JP2010199170A - 基板処理システム - Google Patents

基板処理システム Download PDF

Info

Publication number
JP2010199170A
JP2010199170A JP2009040157A JP2009040157A JP2010199170A JP 2010199170 A JP2010199170 A JP 2010199170A JP 2009040157 A JP2009040157 A JP 2009040157A JP 2009040157 A JP2009040157 A JP 2009040157A JP 2010199170 A JP2010199170 A JP 2010199170A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
sheet
wafer
processing system
transfer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009040157A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4756076B2 (ja
Inventor
Yasushi Hayashida
林田  安
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2009040157A priority Critical patent/JP4756076B2/ja
Priority to KR1020100016027A priority patent/KR101633517B1/ko
Publication of JP2010199170A publication Critical patent/JP2010199170A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4756076B2 publication Critical patent/JP4756076B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65GTRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G15/00Conveyors having endless load-conveying surfaces, i.e. belts and like continuous members, to which tractive effort is transmitted by means other than endless driving elements of similar configuration
    • B65G15/30Belts or like endless load-carriers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706Mechanical details, e.g. roller, belt
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67736Loading to or unloading from a conveyor

Abstract

【課題】基板の搬送装置を安価に製造し、基板処理システムの製造コストを低廉化する。
【解決手段】塗布現像処理システム1は、ウェハWを搬送ラインAに沿った方向に搬送するウェハ搬送装置50を有している。ウェハ搬送装置50は、搬送ラインAに沿った方向に並べて配置された複数の搬送ロール100を有している。搬送ロール100は回転自在に構成されている。複数の搬送ロール100には、シート101が巻回されている。シート101は、耐熱性と熱伝導性を有している。搬送ラインAには、複数の処理装置41〜45が搬送ラインAに沿った方向に配置されている。各処理装置41〜45は、ウェハ搬送装置50のシート101上に載置されたウェハWに所定の処理を行う。
【選択図】図2

