JPH10100139A - 切断機械内で同時に切断するために切断支え上に並べて配置された複数個の単結晶を配向する方法とこの方法を実施するための装置 - Google Patents

切断機械内で同時に切断するために切断支え上に並べて配置された複数個の単結晶を配向する方法とこの方法を実施するための装置

Info

Publication number
JPH10100139A
JPH10100139A JP9113586A JP11358697A JPH10100139A JP H10100139 A JPH10100139 A JP H10100139A JP 9113586 A JP9113586 A JP 9113586A JP 11358697 A JP11358697 A JP 11358697A JP H10100139 A JPH10100139 A JP H10100139A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
single crystal
cutting
plane
axis
support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9113586A
Other languages
English (en)
Inventor
Charles Hauser
オゼール シャルル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Publication of JPH10100139A publication Critical patent/JPH10100139A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
    • B28D5/0088Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work the supporting or holding device being angularly adjustable

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 単結晶の正確な位置決めと、切断支え上の複
数個の単結晶の密な、至適取り付けと、最大生産性での
正確な切断を得る手段を提供する。 【解決手段】 それぞれの単結晶の結晶構造に対して明
確に定義された方向に沿って同時に切断するために切断
支え(3)上に複数個の単結晶(2)を取り付けること
を可能にする位置決め方法と装置(1);測定データお
よび/または課されたデータから数学的に得られ、それ
ぞれの単結晶(2)の切断面を機械の切断方向に平行に
しながらそれぞれの幾何的単結晶を切断方向
(z’’’)に垂直な面内に位置づける回転角度(d、
g)に沿って機械の外で位置づける。方法を実施する装
置は枠(5)と、枠の上に回転自在に取り付けられ、そ
れぞれが単結晶(2)を支える把持装置(8)と、位置
決め装置(1)と切断機械に同時に属する切断支え
(3)を維持するための回転プレート(11)とから成
る。引き上げ機構(9)によって支え(3)とそれぞれ
の単結晶(2)はxおよびz’’’軸を中心に回転して
所定の相対的配向を得た後当接され、一体にされる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】
【0002】本発明は所定の切断面に沿って切断機械内
で切断するために単結晶を配向するための方法に関する
ものである。
【0003】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
【0004】光学または半導体に一般的に使用される単
結晶は結晶網の軸に対して極めて正確な方向に沿って切
断される必要がある。さらに、その製造は幾何的軸に対
して結晶網の軸の方向を完全に制御することはできな
い。従って、切断を正確にするためには製造誤差を補正
し、切断面と使用または後工程によって選択されるか課
