JP4697243B2 - 接合体および接合方法 - Google Patents

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    • B29K2079/08PI, i.e. polyimides or derivatives thereof
    • B29K2079/085Thermoplastic polyimides, e.g. polyesterimides, PEI, i.e. polyetherimides, or polyamideimides; Derivatives thereof
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Description

本発明は、第1の基材と第2の基材とを接合膜を介して接合した接合体および接合方法に関するものである。
2つの部材同士を接合して接合体を得る際には、従来、これらの部材同士の間に、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤等の接着剤で構成される接合層を介在させることにより2つの部材同士を接合させる方法が多用されている。
また、このような接合層を介した部材同士の接合では、寸法精度が低かったり、硬化時間に長時間を要する等の問題点がある。
一方、前述したような接着剤を用いず2つの部材同士を接合して接合体を得る方法として、2つの部材同士を直接接合する固体接合法が知られている(例えば、特許文献1参照。)。
ところが、固体接合法には、
・接合可能な部材の材質が限られる
・接合プロセスにおいて高温(例えば、700〜800℃程度)での熱処理を伴う
・接合プロセスにおける雰囲気が減圧雰囲気に限られる
・一部の領域を部分的に接合することができない
・リサイクルなどの所望時に部材毎に効率よく分割することができない
といった問題がある。
特開平5−82404号公報
本発明の目的は、寸法精度に優れ、かつ、固体接合法のような諸問題を生じることなく容易に製造することができる接合体を提供すること、さらに、この接合体を得るための接合方法を提供することにある。
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の接合体は、第1の基材と、
第2の基材と、
前記第1の基材の接合面と前記第2の基材の接合面とを接合する接合膜とを有する接合体であって、
前記接合膜は、シリコーン材料を含有し、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域に接合用エネルギーを付与したことにより前記接合膜の表面付近の前記領域に発現した接着性によって、前記第1の部材と前記第2の部材とを接合しており、
前記接合膜には、前記第1の基材と前記第2の基材との間の距離を規制する機能を有する複数のギャップ材が設けられ
前記複数のギャップ材は、樹脂材料を主材料として構成された複数の樹脂微粒子と、
前記複数の樹脂微粒子の他に、ガラスを主材料として構成された複数のガラス微粒子と、セラミックス材料を主材料として構成された複数のセラミックス微粒子と、金属を主材料として構成された複数の金属微粒子とのうちの少なくとも一種からなる複数の微粒子とを含み、
当該複数の微粒子の平均粒径が前記複数の樹脂微粒子の平均粒径よりも小さく、前記各樹脂微粒子は、前記接合膜中にその厚さ方向に弾性変形した状態で存在していることを特徴とする。
このような接合体は、寸法精度に優れ、かつ、固体接合法のような諸問題を生じることなく容易に製造することができる。
特に、セラミックス微粒子および/または金属微粒子が第1の基材と第2の基材との間の距離をより確実かつ正確に規制することができる。また、所望時には、剥離用エネルギー(特に熱エネルギー)を付与することで、樹脂微粒子の熱膨張係数とシリコーン部の熱膨張係数との差により接合膜に積極的にへき開を生じさせることができる。また、弾性変形した樹脂微粒子が元の状態へ復元する力が接合膜内に生じているため、この点でも、第1の基材と第2の基材とを剥離するに際し、接合膜内にへき開を積極的に生じさせることができる。
本発明の接合体では、前記各接合面は、平坦面をなしていることが好ましい。
これにより、ギャップ材が第1の基材と第2の基材との間の距離を規制する機能を効果的に発揮させることができる。
本発明の接合体では、前記接合膜は、前記接合膜に剥離用エネルギーを付与して、前記シリコーン材料を構成する分子結合の一部を切断することにより、前記接合膜内にへき開を生じさせて、前記第1の基材から前記第2の基材を剥離し得るように構成されていることが好ましい。
これにより、リサイクルなどの所望時には、第1の基材から第2の基材を容易にかつ効率よく剥離することができる。
本発明の接合体では、前記接合膜は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、および、前記接合膜を加熱する方法のうちの少なくとも一方の方法により前記剥離用エネルギーを付与することにより、前記へき開を生じるように構成されていることが好ましい。
これにより、接合膜の表面を効率よく活性化させることができる。また、接合膜中の分子構造を必要以上に切断しないので、剥離用エネルギーを付与した際に、接合膜内で確実にへき開を生じさせることができる。
本発明の接合体では、前記エネルギー線は、紫外線であることが好ましい。
これにより、第1の基材および第2の基材に変質・劣化が生じるのを防止しつつ、接合膜にへき開を確実に生じさせることができる。
本発明の接合体では、前記第1の基材および前記第2の基材のうちの少なくとも一方の基材は、前記紫外線に対する透過性を有することが好ましい。
これにより、第1の基材および/または第2の基材を介して接合膜に紫外線を効率よく照射することができる。
本発明の接合体では、前記加熱の温度は、100〜400℃であることが好ましい。
これにより、第1の基材および第2の基材に変質・劣化が生じるのを防止しつつ、接合膜にへき開を確実に生じさせることができる。
本発明の接合体では、前記接合膜は、大気中で前記剥離用エネルギーを付与することにより前記へき開を生じ得るように構成されていることが好ましい。
これにより、雰囲気中には十分な量の水分子が含まれていることから、接合膜内にへき開を確実に生じさせることができる。
本発明の接合体では、前記シリコーン材料は、その主骨格がポリジメチルシロキサンで構成されることが好ましい。
かかる化合物は、比較的入手が容易で、かつ安価であるとともに、かかる化合物を含有する接合膜にエネルギーを付与することにより、化合物を構成するメチル基が容易に切断されて、その結果として、接合膜に確実に接着性を発現させることができるため、シリコーン材料として好適に用いられる。
本発明の接合体では、前記シリコーン材料は、シラノール基を有することが好ましい。
これにより、液状被膜を乾燥させて接合膜を得る際に、隣接するシリコーン材料が有する水酸基同士が結合することとなり、得られる接合膜の膜強度が優れたものとなる。
本発明の接合体では、前記接合膜の平均厚さは、1〜300μmであることが好ましい。
かかる範囲内とすれば、接合膜内にへき開を確実に生じさせて、第1の基材から第2の基材を剥離することができる。
本発明の接合方法は、第1の基材および第2の基材の少なくとも一方の基材の表面に、シリコーン材料および複数のギャップ材を含有する液状材料を付与することにより、所定形状にパターニングされた液状被膜を形成する工程と、
前記各ギャップ材が前記第1の基材と前記第2の基材との間の距離を規制した状態で、前記液状被膜を介して前記第1の基材と前記第2の基材とを貼り合わせる工程と、
前記規制した状態を維持しつつ、前記液状被膜を乾燥して、前記所定形状にパターニングされた接合膜を得る工程と、
前記接合膜に接合用エネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に接着性を発現させ、当該接合膜を介して前記第1の基材と前記第2の基材とを接合する工程とを有し、
前記複数のギャップ材は、樹脂材料を主材料として構成された複数の樹脂微粒子と、
前記複数の樹脂微粒子の他に、ガラスを主材料として構成された複数のガラス微粒子と、セラミックス材料を主材料として構成された複数のセラミックス微粒子と、金属を主材料として構成された複数の金属微粒子とのうちの少なくとも一種からなる複数の微粒子とを含み、
当該複数の微粒子の平均粒径が前記複数の樹脂微粒子の平均粒径よりも小さく、前記規制した状態において、前記各樹脂微粒子は、前記接合膜中にその厚さ方向に弾性変形した状態で存在することを特徴とする。
これにより、寸法精度に優れた接合体を、固体接合法のような諸問題を生じることなく容易に製造することができる。
以下、本発明の接合体および接合方法を、添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
<接合体>
図1は、本発明の接合体の実施形態を示す縦断面図である。
図1に示す接合体1は、第1の基材21と、第2の基材22と、これら基材21、22同士の間に介在する接合膜3とを備えている。
第1の基材21および第2の基材22は、接合膜3を介して互いに接合されるものである。
このような第1の基材21および第2の基材22の各構成材料は、それぞれ特に限定されないが、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、ポリブテン−1、エチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−(4−メチルペンテン−1)、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体(ABS樹脂)、アクリロニトリル−スチレン共重合体(AS樹脂)、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオキシメチレン、ポリビニルアルコール(PVA)、エチレン−ビニルアルコール共重合体(EVOH)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、ポリシクロヘキサンテレフタレート(PCT)等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン(PEK)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリエーテルイミド、ポリアセタール(POM)、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル(液晶ポリマー)、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アラミド系樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等の樹脂系材料、Fe、Ni、Co、Cr、Mn、Zn、Pt、Au、Ag、Cu、Pd、Al、W、Ti、V、Mo、Nb、Zr、Pr、Nd、Smのような金属、またはこれらの金属を含む合金、炭素鋼、ステンレス鋼、インジウム錫酸化物(ITO)、ガリウムヒ素のような金属系材料、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコンのようなシリコン系材料、ケイ酸ガラス(石英ガラス)、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石灰ガラス、鉛(アルカリ)ガラス、バリウムガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス系材料、アルミナ、ジルコニア、MgAl、フェライト、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化チタン、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、炭化タングステンのようなセラミックス系材料、グラファイトのような炭素系材料、またはこれらの各材料の1種または2種以上を組み合わせた複合材料等が挙げられる。
ここで、後述する接合用エネルギーや剥離用エネルギーの付与方法として赤外線の照射を用いる場合には、第1の基材21および第2の基材22のうちの少なくとも一方の基材は、紫外線に対する透過性を有するのが好ましい。これにより、第1の基材21および/または第2の基材22を介して接合膜3に紫外線を効率よく照射することができる。
また、第1の基材21および第2の基材22の構成材料は、互いに同一であっても異なっていてもよい。なお、これら基材21、22が互いに異なる場合であっても、後述するような剥離方法を用いることにより、各基材21、22を簡単にリサイクルに供することができるため、リサイクル性に優れる。
接合膜3は、第1の基材21と第2の基材22とを、これらの間に介在して、互いに接合するものである。
この接合膜3は、シリコーン材料を主として構成されたシリコーン部31を有している。そして、接合膜3には、第1の基材21と第2の基材22との間の距離を規制する機能を有する複数のギャップ材32が設けられている。
本実施形態では、複数のギャップ材32が分散して設けられているとともに、ギャップ材32同士の間を埋めるようにシリコーン部31が設けられている。
このような接合膜3は、その少なくとも一部の領域に後述するように接合用エネルギーを付与したことにより接合膜3の表面付近の前記領域に発現した接着性によって、第1の基材21と第2の基材22とを接合している。
特に、接合膜3は、前述したように複数のギャップ材32が設けられているため、第1の基材21と第2の基材22との間の距離を均一化(すなわち接合膜3の厚さを均一化)することができる。その結果、接合体1の寸法精度を優れたものとすることができる。
このような接合体1は、後に詳述するように、固体接合法のような諸問題を生じることなく容易に製造することができる。なお、接合膜3の詳細な構成については、以下の接合体1の製造方法において説明する。
<接合体の製造方法>
図2および図3は、それぞれ、本発明の接合体の製造方法(接合方法)を説明するための図(縦断面図)である。なお、以下の説明では、図2および図3中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
上述した構成の接合体1の製造方法(すなわち接合方法)は、[A]第1の基材21および第2の基材22の少なくとも一方に、シリコーン材料および複数のギャップ材を含有する液状材料を供給することにより液状被膜3Aを形成する工程と、[B]液状被膜3Aを介して第1の基材21と第2の基材22とを貼り合わせる工程と、[C]液状被膜3Aを乾燥して接合膜3を得る工程と、[D]接合膜3に接合用エネルギーを付与することにより、接合膜3の表面付近に接着性を発現させ、この接合膜3を介して第1の基材21と第2の基材22とを接合する工程とを有する。
