JP2001324457A - ウェハの結晶方位測定用治具 - Google Patents

ウェハの結晶方位測定用治具

Info

Publication number
JP2001324457A
JP2001324457A JP2000141343A JP2000141343A JP2001324457A JP 2001324457 A JP2001324457 A JP 2001324457A JP 2000141343 A JP2000141343 A JP 2000141343A JP 2000141343 A JP2000141343 A JP 2000141343A JP 2001324457 A JP2001324457 A JP 2001324457A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
jig
crystal orientation
measuring
ray
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000141343A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayoshi Matsui
正好 松井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Mining Co Ltd filed Critical Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority to JP2000141343A priority Critical patent/JP2001324457A/ja
Publication of JP2001324457A publication Critical patent/JP2001324457A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 測定作業時間を大幅に低減できるウェハの結
晶方位測定用治具を提供すること。 【解決手段】 この結晶方位測定用治具200は台座210と
この上に着脱可能に配置されるウェハ保持台220とで構
成されている。また、台座210はこの台座本体213をX線
回折装置の所定部位に固定する取付部217とウェハ3の
OF(オリフラ)に対しX線を照射しかつ回折X線を通す
X線通路部216を有している。上記ウェハ保持台220はウ
ェハを所定の角度で保持するウェハ載置面227を備え、
かつ複数角度分だけ複数種類用意されている。そして、
従来の結晶方位測定用治具は台座に相当する部分とウェ
ハ保持台に相当する部分が一体となっていたが、この結
晶方位測定用治具では別体になっているためウェハ保持
台の交換作業が簡便化され作業時間を大幅に低減でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、X線回折装置に取
付けられ面取り後のウェハ平坦部における結晶方位精度
の測定に適用されるウェハの結晶方位測定用治具に係
り、特に、測定作業時間を大幅に低減できるウェハの結
晶方位測定用治具に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ウェハの特定結晶方位に付けられた平坦
部(オリエンテーションフラット:OFと略称する)
は、ウェハ平面上に作られる発光デバイスや電子デバイ
スなどの結晶方位に対する位置決めの基準として使用さ
れる。とりわけ電子デバイスの場合は、デバイス特性が
結晶方位に大きく依存することから上記OF方位精度は
重要である。また、それらデバイスをウェハから分離す
るための切り出しの際には、上記OFが切り出し方向の
基準となる。例えば、ウェハ平面が(100)面となる
ように設定される結晶方位の化合物半導体ウェハでは、
多くの場合に劈開面である{110}面にOFが付けら
れており、上記OFに対しその平行並びに垂直方向に切
り出しを行って矩形のチップを得ている。そして、これ
ら要求を満たさせるため、多くの場合、上記OF方位精
度については、±1度以内であることが規格とされてい
る。
【0003】そして、上記ウェハは以下のような工程を
経て製造されている。まず、ウェハのOFは、図3に示
すようにウェハに切断される前の単結晶インゴット1の
状態で付けられ、かつ、OF2が付けられた単結晶イン
ゴット1をワイヤーソー等の手段により切断して図4に
示すようなウェハ3が得られる。尚、ウェハ3における
上記OF2の方位精度は、±10分以内に設定されてい
る。
【0004】次に、図4に示したウェハ3のままである
とエッジが欠け易いため、面取り機を用いてウェハ端面
を面取りする必要がある。そして、面取り機によりウェ
ハ端面を面取りする場合、まず、上記OF2を基準にし
てウェハ3の方向を一定に揃え、次に方位の揃ったウェ
ハを面取り機の研削用ステージに真空吸着により固定
し、かつ、断面台形型あるいは丸型に加工された溝を有
する研削用砥石に上記ウェハの外周縁(円周部分)を押
し付ける。そして、上記研削用ステージは10mm/s
ec程度の速度で回転し、OF2を含めてウェハ3の全
周が図5に示すような端面形状に面取りされる。
【0005】この場合、上記面取り後におけるウェハ3
のOF2方位精度は面取り機の機械精度に依存し、その
バラツキは±30分程度にまで広がってしまう。従っ
て、ウェハ3のOF方位精度が上述した規格値を満たし
ているか否か調べるために面取り後におけるOFの結晶
方位精度の測定は不可欠となる。そして、面取り後にお
けるOFの結晶方位精度は、X線回折装置に取付けられ
る専用の測定用治具4(図6参照)を用い、かつ、図7
〜図8に示すように上記測定用治具4のウェハ載置面4
5に載置されたウェハ3のOF2に対しX線を入射さ
せ、ブラッグの回折角からのずれとして測定される。
尚、上記測定用治具4は、(100)面に対し個々に設
定されるウェハ平面10の傾き角度毎に複数種類用意さ
れ、対応するウェハ毎に適宜取り替えてその測定に供さ
れる。例えば、図9(A)に示すようにウェハ平面10
が(100)面から2度傾いて設定されているウェハと
10度傾いて設定されているウェハとで上記ウェハ載置
面45のウェハ載置角が異なる専用の測定用治具を用意
し、測定の際には対応するウェハに応じて測定用治具毎
取り替えて測定が行われている。
【0006】具体的に説明すると、図9(B)に示すよ
うにウェハ平面10が(100)面から傾いていない場