Description

本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板の処理システムに関する。
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー処理では、例えば半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という。)上にレジスト液を塗布しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理等の各種処理が行われている。
これらの一連の処理は、通常、塗布現像処理システムを用いて行われる。塗布現像処理システムは、例えばカセット単位でウェハを搬入出するためのカセットステーションと、各種処理を行う複数の処理装置が配置された処理ステーションと、隣接する露光装置と処理ステーションとの間でウェハの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション等を有している。
処理ステーションには、例えば複数の処理装置が鉛直方向に多段に積層された処理ブロックが水平方向に2列に配置され、当該2列の処理ブロック間には、各処理装置にウェハを搬送するための搬送領域が形成されている。搬送領域には、ウェハを保持して搬送する複数の搬送アームが設けられている。これら複数の搬送アームは、多段に積層された各処理装置に対応する高さにそれぞれ配置されている。また、各搬送アームは、鉛直方向及び水平方向に移動可能であると共に、回転可能に構成されている。そして、各搬送アームは、ウェハを各処理装置に搬送することができる(特許文献1)。
特開2006−229183号公報
しかしながら、上述した搬送アームは、ウェハを各処理装置に搬送するために、鉛直方向及び水平方向に移動可能、かつ回転可能に構成されているため、複雑な機構を要していた。このため、搬送アームは高価なものとなり、基板処理システム全体の製造コストが高くなっていた。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板の搬送装置を安価に製造し、基板処理システムの製造コストを低廉化することを目的とする。
前記の目的を達成するため、本発明は、基板の処理システムであって、基板を載置した状態で一方向に搬送する搬送装置と、前記搬送装置に載置された基板に所定の処理を行う複数の処理装置と、を備え、前記搬送装置は、耐熱性と熱伝導性を有し、基板を載置するシートと、前記シートを支持し、当該シートを前記一方向に移動させるために回転自在に構成された複数の搬送ロールと、を有することを特徴としている。なお、一方向とは、基板の搬送方向である。
本発明の搬送装置は、シートと搬送ロールという極めて簡易な構成で基板を搬送することができるので、従来の複雑な機構を要した搬送アームに比べて、搬送装置を安価に製造することができる。したがって、基板処理システム全体の製造コストを低廉化することができる。しかも、搬送装置は基板を各処理装置に搬送するという本来の機能も発揮することでき、各処理装置では搬送装置のシート上に載置された基板に所定の処理を行うことができる。
前記シートは、前記複数の搬送ロールに巻回されていてもよい。
前記シートの基板載置面を洗浄する洗浄装置をさらに有していてもよい。
前記洗浄装置は、前記シートの基板載置面に洗浄液を噴き付ける洗浄液ノズルを有していてもよい。
前記洗浄装置は、前記シートの洗浄液を貯留する洗浄液槽を有していてもよい。
前記搬送装置は、前記シートを巻き取って回収するコイラーを有していてもよい。
前記シートは、金属板であってもよい。
前記シートの基板載置面には、基板を支持する支持ピンが設けられていてもよい。
前記複数の処理装置は、基板を所定の温度に熱処理する熱処理装置を有し、前記熱処理装置は、少なくとも基板を加熱する熱板又は基板を冷却する冷却板と有していてもよい。
前記熱板又は前記冷却板は、前記シートの下方に設けられていてもよい。
前記熱板又は前記冷却板は、前記シートの上方に設けられていてもよい。
前記複数の処理装置は、基板に所定の処理液を供給して処理を行う液処理装置を有していてもよい。
前記液処理装置は、前記シートの上方に設けられ、当該シート上に載置された基板に所定の処理液を供給する処理液供給部を有していてもよい。
前記搬送装置は、少なくとも2つに分割され、前記分割された搬送装置間には、前記液処理装置が配置され、前記液処理装置は、基板を載置する載置台と、前記載置台を昇降させ、かつ回転させる移動機構と、前記載置台の上方に設けられ、当該載置台上に載置された基板に所定の処理液を吐出する処理液ノズルと、を備え、前記載置台は、基板を載置するベルトと、前記ベルトが巻回され、当該ベルトを前記一方向に移動させるために回転自在に構成された複数の支持ロールと、を有していてもよい。
前記載置台と前記搬送装置との間には、前記搬送装置の前記搬送ロールの回転を前記載置台の前記支持ロールに伝達する回転伝達ロールが設けられ、前記回転伝達ロールは、前記載置台の昇降時には前記載置台と前記搬送装置との間から退避可能であってもよい。
前記載置台の下方には、当該載置台を収容し、基板に処理を行う際に基板から飛散する処理液を回収するカップが設けられていてもよい。
前記ベルトは、前記シートであってもよい。
前記搬送装置は、鉛直方向に多段に複数配置されていてもよい。
前記搬送装置は、水平方向に複数配置されていてもよい。
前記シートは、前記一方向と直角方向に複数の基板を載置可能であってもよい。
本発明によれば、基板の搬送装置を安価に製造し、基板処理システムの製造コストを低廉化することができる。
本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す平面図である。 本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。 本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。 ウェハ搬送機構の構成の概略を示す平面図である。 ノズルの斜視図である。 現像処理装置の構成の概略を示す側面図である。 現像処理装置の構成の概略を示す平面図である。 現像処理装置において、載置台が下降した様子を示す説明図である。 他の実施の形態にかかる塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。 他の実施の形態にかかる塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す平面図である。 他の実施の形態にかかる塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す平面図である。 他の実施の形態にかかる塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。 他の実施の形態にかかるウェハ搬送装置の一部の構成の概略を示す側面図である。 他の実施の形態にかかる塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。 他の実施の形態にかかる塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。
