JP2005243670A - 塗布膜形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 基板における転写発生を抑制するとともに基板へのパーティクルの付着を防止し、さらにスループットを向上させ、装置コストを低く抑えた塗布膜形成装置を提供する。
【解決手段】 基板Ｇを略水平姿勢で一方向に搬送しながら基板Ｇにレジスト液を供給して塗布膜を形成するレジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａは、外部から基板Ｇを搬入するための基板搬入部５ａと、基板Ｇにレジスト液を供給して塗布膜を形成するための塗布処理部５ｂと、塗布膜の形成された基板Ｇを外部に搬出するための基板搬出部５ｃと、基板搬入部５ａから基板搬出部５ｃへ基板Ｇを搬送する第１〜第３基板搬送機構１３ａ〜１３ｃと、を有する。これら第１〜第３基板搬送機構１３ａ〜１３ｃを基板搬入部５ａと基板搬出部５ｃとの間で実質的に直列に配置した。
【選択図】 図５

Description

本発明は、液晶表示装置（ＬＣＤ）等のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）に用いられるガラス基板等の基板に、所定の塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置に関する。

例えば、液晶表示装置（ＬＣＤ）の製造工程においては、フォトリソグラフィー技術を用いて、ガラス基板に所定の回路パターンを形成している。すなわち、ガラス基板にレジスト液を供給して塗布膜を形成し、これを乾燥、熱処理した後に、露光処理、現像処理を逐次行っている。

ここで、ガラス基板にレジスト液を供給して塗布膜を形成する装置としては、ガラス基板を水平に真空吸着する載置台と、この載置台に保持された基板にレジスト液を供給するレジスト供給ノズルと、載置台とレジスト供給ノズルとを水平方向で相対的に移動させる移動機構と、を有する塗布膜形成装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。

しかしながら、ガラス基板を真空吸着保持すると、載置台に設けられた吸気孔がガラス基板の表面に転写されやすく、また、基板の裏面に多くのパーティクルが付着するという不都合がある。

発明者らは、このような不都合を解決するために、基板を外部から搬入する搬入部と、基板にレジスト液を塗布する塗布部と、塗布膜の形成された基板を外部に搬出する搬出部とを備え、ガラス基板を載置台に吸着保持することなく略水平姿勢で搬入部から搬出部へと搬送しながら、このガラス基板の表面にレジスト液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置について検討した。この場合に、基板を搬入部から塗布部を経て搬出部へと搬送する基板搬送機構として、搬入部と搬出部との間を往復移動する構造のものを用いると、装置構造を簡単にすることができる。

しかし、このような基板搬送機構を用いた場合には、基板搬送機構が基板を保持している間は、次に処理する基板を搬入部へ搬入することができないために、基板の搬入間隔を短くしてスループットを向上させることが困難である。また、基板にレジスト液が供給されている間の基板搬送は、その速度制御を高い精度で行う必要があるために、高精度のリニアスケールを用いる必要があるが、搬入部から搬出部までの全区間で高精度のリニアスケールを用いると、装置コストが高くなると言う問題が生ずる。
特開平１０−１５６２５５号公報

本発明は、基板表面における転写跡の発生を抑制し、また基板裏面へのパーティクルの付着を防止するとともに、さらにスループットを向上させ、装置コストを低く抑えた塗布膜形成装置を提供することを目的とする。

すなわち本発明によれば、基板を略水平姿勢で一方向に搬送しながら前記基板に所定の塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、
基板を搬入するための基板搬入部と、
基板に所定の塗布液を供給して塗布膜を形成するための塗布処理部と、
塗布膜の形成された基板を搬出するための基板搬出部と、
前記基板搬入部と前記基板搬出部との間に実質的に直列に配置され、前記基板搬入部から前記基板搬出部へ基板を搬送する複数の基板搬送機構と、
を有することを特徴とする塗布膜形成装置、が提供される。

この塗布膜形成装置によれば、例えば、基板搬入部への時間的な基板投入間隔を短くすることができ、これによってスループットを向上させることができる。複数の基板搬送機構は、基板搬入部から塗布処理部へ基板を搬送する第１の基板搬送機構と、塗布処理部において基板を搬送する第２の基板搬送機構と、塗布処理部から基板搬出部へ基板を搬送する第３の基板搬送機構と、であることが好ましい。この場合に、第１、第２、第３の基板搬送機構はそれぞれ、基板搬送精度を制御するための第１、第２、第３のリニアスケールを具備するが、第２のリニアスケールを第１および第３のリニアスケールよりも高精度とすることが好ましい。これにより、塗布膜形成時における基板搬送を高精度に行うことができるために塗布膜の品質が高められ、一方、基板搬送に高い精度が要求されない第１および第３の基板搬送機構について、コストダウンが可能となる。

複数の基板搬送機構は、基板搬入部から塗布処理部へ基板を搬送し、かつ、塗布処理部において基板を搬送する第１の基板搬送機構と、塗布処理部から基板搬出部へ基板を搬送する第２の基板搬送機構と、であってもよい。また、基板搬入部から塗布処理部へ基板を搬送する第１の基板搬送機構と、塗布処理部において基板を搬送し、かつ、塗布処理部から基板搬出部へ基板を搬送する第２の基板搬送機構と、であってもよい。このような構成とした場合には、塗布処理部において基板を搬送する基板搬送機構に高精度のリニアスケールを用いればよい。

本発明によれば、塗布膜が形成される部分を吸着保持しないために、基板表面での転写が起こらず、基板裏面へのパーティクル付着も抑制される。また、複数系統の基板搬送装置を直列に設けることにより、基板の時間的な搬送間隔を短くすることができるために、スループットを向上させることができる。さらに基板搬送機構に用いられるリニアスケールの精度を最適化することにより、塗布膜の形成精度を高く保持しながら、装置コストを低く抑えることができる。

以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。ここでは、本発明を、ＬＣＤ用のガラス基板（以下「ＬＣＤ基板」という）の表面にレジスト膜を形成する装置および方法に適用した場合について説明することとする。

図１に、ＬＣＤ基板へのレジスト膜の形成と、露光処理後のレジスト膜の現像処理を行うレジスト塗布・現像処理システムの概略平面図を示す。このレジスト塗布・現像処理システム１００は、複数のＬＣＤ基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション（搬入出部）１と、ＬＣＤ基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション（処理部）２と、露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション（インターフェイス部）３とを備えており、カセットステーション１とインターフェイスステーション３はそれぞれ処理ステーション２の両端に配置されている。なお、図１において、レジスト塗布・現像処理システム１００の長手方向をＸ方向、平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。

カセットステーション１は、カセットＣをＹ方向に並べて載置できる載置台９と、処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行うための搬送装置１１を備えており、この載置台９と外部との間でカセットＣの搬送が行われる。搬送装置１１は搬送アーム１１ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路１０上を移動可能であり、搬送アーム１１ａによりカセットＣと処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出が行われる。

処理ステーション２は、基本的にＸ方向に伸びるＬＣＤ基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ・Ｂを有しており、搬送ラインＡに沿ってカセットステーション１側からインターフェイスステーション３に向けて、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１と、第１の熱的処理ユニットセクション２６と、レジスト処理ユニット２３と、第２の熱的処理ユニットセクション２７と、が配列されている。

また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイスステーション３側からカセットステーション１に向けて、第２の熱的処理ユニットセクション２７と、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４と、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５と、第３の熱的処理ユニットセクション２８と、が配列されている。スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２が設けられている。なお、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２はスクラバ洗浄に先立ってＬＣＤ基板Ｇの有機物を除去するために設けられ、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５は現像の脱色処理を行うために設けられる。

スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１では、その中でＬＣＤ基板Ｇが略水平姿勢で搬送されながら洗浄処理および乾燥処理が行われるようになっている。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、ＬＣＤ基板Ｇが略水平姿勢で搬送されながら、現像液塗布、リンス、乾燥処理が逐次行われるようになっている。これらスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、ＬＣＤ基板Ｇの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、ＬＣＤ基板Ｇの搬入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５へのＬＣＤ基板Ｇの搬送は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。

レジスト処理ユニット２３は、後に詳細に説明するように、ＬＣＤ基板Ｇを略水平姿勢で搬送しながら、レジスト液を供給し、塗布膜を形成するレジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａと、減圧雰囲気にＬＣＤ基板ＧをさらすことによりＬＣＤ基板Ｇ上に形成された塗布膜に含まれる揮発成分を蒸発させて塗布膜を乾燥させる減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂと、を備えている。

第１の熱的処理ユニットセクション２６は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２はレジスト処理ユニット２３側に設けられている。これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２の間に第１の搬送装置３３が設けられている。

図２の第１の熱的処理ユニットセクション２６の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６１と、ＬＣＤ基板Ｇに対して脱水ベーク処理を行う２つの脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２・６３と、ＬＣＤ基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドーヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４が４段に積層された構成を有している。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６５と、ＬＣＤ基板Ｇを冷却する２つのクーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７と、ＬＣＤ基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドーヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８が４段に積層された構成を有している。

第１の搬送装置３３は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６１を介してのスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、およびパスユニット（ＰＡＳＳ）６５を介してのレジスト処理ユニット２３へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う。

第１の搬送装置３３は、上下に延びるガイドレール９１と、ガイドレール９１に沿って昇降する昇降部材９２と、昇降部材９２上を旋回可能に設けられたベース部材９３と、ベース部材９３上を前進後退可能に設けられ、ＬＣＤ基板Ｇを保持する基板保持アーム９４とを有している。昇降部材９２の昇降はモータ９５によって行われ、ベース部材９３の旋回はモータ９６によって行われ、基板保持アーム９４の前後動はモータ９７によって行われる。このように第１の搬送装置３３は、上下動、前後動、旋回動可能であり、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２のいずれのユニットにもアクセスすることができる。

第２の熱的処理ユニットセクション２７は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４はレジスト処理ユニット２３側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５の間に、第２の搬送装置３６が設けられている。

図３の第２の熱的処理ユニットセクション２７の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６９とＬＣＤ基板Ｇに対してプリベーク処理を行う３つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０・７１・７２が４段に積層された構成となっている。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７３と、ＬＣＤ基板Ｇを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）７４と、ＬＣＤ基板Ｇに対してプリベーク処理を行う２つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５・７６が４段に積層された構成となっている。

第２の搬送装置３６は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６９を介してのレジスト処理ユニット２３からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３を介しての現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡し、および後述するインターフェイスステーション３の基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に対するＬＣＤ基板Ｇの受け渡しおよび受け取り、を行う。なお、第２の搬送装置３６は、第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５のいずれのユニットにもアクセス可能である。

第３の熱的処理ユニットセクション２８は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８はカセットステーション１側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８の間に、第３の搬送装置３９が設けられている。

図４の第３の熱的処理ユニットセクション２８の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は、下から順に、ＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７７と、ＬＣＤ基板Ｇに対してポストベーク処理を行う３つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８・７９・８０が４段に積層された構成を有している。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８は、下から順に、ポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８１と、ＬＣＤ基板Ｇの受け渡しおよび冷却を行うパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２と、ＬＣＤ基板Ｇに対してポストベーク処理を行う２つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８３・８４が４段に積層された構成を有している。

第３の搬送装置３９は、パスユニット（ＰＡＳＳ）７７を介してのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、パス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２を介してのカセットステーション１へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う。なお、第３の搬送装置３９も第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８のいずれのユニットにもアクセス可能である。

処理ステーション２では、以上のように２列の搬送ラインＡ・Ｂを構成するように、かつ基本的に処理の順になるように各処理ユニットおよび搬送装置が配置されており、これら搬送ラインＡ・Ｂ間には空間４０が設けられている。そして、この空間４０を往復動可能にシャトル（基板載置部材）４１が設けられている。このシャトル４１はＬＣＤ基板Ｇを保持可能に構成されており、シャトル４１を介して搬送ラインＡ・Ｂ間でＬＣＤ基板Ｇの受け渡しが行われる。シャトル４１に対するＬＣＤ基板Ｇの受け渡しは、上記第１から第３の搬送装置３３・３６・３９によって行われる。

インターフェイスステーション３は、処理ステーション２と露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行う搬送装置４２と、バッファカセットを配置するバッファステージ（ＢＵＦ）４３と、冷却機能を備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４とを有しており、タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とが上下に積層された外部装置ブロック４５が搬送装置４２に隣接して設けられている。搬送装置４２は搬送アーム４２ａを備え、この搬送アーム４２ａにより処理ステーション２と露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出が行われる。

このように構成されたレジスト塗布・現像処理システム１００においては、まず、カセットステーション１の載置台９に配置されたカセットＣ内のＬＣＤ基板Ｇが、搬送装置１１により処理ステーション２のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２に直接搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで搬送装置１１によりＬＣＤ基板Ｇがスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入され、スクラブ洗浄される。スクラブ洗浄処理後、ＬＣＤ基板Ｇは例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニットセクション２６に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニット（ＰＡＳＳ）６１に搬出される。

パスユニット（ＰＡＳＳ）６１に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、最初に、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１の脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２・６３のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のクーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８のいずれかに搬送され、そこでＨＭＤＳによりアドヒージョン処理（疎水化処理）される。その後、ＬＣＤ基板Ｇは、クーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７のいずれかに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５に搬送される。このような一連の処理を行う際のＬＣＤ基板Ｇの搬送処理は、全て第１の搬送装置３３によって行われる。

パスユニット（ＰＡＳＳ）６５に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、パスユニット（ＰＡＳＳ）６５内に設けられた、例えば、コロ搬送機構等の基板搬送機構によって、レジスト処理ユニット２３内へ搬入される。後に詳細に説明するように、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａにおいては、ＬＣＤ基板Ｇを水平姿勢で搬送しながらレジスト液を供給して塗布膜を形成し、その後、減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂにて塗布膜に減圧乾燥処理が施される。その後、ＬＣＤ基板Ｇは減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに設けられた基板搬送アームにより、レジスト処理ユニット２３から第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット（ＰＡＳＳ）６９に受け渡される。

パスユニット（ＰＡＳＳ）６９に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０・７１・７２および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５・７６のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のクーリングユニット（ＣＯＬ）７４に搬送されて所定温度に冷却される。そして、第２の搬送装置３６により、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬送される。

その後、ＬＣＤ基板Ｇは第２の搬送装置３６によりインターフェイスステーション３のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４へ搬送され、必要に応じて、インターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて、そこで、レジスト膜の外周部（不要部分）を除去するための露光が行われる。次いで、ＬＣＤ基板Ｇは、搬送装置４２により露光装置４に搬送されてそこでＬＣＤ基板Ｇ上のレジスト膜に所定パターンで露光処理が施される。なお、ＬＣＤ基板Ｇは、一旦、バッファステージ（ＢＵＦ）４３上のバッファカセットに収容され、その後に露光装置４に搬送される場合がある。

露光終了後、ＬＣＤ基板Ｇはインターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の上段のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されてＬＣＤ基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に載置される。ＬＣＤ基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４から第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３へ搬送される。

パスユニット（ＰＡＳＳ）７３から現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより、ＬＣＤ基板Ｇはパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入される。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、例えば、基板を水平姿勢で搬送しながら現像液がＬＣＤ基板Ｇ上に液盛りされ、その後、一旦、ＬＣＤ基板Ｇの搬送を停止してＬＣＤ基板を所定角度傾けることにより、ＬＣＤ基板上の現像液を流し落とし、さらにこの状態でＬＣＤ基板Ｇにリンス液を供給して、現像液を洗い流す。その後、ＬＣＤ基板Ｇを水平姿勢に戻して、再び搬送を開始し、乾燥用窒素ガスまたは空気をＬＣＤ基板Ｇに吹き付けることにより、ＬＣＤ基板を乾燥させる。

現像処理終了後、ＬＣＤ基板Ｇは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され、ＬＣＤ基板Ｇに対して脱色処理が施される。その後、ＬＣＤ基板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５内のコロ搬送機構により第３の熱的処理ユニットセクション２８に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニット（ＰＡＳＳ）７７に搬出される。

パスユニット（ＰＡＳＳ）７７に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、第３の搬送装置３９により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８・７９・８０および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８１・８３・８４のいずれかに搬送されてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２に搬送されて所定温度に冷却された後、カセットステーション１の搬送装置１１によって、カセットステーション１に配置されている所定のカセットＣに収容される。

次に、レジスト処理ユニット２３について詳細に説明する。図５はレジスト処理ユニット２３の概略平面図である。レジスト処理ユニット２３は、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａと減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂとから構成されている。

レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａは、基板搬送方向の上流側から下流側に向かって、大略的に、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５からＬＣＤ基板Ｇを搬入するためのエリアである基板搬入部５ａと、ＬＣＤ基板Ｇに塗布膜を形成するための塗布処理部５ｂと、ＬＣＤ基板Ｇを減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂへ搬出するための基板搬出部５ｃと、に分けられる。

基板搬入部５ａには、搬入ステージ１２ａと、第１基板搬送機構１３ａとが設けられている。搬入ステージ１２ａには、Ｘ方向に延在する帯状の孔部１０１がＹ方向に複数（例えば、図５に示すように３本）形成されている。また、搬入ステージ１２ａの表面には、窒素ガスや空気等のガスを噴射するための複数のガス噴射口１６が所定位置に形成されており、ガス噴射口１６から噴射されるガスによって、ＬＣＤ基板Ｇを略水平姿勢で搬入ステージ１２ａの表面から所定距離浮いた状態とすることができるようになっている。