合には、上記ウェハ平面10とOF2の{110}面と
は垂直に交わるため、測定用治具4のウェハ載置面45
は、ウェハのOF2に入射する入射X線1Aと上記OF
2で回折される回折X線1B(図7および図8参照)と
が含まれる平面に対しウェハ載置面45上のウェハ平面
10が平行となるように設定される。また、図9(A)
に示すようにウェハ平面10が(100)面から傾いて
いる場合には、測定用治具4のウェハ載置面45は、上
記入射X線1Aと回折X線1Bとが含まれる平面に対し
ウェハ載置面45上のウェハ平面10が上記傾き角度の
分だけ補正されるように設定される。すなわち、上記入
射X線1Aと回折X線1Bとが含まれる平面が上記OF
2の{110}面に垂直となるように設定される。この
ように設定される理由は、ウェハ載置面45上に載置さ
れたウェハ3のOF2で回折した回折X線を、X線回折
装置で検出するに十分な強度とするためである。
【0007】ところで、X線回折装置に取付けられる専
用の測定用治具4は、図6に示すように図示外のX線回
折装置の所定部位に着脱可能に取付られる治具本体40
と、この治具本体40に設けられX線回折装置の所定部
位に治具本体40を固定するための固定部41と、上記
治具本体40に設けられX線回折装置からウェハ3のO
F2に入射されかつOF2で回折されるX線が通過する
X線通路部42と、上記治具本体40に設けられOF2
が当接する一対の係止部43を有しかつ上記X線通路部
42と連通する開口部44を有すると共に上記開口部4
4を介しOF2に入射された入射X線1AとOF2で回
折された回折X線1Bが含まれる平面に対しウェハ3が
そのウェハ平面10を平行若しくは傾けられた状態で載
置されるウェハ載置面45を有するウェハ保持部46と
でその主要部が構成されている。
【0008】尚、図6に示された測定用治具の変形例と
して、図10に示すようにウェハ保持部46の上記係止
部43が単一の部材で構成され、この部材の一部に上記
開口部44が開設された構造を有する測定用治具も知ら
れている。
【0009】そして、面取り後における上記OFの結晶
方位精度の測定の際には、上述したように(100)面
に対するウェハ平面10の傾き角度に対応した専用の測
定用治具4をX線回折装置に取付け、かつ、以下のよう
な調整を行う必要があった。
【0010】すなわち、図示外のX線回折装置の所定部
位に治具本体40を配置すると共に、上記固定部41を
介しボルト(図示せず)等を用いて治具本体40をX線
回折装置の所定部位に固定する操作が必要であり、か
つ、X線回折ピークを見つけるための光軸調整を行う必
要があった。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図6および図
10に示された従来の測定用治具4では、測定対象であ
るウェハの上記傾き角度が変わる度に、対応する測定用
治具4に交換してその治具本体40の固定操作が必要と
なるためその交換作業が煩雑であった。
【0012】更に、ウェハはその厚さが0.35mm程
度と薄いため上記X線回折ピークを見つけるための光軸
調整が難しく、かつ、測定用治具を交換する度にこの光
軸調整が必要となる煩わしさを有していた。
【0013】そして、測定用治具の交換と光軸調整に要
する時間は、通常、40分間程度を必要としその改善が
求められていた。
【0014】本発明はこのような問題点に着目してなさ
れたもので、その課題とするところは、測定作業時間を
大幅に低減できるウェハの結晶方位測定用治具を提供す
ることにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】すなわち、請求項1に係
る発明は、X線回折装置の所定部位に着脱可能に取付ら
れる治具本体と、この治具本体に設けられX線回折装置
の所定部位に治具本体を固定するための固定部と、上記
治具本体に設けられX線回折装置からウェハの平坦部に
入射されかつ平坦部で回折されるX線が通過するX線通
路部と、上記治具本体に設けられウェハ平坦部が当接す
る係止部を有しかつ上記X線通路部と連通する開口部を
有すると共に上記開口部を介しウェハ平坦部に入射され
た入射X線とウェハ平坦部で回折された回折X線とが含
まれる平面に対しウェハがそのウェハ平面を平行若しく
は傾けられた状態で載置されるウェハ載置面を有するウ
ェハ保持部とを備えるウェハの結晶方位測定用治具を前
提とし、上記治具本体が、治具本体をX線回折装置の所
定部位に固定する上記固定部とX線が通過する上記X線
通路部を備える本体部と、ウェハが保持される上記ウェ
ハ保持部とに分割され、かつ、上記本体部に対しウェハ
保持部が着脱可能に装着されるようになっていることを
特徴とするものである。
【0016】そして、請求項1記載の発明に係るウェハ
の結晶方位測定用治具によれば、測定対象であるウェハ
の上記傾き角度が変わった場合、従来のように結晶方位
測定用治具全体を交換する必要はなく、上記傾き角度に
対応して用意されたウェハ保持部のみを交換すればよ
い。
【0017】そして、上記固定部とX線通路部を備える
本体部はX線回折装置の所定部位に固定されているた
め、従来の結晶方位測定用治具においてウェハ平面の傾
き角度が変わる度に必要とされていた治具本体の固定操
作と上記光軸調整を省略することができ、その分、結晶
方位測定用治具の交換時間を大幅に短縮することが可能
となる。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
【0019】この実施の形態に係るウェハの結晶方位測
定用治具200は、図1に示すように本体部である台座
210とウェハ保持部であるウェハ保持台220とで構
成されている。
【0020】まず、上記台座210は、90度の角度で
かつ公差が0.05度以内で交わる直立壁面部211と
底面部212とで形成される台座本体213と、この台
座本体213の直立壁面部211上側に連設されかつ直
立壁面部211側に三角柱部214を有する第二壁面部
215とでその主要部が構成されている。
【0021】また、上記第二壁面部215の下面と上記
三角柱部214の側面および直立壁面部211の上面で
構成される空間にて入射X線と回折X線が通過するため
のX線通路部216を形成しており、かつ、台座本体2
13の上記底面部212には台座210をX線回折装置
(図示せず)の所定部位に取付けた際にボルト(図示せ
ず)等にて台座本体213を上記所定部位に固定するた
めの取付部(孔部)217が設けられている。
【0022】他方、上記ウェハ保持台220は、90度
の角度でかつ公差が0.05度以内に加工されると共に
上記台座本体213の直立壁面部211と底面部212
にそれぞれ密着する壁面221と底面222を有する保
持台本体223と、この保持台本体223の上面側に設
けられた一対の係止部224、225と、ウェハ保持台
220を上記台座210の底面部212上に配置した際
に台座本体213のX線通路部216と連通する位置に
設けられた開口部226と、測定対象であるウェハ3が
そのOFを上記係止部224、225に当接させて載置
されるウェハ載置面227とでその主要部が構成されて
いる。
【0023】また、上記ウェハ保持台220のウェハ載
置面227は、ウェハの上記傾き角度(θ=10度)に
合わせて10度の角度が付けられており、かつ、測定対
象であるウェハの上記傾き角度(θ)の種類に対応した
数だけウェハ保持台220が用意されている。すなわ
ち、ウェハ載置面227の設定角度(θ)が互いに相違
する複数種類のウェハ保持台220が用意されている。
【0024】そして、図2に示すようにウェハ3が載置
されたウェハ保持台220を上記台座210の底面部2
12上に配置し、かつ、ウェハ載置台227の開口部2
26から露出するウェハ3のOFに対しX線1Aを入射
させ、かつ、OFで回折された回折X線1Bを計測して
OFの結晶方位精度が測定される。
【0025】この実施の形態に係るウェハの結晶方位測
定用治具200においては、測定対象であるウェハ3の
上記傾き角度(θ)が変わった場合、従来のように結晶
方位測定用治具全体を交換する必要はなく、上記傾き角
度に対応して用意されたウェハ保持台220のみを交換
して台座210の底面部212上に配置すればよい。
【0026】そして、上記台座210はX線回折装置の
所定部位に固定されているため、従来の結晶方位測定用
治具においてウェハ平面の傾き角度が変わる度に必要と
されていた治具本体の固定操作と光軸調整を省略するこ
とができ、その分、結晶方位測定用治具の交換時間を大
幅に短縮することが可能となる利点を有している。
【0027】
【実施例】以下、本発明の実施例について具体的に説明
する。
【0028】まず、図1〜図2に示された本発明に係る
結晶方位測定用治具200を用い、ウェハの上記傾き角
度(θ)が変わった場合における結晶方位測定用治具の
交換に要する時間を測定した。
【0029】すなわち、上記台座210の底面部212
上に配置されたウェハ保持台220を取外し、上記傾き
角度変更に対応して用意された別のウェハ保持台220
を台座210の底面部212上に配置するまでの時間を
測定したところ、この配置替えに要する時間は0.5分
であった。
【0030】そして、X線回折装置の所定部位に固定さ
れた上記台座210を交換する必要がないので光軸調整
は不要であり、ウェハの上記傾き角度(θ)が変わった
場合における結晶方位測定用治具の交換に要する時間は
総計で0.5分であつた。
【0031】[比較例]比較例として、図6に示された
従来例に係る結晶方位測定用治具4を用い、ウェハの上
記傾き角度(θ)が変わった場合における結晶方位測定
用治具の交換に要する時間を測定した。
【0032】すなわち、X線回折装置の所定部位に固定
された1の結晶方位測定用治具をボルトを緩めて取外
し、かつ、上記傾き角度変更に対応して用意された別の
結晶方位測定用治具をX線回折装置の所定部位に取付け
ると共に、新たに取付けた結晶方位測定用治具について
その光軸調整を行なった。
【0033】そして、上記結晶方位測定用治具の交換に
要する時間は約10分、光軸調整に要する時間は約30
分で、ウェハの上記傾き角度(θ)が変わった場合にお
ける結晶方位測定用治具の交換に要する時間は総計で4
0分であった。
【0034】尚、このケースにおいてウェハの上記傾き
角度(θ)の種類は、2度〜15度の範囲で4種類存在
し、1日の内に4種類の面取り操作を終了させなければ
ならない場合、OFの結晶方位精度の測定において結晶
方位測定用治具の交換に要する時間は、40分×4種類
=160分も取られていた。
【0035】この従来例に対し、本発明に係る結晶方位
測定用治具200を用いた場合、結晶方位測定用治具の
交換に要する時間は、0.5分×4種類=2分で十分で
あることが確認された。
【0036】
【発明の効果】請求項1記載の発明に係るウェハの結晶
方位測定用治具によれば、治具本体が、この治具本体を
X線回折装置の所定部位に固定する上記固定部とX線が
通過する上記X線通路部を備える本体部と、ウェハが保
持される上記ウェハ保持部とに分割され、かつ、上記本
体部に対しウェハ保持部が着脱可能に装着されるように
なっているため、測定対象であるウェハの上記傾き角度
が変わった場合、従来のように結晶方位測定用治具全体
を交換する必要はなく、上記傾き角度に対応して用意さ
れたウェハ保持部のみを交換すればよい。
【0037】そして、上記固定部とX線通路部を備える
本体部はX線回折装置の所定部位に固定されているた
め、従来の結晶方位測定用治具においてウェハ平面の傾
き角度が変わる度に必要とされていた治具本体の固定操
作と上記光軸調整を省略することができ、その分、結晶
方位測定用治具の交換時間を大幅に短縮することが可能
となる効果を有している。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る結晶方位測定用治具の構成部材で
ある台座とウェハ保持台の概略斜視図。
【図2】上記台座にウェハ保持台を配置して構成された
本発明に係る結晶方位測定用治具の概略斜視図。
【図3】OFが付けられた単結晶インゴットの概略斜視
図。
【図4】ウェハの概略斜視図。
【図5】ウェハ端面を面取りした状態を示す概略斜視
図。
【図6】従来例に係る結晶方位測定用治具の概略斜視
図。
【図7】ウェハのOFにおける結晶方位精度の測定方法
を示す説明図。
【図8】ウェハのOFにおける結晶方位精度の測定方法
を示す概略斜視図。
【図9】図9(A)はウェハ平面が(100)面から傾
いている場合のウェハ載置面におけるウェハ載置角を示
す説明図、図9(B)はウェハ平面が(100)面から
傾いていない場合のウェハ載置面におけるウェハ載置角
を示す説明図。
【図10】他の従来例に係る結晶方位測定用治具の概略
斜視図。
【符号の説明】
200 結晶方位測定用治具 210 台座(本体部) 213 台座本体 216 X線通路部 217 取付部(孔部) 220 ウェハ保持台(ウェハ保持部) 223 保持台本体 224 係止部 225 係止部 226 開口部 227 ウェハ載置面