された結晶面の間に形成される角度を計算に入れなけれ
ばならない。切断は幾何的単結晶から行われるので、切
断システムの移動が単結晶のそれぞれの所望の切断面に
平行になるように空間内にそれらを位置づけ、維持しな
ければならない。可能な位置は無限にあるが、さらにそ
れを機械の切断面に垂直な面内に置くのは単結晶当たり
4つしかない。これら4つの位置の1つに沿って単結晶
のそれぞれを位置づけることによって所望の方向での切
断が可能になるだけでなく、切断時間を最短にし、切断
機械に至適負荷をかけ、従って、切断装置の生産性を向
上させることができる。
【0005】単結晶配向付け装置は既知であり、半導体
業界で内径丸鋸または糸鋸に使用されている。位置決め
は機械の上に直接取り付けられたy'''、z'''方向のテ
ーブルによって行われる。調節は光学測定の後にまたは
X線によって行われる。次にy'''、z'''に沿って補正
が導入される。この実施法には、一方では、単結晶の位
置が切断要素の前進に対して傾き、糸の層が幾何的単結
晶に対して平行でなければならない糸鋸の場合特に不利
になり、他方では、切断長さを最短にすることができ
ず、この場合は内径鋸に不利になり、生産性が低下する
という欠点がある。加えて、この実施法では、極めて正
確に、また汚れていることが多く、この種の作業に適し
ていない工業環境の中で毎回の切断の前に機械のテーブ
ルを調節しなければならない。機械の調節時間によって
生産性はさらに低下する。またこの実施法では互いに異
なる配向を有する複数個の単結晶を同時に切断すること
もできない。
【0006】切断機械のテーブル長さは固定している
が、単結晶自体は製造上の制約または品質上異なる長さ
を有することがある。糸鋸の場合の切断時間は切断長さ
に依存しない、従って、最大生産性を得ようとすれば最
大充填を図る必要がある。この最大充填はそれぞれの単
結晶について切断面に対して垂直な面を定義し、また幾
何的単結晶を定義する軸を用いる技術によって配向され
た複数個の単結晶を組み合わせることによってしか達成
できない。
【0007】本発明は上記の不便を解消し、清潔な環境
内で共通切断支え上に取り付けられたそれぞれの単結晶
の位置決めを正確に調節すること可能にし、切断生産性
を向上させることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
【0009】本発明は、請求項に記載の特性によって特
徴づけられる、すなわち同時切断のために複数個の単結
晶が調製され、切断支えに対してあらかじめ定められた
方向に沿って切断機械の外で位置決め装置によってそれ
ぞれの単結晶を順次配向付け、切断機械内の配置が機械
の切断面に対して幾何的に定義された切断支え上に前記
所定の方向に合致してそれぞれの単結晶が順次固定さ
れ、切断機械内でそれぞれの単結晶の前記所定の方向を
得るためにこれらの単結晶の固定された切断支えを前記
幾何的に定義された配置に沿って切断機械内に配置し、
切断支え上に取り付けられたすべての単結晶を同時に切
断することを特徴とする。
【0010】これらの特徴によって、適切な測定環境内
で切断負荷を構成するそれぞれの単結晶の正確な位置決
めと配向付けを、切断機械上で位置決めを調節する必要
なしに、得ることができる。従って、切断機械の停止時
間は大幅に短縮され、切断負荷によって生産された薄片
の量は最大になるので、それだけ切断機械の生産性が向
上する。
【0011】
【発明の実施の形態】
【0012】推奨実施態様において、本発明は前記所定
の配向付けが、それぞれの単結晶の幾何的形状のその幾
何軸の1つが切断面に垂直な切断機械の作業面に対応す
る基準面内に含まれるようにそれぞれの単結晶を位置決
め装置上の上に配置し、単結晶の切断面の法線が前記基
準面に来るように前記幾何軸を中心にそれぞれの単結晶
に固有の所定の第1の角度でそれぞれの単結晶を回転さ
せ、それぞれの単結晶の前記幾何軸と切断面の法線が前
記基準面に含まれているときに、切断面に対する法線が
機械の切断面に対する法線に対応する基準方向に沿って