第１基板搬送機構１３ａは、搬入ステージ１２ａに設けられた孔部１０１を利用して配置されている。図６に第１基板搬送機構１３ａの概略構造を示す断面図を示す。第１基板搬送機構１３ａは、ＬＣＤ基板Ｇを保持するチャック部材１０２と、チャック部材１０２を支持するチャック支持部材１０３と、Ｘ方向に延在するガイド１０５と、ガイド１０５と嵌合し、チャック支持部材１０３をＸ方向で往復移動させるスライダ１０４と、を具備している。

チャック部材１０２としては、例えば、真空ポンプ等の減圧装置１０６を作動することによって吸引力を発揮する吸着パッドを用いることができる。チャック部材１０２は、その基板吸着面（上面）が搬入ステージ１２ａの表面から所定高さ突出するようにして、Ｙ方向に並べられて、各孔部１０１に配置されている。

熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５から所定の手段によって基板搬入部５ａに搬入されたＬＣＤ基板Ｇは、搬入ステージ１２ａから浮いた状態で各チャック部材１０２に保持され、この状態でスライダ１０４をＸ方向に駆動してチャック支持部材１０３を移動させることにより、ＬＣＤ基板Ｇを塗布処理部５ｂへ搬送することができる。なお、ＬＣＤ基板Ｇの平面度を高くするためには、ガス噴射口１６の直径を短くして、ガス噴射口１６の配置数を多くすることが好ましい。

スライダ１０４にはその位置を検出するためのリニアスケール１５０ａが取り付けられており、このリニアスケール１５０ａの指示値は、スライダ１０４の位置制御やＬＣＤ基板Ｇの位置制御、基板搬送速度制御等に用いられる。基板搬入部５ａにおいては、基板搬送速度の制御には高い精度は必要ではないことから、リニアスケール１５０ａとして高精度のものを用いる必要がなく、これによって装置コストを低減することができる。なおリニアスケール１５０ａは後述するリニアスケール１５０ｂと同じ構成を有し、このリニアスケール１５０ｂについては後に図８を参照しながらより詳しく説明することとする。

塗布処理部５ｂには、塗布ステージ１２ｂと、ＬＣＤ基板Ｇの表面にレジスト液を供給するレジスト供給ノズル１４と、レジスト供給ノズル１４を洗浄等するためのノズル洗浄ユニット１５と、第２基板搬送機構１３ｂと、が配設されている。塗布ステージ１２ｂの表面には、搬入ステージ１２ａと同様に、所定位置にガス噴射口１６が形成されている。塗布ステージ１２ｂには、搬入ステージ１２ａのような孔部１０１は形成されていないために、ＬＣＤ基板Ｇを略水平姿勢で保持する際の平坦度を高めることができる。

なお、塗布ステージ１２ｂに、ＬＣＤ基板Ｇの裏面と塗布ステージ１２ｂとの間の雰囲気を吸引する複数の吸引孔を設け、これらの吸引孔とガス噴射口１６とを、例えば、千鳥状に配置してもよい。この場合には、ガス噴射口１６からのガス噴射と吸引孔からの雰囲気吸引にる平衡状態により、ＬＣＤ基板Ｇを略水平姿勢で保持する際の平坦度を搬入ステージ１２ａや後述する搬出ステージ１２ｃよりもさらに高めることができる。

図７に第２基板搬送機構１３ｂの概略構成を示す断面図を示す。第２基板搬送機構１３ｂは、ＬＣＤ基板ＧのＹ方向端の一部を保持するチャック部材４８ａ・４８ｂと、チャック部材４８ａ・４８ｂをそれぞれ支持するチャック支持部材４９ａ・４９ｂと、チャック支持部材４９ａ・４９を連結する連結部材５０と、塗布ステージ１２ｂのＹ方向側面にＸ方向に延在するように配置されたガイド５１ａ・５１ｂと、ガイド５１ａ・５１ｂと嵌合し、連結部材５０をＸ方向で往復移動させるスライダ５２と、を備えている。

チャック部材４８ａ・４８ｂとしては、チャック部材１０１と同様に、真空ポンプ等の減圧装置５３を動作させることにより、ＬＣＤ基板Ｇを吸着保持することができるパッドが好適に用いられる。チャック部材４８ａ・４８ｂは、ＬＣＤ基板Ｇにおいてレジスト液が塗布されない部分の裏面側、つまりＬＣＤ基板Ｇの裏面のＹ方向端部近傍で、ＬＣＤ基板Ｇを保持する。

スライダ５２にはその位置を検出するためのリニアスケール１５０ｂが取り付けられている。図８にリニアスケール１５０ｂの構成およびスライダ５２への取り付け状態を模式的に示す説明図を示す。リニアスケール１５０ｂは、ガイド５１ａ・５１ｂと平行に配置されたリボンスケール１６１と、リボンスケール１６１を支持するフレーム１６３と、リボンスケール１６１にその長手方向に移動自在に取り付けられた検出ヘッド１６２と、を有している。

例えば、検出ヘッド１６２はリボンスケール１６１に沿って移動する際に、磁気的手段により、移動距離（検出ヘッド１６２の位置、つまりスライダ５２の位置）を測定する。その指示値は、チャック支持部材４９ａ・４９ｂの位置制御やＬＣＤ基板Ｇの位置制御、基板搬送速度制御に用いられる。塗布処理部５ｂにおいては、基板搬送速度の変化は塗布膜厚のばらつき等となって現れるために、膜厚均一性に優れた塗布膜を形成するためには、基板搬送速度制御を高い精度が要求される。このため、リニアスケール１５０ｂとしては、高精度のものを用いることが好ましい。これにより、塗布膜の性状を一定に保持することができる。

図９にレジスト供給ノズル１４の概略斜視図を示す。レジスト供給ノズル１４は、一方向に長い長尺状の箱体１４ａに、レジスト液を略帯状に吐出するスリット状のレジスト吐出口１４ｂが設けられた構造を有している。レジスト供給ノズル１４は図５に示されるように、その長手方向がＹ方向と一致するように配置されている。塗布処理部５ｂでは、第２基板搬送機構１３ｂによってＬＣＤ基板ＧをＸ方向に搬送しながら、レジスト供給ノズル１４からレジスト液を吐出することにより、ＬＣＤ基板に塗布膜が形成される。

ノズル洗浄ユニット１５は支柱部材５４に取り付けられて、塗布ステージ１２ｂの上方に固定配置されている。ノズル洗浄ユニット１５の詳細な構造の図示は省略するが、ノズル洗浄ユニット１５は、ＬＣＤ基板Ｇへのレジスト液供給前に予備的にレジスト供給ノズル１４からレジスト液を吐出させる、所謂、ダミーディスペンスを行うためのダミーディスペンス部と、レジスト供給ノズル１４のレジスト吐出口１４ｂが乾燥しないようにレジスト吐出口１４ｂを溶剤（例えば、シンナー）の蒸気雰囲気で保持するためのノズルバスと、レジスト供給ノズル１４のレジスト吐出口１４ｂ近傍に付着したレジストを除去するためのノズル洗浄機構と、を備えている。

レジスト供給ノズル１４は、レジスト供給ノズル１４をＸ方向およびＺ方向に移動させることができるノズル移動機構２０（図５参照）によって、ＬＣＤ基板Ｇにレジスト液を供給する位置とノズル洗浄ユニット１５において洗浄処理等される各位置との間で移動することができるようになっている。

基板搬出部５ｃには、搬出ステージ１２ｃと、第３基板搬送機構１３ｃと、基板搬出部５ｃから減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂへＬＣＤ基板Ｇを搬送する基板搬送アーム１９と、が設けられている。

搬出ステージ１２ｃには、基板搬出部５ｃへ搬送されてきたＬＣＤ基板Ｇを基板搬送アーム１９に受け渡すために、ＬＣＤ基板Ｇを持ち上げるリフトピン４７が設けられている。この点を除いて、搬出ステージ１２ｃの他の部分の構造は基板搬入部５ａに設けられた搬入ステージ１２ａの構造と同じである。また、第３基板搬送機構１３ｃの構造は基板搬入部５ａに設けられた第１基板搬送機構１３ａの構造と同じである。このため、ここでは、搬出ステージ１２ｃと第３基板搬送機構１３ｃについての詳細な説明は省略する。

基板搬送アーム１９は、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向（鉛直方向）に移動可能であり、ＬＣＤ基板ＧのＹ方向端部近傍を保持して、ＬＣＤ基板Ｇを搬送する。なお、基板搬送アーム１９は、さらに減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂから熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４に設けられたパスユニット（ＰＡＳＳ）６９へのＬＣＤ基板Ｇの搬送を行うことができるようになっている。

減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂは、ＬＣＤ基板Ｇを載置するための載置台１７と、載置台１７および載置台１７に載置されたＬＣＤ基板Ｇを収容するチャンバ１８と、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａを備えている。減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂが具備する載置台１７の表面には、ＬＣＤ基板Ｇを支持するプロキシミティピン（図示せず）が所定位置に設けられている。チャンバ１８は固定された下部容器と昇降自在な上部蓋体からなる上下２分割構造を有している。

次に、上述のように構成されたレジスト処理ユニット２３におけるＬＣＤ基板Ｇの搬送形態について説明する。図１０はレジスト処理ユニット２３におけるＬＣＤ基板Ｇの搬送形態を模式的に示す説明図である。

最初に、図１０（ａ）に示すように、基板搬入部５ａにおいて、第１基板搬送機構１３ａのチャック部材１０２を熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２側に配置する。この状態で、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５から、このパスユニット（ＰＡＳＳ）６５に設けられた所定の搬送機構、例えば、コロ搬送機構や搬送アームによって、ＬＣＤ基板Ｇ_１が基板搬入部５ａに搬入され、チャック部材１０２がこのＬＣＤ基板Ｇ_１の基板搬送方向後方端近傍を保持するととともに、ガス噴射口１６から噴射されるガスによってＬＣＤ基板Ｇ_１は搬入ステージ１２ａから浮いた状態で保持される。

続いて、図１０（ａ）の状態から図１０（ｂ）の状態に移行するように、チャック部材１０２は、ＬＣＤ基板Ｇ_１を塗布処理部５ｂ側に押し出すようにして、ＬＣＤ基板Ｇ_１を搬送する。第１基板搬送機構１３ａがＬＣＤ基板Ｇ_１の搬送を開始する前または搬送中に、塗布処理部５ｂでは、第２基板搬送機構１３ｂのチャック部材４８ａ・４８ｂ（図１０（ａ）に図示し、図１０（ｂ）〜（ｆ）では図示略）がそれぞれ設けられたチャック支持部材４９ａ・４９ｂを、ＬＣＤ基板Ｇ_１を受け取ることができる位置に待機配置させておく。

ＬＣＤ基板Ｇ_１は搬入ステージ１２ａから浮上しているために、ＬＣＤ基板Ｇ_１を搬送するために必要な力は小さくて済み、図１０（ｂ）に示すように、Ｙ方向に並べられた複数のチャック部材１０２でＬＣＤ基板Ｇ_１を保持しているために、ＬＣＤ基板Ｇ_１が基板搬送路である搬入ステージ１２ａ〜塗布ステージ１２ｂ上から外れることはない。

図１０（ｂ）に示すように、チャック部材１０２がその可動範囲である塗布処理部５ｂ側の終点に到達したら、ＬＣＤ基板Ｇ_１を第２基板搬送機構１３ｂのチャック部材４８ａ・４８ｂに持ち替える。この状態でもＬＣＤ基板Ｇ_１全体は、搬入ステージ１２ａおよび塗布ステージ１２ｂから浮いた状態に維持される。ここでも、ＬＣＤ基板Ｇ_１は塗布ステージ１２ｂから浮上しているために、ＬＣＤ基板Ｇ_１を搬送するために必要な力は小さくて済む。

その後、図１０（ｃ）に示すように、ＬＣＤ基板Ｇ_１をレジスト供給ノズル１４側へ移動させる。ＬＣＤ基板Ｇ_１がレジスト供給ノズル１４の下を通過する際に、ＬＣＤ基板Ｇ_１の表面にレジスト液が帯状に供給され、これによって塗布膜が形成される。第２基板搬送機構１３ｂには、前述したように、高精度のリニアスケール１５０ｂが設けられているために、ＬＣＤ基板Ｇ_１を高精度で搬送することができ、これによって厚み均一性等に優れた品質の高い塗布膜を形成することができる。

また、図１０（ｃ）に示されるように、ＬＣＤ基板Ｇ_１に塗布膜が形成されている間に、基板搬入部５ａにおいては、チャック部材１０２を熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２側に戻す。これにより次に処理するＬＣＤ基板Ｇ_２の搬入が可能となる。さらに、基板搬出部５ｃにおいては、第３基板搬送機構１３ｃが具備するチャック部材（チャック部材１０２′とする）を塗布処理部５ｂ側に配置しておく。

次に、図１０（ｄ）に示すように、塗布膜が形成されたＬＣＤ基板Ｇ_１をチャック部材１０２′が保持することができる位置まで搬送し、ＬＣＤ基板Ｇ_１をチャック部材４８ａ・４８ｂからチャック部材１０２′へ持ち替える。これによりフリーとなったチャック部材４８ａ・４８ｂを基板搬入部５ａ側に戻すことができるようになる。一方、基板搬入部５ａには次のＬＣＤ基板Ｇ_２を搬入する。このように、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａでは、第１基板搬送機構１３ａと第２基板搬送機構１３ｂが直列に設けられていることによって、基板搬入部５ａへの基板投入間隔を時間的に短くして、スループットを上げることができる。

その後、図１０（ｅ）に示されるように、チャック部材１０２′はＬＣＤ基板Ｇ_１を引っ張るようにして、ＬＣＤ基板Ｇ_１を基板搬出部５ｃ内に搬入する。そして、図示していないが、チャック部材１０２′によるＬＣＤ基板Ｇ_１の吸着保持を解除するとともに、リフトピン４７（図５参照）を上昇させることによってＬＣＤ基板Ｇ_１を所定の高さへ持ち上げる。その後、ＬＣＤ基板Ｇ_１は基板搬送アーム１９へ移し替えられた後に、減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂへ搬送される。一方、新たに基板搬入部５ａに搬入されたＬＣＤ基板Ｇ_２は、基板搬入部５ａ側に戻ったチャック部材４８ａ・４８ｂに移し替えられる。

続いて、図１０（ｆ）に示すように、チャック部材１０２′は塗布処理部５ｂ側に戻される。また、ＬＣＤ基板Ｇ_２のレジスト供給ノズル１４側への搬送が開始される。以降、上述した工程を繰り返すことによって、複数のＬＣＤ基板Ｇが連続して処理される。

このように、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａでは、第１〜第３基板搬送機構１３ａ〜１３ｃの搬送および基板受け渡しのタイミングを適切に設定することにより、高いスループットでＬＣＤ基板Ｇを搬送することができる。また、第２基板搬送機構１３ｂによる基板搬送長が短いために、高精度のリニアスケール１５０ｂの必要長さを最小限に抑えることができ、これにより装置コストが高くなることを抑制することができる。また、少なくともレジストをＬＣＤ基板Ｇに塗布する領域、つまり、レジスト供給ノズル１４の下方近傍では、塗布ステージ１２ｂおよび第２基板搬送機構１３ｂを用いるので、ＬＣＤ基板Ｇに精度良くレジストを塗布することができる。

なお、複数のＬＣＤ基板Ｇを処理する間のレジスト供給ノズル１４の動作例としては、（１）ノズル洗浄ユニット１５のダミーディスペンス部でのダミーディスペンス、（２）複数枚のＬＣＤ基板Ｇへのレジスト液供給、（３）ノズル洗浄ユニット１５のノズル洗浄機構によるレジスト供給ノズル１４の洗浄処理、（４）ノズル洗浄ユニット１５のノズルバスでのレジスト吐出口１４ｂの乾燥抑制、（５）前記（１）〜（４）の繰り返し、が挙げられる。この場合において、前記（３）の洗浄処理後に前記（４）を行うことなく、前記（１）へ戻った動作を行わせてもよい。

次に、別のレジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａ′について、その概略平面図である図１１を参照しながら説明する。図１１に示されるように、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａ′と先に説明したレジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａとの違いは、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａ′が、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａを構成する塗布処理部５ｂと基板搬出部５ｃとを合わせた、塗布／搬出処理部６を有している。

すなわち、塗布／搬出処理部６は、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａの塗布処理部５ｂが具備する塗布ステージ１２ｂと基本的には同じ構成を有し、かつ、基板搬送方向の下流側の所定位置にリフトピン４７が設けられた塗布／搬出ステージ１３０と、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａの塗布処理部５ｂに設けられている第２基板搬送機構１３ｂと実質的に同じ構造を有する第２基板搬送機構１３１と、レジスト供給ノズル１４と、ノズル洗浄ユニット１５と、を備えている。