以下、本発明の実施の形態について説明する。図1は本実施の形態にかかる基板処理システムとしての塗布現像処理システム1の内部構成の概略を示す平面図である。また、図2及び図3は、塗布現像処理システム1の内部構成の概略を示す側面図である。
塗布現像処理システム1は、図1に示すように例えば外部との間でカセットCが搬入出されるカセットステーション10と、フォトリソグラフィー処理の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション11と、処理ステーション11に隣接する露光装置12との間でウェハWの受け渡しを行うインターフェイスステーション13とを一体に接続した構成を有している。
カセットステーション10には、カセット載置台20が設けられている。カセット載置台20には、複数、例えば4つのカセット載置板21が設けられている。カセット載置板21は、水平方向のX方向(図1の上下方向)に一列に並べて設けられている。これらのカセット載置板21には、塗布現像処理システム1の外部に対してカセットを搬入出する際に、カセットCを載置することができる。
カセットステーション10には、X方向に延びる搬送路30上を移動自在なウェハ搬送機構31が設けられている。ウェハ搬送機構31は、鉛直方向、水平方向及び鉛直軸周りにも移動自在であり、各カセット載置板21上のカセットCと、後述する処理ステーション11の受け渡し部40、66との間でウェハWを搬送できる。
処理ステーション11には、水平方向のY方向(図1の左右方向)に延びる例えば2列の搬送ラインA、Bを備えている。搬送ラインAは、処理ステーション11の正面側(図1のX方向負方向側)に配置され、搬送ラインBは、処理ステーション11の背面側(図1のX方向正方向側)に配置されている。
搬送ラインAには、図2に示すようにカセットステーション10側からインターフェイスステーション13に向けて順に、受け渡し部40、ウェハWを疎水化処理するアドヒージョン装置41、ウェハWを冷却する冷却処理装置42、ウェハWにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置43、ウェハWを加熱する加熱処理装置44、冷却処理装置45、受け渡し部46が直線的に一列に配置されている。受け渡し部40、46間には、ウェハWを載置した状態で一方向、すなわち搬送ラインAに沿った方向(以下、「搬送ラインA方向」という。)に直線的に搬送するウェハ搬送装置50が設けられている。
搬送ラインBには、図3に示すようにインターフェイスステーション13側からカセットステーション10側に向けて順に、受け渡し部60、加熱処理装置61、冷却処理装置62、ウェハWに現像液を供給して現像処理する現像処理装置63、加熱処理装置64、冷却処理装置65、受け渡し部66が直線的に一列に配置されている。受け渡し部60と現像処理装置63間、及び現像処理装置63と受け渡し部66間には、ウェハWを載置した状態で一方向、すなわち搬送ラインBに沿った方向(以下、「搬送ラインB方向」という。)に直線的に搬送するウェハ搬送装置70、71がそれぞれ設けられている。
インターフェイスステーション13には、図1に示すようにX方向に延びる搬送路80上を移動自在なウェハ搬送機構81、受け渡し装置82及びウェハWの外周部を露光する周辺露光装置83が設けられている。ウェハ搬送機構81は、鉛直方向、水平方向及び鉛直軸周りにも移動自在であり、インターフェイスステーション13に隣接した露光装置12と、受け渡し装置82、周辺露光装置83及び処理ステーション11の受け渡し部46、60との間でウェハWを搬送できる。
次に、上述したカセットステーション10のウェハ搬送機構31とインターフェイスステーション13のウェハ搬送機構81の構成について説明する。
ウェハ搬送機構31は、図4に示すようにウェハWを保持する搬送アーム90を有している。搬送アーム90は、平面視において略長方形状の保持部91と、この保持部91上に一体に形成され、ウェハWをガイドするガイド部92とを有している。
搬送アーム90には、例えばモータ(図示せず)などを内蔵した移動部93が設けられている。この移動部93によって、搬送アーム90は、鉛直方向及び水平方向に移動可能であり、かつ回転することができる。移動部93は、図1に示した搬送路30に取り付けられ、ウェハ搬送機構31は、搬送路30上を移動可能になっている。
また、処理ステーション11の受け渡し部40は、搬送アーム90の保持部91と緩衝しないように、2つの搬送部40a、40aに分割されている。すなわち、2つの搬送部40a、40a間の間隔は、保持部91の幅より大きくなっている。そして、ウェハ搬送機構31から受け渡し部40にウェハWを受け渡す際には、ウェハWを保持した搬送アーム90が受け渡し部40の上方に位置した状態で、当該搬送アーム90を下降させてウェハWを受け渡す。なお、受け渡し部46、60、66も同様の構成であり、それぞれ搬送部46a、46a、搬送部60a、60a、搬送部66a、66aを有している。また、例えばウェハ搬送機構31が受け渡し部66からウェハWを受け取る際には、空の搬送アーム90が受け渡し部66の下方に位置した状態で、当該搬送アーム90を上昇させてウェハWを受け取る。
なお、インターフェイスステーション13のウェハ搬送機構81の構成は、上述したウェハ搬送機構31の構成と同様であるので説明を省略する。
次に、上述した処理ステーション11の搬送ラインAに設けられる装置構成について説明する。
搬送ラインAのウェハ搬送装置50は、図2に示すように搬送ラインA方向に並べて配置された複数の搬送ロール100を有している。また、ウェハ搬送装置50の最外側(カセットステーション10側とインターフェイスステーション13)には、鉛直方向に2本の搬送ロール100が配置されている。各搬送ロール100は、搬送ラインA方向と直角方向に延伸する中心軸を回転中心軸として回転自在に構成されている。また、複数の搬送ロール100のうち、少なくとも一の搬送ロール100には、例えばモータなどを内蔵した駆動機構(図示せず)が設けられている。
