後、硬化のためのオーブンに入れるので、支持体が不要となるため、支持体を除去する工程が不要である。
また、ベンゾオキサジン系モノマーとポリベンズイミダゾールとからなる混合物を利用して膜をテープキャスティング法によって形成する場合、混合物をろ過する工程をさらに経ることができる。
このように形成された膜を熱処理して硬化反応を実施した後、これを酸のようなプロトン伝導体に含浸して電解質膜を形成する。
前記プロトン伝導体の非制限的な例には、例えば、リン酸、C1−C10アルキルリン酸などを使用する。前記C1−C10アルキルリン酸の例として、例えば、エチルリン酸などがある。
前記プロトン伝導体の含有量は、電解質膜の総質量100質量部に対して、300〜1000質量部でもって使用される。本発明で使用する酸の濃度は特別に制限されないが、リン酸を使用する場合、例えば、85質量%のリン酸水溶液を使用し、リン酸含浸時間は80℃で2.5時間〜14時間範囲である。
前記電解質膜は、燃料電池の水素イオン伝導膜として使用可能である。これを利用して燃料電池用電極−膜アセンブリーを製造する過程を説明すれば、次の通りである。本発明で使用する用語である「電極−膜アセンブリー(MEA:Membrane and electrode Assembly)」は、電解質膜を中心にこの両面に触媒層と拡散層とで構成された電極が順次に積層されている構造を示す。
本発明のMEAは、触媒層を備えている電極を、前記過程によって得た電解質膜の両面に配設した後、高温と高圧で接合して形成するか、または電気化学的な触媒反応がおきる触媒金属を高分子膜上にコーティングした後、ここに燃料拡散層を接合して形成できる。
この時、前記接合のための加熱温度及び圧力は、水素イオン伝導膜が軟化する温度(ナフィオンの場合に約125℃)まで加熱した状態で0.1〜3ton/cm、特に、約1ton/cmの圧力で加圧して実行する。
その後、前記電極−膜アセンブリーにそれぞれバイポーラプレートを装着して燃料電池を完成する。ここで、バイポーラプレートは、燃料供給用溝を持っており、集電体の機能を有している。
前記電極膜アセンブリーの製造時、触媒としては、例えば、白金(Pt)単独または金、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、スズ、モリブデン、コバルト、クロムからなる群で選択された一種以上の金属と白金との合金、あるいは混合物を使用する。
本発明の燃料電池は、特別にその用途が限定されるものではないが、望ましい一面によれば、高分子電解質膜(PEM)燃料電池として使われる。
一方、本発明で使用する化学式1で表示される第1ベンゾオキサジン系モノマーの合成過程を説明すれば、次の反応式1の通りである。
前記反応式1において、R及びRは、前記化学式1で定義された通りである。
前記反応式1において、前記化学式1のRは、tert−ブチル基であり、前記Rは、フェニル基、−CH−CH=CH、または下記構造式1で表される置換基であってもよい。
前記反応式1を参照して、フェノール化合物(A)とp−ホルムアルデヒドとアミン誘導体(B)とを混合した後、これを溶媒なしに加熱する工程を経るか、または溶媒を付加して還流し、これを、ワーク・アップ工程を経て、目的とする化学式1のベンゾオキサジン系モノマーを得ることができる。
前記反応で溶媒が使われる場合、溶媒として、例えば、1,4−ジオキサン、クロロホルム、ジクロロメタン、トルエン、THF(tetrahydrofuran)などを使用する。そして、前記加熱温度は、使われた溶媒が還流されうる温度範囲に調節するが、望ましくは、50〜90℃範囲、特に、約80℃になるように調節する。
前記アミン誘導体(B)の具体的な例として、例えば、Rが下記構造式1で表示される化合物がある。
また、化学式2で表示される第2ポリベンゾオキサジン系モノマーの合成過程を説明すれば、次の反応式2の通りである。
前記反応式2において、R及びRは、前記化学式2で定義された通りであり、特に、Rは、例えば、−C(CH−、−C(CF−、−C(=O)−、−SO−、−CH−、−C(CCl)−、−CH(CH)−、−CH(CF)−、または、下記構造式2で表される置換基である。
ここで、前記構造式2において、前記Rは、例えば、フェニル基、−CH−CH=CH、または下記構造式1で表示される置換基であることが望ましい。
前記反応式2を参照して、フェノール化合物(A’)とp−ホルムアルデヒドとアミン誘導体(B)とを混合した後、これを溶媒なしに加熱する工程を経るか、または溶媒を付加して還流し、これを、ワーク・アップ工程を経て、目的とするベンゾオキサジン系モノマーを得ることができる。
前記反応で溶媒が使われる場合、溶媒として、例えば、1,4−ジオキサン、クロロホルム、ジクロロメタン、トルエン、THFなどを使用する。そして、前記加熱温度は、使われた溶媒が還流されうる温度範囲で調節するが、望ましくは、50〜90℃範囲、特に、約80℃になるように調節する。
前記アミン誘導体(B)の具体的な例は、前記第1ベンゾオキサジン系モノマーの合成が利用されたアミン誘導体と同一である。
本発明の化学式1及び化学式2で使われる置換基の定義について説明すれば、次の通りである。
本発明の化学式で前記非置換のC1−C20のアルキル基の具体的な例としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソブチル、sec−ブチル、ベンチル、iso−アミル、へキシルなどを挙げることができ、前記アルキルのうち一つ以上の水素原子は、例えば、ハロゲン原子、ハロゲン原子に置換されたC1−C20のアルキル基(例:CCF、CHCF、CHF、CClなど)、ヒドロキシ基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン、ヒドラゾン、カルボキシル基やその塩、スルホン酸基やその塩、リン酸やその塩、またはC1−C20のアルキル基、C2−C20アルケニル基、C2−C20アルキニル基、C1−C20のヘテロアルキル基、C6−C20のアリール基、C6−C20のアリールアルキル基、C6−C20のヘテロアリール基、またはC6−C20のヘテロアリールアルキル基に置換されうる。
本発明の化学式で前記非置換のC2−C20のアルケニル基の具体的な例としては、例えば、ビニレン、アリレンなどを挙げることができ、前記アルケニルのうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同じ置換基に置換されうる。
本発明の化学式で前記非置換のC2−C20のアルキニル基の具体的な例には、例えば、アセチレンなどを挙げることができ、前記アルキニルのうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同じ置換基に置換されうる。
本発明の化学式で前記非置換のC1−C20のアルキレン基の具体的な例には、例えば、メチレン、エチレン、プロピレン、イソブチレン、sec−ブチレン、ペンチレン、iso−アミレン、へキシレンなどを挙げることができ、前記アルキレンのうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同じ置換基に置換されうる。
本発明の化学式で前記非置換のC1−C20のアルケニレン基の具体的な例には、例えば、アリル基などを挙げることができ、前記アルケニレンのうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキレン基の場合と同じ置換基に置換可能である。
本発明の化学式で前記非置換のC1−C20のアルキニレン基の具体的な例には、例えば、アセチレン基などを挙げることができ、前記アルケニレンのうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキレン基の場合と同じ置換基に置換可能である。
本発明で使われるアリール基は単独または組み合わせて使われて、一つ以上の環を含む炭素原子数6〜20の炭素環芳香族基を意味し、前記環は、ペンダント方法で共に付着または融合されうる。アリールという用語は、例えば、フェニル、ナフチル、テトラヒドロナフチルのような芳香族ラジカルを含む。前記アリール基は、例えば、ハロアルキレン、ニトロ、シアノ、アルコキシ及び低級アルキルアミノのような置換基を持つことができる。また、前記アリール基のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同じ置換基に置換可能である。
本発明で使われるアリーレン基は単独または組み合わせて使われて、一つ以上の環を含む炭素原子数6〜20の炭素環芳香族基を意味し、前記環は、ペンダント方法で共に付着または融合されうる。アリーレンという用語は、例えば、フェニレン、ナフチレン、テトラヒドロナフチレンのような芳香族ラジカルを含む。前記アリーレン基は、例えば、ハロアルキレン、ニトロ、シアノ、アルコキシ及び低級アルキルアミノのような置換基を持つことができる。また、前記アリール基のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同じ置換基に置換可能である。
本発明で使われるアリールアルキル基は、前記定義されたようなアリール基で水素原子のうち一部が低級アルキル、例えば、メチル、エチル、プロピルのようなラジカルに置換されたことを意味する。例えば、ベンジル、フェニルエチルなどがある。前記アリールアルキル基のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同じ置換基に置換可能である。
本発明で使われるヘテロアリール基は、N、O、PまたはSのうち選択された1、2または3個のヘテロ原子を含み、残りの環原子がCである炭素数1〜20の1価単環式または二環式の芳香族2価有機化合物を意味する。前記ヘテロ原子のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同じ置換基に置換可能である。
本発明で使われるヘテロアリーレン基は、N、O、PまたはSのうち選択された1、2または3個のヘテロ原子を含み、残りの環原子がCである炭素数1〜20の1が単環式または二環式芳香族2価有機化合物を意味する。前記ヘテロ原子のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同じ置換基に置換可能である。
本発明で使われるヘテロアリールアルキル基は、前記ヘテロアリール基の水素原子の一部がアルキル基に置換されたことを意味する。前記ヘテロアリールアルキル基のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同じ置換基に置換可能である。
本発明で使われる炭素環基は、シクロへキシル基のように5〜10炭素原子で構成された環基を称し、前記炭素環基のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同じ置換基に置換可能である。
本発明で使われる炭素環アルキル基は、前記炭素環基の水素原子一部がアルキル基に置換されたことを意味する。前記炭素環アルキル基のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同じ置換基に置換可能である。
本発明で使われるヘテロ環基は、窒素、硫黄、リン、酸素のようなヘテロ原子を含有している5〜10原子からなる環基を称し、このようなヘテロ環のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同じく置換可能である。
本発明で使われるヘテロ環アルキル基は、前記ヘテロ炭素環基の水素原子一部がアルキル基に置換されたことを意味する。前記ヘテロ環アルキル基のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同じ置換基に置換可能である。
以下、本発明を下記の実施例を例として詳細に説明するが、本発明が下記の実施例にのみ限定されるものではない。
<合成例1 化学式4のベンゾオキサジン系モノマー(以下“BOA”という)の製造>
tert−ブチルフェノル1mol、p−ホルムアルデヒド2.2mol及びアニリン1.1molを混合し、これを100℃で1時間溶媒なしに攪拌して粗生性物を得た。
前記粗生性物を1NのNaOH水溶液に2回、蒸溜水に1回洗浄する過程を順次に実施した後、これを、硫酸マグネシウムを利用して乾燥した。次いで、前記結果物をろ過してから溶媒を除去し、かつ真空乾燥して化学式4のベンゾオキサジン系モノマーを95%の収率で収得した。
前記過程によって得た化学式4のベンゾオキサジン系モノマーのNMRスペクトルは、図10の通りである。
<合成例2 化学式14(R=フェニル基)のベンゾオキサジン系モノマー(以下“HFA”という)の製造>
4,4’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフェノール(4,4’−HFIDPH)1mol、p−ホルムアルデヒド4.4mol及びベンゼン2.2molを混合し、これを100℃で1時間溶媒なしに攪拌して、粗生性物を得た。
前記粗生性物を1NのNaOH水溶液で2回、蒸溜水で1回洗浄する過程を順次に実施した後、これを、硫酸マグネシウムを利用して乾燥した。次いで、前記結果物をろ過してから溶媒を除去し、真空乾燥して化学式14(R=フェニル基)ベンゾオキサジン系モノマーを96%の収率で収得した。
前記過程によって得た化学式14のベンゾオキサジン系モノマーのNMRスペクトルは、図11に示した通りである。
<合成例3 化学式3のベンゾオキサジン系モノマーの製造>
フェノール1mol、p−ホルムアルデヒド2.2mol及びアニリン1.1molを混合し、これを110℃で1時間撹拌して粗生成物を得た。
前記粗生成物を1NのNaOH水溶液で2回、蒸溜水で1回洗浄する過程を順次に実施した後、これを、硫酸マグネシウムを利用して乾燥させた。次に、前記結果物を濾過してから溶媒を除去して真空乾燥し、化学式3のベンゾオキサジン系モノマーを収得した(収率=95%)。
<合成例4 化学式5のポリベンゾオキサジン系モノマーの製造>
三級ブチルフェノール1mol、p−ホルムアルデヒド2.2mol及び3−アミノプロピルイミダゾール1.1molを混合し、これを110℃で1時間溶媒なしに溶融(melt)状態で撹拌して粗生成物を得た。
前記粗生成物を1NのNaOH水溶液で2回、蒸溜水で1回洗浄する過程を順次に実施した後、これを、硫酸マグネシウムを利用して乾燥させた。次に、前記結果物を濾過してから溶媒を除去して真空乾燥し、化学式5のベンゾオキサジン系モノマーを95%の収率で収得した。
<合成例5 化学式13のベンゾオキサジン系モノマー(R=アニリンである場合)の製造>
ビスフェノールA(BP)1mol、p−ホルムアルデヒド4.4mol及びアニリン2.2molを混合し、これを110℃で1時間撹拌して粗生成物を得た。
前記粗生成物を1NのNaOH水溶液で2回、蒸溜水で1回洗浄する過程を順次に実施した後、これを、硫酸マグネシウムを利用して乾燥させた。次に、前記結果物を濾過してから溶媒を除去して真空乾燥し、化学式13のベンゾオキサジン系モノマー(R=アニリンである場合)を収得した(収率=95%)。
<合成例6 化学式14のポリベンゾオキサジン系モノマー(R=アニリンである場合)の製造>
4,4’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフェノール(4,4’−HFIDPH)1mol、p−ホルムアルデヒド4.4mol及びアニリン2.2molを混合し、これを110℃で1時間溶媒なしに撹拌して粗生成物を得た。
前記粗生成物を1NのNaOH水溶液で2回、蒸溜水で1回洗浄する過程を順次に実施した後、これを、硫酸マグネシウムを利用して乾燥させた。次に、前記結果物を濾過してから溶媒を除去して真空乾燥し、化学式14のベンゾオキサジン系モノマーを96%の収率で収得した。
<合成例7 化学式15のポリベンゾオキサジン系モノマー(R2=(3−アミノプロピルイミダゾール)の場合)の製造>
4,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン1mol、p−ホルムアルデヒド2.2mol及び3−アミノプロピルイミダゾール1.1molを混合し、これを110℃で1時間溶媒なしに溶融状態で撹拌して粗生成物を得た。