配向されるように前記基準面に対する垂直軸を中心にそ
れぞれの単結晶に固有の第2の所定の角度で切断支えと
それぞれの単結晶の相対的回転を実施することを特徴と
する。
【0013】このようにして、糸鋸の場合特に不利な、
機械の切断要素の前進方向に対して単結晶の位置が傾く
という欠点を正確かつ容易に解消できる。それぞれの単
結晶の幾何的主軸はこのように作業面と糸の層に対して
完全に平行に配向されるので、切断長さを最短にし、切
断負荷を最大にしながら至適切断を得ることができる。
【0014】有利には、本発明に使用される方法は、結
晶網に対してそれぞれの単結晶の切断面の方向を定義
し、それぞれの単結晶の幾何的形状に対して結晶網の配
向を測定し、結晶網とそれぞれの単結晶の幾何的形状に
対する切断面の方向を考慮して第1と第2の回転角度を
計算することを特徴とする。
【0015】これらの特徴によって、高い位置決め精度
と、かなりの取り付けの迅速性が得られる。
【0016】本発明による方法は幾何的形状がほぼ円筒
形で、前記幾何的軸が単結晶の主軸に対応する単結晶の
使用に特に適している。
【0017】本発明はその上に単結晶が固定され、切断
機械内への設置が幾何的に定義され、主軸が切断機械の
軸に平行な切断支えに対してそれぞれの単結晶の所定の
方向に合致して切断機械の外で切断負荷に対応する単結
晶を配向するための位置決め装置を含むことを特徴とす
る方法を実施する装置にも適用される。
【0018】方法を実施するためのこの装置は取付中の
それぞれの単結晶の幾何的形状の幾何軸の1つが切断機
械の作業面に対応する基準面内に含まれるような方向内
に単結晶を支え、取付中の単結晶の切断面の法線が前記
基準面に来るように前記幾何軸を中心に所定の第1の角
度だけ前記単結晶を回転させるための第1の手段と、切
断面に対する法線が機械の切断面に対する法線に対応す
る基準方向に沿って配向されるように前記基準面に対す
る垂直軸を中心に第2の所定の角度で切断支えと取り付
けられるそれぞれの単結晶の相対的回転を実施するため
の第2の手段を備え、取り付けられる単結晶と切断支え
にすでに取り付けられた単結晶の間に最も密な位置決め
をするために単結晶と切断支えの相対的並進運動を実施
するための第3の手段と、前記所定の方向に切断支えの
上に単結晶を固定するために切断支えと単結晶の間に垂
直接近相対的並進運動を実施するための第4の手段を備
え、切断負荷を構成する単結晶を切断支え上に密に集合
させることによって作業を数回反復することができるこ
とによって有利に特徴づけられる。
【0019】これらの特徴によって、切断負荷を構成す
る単結晶の数に係わらず、最小時間でそれぞれの単結晶
の正確な切断を可能にする、迅速、正確、かつ切断機械
に適合した位置決めが得られる。さらに、切断精度は使
用される切断機械や生産ラインの場合の作業員に左右さ
れない。
【0020】好適実施態様は第1の手段が位置決め装置
の枠の上部の上に回転軸に沿って回転するように取り付
けられ、単結晶を支えるように配置された把持システム
と所定の第1の回転角度を決定することができる第1の
角度測定手段とから成り、第2の手段が前記枠に対して
回転自在に取り付けられ、その主面が前記基準面と把持
システムの回転軸に対して平行であり、幾何的に定義さ
れた位置に切断支えを維持するように配置された回転プ
レートから成り、前記第2の所定の回転角度を決定する
ために第2の角度測定手段が備えられ、第3の手段が切
断支え上にその前後に取り付けられた他の単結晶ととも
に最も密な形で単結晶を位置づけることを可能にする前
記回転軸に平行な並進機構から成り、第4の手段が切断
支えと単結晶の接近を可能にする前記基準面に対して垂
直方向の並進機構から成り、切断支えが基準面と基準方
向が機械の作業面と切断面の法線に対応するように切断
機械内への位置づけが前記回転プレート上に定義された
幾何的位置に対応して幾何的位置に沿って実施されるの
に適合していることを特徴とする。
【0021】これらの特徴によって、単結晶全体の極め