また、ウェハ搬送装置50は、ウェハWを載置して搬送ラインA方向に搬送するシート101を有している。シート101には、耐熱性と熱伝導性を有する材料が用いられ、例えばシリコン系の樹脂が用いられる。シート101は、ウェハWを載置する面が水平になるように、複数の搬送ロール100に巻回されている。また、シート101は、図1に示すように搬送ラインA方向と直角方向にウェハWの径より広い幅を有している。そして、かかるウェハ搬送装置50によって、ウェハWはシート101に載置された状態で、搬送ラインA方向に搬送される。
なお、受け渡し部40、46についてもウェハ搬送装置50と同様の構成であり、図2に示すように受け渡し部40、46の各搬送部40a、46aは、一対の搬送ロール100と当該一対の搬送ロール100に巻回されたシート101を有している。
搬送ラインAのアドヒージョン装置41は、ウェハ搬送装置50の巻回されたシート101間に設けられ、ウェハWを加熱する熱板110を有している。熱板110は、その上面がウェハWを載置するシート101の下面に接するように配置されている。また、熱板110は、搬送ラインA方向と直角方向にウェハWの径よりも広い幅を有している。熱板110の内部には、例えば給電により発熱するヒータ(図示せず)が設けられており、熱板110を所定の設定温度に調節できる。熱板110及びシート101の上方には、ウェハWの表面全面に例えば気化したHDMS(ヘキサメチルジンラザン)を供給するHDMS供給部111が設けられている。HDMS供給部111の下面には、HDMSを供給するための供給口(図示せず)が複数形成されている。そして、かかるアドヒージョン装置41では、シート101に載置され搬送ラインA方向に搬送中のウェハWを加熱すると共にその表面にHDMSを供給し、当該ウェハWを疎水化処理している。
搬送ラインAの冷却処理装置42は、ウェハ搬送装置50の巻回されたシート101間に設けられ、ウェハWを冷却する冷却板120を有している。冷却板120は、その上面がウェハWを載置するシート101の下面に接するように配置されている。また、冷却板120は、搬送ラインA方向と直角方向にウェハWの径よりも広い幅を有している。冷却板120の内部には、例えばペルチェ素子などの冷却部材(図示せず)が設けられており、冷却板120を所定の設定温度に調整できる。そして、かかる冷却処理装置42では、シート101に載置され搬送ラインA方向に搬送中のウェハWを冷却して所定の温度に調整している。
搬送ラインAのレジスト塗布装置43は、ウェハ搬送装置50の上方に設けられ、ウェハWの表面にレジスト液を塗布する処理液供給部としての塗布ローラ130を有している。塗布ローラ130は、搬送ラインA方向と直角方向にウェハWの径よりも広い幅を有している。塗布ローラ130の表面には、レジスト液供給源(図示せず)からレジスト液が供給される。塗布ローラ130は例えばスポンジのようにレジスト液を吸収しえる材料にて構成されている。塗布ローラ130は回転自在に構成されており、この回転により塗布ローラ130の外周には全周に亘ってほぼ均一にレジスト液が含浸される。そして、かかるレジスト塗布装置43では、シート101に載置され搬送ラインA方向に搬送中のウェハWの表面に塗布ローラ130が接触し、当該ウェハWの表面全面にレジスト液が塗布され、レジスト膜が形成される。なお、塗布ローラ130の直下には、当該塗布ローラ130を支持するために搬送ロール100が配置されているのが好ましい。
搬送ラインAの加熱処理装置44は、ウェハ搬送装置50の巻回されたシート101間に設けられ、シート101の下面に接するように配置された熱板140を有している。熱板140の構成については、上述した熱板110と同様であるので説明を省略する。
搬送ラインAの冷却処理装置45は、ウェハ搬送装置50の巻回されたシート101間に設けられ、シート101の下面に接するように配置された冷却板150を有している。冷却板150の構成については、上述した冷却板120と同様であるので説明を省略する。
ウェハ搬送装置50の下方には、ウェハWを搬送した後のシート101の表面、すなわちウェハWの載置面を洗浄する洗浄装置160が設けられている。洗浄装置160は、シート101の表面に洗浄液を噴き付ける洗浄液ノズル161を有している。洗浄液としては、例えば純水やシンナーなどが用いられる。洗浄液ノズル161は、図5に示すようにX方向(搬送ラインA方向と直角方向)に延伸する略直方体形状に形成されている。洗浄液ノズル161は、シート101の幅より長く延伸している。洗浄液ノズル161の下端部には、洗浄液が吐出されるスリット状の吐出口162が形成されている。洗浄液ノズル161の上部には、洗浄液を貯留する洗浄液供給源163に連通する供給管164が接続されている。そして、かかる洗浄装置160でシート101の表面を洗浄した後、当該シート101は移動中に乾燥されて、再びウェハWを載置して搬送する。
次に、上述した処理ステーション11の搬送ラインBに設けられる装置構成について説明する。
なお、搬送ラインBのウェハ搬送装置70、71は、図3に示すように上述したウェハ搬送装置50と同様の構成、すなわち複数の搬送ロール100と当該複数の搬送ロール100に巻回されたシート101を有する構成であるので説明を省略する。また、各ウェハ搬送装置70、71の下方には、上述した洗浄装置160がそれぞれ設けられている。また、受け渡し部60、66についても、上述した受け渡し部40、46と同様の構成であるので説明を省略する。
搬送ラインBの加熱処理装置61は、ウェハ搬送装置70の巻回されたシート101間に設けられ、シート101の下面に接するように配置された熱板170を有している。また、加熱処理装置64も、ウェハ搬送装置71の巻回されたシート101間に設けられ、シート101の下面に接するように配置された熱板171を有している。これら熱板170、171の構成については、上述した熱板110、140と同様であるので説明を省略する。
搬送ラインBの冷却処理装置62は、ウェハ搬送装置70の巻回されたシート101間に設けられ、シート101の下面に接するように配置された冷却板180を有している。また、冷却処理装置65も、ウェハ搬送装置71の巻回されたシート101間に設けられ、シート101の下面に接するように配置された冷却板181を有している。これら冷却板180、181の構成については、上述した冷却板120、150と同様であるので説明を省略する。
搬送ラインBの現像処理装置63は、ウェハ搬送装置70、71間に配置されている。現像液供給装置63は、図6及び図7に示すようにウェハWを載置する載置台190を有している。載置台190は、一対の支持ロール191、191と当該一対の支持ロール191、191に巻回されたベルト192とを備えている。支持ロール191は、上述した搬送ロール100と同様の構成であるが、駆動機構は備えていない。また、ベルト192には、上述したシート101と同様の材料が用いられている。なお、ベルト192の材料は、本実施の形態に限定されず、ウェハWを載置するのに十分な表面摩擦係数を有する材料であればよい。
