JP2005503467A5

JP2005503467A5 -

Info

Publication number: JP2005503467A5
Application number: JP2003529862A
Authority: JP
Filing date: 2002-08-23
Publication date: 2006-01-05

Description

無機絶縁体粒子は、好ましくは溶融シリカ粒子及びアルミナ粒子から選ばれる。
低熱膨張係数（ＣＴＥ）充填剤は、その配合されるものとの適合性があり、それに加えて低い熱膨張係数をもたらす任意の充填剤であることができる。そのようなＣＴＥ充填剤は、金属酸化物、例えば窒化ホウ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムなど、高分子材料またはカップリング剤でコートされたそれらの材料、金属窒化物、ガラス、および他のそのような無機の電気的絶縁体粒子から選択される。粒子は、１０μｍ未満の粒度を有し、約５０質量％を超える量であって、５℃／分の昇温速度で求めた場合に−５５℃から＋２００℃の間でガラス転移温度前後で２４０μｍ／ｍ／℃未満の線熱膨張係数を有する接着剤を得るのに十分な量で存在することが好ましい。

Claims

硬化性接着剤組成物であって、
硬化性シリコーン組成物と共に、前記シリコーン組成物中に含まれる、
（Ｉ）前記接着剤組成物によって接合される基板間に平坦な接着剤層厚さを与えるのに十分な量で前記接着剤組成物中に存在する、平均粒度が１μｍ〜１０００μｍであり、短軸に対する長軸の比が１．０〜１．５である無機絶縁体粒子と、
（II）前記硬化性シリコーン組成物の質量を基準にして少なくとも５０質量％を超える量の、１０μｍ未満の平均粒度を有する少なくとも１種の低熱膨張係数充填剤、
とを含み、１０μｍ〜１００μｍの範囲内のサイズを有する前記低熱膨張係数充填剤が接着剤組成物中に存在する低熱膨張係数充填剤の全質量を基準として０．１質量％未満の量で存在することを特徴とする硬化性接着剤組成物。
前記無機絶縁体粒子が溶融シリカ粒子である請求項１に記載の硬化性接着剤組成物。
前記無機絶縁体粒子がアルミナ粒子である請求項１に記載の硬化性接着剤組成物。
（ii）縮合反応、
（iii）付加反応、
（iv）紫外線開始輻射線反応、および
（ｖ）遊離基開始反応、
から選択される硬化機構を有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の硬化性接着剤組成物。
前記シリコーン組成物が付加反応により硬化可能なシリコーン組成物である請求項１〜３のいずれか１項に記載の硬化性接着剤組成物。
絶縁性粒子が、５℃／分の昇温速度で求めた場合に−５５℃から＋２００℃の間で任意のガラス転移温度前後で２４０μｍ／ｍ／℃未満の任意の線熱膨張係数を有する接着剤を得るのに十分な量で存在する請求項１〜５のいずれか１項に記載の硬化性接着剤組成物。
少なくとも２個の個別の基板が請求項１〜６のいずれか１項に記載の接着剤組成物により接合されて結合されている半導体デバイス。
前記２個の個別の基板が半導体ダイとその半導体ダイ用の取付基板である請求項７に記載の半導体デバイス。
少なくとも２個の個別の基板を接合する方法であって、
（Ｉ）請求項１〜６のいずれか１項に記載の接着剤組成物を前記個別の基板のうちの少なくとも１個の少なくとも１つの表面に適用し、
（II）（Ｉ）の基板の接着剤処理された側に別の個別の基板を取り付けてそれらの積層体を形成し、
（III）前記基板のそれぞれが前記接着剤組成物の最も大きい有機絶縁体粒子と接触するまで前記積層体に圧力を加えてそれらの間に接着剤を分散させ、その後、
（IV）前記接着剤組成物を硬化させること、
を含む方法。
さらにステップ（III）において熱を加える請求項９に記載の方法。
前記２個の個別の基板が半導体ダイとその半導体ダイ用の取付基板である請求項１０に記載の方法。