JP2006286179A - OneNANDフラッシュメモリ及びそれを含んだデータ処理システム - Google Patents
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Abstract
【課題】OneNANDフラッシュメモリ及びそれを含んだデータ処理システムを提供する。
【解決手段】制御ロジックは、同期バーストブロック読み出し動作のための不揮発性メモリコアのアドレス及び命令情報を貯蔵するように構成されたレジスタを具備し、選択されたメモリブロックのページに対するデータ読み出し動作が前記レジスタの再設定なしに前記貯蔵されたアドレス及び命令情報に応じて連続して実行されるように不揮発性メモリコアを制御し、各データ読み出し区間の間ページバッファ内のデータが第1及び第2バッファメモリに交互に伝送されるように不揮発性メモリコア及び前記第1及び第2バッファメモリを制御し、ページバッファ内のデータが第1及び第2バッファメモリに全部伝送される際インタラプト信号を非活性化させ、第1及び第2バッファメモリ内のデータが全部クロック信号に同期して外部に伝送される際、前記インタラプト信号を活性化させる。
【選択図】図3
【解決手段】制御ロジックは、同期バーストブロック読み出し動作のための不揮発性メモリコアのアドレス及び命令情報を貯蔵するように構成されたレジスタを具備し、選択されたメモリブロックのページに対するデータ読み出し動作が前記レジスタの再設定なしに前記貯蔵されたアドレス及び命令情報に応じて連続して実行されるように不揮発性メモリコアを制御し、各データ読み出し区間の間ページバッファ内のデータが第1及び第2バッファメモリに交互に伝送されるように不揮発性メモリコア及び前記第1及び第2バッファメモリを制御し、ページバッファ内のデータが第1及び第2バッファメモリに全部伝送される際インタラプト信号を非活性化させ、第1及び第2バッファメモリ内のデータが全部クロック信号に同期して外部に伝送される際、前記インタラプト信号を活性化させる。
【選択図】図3
Description
本発明は半導体メモリ装置に係り、さらに具体的には不揮発性半導体メモリ装置に関する。
半導体メモリ装置は大きく揮発性半導体メモリ装置と不揮発性半導体メモリ装置とに区別される。揮発性半導体メモリ装置において、ロジック情報はスタティックランダムアクセスメモリの場合、双安定フリップフロップのロジック状態を設定することによって、またはダイナミックランダムアクセスメモリの場合、キャパシタの充電を通じて貯蔵される。揮発性半導体メモリ装置の場合、電源が印加される間データが貯蔵されて読み出され、電源が遮断される際データは消失する。
MROM、PROM、EPROM、EEPROMなどのような不揮発性半導体メモリ装置は電源が遮断されてもデータを貯蔵することができる。不揮発性メモリデータ貯蔵状態は使用される製造技術に応じて永久的、または再プログラム可能になる。不揮発性半導体メモリ装置はコンピュータ、航空電子工学、通信、及び消費者電子技術産業のような広範囲の応用でプログラム及びマイクロコードの貯蔵のために使用される。単一チップで揮発性及び不揮発性メモリ貯蔵モードの組合がはやくて、再プログラム可能な不揮発性メモリを要求するシステムで、不揮発性RAM(nvRAM)のような装置でも使用可能である。さらに、応用志向業務のための性能を最適化させるためにいくつかの追加的なロジック回路を含む特定メモリ構造が開発されている。
不揮発性半導体メモリ装置において、MROM、PROM及びEPROMはシステムの自体的に消去及び書き込みが自由ではなく、ユーザが記憶内容を新しくするのが容易ではない。これに反して、EEPROMは電気的に消去及び書き込みが可能なので、継続的な更新が必要なシステムプログラミング(system programming)や補助記憶装置への応用が拡がっている。特にフラッシュEEPROM(以下、フラッシュメモリという)は既存のEEPROMに比べて集積度が高くて大容量補助記憶装置への応用に非常に有利である。フラッシュメモリのうちでもNANDフラッシュメモリはNORフラッシュメモリに比べて集積度がかなり高い。これによって、一般的に、NAND型フラッシュメモリは大容量のデータの貯蔵に使用され、NORフラッシュメモリは少容量のブートコードのようなコードデータの貯蔵に使用される。
図1は一般的なデータ処理システムのメモリ構造を概略的に示すブロック図である。図1に示したデータ処理システム1は、例えば、モバイルフォンであり、NANDフラッシュメモリ2、NORフラッシュメモリ3、DRAM4、及びCPU5を含む。NANDフラッシュメモリ2は一般データを貯蔵するために提供され、NORフラッシュメモリ3はプログラムコードを貯蔵するために提供される。DRAM4はワークメモリ(work memory)として使用される。図1に示したメモリ構造を利用したシステムは用途に応じて個別的に多様なメモリが提供されなければならないという短所を有する。すなわち、図1に示したメモリ構成はシステムの構築において費用増加の原因になる。また、NANDフラッシュメモリ2、NORフラッシュメモリ3、及びDRAM4を制御するためのメモリコントローラ5、6、7が要求されるので、システムの全般的な制御(例えば、バス構造)が複雑になる。
図1に示したメモリ構造による短所を解決するための多大な努力がなされている。このような短所を解決するための一方案として、統合メモリ構造(unified memory architecture)が提案された。提案された統合メモリ構造を有するシステム10を概略的に示すブロック図を図2に示す。統合メモリ構造によると、NORフラッシュメモリに貯蔵されたプログラムコードはOneNANDフラッシュメモリに貯蔵されて使用される。図2に示したように、OneNANDフラッシュメモリ11はデータを貯蔵するためのデータ領域11aとプログラムコードを貯蔵するためのコード領域11bとを含む。統合メモリ構造の場合、NORフラッシュメモリ及び対応するメモリコントローラを使用しなくて、統合メモリ構造を有するシステム10は費用が節減して、かつバス構造が単純化になるという長所を有する。
統合メモリ構造を有するシステム10において、ブートアップの際、重要なコード(critical code)はDRAMに常在させ、特定コードはシステムが要する際、よく知られたデマンドページング(demand−paging)機能によってDRAM12に伝送される。デマンドページング機能を使用する場合、可能なかぎり速い速度でOneNANDフラッシュメモリ11からDRAM12にデータが伝送されなければならない。
したがって、図2に示したような統合メモリ構造を有するシステムはNANDフラッシュメモリ11からDRAM12へのかなり速いデータ伝送速度を必要とする。
本発明の目的は、読み出し速度を向上させることができるOneNANDフラッシュメモリを提供することにある。
上述の目的を解決するために、本発明のOneNANDフラッシュメモリは第1及び第2バッファメモリと、各々が複数のページで構成されたメモリブロックと選択されたメモリブロックからデータを読み出すためのページバッファを含んだ不揮発性メモリコアと、前記第1及び第2バッファメモリと前記不揮発性メモリコアとを制御する制御ロジックとを含む。前記制御ロジックは同期バーストブロック読み出し動作のための前記不揮発性メモリコアのアドレス及び命令情報を貯蔵するように構成されたレジスタを具備して、前記制御ロジックは前記選択されたメモリブロックのページに対するデータ読み出し動作が前記レジスタの再設定なしに前記貯蔵されたアドレス及び命令情報に応じて連続して実行されるように前記不揮発性メモリコアを制御して、前記制御ロジックは前記各データ読み出し区間の間前記ページバッファ内のデータが前記第1及び第2バッファメモリに交互に伝送されるように前記不揮発性メモリコア及び前記第1及び第2バッファメモリを制御し、前記制御ロジックは前記ページバッファ内のデータが前記第1及び第2バッファメモリに全部伝送される際、インタラプト信号を非活性化させ、前記第1及び第2バッファメモリ内のデータが全部クロック信号に同期されて外部に伝送される際、前記インタラプト信号を活性化させる。
この実施形態において、前記アドレス及び命令情報はブロックアドレス情報、ページアドレス情報、ページ個数情報、及び読み出し命令情報を含む。
この実施形態において、前記制御ロジックはチップイネーブル信号に応答して前記1及び第2バッファメモリから出力されるデータのフェッチ時点を知らせるためのレディー信号を出力する。
この実施形態において、前記チップイネーブル信号は前記インタラプト信号の非活性化の際、活性化され、前記インタラプト信号の活性化の際、非活性化される。
この実施形態において、前記第1及び第2バッファメモリに貯蔵されたデータの初期アドレスは前記チップイネーブル信号の活性化の際に外部から前記制御ロジックへ印加される。
この実施形態において、前記制御ロジックは前記初期アドレス及び前記クロック信号に応答して前記第1及び第2バッファメモリに供給される一連のアドレスを発生するアドレス発生回路をさらに含む。
この実施形態において、前記制御ロジックは前記アドレス発生回路によって生成されたアドレスに基づいて、前記第1及び第2バッファメモリ内のすべてのデータが外部に出力されたか否かを判断する。
この実施形態において、前記制御ロジックは前記初期アドレスの入力の後に外部から印加されるアドレスに基づいて、前記第1及び第2バッファメモリ内のすべてのデータが外部に出力されたか否かを判断する。
この実施形態において、前記制御ロジックは前記不揮発性メモリコアから前記第1及び第2バッファメモリに伝送されるデータのエラーを検出して訂正するエラー訂正コード回路をさらに含む。
この実施形態において、前記エラー訂正コード回路は前記ページアドレス情報及び前記ページ個数情報によって指定されるページの各々の2ビットエラー情報を前記レジスタに累積するように構成される。