一対の支持ロール191、191は、その両端部において連結部材193によって連結されている。連結部材193には、シャフト194を介して例えばモータ(図示せず)などを内蔵した駆動機構195が設けられている。この駆動機構195によって、載置台190は、鉛直方向に昇降可能であると共に、回転することができる。なお、本実施の形態においては、連結部材193、シャフト194及び駆動機構195で移動機構が構成されている。
載置台190の下方には、上面が開口したカップ196が設けられている。カップ190は、載置台190を収容し、ウェハWの処理中に当該ウェハWから飛散又は落下する液体を受け止め、回収することができる。カップ196の下面には、回収した液体を排出する排出管197が接続されている。
載置台190の上方には、現像液を吐出する処理液ノズルとしての現像液現像液ノズル198が設けられている。現像液ノズル198は、例えばモータなどを内蔵した駆動機構(図示せず)によって昇降自在に構成されている。
そして、かかる現像処理装置63において、ウェハWに現像処理を行う際には、図8に示すようにウェハWを載置した載置台190がカップ196に収容される位置まで下降すると共に、現像液ノズル198も所定の位置まで下降する。そして、載置台190を回転させながら現像液ノズル198からウェハWに現像液が吐出され、ウェハWに現像処理が行われる。
載置台190とウェハ搬送装置70との間には、図6に示すようにウェハ搬送装置70の搬送ロール100の回転を載置台190の支持ロール191に伝達する回転伝達ロール200が設けられている。回転伝達ロール200は、載置台190とウェハ搬送装置70との間でウェハWを搬送する際には、ベルト192及びシート101に接するように配置される。一方、載置台190が昇降中又はウェハWを現像処理中には、回転伝達ロール200は、図8に示すように例えばウェハ搬送装置70の下方に退避している。なお、かかる回転伝達ロール200は、載置台190とウェハ搬送装置71との間にも別途設けてもよい。
なお、熱板110、140、170、171や冷却板120、150、180、181の搬送ラインA、B方向の長さは、各処理装置におけるウェハWの処理時間やウェハ搬送装置50、70、71によるウェハWの搬送速度等により設定されている。
本実施の形態にかかる塗布現像処理システム1は以上のように構成されている。次に、この塗布処理システム1で行われるウェハWの処理について説明する。
先ず、1ロットの複数枚のウェハWを収容したカセットCが、カセットステーション10の所定のカセット載置板21に載置される。その後、ウェハ搬送機構31によってカセットC内のウェハWが取り出され、処理ステーション11の受け渡し部40に搬送される。
その後、ウェハWは、受け渡し部40からウェハ搬送装置50に搬送され、シート101上に載置される。続いて、ウェハWは、ウェハ搬送装置50によって搬送ラインA方向に所定の速度で搬送される。搬送ラインAでは、ウェハWは、アドヒージョン装置41、冷却処理装置42、レジスト塗布装置43、加熱処理装置44、冷却処理装置45、受け渡し部46に順次搬送され、各処理装置において搬送中のウェハWに所定の処理が行われる。その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置50から受け渡し部46に搬送される。
次に、ウェハWは、ウェハ搬送機構81によって周辺露光装置83、露光装置12に順次搬送され、各処理装置においてウェハWに所定の処理が行われる。その後、ウェハWは、ウェハ搬送機構81によって処理ステーション11の受け渡し部60に搬送される。
その後、ウェハWは、受け渡し部60からウェハ搬送装置70に搬送され、シート101上に載置される。続いて、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって搬送ラインB方向に加熱処理装置61、冷却処理装置62に順次搬送され、各処理装置において搬送中のウェハWに所定の処理が行われる。その後、ウェハWは、現像処理装置63に搬送される。
現像処理装置63では、先ず、ウェハWを載置した載置台190がカップ196に収容される位置まで下降し、ウェハWに現像処理が行われる。現像処理後、載置台190はウェハ搬送装置71の位置まで上昇し、載置台190からウェハ搬送装置71にウェハWが搬送される。
その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって搬送ラインB方向に加熱処理装置64、冷却処理装置65に順次搬送され、各処理装置において搬送中のウェハWに所定の処理が行われる。その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置71から受け渡し部66に搬送される。
その後、ウェハWは、ウェハ搬送機構31によって受け渡し部66からカセットステーション2のカセットCに戻されて、一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
以上の実施の形態のウェハ搬送装置50、70、71は、搬送ロール100とシート101という極めて簡易な構成でウェハWを搬送することができるので、従来の複雑な機構を要した搬送アームに比べて、ウェハ搬送装置50、70、71を安価に製造することができる。したがって、塗布現像処理システム1全体の製造コストを低廉化することができる。しかも、ウェハ搬送装置50、70、71はウェハを各処理装置に搬送するという本来の機能も発揮することでき、各処理装置ではウェハ搬送装置50、70、71のシート101上に載置されたウェハWに所定の処理を行うことができる。
また、各搬送装置では、ウェハ搬送装置50、70、71によって搬送中のウェハWに所定の処理を行うことができる。すなわち、ウェハWの搬送と処理を同時に行うことができるので、搬送と処理を別の工程で行っていた従来に比べて、塗布現像処理システム1における単位面積当たりのウェハ処理のスループットを向上させることができる。
また、各ウェハ搬送装置50、70、71のシート101は、複数の搬送ロール100に巻回され、各ウェハ搬送装置50、70、71の下方にはシート101のウェハWの載置面を洗浄する洗浄装置160が設けられているので、ウェハWを搬送しながらシート101の洗浄を行うことができる。したがって、シート101のメンテナンスのために当該シート101を取り外す必要がない。これによって、塗布現像処理システム1で製造される製品の歩留まりを向上させることができる。
以上の実施の形態の搬送ラインA、Bを、図9に示すように鉛直方向に多段に配置してもよい。本実施の形態においては、搬送ラインAを搬送ラインBの上層に配置している。かかる場合、塗布現像処理システム1の占有面積を小さくすることができる。
