CN113702409A - 一种晶体定向方法 - Google Patents

一种晶体定向方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113702409A
CN113702409A CN202110860211.2A CN202110860211A CN113702409A CN 113702409 A CN113702409 A CN 113702409A CN 202110860211 A CN202110860211 A CN 202110860211A CN 113702409 A CN113702409 A CN 113702409A
Authority
CN
China
Prior art keywords
crystal
sheet
crystal orientation
fixture
angle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110860211.2A
Other languages
English (en)
Inventor
彭杰
周一
毕洪伟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Weike Saile Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Weike Saile Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Weike Saile Microelectronics Co Ltd filed Critical Weike Saile Microelectronics Co Ltd
Priority to CN202110860211.2A priority Critical patent/CN113702409A/zh
Publication of CN113702409A publication Critical patent/CN113702409A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
    • G01N23/20008—Constructional details of analysers, e.g. characterised by X-ray source, detector or optical system; Accessories therefor; Preparing specimens therefor
    • G01N23/20016—Goniometers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

本发明涉及晶片制备技术领域，公开了一种晶体定向方法，具体包括以下步骤，切割晶体形成薄片，在薄片的主面上标记一个指向晶体大边的箭头；取得大边与竖直方向的夹角θ；分别测量出箭头指向的左、右、下、上所对应的x1、x2、y1、y2的值；按照公式1和公式2分别计算出内圆切割机的X0、Y0轴调整值，按照计算得出的X0、Y0调整内圆切割机上的X、Y轴。本发明能有效解决晶体过短无法使用卡具进行定向的问题，同时对于晶体过长无法满足生产需要必须进行分段处理时使用卡具不便于操控和高危险性的问题。

