JP3709664B2 - 結晶軸の傾き角度測定方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、結晶軸の傾き角度測定方法に係り、特に、シリコン等の単結晶材料の結晶軸の傾き角度を測定する結晶軸の傾き角度測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣ等の半導体素子の原料となるシリコン等のウェーハをインゴットからウェーハにスライスする場合、そのスライスされたウェーハが所定の結晶方位となるように、インゴット軸を所定角度傾けてスライスしている。
しかし、図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、インゴットのインゴット軸は、必ずしも結晶軸とは一致していない。そこで、ウェーハのスライスに先立って、インゴット軸に対する結晶軸の方位を知る必要がある。
【０００３】
このインゴット軸に対する結晶軸の方位は、インゴット軸に対する結晶軸の最大傾き角度Ｚ_M と傾き方向θ_M で表されるが、一般には、インゴットに形成されたオリフラに平行なＸ方向の傾き角度αと、オリフラに垂直なＹ方向の傾き角度βをＸ線方位測定器で測定し、そのα、βから最大傾き角度Ｚ_M と傾き方向θ_M を計算する。
【０００４】
まず、このインゴット軸に対する結晶軸の傾き角度を測定するＸ線方位測定器の構成について説明する。
図２は、Ｘ線方位測定器の構成をダイヤグラムで示したものである。同図に示すように、Ｘ線発生器Ｔから出たＸ線はスリットＳを通り、点Ｐで試料Ｑに当たり、反射してＸ線検出器Ｇに入りメータＭを振らせる。図３に示すように、試料Ｑの測定すべき結晶軸に対応するブラッグ角θは、あらかじめ分かっているので、Ｘ線検出器Ｇは２θの位置に固定しておく。試料Ｑは、図示しない支持台Ｂ上に載置されており、該支持台Ｂは、前記試料Ｑの表面に含まれる縦軸Ｐを軸として回転することができるように構成されている。
【０００５】
いま、試料Ｑを回転していくと、ある位置でブラッグ反射が生じたことがメータＭの振れで分かる。メータＭの振れが最大になったとき、結晶面は２θの２等分線、つまり、θの方向に平行となる。
図４に示すように、切断面が測定すべき結晶面に完全に一致している試料（標準サンプル）Ｑがブラッグ反射をおこし、メータＭの振れが最大のときの目盛板Ｄの位置を０度としておけば、試料Ｑのインゴット軸に対する結晶軸の傾きδは目盛上で直読できる。
【０００６】
このＸ線方位測定器を用いた従来のインゴット軸に対する結晶軸の傾き角度の測定方法は、次の通りである。
１．Ｘ方向の傾き角度αの測定
まず、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、Ｘ線方位測定器のθ、２θを測定するインゴットＩｎの結晶軸に対応するブラッグ角に合わせる。 (1-1)
次に、入射Ｘ線がシードエンド面に照射され、Ｘ線検出器が反射Ｘ線を検知するようにインゴットＩｎを支持台Ｂに載置する。そして、図６（ａ）に示すように、インゴットＩｎのオリフラ面ＯＦを支持台Ｂの底面に密着させるとともに、インゴットＩｎの外周を支持台Ｂの側面に密着するようにしてインゴットＩｎを支持台Ｂ上にセットする（図５（ａ）参照）。なお、この際、支持台Ｂの底面は入射Ｘ線と反射Ｘ線がつくる平面に平行に、また、側面は角度目盛が０度のとき図５（ａ）のＡＡ' に直角になるようにセットする。 (1-2)
次に、Ｘ線方位測定器に備えられた図示しない手動ハンドルを回し、インゴットＩｎを反時計回り又は時計回りに回転する。そして、正しい結晶面が、図５（ａ）のＡＡ' に平行になり、メータＭの指針が最大に振れた位置で回転を止める。 (1-3)
回転を止めたときの角度目盛の角度をＸ₀ とする。そして、このとき、角度目盛が＋ならば＋Ｘ₀ 、−ならば−Ｘ₀ とする。 (1-4)
次に、図６（ｂ）に示すように、インゴットＩｎのオリフラ面ＯＦを上にして、そのオリフラ面ＯＦを支持台Ｂの側面に対して直角にするとともに、インゴットＩｎの外周を側面に密着してインゴットＩｎを支持台Ｂ上にセットする（図５（ｂ）参照）。 (1-5)
上記 (1-3)の操作を繰り返し、インゴットＩｎの回転を止めたときの角度目盛の角度をＸ₁₈₀ とする。なお、Ｘ₁₈₀ の＋、−の付け方は上記 (1-4)と同じである。 (1-6)
測定した、Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ から、次式
【０００７】
【数１】
α＝（Ｘ₀ −Ｘ₁₈₀ ）／２
を用いて、Ｘ方向の傾き角度αを求める。(1-7)
２．Ｙ方向の傾き角度βの測定
図６（ｃ）に示すように、オリフラ面ＯＦを支持台Ｂの右側側面に、外周を底面に密着してインゴットＩｎをセットする。(2-1)
上記 (1-3)の操作を行い、インゴットＩｎの回転を止めたときの角度目盛の角度をＹ₉₀とする。なお、Ｙ₉₀の＋、−の付け方は上記 (1-4)と同じである。(2-2)
次に、図６（ｄ）に示すように、オリフラ面ＯＦを左側側面に、外周を底面に密着してインゴットＩｎをセットする。 (2-3)
上記 (1-3)の操作を繰り返し、インゴットＩｎの回転を止めたときの角度目盛の角度をＹ₂₇₀ とする。なお、Ｙ₂₇₀ の＋、−の付け方は上記 (1-3)と同じである。(2-4)
測定した、Ｙ₉₀、Ｙ₂₇₀ から、次式
【０００８】
【数２】
β＝（Ｙ₉₀−Ｙ₂₇₀ ）／２
を用いて、Ｙ方向の傾き角度βを求める。 (2-5)
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来の測定方法では、Ｘ方向の傾き角度αとＹ方向の傾き角度βを得るために、各方向で２回ずつ計４回の測定を行っている。これは、オリフラＯＦを下（右）にしたときの測定値Ｘ₀ （Ｙ₉₀）と、オリフラＯＦを上（左）にしたときの測定値Ｘ₁₈₀ （Ｙ₂₇₀ ）が一致しないためであり、この差を消去するために、各方向で２回の測定を行い、平均値を求めることによって、正しい値を得ている。
【００１０】
しかしながら、上記のように計４回の測定を行うことは、きわめて手間のかかる作業である。特に、長いインゴットや直径の大きいインゴットにおいては、インゴットの回転等に多大な労力を要し、時間のかかる作業であった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、結晶軸の傾き角度を簡単に測定することができる結晶軸の傾き角度測定方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決する為の手段】
本発明は、前記目的を達成するために、インゴットに形成されたオリフラに平行な方向をＸ方向、オリフラに垂直な方向をＹ方向としたときの、インゴット軸に対する結晶軸のＸ方向の傾き角度αと、Ｙ方向の傾き角度βとを測定する結晶軸の傾き角度測定方法において、Ｘ線方位測定器を用いて、前記オリフラを一方向に向けた状態におけるインゴット軸に対する前記結晶軸のＸ方向の傾き角度Ｘ₀ と、オリフラを前記一方向とは１８０度反対方向に向けた状態におけるインゴット軸に対する前記結晶軸のＸ方向の傾き角度Ｘ₁₈₀ を測定し、その測定結果Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ と前記結晶軸に対応するブラッグ角θから、インゴット軸に対する前記結晶軸のＸ方向の傾き角度αとＹ方向の傾き角度βとを次式
【００１２】
【数３】

で算出して取得することを特徴とする。
【００１３】
本発明によれば、オリフラを一方向に向けた状態におけるインゴット軸に対する結晶軸のＸ方向の傾き角度Ｘ₀ と、オリフラを前記一方向とは１８０度反対方向に向けた状態におけるインゴット軸に対する結晶軸のＸ方向の傾き角度Ｘ₁₈₀ を測定すれば、インゴット軸に対する結晶軸のＸ方向の傾き角度αとＹ方向の傾き角度βとを計算によって取得することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下添付図面に従って本発明に係る結晶軸の傾き角度測定方法の好ましい実施の形態について詳説する。
まず、上述した従来技術において、インゴットＩｎのオリフラＯＦを下にしたときの測定値Ｘ₀ と、オリフラＯＦを上にしたときの測定値Ｘ₁₈₀ が一致しない原因について考察する。
【００１５】
図７の実線は、Ｙ方向の傾き角度β＝０の場合、Ｘ方向の傾き角度を測定するときの入射Ｘ線Ｘ₀ 、反射Ｘ線Ｘ_R0及びブラッグ角θの関係を示している。このときの結晶面をＰ₀ とすれば、入射Ｘ線Ｘ₀ 及び反射Ｘ線Ｘ_R0は結晶面Ｐ₀ に垂直な回析平面Ｓ₀ 上にある。そして、入射Ｘ線Ｘ₀ が結晶面Ｐ₀ 上のＢに入射し、入射Ｘ線Ｘ₀ の結晶面Ｐ₀ への入射角∠ＡＢＣ（入射Ｘ線Ｘ₀ 上のＡからの結晶面Ｐ₀ への垂線をＡＣとする。）がブラッグ角θに等しいときブラッグ反射が起きる。
【００１６】
図７の破線は、Ｙ方向の傾き角度β≠０の場合、Ｘ方向の傾き角度を測定するときの入射Ｘ線Ｘ₀ 、反射Ｘ線Ｘ_R1及びブラッグ角θの関係を示している。このときの結晶面をＰ₁ とすれば、入射Ｘ線Ｘ₀ 及び反射Ｘ線Ｘ_R1は結晶面Ｐ₁ に垂直な回析平面Ｓ₁ 上にある。そして、入射Ｘ線Ｘ₀ が結晶面Ｐ₁ 上のＢに入射し、入射Ｘ線Ｘ₀ の結晶面Ｐ₁ への入射角∠ＡＢＤ（入射Ｘ線Ｘ₀ 上のＡからの結晶面Ｐ₁ への垂線をＡＤとする。）がブラッグ角θに等しいときブラッグ反射が起きる。
【００１７】
いま、Ｙ方向の傾き角度β≠０の場合（図７の破線）において、ブラッグ反射が生じたときの入射Ｘ線Ｘ₀ と結晶面Ｐ₀ とのなす角∠ＡＢＣをθ₀ とする。このθ₀ は、前述したβ＝０のときの入射Ｘ線Ｘ₀ と結晶面Ｐ₀ とのなす角∠ＡＢＣ＝θとは異なり、それよりも大きい値若しくは小さい値となる。そして、このθ₀ とθとの相違が、インゴットＩｎのオリフラＯＦを下にしたときの測定値Ｘ₀ と、上にしたときの測定値Ｘ₁₈₀ が相違する原因となる。
【００１８】
すなわち、Ｙ方向の傾き角度がゼロであるならば、正しいブラッグ角θでブラッグ反射が起こるところ、Ｙ方向に傾き角度βがあることにより、見掛けのブラッグ角度θ₀ でブラッグ反射が起きる。この結果、インゴットＩｎのオリフラＯＦを下にしたときの測定値Ｘ₀ と、上にしたときの測定値Ｘ₁₈₀ が相違する。
いま、θ₀ とθとの差をΔθ（Δθ＝θ₀ −θ）とすれば、この差Δθが、インゴットＩｎのオリフラＯＦを下にしたときの測定値Ｘ₀ と、上にしたときの測定値Ｘ₁₈₀ に反映されてくる。すなわち、正しいＸ方向の傾き角度をＸとすれば、測定値Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ は、それぞれ、Ｘ₀ ＝α＋Δθ、Ｘ₁₈₀ ＝−（α−Δθ）（又は、Ｘ₀ ＝α−Δθ、Ｘ₁₈₀ ＝−（α＋Δθ））となり、結果的に、二つの測定値Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ の平均値α＝（Ｘ₀ −Ｘ₁₈₀ ）／２を求めれば、正しい値αが得られる。
【００１９】
ここで、θとθ₀ 、及び、Ｘ₀ とＸ₁₈₀ との関係を求めると、
【００２０】
【数４】
Δθ＝θ₀ −θ＝（Ｘ₀ ＋Ｘ₁₈₀ ）／２ … (1)
となる。
一方、結晶面Ｐ₁ で入射Ｘ線Ｘ₀ がブラッグ反射を起こしたときの入射Ｘ線Ｘ₀ と結晶面Ｐ₀ とのなす角θ₀ （θ₀ ＝∠ＡＢＣ）は、次のようにして求めることができる。
【００２１】
図７に示すように、反射Ｘ線Ｘ_R1上の点Ａ' から結晶面Ｐ₀ への垂線をＡ' Ｃ' 、結晶面Ｐ₁ への垂線をＡ' Ｄ' とすれば、反射Ｘ線Ｘ_R1の結晶面Ｐ₁ からの反射角∠Ａ' ＢＤ' ＝θ、結晶面Ｐ₀ とのなす角∠Ａ' ＢＣ' ＝θ₀ である。
【００２２】
【数５】
△ＡＤＣにおいて、
ｃｏｓβ＝ＡＤ／ＡＣ
∴ ＡＤ＝ＡＣｃｏｓβ … (2)
△ＡＢＤにおいて、
ｓｉｎθ＝ＡＤ／ＡＢ
であり、上式(2) から
【００２３】
【数６】
ｓｉｎθ＝（ＡＣｃｏｓβ）／ＡＢ
∴ ｓｉｎθ＝（ＡＣ／ＡＢ）・ｃｏｓβ … (3)
となる。
△ＡＢＣにおいて、
ｓｉｎθ₀ ＝ＡＣ／ＡＢ
であるから、上式(3) より、
【００２４】
【数７】
ｓｉｎθ＝ｓｉｎθ₀ ・ｃｏｓβ
∴ ｓｉｎθ₀ ＝ｓｉｎθ／ｃｏｓβ … (4)
となる。
公式
【００２５】
【数８】
ｃｏｓβ＝１／（１＋ｔａｎ² β）^1/2
を上式(4) に代入すると、
【００２６】
【数９】
ｓｉｎθ₀ ＝ｓｉｎθ・（１＋ｔａｎ² β）^1/2
∴ θ₀ ＝ｓｉｎ^-1｛ｓｉｎθ・（１＋ｔａｎ² β）^1/2 ｝ … (5)
となる。
上記のようにして算出したθ₀ を式(1) に代入すると、
【００２７】
【数１０】
Δθ＝θ₀ −θ … (1)
であるから、
【００２８】
【数１１】
θ₀ −θ＝ｓｉｎ^-1｛ｓｉｎθ・（１＋ｔａｎ² β）^1/2 ｝−θ
となる。
一方、上式(1) から、
【００２９】
【数１２】
θ₀ −θ＝（Ｘ₀ ＋Ｘ₁₈₀ ）／２ … (1)
であるから、
【００３０】
【数１３】
sin ^-1｛sin θ・（１+ tan ² β）^1/2 ｝−θ＝（Ｘ₀ ＋Ｘ₁₈₀ ）／２
となる。この式を展開すると、
【００３１】
【数１４】

となる。
【００３２】
求められた式(6) より分かることは、Ｘ方向の傾き角度がゼロ（α＝０）のとき、Ｙ方向の傾き角度βは、インゴットＩｎのオリフラＯＦを下にしたときの測定値Ｘ₀ と、上にしたときの測定値Ｘ₁₈₀ が求まれば、式(6) により計算で求めることができるということである。
したがって、Ｙ方向の測定を行わなくても、Ｘ方向の測定のみ、すなわち、インゴットＩｎのオリフラＯＦを下にしたときと、上にしたときの測定のみを行えば、α、βを取得することができる。
【００３３】
これにより、従来行われていた、計４回の測定を２回の測定のみで済ませることができ、インゴット軸に対する結晶軸の傾き角度を簡易、迅速に求めることができる。
ところで、上述した方法は、結晶面のＸ方向の傾き角度がゼロ（α＝０）の場合における、Ｙ方向の傾き角度βの取得方法であるが、結晶面がＸ方向にもＹ方向にも傾いている場合（α≠０、β≠０）は、次のようにしてα、βを取得する。
【００３４】
図８において、面ＯＡＢＣを結晶の切断面Ｐ_C とする。Ｙ方向の結晶面の傾き角度β＝０°で、Ｘ方向の傾き角度αの結晶面をＰ₀ とする。
入射Ｘ線Ｘ₀ と反射Ｘ線Ｘ_R0は、共に結晶面Ｐ₀ に垂直な回折平面Ｓ₀ 上にある。そして、結晶面Ｐ₀ 上の点Ｒに入射した入射Ｘ線Ｘ₀ は、その入射角が結晶軸Ｐ₀ に対応するＸ線方位測定器に設定したブラッグ角θに等しいときにブラッグ反射が起こる。
【００３５】
しかし、結晶面Ｐ₀ のＹ方向の傾き角度β≠０°の場合は、図９に示すように、入射Ｘ線Ｘ₀ は、結晶軸に対応するＸ線方位測定器に設定したブラッグ角θと異なる見掛けのブラッグ角θ₀ に等しいときにブラッグ反射が起こる。
図９において、面ＯＡＢＣを結晶の切断面Ｐ_C とし、面ＯＤＥＣをＹ方向の傾き角度βの結晶面とする。そして、面ＯＤＦＧをＸ方向の傾き角度α、Ｙ方向の傾き角度βの反射面Ｐ₀ とする。このとき、入射Ｘ線Ｘ₀ は、結晶面Ｐ₀ 上の点Ｒに入射する。
【００３６】
入射Ｘ線Ｘ₀ 上の点Ｐから切断面Ｐ_C への垂線をＰＯ、結晶面Ｐ₀ 上の直線ＯＲへの垂線をＰＱ、結晶面Ｐ₀ への垂線をＰＶとする。
入射Ｘ線Ｘ₀ と反射Ｘ線Ｘ_R1は、共に結晶面Ｐ₀ に垂直な回折平面Ｓ₁ （面ＰＶＶ' Ｐ' ）上にあり、入射Ｘ線Ｘ₀ の入射角∠ＰＲＶが結晶軸に対応するブラッグ角に等しいときにブラッグ反射が起こる。
【００３７】
このときの見掛けのブラッグ角θ₀ （∠ＰＲＯ）と、正しいブラッグ角θとの関係は、次の通りである。
【００３８】
【数１５】
△ＰＶＲ（∠ＰＶＲ＝９０°）において、
ＰＶ＝ＰＲｓｉｎθ … (7)
△ＰＱＲ（∠ＰＱＲ＝９０°）において、
ＰＱ＝ＰＲｓｉｎθ₀ … (8)
△ＰＱＯ（∠ＰＱＯ＝９０°）において、∠ＯＰＱ＝∠ＧＯＣ＝αから、
ＰＱ＝ＰＯｃｏｓα … (9)
であり、上式(8) 、(9) から、
【００３９】
【数１６】
ＰＱ＝ＰＲｓｉｎθ₀ ＝ＰＯｃｏｓα
∴ ＰＯ＝ＰＲｓｉｎθ₀ ／ｃｏｓα … （１０）
である。
△ＰＯＶにおいて、∠ＯＰＶは、切断面Ｐ_C の法線ＰＯと反射面Ｐ₀ の法線ＰＶとのなす角であるから、切断面Ｐ_C と反射面Ｐ₀ とのなす最大傾き角度∠ＦＯＢ＝Ｚ_M に等しい。したがって、
【００４０】
【数１７】
ＰＯ＝ＰＶ／ｃｏｓＺ_M … (11)
である。
上式(10)、(11)から、
【００４１】
【数１８】
ＰＯ＝ＰＲｓｉｎθ₀ ／ｃｏｓα＝ＰＶ／ｃｏｓＺ_M
∴ ＰＶ＝ＰＲｓｉｎθ₀ ・ｃｏｓＺ_M ／ｃｏｓα … (12)
であり、上式(7) 、(12)から、
【００４２】
【数１９】
ＰＶ＝ＰＲｓｉｎθ＝ＰＲｓｉｎθ₀ ・ｃｏｓＺ_M ／ｃｏｓα
∴ ｓｉｎθ₀ ＝ｓｉｎθ・ｃｏｓα／ｃｏｓＺ_M … (13)
である。
ここで、公式
【００４３】
【数２０】
ｃｏｓＺ_M ＝１／（１＋ｔａｎ² Ｚ_M ）^1/2
に、
【００４４】
【数２１】
ｔａｎ² Ｚ_M ＝ｔａｎ² α＋ｔａｎ² β
を代入すれば、
【００４５】
【数２２】
ｃｏｓＺ_M ＝１／（１＋ｔａｎ² α＋ｔａｎ² β）^1/2 … (14)
となり、上式(13)、(14)から、
【００４６】
【数２３】
sin θ₀ ＝ sinθ・cos α（１＋tan²α＋tan²β）^1/2 … (15)
となる。
一方、
【００４７】
【数２４】
θ₀ −θ＝（Ｘ₀ ＋Ｘ₁₈₀ ）／２
であるから、
【００４８】
【数２５】
θ₀ −θ＝sin ^-1｛sin θ・cos α(1+ tan²α+ tan²β)^1/2｝−θ
∴
sin ^-1｛sin θ・cos α(1+ tan²α+ tan²β)^1/2｝−θ＝ (X₀+X₁₈₀)/2
となる。この式を展開すると、
【００４９】
【数２６】

となる。
【００５０】
求められた式(16)より、インゴット軸が結晶軸に対してＸ、Ｙ方向に傾きを有している場合（α≠０、β≠０の場合）であっても、Ｙ方向の傾き角度βは、インゴットＩｎのオリフラＯＦを下にしたときの測定値Ｘ₀ と、上にしたときの測定値Ｘ₁₈₀ が求まれば、式(16)により計算で求めることができる。
したがって、前記同様に、Ｙ方向の測定を行わなくても、Ｘ方向の測定のみを行えば、インゴット軸に対する結晶軸の傾き角度を求めることができる。
【００５１】
なお、上式(16)において、α＝０とすれば、
【００５２】
【数２７】

となり、上式(6) と一致する。
【００５３】
また、上式(16)において、（Ｘ₀ ＋Ｘ₁₈₀ ）／２＝０のとき、すなわち、Ｘ₀ ＝Ｘ₁₈₀ のときは、
【００５４】
【数２８】

となる。
【００５５】
上式(17)に、公式 cosα＝１／（１＋tan²α）^1/2 を代入すれば、
【００５６】
【数２９】
β＝±tan ^-1｛（１＋tan²α）−（１＋tan²α）｝^1/2 ＝０
となり、β＝０となる。
このように、本実施の形態によれば、Ｘ方向の測定のみを行えば、Ｙ方向の測定を行わずしてα、βを取得することができる。
【００５７】
なお、Ｘ方向の傾き角度αの取得方法は、前記従来技術の欄で説明した測定方法と同じである。すなわち、インゴットＩｎのオリフラＯＦを下にしたときと、上にしたときのＸ方向の傾き角度Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ をＸ線方位測定器を用いて測定し、その測定結果Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ から、次式
【００５８】
【数３０】
α＝（Ｘ₀ −Ｘ₁₈₀ ）／２ … (6)
を用いて算出する。すなわち、前記従来技術の欄で説明した工程(1-1) から工程(2-5) までを行えばよい。
なお、本実施の形態では、インゴット（棒状結晶）のインゴット軸に対する結晶軸の傾き角度を測定する場合について説明したが、ウェーハ（板状結晶）のウェーハ法線に対する結晶軸の傾き角度を測定する場合についても同様に適用することができる。
【００５９】
また、本実施の形態では、Ｘ方向の傾き角度Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ を測定することにより、Ｘ、Ｙ方向の傾き角度α、βを取得する例で説明したが、Ｙ方向の傾き角度Ｙ₉₀、Ｙ₂₇₀ を測定することにより、α、βを取得することもできる。この場合のα、βの算出式は、インゴットＩｎのオリフラＯＦを右側にしたときのＹ方向の傾き角度をＹ₉₀、インゴットＩｎのオリフラＯＦを左側にしたときのＹ方向の傾き角度をＹ₂₇₀ とすれば、
【００６０】
【数３１】

で算出して取得することができる。
【００６１】
さらに、本実施の形態では、オリフラ付きインゴットの結晶軸の傾き角度を測定する場合について説明したが、ノッチ付きインゴットの結晶軸の傾き角度を測定する場合についても同様に適用することができる。
この場合、Ｘ方向とＹ方向は、次のように設定する。すなわち、図２０に示すように、インゴットＩｎの中心Ｏ_INと、ノッチＮの中心Ｏ_N （ノッチＮの谷部）を通る直線ｙに平行な方向をＹ方向とし、その直線ｙに直交する直線ｘと平行な方向をＸ方向とする。
【００６２】
測定方法は、上述したオリフラ付きインゴットの場合と同様で、Ｘ線方位測定器を用いて、ノッチＮを上側にしたとき（図１０の状態）のＸ方向の傾き角度Ｘ₀ と、ノッチＮを下側にしたときのＸ方向の傾き角度Ｘ₁₈₀ を測定し、その測定結果Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ から、次式
【００６３】
【数３２】

で算出してα、βを取得する。
【００６４】
なお、上記例は、ノッチ付きインゴットの場合の適用例であるが、ノッチ付きウェーハの結晶軸の傾き角度を測定する場合についても同様に適用することができる。この場合、Ｘ方向及びＹ方向の設定は、ノッチ付きインゴットＩｎの場合と同様である。すなわち、ウェーハの中心と、ノッチＮの中心を通る直線に平行な方向をＹ方向とし、その直線に直交する直線と平行な方向をＸ方向とする。
【００６５】
また、前記オリフラ付きインゴットの場合と同様に、ノッチ付きインゴット又はノッチ付きウェーハの場合も、Ｙ方向の傾き角度Ｙ₉₀、Ｙ₂₇₀ を測定することにより、α、βを取得することができる。
また、本実施の形態では、Ｘ方向傾き角度Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ を測定するにあたって、まず、インゴットＩｎのオリフラＯＦを下にしたときの傾き角度Ｘ₀ を測定し、次いで、インゴットＩｎを１８０度回転させて、インゴットＩｎのオリフラＯＦを上にしたときの傾き角度Ｘ₁₈₀ を測定しているが、次の方法によれば、ウェーハを１８０度回転させるという作業を省くことができる。
【００６６】
すなわち、本実施の形態では、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、Ｘ線は、Ｘ線発生器Ｔから出て、インゴットＩｎのシードエンドに当たり、反射してＸ線検出器Ｇに入るように構成されているが、Ｘ線発生側とＸ線検出側を切り換えることができるように構成する。
より具体的には、図１１に示すように、Ｘ線発生器とＸ線検出器とが一体となった装置Ｃ₁ 、Ｃ₂ を用いて、装置Ｃ₁ のＸ線発生器から照射されたＸ線を装置Ｃ₂ のＸ線検出器で検出し、装置Ｃ₂ のＸ線発生器から照射されたＸ線を装置Ｃ₁ のＸ線検出器で検出するように構成する。そして、測定は、まず、装置Ｃ₁ をＸ線発生側、装置Ｃ₂ をＸ線検出側として利用して測定し、次いで、装置Ｃ₂ をＸ線発生側、装置Ｃ₁ をＸ線検出側として利用して測定する。
【００６７】
このように、Ｘ線の発生側と検出側とを切り換えることにより、実質的に、インゴットのオリフラの位置を１８０度反転したときと同じ測定ができる。すなわち、インゴットのオリフラを下に向けたままの状態で、オリフラを上に向けたときの測定を行うことができる。
この結果、インゴットを１８０度回転させるという作業が一切不要となり、より簡易、迅速に結晶軸の傾き角度の測定を行うことができる。このことは、インゴットが長く、直径の大きいインゴットに対して特に有効である。
【００６８】
【実施例】
上述した本実施の形態に係る結晶軸の傾き角度測定方法を用いて、インゴット軸に対する結晶軸の傾き角度を測定すると、次のようになる。
測定対象とするインゴットはシリコンの〈１００〉インゴット、すなわち、インゴット軸が結晶軸〈１００〉と略一致しているインゴットとする。そして、その外周にはオリフラが形成されているものとする。
【００６９】
このシリコンインゴットのインゴット軸に対する結晶軸〈１００〉の傾き角度を測定する。なお、本測定に用いるＸ線は、ＣｕＫα線（λ＝１．５４１８Å）である。
まず、Ｘ線方位測定器を用いてインゴットＩｎのオリフラＯＦを下に向けたときと、上に向けたときのＸ方向の傾き角度Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ を測定する。
【００７０】
この測定結果が、Ｘ₀ ＝３．０２４°、Ｘ₁₈₀ ＝−２．９７６°であったとする。
ここで、シリコンの結晶軸〈１００〉に対応するブラッグ角θは、３４．６００°であるから、上記測定結果Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ から、Ｘ方向の傾き角度αは、
【００７１】
【数３３】

となる。
一方、Ｙ方向の傾き角度βは、式(16)から、
【００７２】
【数３４】

となる。
【００７３】
このように、本発明によれば、Ｘ方向の２回の測定だけで、インゴット軸に対する結晶軸の傾き角度α、βを測定することができる。
求められた傾き角度α、βから、インゴット軸に対する結晶軸の最大傾き角度Ｚ_M は、次式より、
【００７４】
【数３５】

となる。
しかし、傾き方向θ_M は、βの正負の判別ができないため、求めることができない。
【００７５】
そこで、実際に本発明を利用してインゴットの結晶方位の調整を行う場合は、次のようにして行う。
ここでは、まず、インゴットＩｎのインゴット軸と結晶軸とのなす最大傾き角度のみを規定し、最大傾き角度の傾き方向は規定しないという規格について考える。
【００７６】
上記のシリコンの〈１００〉インゴットを用いて最大傾き角度Ｚ_M を４°と規定した場合、次のように、インゴットＩｎの結晶方位の調整を行う。
まず、Ｘ線方位測定器を用いて測定したインゴットＩｎのオリフラＯＦを下に向けたときと、上に向けたときのＸ方向の傾き角度Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ から、Ｙ方向の傾き角度βの絶対値を求める。この場合、上記の算出結果から、β＝１．９９９°となる。
【００７７】
次に、βが１．９９９°の場合における最大傾き角度Ｚ_M が４°となるときのαの値を求める。
【００７８】
【数３６】
α、β、Ｚ_M は、
Ｚ_M ＝（α² ＋β² ）^1/2
の関係を有することから、
【００７９】
【数３７】

となる。
【００８０】
Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ の測定結果から、Ｘ₀ が正のときは、α＝３．４６５°になるようにインゴットＩｎを水平方向（Ｘ方向）に振り、Ｘ₀ が負のときは、α＝−３．４６５°になるようにインゴットＩｎを水平方向（Ｘ方向）に振る。
本測定では、Ｘ₀ が正であったので、α＝３．４６５°になるようにインゴットＩｎを水平方向（Ｘ方向）に振る。
【００８１】
このとき、見掛けのブラッグ角θ_O は、式(15)から、
【００８２】
【数３８】

となる。
【００８３】
また、Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ は、それぞれ
【００８４】
【数３９】
Ｘ₀ ＝θ₀ ＋α−θ
Ｘ₁₈₀ ＝θ₀ −α−θ
であるから、
【００８５】
【数４０】
Ｘ₀ ＝３．４８９°
Ｘ₁₈₀ ＝−３．４４１°
となる。
次に、Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ の測定結果から、インゴット軸に対する結晶軸のＸ方向の傾き角度αを求める。
【００８６】
ここで、Ｘ₀ ＝３．０２４°、Ｘ₁₈₀ ＝−２．９７６°であるから、
【００８７】
【数４１】

となる。
【００８８】
次に、インゴットＩｎをインゴット軸を回転軸としてＸ₀ ＝３°（Ｘ₁₈₀ ＝−３°）又はＸ₀ ＝−３°（Ｘ₁₈₀ ＝３°）となるように回転する。この結果、インゴット軸に対する結晶軸のＹ方向の傾き角度βは０になる。
次に、Ｘ₀ が正の時は、α＝４°になるようにインゴットＩｎを水平方向に振り、負の時は、α＝−４°になるようにインゴットＩｎを水平方向に振る。
【００８９】
本測定においては、Ｘ₀ が正であったので、α＝４°になるようにインゴットＩｎを水平方向に傾斜させる。
以上の操作により、インゴットＩｎは規格通り、すなわち、最大傾き角度Ｚ_M が４°となるように結晶方位調整がなされる。
次に、インゴットＩｎのインゴット軸と結晶軸とのなす最大傾き角度と傾き方向を規定する規格について考える。
【００９０】
上記のシリコンの〈１００〉インゴットを用いて最大傾き角度Ｚ_M を４°、傾き方向をＸ方向と規定した場合、次のように、インゴットＩｎの結晶方位の調整を行う。
まず、Ｘ線方位測定器を用いて測定したインゴットＩｎのオリフラＯＦを下に向けたときと、上に向けたときのＸ方向の傾き角度Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ から、Ｙ方向の傾き角度βの絶対値を求める。この場合、上記の算出結果から、β＝１．９９９°となる。
【００９１】
次に、Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ の測定結果から、Ｘ方向の傾き角度αを求める。この場合、上記の算出結果から、α＝３°となる。
次に、Ｘ₀ ＝３°（Ｘ₁₈₀ ＝−３°）又はＸ₀ ＝−３°（Ｘ₁₈₀ ＝３°）となるようにインゴットＩｎを垂直方向（Ｙ方向）に傾斜させる。この結果、βは０°になる。
【００９２】
次に、Ｘ₀ の測定結果が正の時は、α＝４°（Ｘ₀ ＝４°、Ｘ₁₈₀ ＝−４°）になるようにインゴットＩｎを水平方向に振り、負の時は、α＝−４°（Ｘ₀ ＝−４°、Ｘ₁₈₀ ＝４°）になるようにインゴットＩｎを水平方向（Ｘ方向）に傾斜させる。
以上の操作により、インゴットＩｎは規格通り、すなわち、最大傾き角度Ｚ_M が４°、傾き方向がＸ方向になるように結晶方位調整がなされる。
【００９３】
以下に、上述した実施例を具体的に実施する場合の実施例について説明する。なお、ここでは、インゴットをワイヤソーで切断する場合の実施例について説明する。
まず、第１の実施例として、前述したインゴット軸と結晶軸とのなす最大傾き角度のみを規定し、傾き方向は規定しない規格について考える。
【００９４】
この場合、図１２に示す結晶方位調整装置を用いてインゴットの結晶方位合わせを行う。この結晶方位装置は、ワイヤソーにインゴットを装着する前に、あらかじめワイヤソーの装置外でインゴットの結晶方位調整をするための装置である。まず、この結晶方位調整装置の構成について説明する。
図１２に示すように、前記結晶方位調整装置１０は、方位調整装置６０とＸ線方位測定装置２０とから構成されている。
【００９５】
前記Ｘ線方位測定装置２０と同一機上には、スライドテーブル７０がガイド２２、２２とレール２４を介してスライド自在に設けられている。このスライドテーブル７０は、モータ２６に連結されたねじ軸２８を回動することにより左右方向に移動する。前記方位調整装置６０は、このスライドテーブル７０上に載置される。
【００９６】
前記Ｘ線方位測定装置２０は、Ｘ線照射部３０とＸ線受光部３２とを有している。Ｘ線照射部３０はアーム３４の一端部に、また、Ｘ線受光部３２はアーム３４の他端部に所定角度傾斜して支持されている。このアーム３４は、扇形のプレート３６に円弧状レール３８を介して揺動自在に支持されており、図示しない送りネジ機構に駆動されることにより揺動する。
【００９７】
前記扇形のプレート３６には、軸受４２に回動自在に支持された回転軸４０が固定されている。この回転軸４０にはモータ４４のスピンドル４６が連結されており、このモータ４４を駆動することにより、前記扇形のプレート３６が回転する。
図１３は、前記方位調整装置６０の正面図であり、図１４はその側面図である。図１３及び図１４に示すように、方位調整装置６０は、主としてワーク受け部６２、ガイド部６４、昇降部６６及び位置決め部６８とから構成されている。
【００９８】
前記ワーク受け部６２は、スライドテーブル７０上に設けられた回転盤７１と、その回転盤７１上にブラケット７２、７２、…を介して円弧状に配設されたワーク受けローラ７４、７４、…とから構成されている。
前記スライドテーブル７０は矩形状に形成されており、水平基準と垂直基準とを有している。
【００９９】
前記回転盤７１は、前記スライドテーブル７０上を回動し、ワーク受けローラ７４、７４、…で支持したインゴットＩｎをスライドテーブル７０に介して平行に回動させる。また、その時の回転角度は、回転盤７１に設けられた針７３でスライドテーブル７０上に形成された回転目盛（図示せず）を読み取ることにより設定する。
【０１００】
前記ワーク受けローラ７４、７４、…は、ベースプレート６８に沿って配設されており、インゴットＩｎは、このワーク受けローラ７４、７４、…上に載置される。また、このワーク受けローラ７４、７４、…に載置されたインゴットＩｎは、スライドテーブル７０に対して平行に載置される。
前記ガイド部６４は、スライドテーブル７０に垂直に設けられた支持プレート７６と、その支持プレート７６の両側部に形成されたガイドレール７８、７８とから構成されている。
【０１０１】
前記昇降部６６は、前記支持プレート７６に形成されたガイドレール７８、７８上をスライド移動する昇降ブロック８０と、前記支持プレート７６に設けられ、昇降ブロック８０を昇降移動させる昇降機構８４とから構成されている。
前記昇降ブロック８０は、水平部８０Ａと垂直部８０Ｂとからなる断面Ｌ字状に形成されており、その両側部にワークブロック５６を支持する支持アーム８２、８２が設けられている。
【０１０２】
また、この昇降ブロック８０と支持アーム８２には、それぞれ水平基準と垂直基準が設けられており、支持したワークブロック５６の側面と下面をそれぞれ基準駒８６、８６と支持アーム８２の基準面に当接させることにより、位置決めされて支持される。
また、前記昇降ブロック８０の背面部には、ナット部８８が形成されており、ナット部８８は、支持プレート７６に沿って設置されたボールネジ９０に螺合されている。このボールネジ９０は、上端部に連結された昇降ハンドル９２を回動させることにより回動し、その回動分だけ昇降ブロック８０をガイドレール７８、７８に沿って昇降移動させる。
【０１０３】
前記位置決め部６８は、支持台９４に基準盤９６が固定されるとともに、その基準盤９６と同軸上に回転目盛盤９８が回動自在に支持されて構成される。
前記支持台９４は、前記ワーク受けローラ７４、７４上に載置され、前記基準盤９６とインゴットＩｎが同軸上に位置するように設置される。
前記基準盤９６は、円盤状に形成され、その周縁部に後述する回転目盛盤９８の目盛１０２を読み取るための基準目盛１０４が形成されている。
【０１０４】
前記回転目盛盤９８は、円盤状に形成され、その周縁部の４箇所に後述するインゴットＩｎの端面に引いたケガキ線（インゴットＩｎの結晶方位合わせ基準を示す）を合わせるためのケガキ合わせ目盛１００Ｖ、１００Ｈが所定の間隔で形成されるている。
また、前記回転目盛盤９８には、インゴットＩｎの回転角度を設定するための回転目盛１０２が形成されている。この回転目盛１０２は、中央位置を基準点としてその両側に角度が目盛られており、回転目盛盤９８は、前記基準目盛１０４でこの回転目盛１０２を読み取りながら回転させることで、回転角の設定を行う。
【０１０５】
また、前記ケガキ合わせ目盛１００Ｖ、１００Ｈは、前記回転目盛１０２の基準点の延長線上に垂直基準となるケガキ合わせ目盛１００Ｖが形成され、この垂直基準となるケガキ合わせ目盛１００Ｖと直交するように水平基準となるケガキ合わせ目盛１００Ｈが形成される。すなわち、基準盤９６の基準目盛１０４が回転目盛１０２の基準点を指している場合は、垂直基準となるケガキ合わせ目盛１００Ｖは、前記スライドテーブル７０に対して垂直状態となり、水平基準となるケガキ合わせ目盛１００Ｈは、ベースプレートに対して平行となっている。
【０１０６】
したがって、この状態で、インゴットＩｎの端面に引いた水平ケガキ線１０４Ｈ及び垂直ケガキ線１０４Ｖをそれぞれケガキ合わせ目盛の水平基準１００Ｈ及び垂直基準１００Ｖに合わせることにより、インゴットＩｎは、その垂直、水平基準がスライドテーブル７０の垂直、水平と一致する。
次に、前記のごとく構成された結晶方位調整装置１０を用いて、上述したインゴット軸と結晶軸とのなす最大傾き角度のみを規定し、傾き方向は規定しない規格についての結晶方位の調整方法について説明する。
【０１０７】
なお、測定対象とするインゴットは、上述した実施例と同じシリコンの〈１００〉インゴットとする。
まず、Ｘ線方位測定装置２０でインゴットＩｎのインゴット軸に対する結晶軸のＸ方向の傾き角度Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ を測定する。
この場合には、まず、インゴットＩｎを方位調整装置６０にセットする。この際、インゴットＩｎのオリフラは下側に向ける。
【０１０８】
次に、インゴットＩｎがセットされた方位調整装置６０をスライドテーブル７０上に固定する。そして、固定したのち、スライドテーブル７０を図１２上で右方向に移動させ、インゴットＩｎを図１２中二点鎖線で示す検出位置に位置させる。
次に、Ｘ線照射部３０からインゴットＩｎの端面に向けてＸ線を照射し、この反射Ｘ線をＸ線受光部３２で受光して、インゴット軸に対する結晶軸のＸ方向の傾き角度Ｘ_O を測定する。
【０１０９】
次に、モータ４４を駆動し、扇形のプレート３６を１８０°回転させ、Ｘ線照射部３０とＸ線受光部３２の位置を逆転させる（この結果、インゴットＩｎを１８０°回転させ、オリフラの上下を逆転させるのと同様の効果を得ることができる。）。そして、前記同様に、Ｘ線照射部３０からインゴットＩｎの端面に向けてＸ線を照射し、この反射Ｘ線をＸ線受光部３２で受光して、インゴット軸に対する結晶軸のＸ方向の傾き角度Ｘ₁₈₀ を測定する。
【０１１０】
以上でインゴット軸に対する結晶軸のＸ方向の傾き角度Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ の測定が終了する。
ここで、測定結果はＸ₀ ＝３．０２４°、Ｘ₁₈₀ ＝−２．９７６°であったとする。なお、この測定結果は、モニタ４８上に表示される。
次に、スライドテーブル７０を元の位置に戻し、インゴットＩｎの姿勢を方位調整装置６０によって調整する。
【０１１１】
まず、インゴットＩｎの端面にインゴットＩｎの水平、垂直基準となるケガキ線１０４Ｈ、１０４Ｖを予め引く。この際、ケガキ線１０４Ｈは、インゴットＩｎの軸心を通り、オリフラ面と平行になるように引き、また、ケガキ線１０４Ｖは、前記ケガキ線１０４Ｈと直交し、かつインゴットＩｎの軸芯を通るように引く。
【０１１２】
次に、ワークブロック５６を昇降ブロック８０の支持アーム８２、８２に支持させる。
一方、インゴットＩｎをワーク受けローラ７４、７４、…上に載置するとともに、回転目盛１０４を基準位置にセットする。そして、インゴットＩｎを円周方向に回転させて、その端面に引いたケガキ線１０４Ｈ、１０４Ｖが、ケガキ合わせ目盛１００Ｈ、１００Ｖに一致するように合わせる。
【０１１３】
この結果、インゴットＩｎの水平、垂直基準がスライドテーブル７０の水平、垂直基準と一致する（インゴットＩｎのオリフラがスライドテーブル７０と平行になる。）。そして、この状態から、前記測定結果を基にインゴットＩｎの結晶方位を調整する。
ここで、最大傾き角度Ｚ_M を４°と規定した場合は、次のように、インゴットＩｎの結晶方位を調整する。
【０１１４】
まず、Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ の測定結果から、式(16)を用いてインゴット軸に対する結晶軸のＹ方向の傾き角度β（絶対値）を求める。
ここで、Ｘ₀ ＝３．０２４°、Ｘ₁₈₀ ＝−２．９７６°であるから、
【０１１５】
【数４２】

次に、β＝１．９９９°の場合における、最大傾き角度Ｚ_M ＝４となるαを求める。α、β、Ｚ_M は、次式
【０１１６】
【数４３】
Ｚ_M ² ＝α² ＋β²
の関係を有することから、
【０１１７】
【数４４】

となる。
【０１１８】
次に、Ｘ₀ が正の時は、α＝３．４６５°になるようにインゴットＩｎを水平方向に振り、負の時は、α＝−３．４６５°になるようにインゴットＩｎを水平方向に振る。
本測定においては、Ｘ₀ が正であったので、α＝３．４６５°になるようにインゴットＩｎを水平方向に振る。なお、このインゴットＩｎを水平方向に振る操作は、回転盤７１を回転させことにより行う。
【０１１９】
このとき、見掛けのブラッグ角θ₀ は、式(15)から、
【０１２０】
【数４５】

となる。
【０１２１】
また、Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ は、それぞれ
【０１２２】
【数４６】
Ｘ₀ ＝θ₀ ＋α−θ
Ｘ₁₈₀ ＝θ₀ −α−θ
であるから、
【０１２３】
【数４７】
Ｘ₀ ＝３．４８９°
Ｘ₁₈₀ ＝−３．４４１°
となる。
次に、Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ の測定結果から、インゴット軸に対する結晶軸のＸ方向の傾き角度αを求める。
【０１２４】
ここで、Ｘ₀ ＝３．０２４°、Ｘ₁₈₀ ＝−２．９７６°であるから、
【０１２５】
【数４８】

となる。
【０１２６】
次に、インゴットＩｎをインゴット軸を回転軸としてＸ₀ ＝３°（Ｘ₁₈₀ ＝−３°）となるように回転する。なお、このインゴットＩｎを回転させる操作は、次のように行う。
すなわち、まず、回転目盛盤９８を＋３°回転させる。そして、その回転により変更したケガキ合わせ目盛１００Ｈ、１００Ｖの位置にケガキ線１０４Ｈ、１０４Ｖが一致するようにインゴットＩｎを円周方向に回転させる。これにより、インゴットＩｎは、インゴット軸を回転軸として＋３°だけ回転する。
【０１２７】
この結果、インゴット軸に対する結晶軸のＹ方向の傾き角度βは０になる。
次に、Ｘ₀ が正の時は、α＝４°になるようにインゴットＩｎを水平方向に振り、負の時は、α＝−４°になるようにインゴットＩｎを水平方向に振る。
本測定においては、Ｘ₀ が正であったので、α＝４°になるようにインゴットＩｎを水平方向に振る。なお、このインゴットＩｎを水平方向に振る操作は、上述したように、回転盤７１を回転させことにより行う。
【０１２８】
以上の操作により、インゴットＩｎは、規格通りに結晶方位調整がなされる。調整終了後、ワークブロック５６を降ろし、そのワークブロック５６をスライスベース５８を介してインゴットＩｎに接着する。そして、そのインゴットＩｎが取り付けられたワークブロック５６をワイヤソーのワークフィードテーブルに取り付ければ、規格通りのウェーハが切断される。
【０１２９】
次に、第２の実施例として、前述したインゴット軸と結晶軸とのなす最大傾き角度と傾き方向を規定する規格について考える。
この場合、図１５に示す結晶方位調整装置が備えられているワイヤソーを使用する。このワイヤソーは、前記第１の実施例とは異なり、ワイヤソーに備えられたチルチング装置によりインゴットの結晶方位調整を行う。まず、このワイヤソーの構成について説明する。
【０１３０】
図１５に示すように、前記ワイヤソー２００は、インゴットＩｎを切断する加工空間Ｓと、インゴットＩｎを切断するワイヤ１１１を有するワイヤソー本体１１０と、インゴットＩｎを支持して加工空間Ｓに配置させるワーク支持機構１３０とを備えている。
ワイヤソー本体１１０は、加工空間Ｓ内に配置されたワイヤ巻掛け躯体１１２と、ワイヤ１１１を往復走行させるワイヤリール１２０、１２０と、ワイヤ１１１にスラリーを供給するスラリー供給機構１２５とを有している。
【０１３１】
ワイヤ巻掛け躯体１１２は、３本の溝付ローラ１１３、１１４、１１５を有している。この３本溝付ローラ１１３、１１４、１１５に前記ワイヤ１１１が巻き掛けられることにより、上部の溝付ローラ１１３、１１４間に一定ピッチのワイヤ列１１７が形成される。
ワーク支持機構１３０は、ワークブロック１３１、ワーク支持部１３２、結晶軸方位調整部１４０、ワーク送り機構１６０、方位検出手段１７０、Ｘ線ユニット１８０、及び制御装置２１０を備えている。
【０１３２】
図１６に示すように、ワークブロック１３１は、インゴットＩｎをワーク支持部１３２に取り付けるものであり、インゴットＩｎは、このワークブロック１３１にスライスベース５を介して接着される。そして、インゴットＩｎが、前記ワーク支持部１３２に取り付けられると、その取り付けられたインゴットＩｎは加工空間Ｓに設置される。
【０１３３】
結晶軸方位調整部１４０は、インゴットＩｎの結晶方位を調整するものであり、以下の構成を有する。
すなわち、図１５のワークテーブル１４１と、図１６の揺動台１４２と、揺動台１４２を揺動駆動する揺動駆動機構１４４と、回転台１５０と、回転台１５０を回転駆動する回転駆動機構１５２とを有している。
【０１３４】
ワークテーブル１４１は、ワーク送り機構１６０に取り付けられ昇降移動する。
揺動台１４２は、ワークテーブル１４１に設けられており、インゴットＩｎの中心が配置される設置中心ＣＰ回りに、図１５のワイヤ列１１７のワイヤ延在方向に対して直角な方向（図中矢印Ａ、Ｂ方向）に揺動する。
【０１３５】
回転台１５０は、揺動台１４２の中心と設置中心ＣＰとを結ぶ揺動軸線ＣＴ２回りに回転し、下部に前記ワーク支持部１３２が設けられている。
揺動駆動機構１４４と回転駆動機構１５２とは、インゴットＩｎの結晶方位を調整する方位調整駆動部であり、揺動駆動機構１４４は、揺動台１４２に設けられたラック１４５と、ラック１４５にかみ合う小歯車１４６と、ワークテーブル１４１に設けられ、小歯車１４６を回転駆動する揺動台駆動用ステッピングモータ１４７とを有している。
【０１３６】
回転駆動機構１５２は、回転台１５０の上端に揺動軸線ＣＴ２を中心として固設された大歯車１５３と、大歯車１５３にかみ合うウォームＩｎと、揺動台１４２に設けられ、ウォームＩｎを回転駆動する回転台駆動用ステッピングモータ１５５とを有している。
図１５のワーク送り機構１６０は、結晶軸方位調整部１４０を昇降させものであり、その結晶軸方位調整部１４０に支持されたインゴットＩｎをワイヤ列１１７に押し付けるものである。
【０１３７】
方位検出手段１７０は、加工空間Ｓに配置されたインゴットＩｎの結晶方位を検出するものであり、以下の構成を有している。
すなわち、方位検出手段１７０は、垂直回転角度検出器１７１と、水平回転角度検出器１７２とを備えている。
垂直回転角度検出器１７１は、図１６の揺動台駆動用ステッピングモータ１４７の回転角度位置を検出して、インゴットＩｎの垂直回転中心軸線ＣＴ３回りの回転角度を検出する。
【０１３８】
水平回転角度検出器１７２は、回転台駆動用ステッピングモータ１５５の回転角度位置を検出して、揺動軸線ＣＴ２回りのインゴットＩｎの回転角度を検出する。
尚、図１６の垂直回転中心軸線ＣＴ３は、インゴットＩｎのインゴット軸ＣＴ１と揺動軸線ＣＴ２とに直交している。
【０１３９】
図１５のＸ線ユニット１８０は、Ｘ線ＬをインゴットＩｎの端面２に照射し、その反射波（Ｘ線Ｌ）を受光するものであり、以下の構成を有している。
すなわち、Ｘ線ユニット１８０は、垂れ板１８１、Ｘ線ユニット設置板１８２、Ｘ線照射器１８５、Ｘ線受光器１８６、Ｘ線照射角度変更用ステッピングモータ１８８、図１８の防塵カバー１９０とを備えている。
【０１４０】
垂れ板１８１は、ワークテーブル１４１の側端に垂れ設けられている。
Ｘ線ユニット設置板１８２は、前記垂れ板１８１の下端部に設けられており、前記設置中心ＣＰに向かう回転軸線ＣＴ４回りに回転自在に設けられている。
Ｘ線照射器１８５は、Ｘ線ユニット設置板１８２の一端に設けられ、インゴットＩｎの端面２に向けてＸ線Ｌを照射する。
【０１４１】
Ｘ線受光器１８６は、Ｘ線ユニット設置板１８２の他端に設けられ、インゴットＩｎで反射した前記Ｘ線Ｌを受光する。
なお、このＸ線受光器１８６の位置及び姿勢は、図１５に示すようにインゴットＩｎのインゴット軸ＣＴ１が、既定の方位、すなわち、ワイヤ１１に直角な方向である図中矢印Ｘ１、Ｘ２方向に向いているときに、受光されたＸ線Ｌの強度が最大の強度となるように設定されている。
【０１４２】
Ｘ線照射角度変更用ステッピングモータ１８８は、前記垂れ板１８１の下端部に設けられ、Ｘ線ユニット設置板１８２を９０度毎に回転駆動する。
防塵カバー１９０は、Ｘ線照射器１８５及びＸ線受光器１８６を包囲する。この防塵カバー１９０は、図１８に示すように、加工空間ＳとＸ線照射器１８５及びＸ線受光器１８６との間に設けられ、Ｘ線Ｌが出入りする窓１９１ａを有する隔壁１９１と、窓１９１ａを開閉する開閉扉１９２と、開閉扉１９２を駆動する扉駆動機構１９３とを有している。
【０１４３】
図１９の制御装置２１０は、結晶軸方位調整部１４０の方位調整駆動部（図１６中符号１４４、１５２）を駆動して図１５のインゴットＩｎを傾けると共に、Ｘ線照射器１８５から照射され、インゴットＩｎで反射されＸ線受光器１８６で受光されたＸ線Ｌの強度情報と、その際、方位検出手段１７０で検出されていたインゴットＩｎの結晶方位とに基づいて、Ｘ線Ｌの強度が最大となるときのインゴットＩｎの結晶方位を検出し、所定の方位にインゴットＩｎの結晶軸が向くように方位調整駆動部（図１６中符号１４４、１５２）を制御するものであり、以下の構成を有している。
【０１４４】
すなわち、図１９の制御装置２１０は、結晶方位検出部２１２と、Ｘ線駆動制御部２１４と、方位調整駆動制御部２１６と、入力部２１８と、出力部２２０と、主制御部２２５とを備えている。
結晶方位検出部２１２は、垂直回転角度検出器１７１からの垂直回転角度情報Ｂｖと、水平回転角度検出器１７２からの水平回転角度情報Ｂｈと、Ｘ線受光器８６からの前記Ｘ線Ｌの強度情報Ｄｘとを入力する。そして、垂直回転角度情報ＢｖとＸ線Ｌの強度情報Ｄｘとに基づいて、インゴット軸に対する結晶軸の垂直方位Ｂｖ１（インゴット軸の結晶軸のＹ方向の傾き角度Ｙ₉₀、Ｙ₂₇₀ ）を検出し、水平回転角度情報ＢｈとＸ線Ｌの強度情報Ｄｘに基づいて、インゴット軸に対する結晶軸の水平方位Ｂｈ１（インゴット軸に対する結晶軸のＸ方向の傾き角度Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ ）を検出する。
【０１４５】
Ｘ線駆動制御部２１４は、Ｘ線受光器１８６、Ｘ線照射器１８５、Ｘ線照射角度変更用ステッピングモータ１８８、及び扉駆動機構１９３を駆動制御する。
方位調整駆動制御部２１６は、揺動台駆動用ステッピングモータ１４７と回転台駆動用ステッピングモータ１５５を駆動制御する。
入力部２１８は、開始信号Ｓ１などを入力する。
【０１４６】
出力部２２０は、ディスプレイ或いはプリンタなどから構成されている。
主制御部２２５は、結晶方位検出部２１２、Ｘ線駆動制御部２１４、方位調整駆動制御部２１６、入力部２１８、及び出力部２２０にバス線２２２を介して接続され、それらを予め記憶されたプログラムに基づいて後述するように制御する。
【０１４７】
本発明が適用される第２の実施例のワイヤソー２００は、以上のように構成される。
次に、前記のごとく構成されたワイヤソー２００を用いて、上述したインゴット軸と結晶軸とのなす最大傾き角度と傾き方向を規定する規格についての結晶方位の調整方法について説明する。
【０１４８】
なお、測定対象とするインゴットは、上述した第１の実施例と同じシリコンの〈１００〉インゴットとする。
まず、インゴットＩｎをワーク支持機構１３０に取付ける。即ち、図１６に示すワーク支持機構１３０のワークブロック１３１をワーク支持部１３２から外しておき、そのワークブロック１３１にスライスベース５を介してインゴットＩｎを接着する。このとき、インゴットＩｎのオリフラＯＦが上側に向くように固定する。
【０１４９】
そして、インゴット１３１の接着後、再びワークブロック１３１をワーク支持部１３２に再び装着する。
次に、インゴットＩｎの結晶軸の水平方向（Ｘ方向）の傾き角度Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ を測定する。
すなわち、まず、図１９の制御装置２１０の入力部２１８から開始信号Ｓ１を入力する。この開始信号Ｓ１に基づいて、主制御部２２５は、以下のような制御を行う。
【０１５０】
まず、Ｘ線駆動制御部２１４に駆動開始信号Ｓ２を、方位調整駆動制御部２１６に揺動駆動開始信号Ｓ３を、結晶方位検出部２１２に水平方位検出開始信号Ｓｈを出力する。
Ｘ線駆動制御部２１４は、駆動開始信号Ｓ２に基づいて、扉駆動機構１９３を開方向に駆動制御して、図１８の開閉扉１９２を開く。そして、Ｘ線照射器１８５を駆動し、Ｘ線照射器１８５からインゴットＩｎの端面２にＸ線Ｌが照射する。
【０１５１】
照射されたＸ線Ｌは、インゴットＩｎの端面２で反射され、その反射Ｘ線ＬがＸ線受光器１８６で受光される。Ｘ線受光器１８６は、図１９の結晶方位検出部２１２にその前記Ｘ線Ｌの強度情報Ｄｘを出力する。
一方、方位調整駆動制御部２１６は、揺動駆動開始信号Ｓ３に基づいて、回転台駆動用ステッピングモータ１５５を低速で所定回転角度範囲だけ往復駆動する。この結果、図１５のインゴットＩｎは、回転台１５０と共に揺動軸線ＣＴ２回りに所定回転角度範囲だけ図中矢印Ｃ、Ｄ方向に往復回転される。
【０１５２】
また、このインゴットＩｎの揺動軸線ＣＴ２回り回転角度である水平回転角度は、図１９の水平回転角度検出器１７２で検出され、結晶方位検出部２１２に入力される。
結晶方位検出部２１２は、水平方位検出開始信号Ｓｈ、水平回転角度情報Ｂｈ及びＸ線Ｌの強度情報Ｄｘに基づいて、Ｘ線Ｌの強度が最大となるときのインゴットＩｎの水平回転角度Ｂｈを検出し、インゴット軸に対する結晶軸の水平方位Ｂｈ１（インゴット軸の結晶軸のＸ方向の傾き角度Ｘ₁₈₀ ）を検出する。そして、その検出結果、主制御部２２５に出力する。
【０１５３】
主制御部２２５は、入力された水平方位Ｂｈ１（Ｘ₁₈₀ ）を出力部２２０に出力する。
これにより、インゴットＩｎのインゴット軸に対する結晶軸の水平方位（オリフラを上にしたときのインゴットのインゴット軸に対する結晶軸のＸ方向の傾き角度Ｘ₁₈₀ ）が測定される。
【０１５４】
次に、主制御部２２５は、再び、Ｘ線駆動制御部２１４に駆動開始信号Ｓ２を、方位調整駆動制御部２１６に揺動駆動開始信号Ｓ３を、結晶方位検出部２１２に水平方位検出開始信号Ｓｈを出力する。
Ｘ線駆動制御部２１４は、駆動開始信号Ｓ２に基づいて、Ｘ線照射角度変更用ステッピングモータ１８８を駆動制御して、Ｘ線ユニット設置板１８２を１８０度回転させる。そして、Ｘ線照射器１８５を駆動し、Ｘ線照射器１８５からインゴットＩｎの端面２にＸ線Ｌが照射する。
照射されたＸ線Ｌは、インゴットＩｎの端面２で反射され、その反射Ｘ線ＬがＸ線受光器１８６で受光される。Ｘ線受光器１８６は、図１９の結晶方位検出部２１２にその前記Ｘ線Ｌの強度情報Ｄｘを出力する。
【０１５５】
一方、方位調整駆動制御部２１６は、揺動駆動開始信号Ｓ３に基づいて、回転台駆動用ステッピングモータ１５５を低速で所定回転角度範囲だけ往復駆動する。この結果、図１５のインゴットＩｎは、回転台１５０と共に揺動軸線ＣＴ２回りに所定回転角度範囲だけ図中矢印Ｃ、Ｄ方向に往復回転される。
また、このインゴットＩｎの揺動軸線ＣＴ２回り回転角度である水平回転角度は、図１９の水平回転角度検出器７２で検出され、結晶方位検出部２１２に入力される。
【０１５６】
結晶方位検出部２１２は、水平方位検出開始信号Ｓｈ、水平回転角度情報Ｂｈ及びＸ線Ｌの強度情報Ｄｘに基づいて、Ｘ線Ｌの強度が最大となるときのインゴットＩｎの水平回転角度Ｂｈを検出し、インゴット軸に対する結晶軸の水平方位Ｂｈ１（インゴット軸の結晶軸のＸ方向の傾き角度Ｘ₀ ）を検出する。そして、その検出結果、主制御部２２５に出力する。
【０１５７】
主制御部２２５は、入力された水平方位Ｂｈ１（Ｘ₀ ）を出力部２２０に出力する。
これにより、インゴットＩｎのインゴット軸に対する結晶軸の水平方位（オリフラを下にしたときのインゴットのインゴット軸に対する結晶軸のＸ方向の傾き角度Ｘ₀ ）が測定される。
【０１５８】
そして、以上の操作により、インゴットＩｎのインゴット軸に対する結晶軸の水平方位（インゴットのインゴット軸に対する結晶軸のＸ方向の傾き角度Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ ）が測定され、この測定結果から、主制御部２２５は、インゴットＩｎのインゴット軸に対する結晶軸の水平方位（Ｘ方向の傾き角度）αと、垂直方位（Ｙ方向の傾き角度β）を算出する。
【０１５９】
ここで、この測定結果が、Ｘ₀ ＝３．０２４°、Ｘ₁₈₀ ＝−２．９７６°であったとする。
シリコンの結晶軸〈２００〉に対応するブラッグ角θは、３４．６００°であるから、上記測定結果Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ から、水平方位（Ｘ方向の傾き角度）αは、
【０１６０】
【数４９】

となる。
一方、垂直方位（Ｙ方向の傾き角度）βは、式(16)から、
【０１６１】
【数５０】

となる。
【０１６２】
この算出結果は、出力部２２０に表示される。そして、主制御部２２５は、この算出されたα、βに基づいて、方位調整駆動制御部２１６に駆動信号Ｓ５を出力し、インゴットＩｎの結晶方位調整を行う。
なお、ここでは、最大傾き角度Ｚ_M を４°と規定し、傾き方向を水平方向（Ｘ方向）と規定した場合について説明する。
【０１６３】
方位調整駆動制御部２１６は、入力した駆動信号Ｓ５に基づいて、揺動台駆動用ステッピングモータ１４７を駆動し、結晶軸のＸ方向の傾き角度Ｘ₀ が３°になるようにインゴットＩｎを垂直方向（Ｙ方向）に傾斜させる。
この結果、インゴット軸に対する結晶軸の垂直方向（Ｙ方向）の傾き角度βは０となる。
【０１６４】
次に、方位調整駆動制御部２１６は、入力した駆動信号Ｓ５に基づいて、回転台駆動用ステッピングモータ１５５を駆動し、インゴットＩｎを水平方向（Ｘ方向）に揺動させる。このとき、前記水平方位の測定の結果、Ｘ₀ が正の時は、α＝４°（Ｘ₀ ＝４°、Ｘ₁₈₀ ＝−４°）になるようにインゴットＩｎを水平方向に振り、負の時は、α＝−４°（Ｘ₀ ＝−４°、Ｘ₁₈₀ ＝４°）になるようにインゴットＩｎを水平方向（Ｘ方向）に傾斜させる。
【０１６５】
以上の操作により、インゴットＩｎは、規格通りに結晶方位調整がなされる。調整終了後、ワイヤソー２００を駆動してインゴットＩｎの切断を開始する。
以上説明したように、インゴットのインゴット軸と結晶軸とのなす最大傾き角度のみを規定する規格については、第１の実施例のように、また、インゴットのインゴット軸と結晶軸とのなす最大傾き角度と傾き角度を規定する規格については、第２の実施例のように実施することにより、本発明を用いてインゴットの結晶方位調整を行うことができる。
【０１６６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、オリフラを一方向に向けた状態におけるインゴット軸に対する結晶軸のＸ方向の傾き角度Ｘ₀ と、オリフラを前記一方向とは１８０度反対方向に向けた状態におけるインゴット軸に対する結晶軸のＸ方向の傾き角度Ｘ₁₈₀ を測定するだけで、インゴット軸に対する結晶軸のＸ方向の傾き角度αとＹ方向の傾き角度βを取得することができる。したがって、結晶軸の傾き角度の測定を簡易迅速に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】インゴット軸と結晶軸との関係の説明図
【図２】Ｘ線結晶方位測定器のダイヤグラム
【図３】Ｘ線結晶方位測定器の作用の説明図
【図４】Ｘ線結晶方位測定器の作用の説明図
【図５】結晶軸の傾き角度測定方法の説明図
【図６】結晶軸の傾き角度測定方法の説明図
【図７】結晶軸の傾き角度測定方法の説明図（α＝０、β≠０の場合）
【図８】結晶軸の傾き角度測定方法の説明図（α≠０、β＝０の場合）
【図９】結晶軸の傾き角度測定方法の説明図（α≠０、β≠０の場合）
【図１０】ノッチ付きインゴットの構成を示す正面図
【図１１】Ｘ線結晶方位測定器の構成を示す平面図
【図１２】結晶方位調整装置の全体図
【図１３】方位調整装置の正面図
【図１４】方位調整装置の側面図
【図１５】ワイヤソーの構成を示す斜視図
【図１６】図１５のワイヤソーの結晶軸方位調整部の構成を示す側面断面図
【図１７】図１６の結晶軸方位調整部の構成を示す平面断面図
【図１８】図１５のワイヤソーの加工空間とＸ線照射器及びＸ線受光器との間に設けられた隔壁付近を示す正面断面図
【図１９】図１５のワイヤソーの制御装置を示す図
【符号の説明】
Ｉｎ…インゴット
ＯＦ…オリフラ
Ｎ…ノッチ
Ｂ…支持台
Ｄ…目盛板
Ｇ…Ｘ線検出器
Ｍ…メータ
Ｔ…Ｘ線発生器

Claims (8)

1. インゴットに形成されたオリフラに平行な方向をＸ方向、オリフラに垂直な方向をＹ方向としたときの、インゴット軸に対する結晶軸のＸ方向の傾き角度αと、Ｙ方向の傾き角度βを測定する結晶軸の傾き角度測定方法において、
   Ｘ線方位測定器を用いて、前記オリフラを一方向に向けた状態におけるインゴット軸に対する前記結晶軸のＸ方向の傾き角度Ｘ₀ と、オリフラを前記一方向とは１８０度反対方向に向けた状態におけるインゴット軸に対する前記結晶軸のＸ方向の傾き角度Ｘ₁₈₀ を測定し、
   その測定結果Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ と前記結晶軸に対応するブラッグ角θから、インゴット軸に対する前記結晶軸のＸ方向の傾き角度αとＹ方向の傾き角度βとを次式
   

   

   で算出して取得することを特徴とする結晶軸の傾き角度測定方法。
2. インゴットに形成されたオリフラに平行な方向をＸ方向、オリフラに垂直な方向をＹ方向としたときの、インゴット軸に対する結晶軸のＸ方向の傾き角度αと、Ｙ方向の傾き角度βとを測定する結晶軸の傾き角度測定方法において、
   Ｘ線方位測定器を用いて、前記オリフラを一方向に向けた状態におけるインゴット軸に対する前記結晶軸のＹ方向の傾き角度Ｙ₉₀と、オリフラを前記一方向とは１８０度反対方向に向けた状態におけるインゴット軸に対する前記結晶軸のＹ方向の傾き角度Ｙ₂₇₀ を測定し、
   その測定結果Ｙ₉₀、Ｙ₂₇₀ 及び前記結晶軸に対応するブラッグ角θから、インゴット軸に対する前記結晶軸のＹ方向の傾き角度βとＸ方向の傾き角度αとを次式
   

   

   で算出して取得することを特徴とする結晶軸の傾き角度測定方法。
3. ウェーハに形成されたオリフラに平行な方向をＸ方向、オリフラに垂直な方向をＹ方向としたときの、ウェーハ法線に対する結晶軸のＸ方向の傾き角度αと、Ｙ方向の傾き角度βとを測定する結晶軸の傾き角度測定方法において、
   Ｘ線方位測定器を用いて、前記オリフラを一方向に向けた状態におけるウェーハ法線に対する前記結晶軸のＸ方向の傾き角度Ｘ₀ と、オリフラを前記一方向とは１８０度反対方向に向けた状態におけるウェーハ法線に対する前記結晶軸のＸ方向の傾き角度Ｘ₁₈₀ を測定し、
   その測定結果Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ 及び前記結晶軸に対応するブラッグ角θから、ウェーハ法線に対する前記結晶軸のＸ方向の傾き角度αと前記ウェーハ法線に対する前記結晶軸のＹ方向の傾き角度βを次式
   

   

   で算出して取得することを特徴とする結晶軸の傾き角度測定方法。
4. ウェーハに形成されたオリフラに平行な方向をＸ方向、オリフラに垂直な方向をＹ方向としたときの、ウェーハ法線に対する結晶軸のＸ方向の傾き角度αと、Ｙ方向の傾き角度βとを測定する結晶軸の傾き角度測定方法において、
   Ｘ線方位測定器を用いて、前記オリフラを一方向に向けた状態におけるウェーハ法線に対する前記結晶軸のＹ方向の傾き角度Ｙ₉₀と、オリフラを前記一方向とは１８０度反対方向に向けた状態におけるウェーハ法線に対する前記結晶軸のＹ方向の傾き角度Ｙ₂₇₀ を測定し、
   その測定結果Ｙ₉₀、Ｙ₂₇₀ 及び前記結晶軸に対応するブラッグ角θから、ウェーハ法線に対する前記結晶軸のＹ方向の傾き角度βとＸ方向の傾き角度αとを次式
   

   

   で算出して取得することを特徴とする結晶軸の傾き角度測定方法。
5. インゴットの中心と該インゴットに形成されたノッチの中心を通る直線に平行な方向をＹ方向、その直線に直交する直線と平行な方向をＸ方向としたときの、インゴット軸に対する結晶軸のＸ方向の傾き角度αと、Ｙ方向の傾き角度βとを測定する結晶軸の傾き角度測定方法において、
   Ｘ線方位測定器を用いて、前記ノッチを一方向に向けた状態におけるインゴット軸に対する前記結晶軸のＸ方向の傾き角度Ｘ₀ と、ノッチを前記一方向とは１８０度反対方向に向けた状態におけるインゴット軸に対する前記結晶軸のＸ方向の傾き角度Ｘ₁₈₀ を測定し、
   その測定結果Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ と前記結晶軸に対応するブラッグ角θから、インゴット軸に対する前記結晶軸のＸ方向の傾き角度αとＹ方向の傾き角度βとを次式
   

   

   で算出して取得することを特徴とする結晶軸の傾き角度測定方法。
6. インゴットの中心と該インゴットに形成されたノッチの中心を通る直線に平行な方向をＹ方向、その直線に直交する直線と平行な方向をＸ方向としたときの、インゴット軸に対する結晶軸のＸ方向の傾き角度αと、Ｙ方向の傾き角度βとを測定する結晶軸の傾き角度測定方法において、
   Ｘ線方位測定器を用いて、前記ノッチを一方向に向けた状態におけるインゴット軸に対する前記結晶軸のＹ方向の傾き角度Ｙ₉₀と、ノッチを前記一方向とは１８０度反対方向に向けた状態におけるインゴット軸に対する前記結晶軸のＹ方向の傾き角度Ｙ₂₇₀ を測定し、
   その測定結果Ｙ₉₀、Ｙ₂₇₀ 及び前記結晶軸に対応するブラッグ角θから、インゴット軸に対する前記結晶軸のＹ方向の傾き角度βとＸ方向の傾き角度αとを次式
   

   

   で算出して取得することを特徴とする結晶軸の傾き角度測定方法。
7. ウェーハの中心と該ウェーハに形成されたノッチの中心を通る直線に平行な方向をＹ方向、その直線に直交する直線と平行な方向をＸ方向としたときの、ウェーハ法線に対する結晶軸のＸ方向の傾き角度αと、Ｙ方向の傾き角度βとを測定する結晶軸の傾き角度測定方法において、
   Ｘ線方位測定器を用いて、前記ノッチを一方向に向けた状態におけるウェーハ法線に対する前記結晶軸のＸ方向の傾き角度Ｘ₀ と、ノッチを前記一方向とは１８０度反対方向に向けた状態におけるウェーハ法線に対する前記結晶軸のＸ方向の傾き角度Ｘ₁₈₀ を測定し、
   その測定結果Ｘ₀ 、Ｘ₁₈₀ 及び前記結晶軸に対応するブラッグ角θから、ウェーハ法線に対する結晶軸のＸ方向の傾き角度αと前記ウェーハ法線に対する前記結晶軸のＹ方向の傾き角度βを次式
   

   

   で算出して取得することを特徴とする結晶軸の傾き角度測定方法。
8. ウェーハの中心と該ウェーハに形成されたノッチの中心を通る直線に平行な方向をＹ方向、その直線に直交する直線と平行な方向をＸ方向としたときの、ウェーハ法線に対する結晶軸のＸ方向の傾き角度αと、Ｙ方向の傾き角度βとを測定する結晶軸の傾き角度測定方法において、
   Ｘ線方位測定器を用いて、前記ノッチを一方向に向けた状態におけるウェーハ法線に対する前記結晶軸のＹ方向の傾き角度Ｙ₉₀と、ノッチを前記一方向とは１８０度反対方向に向けた状態におけるウェーハ法線に対する前記結晶軸のＹ方向の傾き角度Ｙ₂₇₀ を測定し、
   その測定結果Ｙ₉₀、Ｙ₂₇₀ 及び前記結晶軸に対応するブラッグ角θから、ウェーハ法線に対する前記結晶軸のＹ方向の傾き角度βとＸ方向の傾き角度αとを次式
   

   

   で算出して取得することを特徴とする結晶軸の傾き角度測定方法。

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