JP2005285313A - キャッシュ読み出し動作を実行する装置およびその方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置からM(Mは2より大きい整数)データを読み出す方法において、不揮発性メモリのセルアレイからページバッファに第1データを伝送する段階と、ページバッファから第1バッファ対に前記第1データを同時に伝送し、不揮発性メモリのセルアレイからページバッファに第2データを伝送する段階と、前記第1バッファ対からホストに前記第1データを同時に伝送し、ページバッファから第2バッファ対に前記第2データを伝送し、そして不揮発性メモリのセルアレイからページバッファに第3データを伝送する段階とを含む。
【選択図】図8
Description
110 メモリセルアレイ
120 Xデコーダ
130_0−130_n ページバッファ
131 ラッチ
140 列ゲート回路
150 Yデコーダ
160 充放電回路
170 制御回路
Claims (48)
- 半導体装置からM(Mは2より大きい整数)データを読み出す方法において、
不揮発性メモリのセルアレイからページバッファに第1データを伝送する段階と、
ページバッファから第1バッファ対に前記第1データを同時に伝送し、不揮発性メモリのセルアレイからページバッファに第2データを伝送する段階と、
前記第1バッファ対からホストに前記第1データを同時に伝送し、ページバッファから第2バッファ対に前記第2データを伝送し、そして不揮発性メモリのセルアレイからページバッファに第3データを伝送する段階とを含むことを特徴とする読み出し方法。 - 前記第1データ、前記第2データ、および前記第3データはページデータであることを特徴とする請求項1に記載の読み出し方法。
- 前記不揮発性メモリのセルアレイと前記ページバッファとの間の伝送はページに増加することを特徴とする請求項1に記載の読み出し方法。
- 前記ページバッファと前記バッファ対との間の伝送はページに増加することを特徴とする請求項1に記載の読み出し方法。
- 前記ページバッファからバッファ対に前記第1データを伝送する段階は前記メモリセルアレイの前記第2データのビットラインディスチャージと同時に行われることを特徴とする請求項1に記載の読み出し方法。
- 前記ページバッファから前記一つのバッファ対に同時に伝送する段階と前記他のバッファ対から各Mページのホストに同時に伝送する段階が繰り返す読み出し段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の読み出し方法。
- 前記ページバッファから前記一つのバッファ対にデータのMページを読み出す段階は前記ページバッファから前記一つのバッファ対にデータを伝送する段階と不揮発性メモリセルのビットラインにセルデータを設定する段階を含むことを特徴とする請求項6に記載の読み出し方法。
- 前記ページバッファから前記一つのバッファ対にデータを読み出す段階は第1キャッシュ読み出し命令によって初期化されることを特徴とする請求項6に記載の読み出し方法。
- 前記ページバッファから前記一つのバッファ対にデータのMページを読み出す段階は前記ページバッファから前記一つのバッファ対にデータのM番目のページを伝送する段階と前記一つのバッファ対から前記他のバッファ対にデータの(M−1)番目のページのそれぞれを伝送する段階と、前記不揮発性メモリセルのビットラインをセルデータに設定する段階とを含むことを特徴とする請求項6に記載の読み出し方法。
- 前記不揮発性メモリのセルアレイから前記ページバッファにページデータを伝送する時間は前記ページバッファから前記一つのバッファ対にページデータを伝送する時間と前記一つのバッファ対から前記ホストにページデータを伝送する時間とより長いことを特徴とする請求項1に記載の読み出し方法。
- 前記ページバッファから前記一つのバッファ対にページデータを伝送する時間と、前記バッファ対から前記ホストにページデータを伝送する時間と、は前記不揮発性メモリのセルアレイから前記ページバッファにページデータを伝送する時間に隠されていることを特徴とする請求項1に記載の読み出し方法。
- M(Mは2より大きい整数)データの貯蔵のための不揮発性メモリのセルアレイと、
複数個のページバッファと、
バッファの対と、
前記不揮発性メモリのセルアレイから前記ページバッファに第1データを伝送し、前記ページバッファから前記第1バッファ対に前記第1データを同時伝送し、前記不揮発性メモリのセルアレイから前記ページバッファに第2データを読み出し、前記第1バッファ対からホストに前記第1データを同時伝送し、前記ページバッファから前記第2バッファ対に前記第2データを伝送し、前記不揮発性メモリのセルアレイから前記ページバッファに第3データを読み出すための前記不揮発性メモリのセルアレイ、前記ページバッファ、およびバッファの対を制御するコントローラを含む半導体装置。 - 前記ページバッファは単一ラッチ形態のページバッファであることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。
- 前記コントローラは前記不揮発性メモリのセルアレイ、前記ページバッファ、およびホストに伝送されたMページのそれぞれの前記バッファ対を制御することを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。
- 前記ページバッファから前記一つのバッファ対にデータのMページを読み出すことは前記ページバッファから前記一つのバッファ対にデータのM番目のページを伝送することと、前記不揮発性メモリのビットラインをセルデータに設定することとを含むことを特徴とする請求項14に記載の半導体装置。
- 前記ページバッファから前記一つのバッファ対にデータのMページを読み出すことは第1キャッシュ読み出し命令によって初期化されることを特徴とする請求項15に記載の半導体装置。
- 前記不揮発性メモリのセルアレイから前記ページバッファにページデータを伝送する時間は前記ページバッファから前記一つのバッファ対にページデータを伝送する時間と前記一つのバッファ対から前記ホストにページデータを伝送する時間より長いことを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。
- 前記ページバッファから前記一つのバッファ対にページデータを伝送する時間と前記バッファ対から前記ホストにページデータを伝送する時間は前記不揮発性メモリのセルアレイから前記ページバッファにページデータを伝送する時間に隠されていることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。
- 前記バッファの対はRAMであることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。
- 前記バッファの対はSRAMであることを特徴とする請求項19に記載の半導体装置。
- 前記不揮発性メモリのセルアレイ、ページバッファ、前記バッファ対、前記コントローラは単一チップの基板に構成されることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。
- 前記半導体装置はOne−NANDフラッシュメモリ装置であることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。
- 前記不揮発性メモリのセルアレイは複数個のメモリブロックを含むことを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。
- 各メモリブロックはメイン領域とスペア領域とに区分されることを特徴とする請求項23に記載の半導体装置。
- それぞれのバッファ対は複数個のセクタを含み、セクタの一番目はメイン領域になり、セクタの二番目はスペア領域で構成されることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。
- 半導体装置からM(Mは2より大きい整数)データのキャッシュ読み出し方法において、
第1バッファからホストに第1データを同時伝送する段階と、ページバッファから第2バッファに第2データを伝送する段階と、不揮発性メモリのセルアレイから前記ページバッファに第3データを読み出す段階とを含むことを特徴とするキャッシュ読み出し方法。 - 前記Mページのそれぞれに対する読み出し段階と同時伝送段階とを繰り返すことを特徴とする請求項26に記載のキャッシュ読み出し方法。
- 前記ページバッファから前記第1と第2バッファにデータのMページキャッシュ読み出し段階は、前記ページバッファから前記第1と第2バッファにデータのM番目のページを伝送する段階と、前記不揮発性メモリセルのビットラインをセルデータに設定する段階と、を含むことを特徴とする請求項27に記載のキャッシュ読み出し方法。
- 前記ページバッファから前記第1と第2バッファにデータのMページキャッシュ読み出し段階は第1キャッシュ読み出し命令によって初期化されることを特徴とする請求項28に記載のキャッシュ読み出し方法。
- 前記不揮発性メモリのセルアレイから前記ページバッファにページデータを伝送する時間は前記ページバッファから前記一つのバッファ対にページデータを伝送する時間と前記一つのバッファ対から前記ホストにページデータを伝送する時間より長いことを特徴とする請求項26に記載のキャッシュ読み出し方法。
- 前記ページバッファから前記一つのバッファ対にページデータを伝送する時間と前記バッファ対から前記ホストにページデータを伝送する時間は前記不揮発性メモリのセルアレイから前記ページバッファにページデータを伝送する時間に隠されていることを特徴とする請求項26に記載のキャッシュ読み出し方法。
- tRは読み出し動作時間、tTはバッファ伝送時間、 およびtHはホスト伝送時間であるとき、半導体装置とホスト装置との間に全体伝送時間が減少するように、tR、 tT、およびtHのうちの少なくとも二つが重複されるコントローラを含むことを特徴とする半導体装置。
- 不揮発性メモリアレイと単一ラッチページバッファとをさらに含み、ここで、tRが前記不揮発性メモリアレイと前記単一ページバッファとの間の読み出し動作時間を示すことを特徴とする請求項32に記載の半導体装置。
- 不揮発性メモリアレイと二つのバッファとをさらに含み、ここで、tTは単一ラッチページバッファと前記二つのバッファとの間のバッファ伝送時間を示すことを特徴とする請求項32に記載の半導体装置。
- もし前記データが前記半導体装置のバッファにあれば、tRとtTは重複されて重なることを特徴とする請求項32に記載の半導体装置。
- もしデータが前記半導体装置と連結されたホストにあれば、tRとtHは重複されて重なることを特徴とする請求項32に記載の半導体装置。
- もしデータが前記半導体装置のバッファと前記半導体装置と連結されたホストにあれば、tR、tT、およびtHは重複されて重なることを特徴とする請求項32に記載の半導体装置。
- 第1メモリセルのデータでビットラインを設定する段階と、
前記ビットライン上のデータをレジスタ内に貯蔵する段階とを含み、前記レジスタ内に貯蔵されたデータは第2メモリセルに貯蔵されたデータに前記ビットラインを設定する間データバスに伝送されるメモリ装置の読み出し方法。 - 前記設定段階の後に、そして前記貯蔵段階の前に、前記レジスタを初期化する段階をさらに含むことを特徴とする請求項38に記載の読み出し方法。
- スイッチ回路を通じて前記レジスタを前記データバスに電気的に連結することによって前記レジスタが初期化されることを特徴とする請求項39に記載の読み出し方法。
- 前記設定段階は、
前記ビットラインを初期化する段階と、
前記ビットラインをプリチャージ電圧にプリチャージする段階と、
前記第1と第2メモリセルに貯蔵されたデータが前記ビットライン上に反映されるようにする段階とを含むことを特徴とする請求項38に記載の読み出し方法。 - 前記ビットラインの初期化動作は前記レジスタの状態がそのまま維持された状態で行われることを特徴とする請求項41に記載の読み出し方法。
- 前記第1および第2メモリセルはフラッシュメモリセルを含むことを特徴とする請求項38に記載の読み出し方法。
- 前記レジスタは前記ビットラインと連結されるように、そして前記ビットライン上のデータを貯蔵するように構成されたラッチを含むことを特徴とする請求項38に記載の読み出し方法。
- 第1メモリセルのビットラインを初期化する段階と、
前記ビットラインをプリチャージ電圧でそれぞれプリチャージする段階と、
メモリセルに貯蔵されたデータが前記ビットライン上に反映されるようにする段階と、
前記ビットラインにそれぞれ対応するレジスタを初期化する段階と、
前記ビットライン上のデータを前記対応するレジスタにそれぞれ貯蔵する段階とを含み、
前記レジスタ内に貯蔵されたデータは第2メモリセルに貯蔵されたデータで前記ビットラインを設定する初期化、プリチャージング、反映の段階を実行する間外部に出力されることを特徴とするメモリ装置の読み出し方法。 - スイッチ回路を通じて前記レジスタを前記データバスに電気的に連結することによって前記レジスタが初期化されることを特徴とする請求項45に記載の読み出し方法。
- 前記ビットラインの初期化動作は前記レジスタの状態がそのまま維持された状態で行われることを特徴とする請求項45に記載の読み出し方法。
- 前記レジスタのそれぞれは対応するビットラインと連結されるように、そして前記対応するビットライン上のデータを貯蔵するように構成されたラッチを含むことを特徴とする請求項45に記載の読み出し方法。
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