以下、接合体1の製造方法の各工程を順次詳細に説明する。
[A]液状被膜3Aの形成
−A1−
まず、前述したような第1の基材21と第2の基材22とを用意する。なお、図2(a)では、第2の基材22を省略している。
ここで、第1の基材21の接合面23および第2の基材22の接合面24は、それぞれ、平坦面をなしている。これにより、後述する工程[B]や工程[C]において、ギャップ材32が第1の基材21と第2の基材22との間の距離を規制する機能を効果的に発揮させることができる。その結果、得られる接合体1の寸法精度を高めることができる。
なお、第1の基材21の接合面23および第2の基材22の接合面24は、巨視的に平坦面を有するものであれば、後述する透過型スクリーン100の凹部付き基板103、104のように微細な凹部が設けられていてもよい。
これら第1の基材21および第2の基材22は、それぞれ、その表面に、Niめっきのようなめっき処理、クロメート処理のような不働態化処理、または窒化処理等を施したものであってもよい。
また、第1の基材21の構成材料と第2の基材22の構成材料とは、互いに同じでも異なっていてもよいが、第1の基材21の熱膨張率と第2の基材22の熱膨張率は、ほぼ等しいのが好ましい。これらの熱膨張率がほぼ等しければ、第1の基材21と第2の基材22とを接合した際に、その接合界面に熱膨張に伴う応力が発生し難くなる。その結果、最終的に得られる接合体1において、剥離を確実に防止することができる。
なお、後に詳述するが、第1の基材21の熱膨張率と第2の基材22の熱膨張率が互いに異なる場合でも、後述する工程において、第1の基材21と第2の基材22とを接合する際の条件を最適化することにより、これらを高い寸法精度で強固に接合することができる。
また、2つの基材21、22は、互いに剛性が同じであっても異なっていてもよいが、2つの基材21、22の互いの剛性が異なるものとすることにより、接合体1全体の剛性を高めながら、2つの基材21、22の密着性を向上させて、2つの基材21、22をより強固に接合することができる。
また、2つの基材21、22のうち、少なくとも一方の構成材料は、樹脂材料であるのが好ましい。樹脂材料は、その柔軟性により、2つの基材21、22を接合した際に、その接合界面に発生する応力(例えば、熱膨張に伴う応力等)を緩和することができる。このため、接合界面が破壊し難くなり、結果的に、接合強度の高い接合体1を得ることができる。
なお、上記のような観点から、2つの基材21、22のうちの少なくとも一方は、可撓性を有しているのが好ましい。これにより、接合体1の接合強度のさらなる向上を図ることができる。さらに、2つの基材21、22の双方が可撓性を有している場合には、全体として可撓性を有し、機能性の高い接合体1が得られる。
また、各基材21、22の形状は、それぞれ、接合膜3を支持する面(接合面)を有するような形状であればよく、例えば、板状(層状)、塊状(ブロック状)、棒状等とされる。
本実施形態では、図2、3に示すように、各基材21、22がそれぞれ板状をなしている。これにより、各基材21、22は撓み易くなり、2つの基材21、22を重ね合わせたときに、互いの形状に沿って十分に変形し得るものとなる。このため、2つの基材21、22を重ね合わせたときの密着性が高くなり、最終的に得られる接合体1における接合強度が高くなる。
また、各基材21、22が撓むことによって、接合界面に生じる応力を、ある程度緩和する作用が期待できる。
この場合、各基材21、22の平均厚さは、特に限定されないが、0.01〜10mm程度であるのが好ましく、0.1〜3mm程度であるのがより好ましい。
用意した第1の基材21の接合面23には、必要に応じて、形成される接合膜3との密着性を高める表面処理を施す。これにより、接合面23を清浄化および活性化され、接合面23に対して接合膜3が化学的に作用し易くなる。その結果、後述する工程において、接合面23上に接合膜3を形成したとき、接合面23と接合膜3との接合強度を高めることができる。
この表面処理としては、特に限定されないが、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。
なお、表面処理を施す第1の基材21が、樹脂材料(高分子材料)で構成されている場合には、特に、コロナ放電処理、窒素プラズマ処理等が好適に用いられる。
また、表面処理として、特にプラズマ処理または紫外線照射処理を行うことにより、接合面23を、より清浄化および活性化することができる。その結果、接合面23と接合膜3との接合強度を特に高めることができる。
また、第1の基材21の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜3との接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる第1の基材21の構成材料としては、例えば、前述したような各種金属系材料、各種シリコン系材料、各種ガラス系材料等を主材料とするものが挙げられる。
このような材料で構成された第1の基材21は、その表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、水酸基が結合している。したがって、このような酸化膜で覆われた第1の基材21を用いることにより、上記のような表面処理を施さなくても、第1の基材21の接合面23と接合膜3との接合強度を高めることができる。
一方、第1の基材21と同様、第2の基材22の接合面24(後述する工程において、接合膜3と密着する面)にも、必要に応じて、あらかじめ接合膜3との密着性を高める表面処理を施してもよい。これにより、接合面24を清浄化および活性化する。その結果、後述する工程において、接合面24と接合膜3とを密着させ、これらを接合したとき、接合面24と接合膜3との接合強度を高めることができる。
この表面処理としては、特に限定されないが、前述の第1の基材21の接合面23に対する表面処理と同様の処理を用いることができる。
また、第1の基材21の場合と同様に、第2の基材22の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜3との密着性が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる第2の基材22の構成材料としては、例えば、前述したような各種金属系材料、各種シリコン系材料、各種ガラス系材料等を主材料とするものが挙げられる。
すなわち、このような材料で構成された第2の基材22は、その表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、水酸基が結合(露出)している。したがって、このような酸化膜で覆われた第2の基材22を用いることにより、上記のような表面処理を施さなくても、第2の基材22の接合面24と接合膜3との接合強度を高めることができる。
なお、この場合、第2の基材22の全体が上記のような材料で構成されていなくてもよく、少なくとも接合膜3と接合する領域において、接合面24付近が上記のような材料で構成されていればよい。
また、第2の基材22の接合面24に、以下の基や物質を有する場合には、上記のような表面処理を施さなくても、第2の基材22の接合面24と接合膜3との接合強度を十分に高くすることができる。
このような基や物質としては、例えば、水酸基、チオール基、カルボキシル基、アミノ基、ニトロ基、イミダゾール基のような各種官能基、各種ラジカル、開環分子または、2重結合、3重結合のような不飽和結合を有する脱離性中間体分子、F、Cl、Br、Iのようなハロゲン、過酸化物からなる群から選択される少なくとも1つの基や物質、または、これらの基が脱離してなる終端化されていない結合手(未結合手、ダングリングボンド)が挙げられる。
このうち、脱離性中間体分子は、開環分子または不飽和結合を有する炭化水素分子であるのが好ましい。このような炭化水素分子は、開環分子および不飽和結合の顕著な反応性に基づき、接合膜3に対して強固に作用する。したがって、このような炭化水素分子を有する接合面24は、接合膜3に対して特に強固に接合可能なものとなる。
また、接合面24が有する官能基は、特に水酸基が好ましい。これにより、接合面24は、接合膜3に対して特に容易かつ強固に接合可能なものとなる。特に接合膜3の表面に水酸基が露出している場合には、水酸基同士間に生じる水素結合に基づいて、接合面24と接合膜3との間を短時間で強固に接合することができる。
また、このような基や物質を有するように、接合面24に対して上述したような各種表面処理を適宜選択して行うことにより、接合膜3に対して強固に接合可能な第2の基材22が得られる。
このうち、第2の基材22の接合面24には、水酸基が存在しているのが好ましい。このような接合面24には、水酸基が露出した接合膜3との間に、水素結合に基づく大きな引力が生じる。これにより、最終的に、第1の基材21と第2の基材22とを特に強固に接合することができる。
また、表面処理を施すのに代えて、第1の基材21の接合面23に、あらかじめ、中間層を形成するようにしてもよい。
この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、例えば、接合膜3との密着性を高める機能、クッション性(緩衝機能)、応力集中を緩和する機能等を有するものが好ましい。このような中間層上に接合膜3を成膜することにより、最終的に、信頼性の高い接合体1を形成することができる。
かかる中間層の構成材料としては、例えば、アルミニウム、チタンのような金属系材料、金属酸化物、シリコン酸化物のような酸化物系材料、金属窒化物、シリコン窒化物のような窒化物系材料、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素系材料、シランカップリング剤、チオール系化合物、金属アルコキシド、金属−ハロゲン化合物のような自己組織化膜材料、樹脂系接着剤、樹脂フィルム、樹脂コーティング材、各種ゴム材料、各種エラストマーのような樹脂系材料等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
また、これらの各材料で構成された中間層の中でも、酸化物系材料で構成された中間層によれば、第1の基材21と接合膜3との間の接合強度を特に高めることができる。
また、第1の基材21と同様、表面処理に代えて、第2の基材22の接合面24に、あらかじめ、中間層を形成しておいてもよい。
この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、例えば、前記第1の基材21の場合と同様に、接合膜3との密着性を高める機能、クッション性(緩衝機能)、応力集中を緩和する機能等を有するものが好ましい。このような中間層を介して、第2の基材22と接合膜3とを接合することにより、最終的に、信頼性の高い接合体1を得ることができる。
かかる中間層の構成材料には、例えば、前記第1の基材21の接合面23に形成する中間層の構成材料と同様の材料を用いることができる。
なお、上記のような表面処理および中間層の形成は、必要に応じて行えばよく、特に高い接合強度を必要としない場合には、省略することができる。
−A2−
次に、シリコーン材料および複数のギャップ材32を含有する液状材料(より具体的には、シリコーン材料を含む液体31A中に複数のギャップ材32が分散した分散液)を塗布法を用いて接合面23上に供給する。これにより、第1の基材21の接合面23上に、液状被膜3Aが形成される(図2(b)参照)。
塗布法としては、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法および液滴吐出法等が挙げられるが、特に、液滴吐出法を用いるのが好ましい。
本実施形態では、図2(b)に示すように、液滴吐出法を用いており、液状材料を液滴35として接合面23に供給する。これにより、たとえ液状被膜3Aを接合面23の一部の領域に選択的にパターニングして形成する場合であったとしても、液状材料をこの領域の形状に対応して(選択的に)供給することができる。
液滴吐出法としては、特に限定されないが、圧電素子による振動を利用して液状材料を吐出する方式(ピエゾ方式)のインクジェット法が好適に用いられる。このようなピエゾ方式のインクジェット法は、液状材料に熱を加えないため、材料の組成等に影響を与えないという利点を有する。そのため、液状材料の変質(不本意な性状の変化)を防止し、その結果、後述する工程において接合膜3が第1の基材21と第2の基材22とを確実かつ強固に接合することができる。なお、液滴吐出法としては、前述したピエゾ方式のインクジェット法の他に、液状材料を加熱して発生した泡(バブル)により液体を吐出させる方式のインクジェット法や、静電アクチュエータによる振動を利用して液状材料を吐出する方式のインクジェット法など、公知の種々の技術を適用することもできる。
液状材料の粘度(25℃)は、通常、0.5〜200mPa・s程度であるのが好ましく、3〜20mPa・s程度であるのがより好ましい。液状材料の粘度をかかる範囲とすることにより、液滴の吐出をより安定的に行うことができるとともに、微細な形状の膜を形成する領域に対応した形状を描画し得る大きさの液滴35を吐出することができる。さらに、この液状材料で構成される液状被膜3Aを次工程[3A]で乾燥させた際に、接合膜3を形成するのに十分な量のシリコーン材料を液状材料中に含有したものとすることができる。
また、液状材料の粘度をかかる範囲内とすれば、具体的には、液滴35の量(液状材料の1滴の量)を、平均で、0.1〜40pL程度に、より現実的には1〜30pL程度に設定し得る。これにより、接合面23に供給された際の液滴35の着弾径が小さなものとなることから、微細な形状の接合膜3をも確実に形成することができる。
さらに、接合面23の膜形成領域に供給する液滴35を適宜設定することにより、形成される接合膜3の厚さの制御を比較的容易に行うことができる。
また、液状材料は、前述のようにシリコーン材料およびギャップ材32を含有するものであるが、シリコーン材料が単独で液状をなし、シリコーン材料中にギャップ材32を分散することにより目的とする粘度範囲である場合、シリコーン材料単独で液体31Aを構成することができる。この場合、シリコーン材料にギャップ材32を分散させるだけで、前述した液状材料を得ることができる。
また、シリコーン材料単独で、固形状または高粘度の液状をなす場合には、シリコーン材料の溶液または分散液を液体31Aとし、この液体31Aにギャップ材を分散したものを液状材料として用いることができる。