前記粗生成物を1NのNaOH水溶液で2回、蒸溜水で1回洗浄する過程を順次に実施した後、これを、硫酸マグネシウムを利用して乾燥させた。次に、前記結果物を濾過してから溶媒を除去して真空乾燥し、化学式15のベンゾオキサジン系モノマーを80%の収率で収得した。
<合成例8 化学式16のポリベンゾオキサジン系モノマー(R=3−アミノベンズイミダゾールである場合)の製造>
ビスフェノールS(BS)1mol、p−ホルムアルデヒド4.4mol及び1−(3−アミノプロピル)イミダゾール2.2molを混合し、これを110℃で1時間溶媒なしに溶融状態で撹拌して粗生成物を得た。
前記粗生成物を1NのNaOH水溶液で2回、蒸溜水で1回洗浄する過程を順次に実施した後、これを、硫酸マグネシウムを利用して乾燥させた。次に、前記結果物を濾過してから溶媒を除去して真空乾燥し、化学式16のベンゾオキサジン系モノマーを98%の収率で収得した。
<合成例9 化学式17のポリベンゾオキサジン系モノマー(R=アリルアミンである場合)の製造>
1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン(THPE)1mol、p−ホルムアルデヒド6.6mol及びアリルアミン3.3molを混合し、これを110℃で1時間溶媒なしに溶融状態で撹拌して粗生成物を得た。
前記粗生成物を1NのNaOH水溶液で2回、蒸溜水で1回洗浄する過程を順次に実施した後、これを、硫酸マグネシウムを利用して乾燥させた。次に、前記結果物を濾過してから溶媒を除去して真空乾燥し、化学式17のベンゾオキサジン系モノマーを95%の収率で収得した。
(実施例1)
前記合成例1によって得たBOA6質量部と合成例2によって得たHFA0.3質量部とPBI3.7質量部とをブレンディングした後、これを20℃/Hrの昇温速度で220℃まで加熱した後、この温度で硬化反応を実施してポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体を合成した。
前記ポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体を85質量%リン酸に80℃で2時間30分程度含浸して電解質膜を形成した。ここでリン酸の含有量は、電解質膜の総質量100質量部に対して約500質量部であった。
PBI電極は、PBI及びPVDFをバインダーとして使用して触媒層スラリーを製作し、これを微細多孔層がコーティングされたカーボンペーパー上にバーコーターでコーティングして製作した。完成された電極の白金ローディング量は、1.0〜1.4mg/cmの値を持つ。リン酸陰イオンの吸着を防止して触媒活性を向上させることが知られている白金−コバルト合金を触媒として使用する場合には、フッ化ポリビニリデンだけをバインダーとして使用して触媒インクを製作し、微細多孔層がコーティングされたカーボンペーパー上にバーコーターにコーティングして製作した。この電極の白金ローディング量は、2.2〜3.5mg/cmの値を持つ。前記電極の間にリン酸が含浸されたポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体を導入して膜電極組立体と燃料電池とを製作した。
(実施例2:電解質膜及びこれを利用した燃料電池の製造)
BOA50質量部と合成例2によって得たHFA3質量部とPBI47質量部とが使われたことを除いては、実施例1と同じ方法によって実施した。
(実施例3:電解質膜及びこれを利用した燃料電池の製造)
BOA40質量部と合成例2によって得たHFA3質量部とPBI57質量部とが使われたことを除いては、実施例1と同じ方法によって実施した。
(実施例4:電解質膜及びこれを利用した燃料電池の製造)
BOA60質量部と合成例2によって得たHFA2質量部とPBI38質量部とが使われたことを除いては、実施例1と同じ方法によって実施した。
(実施例5:電解質膜及びこれを利用した燃料電池の製造)
BOA50質量部と合成例2によって得たHFA2質量部とPBI48質量部とが使われたことを除いては、実施例1と同じ方法によって実施した。
(実施例6:電解質膜及びこれを利用した燃料電池の製造)
BOA40質量部と合成例2によって得たHFA2質量部とPBI58質量部とが使われたことを除いては、実施例1と同じ方法によって実施した。
(実施例7:電解質膜及びこれを利用した燃料電池の製造)
BOA60質量部と合成例2によって得たHFA5質量部とPBI35質量部とが使われたことを除いては、実施例1と同じ方法によって実施した。
(実施例8:電解質膜及びこれを利用した燃料電池の製造)
BOA50質量部と合成例2によって得たHFA5質量部とPBI45質量部とが使われたことを除いては、実施例1と同じ方法によって実施した。
(実施例9:電解質膜及びこれを利用した燃料電池の製造)
BOA40質量部と合成例2によって得たHFA5質量部とPBI55質量部とが使われたことを除いては、実施例1と同じ方法によって実施した。
(比較例1)
CELAZOLE(登録商標)PBI(Celanese Corp.製)を使用してPBI膜を作り、85質量%リン酸に常温で4時間含浸させた。実施例1と同じ方法によって実施して前記電極間にリン酸が含浸されたPBI膜を導入して、膜電極組立体及び燃料電池を製作した。
前記過程によって得た電解質膜の高温安定性は、高温での経時的なイオン伝導度変化を測定して評価し、イオン伝導度の測定方法は次の通りである。
1Hz〜1MHz周波数範囲で10mV(vs.O.C.V.)電圧バイアスを印加した状態で抵抗を測定し、電極は主にステンレススチール金属を使用して白金を電極として使用して再現性を評価した。
前記実施例1〜6及び比較例1によって製造された電解質膜のリン酸ドーピングレベルを測定して、図2に示した。ここでリン酸のドーピングレベルは、リン酸に含浸する前の質量、含浸した後の質量を測った後、その質量差を百分率で計算する方法を利用して評価した。
図2から、質量比のリン酸含浸率が分かる。
前記実施例4、5、7及び比較例1によって製造された電解質膜において、プロトン伝導度を評価して図3に示した。ここでプロトン伝導度評価方法は、実施例1〜9及び比較例1によって作った電解質膜を、85質量%リン酸に80℃で12時間以上含浸させた後、温度スキャニングを実施して伝導度を評価し、1Hz〜1MHz周波数範囲で10Mv(vs.O.C.V.)電圧バイアスを与えて抵抗を測定した。電極としては主にステンレススチール金属を使用し、白金を電極として使用して再現性を評価し、高温で経時的な伝導度変化を測定して電解質膜の高温安定性を評価した。
図3を参照することで、温度変化による電解質膜のイオン伝導性が分かる。60/38/2(BOA/PBI/HFA:実施例4)組成は、PBIに比較した時にあらゆる温度領域(25℃〜150℃)で高い伝導度を示す。セルの運転温度である150℃で1.5倍以上高い伝導度値を示した。50/48/2(BOA/PBI/HFA:実施例5)の組成は、PBIと類似した伝導度値を示し、60/35/5(BOA/PBI/HFA:実施例7)の組成は、100℃以下の温度ではPBI電解質膜より低い伝導度を示し、120℃以上の温度では高いか、類似した伝導度値を示す。したがって、前記組成の膜を適用する場合、アノードとカソード間のプロトン移動と関連した抵抗はPBI電解質膜と同一または小さい。
一方、前記実施例1〜6及び比較例1によって製造された燃料電池の性能は、初期特性を評価した後、0.3A/cmで16時間エイジングした後、再測定して評価し、その結果を図4に示した。ここで性能を、電流密度による電圧変化を調べて評価し、電流密度−電圧特性評価中の抵抗変化は、1kHzで交流抵抗を測定して評価した。燃料電池の性能評価は、水素燃料及び空気を加湿しないまま電池温度を150℃に維持して実施した。PBI電極を使用するか空気極にPtCo触媒を採用した場合には、水素流量を100ccm(cm/min)、空気流量を250ccm固定した後に電流−電圧特性を評価した。
図4を参照することで、前記実施例1〜6の燃料電池は、比較例1の場合と比較して分極性能が優秀であり、開放回路電圧(OCV)がさらに優秀であるいうことが分かり、これより実施例1〜6の燃料電池は、比較例1の場合と比較して燃料電池の性能が優秀であるということが分かった。
前記実施例2によって製造された燃料電池で電流密度によるセルポテンシャル変化を調べ、その結果は、図5に示した通りである。ここで電流密度によるセルポテンシャル変化評価方法は、既定の電流密度値を適用して電圧が定常状態に到達するまで待った後に電圧を測定する。各電流密度の値は0.01、0.02、0.04、0.05、0.1、0.15、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0A/cmとし、順次にその値を増加させつつ電圧を測定する。評価装置としては、Greenlight Power社製の燃料電池評価装置(FCATS G50)を利用した。
図5を参照すれば、実施例2の組成を持つ電解質膜の場合、開放回路電位値はかなり高い値を持って安定しているが、性能が若干落ちる傾向があることが分かる。
前記実施例8によって製造された燃料電池で電流密度によるセルポテンシャル変化を調べ、その結果を図6に示した。ここで電流密度によるセルポテンシャル変化評価方法は、実施例2と同じ方法で実施した。
前記実施例9によって製造された燃料電池で電流密度によるセルポテンシャル変化を調べ、その結果を図7に示した。ここで電流密度によるセルポテンシャル変化評価方法は、実施例2と同じ方法によって実施した。
前記実施例1〜6、8及び比較例1によって製造された電解質膜で開放回路電圧を比較測定して図8に図示した。ここで開放回路電圧は、Greenlight Power社製の燃料電池評価装置(FCATS G50)を利用して電流を遮断して、電圧が定常状態に到達するまで待った後に測定する。
図8を参照すれば、実施例1〜6及び8による電解質膜は、比較例1の場合に比べて開放回路電圧特性が向上することが分かる。特に、このような結果は、実施例1〜6及び8の電解質膜は、BOA、HFA及びPBI間の架橋結合が緻密になりつつガス遮断性のような化学的安定性が向上したためである。
前記実施例8及び比較例1による電解質膜でシャットダウン・スタートアップ特性を評価して図9に示した。
図9を参照して、実施例8の燃料電池は、反復的なオンオフ操作によるOCV減少現象が大きく改善されるということが分かり、これは、ポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体の架橋結合構造が稠密になって膜の化学的安定性が向上したためである。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明は、特に高温無加湿用燃料電池に有効に用いられる。
本発明の一実施形態によるベンゾオキサジン系モノマーとポリベンズイミダゾールとの反応メカニズムを説明するための図面である。 本発明の実施例1〜6及び比較例1によって製造された電解質膜のリン酸ドーピングレベルを示すグラフ図である。 本発明の実施例4、5、7及び比較例1によって製造された電解質膜において、プロトン伝導度を評価して示すグラフ図である。 本発明の実施例1〜6及び比較例1によって製造された燃料電池の初期特性を示すグラフ図である。 本発明の実施例2によって製造された燃料電池で、電流密度によるセルポテンシャル変化を示すグラフ図である。 本発明の実施例8によって製造された燃料電池で、電流密度によるセルポテンシャル変化を示すグラフ図である。 本発明の実施例9によって製造された燃料電池で、電流密度によるセルポテンシャル変化を示すグラフ図である。 本発明の実施例1〜6、8及び比較例1によって製造された電解質膜で、開放回路電圧を比較測定して示すグラフ図である。 本発明の実施例8及び比較例1による電解質膜で、シャットダウン・スタートアップ特性を示す図面である。 本発明の合成例1によって得た化学式4のベンゾオキサジン系モノマーのNMRスペクトルを示す図面である。 本発明の合成例2によって得た化学式14のベンゾオキサジン系モノマーのNMRスペクトルを示す図面である。

Claims (28)

  1. 下記化学式1で表示される第1ベンゾオキサジン系モノマーと、
    下記化学式2で表示される第2ベンゾオキサジン系モノマーと、
    架橋性化合物と、
    の重合生成物であることを特徴とする、ポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体。
    前記化学式1において、
    は、水素、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC4−C20シクロアルキル基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、またはシアノ基であり、
    は、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC7−C20アリールアルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリールアルキル基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環アルキル基である。
    前記化学式2において、
    は、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC7−C20アリールアルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリールアルキル基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環アルキル基であり、
    は、置換もしくは非置換のC1−C20アルキレン基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニレン基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニレン基、置換もしくは非置換のC6−C20アリーレン基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリーレン基、−C(=O)−、および、−SO−からなる群から選択される。
  2. 前記第2ベンゾオキサジン系モノマーの含有量は、第1ベンゾオキサジン系モノマー100質量部を基準として、0.5〜50質量部であることを特徴とする、請求項1に記載のポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体。
  3. 前記化学式1において、
    は、C1−C10アルキル基、アリル基、C6−C20アリール基、tert−ブチル基、C2−C10アルケニル基、C2−C10アルキニル基である
    ことを特徴とする、請求項1に記載のポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体。
  4. 前記化学式1及び化学式2において、
    は、フェニル基、−CH−CH=CH、下記構造式1で表示される置換基であることを特徴とする、請求項1に記載のポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体。
  5. 前記化学式2において、
    は、−C(CH−、−C(CF−、−C(=O)−、−SO−、−CH−、−C(CCl)−、−CH(CH)−、−CH(CF)−または、下記構造式2で表される置換基であることを特徴とする、請求項1に記載のポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体。
    前記構造式2において、
    は、フェニル基、−CH−CH=CH、または、下記構造式1で表される置換基である。
  6. 前記化学式1の化合物は、
    下記化学式3〜12で表される化合物である