この実施形態において、前記レジスタに累積した2ビットエラー情報は外部によって参照され、2ビットエラーが生じたメモリブロックはバッドブロックとして処理される。
この実施形態において、前記エラー訂正コード回路は前記不揮発性メモリコアから前記第1及び第2バッファメモリに伝送されるデータに2ビットエラーが発生する際、前記同期バーストブロック読み出し動作を中止させ、2ビットエラーの発生を外部に知らせる。
この実施形態において、前記各データ読み出し区間は前記第1及び第2バッファメモリ内のすべてのデータが外部に伝送される区間より長い。
この実施形態において、前記各データ読み出し区間は前記第1及び第2バッファメモリ内のすべてのデータが外部に伝送される区間より短い。前記制御ロジックは前記第1及び第2バッファメモリから外部へのデータ伝送が完了した後、前記ページバッファ内のデータが前記第1及び第2バッファメモリに伝送されるように前記不揮発性メモリコア及び前記第1及び第2バッファメモリを制御する。
同期バーストブロック読み出し動作がOneNANDフラッシュメモリによって制御されることによってCPUの負担を減らすことができ、速い速度で所望する分量のデータをDRAMにロードすることが可能である。
上述の一般的な説明及び次の詳細な説明の全部は例示的であり、請求された発明の付加的な説明が提供されると理解されなければならない。
参照符号は本発明の望ましい実施形態に詳細に表示されており、その例が参照の図に表示されている。同一の参照番号が同一、または類似の部分を参照するために説明及び図面に使用される。
以下、OneNANDフラッシュメモリを具備したデータ処理システムが本発明の特徴及び機能を説明するための一例として使用される。しかし、この技術分野の通常の知識を有する者はここに記載した内容によって本発明の他の利点及び性能を容易に理解できるであろう。また本発明は他の実施形態を通じて実現または適用可能である。さらに、詳細な説明は本発明の範囲、技術的思想、及び他の目的から逸脱せず、観点及び応用に応じて修正、または変更が可能である。
図3は本発明によるデータ処理システムを概略的に示すブロック図である。
図3を参照すると、本発明によるデータ処理システム100は中央処理装置CPU110、DMA120、第1及び第2メモリコントローラ130、140、ワークメモリとして使用されるDRAM150、及びOneNANDフラッシュメモリ160を含む。DRAM150及びOneNANDフラッシュメモリ160は第1メモリコントローラ130及び第2メモリコントローラ140によって各々制御される。本発明によるデータ処理システム100は統合メモリ構造を有し、図2で説明されたデマンドページング機能を支援する。OneNANDフラッシュメモリ160は統合メモリ構造に応じて一般データだけでなく、プログラムコードを貯蔵する。本発明によるデータ処理システム100の場合、ブートアップの際、重要なコードはDRAM150に常在する。また、特定コードはシステムが要する際、デマンドページング(demand−paging)機能によってDRAM150に伝送される。特に、本発明によるデータ処理システム100の場合、一定量のデータ(例えば、プログラムコードデータまたは/及び一般データ)はCPU110の関与なしにOneNANDフラッシュメモリ160からDRAM150にロードし、これは以後詳細に説明する。
図4は図3に示したOneNANDフラッシュメモリを概略的に示すブロック図である。
図4を参照すると、OneNANDフラッシュメモリ160はメモリコントローラ140の制御に応じてデータ読み出し/書き込み動作を実行する。OneNANDフラッシュメモリ160は不揮発性メモリコア(non−volatile memory core)161、第1バッファメモリ162、第2バッファメモリ163、及び制御ロジック164を含む。不揮発性メモリコア161は不揮発性メモリセルアレイ210とページバッファ220とを含み、制御ロジック164によって制御される。第1及び第2バッファメモリ162、163の各々は個別的に読み出し/書き込み動作を実行するように制御ロジック164によって、そしてメモリコントローラ140によって制御され、不揮発性メモリコアから出力されるデータ(または不揮発性メモリコア161に貯蔵されるデータ)を一時貯蔵するのに使用される。例示的な実施形態において、第1及び第2バッファメモリ162、163はSRAMで構成される。他の例として、第1及び第2バッファメモリ162、163はDRAMで構成される。
制御ロジック164はレジスタ164a、ECC回路164b、及びアドレス発生回路164cを含む。レジスタ164aはメモリコントローラ140から提供されるアドレス及び命令情報を貯蔵するのに使用される。レジスタ164aに貯蔵されるデータは不揮発性メモリコア210のブロックアドレス、ページアドレス、ページ個数、及び読み出し/書き込み/消去命令を含む。初期ページアドレスとしてページアドレス及びページ個数によって読み出されたデータ量が決められる。すなわち、メモリブロックのすべてのデータを読み出そうとする場合、1番目のページを指定するためのページアドレス及びメモリブロックを構成するページの数を示すページ個数がレジスタ164aに貯蔵される。ECC回路164bは不揮発性メモリコア161からバッファメモリ162/163にデータが伝送される際、1ビットエラーを訂正するのに使用される。本発明の場合、不揮発性メモリコア161からバッファメモリ162/163にデータが伝送される間2ビットエラーを含むページデータが検出される場合、データ伝送動作は中止する。この際、読み出し動作が失敗したことを示す情報が制御ロジック164の制御下にレジスタ164aに貯蔵される。レジスタ164aに貯蔵された情報はメモリコントローラ140によって参照され、2ビットエラーが発生したページを含んだメモリブロックはバッドブロックとして処理される。または、ページデータが不揮発性メモリコア160からバッファメモリに伝送される際、2ビットエラーが検出される場合、ECC回路164bは2ビットエラーが生じたページ情報及び2ビットエラー回数をレジスタ164a内に累積させる。累積した2ビットエラー情報はバッファメモリのデータの次にメモリコントローラ140に伝送される。同様に、2ビットエラー情報に応じて2ビットエラーが生ずるメモリブロックはバッドブロックとして処理される。
続いて、図4を参照すると、バッファメモリ162/163に貯蔵されたデータをフェッチする際、メモリコントローラ140はフェッチするデータの初期アドレスをOneNANDフラッシュメモリ160に出力する。OneNANDフラッシュメモリ160のアドレス発生回路164cは入力された初期アドレスを使用して次のアドレスを自動的に生成する。アドレス発生回路164cによって生成されたアドレスはバッファメモリ162/163に印加される。制御ロジック164はアドレス発生回路164cから生成されるアドレスが最終アドレスであるか否かを検出する。制御ロジック164は検出結果によって不揮発性メモリコア161及びバッファメモリ162、163の動作を制御して、これは以後詳細に説明する。
いったんレジスタ164aにアドレス及び命令情報が貯蔵されれば、制御ロジック164cはCPU110の関与なしに決められた分量のデータ(例えば、不揮発性メモリコア210の任意のメモリブロックのすべてのデータまたはメモリブロックの一部データ)をクロック信号CLKに同期してメモリコントローラ140に出力する。以下、このような読み出し動作を“同期バーストブロック読み出し動作”と称する。
図5は図4に示した不揮発性メモリコアを示すブロック図である。
図5を参照すると、本発明の不揮発性メモリ装置100はメモリセルアレイ210を含み、メモリセルアレイ210は複数個のNANDストリング(図示しない)を含む。各NANDストリングは、周知のように、ストリング選択トランジスタ、接地選択トランジスタ、及び選択トランジスタの間に直列連結されたメモリセルトランジスタで構成される。各NANDストリングのトランジスタは動作モードに応じて行デコーダ回路230によって制御される。NANDストリングはビットラインに各々電気的に連結される。この実施形態において、ビットラインは対で構成される。図において、例えば、一対のビットラインは“BL0e”及び“BL0o”として表記している。ビットライン対(BL0e、BL0o)−(BLne、BLno)にはページバッファ220_0〜220_nが各々連結されている。ページバッファ220_0はラッチ221、NMOSトランジスタTR1−TR7、及びPMOSトランジスタTR8を含み、図のように連結されている。ページバッファ220_0はプログラムされるデータを貯蔵、または読み出されたデータを貯蔵するのに使用される一種のレジスタとして動作する。トランジスタTR1、TR2は読み出し動作のビットライン初期化区間でビットラインBLie、BLio(i=0−n)を接地電圧に初期化するのに、そして読み出し動作の残りの区間で非選択されたビットラインを接地電圧として設定するのに使用される。トランジスタTR3、TR4は選択されたビットラインをND1ノードに電気的に連結するのに、そして非選択されたビットラインをND1ノードから電気的に絶縁させるのに使用される。PMOSトランジスタTR8はND1ノードを充電するのに使用され、NMOSトランジスタTR6、TR7はND1ノードのロジック状態をラッチ221に伝達するのに使用される。残りのページバッファ220_1−220_nの各々は上述のページバッファ220_0と同一に構成される。
列ゲート回路(column gate circuit)240は列デコーダ250からの選択信号YA0−YAn、YBに応答してページバッファ220_0−220_nのうち一部を選択して、選択されたページバッファをデータバスDBに電気的に連結する。図面には1つのデータラインだけが示されている。しかし、列ゲート回路240がより多いデータラインとページバッファ220_0−220_nとを連結するように構成されることができることはこの分野の通常の知識を習得した者などに自明である。充放電回路(charge and discharge circuit)260は制御信号PRECHGに応答してデータバスDBを電源電圧に充電して、制御信号DISCHGに応答してデータバスDBを接地電圧に放電する。上述の構成要素210〜260は制御ロジック164により制御され、これは以下詳細に説明する。
図6は図5に示した不揮発性メモリコアの読み出し動作を説明するためのタイミング図である。本発明による不揮発性メモリコアの読み出し動作はビットライン初期化区間(bit line reset period)T1、ビットラインプリチャージ区間(bit line pre−charge period)T2、ビットライン発展区間(bit line develop period)T3、ラッチ初期化区間(latch reset period)T4、及び感知区間(sense period)T5で構成される。ページバッファ220_i(i=0−n)が制御ロジック164によって同一に制御されるので、1つのページバッファ220_0の動作のみが説明されるであろう。ページバッファ220_0に連結されたビットラインBL0e、BL0oにおいて、ビットラインBL0eが選択されてビットラインBL0oが非選択されると仮定すれば、図6に示したように、選択されたワードラインには読み出し動作T1〜T5の間、0Vの電圧が印加される一方、ストリング選択ラインSSL、接地選択ラインGSL、及び非選択されたワードラインには区間T2〜T4の間読み出し電圧Vreadが印加される。
まず、ビットライン初期化区間T1では制御信号LVBLe、LVBLo、LBLSHFe、LBLSHFoがハイで活性化され、制御信号LPLOADはハイで非活性化される。制御信号LVBLe、LVBLo、LBLSHFe、LBLSHFoがハイで活性化されることに従って、ビットラインBL0e、BL0oは接地電圧0Vを有する電源ラインVIRPWRに電気的に連結され、その結果、ビットラインBL0e、BL0oは接地電圧に初期化される。特に、ビットライン初期化区間T1で制御信号LBLSLTはローレベルに維持され、その結果、ラッチ221は初期化されない。
ビットラインBL0e、BL0oが初期化された後、ビットラインプリチャージ区間T2では選択されたビットラインBL0eが所定のプリチャージ電圧(例えば、1.2V)にプリチャージされる。具体的に説明すれば、制御信号LVBLe、LBLSHFoがローになることによって、選択されたビットラインBL0eは電源ラインVIRPWRと電気的に絶縁され、非選択されたビットラインBL0oはND1ノードと電気的に絶縁される。T2区間で制御信号LVBLoがハイレベルに維持されるので、非選択されたビットラインBL0oは接地電圧を有する電源ラインVIRPWRと電気的に連結される。これと同時に、制御信号LPLOADがローに活性化されることによって、PMOSトランジスタTR8がターンオンされる。ターンオンされたトランジスタTR8から供給される電流はNMOSトランジスタTR3を通じて選択されたビットラインBL0eに伝達される。この際、制御信号LBLSHFeラインには、図6に示したように、2.0Vの電圧が供給されるので、ビットラインBL0eは2.0V−Vth(VthはTR3のスレッショルド電圧)の電圧(例えば、約1.2V)にプリチャージされる。
その次に、ビットライン発展区間T3には選択されたメモリセルの状態(すなわち、プログラム状態または消去状態)に応じて選択されたビットラインBL0eの電圧がプリチャージ電圧に維持されるか接地電圧に向けて低くなる。この際、選択されたビットラインBL0eはフローティング状態(floating state)に維持される。さらに具体的に説明すれば、制御信号LBLSHFeが接地電圧のローレベルに変化することによってNMOSトランジスタTR3はターンオフされる。したがって、選択されたビットラインBL0eはND1ノードと電気的に絶縁される。この際、選択されたメモリセルが消去状態(またはオン状態)になれば、選択されたビットラインのプリチャージ電圧はオン状態のメモリセルを通じて接地電圧に放電し始める。これに反して、選択されたメモリセルがプログラム状態(またはオフ状態)になれば、選択されたビットラインのプリチャージ電圧はそのまま維持される。
この実施形態において、上述の区間T1〜T3はメモリセルに貯蔵されたセルデータをビットライン上に設定する区間(以下、“ビットライン設定区間”と称する)を構成する。
ビットライン設定区間T1〜T3が完了した後、ラッチ初期化区間T4にはページバッファ220_0のラッチ221が初期化される。ラッチ221の初期化は列ゲート回路240を通じてND2ノード(またはラッチ)をデータバスDBに電気的に連結することで行われる。図6から分かるように、列ゲート回路240に印加される選択信号YA0−YAn、YBは同時にハイに活性化される。この際、制御信号DISCHGはハイになり、その結果、データバスDBは接地電圧になる。結果的に、充放電回路260のNMOSトランジスタTR14を通じてデータバスDBを接地させた状態で、ND2ノード(またはラッチ)は列ゲート回路240を通じてデータバスDBに電気的に連結される。すなわち、ラッチ221が初期化される。
最後に、感知区間T5では選択されたビットラインBL0e上に反映されたセルデータがラッチ221に貯蔵される。このために、制御信号LPLOADはハイに非活性化され、制御信号LBLSHFeラインには約1.2の電圧が印加される。このような状態で選択されたビットラインBL0eにオン状態のメモリセル(または消去状態のメモリセル)が連結される場合、ND1ノードの電源電圧はオン状態のメモリセルを通じて接地電圧に放電する。これに反して、選択されたビットラインBL0eにオフ状態のメモリセル(またはプログラム状態のメモリセル)が連結される場合、ND1ノードの電源電圧はそのまま維持される。なぜならば、NMOSトランジスタTR3(Vg=1.2V、Vs=1.2V、Vd=Vcc)がシャットオフされるためである。前者の場合、NMOSトランジスタTR6はターンオフされる一方、後者の場合、NMOSトランジスタTR6はターンオンされる。このような条件で制御信号LCHがパルス形態で活性化されることによって、前者の場合、ラッチ221のND3ノードはNMOSトランジスタTR6、TR7を通じて接地電圧に連結される。後者の場合、ND3ノードは初期化された状態(例えば、ハイレベル)に維持される。
本発明による不揮発性メモリコアの場合、上述の区間T1〜T5の中区間T1〜T3(またはビットライン設定区間)の間ページバッファ220_0−220_nのラッチ221に貯蔵されたデータは列ゲート回路240を通じてデータバスDBに所定単位で順に伝達される。ここで、データ伝送単位はデータ入出力構造に応じて多様に可変することができることはこの分野の通常の知識を習得した者などに自明である。言い替えれば、ページバッファ220_0−220_nのラッチ221に貯蔵されたデータはビットライン設定区間T1〜T3の間データバスDB上に伝達される。これは、図6に示したように、選択信号YBがハイレベルに維持された状態で選択信号YA0−YAnを順に活性化させて達成されることができる。選択信号YA0−YAnが各々活性化される区間の間にデータバスDBが電源電圧に充電され、これは充放電回路260のPMOSトランジスタTR13を充電区間ごとに活性化させることで達成される。
以上の説明から分かるように、ページバッファ220_0−220_nに貯蔵されたデータはビットライン設定区間T1〜T3の間データバスに伝達され、データバスに伝達されたデータはバッファメモリ162、163のうちいずれか1つに出力される。1ページ(または行)のメモリセルに貯蔵されたページデータが他のページのビットライン設定区間T1〜T3の間外部に出力されるので、連続的な読み出し動作にかかる時間を短縮するのが可能になる。この実施形態において、1番目の読み出し動作の間出力されるページデータはゴミデータになり、2番目の読み出し動作の間出力されるデータは1番目の読み出し動作で感知されたページデータである。
本発明によるOneNANDフラッシュメモリの読み出し動作において、図4を参照すれば、メモリセルアレイ210からページバッファ220にページデータを移すのに必要な時間(以下、“読み出し動作時間”と称する)は“tR”時間に表記して、不揮発性メモリコア161(またはページバッファ)からバッファメモリ162/163にページデータを移すのに必要な時間(以下、“バッファ伝送時間”と称する)は“tT”時間に表記して、バッファメモリ162/163からメモリコントローラ140にページデータを移すのに必要な時間(以下、“ホスト伝送時間”と称する)は“tH”時間に表記する。
このような条件によって図7Aを参照すると、制御ロジック164の制御に応じて読み出し動作のビットライン設定区間T1〜T3(または読み出し動作時間tR)の間不揮発性メモリコア161から第1バッファメモリ162にページデータが伝送され(tT)、読み出し動作の全区間T1−T5(または読み出し動作時間tR)の間第2バッファメモリ163からメモリコントローラ140にページデータが伝送される。このような読み出し動作は以下“キャッシュ読み出し動作”と称する。同様に、図7Bを参照すると、制御ロジック164の制御に応じて読み出し動作のビットライン設定区間T1−T3の間不揮発性メモリコア161から第2バッファメモリ163にページデータが伝送され(tT)、読み出し動作の全区間T1〜T5(または読み出し動作時間tR)の間第1バッファメモリ162からメモリコントローラ140にページデータが伝送される(tH)。連続的な読み出し動作が実行される場合、メモリコントローラ140がバッファメモリからページデータをフェッチするのにかかるホスト伝送時間tHは読み出し動作時間tRによって隠される。または、読み出し動作時間tRはホスト伝送時間tHによって隠される。
図8は本発明によるメモリコントローラ140とOneNANDフラッシュメモリ160との間の制御信号を示す図であり、図9は本発明によるデータ処理システムの同期バーストブロック読み出し動作を説明するためのタイミング図である。本発明によるデータ処理システムのキャッシュ読み出し動作が参照の図に基づいて以下詳細に説明される。
本発明によるシステムにおいて、OneNANDフラッシュメモリ160に貯蔵されたデータを読み出すために、まず制御ロジック164内のレジスタ164aにアドレス及び命令情報が貯蔵される。いったんアドレス及び命令情報がレジスタ164aに貯蔵されれば、不揮発性メモリコア161で読み出されたデータはCPU110の介入なしに制御ロジック164の制御下に第1及び第2バッファメモリ162、163に交互に貯蔵される。メモリコントローラ140が第1及び第2バッファメモリ162、163に貯蔵されたデータフェッチする際、バッファメモリの初期アドレス及び読み出し命令が制御ロジック164に提供される。いったんバッファメモリの初期アドレス及び読み出し命令が制御ロジック164に提供されれば、追加的なアドレスの提供なしにバッファメモリ162/163からメモリコントローラ140に自動的にデータが伝送される。このような条件に応じて実行される同期バーストブロック読み出し動作を説明すれば、次のようになる。
CPU110によって要求されるデータ(例えば、プログラムコード)がDRAM150にない場合、デマンド−ペイジング方式に応じて要求されるデータがDMA120の制御下にOneNANDフラッシュメモリ160からDRAM150にロードされる。CPU110はただDMA120に要求されるデータを要請する。以後、CPU110は要求されるデータがDRAM150にロードされるまでどのような介入もしない。いったんデータ要請が行われれば、DMA120は要求されるデータが読み出されるようにメモリコントローラ140を制御する。これは以下詳細に説明される。
図9を参照すると、同期バーストブロック読み出し動作を実行するため、まず、メモリコントローラ140はnCE信号をハイレベルからローレベルに遷移させ、その次に、ブロックアドレスBA、ページアドレスPA、ページ個数データ#OF PAGE、及び命令CMDを順にOneNANDフラッシュメモリ160に出力する。メモリコントローラ140から伝送されたブロックアドレスBA、ページアドレスPA、ページ個数データ#OF PAGE、及び命令CMDはOneNANDフラッシュメモリ160のレジスタ164aに貯蔵される。いったんレジスタ164aがアドレス及び命令データとして設定されれば、制御ロジック164はインタラプト信号INTをローに活性化させる。以後、制御ロジック164の制御に応じて同期バーストブロック読み出し動作が実行される。レジスタ164aに設定されたブロック及びページアドレスは不揮発性メモリコア161に出力され、制御ロジック164は不揮発性メモリコア161のキャッシュ読み出し動作を制御する。不揮発性メモリコア161のキャッシュ読み出し動作を説明すれば、次のようになる。
メモリブロックのうち1つのメモリブロック(例えば、0番目のメモリブロック)が行デコーダ230によって選択され、選択されたメモリブロックのページのうち任意の(例えば、0番目のページ)が行デコーダ230により選択される。ビットライン対BLie、BLio(i=0−n)のうち偶数番目のビットラインBLieが選択されると仮定すれば、すべてのビットラインBLie、BLioがビットライン初期化区間T1で接地電圧に初期化された後、選択されたビットラインBLieはビットラインプリチャージ区間T2で所定のプリチャージ電圧にプリチャージされる。その次に、ビットライン発展区間T3で選択されたビットラインBLieには選択されたページのメモリセルのセルデータが反映される。ビットライン設定区間T1〜T3が完了した後、ページバッファ220_0−220_nのラッチ221は列ゲート回路240を通じてデータバスDBとラッチ221とを電気的に連結することによって、ラッチ初期化区間T4で初期化される。最後に、選択されたビットライン上のデータ値は感知区間T5で対応するラッチ221に伝達される。ビットライン設定区間T1−T3の間ラッチ221に貯蔵されたデータ値は列ゲート回路240を通じてデータバスDBに伝送され、データバスDBに伝送されたデータは制御ロジック164の制御下に第2バッファメモリ163に貯蔵される。この際、第2バッファメモリ163に伝達されたデータは無効なデータである。
上述のように、ビットライン設定区間T1〜T3の間ラッチ221に貯蔵されたデータ値はバッファ伝送時間tT0の間選択されたバッファメモリ(例えば、第2バッファメモリ)に伝送される。0番目のページに対する読み出し動作が完了すれば、すなわち、データ読み出し時間tR1が経過すれば、制御ロジック164は次のページのデータが読み出されるように不揮発性メモリコア161を制御する。図9に示したように、次のページのデータはレジスタ164aの再設定なしに制御ロジック164の制御に応じて自動的に実行される。これはインタラプト信号INTが続いてローレベルに維持されることを意味する。同様に、次のページに対するデータ読み出し時間のうちビットライン設定区間T1〜T3の間ラッチ221に貯蔵されたデータ値(tR1区間の間読み出された0番目のページデータ)は列ゲート回路240を通じてデータバスDBに伝送され、データバスDBに伝送されたデータは制御ロジック164の制御下に第1バッファメモリ162(図9では‘S1’に表記する)に貯蔵される。
いったん第1バッファメモリ162へのデータローディングが完了すれば(すなわち、tT1時間の後に)、制御ロジック164はインタラプト信号INTをハイに非活性化させる。一実施形態において、制御ロジック164はページデータを出力するに必要なクロック信号(例えば、nRE信号のトグリング数)を計算することによって、不揮発性メモリコア161から第1バッファメモリ162にデータローディングが完了したか否かを判断することができる。メモリコントローラ140はインターラプト信号INTのローからハイへの遷移に応答してnCE信号をハイレベルからローレベルに遷移させる。また、メモリコントローラ140はnCE信号のハイからローへの遷移とともに第1バッファメモリ162の初期アドレスをOneNANDフラッシュメモリ160に出力する。nCE信号がハイレベルからローレベルに遷移する際、制御ロジック164はnCE信号のハイからローへの遷移に応答してRDY信号をハイレベルに遷移させる。制御ロジック164のアドレス発生回路164cは入力された初期アドレスをクロック信号CLKに同期して順に増加させる。アドレス発生回路164cによって生成されるアドレスは第1バッファメモリ162に印加される。第1バッファメモリ162は連続して入力されるアドレスに対応するデータを出力して、メモリコントローラ140はRDY信号のハイ−レベル遷移の際、クロック信号CLKに同期して出力される第1バッファメモリ162からのデータを持って行く。これはメモリコントローラ140がOneNANDフラッシュメモリ160から提供されるRDY信号のみを参照してデータを持って行くことを意味する。
続いて、制御ロジック164は第1バッファメモリ162に貯蔵されたすべてのデータがメモリコントローラ140に伝送されたか否かを判断して、判別結果によってインタラプト信号INTを制御する。例えば、制御ロジック164はアドレス発生回路164cで生成されるアドレスが第1バッファメモリ162の最後のアドレスであるか否かを検出する。もしアドレス発生回路164cで生成されるアドレスが第1バッファメモリ162の最後のアドレスでなければ、制御ロジック164はインタラプト信号INTが続いてハイレベルに維持されるようにする。これは第1バッファメモリ162のすべてのデータがメモリコントローラ140に伝送されないことを意味する。もしアドレス発生回路164cで生成されるアドレスが第1バッファメモリ162の最後のアドレスであれば、制御ロジック164はインタラプト信号INTがハイレベルからローレベルに遷移されるようにする。これは第1バッファメモリ162のすべてのデータがメモリコントローラ140に伝送されたことを意味する。すなわち、第1バッファメモリ162に貯蔵されたデータはtH1区間の間メモリコントローラ140に全部伝送される。第1バッファメモリ162のすべてのデータがメモリコントローラ140に伝送されれば、制御ロジック164はインタラプト信号INTをハイレベルからローレベルに遷移させる。メモリコントローラ140はインターラプト信号INTのハイからローへの遷移に応答してnCE信号をハイに非活性化させる。RDY信号はnCE信号のローからハイへの遷移の際、高インピーダンス状態になる。
tR2区間で読み出されたデータが第2バッファメモリ163に伝送されるバッファ伝送時間tT2が経過すれば、上述のように、インタラプト信号INTがハイレベルになる。インタラプト信号INTのハイレベル遷移の際、nCE信号はメモリコントローラ140によってハイレベルからローレベルに遷移する。RDY信号はnCE信号のローレベル遷移によって高インピーダンス状態からハイレベルになる。以後、上述と同一の方式に応じて第2バッファメモリ163に貯蔵されたデータはクロック信号CLKに同期してメモリコントローラ140に伝送される。以後、選択されたメモリブロックの残りのページのデータは上述と同一の方式でメモリコントローラ140に伝送されるので、それに対する説明は省略する。
図9において、nCE信号の非活性化区間の間システムバスはCPUによって使われることができる。すなわち、バス使用効率を向上することができる。
図9から分かるように、いったん一定量のデータ(例えば、任意のメモリブロックに貯蔵されたすべてのデータ)を読み出すためにレジスタ164aが設定されれば、同期バーストブロック読み出し動作または不揮発性メモリコア160のキャッシュ読み出し動作はCPU110の関与なしに、そしてレジスタ164aの再設定なしに制御ロジック164の制御に応じて自動的に実行される。言い替えれば、メモリコントローラ140はただアドレス及び命令情報をOneNANDフラッシュメモリ160に伝送した後、いかなる介入もなしにバッファメモリにデータが貯蔵されたことを示すRDY信号のみを参照して所望する量のデータを持って行く。したがって、同期バーストブロック読み出し動作のすべての段階がOneNANDフラッシュメモリ160によって実行されるので、CPUの負担を減らすのが可能である。
図10は図9に示したRDY信号の変化を説明するためのタイミング図である。
図10を参照すれば、RDY信号はnCE信号がハイレベルからローレベルに遷移される際、高インピーダンス状態(high−impedance state:Hi−Z)からハイレベルに遷移する。RDY信号はクロック信号CLKの一サイクルの後にすなわち、クロック信号CLKの(n+2)番目のサイクルでローレベルに遷移する。または、RDY信号は、点線に示したように、nCE信号のローレベル遷移の際、ローレベルになることができる。RDY信号はローレベル遷移の以後、決められた時間の後にハイレベルになる。メモリコントローラ140はnCE信号のローレベル遷移の以後決められた時点(例えば、(n+5)番目のまたは(n+6)番目のサイクル)でRDY信号のハイレベルを検出する。決められた時点でRDY信号のハイレベルが検出されれば、メモリコントローラ140はクロック信号CLKに同期して出力されるデータを持って行く。以上の説明から分かるように、RDY信号はメモリコントローラ140がバッファメモリから読み出されたデータを持って行く時点を示す表示信号として使用される。
データがOneNANDフラッシュメモリ160からメモリコントローラ140に伝送されるtH時間がtRより長い場合、第1/第2バッファメモリに貯蔵されたデータがメモリコントローラ140に伝送される前に第1/第2バッファメモリに不揮発性メモリコア161からの新しいデータが書き込まれることができる。これを防止するため、本発明によるOneNANDフラッシュメモリ160はデータ読み出し動作tRまたはバッファ伝送動作tTを適切に制御する。例えば、図11を参照すると、制御ロジック164はデータ読み出し動作tR4及びバッファ伝送動作tT3がホスト伝送時間tH1の経過の後に実行されるように不揮発性メモリコア161及びバッファメモリ162、163を制御する。第1バッファメモリ162(図11でS1として表記する)に貯蔵されたデータがメモリコントローラ140に全部伝送されない状態でデータ読み出し動作tR4及びバッファ伝送動作tT3が実行されれば、すべてのデータがメモリコントローラ140に伝送されない第1バッファメモリ162には新しいデータが書き込まれるようになる。そのような理由で、第1バッファメモリ162に貯蔵される次のページデータ(tR3区間で読み出されたページデータ)は以前ページデータ(tR1区間で読み出されたページデータ)が第1バッファメモリ162からメモリコントローラ140に伝送された後に第1バッファメモリ162に伝送されなければならない。同様に、第2バッファメモリ163に対するバッファ伝送動作も第1バッファメモリ162に対するバッファ伝送動作と同一の条件で実行されなければならない。
本発明による同期バーストブロック読み出し動作において、バッファメモリに貯蔵されたすべてのデータがメモリコントローラに伝送されたか否かはアドレス発生回路164cで生成されるアドレスを参照して判断される。しかし、判別方法が多様に変更されることができることはこの分野の通常の知識を習得した者などに自明である。例えば、第1バッファメモリに貯蔵されたデータを持って行くためにメモリコントローラ140はOneNANDフラッシュメモリ160に初期アドレスを提供する。この初期アドレスは、上述のように、クロック信号CLKに同期してアドレス発生回路164cによって順に増加する。すべてのデータが伝送される前に、メモリコントローラ140はnCE信号をハイに非活性化させる。nCE信号がハイに非活性化されることによって、アドレス発生回路164cの動作は、クロック信号CLKが供給されても中止する。以後、メモリコントローラ140は、図9の点線に表示したように、最終アドレスがアドレス生成回路164cによって生成される時間に最終アドレスをOneNANDフラッシュメモリ160に提供する。制御ロジック164はそのように提供されたアドレスを基準にして次のデータ読み出し動作及びバッファ伝送動作を制御することができる。以後の同期バーストブロック読み出し動作またはキャッシュ読み出し動作は上述と同一に実行される。
本発明によるOneNANDフラッシュメモリ160はマルチページプログラム方式を支援する。マルチページプログラミングとは、異なっているメモリプランに存在する同一の行のページが同時にプログラムされることを意味する。マルチページプログラミングに応じてプログラムされたフェーズはプログラミングと同一の手順に読み出されなければならない。例えば、図12Aに示したように、2つのメモリプランMP0、MP1の同一の行に属するページが同時にプログラムされると仮定すれば、マルチページプログラム方式に応じて同時にプログラムされた同一の行のページは、図12Aに示したように、点線に表記した方式で読み出される。すなわち、異なっているメモリプランに属して、同時にプログラムされたページが連続して読み出される。このように読み出されたページデータはバッファメモリに各々伝達される。同様に、図12Bに示したように、3つまたはそれより多いメモリプランが存在しても、マルチページプログラム方式に応じてプログラムされたページは図12Aで説明したことと同一の方式で読み出されるであろう。もしマルチページプログラム方式によってプログラム動作が実行されなければ、図12Cに示したように、任意のメモリプランにあるページが順に読み出される。
メモリコントローラ140とOneNANDフラッシュメモリ160とは、図8に示したように、アドレス及びデータラインが分離したデマルチプレクシング方式で通信する。しかし、本発明がここに限らないことはこの分野の通常の知識を習得した者などに自明である。例えば、メモリコントローラ140とOneNANDフラッシュメモリ160とがアドレス及びデータラインが共通で使用されるマルチプレクシング方式で通信するように構成されることができる。
本発明の範囲または技術的思想を逸脱しない範囲内で本発明の構造が多様に修正、または変更されることができることは、この分野の通常の知識を持つ者などに自明である。上述の内容を考慮して見る際、もし本発明の修正及び変更が請求項及び同等物の範疇内に属したら、本発明がこの発明の変更及び修正を含むと見なされる。
100 データ処理システム
110 CPU
120 DMA
130、140 メモリコントローラ
150 DRAM
160 OneNANDフラッシュメモリ
110 CPU
120 DMA
130、140 メモリコントローラ
150 DRAM
160 OneNANDフラッシュメモリ
Claims (24)
- 第1及び第2バッファメモリと、
各々が複数のページで構成されたメモリブロックと選択されたメモリブロックからデータを読み出すためのページバッファを含む不揮発性メモリコアと、
前記第1及び第2バッファメモリと前記不揮発性メモリコアを制御する制御ロジックとを含み、
前記制御ロジックは同期バーストブロック読み出し動作のための前記不揮発性メモリコアのアドレス及び命令情報を貯蔵するように構成されたレジスタを具備し、
前記制御ロジックは前記選択されたメモリブロックのページに対するデータ読み出し動作が前記レジスタの再設定なしに前記貯蔵されたアドレス及び命令情報に応じて連続して実行されるように前記不揮発性メモリコアを制御し、
前記制御ロジックは前記各データ読み出し区間の間前記ページバッファ内のデータが前記第1及び第2バッファメモリに交互に伝送されるように前記不揮発性メモリコア及び前記第1及び第2バッファメモリを制御し、
前記制御ロジックは前記ページバッファ内のデータが前記第1及び第2バッファメモリに全部伝送される際、インタラプト信号を非活性化させ、前記第1及び第2バッファメモリ内のデータが全部クロック信号に同期して外部に伝送される際、前記インタラプト信号を活性化させることを特徴とするフラッシュメモリ。 - 前記アドレス及び命令情報はブロックアドレス情報、ページアドレス情報、ページ個数情報、及び読み出し命令情報を含むことを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ。
- 前記制御ロジックはチップイネーブル信号に応答して前記第1及び第2バッファメモリから出力されるデータのフェッチ時点を知らせるためのレディー信号を出力することを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ。
- 前記チップイネーブル信号は前記インタラプト信号の非活性化の際活性化され、前記インタラプト信号の活性化の際非活性化されることを特徴とする請求項3に記載のフラッシュメモリ。
- 前記第1及び第2バッファメモリに貯蔵されたデータの初期アドレスは前記チップイネーブル信号の活性化の際に外部から前記制御ロジックに印加されることを特徴とする請求項3に記載のフラッシュメモリ。
- 前記制御ロジックは前記初期アドレス及び前記クロック信号に応答して前記第1及び第2バッファメモリに供給される一連のアドレスを発生するアドレス発生回路をさらに含むことを特徴とする請求項5に記載のフラッシュメモリ。
- 前記制御ロジックは前記アドレス発生回路によって生成されたアドレスに基づいて、前記第1及び第2バッファメモリ内のすべてのデータが外部に出力されたか否かを判断することを特徴とする請求項6に記載のフラッシュメモリ。
- 前記制御ロジックは前記不揮発性メモリコアから前記第1及び第2バッファメモリに伝送されるデータのエラーを検出して訂正するエラー訂正コード回路をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ。
- 前記エラー訂正コード回路は前記ページアドレス情報及び前記ページ個数情報によって指定されるページの各々の2ビットエラー情報を前記レジスタに累積させるように構成されることを特徴とする請求項8に記載のフラッシュメモリ。
- 前記レジスタに累積した2ビットエラー情報は外部によって参照され、2ビットエラーが生じたメモリブロックはバッドブロックとして処理されることを特徴とする請求項9に記載のフラッシュメモリ。
- 前記エラー訂正コード回路は前記不揮発性メモリコアから前記第1及び第2バッファメモリに伝送されるデータに2ビットエラーが発生する際、前記同期バーストブロック読み出し動作を中止させ、2ビットエラーの発生を外部に知らせることを特徴とする請求項8に記載のフラッシュメモリ。
- 前記フラッシュメモリはOneNANDフラッシュメモリであることを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ。
- 前記各データ読み出し区間は前記第1及び第2バッファメモリ内のすべてのデータが外部に伝送される区間より長いことを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ。
- 前記各データ読み出し区間は前記第1及び第2バッファメモリ内のすべてのデータが外部に伝送される区間より短いことを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ。
- 前記制御ロジックは前記第1及び2バッファメモリから外部へのデータ伝送が完了した後、前記ページバッファ内のデータが前記第1及び第2バッファメモリに貯蔵されるように前記不揮発性メモリコア及び前記第1及び第2バッファメモリを制御することを特徴とする請求項14に記載のフラッシュメモリ。
- 少なくとも1つのプロセッサと、
第1コントローラによって制御される第1メモリと、
第2コントローラによって制御される第2メモリとを含み、
前記第2メモリは、
第1及び第2バッファメモリと、
複数のページを有するメモリブロックと選択されたメモリブロックからデータを読み出すためのページバッファを含むメモリコアと、
前記メモリコアのアドレス及び命令情報を貯蔵するためのレジスタを有する制御ロジックと含み、
前記制御ロジックは前記選択されたメモリブロックのデータ読み出し区間が前記貯蔵されたアドレス及び命令情報に応じて実行されるように前記メモリコアを制御し、
前記ページバッファ内のデータが前記データ読み出し区間の間前記第1及び第2バッファメモリに伝送されるように前記第1及び第2バッファメモリと前記メモリコアとを制御し、
前記ページバッファ内のすべてのデータが前記第1及び第2バッファメモリのうち少なくとも1つに伝送される際インタラプト信号を非活性化させ、
前記第1及び第2バッファメモリのうちの少なくとも1つのすべてのデータが前記第1メモリに伝送される際、前記インタラプト信号を活性化させることを特徴とするデータ処理システム。 - 制御ユニットにおいて、
読み出し動作の間メモリコアのアドレス及び命令情報を貯蔵するレジスタを含み、
前記制御ユニットは選択されたメモリブロックのデータ読み出し区間が前記貯蔵されたアドレス及び命令情報に応じて実行されるようにメモリコアを制御し、ページバッファ内のデータが前記データ読み出し区間の間第1及び第2バッファメモリに伝送されるように前記第1及び第2バッファメモリと前記メモリコアとを制御し、前記ページバッファ内の全てのデータが前記第1及び第2バッファメモリのうち少なくとも1つに伝送される際インタラプト信号を非活性化させ、前記第1及び第2バッファメモリのうち少なくとも1つのすべてのデータが外部装置に伝送される際、前記インタラプト信号を活性化させることを特徴とする制御ユニット。 - メモリを制御する方法において、
メモリコアのアドレス及び命令情報を貯蔵し、
前記貯蔵されたアドレス及び命令情報に応じて選択されたメモリブロックのデータ読み出し動作を実行し、
前記データ読み出し区間の間前記第1及び第2バッファメモリのうち少なくとも1つにページバッファ内のデータを伝送し、
前記ページバッファ内のすべてのデータが前記第1及び第2バッファメモリのうち1つに伝送される際インタラプト信号を非活性化させるか、前記第1及び第2バッファメモリのうち少なくとも1つのすべてのデータが外部装置に伝送される際前記インタラプト信号を活性化させることを特徴とする方法。 - データ処理システムにおいて、
少なくとも1つのプロセッサと、
請求項1に記載された前記メモリとを含むことを特徴とするデータ処理システム。 - 第1及び第2メモリと、
複数のページを有するメモリブロックと選択されたメモリブロックからデータを読み出すためのページバッファを含むメモリコアと、
制御ユニットとを含み、
前記制御ユニットは請求項17に記載された前記制御ユニットであるメモリ。 - データ処理システムにおいて、
少なくとも1つのプロセッサと、
第1コントローラによって制御される第1メモリと、
第2コントローラによって制御される第2メモリとを含み、
前記第2メモリは請求項20に記載された前記メモリであることを特徴とするデータ処理システム。 - 請求項18に記載された方法を実行することを特徴とする制御ユニット。
- 第1及び第2バッファメモリと、
複数のページを有するメモリブロックと選択されたメモリブロックからデータを読み出すためのページバッファを含むメモリコアと、
制御ユニットとを含み、
前記制御ユニットは請求項22に記載された制御ユニットであるメモリ。 - データ処理システムにおいて、
少なくとも1つのプロセッサと、
第1コントローラによって制御される少なくとも1つの第1メモリと、
第2コントローラによって制御される第2メモリとを含み、
前記第2メモリは請求項23に記載された前記メモリであることを特徴とするデータ処理システム。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011501321A (ja) * | 2007-10-26 | 2011-01-06 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | 無線デバイスのためのプログレッシブブート |
JP2011227976A (ja) * | 2010-04-22 | 2011-11-10 | Elpida Memory Inc | 不揮発性半導体メモリ装置、及びそのメモリ装置を有するメモリシステム |
US8223569B2 (en) | 2009-07-17 | 2012-07-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
US8259523B2 (en) | 2009-07-17 | 2012-09-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
US8375273B2 (en) | 2010-03-17 | 2013-02-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device including a NAND flash memory |
JP2013152774A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Spansion Llc | 高クロック速度での連続リードバーストサポート |
JP2014059872A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-04-03 | Samsung Electronics Co Ltd | エンベデッドマルチメディアカード(eMMC)、それを制御するホスト、及びeMMCシステムの動作方法 |
JP6232109B1 (ja) * | 2016-09-27 | 2017-11-15 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体記憶装置および連続読出し方法 |
JP6274589B1 (ja) * | 2016-09-28 | 2018-02-07 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体記憶装置および連続読出し方法 |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006048777A (ja) * | 2004-08-02 | 2006-02-16 | Toshiba Corp | Nandフラッシュメモリおよびデータ書き込み方法 |
JP2008009702A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 演算処理システム |
US8037231B2 (en) * | 2006-11-28 | 2011-10-11 | Intel Corporation | Memory architecture for separation of code and data in a memory device |
CN100458736C (zh) * | 2006-12-30 | 2009-02-04 | 北京中星微电子有限公司 | Nand闪存信息提取方法和nand闪存自动识别方法 |
WO2008101316A1 (en) | 2007-02-22 | 2008-08-28 | Mosaid Technologies Incorporated | Apparatus and method for using a page buffer of a memory device as a temporary cache |
US8086785B2 (en) * | 2007-02-22 | 2011-12-27 | Mosaid Technologies Incorporated | System and method of page buffer operation for memory devices |
US8275945B2 (en) | 2008-02-05 | 2012-09-25 | Spansion Llc | Mitigation of flash memory latency and bandwidth limitations via a write activity log and buffer |
US8352671B2 (en) * | 2008-02-05 | 2013-01-08 | Spansion Llc | Partial allocate paging mechanism using a controller and a buffer |
US8307180B2 (en) | 2008-02-28 | 2012-11-06 | Nokia Corporation | Extended utilization area for a memory device |
JP2010009643A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Toshiba Corp | エラー訂正システム |
JP2010009646A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Toshiba Memory Systems Co Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2010009642A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置およびそのテスト方法 |
US8874824B2 (en) | 2009-06-04 | 2014-10-28 | Memory Technologies, LLC | Apparatus and method to share host system RAM with mass storage memory RAM |
CN102023811B (zh) * | 2009-09-10 | 2012-11-28 | 群联电子股份有限公司 | 对闪存下达程序化指令的方法和系统 |
EP2656224B1 (en) * | 2010-12-24 | 2018-04-11 | Micron Technology, Inc. | Continuous page read for memory |
JP4988048B1 (ja) * | 2011-02-14 | 2012-08-01 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
US8462561B2 (en) | 2011-08-03 | 2013-06-11 | Hamilton Sundstrand Corporation | System and method for interfacing burst mode devices and page mode devices |
KR101839880B1 (ko) * | 2011-12-22 | 2018-03-19 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 |
US9093154B2 (en) * | 2012-01-16 | 2015-07-28 | Silicon Motion, Inc. | Method, memory controller and system for reading data stored in flash memory |
US9311226B2 (en) | 2012-04-20 | 2016-04-12 | Memory Technologies Llc | Managing operational state data of a memory module using host memory in association with state change |
KR101970712B1 (ko) * | 2012-08-23 | 2019-04-22 | 삼성전자주식회사 | 단말기의 데이터 이동장치 및 방법 |
KR20140067400A (ko) * | 2012-11-26 | 2014-06-05 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리, 제 1 버퍼 메모리, 메모리 컨트롤러를 포함하는 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법 |
WO2014138118A1 (en) * | 2013-03-07 | 2014-09-12 | Peddle Charles I | High speed flash controllers |
WO2015089230A1 (en) * | 2013-12-10 | 2015-06-18 | Memory Technologies Llc | Unified memory type aware storage module |
US10394647B2 (en) * | 2017-06-22 | 2019-08-27 | International Business Machines Corporation | Bad bit register for memory |
DE102017124805B4 (de) * | 2017-10-24 | 2019-05-29 | Infineon Technologies Ag | Speicheranordnung und verfahren zum zwischenspeichern von speicherinhalten |
KR20190052441A (ko) * | 2017-11-08 | 2019-05-16 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 컨트롤러 및 그 동작 방법 |
US10936199B2 (en) * | 2018-07-17 | 2021-03-02 | Silicon Motion, Inc. | Flash controllers, methods, and corresponding storage devices capable of rapidly/fast generating or updating contents of valid page count table |
US11403172B2 (en) * | 2019-08-05 | 2022-08-02 | Cypress Semiconductor Corporation | Methods for error detection and correction and corresponding systems and devices for the same |
CN112685330B (zh) * | 2019-10-17 | 2024-01-19 | 合肥格易集成电路有限公司 | 一种Nand闪存 |
US11646751B2 (en) * | 2021-06-15 | 2023-05-09 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses, systems, and methods for identifying multi-bit errors |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2625342B1 (fr) * | 1987-12-24 | 1995-04-21 | Nippon Electric Co | Dispositif permettant de traiter simultanement les demandes de transfert produites par l'unite centrale de traitement, l'unite de traitement arithmetique et l'unite de traitement d'entree-sortie d'un ordinateur de grande puissance |
JP2820462B2 (ja) * | 1989-10-31 | 1998-11-05 | 日本ヒューレット・パッカード株式会社 | データ列発生装置 |
DE69130138T2 (de) * | 1990-06-29 | 1999-05-06 | Digital Equipment Corp | Sprungvorhersageeinheit für hochleistungsfähigen Prozessor |
US5367636A (en) * | 1990-09-24 | 1994-11-22 | Ncube Corporation | Hypercube processor network in which the processor indentification numbers of two processors connected to each other through port number n, vary only in the nth bit |
WO1992021088A1 (en) * | 1991-05-17 | 1992-11-26 | Eastman Kodak Company | Novel electrical bus structure |
US5297029A (en) * | 1991-12-19 | 1994-03-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
US5402387A (en) * | 1992-03-12 | 1995-03-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory |
JP3782840B2 (ja) * | 1995-07-14 | 2006-06-07 | 株式会社ルネサステクノロジ | 外部記憶装置およびそのメモリアクセス制御方法 |
US5721739A (en) * | 1995-12-14 | 1998-02-24 | Fairchild Semiconductor Corporation | Method for detecting read errors, correcting single-bit read errors and reporting multiple-bit read errors |
US6256756B1 (en) * | 1998-12-04 | 2001-07-03 | Hewlett-Packard Company | Embedded memory bank system |
JP4543458B2 (ja) * | 1999-10-29 | 2010-09-15 | セイコーエプソン株式会社 | 出力システム、出力装置、ホスト装置、これらの制御方法、および、情報記録媒体 |
JP3844930B2 (ja) | 2000-02-09 | 2006-11-15 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US6584586B1 (en) * | 2000-03-22 | 2003-06-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Apparatus and method for capturing and transferring internal system activity |
US6802023B2 (en) * | 2001-03-15 | 2004-10-05 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Redundant controller data storage system having hot insertion system and method |
JP2003122622A (ja) * | 2001-10-09 | 2003-04-25 | Honda Motor Co Ltd | データの受信および書き込みを制御する車両制御装置 |
US6687158B2 (en) * | 2001-12-21 | 2004-02-03 | Fujitsu Limited | Gapless programming for a NAND type flash memory |
KR100463197B1 (ko) * | 2001-12-24 | 2004-12-23 | 삼성전자주식회사 | 멀티-페이지 프로그램 동작, 멀티-페이지 읽기 동작,그리고 멀티-블록 소거 동작을 갖는 낸드 플래시 메모리장치 |
US6871257B2 (en) * | 2002-02-22 | 2005-03-22 | Sandisk Corporation | Pipelined parallel programming operation in a non-volatile memory system |
US6757776B1 (en) * | 2002-07-17 | 2004-06-29 | Cypress Semiconductor Corp. | Control transaction handling in a device controller |
US7120758B2 (en) * | 2003-02-12 | 2006-10-10 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Technique for improving processor performance |
US7412726B1 (en) * | 2003-12-08 | 2008-08-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for out of order writing of status fields for receive IPsec processing |
KR100626371B1 (ko) * | 2004-03-30 | 2006-09-20 | 삼성전자주식회사 | 캐쉬 읽기 동작을 수행하는 비휘발성 메모리 장치, 그것을포함한 메모리 시스템, 그리고 캐쉬 읽기 방법 |
US20060184736A1 (en) * | 2005-02-17 | 2006-08-17 | Benhase Michael T | Apparatus, system, and method for storing modified data |
-
2005
- 2005-04-01 KR KR1020050027658A patent/KR100626391B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-12-30 US US11/320,874 patent/US20060224789A1/en not_active Abandoned
-
2006
- 2006-03-24 JP JP2006083843A patent/JP2006286179A/ja active Pending
- 2006-03-27 CN CNA2006100679906A patent/CN1841297A/zh active Pending
- 2006-03-31 DE DE102006016247A patent/DE102006016247A1/de not_active Withdrawn
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011501321A (ja) * | 2007-10-26 | 2011-01-06 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | 無線デバイスのためのプログレッシブブート |
US8683213B2 (en) | 2007-10-26 | 2014-03-25 | Qualcomm Incorporated | Progressive boot for a wireless device |
US8259523B2 (en) | 2009-07-17 | 2012-09-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
US8223569B2 (en) | 2009-07-17 | 2012-07-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
US8375273B2 (en) | 2010-03-17 | 2013-02-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device including a NAND flash memory |
JP2011227976A (ja) * | 2010-04-22 | 2011-11-10 | Elpida Memory Inc | 不揮発性半導体メモリ装置、及びそのメモリ装置を有するメモリシステム |
US9418742B2 (en) | 2010-04-22 | 2016-08-16 | Ps4 Luxco S.A.R.L. | Nonvolatile semiconductor memory device and memory system having the same |
JP2013152774A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Spansion Llc | 高クロック速度での連続リードバーストサポート |
JP2014059872A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-04-03 | Samsung Electronics Co Ltd | エンベデッドマルチメディアカード(eMMC)、それを制御するホスト、及びeMMCシステムの動作方法 |
JP6232109B1 (ja) * | 2016-09-27 | 2017-11-15 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体記憶装置および連続読出し方法 |
JP2018055737A (ja) * | 2016-09-27 | 2018-04-05 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体記憶装置および連続読出し方法 |
US10453524B2 (en) | 2016-09-27 | 2019-10-22 | Winbond Electronics Corp. | NAND flash memory device performing continuous reading operation using NOR compatible command, address and control scheme |
JP6274589B1 (ja) * | 2016-09-28 | 2018-02-07 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体記憶装置および連続読出し方法 |
JP2018055741A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体記憶装置および連続読出し方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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