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Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8275147B2 (en) * 2004-05-05 2012-09-25 Deka Products Limited Partnership Selective shaping of communication signals
DE102005040343A1 (de) 2005-08-25 2007-03-01 Freiberger Compound Materials Gmbh Verfahren, Vorrichtung und Slurry zum Drahtsägen
EP1757419B1 (de) 2005-08-25 2012-10-17 Freiberger Compound Materials GmbH Verfahren, Vorrichtung und Slurry zum Drahtsägen
WO2009003008A1 (en) * 2007-06-25 2008-12-31 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Methods of crystallographically reorienting single crystal bodies
DE102008028213A1 (de) * 2008-06-06 2009-12-10 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zum Befestigen eines Silizium-Blocks an einem Träger dafür und entsprechende Anordnung
JP5007706B2 (ja) * 2008-06-30 2012-08-22 信越半導体株式会社 ワークの切断方法
KR100995877B1 (ko) * 2008-07-23 2010-11-22 한국기계연구원 투과전자현미경의 고니오미터를 이용한 이웃하는 결정립의결정학적 방위관계 측정장치 및 그에 의한 결정립계 특성규명 방법
CN101486231B (zh) * 2009-01-22 2011-12-07 四川大学 黄铜矿类负单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法
CN101486232B (zh) * 2009-01-22 2011-09-07 四川大学 黄铜矿类正单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法
CN101733848B (zh) * 2009-12-29 2012-01-18 西北工业大学 定向切割晶体任意晶面的简便方法
DE102010007459B4 (de) * 2010-02-10 2012-01-19 Siltronic Ag Verfahren zum Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Kristall aus Halbleitermaterial
CN101994157A (zh) * 2010-03-22 2011-03-30 浙江星宇电子科技有限公司 一种开单晶1*0参考面的方法
CN102152410A (zh) * 2010-12-23 2011-08-17 万向硅峰电子股份有限公司 一种旋转单晶棒调整晶向偏移的切割方法
JP5678653B2 (ja) * 2010-12-28 2015-03-04 三菱化学株式会社 六方晶系半導体板状結晶の製造方法
EP2520401A1 (en) 2011-05-05 2012-11-07 Meyer Burger AG Method for fixing a single-crystal workpiece to be treated on a processing device
CN103503119B (zh) * 2011-06-02 2016-10-19 住友电气工业株式会社 碳化硅基板的制造方法
CN102490278B (zh) * 2011-11-30 2014-07-16 峨嵋半导体材料研究所 线切割晶体激光仪定向切割方法
KR101360906B1 (ko) * 2012-11-16 2014-02-11 한국표준과학연구원 고분해능 x-선 로킹 커브 측정을 이용한 단결정 웨이퍼의 면방위 측정 방법
KR101449572B1 (ko) * 2013-03-25 2014-10-13 한국생산기술연구원 리프트-업 스윙을 구현하는 와이어 쏘
JP6132621B2 (ja) * 2013-03-29 2017-05-24 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 半導体単結晶インゴットのスライス方法
CN105684125A (zh) * 2013-09-24 2016-06-15 硅电子股份公司 半导体晶片以及制造该半导体晶片的方法
US9682495B2 (en) * 2013-09-30 2017-06-20 Gtat Corporation Method and apparatus for processing sapphire
JP6459524B2 (ja) * 2015-01-08 2019-01-30 株式会社ジェイテクト 複合研削盤および研削方法
CN104985709B (zh) * 2015-06-16 2017-01-11 浙江海纳半导体有限公司 调整单晶棒晶向的方法及测量方法
JP6610026B2 (ja) * 2015-06-23 2019-11-27 三星ダイヤモンド工業株式会社 スクライブ装置
JP6272801B2 (ja) * 2015-07-27 2018-01-31 信越半導体株式会社 ワークホルダー及びワークの切断方法
JP6349290B2 (ja) * 2015-09-03 2018-06-27 信越半導体株式会社 単結晶ウェーハの表裏判定方法
CN105269696B (zh) * 2015-10-30 2017-04-05 江苏吉星新材料有限公司 一种蓝宝石晶体的复合定向方法
WO2017091945A1 (en) * 2015-11-30 2017-06-08 Rhodia Operations Wafering process for water based slurries
CN105842263A (zh) * 2016-03-18 2016-08-10 中锗科技有限公司 一种偏晶向太阳能锗单晶定向仪及其检测方法
JP6690983B2 (ja) * 2016-04-11 2020-04-28 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法及び実第２のオリエンテーションフラット検出方法
JP6222393B1 (ja) * 2017-03-21 2017-11-01 信越半導体株式会社 インゴットの切断方法
CN108312370B (zh) * 2017-12-20 2020-05-01 天通控股股份有限公司 一种基于水平传感器定位晶体的定向加工方法
JP6923067B2 (ja) * 2018-02-27 2021-08-18 株式会社Sumco 半導体単結晶インゴットのスライス方法
CN108621316B (zh) * 2018-05-03 2020-02-18 大连理工大学 一种易潮解光学晶体的水溶解辅助精密高效切割方法
DE102018221922A1 (de) * 2018-12-17 2020-06-18 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben mittels einer Drahtsäge, Drahtsäge und Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium
JP7148437B2 (ja) * 2019-03-01 2022-10-05 信越半導体株式会社 ワークの切断加工方法及びワークの切断加工装置
US11921061B2 (en) * 2019-08-30 2024-03-05 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Orientation degree distribution calculation method, orientation degree distribution analyzer, and orientation degree distribution analysis program
US12468072B2 (en) * 2020-03-05 2025-11-11 Xinmei Fontana Holding (Hong Kong) Limited Optical film and micro LED display comprising thereof
CN111745305B (zh) * 2020-05-23 2022-03-04 山东大学 一种实现金刚石单晶衬底表面取向的方法
EP3922388A1 (de) * 2020-06-10 2021-12-15 Siltronic AG Verfahren zum abtrennen einer vielzahl von scheiben mittels einer drahtsäge von werkstücken während einer abfolge von abtrennvorgängen
DE102020209092A1 (de) * 2020-07-21 2022-01-27 Sicrystal Gmbh Kristallstrukturorientierung in Halbleiter-Halbzeugen und Halbleitersubstraten zum Verringern von Sprüngen und Verfahren zum Einstellen von dieser
CN112590032B (zh) * 2020-12-03 2022-12-02 天津市环智新能源技术有限公司 一种太阳能硅片及其粗糙度控制方法
CN113787636B (zh) * 2021-07-09 2022-05-27 麦斯克电子材料股份有限公司 一种用于12寸半导体晶圆的手动粘棒方法
CN114689405B (zh) * 2022-03-29 2024-11-12 湘潭大学 一种确定铸态立方晶系单晶体三维晶体取向的方法
CN115648467A (zh) * 2022-11-08 2023-01-31 万华化学集团电子材料有限公司 一种<100>型300mm单晶硅棒沿特定晶向切割的工艺方法
CN115881602B (zh) * 2022-12-12 2026-05-12 上海新昇半导体科技有限公司 一种晶棒粘棒前的晶向定位方法
US12617032B2 (en) 2023-07-21 2026-05-05 Globalwafers Co., Ltd. Systems and methods for controlling wafer breakage during ingot slicing operations
US12605863B2 (en) 2023-07-21 2026-04-21 Globalwafers Co., Ltd. Methods for controlling wafer breakage during ingot slicing operations
EP4501569B1 (en) * 2023-07-31 2025-11-19 Lumus Ltd. Method and apparatus for slicing a multilayered glass element
CN116985283B (zh) * 2023-09-15 2025-12-30 河北同光半导体股份有限公司 快速调整碳化硅切割角度的方法
CN117415966A (zh) * 2023-11-16 2024-01-19 深圳平湖实验室 碳化硅晶体的定向治具、定向方法和切割方法
CN119388599B (zh) * 2024-10-25 2025-06-20 芯东方晶体科技(苏州)有限公司 一种晶棒固定装置、晶棒加工系统及方法

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1114649B (de) * 1960-03-17 1961-10-05 Zeiss Carl Fa Optisches Geraet zur Orientierung von Einkristallen nach der Kristallachse
JPS5562742A (en) * 1978-11-02 1980-05-12 Toshiba Corp Method of cutting monocrystal
SU890180A1 (ru) * 1980-04-25 1981-12-15 Государственный ордена Октябрьской Революции научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности Способ рентгенодифрактометрического определени ориентировки монокристалла
SU890179A1 (ru) * 1980-04-25 1981-12-15 Государственный ордена Октябрьской Революции научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности Дифрактометрический способ определени ориентировки монокристалла
DE3305695A1 (de) * 1983-02-18 1984-08-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung zum zerteilen von halbleitermaterial
JPS60197361A (ja) * 1984-03-19 1985-10-05 Fujitsu Ltd ワイヤ・スライシング方法
DE3680205D1 (de) 1986-04-17 1991-08-14 Meyer & Burger Ag Maschf Verfahren zum trennen eines stabes in teilstuecke, trennschleifmaschine zur durchfuehrung dieses verfahrens und verwendung dieser trennschleifmaschine.
JPH06103674B2 (ja) * 1987-06-19 1994-12-14 住友電気工業株式会社 半導体単結晶インゴツトの角度調整法と装置
JPH11162909A (ja) * 1987-07-14 1999-06-18 Kyushu Electron Metal Co Ltd 半導体ウエーハの製造方法
JPH07118473B2 (ja) * 1987-07-14 1995-12-18 九州電子金属株式会社 半導体ウエ−ハの製造方法
JP2611291B2 (ja) 1987-12-19 1997-05-21 株式会社安川電機 永久磁石界磁２相多極同期機
JPH02255304A (ja) * 1989-03-29 1990-10-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体ウェーハのスライス装置及び方法
JPH0310760A (ja) * 1989-06-09 1991-01-18 Nippon Spindle Mfg Co Ltd 結晶質脆性材料切断用ワイヤソー
JPH0671639A (ja) * 1992-08-26 1994-03-15 Toshiba Corp 単結晶の加工方法
CH690845A5 (de) 1994-05-19 2001-02-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd Verfahren zum Positionieren eines Werkstücks und Vorrichtung hierfür.
US5529051A (en) 1994-07-26 1996-06-25 At&T Corp. Method of preparing silicon wafers
JP3427956B2 (ja) 1995-04-14 2003-07-22 信越半導体株式会社 ワイヤーソー装置
TW355151B (en) 1995-07-07 1999-04-01 Tokyo Seimitsu Co Ltd A method for cutting single chip material by the steel saw
JPH0985736A (ja) * 1995-09-22 1997-03-31 Toray Eng Co Ltd ワイヤ式切断装置
US6024814A (en) 1995-11-30 2000-02-15 Nippei Toyama Corporation Method for processing ingots
DE19607695A1 (de) * 1996-02-29 1997-09-04 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben
CH692331A5 (de) * 1996-06-04 2002-05-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd Drahtsäge und Schneidverfahren unter Einsatz derselben.
JP3079203B2 (ja) * 1996-11-15 2000-08-21 住友金属工業株式会社 半導体ウエーハの製造方法
JP3918216B2 (ja) * 1997-01-08 2007-05-23 住友金属鉱山株式会社 単結晶の切断装置と方法
US5768335A (en) * 1997-02-10 1998-06-16 Lucent Technologies Inc. Apparatus and method for measuring the orientation of a single crystal surface
JPH10272620A (ja) * 1997-03-31 1998-10-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd 結晶材料加工装置
JPH10278040A (ja) * 1997-04-01 1998-10-20 Tokyo Seimitsu Co Ltd 結晶材料加工装置及び結晶材料の設置方法
JPH112614A (ja) * 1997-06-13 1999-01-06 Rigaku Corp 単結晶軸方位ｘ線測定方法及び装置
US5878737A (en) 1997-07-07 1999-03-09 Laser Technology West Limited Apparatus and method for slicing a workpiece utilizing a diamond impregnated wire
JP3709664B2 (ja) * 1997-07-23 2005-10-26 株式会社東京精密 結晶軸の傾き角度測定方法
JP3195760B2 (ja) * 1997-08-05 2001-08-06 株式会社スーパーシリコン研究所 インゴット切断面の結晶方位設定方法
JP3847913B2 (ja) 1997-08-27 2006-11-22 東芝Ｉｔコントロールシステム株式会社 結晶方位決定装置
US6120597A (en) * 1998-02-17 2000-09-19 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Crystal ion-slicing of single-crystal films
US6055293A (en) * 1998-06-30 2000-04-25 Seh America, Inc. Method for identifying desired features in a crystal
JP2000171417A (ja) * 1998-12-04 2000-06-23 Toshiba Ceramics Co Ltd 方位測定補助装置及びそれを用いた方位測定加工方法
EP1041179B1 (en) * 1999-03-31 2010-01-27 FUJIFILM Corporation Single-crystal optical element having flat light-transmitting end surface inclined relative to cleavage plane
JP2000354940A (ja) * 1999-06-16 2000-12-26 Rigaku Corp 単結晶インゴットの加工装置
DE10052154A1 (de) 2000-10-20 2002-05-08 Freiberger Compound Mat Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Trennen von Einkristallen, Justiervorrichtung und Testverfahren zum Ermitteln einer Orientierung eines Einkristalls für ein derartiges Verfahren

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