    ことを特徴とする、請求項1に記載のポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体。

  7. 前記化学式2で表される化合物は、
    下記化学式13〜17で表示される化合物のなかから選択された一つであることを特徴とする、請求項1に記載のポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体。
    前記化学式13〜化学式17において、
    は、−C(CH−、−C(CF−、−C(=O)−、−SO−、−CH−、−C(CCl)−、−CH(CH)−、−CH(CF)−、または、下記構造式2で表される置換基であり、Rは、フェニル基、−CH−CH=CH、または下記構造式1で表される置換基である。
  8. 前記架橋性化合物は、
    ポリベンズイミダゾール、ポリベンズチアゾール、ポリベンゾオキサゾール及びポリイミドからなる群から選択された一つ以上の化合物である
    ことを特徴とする、請求項1に記載のポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体。
  9. 前記架橋性化合物の含有量は、
    第1ベンゾオキサジン系モノマーと第2ベンゾオキサジン系モノマーとの総質量100質量部を基準として、10〜90質量部である
    ことを特徴とする、請求項1に記載のポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体。
  10. 請求項1〜9のうちいずれか1項に記載のポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体を含むことを特徴とする、電解質膜。
  11. 前記電解質膜は、プロトン伝導体を含むことを特徴とする、請求項10に記載の電解質膜。
  12. 前記プロトン伝導体は、リン酸およびC1−C10アルキルリン酸からなる群から選択された一つ以上であり、
    前記プロトン伝導体の含有量は、
    ポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体100質量部を基準として、100〜1000質量部である
    ことを特徴とする、請求項10に記載の電解質膜。
  13. 下記化学式1で表示される第1ベンゾオキサジン系モノマー、化学式2で表示される第2ベンゾオキサジン系モノマー及び架橋性化合物を混合する工程と、
    前記混合物を硬化し、当該混合物をプロトン伝導体に含浸して電解質膜を形成する工程と、
    を含み、
    下記化学式1で表示される第1ベンゾオキサジン系モノマー、下記化学式2で表示される第2ベンゾオキサジン系モノマー及び架橋性化合物の重合生成物であるポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体を含む電解質膜を得ることを特徴とする、電解質膜の製造方法。
    前記化学式1において、
    は、水素、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC4−C20シクロアルキル基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、またはシアノ基であり、
    は、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC7−C20アリールアルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリールアルキル基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環アルキル基である。
    前記化学式2において、
    は、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC7−C20アリールアルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリールアルキル基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環アルキル基であり、
    は、置換もしくは非置換のC1−C20アルキレン基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニレン基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニレン基、置換もしくは非置換のC6−C20アリーレン基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリーレン基、−C(=O)−、および、−SO−からなる群から選択される。
  14. 前記第2ベンゾオキサジン系モノマーの含有量は、第1ベンゾオキサジン系モノマー100質量部を基準として、0.5〜50質量部であることを特徴とする、請求項13に記載の電解質膜の製造方法。
  15. 前記架橋性化合物の含有量は、前記第1ベンゾオキサジン系モノマーと第2ベンゾオキサジン系モノマーとの総質量100質量部を基準として、5〜95質量部であることを特徴とする、請求項13に記載の電解質膜の製造方法。
  16. 前記硬化は、50〜250℃で行われることを特徴とする、請求項13に記載の電解質膜の製造方法。