Description

一种晶体定向方法
技术领域
本发明涉及晶片制备技术领域，尤其涉及一种晶体定向方法。
背景技术
在晶体被加工成晶片的过程中，晶体会预先进行磨削大边和角度定向两道极为重要的工序处理，其中晶体角度定向工序又有着极其重要的地位，其晶体角度定向是使用内圆切割机对晶体进行头部切割，使其头部表面与晶体晶向形成所需偏转角度。
对于晶体的角度定向，目前的操作方法为：将晶体按照大边朝下的方式固定于专用卡具上，将卡具装于内圆切割机的滑动导轨上并将卡具底座固定于滑动导轨上的伸缩机构上，其伸缩机构能控制卡具前后移动并精准到达预设位置。调整滑动导轨的X轴和Y轴位置，使其X、Y轴数值归零，设定卡具的进给量，使其晶体凸出卡具的头部表面基本与内圆切割机锯片面基本一致，再次设定卡具在滑动轨道上的进给量，使其内圆锯片能切割晶体头部形成薄片，此时开启转动马达，上升滑动导轨位置致使锯片切割晶体形成薄片。
取下薄片并在薄片上按照大边方向画上箭头，箭头方向即为大边的朝向，将薄片掰出一个10mm×10mm的正方形方片，其方片上画有指向大边方向的箭头，将方片放置于X射线衍射仪上进行偏转角度测量，按照箭头摆放方向规定：其箭头朝向左、右、下、上时，其分别对应的角度偏转值记为x1、x2、y1、y2，再通过下列公式计算得出的X0、Y0的角度偏转值：
Figure BDA0003185441870000011
Figure BDA0003185441870000012
通过计算得到的X0、Y0值，对应计算得出内圆切割机的X、Y轴的调整值，并进行相应调整。重复切片和测量过程，直至X0、Y0值的计算结果在要求的误差范围内，即可停止切割不再取片测量，进刀削平后定向过程结束。
在定向的工序流程中，晶体过短无法装进卡具进行定向处理，同时部分晶体长度过长也不能满足切割要求时，往往采用分段的方法对晶体进行处理，然而进行晶体分段时，晶体需要露出卡具的长度太长，在分段时不好操控且过于危险，所以太长的不能满足生产需要的晶体则不能使用此种方法进行定向处理。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的是提供一种晶体定向方法，能有效解决晶体过短无法使用卡具进行定向，同时对于晶体过长无法满足生产需要必须进行分段处理时使用卡具不便于操控和高危险性的问题。
本发明通过以下技术手段解决上述技术问题：
一种晶体定向方法，在薄片的主面上标记一个指向晶体大边的箭头，按照公式1和公式2分别计算出内圆切割机的X0、Y0轴调整值，
X0＝Xcosθ+Ysinθ (公式1)
Y0＝-Xsinθ+Ycosθ (公式2)
其中：
Figure BDA0003185441870000021
Figure BDA0003185441870000022
其中，θ指大边与竖直方向的夹角，x1、x2、y1、y2分别为箭头朝向左、右、下、上时，其分别对应的角度偏转值。
进一步，所述晶体定向的方法，具体包括以下步骤，
S1、切割晶体形成薄片，在薄片的主面上标记一个指向晶体大边的箭头；
S2、取得大边与竖直方向的夹角θ；
S3、分别测量出箭头指向的左、右、下、上所对应的x1、x2、y1、y2的值；
S4、按照公式1和公式2分别计算出内圆切割机的X0、Y0轴调整值，、
X0＝Xcosθ+Ysinθ (公式1)
Y0＝-Xsinθ+Ycosθ (公式2)
其中：
Figure BDA0003185441870000031
Figure BDA0003185441870000032
S5、按照计算得出的X0、Y0调整内圆切割机上的X、Y轴。
进一步，所述步骤S2中使用角度测量仪测量大边与水平方向的夹角，再加上90°得到θ。直接测量大边与水平方向的夹角，如此可以提高角度的精确性。
进一步，所述步骤S3中，将薄片掰成正方形的方片，测量时将正方形的方片使用真空吸气系统吸附于X射线衍射仪的测量台面上，打开X射线衍射仪对方片分别进行箭头指向为左、右、下、上的四个方位的角度测量。
进一步，所述正方形的方片的尺寸为10mm×10mm。
进一步，所述薄片的切割方法为，将晶体安装与卡具上，卡具安装于内圆切割机的滑动导轨上，并将卡具的底座固定于滑动导轨的伸缩机构上；调整内圆切割机的X、Y轴的数值，使其归零；设定伸缩机构进刀量，使其晶体需定向面与其锯片保持于同一竖直线；再次给予伸缩机构进给量，使其晶体在锯片的切割作用下，能形成适宜厚度的薄片；启动内圆切割机，上升滑动导轨的位置，使其锯片切割晶体形成薄片。
进一步，至少2次的重复切片测量计算调整过程，直至计算所得到的X0、Y0值在误差范围内，停止取片过程，进刀削平后定向过程结束。
本发明的有益效果：
本发明在进行晶体定向的过程中，晶体长度不能满足生产需求导致需要进行晶体分段时，提供了一种新型的定向方法，使其大边能以任意角度安装于卡具上进行定向，而不再局限于特定角度进行安装，有益于扩大其定向方法的适用性，使操作人员进行定向处理更方便，有利于提高生产效率，同时因其晶体不再过长置于卡具外侧，有利于提高生产安全性。
附图说明
图1是本发明的晶体卡装与卡具上的结构示意图；
图2是箭头指向为左、右、下、上的四个方位的角度测量图。
其中，晶体1、卡具2、大边3、薄片4。
具体实施方式
以下将结合附图对本发明进行详细说明：
如图1-2所示：
本实施例以晶体1放置于卡具2上，大边与竖直向下方向的角度θ为135°为例。
如图1，将晶体1安装于卡具2上，使用角度测量仪测量晶体的大边3与水平线的夹角，其测量值为45°，所以大边3与竖直向下的角度为θ135°；
将卡具2安装于内圆切割机的滑动导轨上，并将卡具底座固定于滑动导轨的伸缩机构上；
调整内圆切割机的X、Y轴的数值，使其归零；
设定伸缩机构进刀量，使其晶体需定向面与其锯片保持于同一竖直线；
再次给予伸缩机构进给量，使其晶体1在锯片的切割作用下，能形成适宜厚度的薄片4；
启动内圆切割机的转动马达，上升滑动导轨的位置，使其锯片切割晶体形成薄片4。
取下薄片4按照大边的方向画上箭头标记，其箭头所指方向即为大边方向，并将薄片掰成10mm×10mm的正方形方片；
如图2所示，将其正方形方片使用真空吸气系统吸附于X射线衍射仪的测量台面上，打开X射线衍射仪对方片分别进行箭头指向为左、右、下、上的四个方位的角度测量，并分别记为x1、x2、y1、y2；
按照下列公式分别计算其X，Y值：
Figure BDA0003185441870000051
Figure BDA0003185441870000052
按照下列公式分别计算其内圆切割机的X0、Y0调整值：
公式1、X0＝Xcosθ+Ysinθ
公式2、Y0＝-Xsinθ+Ycosθ
其中：本实施例的θ为135°
以计算所得X0、Y0值分别对应调整内圆切割机上的X、Y轴数值，并重复三次取片测量计算调整过程，使其最终X0、Y0值在误差范围内即可。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。本发明未详细描述的技术、形状、构造部分均为公知技术。