シリコーン材料を溶解または分散するための溶媒または分散媒としては、例えば、アンモニア、水、過酸化水素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン(MEK)、アセトン、等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソブタノール等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン等の芳香族複素環化合物系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド(DMSO)、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等を用いることができる。
シリコーン材料は、液状材料中に含まれ、後述する工程[C]において、この液状材料を乾燥させることにより形成される接合膜3のシリコーン部31の主材料を構成するものである。
ここで、「シリコーン材料」とは、ポリオルガノシロキサン骨格を有する化合物であり、通常、主骨格(主鎖)部分が主としてオルガノシロキサン単位の繰り返しからなる化合物のことを言い、主鎖の一部から突出する分枝状の構造を有するものであってもよく、主鎖が環状をなす環状体であってもよく、主鎖の末端同士が連結しない直鎖状のものであってもよい。
例えば、ポリオルガノシロキサン骨格を有する化合物において、オルガノシロキサン単位は、その末端部では下記一般式(1)で表わされる構造単位を有し、連結部では下記一般式(2)で表わされる構造単位を有し、また、分枝部では下記一般式(3)で表わされる構造単位を有している。
Figure 0004697243
[式中、各Rは、それぞれ独立して、置換または無置換の炭化水素基を表し、各Zは、それぞれ独立して、水酸基または加水分解基を表し、Xはシロキサン残基を表し、aは0または1〜3の整数を表し、bは0または1〜2の整数を表し、cは0または1を表す。]
なお、シロキサン残基とは、酸素原子を介して隣接する構造単位が有するケイ素原子に結合しており、シロキサン結合を形成している置換基のことを表す。具体的には、−O−(Si)構造(Siは隣接する構造単位が有するケイ素原子)となっている。
このようなシリコーン材料において、ポリオルガノシロキサン骨格は、直鎖状をなすもの、すなわち上記一般式(1)の構造単位および上記一般式(2)の構造単位で構成されるであるのが好ましい。これにより、後述する工程[C]において、液状材料中に含まれるシリコーン材料同士が絡まり合うようにして接合膜3が形成されることから、得られる接合膜3は膜強度に優れたものとなる。
具体的には、かかる構成のポリオルガノシロキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記一般式(4)で表わされるものが挙げられる。
Figure 0004697243
[式中、各Rは、それぞれ独立して、置換または無置換の炭化水素基を表し、各Zは、それぞれ独立して、水酸基または加水分解基を表し、aは0または1〜3の整数を表し、mは0または1以上の整数を表し、nは0または1以上の整数を表す。]
上記一般式(1)〜上記一般式(4)中、基R(置換または無置換の炭化水素基)としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基、ビフェニリル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基等が挙げられる。さらに、これらの基の炭素原子に結合している水素原子の一部または全部が、I)フッ素原子、塩素原子、臭素原子のようなハロゲン原子、II)グリシドキシ基のようなエポキシ基、III)メタクリル基のような(メタ)アクリロイル基、IV)カルボキシル基、スルフォニル基のようなアニオン性基等で置換された基等が挙げられる。
また、加水分解基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、ジメチルケトオキシム基、メチルエチルケトオキシム基等のケトオキシム基、アセトキシ基等のアシルオキシ基、イソプロペニルオキシ基、イソブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基等が挙げられる。
また、上記一般式(4)中、mおよびnは、ポリオルガノシロキサンの重合度を表すものであるが、mおよびnの合計(m+n)が、5〜10000程度の整数であるのが好ましく、50〜1000程度の整数であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、液状材料の粘度を上述したような範囲内に比較的容易に設定することができる。
このようなシリコーン材料の中でも、特に、その主骨格がポリジメチルシロキサンで構成されているのが好ましい。すなわち、上記一般式(4)において、各基Rはメチル基であるのが好ましい。かかる化合物は、比較的入手が容易で、かつ安価であるとともに、後述する工程[D]において、接合膜3に接合用エネルギーを付与することにより、メチル基が容易に切断されて、その結果として、接合膜3(シリコーン部31)に確実に接着性を発現させることができるため、シリコーン材料として好適に用いられる。
さらに、シリコーン材料は、シラノール基を有するものであるのが好ましい。すなわち、上記一般式(4)において、各基Zは水酸基であるのが好ましい。これにより、後述する工程[C]において、液状被膜3Aを乾燥させて接合膜3を得る際に、隣接するシリコーン材料が有する水酸基同士が結合することとなり、得られる接合膜3の膜強度が優れたものとなる。さらに、第1の基材21として、前述したように、その接合面(表面)23から水酸基が露出しているものを用いた場合には、シリコーン材料が備える水酸基と、第1の基材21が備える水酸基とが結合することから、シリコーン材料を物理的な結合ばかりでなく、化学的な結合によっても第1の基材21に結合させることができる。その結果、接合膜3は、第1の基材21の接合面23に対して、強固に結合したものとなる。
また、シリコーン材料は、比較的柔軟性に富む材料である。そのため、後述する工程[D]において、接合膜3を介して第1の基材21に第2の基材22を接合して接合体1を得る際に、例えば、第1の基材21と第2の基材22との各構成材料が互いに異なるものを用いる場合であったとしても、各基材21、22間に生じる熱膨張に伴う応力を確実に緩和することができる。これにより、最終的に得られる接合体1において、剥離が生じるのを確実に防止することができる。
さらに、シリコーン材料は、耐薬品性に優れているため、薬品類等に長期にわたって曝されるような部材の接合に際して効果的に用いることができる。具体的には、例えば、樹脂材料を浸食し易い有機系インクが用いられる工業用インクジェットプリンタの液滴吐出ヘッドを製造する際に、前述したような接合膜3を適用すれば、その耐久性を確実に向上させることができる。また、シリコーン材料は、耐熱性にも優れていることから、高温下に曝されるような部材の接合に際しても効果的に用いることができる。
各ギャップ材32は、第1の基材21の接合面23と第2の基材22の接合面24とにそれぞれ接触するように設けられている。これにより、第1の基材21と第2の基材22との間の平均距離が複数のギャップ材32の平均粒径とほぼ等しく規制される。
本実施形態では、各ギャップ材32は、粒子状をなしている。このようなギャップ材32は、粒径の小さいものから大きいものまで容易に入手することができる。そして、ギャップ材32の粒径を適宜選択することにより、第1の基材21と第2の基材22との間の距離を所望の距離とすることができる。また、小粒径のギャップ材32を用いることで、接合膜3の厚さを薄くして、接合体1の寸法精度をより優れたものとすることができる。
また、ギャップ材32は、球形をなしている。なお、ギャップ材32の形状は、前述したものに限定されず、例えば、楕円球状、扁平形状、異形状、ブロック状などでもよい。
ここで、複数のギャップ材32の平均粒径は、特に限定されないが、1〜300μm程度であるのが好ましく、3〜200μm程度であるのがより好ましい。
また、複数のギャップ材32の粒径の標準偏差(粒径のバラツキ度)は、できるだけ小さいほうが好ましいが、具体的には、1.0μm以下であるのが好ましく、0.8μm以下であるのがより好ましく、0.6μm以下であるのがさらに好ましい。
また、ギャップ材32の構成材料としては、特に限定されず、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンのようなシリコン材料、ステンレス鋼、チタン、アルミニウムのような金属材料、石英ガラス、ケイ酸ガラス(石英ガラス)、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石灰ガラス、鉛(アルカリ)ガラス、バリウムガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス材料、アルミナ、ジルコニア、フェライト、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化チタン、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、炭化タングステンのようなセラミックス材料、グラファイトのような炭素材料、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−(4−メチルペンテン−1)、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体(ABS樹脂)、アクリロニトリル−スチレン共重合体(AS樹脂)、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオキシメチレン、ポリビニルアルコール(PVA)、エチレン−ビニルアルコール共重合体(EVOH)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、ポリシクロヘキサンテレフタレート(PCT)等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン(PEK)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリエーテルイミド、ポリアセタール(POM)、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンエーテル樹脂(PBO)、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、ポリアリレート、芳香族ポリエステル(液晶ポリマー)、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アラミド系樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等の樹脂材料、またはこれらの各材料の1種または2種以上を組み合わせた複合材料等が挙げられる。
また、ギャップ材32の構成材料は、前述した第1の基材21や第2の基材22の構成材料と同じであっても、異なっていてもよい。
また、ギャップ材32は、第1の基材21と第2の基材22との間の距離を規制するという機能を効果的に発揮するには、できるだけ硬質であるのが好ましい。
このような観点から、複数のギャップ材32は、ガラス材料を主材料として構成された複数のガラス微粒子を含むのが好ましい。ガラス微粒子は、比較的硬質であるため、第1の基材21と第2の基材22との間の距離をより確実かつ正確に規制することができる。
また、複数のギャップ材32は、セラミックス材料を主材料として構成された複数のセラミックス微粒子を含むのが好ましい。セラミックス微粒子も比較的硬質であるため、ギャップ材32をセラミックス微粒子で構成すると、第1の基材21と第2の基材22との間の距離をより確実かつ正確に規制することができる。
さらに、複数のギャップ材32は、金属を主材料として構成された複数の金属微粒子を含むのが好ましい。金属微粒子も比較的硬質であるため、ギャップ材32を金属微粒子で構成すると、第1の基材21と第2の基材22との間の距離をより確実かつ正確に規制することができる。また、ギャップ材32を金属微粒子で構成することで、接合膜3に導電性を付与することができ、接合膜3または接合体1を通電のための配線として利用することができる。
一方、後述するように剥離用エネルギーの付与により第1の基材21と第2の基材22とを剥離するに際し、その剥離を容易なものとするためには、ギャップ材32の熱膨張係数とシリコーン部31の熱膨張係数との差が大きいのが好ましい。
このような観点から、複数のギャップ材32は、樹脂材料を主材料として構成された複数の樹脂微粒子を含むのが好ましい。樹脂微粒子は、一般に熱膨張係数が極めて高い。一方、シリコーン部31の熱膨張係数は比較的小さい。そのため、ギャップ材32を樹脂微粒子で構成すると、ギャップ材32の熱膨張係数とシリコーン部31の熱膨張係数との差を大きくすることができる。したがって、所望時に接合膜3に剥離用エネルギー(特に熱エネルギー)を付与することで、積極的にへき開を生じさせ、第1の基材21と第2の基材22とを簡単かつ確実に剥離することができる。
また、複数のギャップ材32は、前述した複数の樹脂微粒子、複数のガラス微粒子、複数のセラミックス微粒子、複数の金属微粒子から選択された2種以上を組み合わせて用いることができる。
このように複数種の微粒子を組み合わせる場合、複数のギャップ材32は、複数の樹脂微粒子の他に、複数のガラス微粒子と複数のセラミックス微粒子と複数の金属微粒子とのうちの少なくとも一種からなる複数の微粒子を含み、当該複数の微粒子の平均粒径が前記樹脂微粒子の平均粒径よりも大きいのが好ましい。これにより、セラミックス微粒子および/または金属微粒子が第1の基材21と第2の基材22との間の距離をより確実かつ正確に規制することができる。また、所望時には、剥離用エネルギー(特に熱エネルギー)を付与することで、ギャップ材32(樹脂微粒子)の熱膨張係数とシリコーン部31の熱膨張係数との差により接合膜3に積極的にへき開を生じさせることができる。
また、複数種の微粒子を組み合わせる場合、複数のギャップ材32は、複数の樹脂微粒子の他に、複数のガラス微粒子と複数のセラミックス微粒子と複数の金属微粒子とのうちの少なくとも一種からなる複数の微粒子を含み、当該複数の微粒子の平均粒径が複数の樹脂微粒子の平均粒径よりも小さく、各樹脂微粒子が接合膜3中にその厚さ方向に弾性変形した状態(圧縮された状態)で存在しているのが好ましい。これにより、セラミックス微粒子および/または金属微粒子が第1の基材21と第2の基材22との間の距離をより確実かつ正確に規制することができる。また、所望時には、剥離用エネルギー(特に熱エネルギー)を付与することで、ギャップ材32(樹脂微粒子)の熱膨張係数とシリコーン部31の熱膨張係数との差により接合膜3に積極的にへき開を生じさせることができる。また、弾性変形した樹脂微粒子が元の状態へ復元する力が接合膜3内に生じているため、この点でも、第1の基材21と第2の基材22とを剥離するに際し、接合膜3内にへき開を積極的に生じさせることができる。
[B]第1の基材21と第2の基材22との貼り合わせ
次に、図2(c)および図3(a)に示すように、液状被膜3Aを介して第1の基材21と第2の基材22とを貼り合わせる。
このとき、第1の基材21および第2の基材22を互いに近付く方向に付勢する。そして、ギャップ材32が第1の基材21と第2の基材22との間の距離を規制した状態となる(図3(a)参照)。
このように、複数のギャップ材32が第1の基材21と第2の基材22との間の距離を規制した状態で、液状被膜3Aを介して第1の基材21と第2の基材22とを貼り合わせる。
本工程[B]に先立ち、前述した工程[A]の後に、後述する工程[C]における液状被膜3Aの乾燥条件よりも緩和な条件で、液状被膜3Aを乾燥して半固化状態または半硬化状態とする工程を行うのが好ましい。これにより、後述する工程[C]において、液状被膜3Aの乾燥を容易に行うことができる。また、本工程[B]において、前述したようなギャップ材32の機能を効果的に発揮させつつ、接合膜3と第1の基材21および第2の基材22との密着性を高めることができる。
本工程において、第1の基材21と第2の基材22とを互いに押圧するが、その押圧力は、ギャップ材32、第1の基材21や第2の基材22の構成材料や硬さなどによって異なるが、少なくとも、ギャップ材32によって第1の基材21や第2の基材22が変形(埋没)しない程度の圧力とされる。
[C]液状被膜3Aの乾燥
次に、液状被膜3Aを乾燥することにより、図3(b)に示すように、接合膜3を形成する。これにより、第1の基材21と第2の基材22とは接合膜3を介して仮接合される。
液状被膜3Aを乾燥させる際の温度は、25℃以上であるのが好ましく、25〜100℃程度であるのがより好ましい。
また、乾燥させる時間は、0.5〜48時間程度であるのが好ましく、15〜30時間程度であるのがより好ましい。
かかる条件で液状材料を乾燥させることにより、次工程[D]において、接合用エネルギーを付与することにより接着性が好適に発現する接合膜3を確実に形成することができる。また、シリコーン材料として、前述した工程[A]で説明したようなシラノール基を有するものを用いた場合には、シリコーン材料が有するシラノール基同士を、さらには、シリコーン材料が有するシラノール基と第1の基材21および第2の基材22が有する水酸基とを、確実に結合させることができるため、形成される接合膜3を膜強度に優れ、かつ第1の基材21および第2の基材22に対して強固に結合したものとすることができる。
さらに、乾燥させる際の雰囲気の圧力は、大気圧下であってもよいが、減圧下であるのが好ましい。具体的には、減圧の程度は、133.3×10−5〜1333Pa(1×10−5〜10Torr)程度であるのが好ましく、133.3×10−4〜133.3Pa(1×10−4〜1Torr)程度であるのがより好ましい。これにより、接合膜3の膜密度が緻密化して、接合膜3をより優れた膜強度を有するものとすることができる。
以上のように、接合膜3を形成する際の条件を適宜設定することにより、形成される接合膜3の膜強度等を所望のものとすることができる。
接合膜3の平均厚さは、本実施形態では、ギャップ材32の平均粒径とほぼ同等となり、特に限定されないが、前述したギャップ材32の平均粒径と同様、1〜300μm程度であるのが好ましく、3〜200μm程度であるのがより好ましい。
接合膜3の平均厚さが前記範囲内であれば、後述する接合体の剥離方法において、接合膜3内にへき開を確実に生じさせて、第1の基材21から第2の基材22を剥離することができる。
さらに、接合膜3の平均厚さをかかる範囲とすることにより、接合膜3がある程度弾性に富むものとなることから、後述する工程[D]において、第1の基材21と第2の基材22とを接合する際に、接合膜3と第1の基材21の接合面23および第2の基材22の接合面24との密着性を優れたものとし、その結果、接合膜3による第1の基材21と第2の基材22との接合強度を高めることができる。
[D]接合膜3への接合用エネルギーの付与
次に、図3(c)に示すように、接合膜3に対して接合用エネルギーを付与する。
接合膜3に接合用エネルギーを付与すると、この接合膜3では、その表面33、34(第1の基材21および第2の基材22との境界面)付近の分子結合(例えば、シリコーン材料の主骨格がポリジメチルシロキサンで構成されている場合、Si−CH結合)の一部が切断し、かかる表面33、34が活性化される。これに起因して、表面33付近には第1の基材21に対する接着性、表面34付近には第2の基材22に対する接着性が発現する。
そして、かかる接着性により第1の基材21と第2の基材22とが化学的結合に基づいて強固に接合される。
ここで、本明細書中において、表面33、34が「活性化された」状態とは、上述のように接合膜3の表面33、34の分子結合の一部、具体的には、例えば、ポリジメチルシロキサン骨格が備えるメチル基が切断されて、接合膜3中に終端化されていない結合手(以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。)が生じた状態の他、この未結合手が水酸基(OH基)によって終端化された状態、さらに、これらの状態が混在した状態を含めて、接合膜3が「活性化された」状態と言うこととする。
接合膜3に付与する接合用エネルギーは、いかなる方法を用いて付与するものであってもよいが、例えば、接合膜3にエネルギー線を照射する方法、接合膜3を加熱する方法、接合膜3に圧縮力(物理的エネルギー)を付与する方法、接合膜3をプラズマに曝す(プラズマエネルギーを付与する)方法、接合膜3をオゾンガスに曝す(化学的エネルギーを付与する)方法等が挙げられ、これらのうちの1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。
中でも、本実施形態では、接合膜3に接合用エネルギーを付与する方法として、特に、接合膜3にエネルギー線を照射する方法を用いるのが好ましい。かかる方法は、接合膜3に対して比較的簡単に効率よく接合用エネルギーを付与することができるので、接合用エネルギーを付与する方法として好適に用いられ、接合膜の表面を効率よく活性化させることができる。また、接合膜3中の分子構造を必要以上に切断しないので、後述する接合体の剥離方法において剥離用エネルギーを付与した際に、接合膜3内で確実にへき開を生じさせることができる。
このうち、エネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザ光のような光、X線、γ線のような電磁波、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を2種以上組み合わせたものが挙げられる。
これらのエネルギー線の中でも、特に、波長126〜300nm程度の紫外線を用いるのが好ましい(図3(c)参照)。かかる範囲内の紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜3中の骨格をなす分子結合が必要以上に破壊されるのを防止しつつ、接合膜3から表面33、34付近の分子結合を選択的に切断することができる。これにより、接合膜3の特性(機械的特性、化学的特性等)が低下するのを防止しつつ、接合膜3に接着性を確実に発現させることができる。この場合、第1の基材21および第2の基材22のうち、いずれか一方が透光性(紫外線透過性)を有していることが必要である。そして、透光性を有する基材側(一方または両方)から、紫外線を照射することにより、接合膜3に対して確実に紫外線を照射することができる。
また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、分子結合の切断を効率よく行うことができる。さらに、紫外線には、例えば、UVランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、126〜200nm程度とされる。
また、UVランプを用いる場合、その出力は、接合膜3の面積に応じて異なるが、1mW/cm〜1W/cm程度であるのが好ましく、5mW/cm〜50mW/cm程度であるのがより好ましい。なお、この場合、UVランプと接合膜3との離間距離は、3〜3000mm程度とするのが好ましく、10〜1000mm程度とするのがより好ましい。
また、紫外線を照射する時間は、接合膜3の表面付近の分子結合を切断し得る程度の時間、すなわち、接合膜3の表面付近に存在する分子結合を選択的に切断し得る程度の時間とするのが好ましい。具体的には、紫外線の光量、接合膜3の構成材料等に応じて若干異なるものの、1秒〜30分程度であるのが好ましく、1秒〜10分程度であるのがより好ましい。
また、紫外線は、時間的に連続して照射してもよいし、間欠的(パルス状)に照射してもよい。
また、接合膜3に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧(真空)雰囲気等が挙げられるが、中でも、不活性ガス雰囲気中または減圧雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、図3(c)に示すように第1の基材21や第2の基材22を介してエネルギー線を照射したときに、第1の基材21や第2の基材22の変質・劣化等を防止することができる。
また、エネルギー線を照射する方法によれば、接合膜3に対して選択的にエネルギーを付与することが容易に行えるため、この点でも、接合用エネルギーの付与による第1の基材21や第2の基材22の変質・劣化等を防止することができる。
また、エネルギー線を照射する方法によれば、付与する接合用エネルギーの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、接合膜3で切断される分子結合の量を調整することが可能となる。このように切断される分子結合の量を調整することにより、第1の基材21と第2の基材22との間の接合強度を容易に制御することができる。
すなわち、表面付近で切断される分子結合の量を多くすることにより、接合膜3の表面付近に、より多くの活性手が生じるため、接合膜3に発現する接着性をより高めることができる。一方、表面付近で切断される分子結合の量を少なくすることにより、接合膜3の表面付近に生じる活性手を少なくし、接合膜3に発現する接着性を抑えることができる。
なお、付与する接合用エネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。
さらに、エネルギー線を照射する方法によれば、短時間で大きな接合用エネルギーを付与することができるので、接合用エネルギーの付与をより効率よく行うことができる。
このような本工程[D]により、接合膜3の表面33に第1の基材21に対する接着性が発現していることから、接合膜3と第1の基材21の接合面23とが化学的に結合する。また、接合膜3の表面34に第2の基材22に対する接着性が発現していることから、接合膜3と第2の基材22の接合面24とが化学的に結合する。
その結果、第1の基材21と第2の基材22とが、接合膜3により接合され、図3(c)に示すような接合体1が得られる。
このようにして得られた接合体1では、従来の接合方法で用いられていた接着剤とは異なり、主にアンカー効果のような物理的結合に基づく接着ではなく、共有結合のような短時間で生じる強固な化学的結合に基づいて、2つの基材21、22が接合されている。このため、接合体1は短時間で形成することができ、かつ、極めて剥離し難く、接合ムラ等も生じ難いものとなる。
また、このような接合方法によれば、従来の固体接合法とは異なり、高温(例えば、700℃以上)での熱処理を必要としないことから、耐熱性の低い材料で構成された第1の基材21および第2の基材22をも、接合に供することができる。
また、接合膜3を介して第1の基材21と第2の基材22とを接合しているため、各基材21、22の構成材料に制約がないという利点もある。
以上のことから、第1の基材21および第2の基材22の各構成材料の選択の幅をそれぞれ広げることができる。その上、かかる接合方法では、前述したように、接合プロセスにおける雰囲気が減圧雰囲気に限られることもなく、また、一部の領域を部分的に接合することができる。さらに、後に詳述するように、リサイクルなどの所望時に部材毎に効率よく分割することができる。このように、かかる接合方法によれば、固体接合法のような諸問題を生じることなく容易に接合体1を製造することができる。
また、第1の基材21の熱膨張率と第2の基材22の熱膨張率が互いに異なっている場合には、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
具体的には、第1の基材21と第2の基材22との熱膨張率の差にもよるが、第1の基材21および第2の基材22の温度が25〜50℃程度である状態下で、第1の基材21と第2の基材22とを貼り合わせるのが好ましく、25〜40℃程度である状態下で貼り合わせるのがより好ましい。このような温度範囲であれば、第1の基材21と第2の基材22との熱膨張率の差がある程度大きくても、接合界面に発生する熱応力を十分に低減することができる。その結果、接合体1における反りや剥離等の発生を確実に抑制または防止することができる。
また、この場合、具体的な第1の基材21と第2の基材22との間の熱膨張係数の差が、5×10−5/K以上あるような場合には、上記のようにして、できるだけ低温下で接合を行うことが特に推奨される。
また、第1の基材21と第2の基材22とが接合する接合膜3の面積や形状を適宜設定することにより、接合膜3に生じる応力の局所集中を緩和することができる。これにより、例えば、第1の基材21と第2の基材22との間で熱膨張率差が大きい場合でも、各基材21、22を確実に接合することができる。
ここで、本工程において、第1の基材21と第2の基材22とを接合するメカニズムについて説明する。