  17. 前記プロトン伝導体の含有量は、架橋性化合物100質量部を基準として、100〜1000質量部であることを特徴とする、請求項13に記載の電解質膜の製造方法。
  18. 前記プロトン伝導体は、リン酸およびC1−C10アルキルリン酸からなる群から選択された一つ以上であり、
    前記プロトン伝導体の含有量は、ポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体100質量部を基準として、100〜1000質量部である
    ことを特徴とする、請求項13に記載の電解質膜の製造方法。
  19. 下記化学式1で表示されるベンゾオキサジン第1モノマー、下記化学式2で表示される第2ベンゾオキサジン系モノマー及び架橋性化合物を混合する工程と、
    前記混合物で膜を形成し、当該膜を硬化してプロトン伝導体に含浸する工程と、
    を含み、
    下記化学式1で表示される第1ベンゾオキサジン系モノマー、下記化学式2で表示される第2ベンゾオキサジン系モノマー及び架橋性化合物の重合生成物であるポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体を含む電解質膜を得ることを特徴とする、電解質膜の製造方法。
    前記化学式1において、
    は、水素、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC4−C20シクロアルキル基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、またはシアノ基であり、
    は、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC7−C20アリールアルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリールアルキル基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環アルキル基である。
    前記化学式2において、
    は、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC7−C20アリールアルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリールアルキル基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環アルキル基であり、
    は、置換もしくは非置換のC1−C20アルキレン基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニレン基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニレン基、置換もしくは非置換のC6−C20アリーレン基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリーレン基、−C(=O)−、および、−SO−からなる群から選択される。
  20. 前記膜を形成する工程は、
    前記第1ベンゾオキサジン系モノマーと第2ベンゾオキサジン系モノマーと架橋性化合物と、の混合物を、テープキャスティングして行われることを特徴とする、請求項19に記載の電解質膜の製造方法。
  21. 前記膜を形成する工程は、
    前記第1ベンゾオキサジン系モノマーと第2ベンゾオキサジン系モノマーと架橋性化合物と、の混合物を、支持体上にキャスティングして行われることを特徴とする、請求項19に記載の電解質膜の製造方法。
  22. 支持体から硬化結果物を剥離して、支持体を除去する工程を更に行うことを特徴とする、請求項21に記載の電解質膜の製造方法。
  23. 前記第2ベンゾオキサジン系モノマーの含有量は、第1ベンゾオキサジン系モノマー100質量部を基準として、0.5〜50質量部であることを特徴とする、請求項19に記載の電解質膜の製造方法。
  24. 前記架橋性化合物の含有量は、前記第1ベンゾオキサジン系モノマーと第2ベンゾオキサジン系モノマーとの総質量100質量部を基準として、5〜95質量部であることを特徴とする、請求項19に記載の電解質膜の製造方法。
  25. 前記硬化は、50〜250℃で行われることを特徴とする、請求項19に記載の電解質膜の製造方法。
  26. 前記プロトン伝導体の含有量は、架橋性化合物100質量部を基準として、100〜1000質量部であることを特徴とする、請求項19に記載の電解質膜の製造方法。
  27. 前記プロトン伝導体は、リン酸およびC1−C10アルキルリン酸からなる群から選択された一つ以上であり、
    前記プロトン伝導体の含有量は、ポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体100質量部を基準として、100〜1000質量部である
    ことを特徴とする、請求項19に記載の電解質膜の製造方法。
  28. 請求項1〜9のうちいずれか1項に記載のポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体を含む電解質膜を備えることを特徴とする、燃料電池。
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