Claims (7)

1.一种晶体定向方法，在薄片的主面上标记一个指向晶体大边的箭头，其特征在于：按照公式1和公式2分别计算出内圆切割机的X0、Y0轴调整值，
X0＝X cosθ+Y sinθ (公式1)
Y0＝-X sinθ+Y cosθ (公式2)
其中：
Figure FDA0003185441860000011
Figure FDA0003185441860000012
θ指大边与竖直方向的夹角，x1、x2、y1、y2分别为箭头朝向左、右、下、上时，箭头方向分别对应的角度偏转值。
2.根据权利要求1所述的一种晶体定向方法，其特征在于：所述晶体定向的方法，具体包括以下步骤，
S1、切割晶体形成薄片，在薄片的主面上标记一个指向晶体大边的箭头；
S2、取得大边与竖直方向的夹角θ；
S3、分别测量出箭头指向的左、右、下、上所对应的x1、x2、y1、y2的值；
S4、按照公式1和公式2分别计算出内圆切割机的X0、Y0轴调整值，、
X0＝X cosθ+Y sinθ (公式1)
Y0＝-X sinθ+Y cosθ (公式2)
其中：
Figure FDA0003185441860000013
Figure FDA0003185441860000014
S5、按照计算得出的X0、Y0调整内圆切割机上的X、Y轴。
3.根据权利要求2所述的一种晶体定向方法，其特征在于：所述步骤S2中使用角度测量仪测量大边与水平方向的夹角再加上90°得到θ。
4.根据权利要求3所述的一种晶体定向方法，其特征在于：所述步骤S3中，将薄片掰成正方形的方片，测量时将正方形的方片使用真空吸气系统吸附于X射线衍射仪的测量台面上，打开X射线衍射仪对方片分别进行箭头指向为左、右、下、上的四个方位的角度测量。
5.根据权利要求4所述的一种晶体定向方法，其特征在于：所述正方形的方片的尺寸为10mm×10mm。
6.根据权利要求5所述的一种晶体定向方法，其特征在于：所述薄片的切割方法为，将晶体安装与卡具上，卡具安装于内圆切割机的滑动导轨上，并将卡具的底座固定于滑动导轨的伸缩机构上；调整内圆切割机的X、Y轴的数值，使其归零；设定伸缩机构进刀量，使其晶体需定向面与其锯片保持于同一竖直线；再次给予伸缩机构进给量，使其晶体在锯片的切割作用下，能形成适宜厚度的薄片；启动内圆切割机，上升滑动导轨的位置，使其锯片切割晶体形成薄片。
7.根据权利要求1-6任一权利要求所述的一种晶体定向方法，其特征在于：至少2次的重复切片测量计算调整过程，直至计算所得到的X0、Y0值在误差范围内，停止取片过程，进刀削平后定向过程结束。
CN202110860211.2A 2021-07-28 2021-07-28 一种晶体定向方法 Pending CN113702409A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110860211.2A CN113702409A (zh) 2021-07-28 2021-07-28 一种晶体定向方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110860211.2A CN113702409A (zh) 2021-07-28 2021-07-28 一种晶体定向方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113702409A true CN113702409A (zh) 2021-11-26

Family

ID=78650835

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110860211.2A Pending CN113702409A (zh) 2021-07-28 2021-07-28 一种晶体定向方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113702409A (zh)

Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0689887A (ja) * 1992-09-09 1994-03-29 Toshiba Corp 結晶方位決定方法
JPH10193338A (ja) * 1997-01-08 1998-07-28 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 単結晶の切断装置と方法
US5839424A (en) * 1996-04-16 1998-11-24 Hct Shaping System Sa Process for the orientation of several single crystals disposed side by side on a cutting support for their simultaneous cutting in a cutting machine and device for practicing this process
JPH1137958A (ja) * 1997-07-23 1999-02-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd 結晶軸の傾き角度測定方法
JP2000002672A (ja) * 1998-06-18 2000-01-07 Toyo Advanced Technologies Co Ltd 単結晶体インゴットの結晶方位軸測定装置及び結晶方位軸測定方法
JP2001324457A (ja) * 2000-05-15 2001-11-22 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ウェハの結晶方位測定用治具
US20050078790A1 (en) * 2003-10-14 2005-04-14 Tetsuo Kikuchi X-ray crystal orientation measuring method and X-ray crystal orientation measuring apparatus
KR20070046568A (ko) * 2005-10-31 2007-05-03 주식회사 실트론 반도체 웨이퍼의 오프 컷 각도 및 방향 측정방법
CN101733848A (zh) * 2009-12-29 2010-06-16 西北工业大学 定向切割晶体任意晶面的简便方法
CN102717446A (zh) * 2012-07-13 2012-10-10 上海日进机床有限公司 四辊蓝宝石切片机
JP2013258243A (ja) * 2012-06-12 2013-12-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 化合物半導体基板の製造方法および製造装置
CN106142370A (zh) * 2016-06-29 2016-11-23 上海日进机床有限公司 工件自夹紧装置及自加紧方法、工件截断设备及截断方法
CN106990126A (zh) * 2017-04-25 2017-07-28 山东大学 一种偏向SiC晶体的大边、小边精确定向方法
CN108838561A (zh) * 2018-07-02 2018-11-20 南京光宝光电科技有限公司 一种用于晶体快速准确定向激光切割的装置及切割方法
WO2019119511A1 (zh) * 2017-12-20 2019-06-27 天通控股股份有限公司 一种基于水平传感器定位晶体的定向加工方法
CN111267249A (zh) * 2020-03-18 2020-06-12 中国科学院福建物质结构研究所 一种晶体定向方法及装置
CN111319145A (zh) * 2020-01-22 2020-06-23 上海汇盛无线电专用科技有限公司 立式内圆大切片机用精准调节装置
CN111497043A (zh) * 2020-03-05 2020-08-07 秦皇岛本征晶体科技有限公司 一种氟化镁波片元件的制作方法
CN211682936U (zh) * 2019-09-19 2020-10-16 有研光电新材料有限责任公司 水平砷化镓单晶切片用粘接台及精准粘接装置

Patent Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0689887A (ja) * 1992-09-09 1994-03-29 Toshiba Corp 結晶方位決定方法
US5839424A (en) * 1996-04-16 1998-11-24 Hct Shaping System Sa Process for the orientation of several single crystals disposed side by side on a cutting support for their simultaneous cutting in a cutting machine and device for practicing this process
JPH10193338A (ja) * 1997-01-08 1998-07-28 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 単結晶の切断装置と方法
JPH1137958A (ja) * 1997-07-23 1999-02-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd 結晶軸の傾き角度測定方法
JP2000002672A (ja) * 1998-06-18 2000-01-07 Toyo Advanced Technologies Co Ltd 単結晶体インゴットの結晶方位軸測定装置及び結晶方位軸測定方法
JP2001324457A (ja) * 2000-05-15 2001-11-22 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ウェハの結晶方位測定用治具
US20050078790A1 (en) * 2003-10-14 2005-04-14 Tetsuo Kikuchi X-ray crystal orientation measuring method and X-ray crystal orientation measuring apparatus
KR20070046568A (ko) * 2005-10-31 2007-05-03 주식회사 실트론 반도체 웨이퍼의 오프 컷 각도 및 방향 측정방법
CN101733848A (zh) * 2009-12-29 2010-06-16 西北工业大学 定向切割晶体任意晶面的简便方法
JP2013258243A (ja) * 2012-06-12 2013-12-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 化合物半導体基板の製造方法および製造装置
CN102717446A (zh) * 2012-07-13 2012-10-10 上海日进机床有限公司 四辊蓝宝石切片机
CN106142370A (zh) * 2016-06-29 2016-11-23 上海日进机床有限公司 工件自夹紧装置及自加紧方法、工件截断设备及截断方法
CN106990126A (zh) * 2017-04-25 2017-07-28 山东大学 一种偏向SiC晶体的大边、小边精确定向方法
WO2019119511A1 (zh) * 2017-12-20 2019-06-27 天通控股股份有限公司 一种基于水平传感器定位晶体的定向加工方法
CN108838561A (zh) * 2018-07-02 2018-11-20 南京光宝光电科技有限公司 一种用于晶体快速准确定向激光切割的装置及切割方法
CN211682936U (zh) * 2019-09-19 2020-10-16 有研光电新材料有限责任公司 水平砷化镓单晶切片用粘接台及精准粘接装置
CN111319145A (zh) * 2020-01-22 2020-06-23 上海汇盛无线电专用科技有限公司 立式内圆大切片机用精准调节装置
CN111497043A (zh) * 2020-03-05 2020-08-07 秦皇岛本征晶体科技有限公司 一种氟化镁波片元件的制作方法
CN111267249A (zh) * 2020-03-18 2020-06-12 中国科学院福建物质结构研究所 一种晶体定向方法及装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI548504B (zh) Slicing method of semiconductor single crystal ingot
TWI332423B (en) Method and apparatus for machining work by cutting tool
CN105522213A (zh) 一种切管设备
US10898983B2 (en) Dressing method of cutting blade
KR20140058749A (ko) 시편 채취설비
CN113702409A (zh) 一种晶体定向方法
US3291166A (en) Power saw
RU184059U1 (ru) Универсальный заточной станок
JPH0689887A (ja) 結晶方位決定方法
JP2012104631A (ja) 円筒状単結晶シリコンインゴットブロックを四角柱状ブロックに加工する方法
JP6457327B2 (ja) セットアップ方法
CN106735553A (zh) 具有切割功能的机械零件夹持设备
JP2021106186A (ja) ＳｉＣインゴットの加工方法およびレーザー加工装置
CN113686557A (zh) 一种沉铜背光切片制备方法及检测方法
JP5851145B2 (ja) サファイア単結晶インゴットのコアリング装置
JP3489879B2 (ja) 木材、合成物質等から成る加工材料を加工する機械のための押え装置
CN209578352U (zh) 一种开槽装置及铝板加工设备
CN104227127B (zh) 斜断锯
TWI745541B (zh) 切割裝置
JP4517269B2 (ja) Ｚ補正付ダイシング装置
JP2005313574A (ja) 板材切断装置
JP2575829B2 (ja) 結晶方位決定装置
CN211250918U (zh) 一种半导体切割装置
CN216846956U (zh) 一种肿瘤标本处理装置
CN210723198U (zh) 一种低厚度陶瓷涂层隔膜的剪切装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination