JP2007048929A - 塗布処理装置および塗布処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板を一方向に移動させながら塗布液を塗布する塗布方式において、基板を受け渡して保持する際に基板の流れが止まることを回避することが可能な技術を提供すること。
【解決手段】塗布処理装置２３ａは、基板Ｇを保持して一方向に搬送するベルト搬送機構１２と、ベルト搬送機構１２の上方に設けられ、搬送されている基板Ｇに塗布液を吐出する塗布液吐出ノズル１４と、基板Ｇを一方向に搬送してベルト搬送機構１２に搬入する搬入側搬送部１３と、ベルト搬送機構１２から基板Ｇを一方向に搬出する搬出側搬送部１５とを具備し、ベルト搬送機構１２は、多数の吸着孔５７が形成された吸着搬送ベルト５１と、吸着搬送ベルト５１が巻き掛けられる一対の搬送ロール５２と、搬送ロール５２を駆動させる駆動機構５３と、吸着搬送ベルト５１の吸着孔５７を介して基板Ｇを吸引する吸引機構５５とを有する。
【選択図】 図３

Description

本発明は、液晶表示装置等のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）に用いられるガラス基板等の基板に、レジスト液等の塗布液を塗布する塗布処理装置および塗布処理方法に関する。

例えば、液晶表示装置（ＬＣＤ）の製造工程においては、フォトリソグラフィー技術を用いて、ガラス基板に所定の回路パターンを形成している。このフォトリソグラフィー技術においては、ガラス基板にレジスト液を供給して塗布膜を形成する塗布処理を行った後、これを乾燥し、引き続き露光処理、現像処理を逐次行っている。

従来、レジスト塗布処理においては、基板を回転させてその回転中心の真上から基板表面にレジスト液を滴下し、遠心力によって基板全面にレジスト液を広げる回転塗布が多用されてきたが、近時、ＬＣＤガラス基板が大型の一途をたどり、レジスト消費量の低減や安全性の観点から、基板とスリット型ノズルとを直線的に相対移動させならがらノズルからレジスト液を吐出するスリット塗布が用いられつつある（例えば、特許文献１）。このようなスリット塗布においては、ガラス基板を水平に真空吸着する載置台と、この載置台に保持された基板にレジスト液を吐出するレジスト液吐出ノズルと、載置台とレジスト液吐出ノズルとの間に相対移動を生じさせる移動機構とを有する塗布処理装置が用いられている。

一方、ＬＣＤガラス基板のフォトリソグラフィー工程においては、レジスト塗布および露光後の現像ならびにそれらに付随する多数の処理を一括して行うレジスト塗布・現像システムが用いられており、従来、このような処理システムは、各処理を行う処理ユニットを搬送路の両側にプロセスフローを意識した形態で配置し、搬送路を走行可能な中央搬送装置により各処理ユニットへの被処理基板の搬入出を行うプロセスブロックを一または複数配置してなる処理システムにより行われている。このような処理システムは、基本的にランダムアクセスであるから処理の自由度が極めて高いが、ガラス基板が大型化すると、このような配置ではシステムのフットプリントが極めて大きくなってしまう。このため、中央搬送装置を用いずに処理の順に処理ユニットを配置してガラス基板を流しながら処理を行ういわゆる「平流し方式」が採用されつつある。

このような平流し方式のシステムに、上述したようなスリット塗布を行う塗布処理装置を用いた場合には、レジスト吐出ノズルとガラス基板との間の距離を高精度で規定するために基板を載置台に真空吸着させ、基板を載置台ごと一方向に移動させながら基板上にレジスト液を吐出して塗布しているが、ガラス基板を載置台に真空吸着させて保持する際に、搬送ロボットを用いて載置台への基板の受け渡しを行う必要があるため、載置台への受け渡しの際しガラス基板の流れが止まってしまうとともに、受け渡しに時間を要することから、スループットが低下してしまう。
特開平１０−１５６２５５号公報

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、基板を一方向に移動させながら塗布液を塗布する塗布方式において、基板を受け渡して保持する際に基板の流れが止まることを回避することが可能な塗布処理装置および塗布処理方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明の第１の観点では、基板を一方向に搬送しながら基板に塗布液を塗布する塗布処理装置であって、基板を保持した状態で一方向に搬送するベルト搬送機構と、前記ベルト搬送機構の上方に設けられ、搬送されている基板に塗布液を吐出する塗布液吐出ノズルと、基板を前記一方向に搬送して前記ベルト搬送機構に搬入する搬入側搬送部と、前記ベルト搬送機構から塗布後の基板を前記一方向に搬出する搬出側搬送部とを具備し、前記ベルト搬送機構は、多数の吸着孔が形成され、基板を吸着した状態で搬送する吸着搬送ベルトと、前記吸着搬送ベルトが巻き掛けられる一対の搬送ロールと、前記搬送ロールを駆動させ前記吸着搬送ベルトを前記一方向に移動させる駆動機構と、基板の搬送ラインに臨むように前記吸着搬送ベルトの直下に設けられ、前記吸着搬送ベルトの前記吸着孔を介して基板を吸引するための吸引機構とを有し、前記吸引機構により前記吸着搬送ベルトに基板を吸着した状態で塗布液を塗布することを特徴とする塗布処理装置を提供する。