以上の実施の形態の搬送ラインA、Bを、図10に示すように搬送ラインA、B方向と直角方向(図10のX方向)に複数、例えば3列に並べて配置してもよい。搬送ラインA1〜A3は、上述した搬送ラインAと同一の構成を有している。また、搬送ラインB1〜B3は、上述した搬送ラインBと同一の構成を有している。かかる場合、処理ステーション11内でより多数のウェハWに対して同時に処理を行うことができる。しかも、ウェハ搬送機構31、81からウェハWが搬送されるタイミングに合わせて、各搬送ラインA1〜A3、B1〜B3でウェハWの搬送を調整することができる。したがって、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。
以上の実施の形態の搬送ラインA、Bにおいて、図11に示すように搬送ラインA、B方向と直角方向(図11のX方向)にウェハWを複数枚、例えば3枚配置するようにしてもよい。かかる場合、処理ステーション11内でより多数のウェハWに対して同時に処理を行うことができ、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。しかも、各ウェハ搬送装置50、70、71において、搬送ロール100とシート101の幅を長くすればかかる装置構成を実現できるので、ウェハ搬送装置50、70、71を安価に製造することができる。
以上の実施の形態では、各ウェハ搬送装置50、70、71において、シート101は搬送ロール100に巻回されていたが、図12に示すようにウェハWを搬送後のシート101を回収してもよい。ウェハ搬送装置50のカセットステーション10側の搬送ロール100の下方には、シート101を供給するローラ210が設けられている。また、インターフェイスステーション13側の搬送ロール100の下方には、シート101を巻き取り回収するコイラー211が設けられている。なお、本実施の形態においては、上述した洗浄装置160を省略することができる。また、ウェハ搬送装置70、71の構成は、ウェハ搬送装置50の構成と同様であるので説明を省略する。かかる場合においても、ウェハ搬送装置50、70、71は、搬送ロール100、シート101、ローラ210及びコイラー211という簡易な構成でウェハWを搬送することができるので、従来の複雑な機構を要した搬送アームに比べて、ウェハ搬送装置50、70、71を安価に製造することができる。また、例えば回収したシート101をリサイクルすることもできる。
以上の実施の形態では、ウェハ搬送装置50、70、71のシート101にシリコン系の樹脂を用いていたが、耐熱性と熱伝導性を有する材料であれば、これに限定されない。例えばシート101に薄い、例えば30μmの厚みの金属板を用いることもできる。この場合、シート101上にウェハWを適切に載置するため、金属板の表面をコーティングしてもよい。かかる場合、金属板は高い熱伝導性を有するので、シート101上のウェハWの加熱処理や冷却処理を効率よく行うことができる。したがって、シート101に金属板を用いることは、特に加熱処理や冷却処理を連続的に行う連続処理に適している。また、シート101の別の材料として、セラミック樹脂などを用いることもできる。
以上の実施の形態では、ウェハWをシート101上に載置していたが、図13に示すようにシート101上にウェハWを支持する支持ピン220を設けてもよい。かかる場合、ウェハWの裏面がシート101の表面に接触しないので、シート101の耐久期間を延ばすことができる。また、ウェハWの裏面にパーティクル等が付着するのを抑制すると共に、シート101のウェハWの載置面の洗浄も容易に行うことができる。このような支持ピン220は、特に、シート101に上述した金属板を用いた場合に有効である。
以上の実施の形態の洗浄装置160には、洗浄液ノズル161が設けられていたが、洗浄液ノズル161に代えて、図14に示すように洗浄液を貯留する洗浄液槽230を設けてもよい。この場合、搬送ロール100は、シート101が洗浄液槽230内に移動できるように配置されている。そして、ウェハWを搬送後のシート101が洗浄液槽230の洗浄液中に浸漬されて、当該シート101の表面が洗浄される。かかる場合でも、メンテナンスのためにシート101を取り外す必要がなく、塗布現像処理システム1で製造される製品の歩留まりを向上させることができる。
以上の実施の形態では、熱板110、140、170、171と冷却板120、150、180、181はシート101の下方に設けられていたが、図15に示すようにシート101の上方に設けられていてもよい。なお、図示の例では、搬送ラインAの熱板110、140と冷却板120、150をシート101の上方に設けた場合を示しているが、搬送ラインBの熱板170、171と冷却板180、181についても同様である。かかる場合でも、シート101上に載置され、搬送中のウェハWに対して加熱処理や冷却処理を行うことができる。
以上の実施の形態の塗布現像処理システム1において、レジスト塗布装置43に上述した現像処理装置63の構成を用いてもよい。また、現像処理装置63に上述したレジスト塗布装置43の構成を用いてもよい。
また、以上の実施の形態では、レジスト塗布装置43において、ウェハWの表面にレジスト液を塗布する処理液供給部として塗布ローラ130を用いていたが、例えばスプレーノズル等を用いてもよい。
以上の実施の形態の塗布現像処理システム1において、ウェハWのレジスト膜の下層に反射防止膜を形成する下部反射防止膜形成装置や、ウェハWのレジスト膜の上層に反射防止膜を形成する上部反射防止膜形成装置などを搬送ラインA、Bにさらに配置してもよい。
以上の実施の形態では、ウェハ搬送装置50、70、71で搬送中のウェハWに対して各処理装置により所定の処理を行っていたが、各処理装置での処理毎にウェハWの搬送を一時的に止めて所定の処理を行ってもよい。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のFPD(フラットパネルディスプレイ)、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板の処理システムに有用である。
1 塗布現像処理システム
41 アドヒージョン装置
42、45、62、65 冷却処理装置
43 レジスト塗布装置
44、61、64 加熱処理装置
50、70、71 ウェハ搬送装置
63 現像処理装置
100 搬送ロール
101 シート
110、140、170、171 熱板
120、150、180、181 冷却板
130 塗布ローラ
160 洗浄装置
161 洗浄液ノズル
190 載置台
191 支持ロール
192 ベルト
193 連結部材
194 シャフト
195 駆動機構
196 カップ
198 現像液ノズル
200 回転伝達ロール
211 コイラー
220 支持ピン
230 洗浄液槽
A、B 搬送ライン
W ウェハ

