JP4226500B2 - 基板搬送機構および塗布膜形成装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板搬送機構および塗布膜形成装置に関し、より詳しくは、例えば、液晶表示装置（ＬＣＤ）等のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）に用いられるガラス基板等の基板に所定の塗布液を供給して塗布膜を形成するために用いられる基板搬送機構とこれを用いた塗布膜形成装置に関する。

例えば、液晶表示装置（ＬＣＤ）の製造工程においては、フォトリソグラフィー技術を用いて、ガラス基板に所定の回路パターンを形成している。すなわち、ガラス基板にレジスト液を供給して塗布膜を形成し、これを乾燥、熱処理した後に、露光処理、現像処理を逐次行っている。

ここで、ガラス基板にレジスト液を供給して塗布膜を形成する装置としては、ガラス基板を水平に真空吸着する載置台と、この載置台に保持された基板にレジスト液を供給するレジスト供給ノズルと、載置台とレジスト供給ノズルとを水平方向で相対的に移動させる移動機構と、を有する塗布膜形成装置が知られている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。

しかしながら、ガラス基板を真空吸着保持すると、載置台に設けられた吸気孔がガラス基板の表面に転写されやすく、また、基板の裏面に多くのパーティクルが付着するという不都合がある。

発明者は、このような不都合を解決するために、基板を外部から搬入する搬入部と、基板にレジスト液を塗布する塗布部と、塗布膜の形成された基板を外部に搬出する搬出部とを備え、ガラス基板を載置台に吸着保持することなく略水平姿勢で搬入部から搬出部へと搬送しながら、このガラス基板の表面にレジスト液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置について検討した。

ここで、基板を搬入部から塗布部を経て搬出部へと搬送する基板搬送機構として、搬入部と搬出部との間を往復移動する構造のものを用いると、装置構造を簡単にすることができる。この場合、塗布部においては基板を高い精度で移動させなければ、厚さの均一な塗布膜を形成することができないため、基板搬送機構には、高精度、高分解能のガラススケールを用いたリニアスケールを用いる必要がある。しかし、ガラス基板の一辺の長さが１ｍを超え、搬入部から搬出部までの全長が４ｍを超えるような塗布膜形成装置において必要とされる、分解能が例えば０．０５μｍという高精度のガラススケールの製造は、ガラスの熱膨張性により困難である。また、高精度のリニアスケールは、その長さが長くなるほど高価となり、塗布膜形成装置が高価なものとなってしまう。

一方、基板を搬入部から塗布部を経て搬出部へと搬送するために複数の基板搬送機構を設けると、リニアスケールの長さの問題は解決されるが、基板搬送機構間で基板を受け渡す必要があるのためにスループットが低下するという問題や、装置構成および基板搬送装置間の相互制御が複雑となるという問題が生ずる。
特開平１０−１５６２５５号公報 特開２００１−３１０１５２号公報

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、複数の処理部間の所定の領域で高精度な基板搬送を行うことができる安価な基板搬送機構を提供することを目的とする。また、本発明は、基板表面における転写跡の発生を防止し、また基板裏面へのパーティクルの付着を抑制するとともに、基板の持ち替えを行うことなく、基板を一方向に搬送しながら、膜厚の均一な塗布膜を形成することができる塗布膜形成装置を提供することを目的とする。さらに本発明は、装置構成が簡単で、かつ、制御が容易であり、しかも安価な塗布膜形成装置を提供することを目的とする。

本発明の第１の観点によれば、基板に所定の処理を施す複数の処理部の間で基板を搬送する基板搬送機構であって、
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部を一方向に移動させるリニアモータと、
前記リニアモータを駆動するモータ駆動装置と、
前記基板保持部の移動情報を計測するために、その長手方向が前記基板保持部の移動方向と一致するように、かつ、その一部が所定のエリア内でその長手方向に垂直な方向において重複するように略直列に設けられた長尺状の複数のスケールと、
前記基板保持部に設けられ、前記複数のスケールの目盛りを読み取る複数のヘッドと、
前記複数のヘッドのうちの１つのヘッドの計測信号が前記モータ駆動装置へ送られるように、前記複数のヘッドから出力される計測信号を切り替えるスケール切替装置と、
を具備し、
前記複数のスケールのうちの少なくとも２つは、その分解能が異なることを特徴とする基板搬送機構、が提供される。

本発明の第２の観点によれば、基板を略水平姿勢で一方向に搬送しながら前記基板に所定の塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、
基板を搬入する基板搬入部と、
基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布処理部と、
塗布膜の形成された基板を搬出する基板搬出部と、
前記基板搬入部から前記塗布処理部を経て前記基板搬出部へ基板を一方向に搬送する基板搬送機構と、
を具備し、
前記基板搬送機構は、
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部を一方向に移動させるリニアモータと、
前記リニアモータを駆動するためのモータ駆動装置と、
前記基板保持部の移動情報を計測するために、実質的に前記基板搬入部に設けられた第１のスケールと、前記基板搬入部の前記塗布処理部側から前記基板搬出部の前記塗布処理部側にかけて設けられた第２のスケールと、実質的に前記基板搬出部に設けられた第３のスケールと、
前記基板保持部に設けられた、前記第１および第３のスケールの目盛りを読み取るための第１のヘッドおよび前記第２のスケールの目盛りを読み取るための第２のヘッドと、
前記第１のヘッドから送られる計測信号と前記第２のヘッドから送られる計測信号とを切り替えて、前記リニアモータを駆動するための所定の信号を前記モータ駆動装置に送るスケール切替装置と、
を有し、
前記第２のスケールは前記第１および第３のスケールよりも高分解能であることを特徴とする塗布膜形成装置、が提供される。

本発明の基板搬送機構は、複数の処理部間の所定の領域で高精度な基板搬送を行うことができるため、安価に構成することができる。また、本発明の塗布膜形成装置では、基板表面における転写跡の発生が防止され、また基板裏面へのパーティクルの付着が抑制され、しかも、基板の持ち替えを行うことなく、基板を一方向に搬送しながら、膜厚の均一な塗布膜を形成することができる。さらに、本発明の塗布膜形成装置は、装置構成が簡単で制御が容易であり、しかも安価に構成することができる。

以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。ここでは、本発明を、ＬＣＤ用のガラス基板（以下「ＬＣＤ基板」という）の表面にレジスト膜を形成する装置および方法に適用した場合について説明することとする。

図１に、ＬＣＤ基板へのレジスト膜の形成と、露光処理後のレジスト膜の現像処理を行うレジスト塗布・現像処理システムの概略平面図を示す。このレジスト塗布・現像処理システム１００は、複数のＬＣＤ基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション（搬入出部）１と、ＬＣＤ基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション（処理部）２と、露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション（インターフェイス部）３とを備えており、カセットステーション１とインターフェイスステーション３はそれぞれ処理ステーション２の両端に配置されている。なお、図１において、レジスト塗布・現像処理システム１００の長手方向をＸ方向、平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。

カセットステーション１は、カセットＣをＹ方向に並べて載置できる載置台９と、処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行うための搬送装置１１を備えており、この載置台９と外部との間でカセットＣの搬送が行われる。搬送装置１１は搬送アーム１１ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路１０上を移動可能であり、搬送アーム１１ａによりカセットＣと処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出が行われる。

処理ステーション２は、基本的にＸ方向に伸びるＬＣＤ基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ・Ｂを有しており、搬送ラインＡに沿ってカセットステーション１側からインターフェイスステーション３に向けて、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１と、第１の熱的処理ユニットセクション２６と、レジスト処理ユニット２３と、第２の熱的処理ユニットセクション２７と、が配列されている。

また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイスステーション３側からカセットステーション１に向けて、第２の熱的処理ユニットセクション２７と、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４と、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５と、第３の熱的処理ユニットセクション２８と、が配列されている。スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２が設けられている。なお、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２はスクラバ洗浄に先立ってＬＣＤ基板Ｇの有機物を除去するために設けられ、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５は現像の脱色処理を行うために設けられる。

スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１では、その中でＬＣＤ基板Ｇが略水平姿勢で搬送されながら洗浄処理および乾燥処理が行われるようになっている。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、ＬＣＤ基板Ｇが略水平姿勢で搬送されながら、現像液塗布、リンス、乾燥処理が逐次行われるようになっている。これらスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、ＬＣＤ基板Ｇの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、ＬＣＤ基板Ｇの搬入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５へのＬＣＤ基板Ｇの搬送は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。

レジスト処理ユニット２３は、後に詳細に説明するように、ＬＣＤ基板Ｇを略水平姿勢で搬送しながら、レジスト液を供給し、塗布膜を形成するレジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａと、減圧雰囲気にＬＣＤ基板ＧをさらすことによりＬＣＤ基板Ｇ上に形成された塗布膜に含まれる揮発成分を蒸発させて塗布膜を乾燥させる減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂと、を備えている。

第１の熱的処理ユニットセクション２６は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２はレジスト処理ユニット２３側に設けられている。これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２の間に第１の搬送装置３３が設けられている。

図２の第１の熱的処理ユニットセクション２６の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６１と、ＬＣＤ基板Ｇに対して脱水ベーク処理を行う２つの脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２・６３と、ＬＣＤ基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドーヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４が４段に積層された構成を有している。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６５と、ＬＣＤ基板Ｇを冷却する２つのクーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７と、ＬＣＤ基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドーヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８が４段に積層された構成を有している。

第１の搬送装置３３は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６１を介してのスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、およびパスユニット（ＰＡＳＳ）６５を介してのレジスト処理ユニット２３へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う。

第１の搬送装置３３は、上下に延びるガイドレール９１と、ガイドレール９１に沿って昇降する昇降部材９２と、昇降部材９２上を旋回可能に設けられたベース部材９３と、ベース部材９３上を前進後退可能に設けられ、ＬＣＤ基板Ｇを保持する基板保持アーム９４とを有している。昇降部材９２の昇降はモータ９５によって行われ、ベース部材９３の旋回はモータ９６によって行われ、基板保持アーム９４の前後動はモータ９７によって行われる。このように第１の搬送装置３３は、上下動、前後動、旋回動可能であり、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２のいずれのユニットにもアクセスすることができる。

第２の熱的処理ユニットセクション２７は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４はレジスト処理ユニット２３側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５の間に、第２の搬送装置３６が設けられている。

図３の第２の熱的処理ユニットセクション２７の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６９とＬＣＤ基板Ｇに対してプリベーク処理を行う３つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０・７１・７２が４段に積層された構成となっている。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７３と、ＬＣＤ基板Ｇを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）７４と、ＬＣＤ基板Ｇに対してプリベーク処理を行う２つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５・７６が４段に積層された構成となっている。

第２の搬送装置３６は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６９を介してのレジスト処理ユニット２３からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３を介しての現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡し、および後述するインターフェイスステーション３の基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に対するＬＣＤ基板Ｇの受け渡しおよび受け取り、を行う。なお、第２の搬送装置３６は、第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５のいずれのユニットにもアクセス可能である。

第３の熱的処理ユニットセクション２８は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８はカセットステーション１側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８の間に、第３の搬送装置３９が設けられている。

図４の第３の熱的処理ユニットセクション２８の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は、下から順に、ＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７７と、ＬＣＤ基板Ｇに対してポストベーク処理を行う３つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８・７９・８０が４段に積層された構成を有している。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８は、下から順に、ポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８１と、ＬＣＤ基板Ｇの受け渡しおよび冷却を行うパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２と、ＬＣＤ基板Ｇに対してポストベーク処理を行う２つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８３・８４が４段に積層された構成を有している。

第３の搬送装置３９は、パスユニット（ＰＡＳＳ）７７を介してのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、パス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２を介してのカセットステーション１へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う。なお、第３の搬送装置３９も第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８のいずれのユニットにもアクセス可能である。

処理ステーション２では、以上のように２列の搬送ラインＡ・Ｂを構成するように、かつ基本的に処理の順になるように各処理ユニットおよび搬送装置が配置されており、これら搬送ラインＡ・Ｂ間には空間４０が設けられている。そして、この空間４０を往復動可能にシャトル（基板載置部材）４１が設けられている。このシャトル４１はＬＣＤ基板Ｇを保持可能に構成されており、シャトル４１を介して搬送ラインＡ・Ｂ間でＬＣＤ基板Ｇの受け渡しが行われる。シャトル４１に対するＬＣＤ基板Ｇの受け渡しは、上記第１から第３の搬送装置３３・３６・３９によって行われる。

インターフェイスステーション３は、処理ステーション２と露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行う搬送装置４２と、バッファカセットを配置するバッファステージ（ＢＵＦ）４３と、冷却機能を備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４とを有しており、タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とが上下に積層された外部装置ブロック４５が搬送装置４２に隣接して設けられている。搬送装置４２は搬送アーム４２ａを備え、この搬送アーム４２ａにより処理ステーション２と露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出が行われる。

このように構成されたレジスト塗布・現像処理システム１００においては、まず、カセットステーション１の載置台９に配置されたカセットＣ内のＬＣＤ基板Ｇが、搬送装置１１により処理ステーション２のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２に直接搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで搬送装置１１によりＬＣＤ基板Ｇがスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入され、スクラブ洗浄される。スクラブ洗浄処理後、ＬＣＤ基板Ｇは例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニットセクション２６に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニット（ＰＡＳＳ）６１に搬出される。

パスユニット（ＰＡＳＳ）６１に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、最初に、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１の脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２・６３のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のクーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８のいずれかに搬送され、そこでＨＭＤＳによりアドヒージョン処理（疎水化処理）される。その後、ＬＣＤ基板Ｇは、クーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７のいずれかに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５に搬送される。このような一連の処理を行う際のＬＣＤ基板Ｇの搬送処理は、全て第１の搬送装置３３によって行われる。

パスユニット（ＰＡＳＳ）６５に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、パスユニット（ＰＡＳＳ）６５内に設けられた、例えば、コロ搬送機構等の基板搬送機構によって、レジスト処理ユニット２３内へ搬入される。後に詳細に説明するように、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａにおいては、ＬＣＤ基板Ｇを水平姿勢で搬送しながらレジスト液を供給して塗布膜を形成し、その後、減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂにて塗布膜に減圧乾燥処理が施される。その後、ＬＣＤ基板Ｇは減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに設けられた基板搬送アームにより、レジスト処理ユニット２３から第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット（ＰＡＳＳ）６９に受け渡される。

パスユニット（ＰＡＳＳ）６９に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０・７１・７２および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５・７６のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のクーリングユニット（ＣＯＬ）７４に搬送されて所定温度に冷却される。そして、第２の搬送装置３６により、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬送される。

その後、ＬＣＤ基板Ｇは第２の搬送装置３６によりインターフェイスステーション３のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４へ搬送され、必要に応じて、インターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて、そこで、レジスト膜の外周部（不要部分）を除去するための露光が行われる。次いで、ＬＣＤ基板Ｇは、搬送装置４２により露光装置４に搬送されてそこでＬＣＤ基板Ｇ上のレジスト膜に所定パターンで露光処理が施される。なお、ＬＣＤ基板Ｇは、一旦、バッファステージ（ＢＵＦ）４３上のバッファカセットに収容され、その後に露光装置４に搬送される場合がある。

露光終了後、ＬＣＤ基板Ｇはインターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の上段のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されてＬＣＤ基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に載置される。ＬＣＤ基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４から第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３へ搬送される。