例えば、第2の基材22の接合面24に水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、接合膜3の表面34と第2の基材22の接合面24とが接触した状態で、接合膜3の表面34に存在する水酸基と、第2の基材22の接合面24に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、接合膜3の表面34と第2の基材22の接合面24とが接合されると推察される。同様に、接合膜3の表面33と第1の基材21の接合面23とが接合され、その結果、第1の基材21と第2の基材22とが接合膜3を介して強固に接合される。
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、接合膜3と第1の基材21および第2の基材22とのそれぞれの接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、接合膜3の表面34と第2の基材22の接合面24とがより強固に接合されると推察される。同様に、接合膜3の表面33と第1の基材21の接合面23とがより強固に接合されると推察される。
また、接合膜3の表面や内部、第1の基材21の接合面23や内部、および、第2の基材22の接合面24や内部に、それぞれ終端化されていない結合手すなわち未結合手(ダングリングボンド)が存在している場合、第1の基材21と第2の基材22とを貼り合わせた時、これらの未結合手同士が再結合する。この再結合は、互いに重なり合う(絡み合う)ように複雑に生じることから、接合界面にネットワーク状の結合が形成されることとなる。これにより、接合膜3の表面34と第2の基材22の接合面24とがさらに強固に接合されると推察される。同様に、接合膜3の表面33と第1の基材21の接合面23とがさらに強固に接合されると推察される。
なお、本工程[D]で活性化された接合膜3の表面は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。しかしながら、本実施形態では、前述したように第1の基材21と第2の基材22とを接合膜3を介して仮接合した状態で、接合エネルギーの付与を行うため、接合膜3の活性化から接合までにかかる時間は実質的にゼロとなる。そのため、接合膜3による第1の基材21と第2の基材22との接合強度を最大限に大きくすることができる。
以上のようにして、図3(c)に示す接合体(本発明の接合体)1を得ることができる。
このようにして得られた接合体1は、第1の基材21と第2の基材22との間の接合強度が5MPa(50kgf/cm)以上であるのが好ましく、10MPa(100kgf/cm)以上であるのがより好ましい。このような接合強度を有する接合体1は、その剥離を十分に防止し得るものとなる。また、かかる構成の接合方法によれば、第1の基材21と第2の基材22とが上記のような大きな接合強度で接合された接合体1を効率よく作製することができる。
[E]接合強度の向上
前述した工程[D]の後、必要に応じて、接合体1に対して、以下の3つの工程(−E1−、−E2−、および−E3−)のうちの少なくとも1つの工程(接合体1の接合強度を高める工程)を行うようにしてもよい。これにより、接合体1の接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
−E1−
図3(d)に示すように、得られた接合体1を、第1の基材21と第2の基材22とが互いに近づく方向に加圧する。
これにより、第1の基材21の表面および第2の基材22の表面に、それぞれ接合膜3の表面がより近接し、接合体1における接合強度をより高めることができる。
また、接合体1を加圧することにより、接合体1中の接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、接合体1における接合強度をさらに高めることができる。
なお、この圧力は、第1の基材21および第2の基材22の各構成材料や各厚さ、接合装置等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、第1の基材21および第2の基材22の各構成材料や各厚さ等に応じて若干異なるものの、0.2〜10MPa程度であるのが好ましく、1〜5MPa程度であるのがより好ましい。これにより、接合体1の接合強度を確実に高めることができる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、第1の基材21および第2の基材22の各構成材料によっては、各基材21、22に損傷等が生じるおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、10秒〜30分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、接合体1を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。
−E2−
図3(d)に示すように、得られた接合体1を加熱する。
これにより、接合体1における接合強度をより高めることができる。
このとき、接合体1を加熱する際の温度は、室温より高く、接合体1の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは25〜100℃程度とされ、より好ましくは50〜100℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、接合体1が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。
また、加熱時間は、特に限定されないが、1〜30分程度であるのが好ましい。
また、前述した工程−E1−、−E2−の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、図3(d)に示すように、接合体1を加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、接合体1の接合強度を特に高めることができる。
−E3−
得られた接合体1に紫外線を照射する。
これにより、接合膜3と第2の基材22との間に形成される化学結合を増加させ、接合体1の接合強度を特に高めることができる。
このとき照射される紫外線の条件は、前述した工程[D]に示した紫外線の条件と同等にすればよい。
また、本工程−E3−を行う場合、第1の基材21および第2の基材22のうち、いずれか一方が透光性を有していることが必要である。そして、透光性を有する基材側から、紫外線を照射することにより、接合膜3に対して確実に紫外線を照射することができる。
以上のような工程を行うことにより、接合体1における接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
なお、前述した実施形態では、工程[A]において、第1の基材21の接合面23に液状被膜3Aを形成したが、第2の基材22の接合面24に液状被膜3Aを形成してもよいし、接合面23および接合面24の双方にそれぞれ液状被膜3Aを形成してもよい。
また、接合面23および接合面24のいずれか一方の接合面に液状被膜3Aを形成する場合、工程[B]に先立ち、他方の接合面上に、シリコーン材料の溶液または分散液を塗布してもよいし、ギャップ材を配置してもよい。
<接合体の剥離方法>
次に、本発明の接合体の剥離方法について説明する。
図4は、図1に示す接合体を剥離する過程を説明するための図(縦断面図)である。なお、以下の説明では、図4中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
[1]まず、接合体の剥離方法に供される接合体として、前述したような、第1の基材21と第2の基材22とが、シリコーン材料を含有する接合膜3を介して接合された接合体1を用意する(図4(a)参照。)。
なお、次工程[2]において、接合膜3に剥離用エネルギーを付与する方法として、エネルギー線(例えば、紫外線)を照射する方法を用いる場合には、第1の基材21および第2の基材22の少なくとも一方、すなわちエネルギー線を照射する側の基材に、エネルギー線(例えば、紫外線)透過性を有するものが用いられる。
このようなエネルギー線透過性を有する基材の構成材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマー、ポリブテン−1、エチレン−酢酸ビニル系共重合体等のポリオレフィン、ポリエステル、ポリカーボネート、PMMAのような樹脂材料や、MgAlのようなセラミックス系材料等の紫外線透過性を有するものが挙げられる。
[2]次に、この接合体1の接合膜3に、剥離用エネルギーを付与する(図4(b)参照。)。これにより、前記シリコーン材料を構成する分子結合の一部が切断されることとなり、その結果として、接合膜3内にへき開が生じる。その結果、図4(c)に示すように、第1の基材21から第2の基材22を剥離することができる。
ここで、剥離用エネルギーを付与することにより、接合膜3にへき開が生じるメカニズムとしては、次のようなことが考えられる。例えば、接合膜3に含まれるシリコーン材料の主骨格がポリジメチルシロキサンで構成されている場合、接合膜3に剥離用エネルギーを付与すると、Si−CH結合が切断され、雰囲気中の水分子等と反応することにより、例えば、メタンが発生する。このメタンは、気体(メタンガス)として存在し、大きな体積を占有することから、気体が発生した部分で、接合膜3が押し上げられる。その結果、Si−O結合も切断され、最終的に接合膜3内にへき開が生じるものと推察される。
剥離用エネルギーを付与する際の雰囲気は、雰囲気中に水分子が含まれていればよく、特に限定されないが、大気雰囲気であるのが好ましい。大気雰囲気であれば、特に装置を必要とせず、雰囲気中に十分な量の水分子が含まれていることから、接合膜3内にへき開を確実に生じさせることができる。
このように接合膜3にへき開を生じさせるためには、接合膜3がSiOで構成されることなく、膜中に有機物が結合した状態、すなわちシリコーン材料を含有した状態で接合膜3が形成されている必要があるが、接合膜3における、シリコン原子と炭素原子の存在比は、2:8〜8:2程度であるのが好ましく、3:7〜7:3程度であるのがより好ましい。
シリコン原子と炭素原子の存在比が前記範囲内となっていることにより、接合膜3として優れた機能を発揮させることができるとともに、剥離用エネルギーの付与によりへき開が確実に生じる膜となる。
また、剥離用エネルギーの大きさは、接合用エネルギーの大きさよりも大きくなっているのが好ましい。これにより、接合用エネルギーを付与した際には、接合膜3の表面付近に存在するSi−CH結合を選択的に切断することができるとともに、剥離用エネルギーを付与した際には、接合膜3内部に残存するSi−CH結合を切断することができる。その結果、接合用エネルギーを付与した際には、接合膜3の表面付近に接着性が発現し、剥離用エネルギーを付与した際には、接合膜3にへき開が生じることとなる。
また、接合膜3に付与する剥離用エネルギーは、前述した接合用エネルギーと同様に、いかなる方法を用いての付与するものであってもよく、接合膜3にエネルギー線を照射する方法、接合膜3を加熱する方法、接合膜3に圧縮力(物理的エネルギー)を付与する方法、接合膜3をプラズマに曝す(プラズマエネルギーを付与する)方法、接合膜3をオゾンガスに曝す(化学的エネルギーを付与する)方法等が挙げられる。
中でも、本実施形態では、接合膜3に剥離用エネルギーを付与する方法として、特に、接合膜3にエネルギー線を照射する方法および接合膜3を加熱する方法のうちの少なくとも1つの一方により行うのが好ましい。かかる方法は、接合膜3に対して比較的簡単に、かつ選択的に剥離用エネルギーを付与することができるので、接合膜3により確実にへき開を生じさせることができる。
特に、前述したようなギャップ材32を含む接合膜3を備える接合体1では、シリコーン部31の熱膨張係数とギャップ材32の熱膨張係数とを異ならせた場合、剥離用エネルギーの付与時に、接合膜3内の昇温に伴って、シリコーン部31とギャップ材32との界面で積極的にへき開を生じさせることができる。そのため、第1の基材21と第2の基材22とをより円滑に剥離することができる。
エネルギー線としては、接合用エネルギーの説明で記載したのと同様のものが挙げられるが、中でも、特に、紫外線、レーザ光のような光であるのが好ましい。これにより、第1の基材21および第2の基材22に変質・劣化が生じるのを防止しつつ、接合膜3にへき開を確実に生じさせることができる。
紫外線の波長は、好ましくは126〜300nm程度、より好ましくは126〜200nm程度とされる。
また、UVランプを用いる場合、その出力は、接合膜3の面積に応じて異なるが、1mW/cm〜1W/cm程度であるのが好ましく、5mW/cm〜50mW/cm程度であるのがより好ましい。なお、この場合、UVランプと接合膜3との離間距離は、3〜3000mm程度とするのが好ましく、10〜1000mm程度とするのがより好ましい。
また、紫外線を照射する時間は、接合膜3内にへき開が生じる程度の時間に設定される。具体的には、紫外線の光量、接合膜3の構成材料等に応じて若干異なるものの、10〜180分程度であるのが好ましく、30〜60分程度であるのがより好ましい。
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的(パルス状)に照射されてもよい。
一方、レーザ光としては、例えば、エキシマレーザのようなパルス発振レーザ(パルスレーザ)、炭酸ガスレーザ、半導体レーザのような連続発振レーザ等が挙げられる。中でも、パルスレーザが好ましく用いられる。パルスレーザでは、接合膜3のレーザ光が照射された部分に経時的に熱が蓄積され難いので、蓄積された熱による第1の基材21および第2の基材22の変質・劣化を確実に防止することができる。言い換えると、パルスレーザを用いると、第1の基材21および第2の基材22の変質・劣化を防止しながら、より高いエネルギー密度のレーザ光を接合膜3に照射して、接合膜3内にへき開を効率よく生じさせることができる。
また、パルスレーザのパルス幅は、熱の影響を考慮した場合、できるだけ短い方が好ましい。具体的には、パルス幅が1ps(ピコ秒)以下であるのが好ましく、500fs(フェムト秒)以下であるのがより好ましい。パルス幅を前記範囲内にすれば、レーザ光照射に伴って接合膜3に生じる熱の影響を、的確に抑制することができる。また、パルス幅が前記範囲内であれば、レーザ光の照射に伴って熱が蓄積し、高温の領域が接合膜3の厚さ方向(レーザ光の照射方向)へ広がるのを特に確実に防止することができる。これにより、へき開位置の位置精度をより高めることができる。なお、パルス幅が前記範囲内程度に小さいパルスレーザは、「フェムト秒レーザ」と呼ばれる。
また、レーザ光の波長は、特に限定されないが、例えば、200〜1200nm程度であるのが好ましく、400〜1000nm程度であるのがより好ましい。
また、レーザ光のピーク出力は、パルスレーザの場合、パルス幅によって異なるが、0.1〜10W程度であるのが好ましく、1〜5W程度であるのがより好ましい。
さらに、パルスレーザの繰り返し周波数は、0.1〜100kHz程度であるのが好ましく、1〜10kHz程度であるのがより好ましい。パルスレーザの周波数を前記範囲内に設定することにより、Si−CH結合を選択的に切断することができる。
また、接合膜3内にへき開を生じさせるためのエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧(真空)雰囲気等が挙げられるが、不活性ガス雰囲気(特に、窒素ガス雰囲気)中で行うのが好ましい。これにより、第1の基材21および第2の基材22の変質・劣化を防止しながら、接合膜3内に効率よくエネルギーが供給されて、接合膜3内により確実にへき開が生じることとなる。
また、接合膜3を加熱する場合、接合体1を加熱する際の温度は、好ましくは100〜400℃程度とされ、より好ましくは150〜300℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、第1の基材および第2の基材が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合膜3にへき開を確実に生じさせることができる。
また、加熱時間は、接合膜3内にへき開が生じる程度の時間に設定される。具体的には、加熱する温度、接合膜3の構成材料等に応じて若干異なるものの、10〜180分程度であるのが好ましく、30〜60分程度であるのがより好ましい。
なお、接合用エネルギーを付与する方法と、剥離用エネルギーを付与する方法とは、同一であっても、異なっていてもよいが、同一であるのが好ましい。これらを同一の方法とすれば、剥離用エネルギーの大きさと接合用エネルギーの大きさとを比較的容易に設定できることから、前述したように剥離用エネルギーの大きさを接合用エネルギーの大きさよりも容易に大きくすることができる。また、これらのエネルギーを付与するために用いる装置を同一のものとし得ること、すなわち、同一の装置で接合体1の形成から剥離まで行え得ることから、コストの削減を図ることができる。
以上のように、リサイクルなどの所望時には、接合膜3に剥離用エネルギーを付与するという容易な方法で、第1の基材21から第2の基材22を効率よく剥離することができる。そのため、基材21、22同士が異なる材料で構成される場合であったとしても、基材21、22毎に分別して再利用に供することができるため、接合体1のリサイクル率を確実に向上させることができる。
<液滴吐出ヘッド>
次に、上述した接合体をインクジェット式記録ヘッドに適用した場合の実施形態について説明する。
図5は、本発明の接合体を適用したインクジェット式記録ヘッド(液滴吐出ヘッド)を示す分解斜視図、図6は、図5に示すインクジェット式記録ヘッドの主要部の構成を示す断面図、図7は、図5に示すインクジェット式記録ヘッドを備えるインクジェットプリンタの実施形態を示す概略図である。なお、図5は、通常使用される状態とは、上下逆に示されている。
図5に示すインクジェット式記録ヘッド10は、図7に示すようなインクジェットプリンタ9に搭載されている。
図7に示すインクジェットプリンタ9は、装置本体92を備えており、上部後方に記録用紙Pを設置するトレイ921と、下部前方に記録用紙Pを排出する排紙口922と、上部面に操作パネル97とが設けられている。
操作パネル97は、例えば、液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ、LEDランプ等で構成され、エラーメッセージ等を表示する表示部(図示せず)と、各種スイッチ等で構成される操作部(図示せず)とを備えている。
また、装置本体92の内部には、主に、往復動するヘッドユニット93を備える印刷装置(印刷手段)94と、記録用紙Pを1枚ずつ印刷装置94に送り込む給紙装置(給紙手段)95と、印刷装置94および給紙装置95を制御する制御部(制御手段)96とを有している。
制御部96の制御により、給紙装置95は、記録用紙Pを一枚ずつ間欠送りする。この記録用紙Pは、ヘッドユニット93の下部近傍を通過する。このとき、ヘッドユニット93が記録用紙Pの送り方向とほぼ直交する方向に往復移動して、記録用紙Pへの印刷が行なわれる。すなわち、ヘッドユニット93の往復動と記録用紙Pの間欠送りとが、印刷における主走査および副走査となって、インクジェット方式の印刷が行なわれる。
印刷装置94は、ヘッドユニット93と、ヘッドユニット93の駆動源となるキャリッジモータ941と、キャリッジモータ941の回転を受けて、ヘッドユニット93を往復動させる往復動機構942とを備えている。
ヘッドユニット93は、その下部に、多数のノズル孔111を備えるインクジェット式記録ヘッド10(以下、単に「ヘッド10」と言う。)と、ヘッド10にインクを供給するインクカートリッジ931と、ヘッド10およびインクカートリッジ931を搭載したキャリッジ932とを有している。
なお、インクカートリッジ931として、イエロー、シアン、マゼンタ、ブラック(黒)の4色のインクを充填したものを用いることにより、フルカラー印刷が可能となる。
往復動機構942は、その両端をフレーム(図示せず)に支持されたキャリッジガイド軸943と、キャリッジガイド軸943と平行に延在するタイミングベルト944とを有している。
キャリッジ932は、キャリッジガイド軸943に往復動自在に支持されるとともに、タイミングベルト944の一部に固定されている。
キャリッジモータ941の作動により、プーリを介してタイミングベルト944を正逆走行させると、キャリッジガイド軸943に案内されて、ヘッドユニット93が往復動する。そして、この往復動の際に、ヘッド10から適宜インクが吐出され、記録用紙Pへの印刷が行われる。
給紙装置95は、その駆動源となる給紙モータ951と、給紙モータ951の作動により回転する給紙ローラ952とを有している。
給紙ローラ952は、記録用紙Pの送り経路(記録用紙P)を挟んで上下に対向する従動ローラ952aと駆動ローラ952bとで構成され、駆動ローラ952bは給紙モータ951に連結されている。これにより、給紙ローラ952は、トレイ921に設置した多数枚の記録用紙Pを、印刷装置94に向かって1枚ずつ送り込めるようになっている。なお、トレイ921に代えて、記録用紙Pを収容する給紙カセットを着脱自在に装着し得るような構成であってもよい。
制御部96は、例えばパーソナルコンピュータやディジタルカメラ等のホストコンピュータから入力された印刷データに基づいて、印刷装置94や給紙装置95等を制御することにより印刷を行うものである。
制御部96は、いずれも図示しないが、主に、各部を制御する制御プログラム等を記憶するメモリ、圧電素子(振動源)14を駆動して、インクの吐出タイミングを制御する圧電素子駆動回路、印刷装置94(キャリッジモータ941)を駆動する駆動回路、給紙装置95(給紙モータ951)を駆動する駆動回路、および、ホストコンピュータからの印刷データを入手する通信回路と、これらに電気的に接続され、各部での各種制御を行うCPUとを備えている。
また、CPUには、例えば、インクカートリッジ931のインク残量、ヘッドユニット93の位置等を検出可能な各種センサ等が、それぞれ電気的に接続されている。
制御部96は、通信回路を介して、印刷データを入手してメモリに格納する。CPUは、この印刷データを処理して、この処理データおよび各種センサからの入力データに基づいて、各駆動回路に駆動信号を出力する。この駆動信号により圧電素子14、印刷装置94および給紙装置95は、それぞれ作動する。これにより、記録用紙Pに印刷が行われる。
以下、ヘッド10について、図5および図6を参照しつつ詳述する。
ヘッド10は、ノズル板11と、インク室基板12と、振動板13と、振動板13に接合された圧電素子(振動源)14とを備えるヘッド本体17と、このヘッド本体17を収納する基体16とを有している。なお、このヘッド10は、オンデマンド形のピエゾジェット式ヘッドを構成する。
ノズル板11は、例えば、SiO、SiN、石英ガラスのようなシリコン系材料、Al、Fe、Ni、Cuまたはこれらを含む合金のような金属系材料、アルミナ、酸化鉄のような酸化物系材料、カーボンブラック、グラファイトのような炭素系材料等で構成されている。
このノズル板11には、インク滴を吐出するための多数のノズル孔111が形成されている。これらのノズル孔111間のピッチは、印刷精度に応じて適宜設定される。
ノズル板11には、インク室基板12が固着(固定)されている。
このインク室基板12は、ノズル板11、側壁(隔壁)122および後述する振動板13により、複数のインク室(キャビティ、圧力室)121と、インクカートリッジ931から供給されるインクを貯留するリザーバ室123と、リザーバ室123から各インク室121に、それぞれインクを供給する供給口124とが区画形成されている。
各インク室121は、それぞれ短冊状(直方体状)に形成され、各ノズル孔111に対応して配設されている。各インク室121は、後述する振動板13の振動により容積可変であり、この容積変化により、インクを吐出するよう構成されている。
インク室基板12を得るための母材としては、例えば、シリコン単結晶基板、各種ガラス基板、各種樹脂基板等を用いることができる。これらの基板は、いずれも汎用的な基板であるので、これらの基板を用いることにより、ヘッド10の製造コストを低減することができる。
一方、インク室基板12のノズル板11と反対側には、振動板13が接合され、さらに振動板13のインク室基板12と反対側には、複数の圧電素子14が設けられている。
また、振動板13の所定位置には、振動板13の厚さ方向に貫通して連通孔131が形成されている。この連通孔131を介して、前述したインクカートリッジ931からリザーバ室123に、インクが供給可能となっている。
各圧電素子14は、それぞれ、下部電極142と上部電極141との間に圧電体層143を介挿してなり、各インク室121のほぼ中央部に対応して配設されている。各圧電素子14は、圧電素子駆動回路に電気的に接続され、圧電素子駆動回路の信号に基づいて作動(振動、変形)するよう構成されている。
各圧電素子14は、それぞれ、振動源として機能し、振動板13は、圧電素子14の振動により振動し、インク室121の内部圧力を瞬間的に高めるよう機能する。
基体16は、例えば各種樹脂材料、各種金属材料等で構成されており、この基体16にノズル板11が固定、支持されている。すなわち、基体16が備える凹部161に、ヘッド本体17を収納した状態で、凹部161の外周部に形成された段差162によりノズル板11の縁部を支持する。
以上のような、ノズル板11とインク室基板12との接合、インク室基板12と振動板13との接合、およびノズル板11と基体16との接合のうち、少なくとも1つの接合に前述した本発明の接合体の製造方法が用いられる。
換言すれば、ノズル板11とインク室基板12との接合体、インク室基板12と振動板13との接合体、およびノズル板11と基体16との接合体のうち、少なくとも1つの接合体に上述した本発明の接合体が適用されている。
ここで、ノズル板11とインク室基板12との接合体が本発明の接合体である場合、ノズル板11およびインク室基板12のうちの一方が第1の基材、他方が第2の基材である。また、インク室基板12と振動板13との接合体が本発明の接合体である場合、インク室基板12および振動板13のうちの一方が第1の基材、他方が第2の基材である。また、ノズル板11と基体16との接合体が本発明の接合体である場合、ノズル板11および基体16のうちの一方が第1の基材、他方が第2の基材である。
このようなヘッド10は、上記の接合界面に前述したような接合膜3が介挿されて接合されている。このため、接合界面の接合強度および耐薬品性が高くなっており、これにより、各インク室121に貯留されたインクに対する耐久性および液密性が高くなっている。その結果、ヘッド10は、信頼性の高いものとなる。
また、非常に低温で信頼性の高い接合ができるため、線膨張係数の異なる材料でも大面積のヘッドができる点でも有利である。
また、ヘッド10の一部に上述した接合体が適用されていると、寸法精度の高いヘッド10を構築することができる。このため、ヘッド10から吐出されたインク滴の吐出方向や、ヘッド10と記録用紙Pとの離間距離を高度に制御することができ、インクジェットプリンタ9による印字結果の品位を高めることができる。
このようなヘッド10をリサイクル(分解)に供する際に、前述したような接合体の剥離方法を適用することにより、上述した接合体が適用されているノズル板11とインク室基板12との接合体、インク室基板12と振動板13との接合体、およびノズル板11と基体16との接合体のうちの少なくとも1つを確実に剥離することができる。その結果、これらの接合体を、それぞれ、ノズル板11とインク室基板12との分解体、インク室基板12と振動板13との分解体、およびノズル板11と基体16との分解体の少なくとも1つに分解でき、これらを部材毎に再利用することができるため、リサイクル率の向上を確実に図ることができる。
このようなヘッド10は、圧電素子駆動回路を介して所定の吐出信号が入力されていない状態、すなわち、圧電素子14の下部電極142と上部電極141との間に電圧が印加されていない状態では、圧電体層143に変形が生じない。このため、振動板13にも変形が生じず、インク室121には容積変化が生じない。したがって、ノズル孔111からインク滴は吐出されない。
一方、圧電素子駆動回路を介して所定の吐出信号が入力された状態、すなわち、圧電素子14の下部電極142と上部電極141との間に一定電圧が印加された状態では、圧電体層143に変形が生じる。これにより、振動板13が大きくたわみ、インク室121の容積変化が生じる。このとき、インク室121内の圧力が瞬間的に高まり、ノズル孔111からインク滴が吐出される。
1回のインクの吐出が終了すると、圧電素子駆動回路は、下部電極142と上部電極141との間への電圧の印加を停止する。これにより、圧電素子14は、ほぼ元の形状に戻り、インク室121の容積が増大する。なお、このとき、インクには、インクカートリッジ931からノズル孔111へ向かう圧力(正方向への圧力)が作用している。このため、空気がノズル孔111からインク室121へ入り込むことが防止され、インクの吐出量に見合った量のインクがインクカートリッジ931(リザーバ室123)からインク室121へ供給される。
このようにして、ヘッド10において、印刷させたい位置の圧電素子14に、圧電素子駆動回路を介して吐出信号を順次入力することにより、任意の(所望の)文字や図形等を印刷することができる。
また、ヘッド10は、圧電素子14の代わりに電気熱変換素子を有していてもよい。つまり、ヘッド10は、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用してインクを吐出するバブルジェット方式(「バブルジェット」は登録商標))のものであってもよい。
なお、かかる構成のヘッド10において、ノズル板11には、撥液性を付与することを目的に形成された被膜114が設けられている。これにより、ノズル孔111からインク滴が吐出される際に、このノズル孔111の周辺にインク滴が残存するのを確実に防止することができる。その結果、ノズル孔111から吐出されたインク滴を目的とする領域に確実に着弾させることができる。
<透過型スクリーン>
次に、上述した接合体を透過型スクリーンに適用した場合の実施形態について説明する。
図8は、本発明の接合体を適用した透過型スクリーンの好適な実施形態を示す模式的な縦断面図、図9は、図8に示す透過型スクリーンを備えるリア型プロジェクタの構成を模式的に示す図である。なお、以下の説明では、図8中の左側を「(光の)入射側」、右側を「(光の)出射側」と言う。また、本発明においては、特に断りのない限り、「(光の)入射側」、「(光の)出射側」とは、それぞれ、画像光(映像光)を得るための光の「入射側」、「出射側」のことを指し、外光等の「入射側」、「出射側」のことを指すものではない。
(透過型スクリーン)
まず、透過型スクリーンについて説明する。
図8に示すように、透過型スクリーン100は、マイクロレンズ部101と、フレネルレンズ部102とを備えている。
このような透過型スクリーン100では、投射レンズからの映像光が、フレネルレンズ部102によって屈折し、平行光Laとなる。そして、この平行光Laは、マイクロレンズ部101によって拡散する。
以下、透過型スクリーン100を構成する各部を詳細に説明する。
マイクロレンズ部101は、1対の凹部付き基板103、104と、1対の凹部付き基板103、104に狭持されたマイクロレンズ基板105とで構成されている。
凹部付き基板103には、マイクロレンズ基板105の多数のマイクロレンズ(凸レンズ)105aに対応する多数の凹部が形成されている。一方、凹部付き基板104には、マイクロレンズ基板105の多数の凸曲面105bに対応する多数の凹部が形成されている。
また、凹部付き基板103、104は、それぞれ、マイクロレンズ基板105とは異なる屈折率を有する材料で構成されている。これにより、マイクロレンズ基板105のマイクロレンズ105aおよび凸曲面105bのそれぞれの光学的特性を発揮することができる。
マイクロレンズ基板105は、前述した接合膜3と同様の材料で構成されている。すなわち、マイクロレンズ基板105は、後述する光学的な機能のほかに、前述した凹部付き基板103と凹部付き基板104とを接合する接合膜としての機能をも有する。このようなマイクロレンズ基板105は、前述した接合膜3と同様の方法を用いて形成することができる。
このようなマイクロレンズ基板105は、シリコーン材料を主材料として形成されたシリコーン部105cと、ギャップ材(スペーサ)105dとを有する。
ギャップ材105dは、シリコーン部105cと同程度の屈折率を有する材料で構成されている。このような材料で構成されたギャップ材105dを用いることにより、凹部付き基板103、104のそれぞれの凹部が形成された部位にギャップ材105dを配した場合であっても、ギャップ材105dが得られるマイクロレンズ基板105の光学特性に悪影響を及ぼすのを効果的に防止することができる。これにより、凹部付き基板103、104の主面(凹部が形成された面側)の広い領域に、比較的多くのギャップ材105dを配することが可能となり、結果として、凹部付き基板103、104のたわみ等による影響を効果的に排除し、マイクロレンズ基板105の厚さをより確実に制御することができる。
上述したように、ギャップ材105dは、シリコーン部105cと同程度の屈折率を有する材料で構成されているが、より具体的には、ギャップ材105dの構成材料の絶対屈折率とシリコーン部105cの絶対屈折率との差の絶対値が、0.20以下であるのが好ましく、0.10以下であるのがより好ましく、0.02以下であるのがさらに好ましく、シリコーン部105cとギャップ材105dとが同一の材料で構成されたものであるのが最も好ましい。
ギャップ材105dの形状は、特に限定されないが、略球状、略円柱状であるのが好ましい。ギャップ材105dがこのような形状のものである場合、その直径は、10〜300μmであるのが好ましく、30〜200μmであるのがより好ましく、30〜170μmであるのがさらに好ましい。
マイクロレンズ基板(レンズ基板)105は、透過型スクリーン100を構成する部材であり、図8に示すように、光の入射側には、複数個のマイクロレンズ(凸レンズ)105aが設けられ、出射側には、多数個の微小な凸曲面105bが設けられている。
マイクロレンズ105aの平面視した際の形状(以下、単に「マイクロレンズ105aの形状」ともいう)は、特に限定されないが、略円形または略楕円形(ただし、略俵形を含み、更に略円の上下をカットした形状を含む)であるのが好ましい。マイクロレンズ105aの形状が略円形または略楕円形であることにより、視野角特性を特に優れたものとすることができる。特に、水平方向および鉛直方向の視野角特性をともに優れたものとすることができる。
マイクロレンズ105aの直径(マイクロレンズ105aの形状が楕円形である場合には、その短軸方向の長さ)は、10〜500μmであるのが好ましく、30〜300μmであるのがより好ましく、50〜100μmであるのがさらに好ましい。マイクロレンズ105aの直径が前記範囲内の値であると、スクリーンに投影される画像において十分な解像度を保持しつつ、マイクロレンズ基板105(透過型スクリーン100)の生産性をさらに高めることができる。なお、マイクロレンズ基板105においては、隣接するマイクロレンズ105a−マイクロレンズ105a間のピッチは、10〜500μmであるのが好ましく、30〜300μmであるのがより好ましく、50〜100μmであるのがさらに好ましい。
また、マイクロレンズ105aの曲率半径(マイクロレンズ105aの形状が楕円形である場合には、その短軸方向についての曲率半径)は、5〜250μmであるのが好ましく、15〜150μmであるのがより好ましく、25〜50μmであるのがさらに好ましい。マイクロレンズ105aの曲率半径が前記範囲内の値であると、視野角特性を特に優れたものとすることができる。特に、水平方向および鉛直方向の視野角特性をともに優れたものとすることができる。
また、マイクロレンズ105aの配列方式は、特に限定されず、例えば、格子状、ハニカム状、千鳥状(千鳥格子状)等の周期的な配列であっても、光学的にランダムな配列(マイクロレンズ基板105の主面側から平面視したときに、各マイクロレンズ105aが互いにランダムな位置関係となるように配されたもの)であってもよいが、図2に示すような千鳥状の規則的な配列であるのが好ましい。これにより、液晶等のライトバルブやフレネルレンズとの干渉を効果的に防止し、モアレの発生をより効果的に防止することができるとともに、レンズ効果を最大に引き出すことができる。また、マイクロレンズ105aの配列がランダムな配列である場合、液晶等のライトバルブやフレネルレンズとの干渉をより効果的に防止することができ、モアレの発生をほぼ完全に無くすことが可能になる。これにより、表示品質の良い優れた透過型スクリーン100を得ることができる。
また、マイクロレンズ基板105を光の入射面側からみたときの、マイクロレンズ105aが形成されている有効領域において、マイクロレンズ(レンズ部)105aが占める面積(投影面積)の割合は、90%以上であるのが好ましく、96%以上であるのがより好ましい。マイクロレンズ105aが占める面積の割合が90%以上であると、マイクロレンズ105a以外を通過する直進光をより少なくすることができ、光利用効率をさらに向上させることができる。
一方、マイクロレンズ基板105の光の出射面側に設けられた多数個の微小な凸曲面(全反射防止部)105bは、その曲率半径が、前述したマイクロレンズ105aの曲率半径より大きいものである。このような凸曲面105bが設けられることにより、マイクロレンズ基板105の光の入射面(第1の面)側から入射した光が全反射するのを効果的に防止し、マイクロレンズ基板105中を効率良く透過させることができるとともに、マイクロレンズ基板105の光の出射面(第2の面)側から入射した光を効率良く乱反射させることができる。その結果、得られる画像のコントラストは特に優れたものとなる。
凸曲面105bの平面視した際の形状(以下、単に「凸曲面105bの形状」ともいう)は、特に限定されないが、マイクロレンズ105aの形状に対応する形状(相似形状)であるのが好ましい。より具体的には、マイクロレンズ105aの形状が略円形である場合には、凸曲面105bの形状も略円形であるのが好ましく、マイクロレンズ105aの形状が略楕円形である場合には、凸曲面105bの形状も略楕円形(より詳しくは、短軸長と長軸長の比が、マイクロレンズ105aのそれと実質的に同一である略楕円形)であるのが好ましい。これにより、入射光の透過率の低下によるコントラストの低下をより確実に防止することができる。
また、マイクロレンズ105aの頂部(平面視したときの中心)と、凸曲面105bの頂部(平面視したときの中心)とが、平面視した際に重なり合うような配置であるのが好ましい。これにより、これにより、入射光の透過率の低下によるコントラストの低下をより確実に防止することができる。
凸曲面105bの直径(凸曲面105bの形状が楕円形である場合には、その短軸方向の長さ)は、3.3〜25000μmであるのが好ましく、10〜5000μmであるのがより好ましく、30〜3000μmであるのがさらに好ましく、40〜2000μmであるのがもっとも好ましい。凸曲面105bの直径が前記範囲内の値であると、入射光の透過率の低下を効率良く防止することができるとともに、マイクロレンズ基板105の光の出射面側から入射した光を効率良く乱反射させることができる。その結果、得られる画像のコントラストは特に優れたものとなる。なお、マイクロレンズ基板105においては、隣接する凸曲面105b−凸曲面105b間のピッチは、3.3〜25000μmであるのが好ましく、10〜500μmであるのがより好ましく、30〜300μmであるのがさらに好ましく、50〜100μmであるのがもっとも好ましい。
また、凸曲面105bの曲率半径(凸曲面105bの形状が楕円形である場合には、その短軸方向方向についての曲率半径)は、15〜2500μmであるのが好ましく、18〜1500μmであるのがより好ましく、20〜750μmであるのがさらに好ましい。凸曲面105bの曲率半径が前記範囲内の値であると、入射光の透過率の低下を効率良く防止することができるとともに、マイクロレンズ基板105の光の出射面側から入射した光を効率良く乱反射させることができる。その結果、得られる画像のコントラストは特に優れたものとなる。
また、凸曲面105bの曲率半径をR[μm]、マイクロレンズ105aの曲率半径をR[μm]としたとき、3≦R/R≦100の関係を満足するのが好ましく、5≦R/R≦50の関係を満足するのがより好ましく、8≦R/R≦25の関係を満足するのがさらに好ましく、10≦R/R≦20の関係を満足するのがもっとも好ましい。このような関係を満足することにより、入射光の透過率の低下を効率良く防止することができるとともに、マイクロレンズ基板105の光の出射面側から入射した光を効率良く乱反射させることができる。その結果、得られる画像のコントラストは特に優れたものとなる。
また、凸曲面105bの配列方式は、特に限定されず、例えば、格子状、ハニカム状、千鳥状等の周期的な配列であっても、光学的にランダムな配列(マイクロレンズ基板105の主面側から平面視したときに、各マイクロレンズ105aが互いにランダムな位置関係となるように配されたもの)であってもよいが、マイクロレンズ105aの配列方式に対応するものであるのが好ましい。これにより、入射光の透過率の低下によるコントラストの低下をより確実に防止することができる。
また、マイクロレンズ基板105を光の入射面側(または光の出射面側)からみたとき(平面視したとき)の、マイクロレンズ105aが形成されている有効領域において、凸曲面105bが占める面積(投影面積)の割合は、50%以上であるのが好ましく、90%以上であるのがより好ましく、96%以上であるのがさらに好ましい。凸曲面105bが占める面積の割合が50%以上であると、外光反射によるコントラストの低下をより確実に防止することができる。
また、マイクロレンズ基板105は、図示しない遮光部(ブラックマトリックス)を備えていてもよい。これにより、得られる画像のコントラストをさらに優れたものとすることができる。
以上のように構成されたマイクロレンズ部101の凹部付き基板103の光の入射側の面には、フレネルレンズ部102が接合されている。
フレネルレンズ部102は、光(画像光)の入射側に設置されており、フレネルレンズ部102を透過した光が、マイクロレンズ基板105に入射する構成になっている。
フレネルレンズ部102は、出射側表面にほぼ同心円状に形成されたプリズム形状のフレネルレンズ106を有している。このフレネルレンズ106は、接合膜107を介して、凹部付き基板103の光の入射側の面に接合されている。
フレネルレンズ106は、投射レンズ(図示せず)からの画像光を屈折させ、マイクロレンズ基板105の主面の垂直方向に平行な平行光Laにするものである。
以上説明したように構成された透過型スクリーン100では、投射レンズからの映像光が、フレネルレンズ部102によって屈折し、平行光Laとなる。そして、この平行光Laは、マイクロレンズ基板105の各マイクロレンズ105aによって集光し、焦点を結んだ後に拡散する。
以下、前述した透過型スクリーン100を用いたリア型プロジェクタについて説明する。
図9は、図8に示す透過型スクリーンを備えるリア型プロジェクタの構成を模式的に示す図である。
同図に示すように、リア型プロジェクタ300は、投射光学ユニット310と、導光ミラー320と、透過型スクリーン100とが筐体340に配置された構成を有している。
そして、このリア型プロジェクタ300は、上記のような透過型スクリーン100を備えているので、コントラストに優れた画像を得ることができる。さらに、本実施形態では、上記のような構成を有しているので、視野角特性、光利用効率等も特に優れたものとなる。
以上本発明を透過型スクリーンに適用した例を説明したが、投射型表示装置(フロントプロジェクタ)の液晶ライトバルブの構成部材に本発明を適用することもできる。
また、前述した実施形態では、ギャップ材105dとして、シリコーン部105cと同程度の屈折率を有するものを用いるものとして説明したが、ギャップ材105dは、実質的に、凹部付き基板103、104の凹部が形成されていない領域のみ(非有効レンズ領域)に配されるものである場合、シリコーン部105cと同程度の屈折率を有するものでなくてもよい。
また、前述した実施形態では、マイクロレンズ基板105が全反射防止部として凸曲面105bを有するものとして説明したが、凸曲面105bを省略してもよい。
また、前述した実施形態では、透過型スクリーンが、マイクロレンズ基板(レンズ基板)とフレネルレンズとを備えるものとして説明したが、透過型スクリーンは、必ずしも、フレネルレンズを備えたものでなくてもよい。
また、前述した実施形態では、レンズ部として、マイクロレンズを備えた構成について説明したが、レンズ基板を構成するレンズ部(レンズ)は、これに限定されず、例えば、レンチキュラレンズであってもよい。
以上、本発明の接合体および接合方法を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
例えば、本発明の接合体では、必要に応じて、1以上の任意の構成を追加してもよいし、本発明の接合方法では、必要に応じて、1以上の任意の目的の工程を追加してもよい。
また、前述した接合体は、本実施形態で説明したような液滴吐出ヘッドや透過型スクリーン以外のものに適用可能であることは言うまでもない。具体的には、接合体は、例えば、半導体装置、MEMS、マイクロリアクタ等に適用することができる。
また、前述した実施形態では、ギャップ材32の間を密に埋めるようにシリコーン部31が形成されていたが、ギャップ材32の間にシリコーン部31が形成されていない領域があってもよい。この場合、例えば、液状材料中のシリコーン材料の含有量を少なくすればよい。
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
(実施例1)
まず、第1の基材として、縦20mm×横20mm×平均厚さ1mmの単結晶シリコン基板を用意し、第2の基材として、縦20mm×横20mm×平均厚さ1mmの石英ガラス基板を用意し、シリコン基板と石英ガラス基板との双方を、酸素プラズマによる下地処理を行った。
次に、シリコーン材料としてポリジメチルシロキサン骨格を有するものを含有し、溶媒としてトルエンおよびイソブタノールを含有する液体(信越化学工業社製、「KR−251」:粘度(25℃)18.0mPa・s)を用意した。
一方、ギャップ材として、球形で平均粒径10μmのシリカ粉末(セラミックス粉末)を用意した。
そして、上記の液体100gと、ギャップ材1gとを混合し、液状材料を得た。
この液状材料をインクジェット法により5pLの液滴としてシリコン基板上に供給して、液状被膜を形成した。
次に、この液状被膜を介してシリコン基板と石英ガラス基板とを貼り合わせた。
次に、この液状被膜を、100℃で30分間乾燥させることにより、接合膜(平均厚さ:約10μm)を形成した。
また、接合体の最大厚さと最小厚さとの差(厚さのバラツキ)は、0.8μmであった。
次に、石英ガラス基板を介して接合膜に、以下に示す条件で紫外線を照射した。
<紫外線照射条件>
・雰囲気ガスの組成 :大気(空気)
・雰囲気ガスの温度 :20℃
・雰囲気ガスの圧力 :大気圧(100kPa)
・紫外線の波長 :172nm
・紫外線の照射時間 :5分
このとき、シリコン基板と石英ガラス基板とを3MPaで加圧しつつ、80℃で加熱し、15分間維持した。
以上のようにして、シリコン基板と石英ガラス基板とが接合膜を介して接合された接合体を得た。
この接合体(積層体)のシリコン基板と石英ガラス基板との間の接合強度を、QUAD GROUP社製「ロミュラス」)を用いて測定したところ、10MPa以上であった。
次に、得られた積層体が備える接合膜に、以下に示す条件で紫外線を照射することにより、シリコン基板から石英ガラス基板を剥離した。
<紫外線照射条件>
・雰囲気ガスの組成 :Nガス
・雰囲気ガスの温度 :20℃
・雰囲気ガスの圧力 :大気圧(100kPa)
・紫外線の波長 :172nm
・紫外線の照射時間 :30分
(実施例2)
ギャップ材として、シリカ粉末に代えて、ポリエチレン製の樹脂粉末を用いた以外は、前述した実施例1と同様にして接合体を得た後、その接合体の接合膜に紫外線を照射した。
本実施例2においても、前記実施例1と同様に、接合膜(平均厚さ:約10μm)が形成され、接合体のシリコン基板と石英ガラス基板との間の接合強度が10MPa以上であった。また、接合体の最大厚さと最小厚さとの差(厚さのバラツキ)は、1.0μmであった。
そして、このような積層体が備える接合膜に紫外線を照射することにより、シリコン基板から石英ガラス基板を剥離することができた。特に、本実施例2では、前述した実施例1よりも短時間で、シリコン基板から石英ガラス基板を剥離することができた。
(実施例3)
ギャップ材として、シリカ粉末に代えて、銅製の金属粉末を用いた以外は、前述した実施例1と同様にして接合体を得た後、その接合体の接合膜に紫外線を照射した。
本実施例3においても、前記実施例1と同様に、接合膜(平均厚さ:約10μm)が形成され、積層体のシリコン基板と石英ガラス基板との間の接合強度が10MPa以上であった。また、接合体の最大厚さと最小厚さとの差(厚さのバラツキ)は、0.8μmであった。
そして、このような積層体が備える接合膜に紫外線を照射することにより、シリコン基板から石英ガラス基板を剥離することができた。また、本実施例3では、前述した実施例2よりは時間を要したものの、前述した実施例1よりも短時間で、シリコン基板から石英ガラス基板を剥離することができた。
(実施例4)
ギャップ材として、シリカ粉末に加えて、ポリエチレン製の樹脂粉末を用いた以外は、前述した実施例1と同様にして接合体を得た後、その接合体の接合膜に紫外線を照射した。
ここで、上記の液体(信越化学工業社製、「KR−251」:粘度(25℃)18.0mPa・s)100gと、シリカ粉末1gと、樹脂粉末0.5gとを混合して液状材料を得た。また、シリカ粉末の平均粒径は10μm、樹脂粉末の平均粒径は12μmであった。
本実施例4においても、前記実施例1と同様に、接合膜(平均厚さ:約10μm)が形成され、積層体のシリコン基板と石英ガラス基板との間の接合強度が10MPa以上であった。また、接合体の最大厚さと最小厚さとの差(厚さのバラツキ)は、0.9μmであった。
そして、このような積層体が備える接合膜に紫外線を照射することにより、シリコン基板から石英ガラス基板を剥離することができた。特に、本実施例4では、前述した実施例2よりも短時間で、シリコン基板から石英ガラス基板を剥離することができた。
(実施例5)
ギャップ材として、金属粉末に加えて、ポリエチレン製の樹脂粉末を用いた以外は、前述した実施例3と同様にして接合体を得た後、その接合体の接合膜に紫外線を照射した。
ここで、上記の液体(信越化学工業社製、「KR−251」:粘度(25℃)18.0mPa・s)100gと、金属粉末1gと、樹脂粉末0.5gとを混合して液状材料を得た。また、金属粉末の平均粒径は10μm、樹脂粉末の平均粒径は8μmであった。
本実施例5においても、前記実施例1と同様に、接合膜(平均厚さ:約10μm)が形成され、積層体のシリコン基板と石英ガラス基板との間の接合強度が10MPa以上であった。また、接合体の最大厚さと最小厚さとの差(厚さのバラツキ)は、0.8μmであった。
そして、このような積層体が備える接合膜に紫外線を照射することにより、シリコン基板から石英ガラス基板を剥離することができた。また、本実施例5では、前述した実施例4よりも時間を要したものの、前述した実施例2よりも短時間で、シリコン基板から石英ガラス基板を剥離することができた。
本発明の接合体の実施形態を示す縦断面図である。 本発明の接合体の製造方法(接合方法)を説明するための図(縦断面図)である。 本発明の接合体の製造方法(接合方法)を説明するための図(縦断面図)である。 図1に示す接合体を剥離する過程を説明するための図(縦断面図)である。 本発明の接合体を適用したインクジェット式記録ヘッド(液滴吐出ヘッド)を示す分解斜視図である。 図5に示すインクジェット式記録ヘッドの主要部の構成を示す断面図である。 図5に示すインクジェット式記録ヘッドを備えるインクジェットプリンタの実施形態を示す概略図である。 本発明の接合体を適用した透過型スクリーンの好適な実施形態を示す模式的な縦断面図である。 図8に示す透過型スクリーンを備えるリア型プロジェクタの構成を模式的に示す図である。
符号の説明
1……接合体 21……第1の基材 22……第2の基材 23、24……接合面 3……接合膜 3A……液状被膜 31……シリコーン部 31A……液体 32……ギャップ材 33、34……表面 35……液滴 300……リア型プロジェクタ 310……投射光学ユニット 320……導光ミラー 340……筐体 10……インクジェット式記録ヘッド 11……ノズル板 100……透過型スクリーン 101……マイクロレンズ部 102……フレネルレンズ部 103、104……凹部付き基板 105……マイクロレンズ基板 105a……マイクロレンズ 105b……凸曲面 105c……シリコーン部 105d……ギャップ材 106……フレネルレンズ 107……接合膜 111……ノズル孔 114……被膜 12……インク室基板 121……インク室 122……側壁 123……リザーバ室 124……供給口 13……振動板 131……連通孔 14……圧電素子 141……上部電極 142……下部電極 143……圧電体層 16……基体 161……凹部 162……段差 17……ヘッド本体 9……インクジェットプリンタ 92……装置本体 921……トレイ 922……排紙口 93……ヘッドユニット 931……インクカートリッジ 932……キャリッジ 94……印刷装置 941……キャリッジモータ 942……往復動機構 943……キャリッジガイド軸 944……タイミングベルト 95……給紙装置 951……給紙モータ 952……給紙ローラ 952a……従動ローラ 952b……駆動ローラ 96……制御部 97……操作パネル P……記録用紙

Claims (12)

  1. 第1の基材と、
    第2の基材と、
    前記第1の基材の接合面と前記第2の基材の接合面とを接合する接合膜とを有する接合体であって、
    前記接合膜は、シリコーン材料を含有し、
    前記接合膜は、その少なくとも一部の領域に接合用エネルギーを付与したことにより前記接合膜の表面付近の前記領域に発現した接着性によって、前記第1の部材と前記第2の部材とを接合しており、
    前記接合膜には、前記第1の基材と前記第2の基材との間の距離を規制する機能を有する複数のギャップ材が設けられ
    前記複数のギャップ材は、樹脂材料を主材料として構成された複数の樹脂微粒子と、
    前記複数の樹脂微粒子の他に、ガラスを主材料として構成された複数のガラス微粒子と、セラミックス材料を主材料として構成された複数のセラミックス微粒子と、金属を主材料として構成された複数の金属微粒子とのうちの少なくとも一種からなる複数の微粒子とを含み、
    当該複数の微粒子の平均粒径が前記複数の樹脂微粒子の平均粒径よりも小さく、前記各樹脂微粒子は、前記接合膜中にその厚さ方向に弾性変形した状態で存在していることを特徴とする接合体。
  2. 前記各接合面は、平坦面をなしている請求項に記載の接合体。
  3. 前記接合膜は、前記接合膜に剥離用エネルギーを付与して、前記シリコーン材料を構成する分子結合の一部を切断することにより、前記接合膜内にへき開を生じさせて、前記第1の基材から前記第2の基材を剥離し得るように構成されている請求項1または2に記載の接合体。
  4. 前記接合膜は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、および、前記接合膜を加熱する方法のうちの少なくとも一方の方法により前記剥離用エネルギーを付与することにより、前記へき開を生じるように構成されている請求項に記載の接合体。
  5. 前記エネルギー線は、紫外線である請求項に記載の接合体。
  6. 前記第1の基材および前記第2の基材のうちの少なくとも一方の基材は、前記紫外線に対する透過性を有する請求項に記載の接合体。
  7. 前記加熱の温度は、100〜400℃である請求項に記載の接合体。
  8. 前記接合膜は、大気中で前記剥離用エネルギーを付与することにより前記へき開を生じ得るように構成されている請求項ないしのいずれかに記載の接合体。
  9. 前記シリコーン材料は、その主骨格がポリジメチルシロキサンで構成される請求項1ないしのいずれかに記載の接合体。
  10. 前記シリコーン材料は、シラノール基を有する請求項1ないしのいずれかに記載の接合体。
  11. 前記接合膜の平均厚さは、1〜300μmである請求項1ないし10のいずれかに記載の接合体。
  12. 第1の基材および第2の基材の少なくとも一方の基材の表面に、シリコーン材料および複数のギャップ材を含有する液状材料を付与することにより、所定形状にパターニングされた液状被膜を形成する工程と、
    前記各ギャップ材が前記第1の基材と前記第2の基材との間の距離を規制した状態で、前記液状被膜を介して前記第1の基材と前記第2の基材とを貼り合わせる工程と、
    前記規制した状態を維持しつつ、前記液状被膜を乾燥して、前記所定形状にパターニングされた接合膜を得る工程と、
    前記接合膜に接合用エネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に接着性を発現させ、当該接合膜を介して前記第1の基材と前記第2の基材とを接合する工程とを有し、
    前記複数のギャップ材は、樹脂材料を主材料として構成された複数の樹脂微粒子と、
    前記複数の樹脂微粒子の他に、ガラスを主材料として構成された複数のガラス微粒子と、セラミックス材料を主材料として構成された複数のセラミックス微粒子と、金属を主材料として構成された複数の金属微粒子とのうちの少なくとも一種からなる複数の微粒子とを含み、
    当該複数の微粒子の平均粒径が前記複数の樹脂微粒子の平均粒径よりも小さく、前記規制した状態において、前記各樹脂微粒子は、前記接合膜中にその厚さ方向に弾性変形した状態で存在することを特徴とする接合方法。
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