Claims (20)

  1. 基板の処理システムであって、
    基板を載置した状態で一方向に搬送する搬送装置と、
    前記搬送装置に載置された基板に所定の処理を行う複数の処理装置と、を備え、
    前記搬送装置は、
    耐熱性と熱伝導性を有し、基板を載置するシートと、
    前記シートを支持し、当該シートを前記一方向に移動させるために回転自在に構成された複数の搬送ロールと、を有することを特徴とする、基板処理システム。
  2. 前記シートは、前記複数の搬送ロールに巻回されていることを特徴とする、請求項1に記載の基板処理システム。
  3. 前記シートの基板載置面を洗浄する洗浄装置をさらに有することを特徴とする、請求項2に記載の基板処理システム。
  4. 前記洗浄装置は、前記シートの基板載置面に洗浄液を噴き付ける洗浄液ノズルを有することを特徴とする、請求項3に記載の基板処理システム。
  5. 前記洗浄装置は、前記シートの洗浄液を貯留する洗浄液槽を有することを特徴とする、請求項3に記載の基板処理システム。
  6. 前記搬送装置は、前記シートを巻き取って回収するコイラーを有することを特徴とする、請求項1に記載の基板処理システム。
  7. 前記シートは、金属板であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の基板処理システム。
  8. 前記シートの基板載置面には、基板を支持する支持ピンが設けられていることを特徴とする、請求項1〜7のいずれかに記載の基板処理システム。
  9. 前記複数の処理装置は、基板を所定の温度に熱処理する熱処理装置を有し、
    前記熱処理装置は、少なくとも基板を加熱する熱板又は基板を冷却する冷却板と有することを特徴とする、請求項1〜8のいずれかに記載の基板処理システム。
  10. 前記熱板又は前記冷却板は、前記シートの下方に設けられていることを特徴とする、請求項9に記載の基板処理システム。
  11. 前記熱板又は前記冷却板は、前記シートの上方に設けられていることを特徴とする、請求項9に記載の基板処理システム。
  12. 前記複数の処理装置は、基板に所定の処理液を供給して処理を行う液処理装置を有することを特徴とする、請求項1〜11のいずれかに記載の基板処理システム。
  13. 前記液処理装置は、前記シートの上方に設けられ、当該シート上に載置された基板に所定の処理液を供給する処理液供給部を有することを特徴とする、請求項12に記載の基板処理システム。
  14. 前記搬送装置は、少なくとも2つに分割され、
    前記分割された搬送装置間には、前記液処理装置が配置され、
    前記液処理装置は、
    基板を載置する載置台と、
    前記載置台を昇降させ、かつ回転させる移動機構と、
    前記載置台の上方に設けられ、当該載置台上に載置された基板に所定の処理液を吐出する処理液ノズルと、を備え、
    前記載置台は、
    基板を載置するベルトと、
    前記ベルトが巻回され、当該ベルトを前記一方向に移動させるために回転自在に構成された複数の支持ロールと、を有することを特徴とする、請求項12に記載の基板処理システム。
  15. 前記載置台と前記搬送装置との間には、前記搬送装置の前記搬送ロールの回転を前記載置台の前記支持ロールに伝達する回転伝達ロールが設けられ、
    前記回転伝達ロールは、前記載置台の昇降時には前記載置台と前記搬送装置との間から退避可能であることを特徴とする、請求項14に記載の基板処理システム。
  16. 前記載置台の下方には、当該載置台を収容し、基板に処理を行う際に基板から飛散する処理液を回収するカップが設けられていることを特徴とする、請求項14又は15に記載の基板処理システム。
  17. 前記ベルトは、前記シートであることを特徴とする、請求項14〜16のいずれかに記載の基板処理システム。
  18. 前記搬送装置は、鉛直方向に多段に複数配置されていることを特徴とする、請求項1〜17のいずれかに記載の基板処理システム。
  19. 前記搬送装置は、水平方向に複数配置されていることを特徴とする、請求項1〜18のいずれかに記載の基板処理システム。
  20. 前記シートは、前記一方向と直角方向に複数の基板を載置可能であることを特徴とする、請求項1〜19のいずれかに記載の基板処理システム。
JP2009040157A 2009-02-24 2009-02-24 基板処理システム Expired - Fee Related JP4756076B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009040157A JP4756076B2 (ja) 2009-02-24 2009-02-24 基板処理システム
KR1020100016027A KR101633517B1 (ko) 2009-02-24 2010-02-23 기판 처리 시스템

