JP6274589B1 - 半導体記憶装置および連続読出し方法 - Google Patents
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Abstract
Description
120:入出力バッファ 130:データレジスタ
140:アドレスレジスタ 150:制御部
160:ページ情報格納部 170:ワード線選択回路
180:ページバッファ/センス回路 190:列選択回路
Claims (17)
- メモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイのページを選択し、選択ページのデータをデータ保持部に読み出すページ読出し手段と、
前記ページ読出し手段によるページの連続読出しを制御する制御手段とを有し、
前記制御手段は、入力された命令が連続読出しの終了に関する命令であるとき、連続読出しを終了させ、
前記連続読出しの終了に関する命令は、プログラムに関する命令である、
半導体記憶装置。 - メモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイのページを選択し、選択ページのデータをデータ保持部に読み出すページ読出し手段と、
前記ページ読出し手段によるページの連続読出しを制御する制御手段とを有し、
前記制御手段は、入力された命令が連続読出しの終了に関する命令であるとき、連続読出しを終了させ、
前記連続読出しの終了に関する命令は、消去に関する命令である、
半導体記憶装置。 - 前記制御手段は、前記連続読出しの終了に関する命令が入力されるまで、連続読出しモードを継続し、連続読出しモードが継続されている間、前記ページ読出し手段を実行させるためのページ読出し命令の入力なしで連続読出しを可能にする、請求項1または2に記載の半導体記憶装置。
- 前記制御手段は、連続読出しモードでない場合、外部制御信号がディスエーブルされたことに応答して連続読出しを終了させることが可能であり、連続読出しモードである場合、前記外部制御信号がディスエーブルされてその後にイネーブルされたとき、ページデータ読出し命令の入力なしで連続読出しを可能にする、請求項3に記載の半導体記憶装置。
- メモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイのページを選択し、選択ページのデータをデータ保持部に読み出すページ読出し手段と、
前記ページ読出し手段によるページの連続読出しを制御する制御手段とを有し、
前記制御手段は、入力された命令が連続読出しの終了に関する命令であるとき、連続読出しを終了させ、
前記制御手段は、連続読出しモードの場合、外部制御信号がディスエーブルされたときのページアドレスおよび列アドレスを記憶し、外部制御信号がイネーブルされたときに、記憶されたページアドレスおよび列アドレスに基づき前記ページ読出し手段により保持されたデータを出力させる、半導体記憶装置。 - 連続読出しのときに前記ページ読出し手段が最初に選択するページは、入力されたページアドレスに基づき指定される、請求項1ないし5いずれか1つに記載の半導体記憶装置。
- 連続読出しのときに前記ページ読出し手段が最初に選択するページは、予め決められたページアドレスに基づき指定される、請求項1ないし6いずれか1つに記載の半導体記憶装置。
- 前記予め決められたページアドレスは、電源が投入されたときにメモリセルアレイから最初に読み出すページアドレスである、請求項7に記載の半導体記憶装置。
- 半導体記憶装置はさらに、連続読出しされたデータを外部のシリアルクロックに応答してシリアル出力する出力手段を含む、請求項1ないし8いずれか1つに記載の半導体記憶装置。
- 前記出力手段は、前記データ保持手段から転送されたデータを保持する別のデータ保持手段を含み、前記別のデータ保持手段からデータが出力される間に、前記メモリセルアレイの選択ページのデータが前記データ保持手段に保持される、請求項9に記載の半導体記憶装置。
- 半導体記憶装置は、NAND型のフラッシュメモリである、請求項1ないし10いずれか1つに記載の半導体記憶装置。
- NAND型のメモリセルアレイと、
メモリセルアレイの選択されたページから転送されたデータを保持し、またはプログラムするデータを保持するページバッファと、
ページバッファとの間で双方向のデータの送受が可能であるデータレジスタと、
メモリセルアレイのページを連続的に読出し、読み出されたデータを前記データレジスタを介してシリアルクロックに同期してシリアル出力する連続読出し手段とを有し、
前記連続読出し手段は、連続読出しを終了するための命令が入力されるまで、ページデータ読出し命令なしで連続読出しを可能にし、前記連続読出しを終了するための命令は、プログラムに関する命令である、または消去に関する命令である、フラッシュメモリ。 - NAND型のメモリセルアレイと、
メモリセルアレイの選択されたページから転送されたデータを保持し、またはプログラムするデータを保持するページバッファと、
ページバッファとの間で双方向のデータの送受が可能であるデータレジスタと、
メモリセルアレイのページを連続的に読出し、読み出されたデータを前記データレジスタを介してシリアルクロックに同期してシリアル出力する連続読出し手段とを有し、
前記連続読出し手段は、連続読出しを終了するための命令が入力されるまで、ページデータ読出し命令なしで連続読出しを可能にし、
前記連続読出し手段は、外部制御信号がディスエーブルされたときのページアドレスおよび列アドレスを記憶し、外部制御信号がイネーブルされたときに、記憶されたページアドレスおよび列アドレスに基づき前記ページ読出し手段により保持されたデータを出力させる、フラッシュメモリ。 - フラッシュメモリは、外部制御信号の論理レベルに応答してアクティブとされ、前記連続読出し手段は、外部制御信号がトグルされても前記連続読出しを終了するための命令が入力されるまで、連続動作モードを継続する、請求項12または13に記載のフラッシュメモリ。
- NAND型フラッシュメモリにおけるページの連続読出し方法であって、
連続読出しの終了に関する命令が入力されたか否かを監視し、
連続読出しの終了に関する命令が入力された場合、連続読出しを終了させ、連続読出しの終了に関する命令が入力されない場合、連続読出しモードを継続させ、
連続読出しモードの継続中、ページデータ読出し命令の入力なしで連続読出しを可能にし、
前記連続読出しの終了に関する命令は、プログラムに関する命令または消去に関する命令である、連続読出し方法。 - NAND型フラッシュメモリにおけるページの連続読出し方法であって、
連続読出しの終了に関する命令が入力されたか否かを監視し、
連続読出しの終了に関する命令が入力された場合、連続読出しを終了させ、連続読出しの終了に関する命令が入力されない場合、連続読出しモードを継続させ、
連続読出しモードの継続中、ページデータ読出し命令の入力なしで連続読出しを可能にし、
連続読出しモードの場合、外部制御信号がディスエーブルされたときのページアドレスおよび列アドレスを記憶し、外部制御信号がイネーブルされたときに、記憶されたページアドレスおよび列アドレスに基づき前記ページ読出し手段により保持されたデータを出力させる、連続読出し方法。 - 連続読出し方法はさらに、外部シリアルクロックに同期してページデータをシリアル出力する、請求項15または16に記載の連続読出し方法。
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