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】X線回折装置の所定部位に着脱可能に取付
    られる治具本体と、この治具本体に設けられX線回折装
    置の所定部位に治具本体を固定するための固定部と、上
    記治具本体に設けられX線回折装置からウェハの平坦部
    に入射されかつ平坦部で回折されるX線が通過するX線
    通路部と、上記治具本体に設けられウェハ平坦部が当接
    する係止部を有しかつ上記X線通路部と連通する開口部
    を有すると共に上記開口部を介しウェハ平坦部に入射さ
    れた入射X線とウェハ平坦部で回折された回折X線とが
    含まれる平面に対しウェハがそのウェハ平面を平行若し
    くは傾けられた状態で載置されるウェハ載置面を有する
    ウェハ保持部とを備えるウェハの結晶方位測定用治具に
    おいて、 上記治具本体が、治具本体をX線回折装置の所定部位に
    固定する上記固定部とX線が通過する上記X線通路部を
    備える本体部と、ウェハが保持される上記ウェハ保持部
    とに分割され、かつ、上記本体部に対しウェハ保持部が
    着脱可能に装着されるようになっていることを特徴とす
    るウェハの結晶方位測定用治具。
JP2000141343A 2000-05-15 2000-05-15 ウェハの結晶方位測定用治具 Pending JP2001324457A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000141343A JP2001324457A (ja) 2000-05-15 2000-05-15 ウェハの結晶方位測定用治具

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000141343A JP2001324457A (ja) 2000-05-15 2000-05-15 ウェハの結晶方位測定用治具

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001324457A true JP2001324457A (ja) 2001-11-22

Family

ID=18648473

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000141343A Pending JP2001324457A (ja) 2000-05-15 2000-05-15 ウェハの結晶方位測定用治具

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001324457A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013174524A (ja) * 2012-02-27 2013-09-05 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウェーハ面取り部の品質検査方法
CN113702409A (zh) * 2021-07-28 2021-11-26 威科赛乐微电子股份有限公司 一种晶体定向方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013174524A (ja) * 2012-02-27 2013-09-05 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウェーハ面取り部の品質検査方法
CN113702409A (zh) * 2021-07-28 2021-11-26 威科赛乐微电子股份有限公司 一种晶体定向方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2365905C2 (ru) Способ и устройство для промеров, ориентирования и фиксации минимум одного монокристалла
US8259901B1 (en) Intelligent machines and process for production of monocrystalline products with goniometer continual feedback
US5720271A (en) Process for the orientation of single crystals for cutting in a cutting machine and device for practicing this process
JP3032979B2 (ja) 円柱形単結晶の製造方法及び装置、並びに半導体ウェ―ハの切断方法
JPH10100139A (ja) 切断機械内で同時に切断するために切断支え上に並べて配置された複数個の単結晶を配向する方法とこの方法を実施するための装置
US20030070520A1 (en) Cutting machine
WO2000075969A1 (en) Wafer orientation sensor
JP5214332B2 (ja) ウエーハの切削方法
JP2020178033A (ja) 加工装置及び被加工物の加工方法
JP2016209980A (ja) 切断装置及び切断方法
EP0614719A1 (en) Mounting structure for cutting blade of dicing apparatus
JP3472390B2 (ja) フランジ端面修正治具
JP7051205B2 (ja) 切削装置
JP2001324457A (ja) ウェハの結晶方位測定用治具
JPWO2019167100A1 (ja) 半導体単結晶インゴットのスライス方法
JP2002217135A (ja) 切削装置
JP2003191141A (ja) 加工クランプ装置
JP3635870B2 (ja) 半導体単結晶インゴットの接着方法及びスライス方法
JP4481597B2 (ja) ブレード間隔測定方法
CN211993640U (zh) 一种半导体单晶硅片金刚线切割用晶向修正夹具及应用其的切割装置
JP3280736B2 (ja) ダイシング溝の位置測定方法
JP7486893B2 (ja) ブレード交換装置及びブレード交換装置の調整方法
JP2007165655A (ja) ウエハ方向センサー
KR100526215B1 (ko) 실리콘 단결정 웨이퍼의 제조방법 및 제조장치
JP7362209B2 (ja) 切削ブレード