上記塗布処理装置において、前記吸着搬送ベルトの下側の、前記塗布液吐出ノズルの直下位置に、基板と塗布液吐出ノズルの先端との間のクリアランスを調整するための位置決めロールを設けてもよい。この場合に、前記塗布液吐出ノズルの先端部は、前記位置決めロールの頂点位置からずれた位置に位置合わせされることが好ましい。

また、前記吸引機構は、一方向のみに気孔が形成されたポーラス部材と、そのポーラス部材の気孔の方向を基板の搬送方向と垂直となるように支持し、基板の搬送方向にそって複数の独立したゾーンに分割されたマニホールドとを有し、ポンプの作動により前記ポーラス部材の気孔を介して吸引する吸引器を備える構成とすることができる。また、前記吸引機構は、基板の搬送方向に沿って、吸引孔を有する複数の独立したゾーンに分割され、ポンプの作動により前記吸引孔から吸引する吸引器を備えるものであってもよい。

また、前記一対の搬送ロールの間に複数設けられ、吸着搬送ベルトを支持してその位置決めを行う複数の位置決めロールをさらに具備する構成としてもよい。この場合に、前記吸引機構は、吸引孔を有し、ポンプの作動により前記吸引孔から吸引する複数の吸引器を、前記搬送ロールと前記位置決めロールとの間および隣接する前記位置決めロールの間に配置するように構成することができる。前記複数の位置決めロールの一つを、前記塗布液吐出ノズルの直下位置に設け、基板と塗布液吐出ノズルの先端との間のクリアランスを調整するように構成することもできる。この場合に、前記塗布液吐出ノズルの先端部は、前記塗布液吐出ノズルの直下位置に設けられた位置決めロールの頂点位置からずれた位置に位置合わせされることが好ましい。

上記いずれかの塗布処理装置において、前記吸着搬送ベルトの張力を調整する張力調整機構をさらに具備することが好ましい。この場合に、前記張力調整機構は、移動することにより張力を調整するテンションロールを有するものとすることができる。

また、上記いずれかの塗布処理装置において、前記搬入側搬送部および前記搬出側搬送部として、複数のコロと、コロを駆動させる駆動手段とを有するものを用いることができる。

さらに、上記いずれかの塗布処理装置において、前記吸着搬送ベルトのエッジ位置を検出する位置センサーと、前記搬送ロールを縦方向に移動させるアクチュエータと、前記位置センサーの情報に基づいて、前記アクチュエータにより前記搬送ロールの位置を制御する制御機構とを有する蛇行防止機構をさらに具備することが好ましい。

本発明の第２の観点では、基板を一方向に搬送しながら基板に塗布液を塗布する塗布処理方法であって、多数の吸着孔を有しこの吸着孔を介して吸引することにより基板を吸着することが可能な吸着搬送ベルトを有し、この吸着搬送ベルトを前記一方向へ移動させて基板を前記一方向に搬送するベルト搬送機構へ、基板を前記一方向へ移動させながら搬送する工程と、前記ベルト搬送機構において、前記吸着搬送ベルトにより基板を搬送しながら、基板を前記吸着搬送ベルトに吸着させる工程と、前記吸着搬送ベルトに吸着された状態で基板を搬送しながら、塗布液吐出ノズルから基板上へ塗布液を吐出する工程と、塗布液を塗布後の基板を前記一方向に移動させながら前記ベルト搬送機構から搬出する工程とを有することを特徴とする塗布処理方法を提供する。

本発明の第３の観点によれば、コンピュータに制御プログラムを実行させるソフトウエアが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、上記方法が実施されるようにコンピュータに塗布処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供する。

本発明によれば、基板を一方向に搬送しながら基板に塗布液を塗布するに際し、搬入側搬送部により前記一方向に沿って基板をそのままベルト搬送機構に搬送し、ベルト搬送機構では吸引機構により吸着搬送ベルトの吸着孔を介して基板を吸着させた状態で基板をベルト搬送しつつ塗布液を塗布することができ、さらに塗布後は、ベルト搬送機構から前記一方向にそって搬出側搬送部により基板を搬出するので、従来のように基板載置台に基板を受け渡す動作が不要となり、基板の流れを止めることによる時間ロスおよび基板の受け渡しにともなう時間ロスを削減することができる。したがって、基板の塗布処理を極めて高いスループットで行うことができる。

以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について具体的に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る塗布処理装置が搭載されたＬＣＤ用ガラス基板のレジスト塗布および露光後の現像に適用されるレジスト塗布・現像処理システムの概略平面図である。

このレジスト塗布・現像処理システム１００は、複数のＬＣＤ用ガラス基板（以下、単に基板という）Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション１と、ＬＣＤ基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション２と、露光装置４との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション３とを備えており、カセットステーション１とインターフェイスステーション３はそれぞれ処理ステーション２の両端に配置されている。このレジスト塗布・現像処理システム１００は、基本的に、処理の順に処理ユニットを配置してガラス基板を流しながら処理を行ういわゆる「平流し方式」を採用している。なお、図１において、レジスト塗布・現像処理システム１００の長手方向をＸ方向、平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。

カセットステーション１は、カセットＣをＹ方向に並べて載置できる載置台９と、処理ステーション２との間で基板Ｇの搬入出を行うための搬送装置１１を備えており、この載置台９と外部との間でカセットＣの搬送が行われる。搬送装置１１は搬送アーム１１ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路１０上を移動可能であり、搬送アーム１１ａによりカセットＣと処理ステーション２との間で基板Ｇの搬入出が行われる。

処理ステーション２は、基本的にＸ方向に伸びる基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ・Ｂを有しており、搬送ラインＡに沿ってカセットステーション１側からインターフェイスステーション３に向けて、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１と、第１の熱的処理ユニットセクション２６と、レジスト処理ユニット２３と、第２の熱的処理ユニットセクション２７と、が配列されている。

また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイスステーション３側からカセットステーション１に向けて、第２の熱的処理ユニットセクション２７と、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４と、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５と、第３の熱的処理ユニットセクション２８と、が配列されている。スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２が設けられている。なお、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２はスクラバ洗浄に先立って基板Ｇの有機物を除去するために設けられ、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５は現像の脱色処理を行うために設けられる。

スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１では、その中で基板Ｇが略水平姿勢で搬送されながら洗浄処理および乾燥処理が行われるようになっている。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、基板Ｇが略水平姿勢で搬送されながら、現像液塗布、リンス、乾燥処理が逐次行われるようになっている。これらスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、基板Ｇの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、基板Ｇの搬入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５への基板Ｇの搬送は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。

レジスト処理ユニット２３は、基板Ｇを略水平姿勢で搬送しながら、レジスト液を供給し、塗布膜を形成する本実施形態に係るレジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａと、減圧雰囲気に基板Ｇをさらすことにより基板Ｇ上に形成された塗布膜に含まれる揮発成分を蒸発させて塗布膜を乾燥させる減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂとを備えている。レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａについては後で詳細に説明する。

第１の熱的処理ユニットセクション２６は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１、３２を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２はレジスト処理ユニット２３側に設けられている。これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１、３２の間に第１の搬送装置３３が設けられている。

熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニットと、基板Ｇに対して脱水ベーク処理を行う２つの脱水ベークユニットと、基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドーヒージョン処理ユニットが４段に積層された構成を有している。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニットと、基板Ｇを冷却する２つのクーリングユニットと、基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドーヒージョン処理ユニットが４段に積層された構成を有している。

第１の搬送装置３３は、パスユニットを介してのスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１からの基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、およびパスユニットを介してのレジスト処理ユニット２３への基板Ｇの受け渡しを行う。

第１の搬送装置３３は、上下動、前後動、旋回動可能であり、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２のいずれのユニットにもアクセスすることができるようになっている。

第２の熱的処理ユニットセクション２７は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４、３５を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４はレジスト処理ユニット２３側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４、３５の間に、第２の搬送装置３６が設けられている。

熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニットと基板Ｇに対してプリベーク処理を行う３つのプリベークユニットが４段に積層された構成となっている。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニットと、基板Ｇを冷却するクーリングユニットと、基板Ｇに対してプリベーク処理を行う２つのプリベークユニットが４段に積層された構成となっている。

第２の搬送装置３６は、パスユニットを介してのレジスト処理ユニット２３からの基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、パスユニットを介しての現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４への基板Ｇの受け渡し、および後述するインターフェイスステーション３の基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に対する基板Ｇの受け渡しおよび受け取りを行う。なお、第２の搬送装置３６は、第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４、３５のいずれのユニットにもアクセス可能である。

第３の熱的処理ユニットセクション２８は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７、３８を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８はカセットステーション１側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７、３８の間に、第３の搬送装置３９が設けられている。

熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は、下から順に、基板Ｇの受け渡しを行うパスユニットと、基板Ｇに対してポストベーク処理を行う３つのポストベークユニットが４段に積層された構成を有している。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８は、下から順に、ポストベークユニットと、基板Ｇの受け渡しおよび冷却を行うパス・クーリングユニットと、基板Ｇに対してポストベーク処理を行う２つのポストベークユニットが４段に積層された構成を有している。

第３の搬送装置３９は、パスユニットを介してのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５からの基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、パス・クーリングユニットを介してのカセットステーション１への基板Ｇの受け渡しを行う。なお、第３の搬送装置３９も第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７、３８のいずれのユニットにもアクセス可能である。

処理ステーション２では、以上のように２列の搬送ラインＡ・Ｂを構成するように、かつ基本的に処理の順になるように各処理ユニットおよび搬送装置が配置されており、これら搬送ラインＡ・Ｂ間には空間４０が設けられている。そして、この空間４０を往復動可能にシャトル（基板載置部材）４１が設けられている。このシャトル４１は基板Ｇを保持可能に構成されており、シャトル４１を介して搬送ラインＡ・Ｂ間で基板Ｇの受け渡しが行われる。シャトル４１に対する基板Ｇの受け渡しは、上記第１から第３の搬送装置３３，３６，３９によって行われる。

インターフェイスステーション３は、処理ステーション２と露光装置４との間で基板Ｇの搬入出を行う搬送装置４２と、バッファカセットを配置するバッファステージ（ＢＵＦ）４３と、冷却機能を備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４とを有しており、タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とが上下に積層された外部装置ブロック４５が搬送装置４２に隣接して設けられている。搬送装置４２は搬送アーム４２ａを備え、この搬送アーム４２ａにより処理ステーション２と露光装置４との間で基板Ｇの搬入出が行われる。

レジスト塗布・現像処理システム１００の各構成部は、プロセスコントローラ９０に接続されて制御される構成となっている。プロセスコントローラ９０には、工程管理者がレジスト塗布・現像処理システム１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、レジスト塗布・現像処理システム１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース９１が接続されている。

また、プロセスコントローラ９０には、レジスト塗布・現像処理システム１００で実行される各種処理をプロセスコントローラ９０の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じてプラズマエッチング装置の各構成部に処理を実行させるためのプログラムすなわちレシピが格納された記憶部９２が接続されている。

レシピはハードディスクや半導体メモリに記憶されていてもよいし、ＣＤＲＯＭ、ＤＶＤ等の可搬性の記憶媒体に収容された状態で記憶部９２の所定位置にセットするようになっていてもよい。さらに、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。

そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース９１からの指示等にて任意のレシピを記憶部９２から呼び出してプロセスコントローラ９０に実行させることで、プロセスコントローラ９０の制御下で、レジスト塗布・現像処理システム１００での所望の処理が行われる。

次に、このように構成されたレジスト塗布・現像処理システム１００における処理動作の概略について説明する。まず、カセットステーション１の載置台９に配置されたカセットＣ内の基板Ｇが、搬送装置１１により処理ステーション２のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２に直接搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで搬送装置１１により基板Ｇがスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入され、スクラブ洗浄される。スクラブ洗浄処理後、基板Ｇは例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニットセクション２６に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニットに搬出される。

熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニットに配置された基板Ｇは、最初に、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１の脱水ベークユニットに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のクーリングユニットに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のアドヒージョン処理ユニットおよび熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のアドヒージョン処理ユニットのいずれかに搬送され、そこでＨＭＤＳによりアドヒージョン処理（疎水化処理）される。その後、基板Ｇは、クーリングユニットに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニットに搬送される。このような一連の処理を行う際の基板Ｇの搬送処理は、全て第１の搬送装置３３によって行われる。

熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニットに配置された基板Ｇは、パスユニットに設けられた、例えば、コロ搬送機構等の基板搬送機構によって、レジスト処理ユニット２３内へ搬入される。レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａにおいては、基板Ｇを水平姿勢で搬送しながらレジスト液を供給して塗布膜を形成し、その後、減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂにて塗布膜に減圧乾燥処理が施される。その後、基板Ｇは減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに設けられた基板搬送アームにより、レジスト処理ユニット２３から第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニットに受け渡される。

熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニットに配置された基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のプリベークユニットおよび熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のプリベークユニットのいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のクーリングユニットに搬送されて所定温度に冷却される。そして、第２の搬送装置３６により、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニットに搬送される。

その後、基板Ｇは第２の搬送装置３６によりインターフェイスステーション３のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４へ搬送され、必要に応じて、インターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて、そこで、レジスト膜の外周部（不要部分）を除去するための露光が行われる。次いで、基板Ｇは、搬送装置４２により露光装置４に搬送されてそこで基板Ｇ上のレジスト膜に所定パターンで露光処理が施される。なお、基板Ｇは、一旦、バッファステージ（ＢＵＦ）４３上のバッファカセットに収容され、その後に露光装置４に搬送される場合がある。

露光終了後、基板Ｇはインターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の上段のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されて基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に載置される。基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４から第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニットへ搬送される。

熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニットから現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより、基板Ｇはパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入される。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、例えば、基板を水平姿勢で搬送しながら現像液が基板Ｇ上に液盛りされ、その後、一旦、基板Ｇの搬送を停止して基板Ｇを所定角度傾けることにより、基板Ｇ上の現像液を流し落とし、さらにこの状態で基板Ｇにリンス液を供給して、現像液を洗い流す。その後、基板Ｇを水平姿勢に戻して、再び搬送を開始し、乾燥用窒素ガスまたは空気を基板Ｇに吹き付けることにより、基板Ｇを乾燥させる。

現像処理終了後、基板Ｇは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され、基板Ｇに対して脱色処理が施される。その後、基板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５内のコロ搬送機構により第３の熱的処理ユニットセクション２８に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニットに搬出される。

熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニットに配置された基板Ｇは、第３の搬送装置３９により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のポストベークユニット、熱処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のポストベークユニットのいずれかに搬送されてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のパス・クーリングユニットに搬送されて所定温度に冷却された後、カセットステーション１の搬送装置１１によって、カセットステーション１に配置されている所定のカセットＣに収容される。

次に、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａについて詳細に説明する。
図２はレジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａの概略平面図、図３はその側断面図である。レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａは、基板Ｇを吸着した状態で水平（Ｘ方向）に搬送するベルト搬送機構１２と、ベルト搬送機構１２により搬送される基板Ｇの表面にレジスト液を供給するレジスト液吐出ノズル１４と、ベルト搬送機構１２へ基板Ｇを搬入するための搬入側コロ搬送機構１３と、ベルト搬送機構１２から基板Ｇを搬出するための搬出側コロ搬送機構１５を有している。

ベルト搬送機構１２は、基板を吸着して搬送する吸着搬送ベルト５１と、吸着搬送ベルト５１が巻き掛けられた一対の搬送ロール５２と、搬送ロール５２の一方を駆動するベルト駆動機構５３と、一対の搬送ロール５２の間に設けられ、吸着搬送ベルト５１を支持してその位置決めを行うための複数の位置決めロール５４と、搬送ロール５２と位置決めロール５４との間および隣接する位置決めロール５４の間に基板Ｇのパスラインに臨むように設けられた複数の吸引器５５とを有している。また、図３に示すように、搬入側コロ搬送機構１３からベルト搬送機構１２に至る部分の基板Ｇの裏面に対応する部分、吸着搬送ベルト５１の基板Ｇの搬送ラインと反対側の部分にクリーナー５６が設けられている。これにより、基板Ｇの裏面へのパーティクル付着を低減することができる。クリーナー５６としてはパーティクルを吸引するものを好適に用いることができる。

吸着搬送ベルト５１は、例えばステンレス鋼等の腐食し難い金属材料からなり、多数の吸着孔５７が穿孔されている。吸着孔５７は例えばパンチングにより形成される。また、図４に示すように、吸引器５５には、多数の真空吸引孔５８が形成されており、その底部には下方に延びる複数の垂直吸引配管５９が設けられ、これら垂直吸引配管５９は、水平に延びる水平吸引配管６０に接続されている。水平吸引配管６０は、図示しない真空ポンプに接続されており、真空ポンプを作動させることにより水平吸引配管６０、垂直吸引配管５９、吸引孔５８を介して吸引力が発揮される。そして、吸着搬送ベルト５１上の基板Ｇが吸引器５５を通過する際に、吸着搬送ベルト５１の吸着孔５７を介して吸引され、基板Ｇが吸着搬送ベルト５１に吸着される。

吸着搬送ベルト５１の側面部分は、図５に示すように、僅かなクリアランスで遮蔽板６１により遮蔽されており、搬送ロール５２に巻き掛けられた吸着搬送ベルト５１と遮蔽板６１で囲繞された内部空間６２が減圧状態に保持可能となっている。これにより、基板Ｇに対する吸着力を有効に作用させることができる。

位置決めロール５４は、上下動可能になっており、これにより、吸着搬送ベルト５１の位置を調整して、その移動軌跡を水平にかつ一定高さに規定することが可能となっている。特に、レジスト液吐出ノズル１４の直下にある位置決めロール５４により、基板Ｇとレジスト液吐出ノズル１４の先端との間のクリアランスを高精度で調整することが可能となっている。なお、レジスト液吐出ノズル１４の先端部は、その直下にある位置決めロール５４の頂点位置から少しずれた位置に位置合わせされる。これにより、基板Ｇが変形等していた場合にも、逃げを確保することができる。

上記搬入側コロ搬送機構１３は、複数のコロ６４と、コロ６４を駆動する駆動機構（図示せず）とを有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニットからの基板Ｇを受け取り、コロ６４を駆動させることにより、基板Ｇをベルト搬送機構１２へ搬送する。また上記搬出側コロ搬送機構は１５は、複数のコロ６６と、コロ６６を駆動する駆動機構（図示せず）とを有しており、ベルト搬送機構１２から基板Ｇを受け取り、コロ６６を駆動させることにより、基板Ｇを減圧乾燥ユニット（ＶＤ）２３ｂへ搬送する。

次に、レジスト液吐出ノズル１４について説明する。
レジスト液吐出ノズル１４は、図６の斜視図に示すように、一方向に沿って延びる長尺状の箱体１４ａに、レジスト液を略帯状に吐出するスリット状のレジスト液吐出口１４ｂが設けられた構造を有しており、その長手方向をＹ方向に一致した状態で配置されている。また、レジスト吐出ノズル１４は、図７に示すように、ベルト搬送機構１２の両側に設けられた一対の支柱６８に掛け渡された梁部材６９に支持部材７０を介して支持されており、昇降機構７２により支持部材７０を介して昇降される。

レジスト液吐出ノズル１４にはレジスト液吐出口１４ｂと基板Ｇとの間隔を測定するセンサ７４が取り付けられており（図２参照）、このセンサの測定値に基づいて基板Ｇにレジスト液を供給する際のレジスト液吐出ノズル１４の位置が制御される。レジスト液吐出ノズル１４の長さは基板Ｇの幅（Ｙ方向長さ）よりも短くなっており、基板Ｇの周縁の一定領域には塗布膜が形成されないようになっている。

レジスト液吐出ノズル１４には、レジスト液供給配管７６が接続されており、図示しないレジスト液供給源からこのレジスト液供給配管７６を通ってレジスト液吐出ノズル１４へレジスト液が供給される。

このように構成されるレジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａにおいては、所定の処理が終了した後の基板Ｇが、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニットから搬入側コロ搬送機構１３へ送給され、コロ６４上をベルト搬送機構１２に向けて搬送される。基板Ｇは搬入側コロ搬送機構１３により、先端から順次ベルト搬送機構１２へ搬送されていく。

このときベルト搬送機構１２においては、駆動機構５３により搬送ロール５２を回転させ、吸着搬送ベルト５１を基板搬送方向に移動させた状態としておき、さらに吸引器５５を作動させておく。

この状態で、基板Ｇが吸着搬送ベルト５１に到達すると、まず、基板Ｇの先端部が最初の吸引器５５によって吸引され、吸着搬送ベルト５１の吸着孔５７を介して吸着搬送ベルト５１に吸着される。基板Ｇが搬送方向に進行するにつれ、吸引器５１により順次吸着されていく。

そして、基板Ｇの先端がレジスト液吐出ノズル１４のスリット状のレジスト液吐出口１４ｂにさしかかった際に、レジスト液吐出ノズル１４のレジスト液吐出口１４ｂからレジスト液の吐出を開始し、基板Ｇを吸着搬送ベルト５１に吸着させた状態でレジスト液吐出ノズル１４の直下を移動させながら基板Ｇにレジスト液を吐出して基板Ｇの表面に順次レジスト膜を塗布する。このとき、吸引器５５のうちで吸引が必要なのは基板Ｇが存在している部分であるから、基板Ｇが存在していない吸引器５５の吸引が停止するように制御することが好ましい。吸着搬送ベルト５１と遮蔽板６１で囲繞された内部空間６２は、吸引器５５を作動させることにより減圧状態に保持され、基板Ｇが吸着されやすい状態となっている。吸着搬送ベルト５１のうち基板Ｇが存在していない部分は、吸着孔５７から多少空気が入り込むが、吸着孔５７は微小であって圧損が大きいため、内部空間６２の減圧状態が維持される。

このようにして塗布処理が終了した後の基板Ｇはベルト搬送機構１２により搬出側コロ搬送機構１５側へ移動されていき、そのままベルト搬送機構１２から搬出側コロ搬送機構１５へと搬送されていく。そして、基板Ｇは搬出側コロ搬送機構１５を経て減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに搬送される。

本実施形態によれば、ベルト搬送機構１２の搬送ベルトとして多数の吸着孔５７が穿孔された吸着搬送ベルト５１を用い、さらに、真空吸引する吸着器５５を用いて、基板Ｇを吸着した状態でベルト搬送しながらスリットノズルであるレジスト液吐出ノズル１４からレジスト液を吐出して、基板Ｇにレジスト液を塗布するので、搬入側コロ搬送機構１３を用いて流れを止めることなく基板搬送方向に沿ってベルト搬送機構１２に基板を搬入して、ベルト搬送機構１２で基板を搬送させながらレジスト液を塗布することができ、レジスト液塗布後も搬出側コロ搬送機構１５を用いて流れを止めることなく基板Ｇを搬出することができる。このため、従来のように基板載置台に基板を受け渡す動作が不要となり、基板の流れを止めることによる時間ロスおよび基板の受け渡しにともなう時間ロスを削減することができる。したがって、基板Ｇの塗布処理を極めて高いスループットで行うことができる。

なお、上記ベルト搬送機構１２において、吸着搬送ベルト５１は金属製であり、弾力性がないため、蛇行防止策としてクラウニングドラムを用いる方法は採用できない。したがって、本実施形態では、蛇行防止策として図８に示すように従動側の搬送ロール５２の近傍に吸着搬送ベルト５１のエッジ位置を検出する位置センサー８０を設置し、さらに搬送ロール５２を縦方向に移動させるアクチュエータ８１を設け、センサー８０からの情報に基づいてプロセスコントローラ９０によりアクチュエータ８１を制御して搬送ロール５２の位置を制御する手法を採用する。これにより、簡便に蛇行を防止することができる。

また、吸着搬送ベルト５１としては、継ぎ目のないものを用いることが好ましいが、やむを得ず継ぎ目がある吸着搬送ベルト５１を使用した場合には、プロセスコントローラ９０により、継ぎ目が基板Ｇの途中に位置しないように同期制御を行う。

次に、レジスト塗布装置の他の実施形態について説明する。
図９は、他の実施形態に係るレジスト塗布装置を示す側断面図である。この実施形態に係るレジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａ′は、ベルト搬送機構１２の代わりに以下に示す構成のベルト搬送機構１２′を有している点のみ従前の実施形態と異なっている。したがって、図２、３と同じものには同じ符号を付して説明を省略する。

ベルト搬送機構１２′は、吸着搬送ベルト５１が搬送ロール５２に巻き掛けられている点は従前の実施形態と同様であるが、レジスト液吐出ノズル１４の直下に設けられた１個の位置決めロール５４′と、吸着搬送ベルト５１に張力を付与するテンションロール８２とを有している点が異なっている。そして、位置決めロール５４′の下流側および上流側に、２つの吸引器８４が設けられている。

吸着搬送ベルト５１の側面部分は、従前の実施形態と同様、僅かなクリアランスで遮蔽板により遮蔽されている。

位置決めロール５４′は、上下動可能になっており、これにより、基板Ｇとレジスト液吐出ノズル１４の先端との間のクリアランスを正確に調整することが可能となっている。なお、レジスト液吐出ノズル１４の先端部は、位置決めロール５４′の頂点位置から少しずれた位置に位置合わせされる。これにより、基板Ｇが変形等していた場合にも、逃げを確保することができる。

テンションロール８２は、吸着搬送ベルト５１の張力を所定の範囲に保って、吸着搬送ベルト５１を適切な位置に水平に保持する機能を有している。したがって、上記位置決めロール５４′とテンションロール８２とにより、基板Ｇのパスラインを高精度で規定することが可能である。

２つの吸引器８４は、基板Ｇのパスラインの直下に設けられており、図１０に示すように、基板Ｇの搬送方向に沿って複数の独立したゾーンに分割されたマニホールド８５と、マニホールド８５の上に設けられた垂直方向（すなわち基板の搬送方向に対して垂直方向）のみに気孔が形成されたポーラス部材８６とを有している。マニホールド８５の各ゾーンには吸引配管８７が設けられており、これら吸引配管８７は図示しない真空ポンプに接続されており、真空ポンプを作動させることにより各ゾーンにおける吸引力が発揮される。このように複数のゾーンに分けるのは、ゾーン分けしていない場合には基板Ｇが存在しない部分においてリークが大きくなり、基板Ｇが存在している部分での吸着力が弱まるからである。すなわち、このようにゾーン分けをしたマニホールド８５を用い、垂直方向の一方向のみの気孔が形成されたポーラス部材８６を設けることにより、基板Ｇの存在する部分には確実に吸着力を作用させることができる。なお、このようなマニホールド８５とポーラス部材８６との組み合わせを用いる代わりに、図１１に示すような、全体を複数のゾーン８８にゾーン分けし、各ゾーン毎に吸引できる構造の吸引器８９を用いてもよい。

このように構成されるレジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａ′においては、従前の実施形態と同様に、所定の処理が終了した後の基板Ｇが、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニットから搬入側コロ搬送機構１３へ送給され、コロ６４上をベルト搬送機構１２′に向けて搬送される。基板Ｇは、先端から順次ベルト搬送機構１２′へ搬送されていき、吸引器８４で吸引することにより、吸着搬送ベルト５１に吸着された状態とされ、その状態で基板Ｇがレジスト液吐出ノズル１４の直下を通過し、その際に当該ノズル１４から吐出されたレジスト液が基板Ｇに塗布される。このようにして塗布処理が終了した後の基板Ｇは、ベルト搬送機構１２′により搬出側コロ搬送機構１５側へ移動されていき、従前の実施形態と同様、そのままベルト搬送機構１２から搬出側コロ搬送機構１５へと搬送され、さらには減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに搬送される。

本実施形態においても、基本的に従前の実施形態と同様、従来のように基板載置台に基板を受け渡す動作が不要となり、基板の流れを止めることにより時間ロスおよび基板の受け渡しにともなう時間ロスを削減することができる。したがって、基板Ｇの塗布処理を極めて高いスループットで行うことができる。また、本実施形態では、テンションロール８２を用いて、吸着搬送ベルト５１の張力を調整することができるので、従前の実施形態のように複数の位置決めロールを設ける必要はなく、レジスト液吐出ノズル１４の直下の位置決めロール５４′のみでよいため、ロール本数の削減を図ることができ、またそのため、基板Ｇを吸着できるエリアが広くなるため、基板Ｇの吸着の確実性を高めることができる。

この場合に、テンションロール８２だけで、レジスト液吐出ノズル１４と基板Ｇとの間のクリアランスを所望の精度で調整することができれば、図１２に示すさらに他の実施形態に示すように、位置決めロールを設けずに、基板Ｇのパスラインのほぼ全エリアに亘る吸引器８４′を設ける構造のベルト搬送機構１２″としたレジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａ″とすることにより、基板Ｇの吸着の確実性をより高めることができる。なお、従前の実施形態においてはテンションロールを設けていないが、設けてもよいことは言うまでもない。

なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、搬入側と搬出側の搬送にコロ搬送を用いた例を示したが、これらをベルト搬送等の他の搬送手段で実現してもよい。また、レジスト塗布を例にとって示したが、これに限らず、ポリイミドや誘電体膜に用いる塗布液等、他の塗布液の場合であっても適用可能である。さらにまた、基板としてＬＣＤ用のガラス基板を用いた例について示したが、半導体ウエハ等、他の基板の場合でも適用可能であることは言うまでもない。

本発明の一実施形態に係るレジスト塗布装置を具備するレジスト塗布・現像処理システムを示す概略平面図。 本発明の一実施形態に係るレジスト塗布装置を示す概略平面図。 本発明の一実施形態に係るレジスト塗布装置を示す側断面図。 本発明の一実施形態に係るレジスト塗布装置に用いられている吸引器を示す斜視図。 本発明の一実施形態に係るレジスト塗布装置におけるベルト搬送機構を示す斜視図。 本発明の一実施形態に係るレジスト塗布装置のレジスト液吐出ノズルを示す斜視図。 本発明の一実施形態に係るレジスト塗布装置のレジスト液吐出ノズルの配置状態を説明するための図。 ベルト搬送機構における吸着搬送ベルトの蛇行防止機構を説明するための図。 本発明の他の実施形態に係るレジスト塗布装置を示す側断面図。 本発明の他の実施形態に係るレジスト塗布装置に用いられている吸引器を示す側面図。 吸引器の他の例を示す側面図。 本発明のさらに他の実施形態に係るレジスト塗布装置を示す側断面図。

符号の説明

１２、１２′、１２″；ベルト搬送機構
１３；搬入側コロ搬送機構（搬入側搬送部）
１４；レジスト液吐出ノズル
１５；搬出側コロ搬送機構（搬出側搬送部）
２３ａ、２３ａ′、２３ａ″；レジスト塗布装置
５１；吸着搬送ベルト
５２；搬送ロール
５３；駆動機構
５４、５４′；位置決めロール
５５、８４、８４′、８９；吸引器
５７；吸着孔
６４、６６；コロ
９０；プロセスコントローラ
９１；ユーザーインターフェース
９２；記憶部
１００；レジスト塗布・現像処理システム
Ｇ；ＬＣＤ用ガラス基板

Claims (15)

1. 基板を一方向に搬送しながら基板に塗布液を塗布する塗布処理装置であって、
   基板を保持した状態で一方向に搬送するベルト搬送機構と、
   前記ベルト搬送機構の上方に設けられ、搬送されている基板に塗布液を吐出する塗布液吐出ノズルと、
   基板を前記一方向に搬送して前記ベルト搬送機構に搬入する搬入側搬送部と、
   前記ベルト搬送機構から塗布後の基板を前記一方向に搬出する搬出側搬送部とを具備し、
   前記ベルト搬送機構は、
   多数の吸着孔が形成され、基板を吸着した状態で搬送する吸着搬送ベルトと、
   前記吸着搬送ベルトが巻き掛けられる一対の搬送ロールと、
   前記搬送ロールを駆動させ前記吸着搬送ベルトを前記一方向に移動させる駆動機構と、
   基板の搬送ラインに臨むように前記吸着搬送ベルトの直下に設けられ、前記吸着搬送ベルトの前記吸着孔を介して基板を吸引するための吸引機構と
   を有し、
   前記吸引機構により前記吸着搬送ベルトに基板を吸着した状態で塗布液を塗布することを特徴とする塗布処理装置。
2. 前記吸着搬送ベルトの下側の、前記塗布液吐出ノズルの直下位置に設けられ、基板と塗布液吐出ノズルの先端との間のクリアランスを調整するための位置決めロールをさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の塗布処理装置。
3. 前記塗布液吐出ノズルの先端部は、前記位置決めロールの頂点位置からずれた位置に位置合わせされることを特徴とする請求項２に記載の塗布処理装置。
4. 前記吸引機構は、一方向のみに気孔が形成されたポーラス部材と、そのポーラス部材の気孔の方向を基板の搬送方向と垂直となるように支持し、基板の搬送方向に沿って複数の独立したゾーンに分割されたマニホールドとを有し、ポンプの作動により前記ポーラス部材の気孔を介して吸引する吸引器を備えることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の塗布処理装置。
5. 前記吸引機構は、基板の搬送方向に沿って、吸引孔を有する複数の独立したゾーンに分割され、ポンプの作動により前記吸引孔から吸引する吸引器を備えることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の塗布処理装置。
6. 前記一対の搬送ロールの間に複数設けられ、吸着搬送ベルトを支持してその位置決めを行う複数の位置決めロールをさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の塗布処理装置。
7. 前記吸引機構は、吸引孔を有し、ポンプの作動により前記吸引孔から吸引する複数の吸引器を、前記搬送ロールと前記位置決めロールとの間および隣接する前記位置決めロールの間に配置してなることを特徴とする請求項６に記載の塗布処理装置。
8. 前記複数の位置決めロールの一つは、前記塗布液吐出ノズルの直下位置に設けられ、基板と塗布液吐出ノズルの先端との間のクリアランスを調整することを特徴とする請求項６に記載の塗布処理装置。
9. 前記塗布液吐出ノズルの先端部は、前記塗布液吐出ノズルの直下位置に設けられた位置決めロールの頂点位置からずれた位置に位置合わせされることを特徴とする請求項８に記載の塗布処理装置。
10. 前記吸着搬送ベルトの張力を調整する張力調整機構をさらに具備することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の塗布処理装置。
11. 前記張力調整機構は、移動することにより張力を調整するテンションロールを有することを特徴とする請求項１０に記載の塗布処理装置。
12. 前記搬入側搬送部および前記搬出側搬送部は、複数のコロと、コロを駆動させる駆動手段とを有することを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の塗布処理装置。
13. 前記吸着搬送ベルトのエッジ位置を検出する位置センサーと、前記搬送ロールを縦方向に移動させるアクチュエータと、前記位置センサーの情報に基づいて、前記アクチュエータにより前記搬送ロールの位置を制御する制御機構とを有する蛇行防止機構をさらに具備することを特徴とする請求項１から請求項１２に記載の塗布処理装置。
14. 基板を一方向に搬送しながら基板に塗布液を塗布する塗布処理方法であって、
    多数の吸着孔を有しこの吸着孔を介して吸引することにより基板を吸着することが可能な吸着搬送ベルトを有し、この吸着搬送ベルトを前記一方向へ移動させて基板を前記一方向に搬送するベルト搬送機構へ、基板を前記一方向へ移動させながら搬送する工程と、
    前記ベルト搬送機構において、前記吸着搬送ベルトにより基板を搬送しながら、基板を前記吸着搬送ベルトに吸着させる工程と、
    前記吸着搬送ベルトに吸着された状態で基板を搬送しながら、塗布液吐出ノズルから基板上へ塗布液を吐出する工程と、
    塗布液を塗布後の基板を前記一方向に移動させながら前記ベルト搬送機構から搬出する工程と
    を有することを特徴とする塗布処理方法。
15. コンピュータに制御プログラムを実行させるソフトウエアが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、請求項１４の方法が実施されるようにコンピュータに塗布処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体。

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