JP2004535664A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004535664A5 JP2004535664A5 JP2002581571A JP2002581571A JP2004535664A5 JP 2004535664 A5 JP2004535664 A5 JP 2004535664A5 JP 2002581571 A JP2002581571 A JP 2002581571A JP 2002581571 A JP2002581571 A JP 2002581571A JP 2004535664 A5 JP2004535664 A5 JP 2004535664A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- layer
- substrate
- interface
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 19
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims 5
- 230000001070 adhesive Effects 0.000 claims 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N HF Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 230000002093 peripheral Effects 0.000 claims 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims 2
- 230000003287 optical Effects 0.000 claims 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
- 230000003313 weakening Effects 0.000 claims 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N nitride(3-) Chemical compound [N-3] TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims 1
Claims (42)
- 薄層部分を形成することが意図される層と基板との間の分離可能な界面を形成する工程を含む薄層形成方法であって、少なくとも第1の領域(Z1、Z1’)がゼロではない第1のレベルの機械的強度を有し、さらに第2の領域(Z2、Z2’)が前記第1のレベルの機械的強度よりも有意に大きな第2のレベルの機械的強度を有するように前記界面が形成され、前記第1の領域は前記第2の領域内に含まれることを特徴とする薄層形成方法。
- 周辺部が前記第2の領域に沿って延在する前記界面の全体又は一部を表す部分が分離されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記第2の領域が、前記第1の領域がコアを構成するウエハの周辺部を構成することを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 前記第1の領域が複数のフラグメントに分割され、各フラグメントは第2の領域によって取り囲まれることを特徴とする、請求項1から3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記基板の表面と前記層の表面との間に前記界面が形成され、前記界面を形成する前記工程が、前記表面の少なくとも1つを加工する工程と、分子接着接合によって前記表面を他の表面に接合させる接合工程とを含むことを特徴とする、請求項1から4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記界面を形成する前記工程が、前記基板の前記表面と前記層の前記表面との各々を加工する工程を含むことを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- 前記表面を加工する工程が、前記第1の領域において前記表面の粗さを局所的に増大させる処理工程を含むことを特徴とする、請求項5または6に記載の方法。
- 前記処理工程が、前記第1の領域における前記表面を局所的に酸エッチングすることを含むことを特徴とする、請求項7に記載の方法。
- 前記酸エッチングがフッ化水素酸を使用して実施され、前記第2の領域における前記表面は、エッチング後には除去される窒化物などの層によって前記エッチングから保護されることを特徴とする、請求項8に記載の方法。
- 前記表面を加工する工程が、前記表面を全体的に粗面化させる工程と、より大きな接合力を得るために一部の粗さを増大させる工程とを含むことを特徴とする、請求項5または6に記載の方法。
- 化学研磨、機械的処理、または化学的機械的処理、あるいはドライエッチングによって一部の粗さを低下させることを特徴とする、請求項10に記載の方法。
- 前記界面を形成する前記工程が、出発基板の埋め込み層を脆弱化させる工程を含み、それによって少なくとも前記第1の領域が前記第2の領域よりも弱くなり、前記埋め込み層は、前記層を形成する部分と前記基板を形成する部分との間にあることを特徴とする、請求項1から4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記脆弱化させる工程が、少なくとも1種類の気体元素を注入する工程を含み、前記注入工程は、前記第1および第2の領域で別々に実施されることを特徴とする、請求項12に記載の方法。
- 前記界面を形成する前記工程が、前記基板の表面層を多孔質にするよう適合させた処理工程を含み、前記処理工程は前記第1の領域が前記第2の領域よりも多孔質になるような方法で実施され、続いて、前記多孔質層の上部に前記層が形成される被覆工程が実施されることを特徴とする、請求項1から4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記基板がシリコン製であり、前記処理工程がフッ化水素酸媒体中の電気分解を含むことを特徴とする、請求項14に記載の方法。
- 前記界面を形成する前記工程に続いて、前記層を前記基板から分離する工程が実施されることを特徴とする、請求項1から15のいずれか1項に記載の方法。
- 前記界面を形成する前記工程の後で、前記第2の領域(Z2’)が前記フラグメントの前記周辺部に沿って延在するように前記第1の領域(Z1’)と前記第2の領域(Z2’)とを含む前記層の少なくとも1つのフラグメントを切断する工程が続き、その後、前記基板と前記薄層のリフトオフが行われる分離工程が実施されることを特徴とする、請求項16に記載の方法。
- 前記界面を形成する前記工程と、前記分離工程との間に、前記第2の領域を前記第1の領域に対して切断する工程が存在することを特徴とする、請求項16または17に記載の方法。
- 前記界面を形成する前記工程と、前記分離工程との間に、マイクロエレクトロニクス構成要素、光学的構成要素、または機械的構成要素の全体または一部を前記層中に形成する工程を含むことを特徴とする、請求項16から18のいずれか1項に記載の方法。
- より高い機械的強度の前記第2の領域で取り囲まれた低機械強度の前記第1の領域と対面するように各構成要素が形成されることを特徴とする、請求項19に記載の方法。
- 前記界面を形成する前記工程と、前記分離工程との間に、前記層を第2の基板(16、16’)に接合させる接合工程が存在することを特徴とする、請求項16から20のいずれか1項に記載の方法。
- 前記接合工程が分子接着接合を含むことを特徴とする、請求項16に記載の方法。
- 前記接合工程が接着接合を含むことを特徴とする、請求項16に記載の方法。
- 前記接着接合がUV線によって硬化する接着剤を使用することを特徴とする、請求項23に記載の方法。
- 前記分離工程が、酸エッチングと機械的応力の付与とによって実施されることを特徴とする、請求項16から19のいずれか1項に記載の方法。
- 前記層がシリコン製であることを特徴とする、請求項1から20のいずれか1項に記載の方法。
- 基板上に層を有するアセンブリであって、少なくとも選択された第1の領域(Z1、Z1’)がゼロではない第1のレベルの機械的強度を有し、選択された第2の領域(Z2、Z2’)が前記第1のレベルよりも有意に大きな第2のレベルの機械的強度を有する分離可能な界面において、前記層(13+14、13’+14’、23)が前記基板(11+12、11’+12’、21)と連接し、前記第1の領域(Z1、Z1’)は前記第2の領域(Z2、Z2’)内に含まれるアセンブリ。
- 前記第2の領域が周辺部にあることを特徴とする、請求項27に記載のアセンブリ。
- 前記第2の領域が、前記第1の領域がコアを構成するウエハの周辺部を構成することを特徴とする、請求項27または28に記載のアセンブリ。
- 前記第1の領域が複数のフラグメントに分割され、各フラグメントは第2の領域によって取り囲まれることを特徴とする、請求項27または28に記載のアセンブリ。
- 前記第2の領域がフラグメントの前記周辺部に沿って延在するように、前記層中で切断された前記フラグメントが前記第1の領域と前記第2の領域とを含むことを特徴とする、請求項27または28に記載のアセンブリ。
- 前記層が、マイクロエレクトロニクス構成要素、光学的構成要素、または機械的構成要素の全体または一部を含むことを特徴とする、請求項27から31のいずれか1項に記載のアセンブリ。
- より高い機械的強度の前記第2の領域で取り囲まれた低機械強度の前記第1の領域と前記構成要素が対面することを特徴とする、請求項32に記載のアセンブリ。
- 分子接着接合される前記基板の表面及び前記層の表面との間に前記界面が形成されることを特徴とする、請求項27から33のいずれか1項に記載のアセンブリ。
- 前記界面の少なくとも1つの表面が、前記第2の領域よりも前記第1の領域で大きな粗さを有することを特徴とする、請求項27から34のいずれか1項に記載のアセンブリ。
- 出発基板の埋め込み層によって前記界面が形成され、前記第1の領域は前記第2の領域よりも脆弱化されることを特徴とする、請求項27から33のいずれか1項に記載のアセンブリ。
- 前記層と前記基板との間の多孔質層によって前記界面が形成され、前記層が前記第1および第2の領域で異なる多孔度を有することを特徴とする、請求項27から33のいずれか1項に記載のアセンブリ。
- 前記層が第2の基板(16、16’)とさらに接合することを特徴とする、請求項26から37のいずれか1項に記載のアセンブリ。
- 前記第2の基板が分子接着接合されることを特徴とする、請求項38に記載のアセンブリ。
- 前記第2の基板が接着接合されることを特徴とする、請求項38に記載のアセンブリ。
- 前記接着接合がUV線によって硬化する接着剤を使用することを特徴とする、請求項40に記載のアセンブリ。
- 前記層がシリコン製であることを特徴とする、請求項27から41のいずれか1項に記載のアセンブリ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0105129A FR2823596B1 (fr) | 2001-04-13 | 2001-04-13 | Substrat ou structure demontable et procede de realisation |
PCT/FR2002/001266 WO2002084721A2 (fr) | 2001-04-13 | 2002-04-11 | Substrat ou structure demontable et procede de realisation |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009297080A Division JP2010114456A (ja) | 2001-04-13 | 2009-12-28 | 剥離可能な基板または剥離可能な構造、およびそれらの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004535664A JP2004535664A (ja) | 2004-11-25 |
JP2004535664A5 true JP2004535664A5 (ja) | 2005-12-22 |
JP4540933B2 JP4540933B2 (ja) | 2010-09-08 |
Family
ID=8862351
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002581571A Expired - Lifetime JP4540933B2 (ja) | 2001-04-13 | 2002-04-11 | 薄層形成方法 |
JP2009297080A Withdrawn JP2010114456A (ja) | 2001-04-13 | 2009-12-28 | 剥離可能な基板または剥離可能な構造、およびそれらの製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009297080A Withdrawn JP2010114456A (ja) | 2001-04-13 | 2009-12-28 | 剥離可能な基板または剥離可能な構造、およびそれらの製造方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7713369B2 (ja) |
EP (1) | EP1378003B1 (ja) |
JP (2) | JP4540933B2 (ja) |
KR (1) | KR100933897B1 (ja) |
CN (1) | CN100355025C (ja) |
AU (1) | AU2002304525A1 (ja) |
FR (1) | FR2823596B1 (ja) |
TW (1) | TW577102B (ja) |
WO (1) | WO2002084721A2 (ja) |
Families Citing this family (117)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2748851B1 (fr) | 1996-05-15 | 1998-08-07 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une couche mince de materiau semiconducteur |
FR2773261B1 (fr) | 1997-12-30 | 2000-01-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede pour le transfert d'un film mince comportant une etape de creation d'inclusions |
FR2823596B1 (fr) | 2001-04-13 | 2004-08-20 | Commissariat Energie Atomique | Substrat ou structure demontable et procede de realisation |
FR2823599B1 (fr) * | 2001-04-13 | 2004-12-17 | Commissariat Energie Atomique | Substrat demomtable a tenue mecanique controlee et procede de realisation |
FR2846788B1 (fr) | 2002-10-30 | 2005-06-17 | Procede de fabrication de substrats demontables | |
FR2847077B1 (fr) * | 2002-11-12 | 2006-02-17 | Soitec Silicon On Insulator | Composants semi-conducteurs, et notamment de type soi mixtes, et procede de realisation |
FR2848336B1 (fr) * | 2002-12-09 | 2005-10-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une structure contrainte destinee a etre dissociee |
FR2892228B1 (fr) * | 2005-10-18 | 2008-01-25 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de recyclage d'une plaquette donneuse epitaxiee |
US20090325362A1 (en) * | 2003-01-07 | 2009-12-31 | Nabil Chhaimi | Method of recycling an epitaxied donor wafer |
EP1437426A1 (de) * | 2003-01-10 | 2004-07-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Strukturen |
US6759277B1 (en) * | 2003-02-27 | 2004-07-06 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Crystalline silicon die array and method for assembling crystalline silicon sheets onto substrates |
US7122095B2 (en) | 2003-03-14 | 2006-10-17 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. | Methods for forming an assembly for transfer of a useful layer |
FR2852445B1 (fr) * | 2003-03-14 | 2005-05-20 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de realisation de substrats ou composants sur substrats avec transfert de couche utile, pour la microelectronique, l'optoelectronique ou l'optique |
JP4794810B2 (ja) * | 2003-03-20 | 2011-10-19 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
FR2856844B1 (fr) * | 2003-06-24 | 2006-02-17 | Commissariat Energie Atomique | Circuit integre sur puce de hautes performances |
JP4581349B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2010-11-17 | 株式会社Sumco | 貼合せsoiウェーハの製造方法 |
US8475693B2 (en) | 2003-09-30 | 2013-07-02 | Soitec | Methods of making substrate structures having a weakened intermediate layer |
FR2860249B1 (fr) | 2003-09-30 | 2005-12-09 | Michel Bruel | Procede de fabrication d'une structure en forme de plaque, en particulier en silicium, application de procede, et structure en forme de plaque, en particulier en silicium |
FR2861497B1 (fr) * | 2003-10-28 | 2006-02-10 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de transfert catastrophique d'une couche fine apres co-implantation |
JP4809600B2 (ja) * | 2003-10-28 | 2011-11-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
FR2871291B1 (fr) * | 2004-06-02 | 2006-12-08 | Tracit Technologies | Procede de transfert de plaques |
JP4838504B2 (ja) * | 2004-09-08 | 2011-12-14 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
FR2876220B1 (fr) * | 2004-10-06 | 2007-09-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'elaboration de structures empilees mixtes, a zones isolantes diverses et/ou zones de conduction electrique verticale localisees. |
US7405108B2 (en) * | 2004-11-20 | 2008-07-29 | International Business Machines Corporation | Methods for forming co-planar wafer-scale chip packages |
FR2878648B1 (fr) * | 2004-11-30 | 2007-02-02 | Commissariat Energie Atomique | Support semi-conducteur rectangulaire pour la microelectronique et procede de realisation d'un tel support |
FR2880189B1 (fr) | 2004-12-24 | 2007-03-30 | Tracit Technologies Sa | Procede de report d'un circuit sur un plan de masse |
JP2006216891A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Tokyo Univ Of Agriculture & Technology | 薄膜素子構造の作製方法、及び薄膜素子構造作製用の機能性基体 |
KR20080003002A (ko) * | 2005-04-27 | 2008-01-04 | 린텍 가부시키가이샤 | 시트상 언더필재 및 반도체장치의 제조방법 |
FR2888400B1 (fr) * | 2005-07-08 | 2007-10-19 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de prelevement de couche |
FR2889887B1 (fr) * | 2005-08-16 | 2007-11-09 | Commissariat Energie Atomique | Procede de report d'une couche mince sur un support |
FR2891281B1 (fr) | 2005-09-28 | 2007-12-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un element en couches minces. |
EP1777735A3 (fr) * | 2005-10-18 | 2009-08-19 | S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies | Procédé de recyclage d'une plaquette donneuse épitaxiée |
FR2893750B1 (fr) * | 2005-11-22 | 2008-03-14 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un dispositif electronique flexible du type ecran comportant une pluralite de composants en couches minces. |
US7829436B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-11-09 | Sumco Corporation | Process for regeneration of a layer transferred wafer and regenerated layer transferred wafer |
EP1801870A1 (en) * | 2005-12-22 | 2007-06-27 | Princo Corp. | Partial adherent temporary substrate and method of using the same |
US7781309B2 (en) * | 2005-12-22 | 2010-08-24 | Sumco Corporation | Method for manufacturing direct bonded SOI wafer and direct bonded SOI wafer manufactured by the method |
TWI285424B (en) * | 2005-12-22 | 2007-08-11 | Princo Corp | Substrate including a multi-layer interconnection structure, methods of manufacturing and recycling the same, method of packaging electronic devices by using the same, and method of manufacturing an interconnection device |
CN1996582B (zh) * | 2006-01-06 | 2012-02-15 | 巨擘科技股份有限公司 | 包含多层内连线结构的载板及其制造、回收以及应用方法 |
JP5345404B2 (ja) * | 2006-03-14 | 2013-11-20 | インスティチュート フュア ミクロエレクトロニク シュトゥットガルト | 集積回路の製造方法 |
DE102006059394B4 (de) * | 2006-12-08 | 2019-11-21 | Institut Für Mikroelektronik Stuttgart | Integrierte Schaltung und Verfahren zu deren Herstellung |
DE102006013419B4 (de) * | 2006-03-14 | 2008-05-29 | Institut Für Mikroelektronik Stuttgart | Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung |
US8051557B2 (en) | 2006-03-31 | 2011-11-08 | Princo Corp. | Substrate with multi-layer interconnection structure and method of manufacturing the same |
US20080057678A1 (en) * | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Kishor Purushottam Gadkaree | Semiconductor on glass insulator made using improved hydrogen reduction process |
FR2910179B1 (fr) * | 2006-12-19 | 2009-03-13 | Commissariat Energie Atomique | PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES DE GaN PAR IMPLANTATION ET RECYCLAGE D'UN SUBSTRAT DE DEPART |
FR2912839B1 (fr) * | 2007-02-16 | 2009-05-15 | Soitec Silicon On Insulator | Amelioration de la qualite de l'interface de collage par nettoyage froid et collage a chaud |
FR2913968B1 (fr) | 2007-03-23 | 2009-06-12 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de realisation de membranes autoportees. |
WO2008123117A1 (en) * | 2007-03-26 | 2008-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Soi substrate and method for manufacturing soi substrate |
FR2914493B1 (fr) | 2007-03-28 | 2009-08-07 | Soitec Silicon On Insulator | Substrat demontable. |
US7605054B2 (en) | 2007-04-18 | 2009-10-20 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Method of forming a device wafer with recyclable support |
FR2922359B1 (fr) * | 2007-10-12 | 2009-12-18 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'une structure micro-electronique impliquant un collage moleculaire |
FR2925221B1 (fr) * | 2007-12-17 | 2010-02-19 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert d'une couche mince |
FR2926671B1 (fr) * | 2008-01-17 | 2010-04-02 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de traitement de defauts lors de collage de plaques |
FR2926672B1 (fr) * | 2008-01-21 | 2010-03-26 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication de couches de materiau epitaxie |
PT2238618E (pt) * | 2008-01-24 | 2015-09-03 | Brewer Science Inc | Método para montagem reversível de uma bolacha de dispositivo num substrato de suporte |
FR2929758B1 (fr) * | 2008-04-07 | 2011-02-11 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert a l'aide d'un substrat ferroelectrique |
TWI424587B (zh) * | 2008-06-30 | 2014-01-21 | Luxtaltek Corp | Light emitting diodes with nanoscale surface structure and embossing molds forming nanometer scale surface structures |
JP5478199B2 (ja) * | 2008-11-13 | 2014-04-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7927975B2 (en) * | 2009-02-04 | 2011-04-19 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor material manufacture |
FR2947098A1 (fr) * | 2009-06-18 | 2010-12-24 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert d'une couche mince sur un substrat cible ayant un coefficient de dilatation thermique different de celui de la couche mince |
US9847243B2 (en) | 2009-08-27 | 2017-12-19 | Corning Incorporated | Debonding a glass substrate from carrier using ultrasonic wave |
US8187901B2 (en) * | 2009-12-07 | 2012-05-29 | Micron Technology, Inc. | Epitaxial formation support structures and associated methods |
EP3923352A1 (en) | 2010-01-27 | 2021-12-15 | Yale University, Inc. | Conductivity based selective etch for gan devices and applications thereof |
EP2553719B1 (de) * | 2010-03-31 | 2019-12-04 | Ev Group E. Thallner GmbH | Verfahren zur herstellung eines mit chips bestückten wafers mit hilfe von zwei selektiv abtrennbaren trägerwafern mit ringförmigen adhäsionsschichten mit unterschiedlichen ringbreiten |
US8852391B2 (en) * | 2010-06-21 | 2014-10-07 | Brewer Science Inc. | Method and apparatus for removing a reversibly mounted device wafer from a carrier substrate |
EP2600400A4 (en) * | 2010-07-30 | 2015-03-18 | Kyocera Corp | COMPOSITE SUBSTRATE, ELECTRONIC COMPONENT, METHOD FOR PRODUCING THE COMPOSITE COMPOSITE AND METHOD FOR PRODUCING THE ELECTRONIC COMPONENT |
US9263314B2 (en) | 2010-08-06 | 2016-02-16 | Brewer Science Inc. | Multiple bonding layers for thin-wafer handling |
TWI500118B (zh) * | 2010-11-12 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體基底之製造方法 |
JP5926527B2 (ja) * | 2011-10-17 | 2016-05-25 | 信越化学工業株式会社 | 透明soiウェーハの製造方法 |
US10543662B2 (en) | 2012-02-08 | 2020-01-28 | Corning Incorporated | Device modified substrate article and methods for making |
US8975157B2 (en) | 2012-02-08 | 2015-03-10 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Carrier bonding and detaching processes for a semiconductor wafer |
WO2013190793A1 (ja) * | 2012-06-18 | 2013-12-27 | パナソニック株式会社 | 赤外線検出装置 |
US9583353B2 (en) | 2012-06-28 | 2017-02-28 | Yale University | Lateral electrochemical etching of III-nitride materials for microfabrication |
US9481566B2 (en) | 2012-07-31 | 2016-11-01 | Soitec | Methods of forming semiconductor structures including MEMS devices and integrated circuits on opposing sides of substrates, and related structures and devices |
WO2014026292A1 (en) * | 2012-08-15 | 2014-02-20 | Mcmaster University | Arbitrarily thin ultra smooth film with built-in separation ability and method of forming the same |
KR101392133B1 (ko) * | 2012-08-20 | 2014-05-07 | 세종대학교산학협력단 | 서로 다른 젖음성을 갖는 영역들을 구비하는 캐리어 기판, 이를 사용한 소자 기판 처리 방법 |
FR2995445B1 (fr) * | 2012-09-07 | 2016-01-08 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une structure en vue d'une separation ulterieure |
FR2995447B1 (fr) | 2012-09-07 | 2014-09-05 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de separation d'au moins deux substrats selon une interface choisie |
TWI617437B (zh) | 2012-12-13 | 2018-03-11 | 康寧公司 | 促進控制薄片與載體間接合之處理 |
US10014177B2 (en) | 2012-12-13 | 2018-07-03 | Corning Incorporated | Methods for processing electronic devices |
US9340443B2 (en) | 2012-12-13 | 2016-05-17 | Corning Incorporated | Bulk annealing of glass sheets |
US10086584B2 (en) | 2012-12-13 | 2018-10-02 | Corning Incorporated | Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers |
DE102012112989A1 (de) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Verfahren zum Aufbringen einer Temporärbondschicht |
US9028628B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-05-12 | International Business Machines Corporation | Wafer-to-wafer oxide fusion bonding |
US9058974B2 (en) | 2013-06-03 | 2015-06-16 | International Business Machines Corporation | Distorting donor wafer to corresponding distortion of host wafer |
JP2015035453A (ja) * | 2013-08-07 | 2015-02-19 | アズビル株式会社 | ウエハ |
US10510576B2 (en) | 2013-10-14 | 2019-12-17 | Corning Incorporated | Carrier-bonding methods and articles for semiconductor and interposer processing |
WO2017034644A2 (en) * | 2015-06-09 | 2017-03-02 | ARIZONA BOARD OF REGENTS a body corporate for THE STATE OF ARIZONA for and on behalf of ARIZONA STATE UNIVERSITY | Method of providing an electronic device and electronic device thereof |
US10381224B2 (en) * | 2014-01-23 | 2019-08-13 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Method of providing an electronic device and electronic device thereof |
KR102353030B1 (ko) | 2014-01-27 | 2022-01-19 | 코닝 인코포레이티드 | 얇은 시트와 캐리어의 제어된 결합을 위한 물품 및 방법 |
FR3019374A1 (fr) * | 2014-03-28 | 2015-10-02 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de separation et de transfert de couches |
SG11201608442TA (en) | 2014-04-09 | 2016-11-29 | Corning Inc | Device modified substrate article and methods for making |
US11095096B2 (en) | 2014-04-16 | 2021-08-17 | Yale University | Method for a GaN vertical microcavity surface emitting laser (VCSEL) |
KR102425935B1 (ko) | 2014-09-30 | 2022-07-27 | 예일 유니버시티 | GaN 수직 마이크로캐비티 표면 방출 레이저(VCSEL)를 위한 방법 |
US11018231B2 (en) | 2014-12-01 | 2021-05-25 | Yale University | Method to make buried, highly conductive p-type III-nitride layers |
EP3298624B1 (en) | 2015-05-19 | 2023-04-19 | Yale University | A method and device concerning iii-nitride edge emitting laser diode of high confinement factor with lattice matched cladding layer |
KR102573207B1 (ko) | 2015-05-19 | 2023-08-31 | 코닝 인코포레이티드 | 시트와 캐리어의 결합을 위한 물품 및 방법 |
CN117534339A (zh) | 2015-06-26 | 2024-02-09 | 康宁股份有限公司 | 包含板材和载体的方法和制品 |
KR20170033163A (ko) | 2015-09-16 | 2017-03-24 | 임종순 | 수로관 및 이의 시공방법 |
DE102016106351A1 (de) * | 2016-04-07 | 2017-10-12 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Bonden zweier Substrate |
US20180019169A1 (en) * | 2016-07-12 | 2018-01-18 | QMAT, Inc. | Backing substrate stabilizing donor substrate for implant or reclamation |
TW201825623A (zh) | 2016-08-30 | 2018-07-16 | 美商康寧公司 | 用於片材接合的矽氧烷電漿聚合物 |
TWI821867B (zh) | 2016-08-31 | 2023-11-11 | 美商康寧公司 | 具以可控制式黏結的薄片之製品及製作其之方法 |
FR3063176A1 (fr) * | 2017-02-17 | 2018-08-24 | Soitec | Masquage d'une zone au bord d'un substrat donneur lors d'une etape d'implantation ionique |
TWI756384B (zh) * | 2017-03-16 | 2022-03-01 | 美商康寧公司 | 用於大量轉移微型led的方法及製程 |
WO2019036710A1 (en) | 2017-08-18 | 2019-02-21 | Corning Incorporated | TEMPORARY BINDING USING POLYCATIONIC POLYMERS |
KR102179165B1 (ko) | 2017-11-28 | 2020-11-16 | 삼성전자주식회사 | 캐리어 기판 및 상기 캐리어 기판을 이용한 반도체 패키지의 제조방법 |
FR3074960B1 (fr) | 2017-12-07 | 2019-12-06 | Soitec | Procede de transfert d'une couche utilisant une structure demontable |
JP7431160B2 (ja) | 2017-12-15 | 2024-02-14 | コーニング インコーポレイテッド | 基板を処理するための方法および結合されたシートを含む物品を製造するための方法 |
KR20200130816A (ko) * | 2018-03-14 | 2020-11-20 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 |
TWI791099B (zh) * | 2018-03-29 | 2023-02-01 | 日商日本碍子股份有限公司 | 接合體及彈性波元件 |
US10964664B2 (en) | 2018-04-20 | 2021-03-30 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | DBI to Si bonding for simplified handle wafer |
US11101158B1 (en) * | 2018-08-08 | 2021-08-24 | United States Of America As Represented By The Administrator Of Nasa | Wafer-scale membrane release laminates, devices and processes |
US11081392B2 (en) | 2018-09-28 | 2021-08-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Dicing method for stacked semiconductor devices |
FR3108439B1 (fr) | 2020-03-23 | 2022-02-11 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d’une structure empilee |
FR3109016B1 (fr) | 2020-04-01 | 2023-12-01 | Soitec Silicon On Insulator | Structure demontable et procede de transfert d’une couche mettant en œuvre ladite structure demontable |
US20230025444A1 (en) * | 2021-07-22 | 2023-01-26 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Systems and methods for silicon microstructures fabricated via greyscale drie with soi release |
CN115101705A (zh) * | 2022-06-29 | 2022-09-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及蒸镀装置 |
Family Cites Families (98)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4121334A (en) * | 1974-12-17 | 1978-10-24 | P. R. Mallory & Co. Inc. | Application of field-assisted bonding to the mass production of silicon type pressure transducers |
JPS53104156A (en) | 1977-02-23 | 1978-09-11 | Hitachi Ltd | Manufacture for semiconductor device |
US4179324A (en) * | 1977-11-28 | 1979-12-18 | Spire Corporation | Process for fabricating thin film and glass sheet laminate |
JPS5831519A (ja) | 1981-08-18 | 1983-02-24 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
SU1282757A1 (ru) | 1983-12-30 | 2000-06-27 | Институт Ядерной Физики Ан Казсср | Способ изготовления тонких пластин кремния |
JPS62265717A (ja) | 1986-05-13 | 1987-11-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ガリウムひ素集積回路用基板の熱処理方法 |
GB8725497D0 (en) | 1987-10-30 | 1987-12-02 | Atomic Energy Authority Uk | Isolation of silicon |
JP2927277B2 (ja) | 1988-12-05 | 1999-07-28 | 住友電気工業株式会社 | 車載ナビゲータ |
JPH0355822A (ja) | 1989-07-25 | 1991-03-11 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体素子形成用基板の製造方法 |
US5013681A (en) * | 1989-09-29 | 1991-05-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of producing a thin silicon-on-insulator layer |
US5310446A (en) * | 1990-01-10 | 1994-05-10 | Ricoh Company, Ltd. | Method for producing semiconductor film |
US5034343A (en) * | 1990-03-08 | 1991-07-23 | Harris Corporation | Manufacturing ultra-thin wafer using a handle wafer |
JPH0719739B2 (ja) * | 1990-09-10 | 1995-03-06 | 信越半導体株式会社 | 接合ウェーハの製造方法 |
US5618739A (en) * | 1990-11-15 | 1997-04-08 | Seiko Instruments Inc. | Method of making light valve device using semiconductive composite substrate |
JPH04199504A (ja) | 1990-11-28 | 1992-07-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2812405B2 (ja) | 1991-03-15 | 1998-10-22 | 信越半導体株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
US5256581A (en) * | 1991-08-28 | 1993-10-26 | Motorola, Inc. | Silicon film with improved thickness control |
JP3416163B2 (ja) * | 1992-01-31 | 2003-06-16 | キヤノン株式会社 | 半導体基板及びその作製方法 |
JPH05235312A (ja) * | 1992-02-19 | 1993-09-10 | Fujitsu Ltd | 半導体基板及びその製造方法 |
JP3352118B2 (ja) * | 1992-08-25 | 2002-12-03 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US5234535A (en) * | 1992-12-10 | 1993-08-10 | International Business Machines Corporation | Method of producing a thin silicon-on-insulator layer |
JPH07211876A (ja) * | 1994-01-21 | 1995-08-11 | Canon Inc | 半導体基体の作成方法 |
FR2715501B1 (fr) * | 1994-01-26 | 1996-04-05 | Commissariat Energie Atomique | Procédé de dépôt de lames semiconductrices sur un support. |
FR2715502B1 (fr) | 1994-01-26 | 1996-04-05 | Commissariat Energie Atomique | Structure présentant des cavités et procédé de réalisation d'une telle structure. |
FR2715503B1 (fr) * | 1994-01-26 | 1996-04-05 | Commissariat Energie Atomique | Substrat pour composants intégrés comportant une couche mince et son procédé de réalisation. |
JP3293736B2 (ja) * | 1996-02-28 | 2002-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体基板の作製方法および貼り合わせ基体 |
JP3257580B2 (ja) | 1994-03-10 | 2002-02-18 | キヤノン株式会社 | 半導体基板の作製方法 |
JPH0817777A (ja) | 1994-07-01 | 1996-01-19 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | シリコンウェーハの洗浄方法 |
JPH0851103A (ja) * | 1994-08-08 | 1996-02-20 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜の生成方法 |
US5567654A (en) * | 1994-09-28 | 1996-10-22 | International Business Machines Corporation | Method and workpiece for connecting a thin layer to a monolithic electronic module's surface and associated module packaging |
JPH08133878A (ja) | 1994-11-11 | 1996-05-28 | Mitsubishi Materials Corp | グレーズドセラミック基板の製造方法 |
KR960026128A (ja) | 1994-12-12 | 1996-07-22 | ||
JP3381443B2 (ja) * | 1995-02-02 | 2003-02-24 | ソニー株式会社 | 基体から半導体層を分離する方法、半導体素子の製造方法およびsoi基板の製造方法 |
CN1132223C (zh) * | 1995-10-06 | 2003-12-24 | 佳能株式会社 | 半导体衬底及其制造方法 |
FR2744285B1 (fr) | 1996-01-25 | 1998-03-06 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert d'une couche mince d'un substrat initial sur un substrat final |
FR2747506B1 (fr) * | 1996-04-11 | 1998-05-15 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'obtention d'un film mince de materiau semiconducteur comprenant notamment des composants electroniques |
FR2748850B1 (fr) * | 1996-05-15 | 1998-07-24 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'un film mince de materiau solide et applications de ce procede |
FR2748851B1 (fr) * | 1996-05-15 | 1998-08-07 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une couche mince de materiau semiconducteur |
JP4001650B2 (ja) | 1996-05-16 | 2007-10-31 | 株式会社リコー | 画像形成装置 |
US6054363A (en) * | 1996-11-15 | 2000-04-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing semiconductor article |
SG65697A1 (en) * | 1996-11-15 | 1999-06-22 | Canon Kk | Process for producing semiconductor article |
DE19648501A1 (de) * | 1996-11-22 | 1998-05-28 | Max Planck Gesellschaft | Verfahren für die lösbare Verbindung und anschließende Trennung reversibel gebondeter und polierter Scheiben sowie eine Waferstruktur und Wafer |
KR100232886B1 (ko) * | 1996-11-23 | 1999-12-01 | 김영환 | Soi 웨이퍼 제조방법 |
DE19648759A1 (de) * | 1996-11-25 | 1998-05-28 | Max Planck Gesellschaft | Verfahren zur Herstellung von Mikrostrukturen sowie Mikrostruktur |
JPH10163166A (ja) * | 1996-11-28 | 1998-06-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
FR2756847B1 (fr) * | 1996-12-09 | 1999-01-08 | Commissariat Energie Atomique | Procede de separation d'au moins deux elements d'une structure en contact entre eux par implantation ionique |
JP3962465B2 (ja) | 1996-12-18 | 2007-08-22 | キヤノン株式会社 | 半導体部材の製造方法 |
EP0849788B1 (en) | 1996-12-18 | 2004-03-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing semiconductor article by making use of a substrate having a porous semiconductor layer |
FR2758907B1 (fr) * | 1997-01-27 | 1999-05-07 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'obtention d'un film mince, notamment semiconducteur, comportant une zone protegee des ions, et impliquant une etape d'implantation ionique |
JP3114643B2 (ja) * | 1997-02-20 | 2000-12-04 | 日本電気株式会社 | 半導体基板の構造および製造方法 |
US6146979A (en) * | 1997-05-12 | 2000-11-14 | Silicon Genesis Corporation | Pressurized microbubble thin film separation process using a reusable substrate |
US6033974A (en) * | 1997-05-12 | 2000-03-07 | Silicon Genesis Corporation | Method for controlled cleaving process |
US5877070A (en) * | 1997-05-31 | 1999-03-02 | Max-Planck Society | Method for the transfer of thin layers of monocrystalline material to a desirable substrate |
EP0996967B1 (de) * | 1997-06-30 | 2008-11-19 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Verfahren zur Herstellung von schichtartigen Gebilden auf einem Halbleitersubstrat, Halbleitersubstrat sowie mittels des Verfahrens hergestellte Halbleiterbauelemente |
US6054369A (en) | 1997-06-30 | 2000-04-25 | Intersil Corporation | Lifetime control for semiconductor devices |
US6534380B1 (en) * | 1997-07-18 | 2003-03-18 | Denso Corporation | Semiconductor substrate and method of manufacturing the same |
JPH1145862A (ja) | 1997-07-24 | 1999-02-16 | Denso Corp | 半導体基板の製造方法 |
US6103599A (en) * | 1997-07-25 | 2000-08-15 | Silicon Genesis Corporation | Planarizing technique for multilayered substrates |
FR2767416B1 (fr) | 1997-08-12 | 1999-10-01 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un film mince de materiau solide |
FR2767604B1 (fr) * | 1997-08-19 | 2000-12-01 | Commissariat Energie Atomique | Procede de traitement pour le collage moleculaire et le decollage de deux structures |
JPH1174208A (ja) | 1997-08-27 | 1999-03-16 | Denso Corp | 半導体基板の製造方法 |
JP3412470B2 (ja) | 1997-09-04 | 2003-06-03 | 三菱住友シリコン株式会社 | Soi基板の製造方法 |
US5981400A (en) * | 1997-09-18 | 1999-11-09 | Cornell Research Foundation, Inc. | Compliant universal substrate for epitaxial growth |
JP2998724B2 (ja) | 1997-11-10 | 2000-01-11 | 日本電気株式会社 | 張り合わせsoi基板の製造方法 |
FR2771852B1 (fr) * | 1997-12-02 | 1999-12-31 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert selectif d'une microstructure, formee sur un substrat initial, vers un substrat final |
FR2773261B1 (fr) | 1997-12-30 | 2000-01-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede pour le transfert d'un film mince comportant une etape de creation d'inclusions |
FR2774510B1 (fr) | 1998-02-02 | 2001-10-26 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de traitement de substrats, notamment semi-conducteurs |
MY118019A (en) * | 1998-02-18 | 2004-08-30 | Canon Kk | Composite member, its separation method, and preparation method of semiconductor substrate by utilization thereof |
JP3031904B2 (ja) * | 1998-02-18 | 2000-04-10 | キヤノン株式会社 | 複合部材とその分離方法、及びそれを利用した半導体基体の製造方法 |
JP3809733B2 (ja) | 1998-02-25 | 2006-08-16 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタの剥離方法 |
US6057212A (en) * | 1998-05-04 | 2000-05-02 | International Business Machines Corporation | Method for making bonded metal back-plane substrates |
US6054370A (en) * | 1998-06-30 | 2000-04-25 | Intel Corporation | Method of delaminating a pre-fabricated transistor layer from a substrate for placement on another wafer |
US6271101B1 (en) * | 1998-07-29 | 2001-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for production of SOI substrate and process for production of semiconductor device |
US6118181A (en) * | 1998-07-29 | 2000-09-12 | Agilent Technologies, Inc. | System and method for bonding wafers |
FR2781925B1 (fr) * | 1998-07-30 | 2001-11-23 | Commissariat Energie Atomique | Transfert selectif d'elements d'un support vers un autre support |
EP0989593A3 (en) | 1998-09-25 | 2002-01-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate separating apparatus and method, and substrate manufacturing method |
FR2784795B1 (fr) * | 1998-10-16 | 2000-12-01 | Commissariat Energie Atomique | Structure comportant une couche mince de materiau composee de zones conductrices et de zones isolantes et procede de fabrication d'une telle structure |
FR2789518B1 (fr) | 1999-02-10 | 2003-06-20 | Commissariat Energie Atomique | Structure multicouche a contraintes internes controlees et procede de realisation d'une telle structure |
WO2000063965A1 (en) | 1999-04-21 | 2000-10-26 | Silicon Genesis Corporation | Treatment method of cleaved film for the manufacture of substrates |
JP2001015721A (ja) | 1999-04-30 | 2001-01-19 | Canon Inc | 複合部材の分離方法及び薄膜の製造方法 |
US6664169B1 (en) * | 1999-06-08 | 2003-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing semiconductor member, process for producing solar cell, and anodizing apparatus |
US6362082B1 (en) * | 1999-06-28 | 2002-03-26 | Intel Corporation | Methodology for control of short channel effects in MOS transistors |
FR2796491B1 (fr) * | 1999-07-12 | 2001-08-31 | Commissariat Energie Atomique | Procede de decollement de deux elements et dispositif pour sa mise en oeuvre |
EP1212787B1 (en) | 1999-08-10 | 2014-10-08 | Silicon Genesis Corporation | A cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses |
DE19958803C1 (de) | 1999-12-07 | 2001-08-30 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Vorrichtung zum Handhaben von Halbleitersubstraten bei der Prozessierung und/oder Bearbeitung |
FR2811807B1 (fr) * | 2000-07-12 | 2003-07-04 | Commissariat Energie Atomique | Procede de decoupage d'un bloc de materiau et de formation d'un film mince |
FR2818010B1 (fr) * | 2000-12-08 | 2003-09-05 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une couche mince impliquant l'introduction d'especes gazeuses |
US6774010B2 (en) * | 2001-01-25 | 2004-08-10 | International Business Machines Corporation | Transferable device-containing layer for silicon-on-insulator applications |
FR2823373B1 (fr) | 2001-04-10 | 2005-02-04 | Soitec Silicon On Insulator | Dispositif de coupe de couche d'un substrat, et procede associe |
FR2823596B1 (fr) | 2001-04-13 | 2004-08-20 | Commissariat Energie Atomique | Substrat ou structure demontable et procede de realisation |
US6759282B2 (en) * | 2001-06-12 | 2004-07-06 | International Business Machines Corporation | Method and structure for buried circuits and devices |
US6645831B1 (en) * | 2002-05-07 | 2003-11-11 | Intel Corporation | Thermally stable crystalline defect-free germanium bonded to silicon and silicon dioxide |
US7535100B2 (en) * | 2002-07-12 | 2009-05-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Wafer bonding of thinned electronic materials and circuits to high performance substrates |
JP4199504B2 (ja) | 2002-09-24 | 2008-12-17 | イーグル工業株式会社 | 摺動部品及びその製造方法 |
US7071077B2 (en) * | 2003-03-26 | 2006-07-04 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. | Method for preparing a bonding surface of a semiconductor layer of a wafer |
FR2855910B1 (fr) * | 2003-06-06 | 2005-07-15 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'obtention d'une couche tres mince par amincissement par auto-portage provoque |
FR2876220B1 (fr) * | 2004-10-06 | 2007-09-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'elaboration de structures empilees mixtes, a zones isolantes diverses et/ou zones de conduction electrique verticale localisees. |
FR2876219B1 (fr) * | 2004-10-06 | 2006-11-24 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'elaboration de structures empilees mixtes, a zones isolantes diverses et/ou zones de conduction electrique verticale localisees. |
-
2001
- 2001-04-13 FR FR0105129A patent/FR2823596B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-04-11 US US10/468,223 patent/US7713369B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-11 JP JP2002581571A patent/JP4540933B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-11 AU AU2002304525A patent/AU2002304525A1/en not_active Abandoned
- 2002-04-11 EP EP02732806.1A patent/EP1378003B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-11 KR KR1020037013311A patent/KR100933897B1/ko active IP Right Grant
- 2002-04-11 CN CNB028096819A patent/CN100355025C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-11 WO PCT/FR2002/001266 patent/WO2002084721A2/fr active Application Filing
- 2002-04-12 TW TW091107432A patent/TW577102B/zh not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-12-28 JP JP2009297080A patent/JP2010114456A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004535664A5 (ja) | ||
JP5593027B2 (ja) | 薄層の転着方法 | |
JP5258146B2 (ja) | 同時注入により基板内に脆性領域を生成する方法 | |
JP5292644B2 (ja) | 最小化された応力を備えたヘテロ構造を製造するためのプロセス | |
JP2006074034A (ja) | 二枚のウエハを結合する前の熱処理 | |
JP5462289B2 (ja) | 熱膨張係数が局所的に適合するヘテロ構造の生成方法 | |
WO2002084722A3 (fr) | Substrat demontable a tenue mecanique controlee et procede de realisation | |
WO2006054024A2 (fr) | Amincissement d'une plaquette semiconductrice | |
JP2005005708A (ja) | 異質構造の製造方法 | |
JP2005532674A (ja) | エレメントを基板から基板へ移設する方法 | |
JP4854958B2 (ja) | 仮支持部材除去を伴う基板の製造方法並びにそのための基板 | |
EP1396883A3 (en) | Substrate and manufacturing method therefor | |
US20240147864A1 (en) | Hybrid structure and a method for manufacturing the same | |
JP2012178605A (ja) | ポリマー膜上にエレクトロニクス構成部品を分子接合する方法 | |
JP2011515825A (ja) | 複合基板を製造するための工程 | |
JP2009095962A (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
US7807548B2 (en) | Process of forming and controlling rough interfaces | |
US7169683B2 (en) | Preventive treatment method for a multilayer semiconductor structure | |
JP5845775B2 (ja) | 薄膜個片の接合方法 | |
JPH07130591A (ja) | ウエハの製作方法 | |
JP2007019113A (ja) | 半導体チップの製造方法及びテープ | |
WO2004012247A1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH03185852A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2009212428A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
JP2005203593A (ja) | 半導体装置の製造方法 |