なお、塗布／搬出ステージ１３０おいて、ＬＣＤ基板Ｇの裏面と塗布／搬出ステージ１３０の表面との間の雰囲気を吸引する複数の吸引孔を、塗布部側（つまり、ＬＣＤ基板Ｇにレジスト液を供給するために、高精度な姿勢制御が望まれる領域）の領域に設け、それ以外の部分（つまり、搬出側）には設けない構造としてもよい。

図１１に示されるように、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａ′では、塗布膜が形成されたＬＣＤ基板Ｇを減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに搬出するためのゾーンは、ＬＣＤ基板Ｇを持ち上げることが許容される塗布／搬出ステージ１３０の基板搬送方向下流側に設けることができ、このゾーンにリフトピン４７が配置される。レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａ′では、基板搬送アーム１９は、第２基板搬送機構１３１と衝突しないように、ガイド５１ａ・５１ｂの外側と減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂとの間で移動可能に配置されている。

レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａを構成する塗布処理部５ｂと基板搬出部５ｃとを合わせることによって、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａ′を構成することができるように、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａを構成する基板搬入部５ａと塗布処理部５ｂとを合わせた搬入／塗布処理部７を備えた、図１２の平面図に示すレジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａ″を構成することも可能である。

すなわち、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａ″では、搬入／塗布処理部７は、搬入／塗布ステージ１４０と、第１基板搬送機構１４１と、レジスト供給ノズル１４と、ノズル洗浄ユニット１５と、を備えている。搬入／塗布ステージ１４０は、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａの塗布ステージ１２ｂと実質的に同じ構造を有しており、その基板搬送方向長さが異なるだけである。また、第１基板搬送機構１４１ａは、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａの塗布処理部５ｂに設けられている第２基板搬送機構１３ｂと実質的に同じ構造を有しており、搬入／塗布処理部７における基板搬送を行う。なお、基板搬出部５ｃに設けられている第２基板搬送機構１４１ｂは、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａの基板搬出部５ｃに設けられている第３基板搬送機構１３ｃと同じである。

なお、搬入／塗布ステージ１４０おいて、ＬＣＤ基板Ｇの裏面と搬入／塗布ステージ１４０の表面との間の雰囲気を吸引する複数の吸引孔を、塗布部側の領域に設け、それ以外の部分（つまり、搬入側）には設けない構造としてもよい。

これらのレジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａ′・２３″では、先に説明したレジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａよりも基板搬送長を短くすることが可能であり、これによりフットプリントを小さくすることができる。レジスト液の供給を受けながらＬＣＤ基板Ｇを搬送する基板搬送機構、つまり、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａ′の第２基板搬送機構１３１と、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３″の第１基板搬送機構１４１ａには、高精度なリニアスケールが用いられる。

以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。例えば、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａの基板搬入部５ａに設けられる第１基板搬送機構１３ａには、基板搬送速度や基板搬送位置の制御に高い精度が要求されないことから、チャック支持部材１０３の位置測定にリニアスケールを用いることなく、より安価な振り子センサ等を用いることができる。このことは基板搬出部５ｃについても同様である。

また、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａの基板搬入部５ａに設けられる第１基板搬送機構１３ａとして、ＬＣＤ基板Ｇを保持するチャック部材として、ＬＣＤ基板Ｇを吸着保持するものを示したが、第１基板搬送機構１３ａはこれに限定されるものではない。例えば、搬入ステージ１２ａの孔部１０１にベルト搬送機構やコロ搬送機構を設け、ＬＣＤ基板Ｇを、このベルトやコロで支持し、かつ、ガス噴射口１６から噴射されるガスによって搬入ステージ１２ａの表面に接触しないようにして、搬送してもよい。このような基板搬送機構は基板搬出部５ｃにも適用可能である。

さらにまた、搬入ステージ１２ａや搬出ステージ１２ｃの代わりに塗布ステージ１２ｂと同じ構造のものを用い、第１・第３基板搬送機構１３ａ・１３ｃの代わりに第２基板搬送機構１３ｂと同じ構造のものを用いてもよいことはいうまでもない。上記説明においては、塗布膜としてレジスト膜を取り上げたが、塗布膜はこれに限定されるものではなく、反射防止膜や感光性を有さない絶縁膜等であってもよい。

本発明はＬＣＤガラス基板等の大型基板に、レジスト膜等の塗布膜を形成するレジスト膜形成装置等の塗布膜形成装置に好適である。

本発明の塗布膜形成装置の一実施形態であるレジスト塗布装置を具備するレジスト塗布・現像処理システムの概略平面図。 図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第１の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。 図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第２の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。 図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第３の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。 レジスト処理ユニットの概略平面図。 レジスト処理ユニットに設けられる第１基板搬送機構の概略構造を示す断面図。 レジスト処理ユニットに設けられる第２基板搬送機構の概略構造を示す断面図。 リニアスケールの構成および取り付け状態を示す説明図。 レジスト供給ノズルの概略斜視図。 レジスト処理ユニットにおけるＬＣＤ基板の搬送形態を模式的に示す説明図。 別のレジスト塗布装置（ＣＴ）の概略平面図。 さらに別のレジスト塗布装置（ＣＴ）の概略平面図。

符号の説明

１；カセットステーション
２；処理ステーション
３；インターフェイスステーション
１２ａ；搬入ステージ
１２ｂ；塗布ステージ
１２ｃ；搬出ステージ
１３ａ〜１３ｃ；第１〜第３基板搬送機構
１４；レジスト供給ノズル
１５；ノズル洗浄ユニット
１６：ガス噴射口
２３；レジスト処理ユニット
２３ａ；レジスト塗布装置（ＣＴ）
１００；レジスト塗布・現像処理システム
Ｇ；ＬＣＤ基板

Claims (12)

