JP2007324132A - ポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体、電解質膜とその製造方法および燃料電池 - Google Patents
ポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体、電解質膜とその製造方法および燃料電池 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】本発明によれば、一官能性の第1ベンゾオキサジン系モノマー、多官能性の第2ベンゾオキサジン系モノマー及び架橋性化合物の重合結果物であるポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体、これを含む電解質膜とその製造方法及び燃料電池が提供される。ポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体は、酸トラッピング能と機械的及び化学的安定性、および高温でのリン酸補液能が向上しているため、ベンゾオキサジン系化合物の架橋体からなる電解質膜は、プロトン伝導度を増大させるためにリン酸のようなプロトンキャリアの含浸量を増加させる場合にも機械的及び化学的安定性に優れ、高温無加湿用燃料電池に有効に使われうる。
【選択図】図1
Description
tert−ブチルフェノル1mol、p−ホルムアルデヒド2.2mol及びアニリン1.1molを混合し、これを100℃で1時間溶媒なしに攪拌して粗生性物を得た。
4,4’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフェノール(4,4’−HFIDPH)1mol、p−ホルムアルデヒド4.4mol及びベンゼン2.2molを混合し、これを100℃で1時間溶媒なしに攪拌して、粗生性物を得た。
フェノール1mol、p−ホルムアルデヒド2.2mol及びアニリン1.1molを混合し、これを110℃で1時間撹拌して粗生成物を得た。
三級ブチルフェノール1mol、p−ホルムアルデヒド2.2mol及び3−アミノプロピルイミダゾール1.1molを混合し、これを110℃で1時間溶媒なしに溶融(melt)状態で撹拌して粗生成物を得た。
ビスフェノールA(BP)1mol、p−ホルムアルデヒド4.4mol及びアニリン2.2molを混合し、これを110℃で1時間撹拌して粗生成物を得た。
4,4’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフェノール(4,4’−HFIDPH)1mol、p−ホルムアルデヒド4.4mol及びアニリン2.2molを混合し、これを110℃で1時間溶媒なしに撹拌して粗生成物を得た。
4,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン1mol、p−ホルムアルデヒド2.2mol及び3−アミノプロピルイミダゾール1.1molを混合し、これを110℃で1時間溶媒なしに溶融状態で撹拌して粗生成物を得た。
ビスフェノールS(BS)1mol、p−ホルムアルデヒド4.4mol及び1−(3−アミノプロピル)イミダゾール2.2molを混合し、これを110℃で1時間溶媒なしに溶融状態で撹拌して粗生成物を得た。
1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン(THPE)1mol、p−ホルムアルデヒド6.6mol及びアリルアミン3.3molを混合し、これを110℃で1時間溶媒なしに溶融状態で撹拌して粗生成物を得た。
前記合成例1によって得たBOA6質量部と合成例2によって得たHFA0.3質量部とPBI3.7質量部とをブレンディングした後、これを20℃/Hrの昇温速度で220℃まで加熱した後、この温度で硬化反応を実施してポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体を合成した。
BOA50質量部と合成例2によって得たHFA3質量部とPBI47質量部とが使われたことを除いては、実施例1と同じ方法によって実施した。
BOA40質量部と合成例2によって得たHFA3質量部とPBI57質量部とが使われたことを除いては、実施例1と同じ方法によって実施した。
BOA60質量部と合成例2によって得たHFA2質量部とPBI38質量部とが使われたことを除いては、実施例1と同じ方法によって実施した。
BOA50質量部と合成例2によって得たHFA2質量部とPBI48質量部とが使われたことを除いては、実施例1と同じ方法によって実施した。
BOA40質量部と合成例2によって得たHFA2質量部とPBI58質量部とが使われたことを除いては、実施例1と同じ方法によって実施した。
BOA60質量部と合成例2によって得たHFA5質量部とPBI35質量部とが使われたことを除いては、実施例1と同じ方法によって実施した。
BOA50質量部と合成例2によって得たHFA5質量部とPBI45質量部とが使われたことを除いては、実施例1と同じ方法によって実施した。
BOA40質量部と合成例2によって得たHFA5質量部とPBI55質量部とが使われたことを除いては、実施例1と同じ方法によって実施した。
CELAZOLE(登録商標)PBI(Celanese Corp.製)を使用してPBI膜を作り、85質量%リン酸に常温で4時間含浸させた。実施例1と同じ方法によって実施して前記電極間にリン酸が含浸されたPBI膜を導入して、膜電極組立体及び燃料電池を製作した。
Claims (28)
- 下記化学式1で表示される第1ベンゾオキサジン系モノマーと、
下記化学式2で表示される第2ベンゾオキサジン系モノマーと、
架橋性化合物と、
の重合生成物であることを特徴とする、ポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体。
R1は、水素、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC4−C20シクロアルキル基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、またはシアノ基であり、
R2は、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC7−C20アリールアルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリールアルキル基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環アルキル基である。
R2は、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC7−C20アリールアルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリールアルキル基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環アルキル基であり、
R3は、置換もしくは非置換のC1−C20アルキレン基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニレン基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニレン基、置換もしくは非置換のC6−C20アリーレン基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリーレン基、−C(=O)−、および、−SO2−からなる群から選択される。 - 前記第2ベンゾオキサジン系モノマーの含有量は、第1ベンゾオキサジン系モノマー100質量部を基準として、0.5〜50質量部であることを特徴とする、請求項1に記載のポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体。
- 前記化学式1において、
R1は、C1−C10アルキル基、アリル基、C6−C20アリール基、tert−ブチル基、C2−C10アルケニル基、C2−C10アルキニル基である
ことを特徴とする、請求項1に記載のポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体。 - 前記化学式1及び化学式2において、
R2は、フェニル基、−CH2−CH=CH2、下記構造式1で表示される置換基であることを特徴とする、請求項1に記載のポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体。
- 前記化学式2において、
R3は、−C(CH3)2−、−C(CF3)2−、−C(=O)−、−SO2−、−CH2−、−C(CCl3)−、−CH(CH3)−、−CH(CF3)−または、下記構造式2で表される置換基であることを特徴とする、請求項1に記載のポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体。
R4は、フェニル基、−CH2−CH=CH2、または、下記構造式1で表される置換基である。
- 前記化学式1の化合物は、
下記化学式3〜12で表される化合物である
ことを特徴とする、請求項1に記載のポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体。
- 前記化学式2で表される化合物は、
下記化学式13〜17で表示される化合物のなかから選択された一つであることを特徴とする、請求項1に記載のポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体。
R2は、−C(CH3)2−、−C(CF3)2−、−C(=O)−、−SO2−、−CH2−、−C(CCl3)−、−CH(CH3)−、−CH(CF3)−、または、下記構造式2で表される置換基であり、R4は、フェニル基、−CH2−CH=CH2、または下記構造式1で表される置換基である。
- 前記架橋性化合物は、
ポリベンズイミダゾール、ポリベンズチアゾール、ポリベンゾオキサゾール及びポリイミドからなる群から選択された一つ以上の化合物である
ことを特徴とする、請求項1に記載のポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体。 - 前記架橋性化合物の含有量は、
第1ベンゾオキサジン系モノマーと第2ベンゾオキサジン系モノマーとの総質量100質量部を基準として、10〜90質量部である
ことを特徴とする、請求項1に記載のポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体。 - 請求項1〜9のうちいずれか1項に記載のポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体を含むことを特徴とする、電解質膜。
- 前記電解質膜は、プロトン伝導体を含むことを特徴とする、請求項10に記載の電解質膜。
- 前記プロトン伝導体は、リン酸およびC1−C10アルキルリン酸からなる群から選択された一つ以上であり、
前記プロトン伝導体の含有量は、
ポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体100質量部を基準として、100〜1000質量部である
ことを特徴とする、請求項10に記載の電解質膜。 - 下記化学式1で表示される第1ベンゾオキサジン系モノマー、化学式2で表示される第2ベンゾオキサジン系モノマー及び架橋性化合物を混合する工程と、
前記混合物を硬化し、当該混合物をプロトン伝導体に含浸して電解質膜を形成する工程と、
を含み、
下記化学式1で表示される第1ベンゾオキサジン系モノマー、下記化学式2で表示される第2ベンゾオキサジン系モノマー及び架橋性化合物の重合生成物であるポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体を含む電解質膜を得ることを特徴とする、電解質膜の製造方法。
R1は、水素、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC4−C20シクロアルキル基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、またはシアノ基であり、
R2は、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC7−C20アリールアルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリールアルキル基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環アルキル基である。
R2は、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC7−C20アリールアルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリールアルキル基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環アルキル基であり、
R3は、置換もしくは非置換のC1−C20アルキレン基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニレン基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニレン基、置換もしくは非置換のC6−C20アリーレン基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリーレン基、−C(=O)−、および、−SO2−からなる群から選択される。 - 前記第2ベンゾオキサジン系モノマーの含有量は、第1ベンゾオキサジン系モノマー100質量部を基準として、0.5〜50質量部であることを特徴とする、請求項13に記載の電解質膜の製造方法。
- 前記架橋性化合物の含有量は、前記第1ベンゾオキサジン系モノマーと第2ベンゾオキサジン系モノマーとの総質量100質量部を基準として、5〜95質量部であることを特徴とする、請求項13に記載の電解質膜の製造方法。
- 前記硬化は、50〜250℃で行われることを特徴とする、請求項13に記載の電解質膜の製造方法。
- 前記プロトン伝導体の含有量は、架橋性化合物100質量部を基準として、100〜1000質量部であることを特徴とする、請求項13に記載の電解質膜の製造方法。
- 前記プロトン伝導体は、リン酸およびC1−C10アルキルリン酸からなる群から選択された一つ以上であり、
前記プロトン伝導体の含有量は、ポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体100質量部を基準として、100〜1000質量部である
ことを特徴とする、請求項13に記載の電解質膜の製造方法。 - 下記化学式1で表示されるベンゾオキサジン第1モノマー、下記化学式2で表示される第2ベンゾオキサジン系モノマー及び架橋性化合物を混合する工程と、
前記混合物で膜を形成し、当該膜を硬化してプロトン伝導体に含浸する工程と、
を含み、
下記化学式1で表示される第1ベンゾオキサジン系モノマー、下記化学式2で表示される第2ベンゾオキサジン系モノマー及び架橋性化合物の重合生成物であるポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体を含む電解質膜を得ることを特徴とする、電解質膜の製造方法。
R1は、水素、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC4−C20シクロアルキル基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、またはシアノ基であり、
R2は、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC7−C20アリールアルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリールアルキル基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環アルキル基である。
R2は、置換もしくは非置換のC1−C20アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニル基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニル基、置換もしくは非置換のC6−C20アリール基、置換もしくは非置換のC7−C20アリールアルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリールアルキル基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環基、置換もしくは非置換のC4−C20炭素環アルキル基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環基、または、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロ環アルキル基であり、
R3は、置換もしくは非置換のC1−C20アルキレン基、置換もしくは非置換のC2−C20アルケニレン基、置換もしくは非置換のC2−C20アルキニレン基、置換もしくは非置換のC6−C20アリーレン基、置換もしくは非置換のC2−C20ヘテロアリーレン基、−C(=O)−、および、−SO2−からなる群から選択される。 - 前記膜を形成する工程は、
前記第1ベンゾオキサジン系モノマーと第2ベンゾオキサジン系モノマーと架橋性化合物と、の混合物を、テープキャスティングして行われることを特徴とする、請求項19に記載の電解質膜の製造方法。 - 前記膜を形成する工程は、
前記第1ベンゾオキサジン系モノマーと第2ベンゾオキサジン系モノマーと架橋性化合物と、の混合物を、支持体上にキャスティングして行われることを特徴とする、請求項19に記載の電解質膜の製造方法。 - 支持体から硬化結果物を剥離して、支持体を除去する工程を更に行うことを特徴とする、請求項21に記載の電解質膜の製造方法。
- 前記第2ベンゾオキサジン系モノマーの含有量は、第1ベンゾオキサジン系モノマー100質量部を基準として、0.5〜50質量部であることを特徴とする、請求項19に記載の電解質膜の製造方法。
- 前記架橋性化合物の含有量は、前記第1ベンゾオキサジン系モノマーと第2ベンゾオキサジン系モノマーとの総質量100質量部を基準として、5〜95質量部であることを特徴とする、請求項19に記載の電解質膜の製造方法。
- 前記硬化は、50〜250℃で行われることを特徴とする、請求項19に記載の電解質膜の製造方法。
- 前記プロトン伝導体の含有量は、架橋性化合物100質量部を基準として、100〜1000質量部であることを特徴とする、請求項19に記載の電解質膜の製造方法。
- 前記プロトン伝導体は、リン酸およびC1−C10アルキルリン酸からなる群から選択された一つ以上であり、
前記プロトン伝導体の含有量は、ポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体100質量部を基準として、100〜1000質量部である
ことを特徴とする、請求項19に記載の電解質膜の製造方法。 - 請求項1〜9のうちいずれか1項に記載のポリベンゾオキサジン系化合物の架橋体を含む電解質膜を備えることを特徴とする、燃料電池。
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