パスユニット（ＰＡＳＳ）７３から現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより、ＬＣＤ基板Ｇはパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入される。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、例えば、基板を水平姿勢で搬送しながら現像液がＬＣＤ基板Ｇ上に液盛りされ、その後、一旦、ＬＣＤ基板Ｇの搬送を停止してＬＣＤ基板を所定角度傾けることにより、ＬＣＤ基板上の現像液を流し落とし、さらにこの状態でＬＣＤ基板Ｇにリンス液を供給して、現像液を洗い流す。その後、ＬＣＤ基板Ｇを水平姿勢に戻して、再び搬送を開始し、乾燥用窒素ガスまたは空気をＬＣＤ基板Ｇに吹き付けることにより、ＬＣＤ基板を乾燥させる。

現像処理終了後、ＬＣＤ基板Ｇは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され、ＬＣＤ基板Ｇに対して脱色処理が施される。その後、ＬＣＤ基板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５内のコロ搬送機構により第３の熱的処理ユニットセクション２８に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニット（ＰＡＳＳ）７７に搬出される。

パスユニット（ＰＡＳＳ）７７に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、第３の搬送装置３９により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８・７９・８０および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８１・８３・８４のいずれかに搬送されてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２に搬送されて所定温度に冷却された後、カセットステーション１の搬送装置１１によって、カセットステーション１に配置されている所定のカセットＣに収容される。

次に、レジスト処理ユニット２３について詳細に説明する。図５はレジスト処理ユニット２３の概略平面図である。レジスト処理ユニット２３は、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａと減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂとから構成されている。

レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａは、基板搬送方向の上流側から下流側に向かって、大略的に、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５からＬＣＤ基板Ｇを搬入するためのエリアである基板搬入部５ａと、ＬＣＤ基板Ｇに塗布膜を形成するための塗布処理部５ｂと、ＬＣＤ基板Ｇを減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂへ搬出するための基板搬出部５ｃと、に分けることができる。

基板搬入部５ａには、表面の所定位置に窒素ガスや空気等のガスを噴射するための複数のガス噴射口１６ａが設けられた第１ステージ１２ａが配置されている。これらのガス噴射口１６ａから上方に向けて噴射されるガスによって、ＬＣＤ基板Ｇは、第１ステージ１２ａから略水平姿勢で浮上した状態に保持され、この状態で後述する基板搬送機構１３により塗布処理部５ｂに向けて搬送される。ＬＣＤ基板Ｇの平面度を高くするためには、ガス噴射口１６ａの直径を短くして、ガス噴射口１６ａの配置数を多くすることが好ましい。

塗布処理部５ｂには、複数のガス噴射口１６ａに加えて、表面近傍の雰囲気を吸気するための複数の吸気口１６ｂとが設けられた第２ステージ１２ｂと、第２ステージ１２ｂ上を移動するＬＣＤ基板Ｇの表面にレジスト液を供給するレジスト供給ノズル１４と、レジスト供給ノズル１４の洗浄処理等を行うノズル洗浄ユニット１５とが設けられている。この第２ステージ１２ｂでは、ガス噴射口１６ａからのガス噴射量と吸気口１６ｂからのガス吸気量を調整することによって、ＬＣＤ基板Ｇの浮上高さを第１ステージ１２ａおよび第３ステージ１２ｃよりも高い精度で調節することができるようになっており、これによってＬＣＤ基板Ｇの平坦度も高く維持される。

図６にレジスト供給ノズル１４の概略斜視図を示す。レジスト供給ノズル１４は、一方向に長い長尺状の箱体１４ａに、レジスト液を略帯状に吐出するスリット状のレジスト吐出口１４ｂが設けられた構造を有している。このレジスト供給ノズル１４は、箱体１４ａの長手方向をＹ方向に一致させた状態で、第２ステージ１２ｂのほぼ中央部で、基板搬送機構１３により搬送されるＬＣＤ基板Ｇに対してレジスト液を吐出する。レジスト供給ノズル１４は、ノズル洗浄ユニット１５にアクセスできるように、図示しない昇降機構により昇降自在であり、かつ、Ｘ軸移動機構３０によりＸ方向に移動自在となっている。

ノズル洗浄ユニット１５は第２ステージ１２ｂの上方に固定配置されている。ノズル洗浄ユニット１５の詳細な構造の図示は省略するが、ノズル洗浄ユニット１５は、ＬＣＤ基板Ｇへのレジスト液供給前に予備的にレジスト供給ノズル１４からレジスト液を吐出させる、所謂、ダミーディスペンスを行うためのダミーディスペンス部と、レジスト供給ノズル１４のレジスト吐出口１４ｂが乾燥しないようにレジスト吐出口１４ｂを溶剤（例えば、シンナー）の蒸気雰囲気で保持するためのノズルバスと、レジスト供給ノズル１４のレジスト吐出口１４ｂ近傍に付着したレジストを除去するためのノズル洗浄機構と、を備えている。

基板搬出部５ｃには、複数のガス噴射口１６ａが設けられた第３ステージ１２ｃが設けられている。基板搬出部５ｃには、ＬＣＤ基板Ｇを基板搬送アーム１９に受け渡すために、ＬＣＤ基板Ｇを持ち上げるリフトピン４７が第３ステージ１２ｃを貫通して設けられている。

レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａには、塗布処理部５ｂを通って基板搬入部５ａと基板搬出部５ｃとの間でＬＣＤ基板ＧをＸ方向に搬送する基板搬送機構１３が設けられている。上述したように、ＬＣＤ基板Ｇは、第１ステージ１２ａ〜第３ステージ１２ｃから浮いた状態に保持されて搬送されるために、基板搬送機構１３には、ＬＣＤ基板Ｇを搬送するために大きな力（トルク）は必要とされず、これにより基板搬送機構１３を小型化することができる。

上述の通り、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａは、基板搬入部５ａ、塗布処理部５ｂ、基板搬出部５ｃに大別されるが、例えば、ＬＣＤ基板Ｇへのレジスト液の供給が開始された時点で、ＬＣＤ基板Ｇの後方部は第１ステージ１２ａ上にあることから、第１ステージ１２ａは、塗布処理部５ｂと共有される部分を有している。このように、基板搬入部５ａの範囲は第１ステージ１２ａの範囲と一致するものではない。同様に、塗布処理部５ｂの範囲は第２ステージ１２ｂの範囲と一致するものではなく、基板搬出部５ｃの範囲は第３ステージ１２ｃの範囲と一致するものではない。

次に、図５、図７および図８を参照しながら、基板搬送機構１３について詳細に説明する。図７（ａ）に、基板搬送機構１３の概略構成を基板搬入部５ａの塗布処理部５ｂ側における断面図を示す。また、図７（ｂ）に基板搬送機構１３の全体構成を示す説明図を示す。

基板搬送機構１３は、第１ステージ１２ａ〜第３ステージ１２ｃのＹ方向側面にＸ方向に延在するように配置されたガイド５１と、ＬＣＤ基板Ｇを保持する基板保持部５２と、基板保持部５２をガイド５１に沿って移動させるリニアモータ５３と、リニアモータ５３を駆動するためのモータ駆動装置５４と、基板保持部５２の移動情報を計測するための第１スケール５５ａ、第２スケール５５ｂ、第３スケール５５ｃと、第１・第３スケール５５ａ・５５ｃのスケール目盛りを読み取る第１ヘッド５６ａと、第２スケール５５ｂの目盛りを読み取る第２ヘッド５６ｂと、第１ヘッド５６ａから送られる計測信号と第２ヘッド５６ｂから送られる計測信号とを切り替えて、その計測信号をモータ駆動装置５４に送るスケール切替装置５７と、基板保持部５２が基板搬入部５ａにおける塗布処理部５ｂ側の所定位置に到達したことを検出する第１位置センサ５８ａ（図５参照）と、基板保持部５２が基板搬出部５ｃにおける塗布処理部５ｂ側の所定位置に到達したことを検出する第２位置センサ５８ｂ（図５参照）と、を有している。

基板保持部５２は、真空ポンプ等の減圧機構（図示せず）により、ＬＣＤ基板Ｇの裏面のＹ方向端部でＬＣＤ基板Ｇを吸着保持するチャック５２ａを備えている。レジスト液が塗布されない領域でＬＣＤ基板Ｇを保持することにより、ＬＣＤ基板Ｇにおける転写の発生が防止される。基板保持部５２はガイド５１に嵌め合わされており、リニアモータ５３によりＸ方向にスライド自在となっている。

リニアモータ５３は、Ｘ方向に延在するように配置されたマグネットレール５３ａと、基板保持部５２に取り付けられ、マグネットレール５３ａに挿入配置されたコイル５３ｂと、から構成される。公知の通り、マグネットレール５３ａはＸ方向にＳ極とＮ極とが所定間隔で交互に形成された構造を有し、コイル５３ｂに電流を流すことによって発生する磁場とこのマグネットレール５３ａの磁場との間の吸引力と反発力によって、コイル５３ｂおよび基板保持部５２が一体的にＸ方向において移動するようになっている。

モータ駆動装置５４は、ＬＣＤ基板Ｇを所定位置へ所定速度で搬送するという外部等からの指示と第１・第２ヘッド５６ａ・５６ｂの計測信号に基づいてリニアモータ５３を駆動するための所定の演算処理を行い、コイル５３ｂを駆動するための電流信号を発生させる制御部と、この電流信号を所定の駆動電流に増幅してコイル５３ｂへ送るアンプ部と、を備えている。なお、モータ駆動装置５４からは、第１〜第３ステージ１２ａ〜１２ｃのＹ方向側面にそれぞれ設けられた２台の基板保持部５２がＸ方向に並進するように、同時に同じ駆動電流が送られるようになっている。

図８に第１〜第３スケール５５ａ〜５５ｃ、第１・第２位置センサ５８ａ・５ｂ８の配置を模式的に示す説明図を示す。第１スケール５５ａは実質的に基板搬入部５ａに設けられており、第３スケール５５ｃは実質的に基板搬出部５ｃに設けられている。これら第１スケール５５ａと第３スケール５５ｃは同じ高さに配置されており、第１スケール５５ａと第３スケール５５ｃのスケール目盛りの読み取りは、第１ヘッド５６ａによって行われるようになっている。

第２スケール５５ｂは基板搬入部５ａの塗布処理部５ｂ側から基板搬出部５ｃの塗布処理部５ｂにかけて設けられている。すなわち、基板搬入部５ａにおける塗布処理部５ｂ側のエリアＳ_１において第１スケール５５ａと第２スケール５５ｂとが併設されており、基板搬出部５ｃの塗布処理部５ｂ側のエリアＳ_２において第３スケール５５ｃと第２スケール５５ｂとが併設されている。図８では第２スケール５５ｂを第１スケール５５ａおよび第３スケール５５ｃの下側に配置したが、上側に配置されていてもよい。第２ヘッド５６ｂは、第２スケール５５ｂのスケール目盛りを読み取ることができるように、第２スケール５５ｂの高さに合わせて、基板保持部５２に取り付けられている。

第１スケール５５ａと第３スケール５５ｃには、例えば、分解能が１μｍ程度の低分解能のガラススケールやスチールスケールを用いることができる。これは、後述するように、第１スケール５５ａと第３スケール５５ｃは、ＬＣＤ基板Ｇにレジスト液が供給される間の基板搬送には用いられないからである。これに対して、後述するように、第２スケール５５ｂはＬＣＤ基板Ｇにレジスト液が供給される間の基板搬送に用いられるために、第２スケール５５ｂには、例えば、分解能が０．０５μｍという高精度なガラススケールが好適に用いられる。第１・第２ヘッド５６ａ・５６ｂとしては、分解能の高い光学式のものを用いることが好ましい。

第１位置センサ５８ａは、基板保持部５２がエリアＳ_１内の所定位置に到達したことを検出する。この所定位置とは、第１スケール５５ａと第２スケール５５ｂとのスケール切替点Ｐ_１、である。第１位置センサ５８ａは、基板保持部５２がこのスケール切替点Ｐ_１に到達したことを検知すると、その検知信号をスケール切替装置５７とモータ駆動装置５４の制御部へ送るようになっている。

この第１位置センサ５８ａと同様に、第２位置センサ５８ｂは、基板保持部５２がエリアＳ_２内の所定位置、つまり、第２スケール５５ｂと第３スケール５５ｃのスケール切替点Ｐ_２、に到達したことを検知し、その検知信号を、スケール切替装置５７とモータ駆動装置５４の制御部へ送る。これら第１・第２位置センサ５８ａ・５８ｂには、光学式センサや接触式センサ等の各種センサ等を用いることができる。

スケール切替装置５７は、基板保持部５２がエリアＳ１およびエリアＳ２内の所定位置に到達したことをそれぞれ第１・第２位置センサ５８ａ・５８ｂが検出した際に、第１・第２位置センサ５８ａ・５８ｂからの信号によって、第１ヘッド５６ａと第２ヘッド５６ｂのいずれか一方の計測データをモータ駆動装置５４の制御部に送る。

減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂは、ＬＣＤ基板Ｇを載置するための載置台１７と、載置台１７および載置台１７に載置されたＬＣＤ基板Ｇを収容するチャンバ１８と、を備えている。さらに、レジスト処理ユニット２３には、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａから減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂへ、さらに減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂから熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４に設けられたパスユニット（ＰＡＳＳ）６９へＬＣＤ基板Ｇを搬送する基板搬送アーム１９が設けられている。

減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに設けられた載置台１７の表面には、ＬＣＤ基板Ｇを支持するプロキシミティピン（図示せず）が所定位置に設けられている。チャンバ１８は固定された下部容器と昇降自在な上部蓋体からなる上下２分割構造を有している。基板搬送アーム１９は、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向（鉛直方向）に移動可能である。

次に、上述のように構成されたレジスト処理ユニット２３におけるＬＣＤ基板Ｇの処理工程について、図９に示すレジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａにおける基板搬送形態を模式的に示す説明図を参照しながら説明する。なお、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５から、レジスト処理ユニット２３へのＬＣＤ基板Ｇの搬送は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６５に設けられたコロ４６の回転を用いたコロ搬送機構によって行われるとする。また、基板保持部５２はＬＣＤ基板ＧのＹ方向の辺の中央部分でＬＣＤ基板Ｇを保持するものとする。

最初に、基板保持部５２を熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２側に待機させ、第１〜第３ステージ１２ａ〜１２ｃでは、所定の高さにＬＣＤ基板Ｇを浮上させることができる状態とする。次いで、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５からコロ搬送機構によりＬＣＤ基板Ｇを基板搬入部５ａに進入させ、図９（ａ）に示すように、ＬＣＤ基板ＧのＹ方向の辺の中央部分が基板保持部５２の待機位置へ到達した際に、チャック５２ａにＬＣＤ基板Ｇを保持させる。

その後、コロ４６による基板搬送速度と基板保持部５２の移動速度を合わせて、基板保持部５２を塗布処理部５ｂ側へ移動させることにより、ＬＣＤ基板Ｇをステージ１２の基板搬入部５ａへ搬入し、さらに塗布処理部５ｂ側へ向けて搬送する。このときの基板保持部５２の移動動作は、第１スケール５５ａの目盛りを第１ヘッド５６ａで読み取り、第１ヘッド５６ａによる計測信号がスケール切替装置５７を通してモータ駆動装置５４の制御部へ送られ、モータ駆動装置５４がリニアモータ５３を駆動することにより、行われる。

レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａでは、図９（ｂ）に示すように、基板保持部５２がエリアＳ_１内において第１位置センサ５８ａにより検知されるスケール切替点Ｐ_１に到達した際に、ＬＣＤ基板Ｇの搬送方向前端がレジスト供給ノズル１４の手前近傍に到達するように、各部の寸法が設定されている。第１位置センサ５８ａは、基板保持部５２がスケール切替点Ｐ_１に到達したら、その検知信号をスケール切替装置５７とモータ駆動装置５４の制御部に送る。

モータ駆動装置５４は、第１位置センサ５８ａからの検知信号を受けて、リニアモータ５３の駆動を一時停止させる（つまり、基板搬送を一時停止させる）。また、エリアＳ_１内には第１スケール５５ａと第２スケール５５ｂとが併設されているので、第２ヘッド５６ｂは第２スケール５５ｂの読み取りを開始している。そこで、スケール切替装置５７は、第１位置センサ５８ａからの検知信号を受けて、リニアモータ５３が停止して第１・第２ヘッド５６ａ・５６ｂの読み取り値が変化しない状態において、モータ駆動装置５４へ第２ヘッド５６ｂによる第２スケール５５ｂの計測信号が送られるように、信号切替を行う。

スケール切替装置５７の信号切替後、モータ駆動装置５４は再びリニアモータ５３の駆動を開始させ、基板保持部５２を基板搬出部５ｃ側へ移動させる。これによって、図９（ｃ）に示されるように、ＬＣＤ基板Ｇがレジスト供給ノズル１４の下を通過する際に、レジスト供給ノズル１４からＬＣＤ基板Ｇにレジスト液が吐出され、塗布膜（図示せず）が形成される。このように、ＬＣＤ基板Ｇにレジスト液が供給される間は、高精度の第２スケール５５ｂを用いたリニアモータ５３の駆動制御が行われ、基板搬送速度等が高い精度で制御されるために、膜厚の均一な塗布膜を形成することができる。

なお、レジスト供給ノズル１４によるＬＣＤ基板Ｇへのレジスト液供給前に、レジスト供給ノズル１４のダミーディスペンスがノズル洗浄ユニット１５において行われる。レジスト供給ノズル１４からのレジスト液の吐出開始／吐出終了のタイミングは、例えば、ＬＣＤ基板Ｇの位置を検出するセンサを別途設けて、このセンサからの信号に基づいて定めてもよいし、第２ヘッド５６ｂの計測信号とレジスト液の吐出開始／吐出終了のタイミングを予めリンクさせておくことによって行ってもよい。

塗布処理部５ｂを通過することによって塗布膜が形成されたＬＣＤ基板Ｇは、基板保持部５２の移動にしたがって基板搬出部５ｃ側へ搬送される。レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａでは、図９（ｄ）に示すように、基板保持部５２がエリアＳ_２内において第２位置センサ５８ｂにより検知されるスケール切替点Ｐ_２に到達した際に、ＬＣＤ基板Ｇがレジスト供給ノズル１４の真下を完全に通過した状態、つまり、塗布膜の形成が終了した状態となっているように、各部の寸法が設定されている。

第２位置センサ５８ｂは、基板保持部５２がスケール切替点Ｐ_２に到達したら、その検知信号をスケール切替装置５７とモータ駆動装置５４の制御部に送る。モータ駆動装置５４は、第２位置センサ５８ｂからの検知信号を受けて、リニアモータ５３の駆動を一時停止させる。また、エリアＳ_２内には第２スケール５５ｂと第３スケール５５ｃとが併設されているので、第１ヘッド５６ａは第３スケール５５ｃの読み取りを開始している。そこで、スケール切替装置５７は、第２位置センサ５８ｂからの検知信号を受けて、リニアモータ５３が停止して第１・第２ヘッド５６ａ・５６ｂの読み取り値が変化しない状態において、モータ駆動装置５４へ第１ヘッド５６ａによる第３スケール５５ｃの計測信号が送られるように信号切替を行う。

なお、ＬＣＤ基板Ｇへのレジスト液の供給が終了し、レジスト供給ノズル１４においてサックバック処理が行われるのと同時にＬＣＤ基板Ｇの搬送を停止して、第２スケール５５ｂから第３スケール５５ｃへの切替が行われるように、エリアＳ_２およびスケール切替点Ｐ_２の位置を設定してもよい。

スケール切替装置５７の信号切替後、モータ駆動装置５４は、第３スケール５５ｃの目盛りを第１ヘッド５６ａで読み取り、第１ヘッド５６ａによる計測信号がスケール切替装置５７を通してモータ駆動装置５４の制御部へ送られ、モータ駆動装置５４がリニアモータ５３を駆動する。これによって、図９（ｅ）に示されるように、基板保持部５２は基板搬出部５ｃへと移動する。そして、ＬＣＤ基板Ｇ全体が第３ステージ１２ｃ上に収まったら、基板保持部５２のチャック５２ａによる吸着保持を解除するとともに、リフトピン４７（図９に図示せず）を上昇させて、ＬＣＤ基板Ｇを所定の高さへ持ち上げる。

引き続き、基板搬送アーム１９がリフトピン４７によって持ち上げられたＬＣＤ基板Ｇにアクセスする。基板搬送アーム１９がＬＣＤ基板ＧのＹ方向端でＬＣＤ基板Ｇを把持したらリフトピン４７を降下させる。また、基板搬送アーム１９は把持したＬＣＤ基板Ｇを減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂの載置台１７上に載置する。その後、チャンバ１８を密閉してその内部を減圧することにより、塗布膜を減圧乾燥する。

ＬＣＤ基板Ｇの減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂにおける処理が終了したら、チャンバ１８を開き、基板搬送アーム１９を載置台１８に載置されたＬＣＤ基板ＧにアクセスさせてＬＣＤ基板Ｇを把持し、ＬＣＤ基板Ｇを熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット（ＰＡＳＳ）６９へ搬送する。他方、ＬＣＤ基板Ｇをリフトピン４７に受け渡した後の基板保持部５２は、次に処理するＬＣＤ基板Ｇを搬送するために、例えばリニアモータ５３を先の基板搬送工程の逆順序で駆動することによって、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２側へ戻される。

このような塗布膜形成方法では、ＬＣＤ基板Ｇはステージ１２から常に浮上した状態で搬送されるために、ステージ１２表面の転写が起こらず、ＬＣＤ基板Ｇの裏面へのパーティクル付着が抑制される。また、基板搬送に高い精度が要求される範囲では高精度のスケールを用いた搬送制御を行い、その他の範囲では汎用のスケールを用いた搬送制御を行うことができるために、スケールにかかるコストを低く抑えることができる。

なお、ＬＣＤ基板Ｇは、例えば、第１・第３ステージ１２ａ・１２ｃではその表面から１５０μｍ浮いた状態で搬送され、第２ステージ１２ｂではその表面から４０μｍ浮いた状態で、搬送することができる。第２ステージ１２ｂでの浮上量を小さくすることにより、ＬＣＤ基板Ｇの平坦度を高く維持することができる。この場合、第１ステージ１２ａと第２ステージ１２ｂとにＬＣＤ基板Ｇがかかった状態ではＬＣＤ基板Ｇにはわずかな傾斜（段差）が生ずることとなるが、レジスト供給ノズル１４からレジスト液が供給される近傍では、このような傾斜は実質的に無視できる。この傾斜の問題を解決するためには、第２ステージ１２ｂとして、そのＸ方向長さがＬＣＤ基板ＧのＸ方向長さの２倍以上のものを用いればよい。

次に、リニアモータ５３の駆動に際して行われるスケール切替の別の形態について説明する。
先の説明した形態においては、第１位置センサ５８ａの検知信号により、モータ駆動装置５４がリニアモータ５３を一時停止させた。しかし、リニアモータ５３を一時停止させることなく、第１位置センサ５８ａの検知信号によりスケール切替装置５７が第１ヘッド５６ａから第２ヘッド５６ｂへの切替を行い、かつ、モータ駆動装置５４の制御部がスケール切替装置５７の切替操作を認識するようにしてもよい。

基板搬送装置１３の構成を図１０に示す基板搬送装置１３′に変更することも好ましい。すなわち、図１０は基板搬送装置１３′の概略構成を示す説明図であり、基板搬送装置１３′はスケール切替装置５７′を備えており、このスケール切替装置５７′は、第１カウンタ（エンコーダ）５９ａと、第２カウンタ５９ｂと、ロジックメモリ５９ｃと、スイッチ５９ｄと、演算処理部５９ｅと、を備えている。第１ヘッド５６ａの計測信号は第１カウンタ５９ａに送られ、そこで、基板保持部５２の位置を定める所定の信号へ変換された後、モータ駆動装置５４の制御部に送られる。同様に、第２ヘッド５６ｂの計測信号は第２カウンタ５９ｂに送られ、そこで、基板保持部５２の位置を定める所定の信号へ変換された後、モータ駆動装置５４の制御部に送られる。

図１１に、第１・第２ヘッド５６ａ・５６ｂの位置と、第１・第２カウンタ５９ａ・５９ｂのカウント数との関係を示す説明図を示す。例えば、第１カウンタ５９ａは、基板保持部５２の熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２側の待機点Ｑ_１では、第１スケール５５ａの目盛りを読み取るが、このときにはゼロをカウントしているとする。基板保持部５２が塗布処理部５ｂ側へ移動するにしたがってカウント数が増え、基板保持部５２がエリアＳ１内のスケール切替点Ｐ_１に到達したときに、第１カウンタ５９ａは「数値α_１」をカウントするものとする。基板保持部５２がエリアＳ_１に進入すると、第２ヘッド５６ｂが第２スケール５５ｂの目盛りをカウントし始め、基板保持部５２がエリアＳ_１内のスケール切替点Ｐ_１に到達したときに第２カウンタ５９ｂは「数値β_１」をカウントとするものとする。

基板保持部５２をさらに基板搬出部５ｃ側へ移動させるにしたがって、第２カウンタ５９ｂのカウント数が増え、基板保持部５２がエリアＳ_２内のスケール切替点Ｐ_２に到達したときに「数値β_２」をカウントするものとする。基板保持部５２がエリアＳ_２に進入すると、第１ヘッド５６ａが第３スケール５５ｃの目盛りをカウントし始め、基板保持部５２がエリアＳ_２内のスケール切替点Ｐ_２に到達したときに、第１カウンタ５９ａは「数値α_２」をカウントするものとする。さらに、基板保持部５２が基板搬出部５ｃにおいてＬＣＤ基板Ｇをリフトピン４７に受け渡す位置であるＱ_２点に達した際に、第１カウンタ５９ａは「数値α_３」をカウントするものとする。

ロジックメモリ５９ｃには、第１カウンタ５９ａが数値α_１をカウントした際にリニアモータ５３を停止させ、第２カウンタ５９ｂのカウント信号がモータ駆動装置５４へ送られるように、スイッチ５９ｄを切り替える、という情報が記憶されている。また、ロジックメモリ５９ｃには、第２カウンタ５９ｂが数値β_２をカウントした際にリニアモータ５３を停止させ、第１カウンタ５９ａのカウント信号がモータ駆動装置５４へ送られるように、スイッチ５９ｄを切り替える情報が記憶されている。

演算処理部５９ｅは、このようにロジックメモリ５９ｃに記憶された情報と、第１・第２カウンタ５９ａ・５９ｂのカウントを参照しながら、スイッチ５９ｄの制御（つまり、スケールの切替）、モータ駆動装置５４への信号送信を行う。これにより、リニアモータ５３の駆動を制御することができる。なお、モータ駆動装置５４は、第１カウンタ５９ａが数値α_３をカウントするＱ_２点で、基板保持部５２を停止させる。

ロジックメモリ５９ｃには、第２カウンタ５９ｂが数値β_１をカウントした際にリニアモータ５３を停止させ、第２カウンタ５９ｂのカウント信号がモータ駆動装置５４へ送られるように、スイッチ５９ｄを切り替える、という情報を記憶させてもよい。また、ロジックメモリ５９ｃには、第１カウンタ５９ａが数値α_２をカウントした際にリニアモータ５３を停止させ、第１カウンタ５９ａのカウント信号がモータ駆動装置５４へ送られるように、スイッチ５９ｄを切り替える情報が記憶させてもよい。この場合、基板保持部５２が基板搬入部５ａにあると誤認しないように、第２カウンタ５９ｂのカウント数を参照するようにすることが好ましい。

ロジックメモリ５９ｃに記憶させる切替情報は上記例に限定されない。例えば、図１２には、第１・第２ヘッド５６ａ・５６ｂの位置と、第１・第２カウンタ５９ａ・５９ｂのカウント数との関係を示す別の説明図を示す。第１スケール５５ａと第２スケール５５ｂが併設されているエリアＳ_１のＸ方向端をそれぞれＲ_１点、Ｒ_２点、第２スケール５５ｂと第３スケール５５ｃが併設されているエリアＳ_２のＸ方向端をそれぞれＲ_３点、Ｒ_４点とし、これらＲ_１点、Ｒ_２点、Ｒ_３点、Ｒ_４点における第１・第２カウンタ５９ａ・５９ｂのカウント数は、同図内の表に示されるように、ゼロおよび数値γ_１〜γ_３、η_１〜η_３とする。

この場合、例えば、ロジックメモリ５９ｃには、第２カウンタ５９ｂのカウント数がゼロより大きく数値η_１より小さい予め定めた所定数値に達した際にリニアモータ５３を停止させ、第２カウンタ５９ｂのカウント信号がモータ駆動装置５４へ送られるように、スイッチ５９ｄを切り替える、という情報を記憶させることができる。または、ロジックメモリ５９ｃに、第１カウンタ５９ａのカウント数がγ_１より大きくγ_２より小さい予め定めた所定数値に達した際にリニアモータ５３を停止させ、第２カウンタ５９ｂのカウント信号がモータ駆動装置５４へ送られるように、スイッチ５９ｄを切り替える、という情報を記憶させてもよい。これにより、スケール切替装置５７′は、エリアＳ_１内の所定位置におけるスケール切替を行うことができる。

これと同様に、例えば、ロジックメモリ５９ｃには、第２カウンタ５９ｂのカウント数がη_２より大きく数値η_３より小さい予め定めた所定数値に達した際にリニアモータ５３を停止させ、第１カウンタ５９ａのカウント信号がモータ駆動装置５４へ送られるように、スイッチ５９ｄを切り替える、という情報を記憶させることができる。または、ロジックメモリ５９ｃに、第１カウンタ５９ａのカウント数がゼロより大きくγ_３より小さい予め定めた所定数値に達した際にリニアモータ５３を停止させ、第１カウンタ５９ａのカウント信号がモータ駆動装置５４へ送られるように、スイッチ５９ｄを切り替える、という情報を記憶させてもよい。この場合、基板保持部５２が基板搬入部５ａにあると誤認しないように、第２カウンタ５９ｂのカウント数を参照するようにすることが好ましい。これにより、スケール切替装置５７′は、エリアＳ_２内の所定位置におけるスケール切替を行うことができる。

このような基板搬送装置１３′では、スケール切替装置５７′に演算処理部５９ｅを設け、モータ駆動装置５４に制御部を設けているが、これらを統合することも可能である。すなわち、図１３に示す別のモータ駆動装置５４′の概略構成を示す説明図に示されるように、モータ駆動装置５４′の制御部に、第１・第２ヘッド５６ａ・５６ｂの信号解析手段、ロジックメモリおよびロジックメモリに記憶された切替情報に基づくスケール切替を行う機能を持たせる。これにより、リニアモータ５３の制御系の構成を簡単にすることができる。

以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。例えば、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５からレジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａへのＬＣＤ基板の搬入は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６５に基板搬送アームを設け、かつ、第１ステージ１２ａを貫通するようにリフトピンを設けて、この基板搬送アームが保持したＬＣＤ基板をリフトピンに受け渡し、リフトピンを降下させることによって第１ステージ１２ａの表面近傍で、基板保持部５２にＬＣＤ基板Ｇを保持させるようにしてもよい。

また、基板保持部５２がＬＣＤ基板Ｇをその搬送方向の中央部で保持してＬＣＤ基板Ｇを搬送する形態を示したが、これに限定されるものではなく、ＬＣＤ基板Ｇの搬送方向前方部を保持してＬＣＤ基板Ｇを引っ張るように搬送してもよく、逆に、ＬＣＤ基板Ｇの搬送方向後方部を保持してＬＣＤ基板Ｇを押し出すようにして搬送させてもよい。

このように基板保持部５２によるＬＣＤ基板Ｇを保持する位置を変更した場合には、第１〜第３スケール５５ａ〜５５ｃの配設位置および長さを、基板搬送方向において変更する必要がある。例えば、図１４（ａ）に、ＬＣＤ基板Ｇの搬送方向前方部を保持してＬＣＤ基板Ｇを搬送する場合のスケールの配置を示す説明図を示す。ＬＣＤ基板Ｇの前端がレジスト供給ノズル１４の手前に位置するまでＬＣＤ基板Ｇを搬送するために、第１スケール５５ａ′を塗布処理部５ｂ側へ延長する。第２スケール５５ｂ′は基板搬入部５ａ側には設けなくともよいが、基板搬出部５ｃ側へ伸ばす、つまり基板搬出部５ｃ側にシフトさせる必要がある。第３スケール５５ｃ′には基板搬出部５ｃの端部までの長さが必要となる。

図１４（ｂ）に、ＬＣＤ基板Ｇの搬送方向後方部を保持してＬＣＤ基板Ｇを搬送する場合のスケールの配置を示す説明図を示す。ＬＣＤ基板Ｇの前端がレジスト供給ノズル１４の手前に位置するまでＬＣＤ基板Ｇを搬送するために、短い第１スケール５５ａ″を用いることができる。第２スケール５５ｂ″は基板搬入部５ａ側にシフトさせる必要があるが、基板搬出部５ｃには設けなくてもよい。第３スケール５５ｃ″は塗布処理部５ｂ側へシフトさせる必要があるが、塗布処理部５ｂ側の近傍までの長さで足りる。

上記説明においては、第１位置センサ５８ａと第２位置センサ５８ｂとで、基板保持部５２が所定位置に到達したことを検出したが、第１位置センサ５８ａと第２位置センサ５８ｂが、例えば、ＬＣＤ基板Ｇが所定位置に到達したことを検出したり、または、ＬＣＤ基板Ｇの前端が所定位置に到達したこと検出する構成としてもよい。さらに、基板保持部５２とＬＣＤ基板Ｇと第１〜第３スケール５５ａ〜５５ｃとの位置関係を関連付けすることにより、第１〜第３スケール５５ａ〜５５ｃを切り替えるようにしてもよい。

また、第１・第２スケール５５ａ・５５ｂを切り替える場合、基板保持部５２がスケール切替点Ｐ_１に到達した際にリニアモータ５３への駆動電力の供給を停止し、第１ヘッド５６ａによる読み取りデータによる制御を終了し、その後、エリアＳ_１の範囲内で、第２ヘッド５６ｂによる読み取りデータによるリニアモータ５３の制御を開始するようにしてもよい。これによりＬＣＤ基板Ｇの搬送を一時停止させることなく、第１・第２スケール５５ａ・５５ｂの切替を行うことができる。

上記説明においては、塗布膜としてレジスト膜を取り上げたが、塗布膜はこれに限定されるものではなく、反射防止膜や感光性を有さない絶縁膜等であってもよい。

本発明は、ＬＣＤガラス基板等の大型基板に、レジスト膜等の塗布膜を形成するレジスト膜形成装置等の塗布膜形成装置に好適である。

本発明の塗布膜形成装置の一実施形態であるレジスト塗布装置を具備するレジスト塗布・現像処理システムの概略平面図。 図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第１の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。 図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第２の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。 図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第３の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。 レジスト処理ユニットの概略平面図。 レジスト供給ノズルの概略斜視図。 （ａ）は基板搬送機構の概略構成を示す断面図、（ｂ）は基板搬送機構の全体構成を示す説明図。 第１〜第３スケール、第１・第２位置センサの配置を模式的に示す説明図。 レジスト塗布装置における基板搬送形態を模式的に示す説明図。 別の基板搬送装置の概略構成を示す説明図。 第１・第２ヘッドの位置と第１・第２カウンタのカウント数との関係を示す説明図。 第１・第２ヘッドの位置と第１・第２カウンタのカウント数との関係を示す別の説明図。 別のモータ駆動装置の概略構成を示す説明図。 （ａ）はＬＣＤ基板の搬送方向前方部を保持してＬＣＤ基板を搬送する場合のスケールの配置を示す説明図、（ｂ）はＬＣＤ基板の搬送方向後方部を保持してＬＣＤ基板を搬送する場合のスケールの配置を示す説明図。

符号の説明

１；カセットステーション
２；処理ステーション
３；インターフェイスステーション
５ａ；基板搬入部
５ｂ；塗布処理部
５ｃ；基板搬出部
１２ａ；第１ステージ
１２ｂ；第２ステージ
１２ｃ；第３ステージ
１３；基板搬送機構
１４；レジスト供給ノズル
２３；レジスト処理ユニット
２３ａ；レジスト塗布装置（ＣＴ）
５２；基板保持部
５３；リニアモータ
５４；モータ駆動装置
５５ａ；第１スケール
５５ｂ；第２スケール
５５ｃ；第３スケール
５６ａ；第１ヘッド
５６ｂ；第２ヘッド
５７；スケール切替装置
１００；レジスト塗布・現像処理システム
Ｇ；ＬＣＤ基板

Claims (17)

1. 基板に所定の処理を施す複数の処理部の間で基板を搬送する基板搬送機構であって、
   基板を保持する基板保持部と、
   前記基板保持部を一方向に移動させるリニアモータと、
   前記リニアモータを駆動するモータ駆動装置と、
   前記基板保持部の移動情報を計測するために、その長手方向が前記基板保持部の移動方向と一致するように、かつ、その一部が所定のエリア内でその長手方向に垂直な方向において重複するように略直列に設けられた長尺状の複数のスケールと、
   前記基板保持部に設けられ、前記複数のスケールの目盛りを読み取る複数のヘッドと、
   前記複数のヘッドのうちの１つのヘッドの計測信号が前記モータ駆動装置へ送られるように、前記複数のヘッドから出力される計測信号を切り替えるスケール切替装置と、
   を具備し、
   前記複数のスケールのうちの少なくとも２つは、その分解能が異なることを特徴とする基板搬送機構。
2. 前記複数のスケールが併設されているエリア内の所定位置に前記基板保持部が到達したことを検出し、その検出信号を前記スケール切替装置に送る位置センサをさらに具備し、
   前記スケール切替装置は、前記位置センサからの検出信号によって、前記基板保持部をその位置まで移動させるために用いられていたヘッドから前記モータ駆動装置に送られている計測信号から、前記基板保持部をその位置からさらに前方へと移動させるために必要な信号を得るために用いられるヘッドから前記モータ駆動装置に送られる計測信号へ、切り替えることを特徴とする請求項１に記載の基板搬送機構。
3. 前記位置センサはさらに、前記複数のスケールが併設されているエリア内の所定位置で前記基板保持部を停止させるための信号を前記モータ駆動装置へ送信し、
   前記スケール切替装置は、前記位置センサから送られる検出信号に基づいて前記モータ駆動装置が前記基板保持部を停止させた状態で、信号切替を行うことを特徴とする請求項２に記載の基板搬送機構。
4. 前記スケール切替装置は、前記基板保持部の移動に用いられているヘッドから送られる計測信号のカウント数が予め設定されたカウント数に達した際に信号切替を行うことを特徴とする請求項１に記載の基板搬送機構。
5. 前記スケール切替装置は、前記基板保持部の移動に用いられているヘッドからの計測信号に加えて、前記基板保持部が前記複数のスケールが併設されているエリア内に進入することによって別のヘッドからの計測信号の受信を開始したときは、その別のヘッドから送られる計測信号のカウント数が予め設定されたカウント数に達した際に信号切替を行うことを特徴とする請求項１に記載の基板搬送機構。
6. 基板を略水平姿勢で一方向に搬送しながら前記基板に所定の塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、
   基板を搬入する基板搬入部と、
   基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布処理部と、
   塗布膜の形成された基板を搬出する基板搬出部と、
   前記基板搬入部から前記塗布処理部を経て前記基板搬出部へ基板を一方向に搬送する基板搬送機構と、
   を具備し、
   前記基板搬送機構は、
   基板を保持する基板保持部と、
   前記基板保持部を一方向に移動させるリニアモータと、
   前記リニアモータを駆動するためのモータ駆動装置と、
   前記基板保持部の移動情報を計測するために、実質的に前記基板搬入部に設けられた第１のスケールと、前記基板搬入部の前記塗布処理部側から前記基板搬出部の前記塗布処理部側にかけて設けられた第２のスケールと、実質的に前記基板搬出部に設けられた第３のスケールと、
   前記基板保持部に設けられた、前記第１および第３のスケールの目盛りを読み取るための第１のヘッドおよび前記第２のスケールの目盛りを読み取るための第２のヘッドと、
   前記第１のヘッドから送られる計測信号と前記第２のヘッドから送られる計測信号とを切り替えて、前記リニアモータを駆動するための所定の信号を前記モータ駆動装置に送るスケール切替装置と、
   を有し、
   前記第２のスケールは前記第１および第３のスケールよりも高分解能であることを特徴とする塗布膜形成装置。
7. 前記基板搬入部から前記塗布処理部へ基板を搬送する際に、前記基板搬入部において前記第１のスケールと前記第２のスケールとが併設されているエリア内の所定位置に前記基板保持部が到達したことを検出し、その検出信号を前記スケール切替装置に送る位置センサをさらに具備し、
   前記スケール切替装置は、前記位置センサからの検出信号によって、前記第１のヘッドから前記モータ駆動装置に送られている計測信号から、前記第２のヘッドから前記モータ駆動装置に送られる計測信号へ、切り替えることを特徴とする請求項６に記載の塗布膜形成装置。
8. 前記位置センサはさらに、前記第１のスケールと前記第２のスケールとが併設されているエリア内の所定位置で前記基板保持部を停止させるための信号を前記モータ駆動装置へ送信し、
   前記スケール切替装置は、前記位置センサから送られる検出信号に基づいて前記モータ駆動装置が前記基板保持部を停止させた状態で、信号切替を行うことを特徴とする請求項７に記載の塗布膜形成装置。
9. 前記塗布処理部から前記基板搬出部へ基板を搬送する際に、前記基板搬出部において前記第２のスケールと前記第３のスケールとが併設されているエリア内の所定位置に前記基板保持部が到達したことを検出し、その検出信号を前記スケール切替装置に送る別の位置センサをさらに具備し、
   前記スケール切替装置は、前記別の位置センサからの検出信号によって、前記第２のヘッドから前記モータ駆動装置に送られている計測信号から、前記第１のヘッドから前記モータ駆動装置に送られる計測信号へ、切り替えることを特徴とする請求項６から請求項８のいずれか１項に記載の塗布膜形成装置。
10. 前記別の位置センサはさらに、前記第２のスケールと前記第３のスケールとが併設されているエリア内の所定位置で前記基板保持部を停止させるための信号を前記モータ駆動装置へ送信し、
    前記スケール切替装置は、前記別の位置センサから送られる検出信号に基づいて前記モータ駆動装置が前記基板保持部を停止させた状態で、信号切替を行うことを特徴とする請求項９に記載の塗布膜形成装置。
11. 前記基板搬入部から前記塗布処理部へ基板を搬送する際に、前記スケール切替装置は、前記第１のヘッドから送られる計測信号のカウント数が前記基板保持部が前記基板搬入部において前記第１のスケールと前記第２のスケールとが併設されているエリア内に進入したことを示す予め設定されたカウント数に達した際に信号切替を行うことを特徴とする請求項６に記載の塗布膜形成装置。
12. 前記基板搬入部から前記塗布処理部へ基板を搬送する際に、前記スケール切替装置は、前記基板保持部が前記基板搬入部において前記第１のスケールと前記第２のスケールとが併設されているエリア内に進入することによって前記第２のヘッドからの計測信号の受信を開始したときは、前記第２のヘッドから送られる計測信号のカウント数が予め設定されたカウント数に達した際に信号切替を行うことを特徴とする請求項６に記載の塗布膜形成装置。
13. 前記塗布処理部から前記基板搬出部へ基板を搬送する際に、前記スケール切替装置は、前記第２のヘッドから送られる計測信号のカウント数が前記基板保持部が前記基板搬出部において前記第２のスケールと前記第３のスケールとが併設されているエリア内に進入したことを示す予め設定されたカウント数に達した際に信号切替を行うことを特徴とする請求項６に記載の塗布膜形成装置。
14. 前記塗布処理部から前記基板搬出部へ基板を搬送する際に、前記スケール切替装置は、前記基板保持部が前記基板搬出部において前記第２のスケールと前記第３のスケールとが併設されているエリア内に進入することによって前記第１のヘッドからの計測信号の受信を開始したときは、前記第１のヘッドから送られる計測信号のカウント数が予め設定されたカウント数に達した際に信号切替を行うことを特徴とする請求項６または請求項１１または請求項１２のいずれか１項に記載の塗布膜形成装置。
15. 前記基板搬入部は所定のガスを噴射するガス噴射口を有する第１のステージを備え、
    前記塗布処理部は所定のガスを噴射するガス噴射口を有する第２のステージを備え、
    前記基板搬出部は所定のガスを噴射するガス噴射口を有する第３のステージを備え、
    前記基板保持部に保持された基板は、前記ガス噴射口から噴射されるガスによって、前記第１から第３のステージの表面から浮いた状態で前記基板搬入部から前記基板搬出部へと搬送されることを特徴とする請求項６から請求項１４のいずれか１項に記載の塗布膜形成装置。
16. 前記第２のステージは、その表面の雰囲気を吸気するためのガス吸気口をさらに備え、
    前記ガス噴射口からのガス噴射量と前記ガス吸気口からのガス吸気量を調整することによって、前記基板保持部に保持された基板が高精度に姿勢制御されることを特徴とする請求項１５に記載の塗布膜形成装置。
17. 前記塗布処理部は、
    水平面において基板搬送方向に直交する方向に伸び、帯状に塗布液を吐出するスリット状の塗布液吐出口を有する塗布液供給ノズルと、
    前記塗布液供給ノズルに少なくとも洗浄処理を施すノズル洗浄ユニットと、
    前記塗布液供給ノズルを、前記基板搬送機構によって搬送される基板に塗布液を供給する位置および前記ノズル洗浄ユニットにアクセスさせるノズル移動機構と、を具備することを特徴とする請求項６から請求項１６のいずれか１項に記載の塗布膜形成装置。
    

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