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009040157A JP4756076B2 (ja) 2009-02-24 2009-02-24 基板処理システム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010199170A true JP2010199170A (ja) 2010-09-09
JP4756076B2 JP4756076B2 (ja) 2011-08-24

Family

ID=42823631

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009040157A Expired - Fee Related JP4756076B2 (ja) 2009-02-24 2009-02-24 基板処理システム

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP4756076B2 (ja)
KR (1) KR101633517B1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012073522A1 (ja) * 2010-12-03 2012-06-07 シャープ株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2017188696A (ja) * 2011-04-25 2017-10-12 株式会社ニコン 基板処理装置
WO2020149837A1 (en) * 2019-01-16 2020-07-23 Applied Materials, Inc. Substrate processing system, substrate chamber for a vacuum processing system, and method of cooling a substrate

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102019779B1 (ko) * 2011-11-15 2019-09-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62129846A (ja) * 1985-12-02 1987-06-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd フオトレジストの塗布方法及び塗布装置
JPH03102010A (ja) * 1989-06-16 1991-04-26 Schering Ag 個品状の部品を処理する方法と装置
JPH113924A (ja) * 1997-06-10 1999-01-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 直線駆動装置およびそれを備えた基板搬送装置
JP2000130952A (ja) * 1998-10-27 2000-05-12 Matsushita Electronics Industry Corp 熱処理装置および熱処理方法
JP2007048929A (ja) * 2005-08-10 2007-02-22 Tokyo Electron Ltd 塗布処理装置および塗布処理方法
JP2007227736A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Tokyo Electron Ltd 現像処理装置、現像処理方法、コンピュータ読取可能な記憶媒体

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004210440A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 板状体の搬送装置
JP4955976B2 (ja) 2005-01-21 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62129846A (ja) * 1985-12-02 1987-06-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd フオトレジストの塗布方法及び塗布装置
JPH03102010A (ja) * 1989-06-16 1991-04-26 Schering Ag 個品状の部品を処理する方法と装置
JPH113924A (ja) * 1997-06-10 1999-01-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 直線駆動装置およびそれを備えた基板搬送装置
JP2000130952A (ja) * 1998-10-27 2000-05-12 Matsushita Electronics Industry Corp 熱処理装置および熱処理方法
JP2007048929A (ja) * 2005-08-10 2007-02-22 Tokyo Electron Ltd 塗布処理装置および塗布処理方法
JP2007227736A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Tokyo Electron Ltd 現像処理装置、現像処理方法、コンピュータ読取可能な記憶媒体

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012073522A1 (ja) * 2010-12-03 2012-06-07 シャープ株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2017188696A (ja) * 2011-04-25 2017-10-12 株式会社ニコン 基板処理装置
WO2020149837A1 (en) * 2019-01-16 2020-07-23 Applied Materials, Inc. Substrate processing system, substrate chamber for a vacuum processing system, and method of cooling a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR101633517B1 (ko) 2016-06-24
JP4756076B2 (ja) 2011-08-24
KR20100097037A (ko) 2010-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5443070B2 (ja) インプリントシステム
JP5616205B2 (ja) 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5060517B2 (ja) インプリントシステム
JP4937772B2 (ja) 基板の処理方法
TW419716B (en) Processing apparatus
JP4090648B2 (ja) 膜形成方法及び膜形成装置
JP2011009362A (ja) インプリントシステム、インプリント方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP4756076B2 (ja) 基板処理システム
JP4247890B2 (ja) 塗布ノズル及び塗布装置
TW200537585A (en) Coating film forming apparatus
JP2011104910A (ja) テンプレート処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、テンプレート処理装置及びインプリントシステム
JP4593461B2 (ja) 基板搬送システム
TW200533428A (en) Coating film forming apparatus and coating film forming method
JP2011192868A (ja) テンプレート処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及びテンプレート処理装置
JP5285515B2 (ja) テンプレート処理装置、インプリントシステム、離型剤処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP4762850B2 (ja) 回転ロールの洗浄機構及び回転ロールの洗浄方法
JP5285514B2 (ja) テンプレート処理装置、インプリントシステム、離型剤処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2011025220A (ja) テンプレート処理装置、インプリントシステム、テンプレート処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5231366B2 (ja) テンプレート処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒、テンプレート処理装置及びインプリントシステム
JP4311520B2 (ja) 塗布処理装置およびこれを用いた基板処理装置
JP3576826B2 (ja) 加熱処理装置および加熱処理方法
KR100330720B1 (ko) 기판처리장치
JP5108834B2 (ja) テンプレート処理装置、インプリントシステム、離型剤処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
WO2004036633A1 (ja) 液処理装置
JP4044994B2 (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101025

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110131

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110222

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110419

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110524

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110530

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140603

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees