JP2005191240A5 - - Google Patents

Claims (18)

1. 互いに反対側に位置する主面及び裏面と、前記主面に配置された複数の電極とを有する半導体チップと、
   前記半導体チップの複数の電極に夫々電気的に接続された複数のリードと、
   前記半導体チップ、前記複数のリードを封止する樹脂封止体とを有し、
   前記複数のリードは、前記樹脂封止体の主面と前記主面とは反対側の裏面との間に位置する第１の面と、前記第１の面の反対側に位置し、かつ前記樹脂封止体の裏面から露出する第２の面と、前記第２の面から前記第１の面側に窪む凹部とを有し、
   前記第２の面及び前記凹部の内壁面は、メッキ層で覆われていることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１に記載の半導体装置において、
   前記凹部は、前記第２の面に複数設けられていることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項２に記載の半導体装置において、
   更に、前記複数のリードは、前記半導体チップ側に位置する第１の先端面と、前記第１の先端面の反対側に位置し、かつ前記樹脂封止体の側面から露出する第２の先端面とを有し、
   前記複数の凹部のうち、最も前記第２の先端面側に位置する凹部は、前記リードの第２の先端面に連なっていることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項３に記載の半導体装置において、
   前記第１及び第２の面は、前記第２の先端面に連なり、
   前記第２の先端面は、前記樹脂封止体の側面から突出し、
   前記複数の凹部は、前記樹脂封止体の側面の外側と内側に亘って点在していることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１に記載の半導体装置において、
   更に、前記複数のリードは、前記半導体チップ側に位置する第１の先端面と、前記第１の先端面の反対側に位置し、かつ前記樹脂封止体の側面から露出する第２の先端面とを有し、
   前記凹部は、前記第２の面から前記第１の面側に窪み、かつ前記第２の先端面に連なっていることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項５に記載の半導体装置において、
   前記凹部は、前記リードの第２の先端面で終端し、前記第２の先端面から露出していることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項５に記載の半導体装置において、
   前記メッキ層は、前記リードの第２の先端面で終端し、前記第２の先端面から露出していることを特徴とする半導体装置。
8. 請求項５に記載の半導体装置において、
   前記凹部は、前記リードの幅方向において互いに反対側に位置する前記リードの２つの側面から離間して設けられていることを特徴とする半導体装置。
9. 請求項５に記載の半導体装置において、
   前記第２の先端面は、切断面であることを特徴とする半導体装置。
10. 請求項５に記載の半導体装置において、
    前記第１及び第２の面は、前記第２の先端面に連なり、
    前記第２の先端面は、前記樹脂封止体の側面から突出していることを特徴とする半導体装置。
11. 請求項１０に記載の半導体装置において、
    前記凹部は、前記樹脂封止体の外側に設けられていることを特徴とする半導体装置。
12. 請求項５に記載の半導体装置において、
    前記凹部は、前記樹脂封止体の側面の外側と内側に亘って設けられていることを特徴とする半導体装置。
13. 請求項５に記載の半導体装置において、
    更に、前記半導体チップの複数の電極と前記複数のリードの第１の面とを夫々電気的に接続する複数のボンディングワイヤを有することを特徴とする半導体装置。
14. 請求項１３に記載の半導体装置において、
    更に、前記リードよりも厚さが薄いチップ支持体を有し、
    前記半導体チップは、その裏面が前記チップ支持体の第１の面に接着され、
    前記チップ支持体の第１の面と反対側の第２の面は、前記樹脂封止体の樹脂で覆われていることを特徴とする半導体装置。
15. 請求項５に記載の半導体装置において、
    前記メッキ層は、前記リードの第２の先端面よりも半田濡れ性が高い層であることを特徴とする半導体装置。
16. 請求項１に記載の半導体装置において、
    更に、チップ支持体を有し、
    前記チップ支持体は、前記半導体チップが接着された第１の面と、前記第１の面の反対側に位置し、かつ前記樹脂封止体の裏面から露出する第２の面と、前記第２の面から前記第１の面側に窪み、かつ前記樹脂封止体の裏面から露出するチップ支持体用の凹部とを有することを特徴とする半導体装置。
17. 請求項１６に記載の半導体装置において、
    半導体チップの複数の電極は、前記複数のリードの第１の面に突起状電極を介在して夫々電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
18. 請求項１６に記載の半導体装置において、
    前記チップ支持体用の凹部の内壁面は、前記リードの第２の先端面よりも半田濡れ性が高いメッキ層で覆われていることを特徴とする半導体装置。