1. 基板を略水平姿勢で一方向に搬送しながら前記基板に所定の塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、
   基板を搬入するための基板搬入部と、
   基板に所定の塗布液を供給して塗布膜を形成するための塗布処理部と、
   塗布膜の形成された基板を搬出するための基板搬出部と、
   前記基板搬入部と前記基板搬出部との間に実質的に直列に配置され、前記基板搬入部から前記基板搬出部へ基板を搬送する複数の基板搬送機構と、
   を有することを特徴とする塗布膜形成装置。
2. 前記塗布処理部は、
   水平面において基板搬送方向に直交する方向に伸び、帯状に塗布液を吐出するスリット状の塗布液吐出口を有する塗布液供給ノズルと、
   前記塗布液供給ノズルに少なくとも洗浄処理を施すノズル洗浄ユニットと、
   前記塗布液供給ノズルを、前記第２の基板搬送機構によって搬送される基板に塗布液を供給する位置および前記ノズル洗浄ユニットにアクセスさせるノズル移動機構と、
   を具備することを特徴とする請求項１に記載の塗布膜形成装置。
3. 前記複数の基板搬送機構は、
   前記基板搬入部から前記塗布処理部へ基板を搬送する第１の基板搬送機構と、
   前記塗布処理部において基板を搬送する第２の基板搬送機構と、
   前記塗布処理部から前記基板搬出部へ基板を搬送する第３の基板搬送機構と、であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の塗布膜形成装置。
4. 前記第１、第２、第３の基板搬送機構はそれぞれ、基板搬送精度を制御するための第１、第２、第３のリニアスケールを具備し、
   前記第２のリニアスケールは前記第１および第３のリニアスケールよりも高精度であることを特徴とする請求項３に記載の塗布膜形成装置。
5. 前記塗布処理部は所定のガスを噴射するガス噴射口を有する主ステージを具備し、
   前記第２の基板搬送機構は、基板の基板搬送方向に垂直な方向の端部近傍で基板を保持する第１のチャック部材と、前記第１のチャック部材を移動させる第１のチャック移動機構と、を具備し、
   前記第１のチャック部材に保持された基板は、前記ガス噴射口から噴射されるガスによって前記主ステージから浮いた状態で搬送されることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の塗布膜形成装置。
6. 前記基板搬入部および前記基板搬出部はそれぞれ、所定のガスを噴射するガス噴射口および基板搬送方向と平行に設けられた所定幅の帯状の貫通孔とを有する副ステージを具備し、
   前記第１および第３の基板搬送機構はそれぞれ、前記貫通孔に配置され、基板の裏面を吸着保持する第２のチャック部材と、前記第２のチャック部材を前記貫通孔の長手方向で移動させる第２のチャック移動機構と、を具備し、
   前記第２のチャック部材に保持された基板は、前記ガス噴射口から噴射されるガスによって前記ステージから浮いた状態で搬送されることを特徴とする請求項３から請求項５のいずれか１項に記載の塗布膜形成装置。
7. 前記複数の基板搬送機構は、
   前記基板搬入部から前記塗布処理部へ基板を搬送し、かつ、前記塗布処理部において基板を搬送する第１の基板搬送機構と、
   前記塗布処理部から前記基板搬出部へ基板を搬送する第２の基板搬送機構と、であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の塗布膜形成装置。
8. 前記第１、第２の基板搬送機構はそれぞれ、基板搬送精度を制御するための第１、第２のリニアスケールを具備し、
   前記第１のリニアスケールは前記第２リニアスケールよりも高精度であることを特徴とする請求項７に記載の塗布膜形成装置。
9. 前記基板搬入部および塗布処理部は所定のガスを噴射するガス噴射口を有する主ステージを具備し、
   前記基板搬出部は所定のガスを噴射するガス噴射口および基板搬送方向と平行に設けられた所定幅の帯状の貫通孔とを有する副ステージを具備し、
   前記第１の基板搬送機構は、基板の基板搬送方向に垂直な方向の端部近傍で基板を保持する第１のチャック部材と、前記第１のチャック部材を移動させる第１のチャック移動機構と、を具備し、
   前記第２の基板搬送機構は、前記貫通孔に配置され、基板の裏面を吸着保持する第２のチャック部材と、前記第２のチャック部材を前記貫通孔の長手方向で移動させる第２のチャック移動機構と、を具備し、
   基板は、前記ガス噴射口から噴射されるガスによって前記主ステージおよび前記副ステージから浮いた状態で搬送されることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の塗布膜形成装置。
10. 前記複数の基板搬送機構は、
    前記基板搬入部から前記塗布処理部へ基板を搬送する第１の基板搬送機構と、 前記塗布処理部において基板を搬送し、かつ、前記塗布処理部から前記基板搬出部へ基板を搬送する第２の基板搬送機構と、であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の塗布膜形成装置。
11. 前記第１、第２の基板搬送機構はそれぞれ、基板搬送精度を制御するための第１、第２のリニアスケールを具備し、
    前記第２のリニアスケールは前記第１のリニアスケールよりも高精度であることを特徴とする請求項１０に記載の塗布膜形成装置。
12. 前記塗布処理部および基板搬出部は所定のガスを噴射するガス噴射口を有する主ステージを具備し、
    前記基板搬入部は所定のガスを噴射するガス噴射口および基板搬送方向と平行に設けられた所定幅の帯状の貫通孔とを有する副ステージを具備し、
    前記第２の基板搬送機構は、基板の基板搬送方向に垂直な方向の端部近傍で基板を保持する第１のチャック部材と、前記第１のチャック部材を移動させる第１のチャック移動機構と、を具備し、
    前記第１の基板搬送機構は、前記貫通孔に配置され、基板の裏面を吸着保持する第２のチャック部材と、前記第２のチャック部材を前記貫通孔の長手方向で移動させる第２のチャック移動機構と、を具備し、
    基板は、前記ガス噴射口から噴射されるガスによって前記主ステージおよび前記副ステージから浮いた状態で搬送されることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の塗布膜形成装置。

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