て正確な切断を確保しながら、特に簡便、迅速かつ安価
に、同一の切断支え上に複数個の単結晶を位置づけるこ
とができる。
【0022】その他の利点は請求の範囲に記載の特徴と
実施態様を模式的に例として示す図面を参照して以下の
本発明の詳細な説明を読むことによって明らかになるだ
ろう。
【0023】
【実施例】
【0024】図1は単結晶の一例とその幾何的および結
晶学的軸と選択された切断面を示す透視図である。図2
中のAとBは複数個の単結晶の同時切断ができない既知
の広く用いられている方法によって得られた単結晶の位
置を直交する2つの面で示している。図3中のAとBは
本発明によって得られた2つの単結晶の位置を直交する
2つの面で示している。図4は使用したさまざまな基準
座標のベクトル図である。図5中のA、B、Cは本発明
によって使用される配向法に従ってそれぞれの単結晶が
占める位置を示している。図6は方法を実施するための
装置の実施態様の透視図である。図7中のAとBは切断
支え上に配向された3つの単結晶の位置決めを2つの面
で示している。
【0025】一般的に本発明は切断時間を最短にし、同
時に切断支えの充填を最大にするように、切断機械の上
に、同じ切断支えの上に取り付けられ、切断面が機械の
切断面に平行に向けられたあらかじめ配向された単結晶
を設置する可能性を与える。この方向決定は結晶軸との
関連において後工程の要求事項を含めて結晶網に対する
それぞれの幾何的単結晶の誤差を決定するために実施さ
れた測定からそれぞれの単結晶について数学的に実施さ
れる。切断支え上の単結晶の取り付けは、次いで、幾何
的単結晶の回転角度の正確な測定と、それらをそのまま
切断機械に属する割り出しを備えた部品である共通の切
断支えに取り付けることを可能にする位置決め装置によ
って実施できる。単結晶は切断支えにフランジで留めら
れ、あるいは好適には接着され、支えは一旦切断機械上
に移されると、その後の調節なしに鋸引できる完全にあ
らかじめ配向された単結晶を提供する。加えて、切断精
度は使用される機械や、生産ラインの場合の作業員に左
右されない。
【0026】位置決め装置は、その上に単結晶が後から
固定される切断支えがその上に置かれる垂直z'''回転
軸を有する回転プレートを備えたテーブルまたは枠の形
を取る。この支えは切断機械のものと同一の割り出しシ
ステムを有する。単結晶支えは位置決め装置と切断機械
の間のインターフェイス部品である。従って位置決め装
置上と切断機械上で同じ位置を有する。回転するがテー
ブルに対して固定された回転プレートの上に単結晶を保
持し、そのx水平軸に沿って回転させ、さらにこの同じ
x軸に沿って移動を可能にする機構がある。このシステ
ムは円筒状の単結晶の場合、単結晶をその端でつかむこ
とのできる把持システムから成る。このとき単結晶はそ
の延長に平行なそのx軸に沿って回転することができ
る。プレートの運動と単結晶の回転がそれを任意の方向
に位置づけることを可能にする。2つの回転角度の値は
最終製品の要求事項によって決定され、数学的に計算さ
れる。xに沿った移動機構は最大充填を確保するために
切断支えの任意の位置に単結晶を位置づけることを可能
にする。2つの回転とxに沿った並進が実施されると、
ある機構が単結晶自体を備えた支えをそれらの相対的位
置を保存しながら提示する。これは回転プレートの上昇
または単結晶の下降によって実現できる。一旦接触する
と、単結晶はその位置にフランジで留められるか接着さ
れる。切断支えが完全に充填されるまで作業は他の単結
晶で反復される。次に切断支えは切断機械に移すことが
できる。このとき単結晶は配向され、同時に切断される
準備が完了する。xとz'''に沿った回転角度が例え
ば、符号化器などの組込電子装置または副尺などの機械
式装置によって測定される。
【0027】図1はx、y、zの幾何軸を備えた円筒形
の幾何学形状を有する切断される単結晶2の例を示し、
xは主軸である。この単結晶の結晶網の軸x’、y’、
z’は幾何軸に平行ではない。軸y’、yとz’、zの
間の角度aとfは光学測定またはX線によって決定さ
れ、一般的に単結晶の製造誤差を表す。図1はさらに単
結晶の選択された、あるいは課された切断面12と、結
晶網の軸y’、z’に対して角度値pとtだけ傾いたそ
の軸y”とz”および切断面に対する法線x”も示して
いる。角度値pとtは一般的に切断された単結晶のその
後の使用の必要性に応じて定義される。もちろんこれら
の角度pとtは面(100)に平行に切断されたシリコ
ン板を得たいときは例えば、ゼロにすることができる。
【0028】図2中のAとBは、幾何軸yとzを中心に
回転して単結晶を配向して本発明までに既知であり広く
使用されていた方法によって得られた単結晶2の位置
を、側面と平面で示している。このとき単結晶2は切断
手段に糸鋸を使用した場合糸の層4の面に平行ではな
い。切断機械の機械面x'''、y'''は単結晶1の幾何軸
xに平行ではない。糸の層4のz'''に沿った送り方向
は単結晶に垂直ではなく、切断品質に悪影響があり、さ
らに異なる配向を有する複数個の単結晶の取り付けは不
可能である。
【0029】図3中のAとBはx1、x2およびz'''軸
を中心に回転して単結晶の配向を実施する本発明による
方法によって得られた単結晶の配向を示している。切断
機械に使用された糸鋸の糸の層4はx'''y'''面内に位
置し、単結晶の幾何軸x1、x2はこのx'''、y'''面に
平行である。従って、それぞれの単結晶は、極めて正確
な切断が得られるように、切断手段に対して至適位置に
ある。
【0030】位置決めのために使用された各種の基準座
標のベクトル図は図4に示され、単結晶の幾何的形状に
結びつけられた基準座標x、y、zと、単結晶の結晶網
に結びつけられた基準座標x’、y’、z’と、単結晶
切断面に対応する基準座標x”、y”、z”と位置決め
装置と切断機械に使用された基準座標x'''、y'''、
z'''が示されている。
【0031】切断面はy”、z”面に対応し、その法線
はx”方向に対応している。結晶網に対する単結晶2の
幾何形状の心外れは角度y’yとz’zに対応する角度
aとfによって決定される。角度y”y’とz”z’に
対応する角度pとtは結晶網の基準座標に対して選択さ
れた切断面の配向を決定する。y”z”切断面に対する
法線x”は幾何軸xと角度gをつくるベクトルX”
(x、y、z)を定義し、y、z面へのベクトルX”
(x、y、z)の投影はyと角度dを作る。
【0032】従って、角度dは幾何軸xの周囲の回転角
に対応して、y”、z”切断面に対する法線x”は機械
のx'''、y'''作業面に対応する基準座標の面内に来
る。
【0033】所望の切断面を切断機械の切断面に一致さ
せるために、切断面に対する法線x”が機械のy'''
z'''切断面に対する法線x'''に対応する基準方向に沿
って配向されるように角度gはz'''垂直軸の周囲の回
転角に対応する。
【0034】角度dとgはそれぞれの単結晶について計
算され、数学的解は次の形を取る:
【0035】X’=M(a、f)X
【0036】ここで、M(a、f)は、角度a、fの回
転マトリックス、および X”=M(t、p)X’
【0037】ここで、M(t、p)は、角度p、tの回
転マトリックスである。
【0038】これから演繹して、xとz'''に沿って幾
何的単結晶のそれぞれについてなされる2つの角度dと
gは、X”が機械基準座標内のy”、z”面に対して垂
直なベクトルである基準x'''、y'''、z'''内のX”
(x、y、z)のX”x、X”y、X”z成分によって
得られるだろう。 d=arctang(X”z/X”y) g=arctang((sqrt(X”y**2+X”z
**2))/X”x)
【0039】図3中のAとBに示した至適配向を得るた
めの位置決め法は連続する3つの位置を示す図5中の
A、BとCを参照してもっと正確に説明される。図5中
のAにおいて、単結晶は位置決め装置の上に置かれ、そ
の幾何軸x、y、zは心出し装置と切断機械のx'''、
y'''、z'''軸と心出しされる。
【0040】次にベクトルX”をx'''、y'''平面内に
置くために幾何軸x'''またはxを中心に角度値dだけ
回転させる(図5中のB)。z'''軸に沿って幾何的単
結晶を角度gだけ回転させるとベクトルX”がx'''軸
と共線位置に置かれる(図5中のC)。この2つの回転
の後、x、y、z幾何的単結晶はx'''、y'''面に平行
に配向され、切断面の法線X'''に対する角度gは後使
用工程の要求事項を満たす。その結果の鋸引きで、y’
とz’結晶学的軸に対して角度tとpが得られる。もち
ろん、第2の回転は切断支えを角度−gだけ回転して実
施することも可能で、このとき不動のままの単結晶は図
6に示した実施態様で実現される。
【0041】後者は、適切な配向の後にその上に単結晶
が固定される支え3の形を有する切断支えに対してあら
かじめ決定された配向に合致して切断機械の外でそれぞ
れの単結晶2を配向することを可能にする位置決め装置
1によって構成される。このため位置決め装置1は上部
6と下部7を備えたテーブルまたは枠5を備えている。
【0042】配向される単結晶2は主軸をx軸に平行に
向けて回転する把持装置8によって担持される。符号化
器10の形の角度測定手段はx軸を中心とする単結晶の
回転角dの測定を可能にする。把持装置8は並進機構1
3によってxに沿って線形に移動することができる。
【0043】枠1の下部7の上にz'''軸に沿って回転
プレート11が回転自在に取り付けられている。回転プ
レート11に組み込まれた角度測定システムはz'''軸
の周囲の回転角gの測定を可能にする。支え3は回転プ
レート11上の正確な所定の方向に維持される。
【0044】回転プレート11はさらに、単結晶2を支
え3上に固定するために引き上げ機構9によって単結晶
2に支え3を接近させることができるように枠の下部7
にz'''方向に沿って摺動自在に取り付けられている。
複数個の単結晶を連続して固定した後、支え3と単結晶
2は支え3のx'''s、y'''s基準面が切断機械の
x'''、y'''作業面に対応するように、また機械の切断
面の垂直線x'''が支えのx'''s基準方向に平行になる
ように所定の幾何的位置に沿って切断機械の中に配置で
きる。
【0045】このように詳細に説明された方法を使用す
る上述の装置は本発明の実現を可能にする、すなわち支
えの上に取り付けられ、切断機械に導入された単結晶が
鋸引き面に対して結晶軸の所与の配向で同時に切断され
るように切断機械の外で切断支えの上に複数個の単結晶
を位置づけることが可能になる。さらに円筒状単結晶の
位置はその母線が糸鋸の場合は糸の層4に平行に、刃に
よる切断の場合は薄片の厚みによって決まる移動方向に
平行になるような位置である。このために光学的に、ま
たはX線によって単結晶の幾何的形状に対する結晶網の
配向を測定する。このため有利には位置決め装置1また
は切断支え3は、単結晶位置決めが実施されると同時に
制御されるようにX線発生器上に取り付けられるように
配置できる。x’、y’、z’結晶網に対するy”、
z”切断面の配向はその後の用途によって強制されるの
で、位置決め装置のx軸によるdとz'''軸によるgの
単結晶の2つの回転角度の値は数学的に決定される。そ
れぞれの単結晶について計算された値に従って2つの回
転が実現されると、単結晶は切断機械内の所望の位置に
来る、すなわち切断機械と支え3のx'''y'''面に平行
な結晶学軸x1、x2、x3を有する3つの単結晶Zに
ついて図7中のAとBに示されたように、機械のそれ
(y'''z''')に平行な切断面(y1”z1”、y2
2”、y3”z3”)をさらに有する切断の送り
(z''')に垂直になる。位置決め装置により、単結晶
をフランジ留めあるいは接着によって、切断機械に対し
てあらかじめ指示された支え3の上に固定することが可
能になる。さらに、方法によって与えられた配向は、円
筒状単結晶の場合、鋸引きの長さを短くする。従って、
切断機械は単結晶の切断支えへの、または切断支えの切
断機械内への移転後に要求される角度指定に従った切断
を保証するために一切の調節装置を必要としない。糸鋸
の糸の層はこのようにして生産される薄片の適切な配向
を確実にしながら切断の間幾何的単結晶に平行なままで
ある。同様に、刃式の機械の鋸引き刃は単結晶に対して
垂直なままである。
【0046】もちろん上述の実施態様は一切制限するも
のではなく、請求項1に限定された範囲内で所望の一切
の変更を加えることができる。特に、xおよびz'''軸
を中心とする2つの回転角度は他の幾何的および結晶学
的基準座標に対して取られ、計算されたが、それぞれの
単結晶の切断面に対する法線が機械の切断面の法線に対
応する基準方向に向けられ、それぞれの単結晶の所定の
幾何軸と切断面に対する法線が機械の作業面に対応する
基準面内に含まれるという同じ結果に到達する角度に代
えることができる。同様に、切断面は結晶網に対してp
とt以外の角度で決定することも可能であり、それぞれ
の単結晶の幾何的形状に対する結晶網のずれはaとf以
外の測定角度で示すことができる。
【0047】把持装置は配向付けの間単結晶を支え、前
記単結晶の回転を実施するために、その上に前記単結晶
が一時的に置かれ、テーブルまたは枠の上に回転自在に
取り付けられる例えば、円筒などの別の方法に代えるこ
とができる。回転支えは単結晶の相対する両端に配置す
ることができる。前記単結晶と、z'''軸を中心とする
切断支えの間の相対的回転も、位置決め装置のテーブル
または枠の上で不動のままの切断支えに対して前記単結
晶を回転させることによっても得られる。このとき回転
テーブルはz'''に沿って回転し、単結晶の一時的支え
を担持する装置に代えられる。
【0048】角度測定装置は、電子式、光学式または機
械式とすることができる。
【0049】単結晶と切断支えの接近または接触は下ま
たは上で、切断支えまたは前記単結晶を移動して実施す
ることができる。
【0050】2つの水平および垂直軸x、z'''を中心
とする回転は、最初にz'''軸を中心とする回転を実施
し、次に水平軸xを中心とする回転を実施して時間を逆
にすることもできる。
【0051】xに平行な並進は単結晶ではなく切断支え
を移動して実現することができる。
【0052】方法と装置は、他の一切の幾何的形状の単
結晶または所定の結晶配向の他結晶集合体、単純または
多重合成双晶の結晶、配向性結晶集合体、合金、分極材
料などの非晶性物質内に含まれる配向性結晶物質などの
単結晶以外の一切の他の材料の配向性切断にも、または
単純に得られた薄片に特定の形状を与えるためにも使用
できる。
【0053】
【発明の効果】
【0054】本発明によると、清潔な環境内で共通切断
支え上に取り付けられたそれぞれの単結晶の位置決めを
正確に調節すること可能にし、切断生産性を向上させる
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】単結晶の一例とその幾何的および結晶学的軸と
選択された切断面を示す透視図である。
【図2】AとBは複数個の単結晶の同時切断ができない
既知の広く用いられている方法によって得られた単結晶
の位置を直交する2つの面で示している。
【図3】AとBは本発明によって得られた2つの単結晶
の位置を直交する2つの面で示している。
【図4】使用したさまざまな基準座標のベクトル図であ
る。
【図5】A、B、Cは本発明によって使用される配向法
に従ってそれぞれの単結晶が占める位置を示している。
【図6】方法を実施するための装置の実施態様の透視図
である。
【図7】AとBは切断支え上に配向された3つの単結晶
の位置決めを2つの面で示している。
【符号の説明】
1 位置決め装置 2 単結晶 3 切断支え 5 枠 8 把持システム 9 並進機構 10 第1の角度測定手段 11 回転プレート

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定の切断面(y”、z”)に沿って切
    断機械内で切断するために単結晶(2)を配向するため
    の方法において、 同時切断のために複数個の単結晶が調製され、切断支え
    (3)に対してあらかじめ定められた方向に沿って切断
    機械の外で位置決め装置(1)によってそれぞれの単結
    晶(2)を順次配向し、切断機械内の配置が機械の切断
    面(y'''、z''')に対して幾何的に定義された切断支
    え(3)上に前記所定の方向に合致してそれぞれの単結
    晶(2)が順次固定され、切断機械内でそれぞれの単結
    晶(2)の前記所定の方向を得るためにこれらの単結晶
    (2)の固定の後に切断支え(3)を前記幾何的に定義
    された配置に沿って切断機械内に配置し、切断支え
    (3)上に取り付けられたすべての単結晶(2)を同時
    に切断することを特徴とする方法。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の方法において、 前記所定の配向付けが、それぞれの単結晶(2)の幾何
    的形状(x、y、z)のその幾何軸の1つ(x)が切断
    面(y'''、z''')に垂直な切断機械の作業面
    (x'''、y''')に対応する基準面(x'''s、y'''
    s)内に含まれるようにそれぞれの単結晶(2)を位置
    決め装置(1)上の上に配置し、単結晶の切断面
    (y”、z”)の法線(x”)が前記基準面に来るよう
    に前記幾何軸(x)を中心にそれぞれの単結晶に固有の
    所定の第1の角度(d)でそれぞれの単結晶を回転さ
    せ、それぞれの単結晶(2)の前記幾何軸(x)と切断
    面の法線(x”)が前記基準面に含まれているときに、
    切断面(y”、z”)に対する法線(x”)が機械の切
    断面(y'''、z''')に対する法線に対応する基準方向
    に沿って配向されるように前記基準面に対する垂直軸
    (z''')を中心にそれぞれの単結晶に固有の第2の所
    定の角度(g)で切断支え(3)とそれぞれの単結晶の
    相対的回転を実施することによって得られることをを特
    徴とする方法。
  3. 【請求項3】 請求項2に記載の方法において、 第1と第2の回転角度(d、g)が数学的に決定される
    ことを特徴とする方法。
  4. 【請求項4】 請求項3に記載の方法において、 結晶網(x’、y’、z’)に対してそれぞれの単結晶
    の切断面(y”、z”)の方向を定義し、それぞれの単
    結晶の幾何的形状(x、y、z)に対して結晶網
    (x’、y’、z’)の配向を測定し、結晶網(x’、
    y’、z’)とそれぞれの単結晶の幾何的形状(x、
    y、z)に対する切断面(y”、z”)の方向を考慮し
    て第1と第2の回転角度(d、g)を計算し、それがそ
    れぞれの単結晶に対して個別に行われることを特徴とす
    る方法。
  5. 【請求項5】 請求項4に記載の方法において、 幾何的形状(x、y、z)に対する結晶網(x’、
    y’、z’)の配向が光学的に、またはX線で決定され
    ることを特徴とする方法。
  6. 【請求項6】 請求項2〜5のいずれか一つに記載の方
    法において、 幾何的形状がほぼ円筒形で、それぞれの単結晶(2)の
    前記幾何的軸(x)が結晶の主軸に対応する単結晶
    (2)が使用され、単結晶(2)が位置決め装置(1)
    の把持システム(8)によって固定と配向のために互い
    に前後に維持され、把持システム(8)の回転軸が前記
    基準面(xs'''、ys''')に対して平行であることを特
    徴とする方法。
  7. 【請求項7】 前記請求項1〜6のいずれか一つに記載
    の方法を実施するための装置において、 その上にそれぞれの単結晶(2)が一緒に互いに密に固
    定される切断支え(3)に対して所定の方向に合致して
    切断機械の外で単結晶(2)を配向するための位置決め
    装置(1)であって、切断機械内への設置が幾何学的に
    決められ、その主軸(x'''s、y'''s)が切断機械の軸
    (x'''、y''')に平行な位置決め装置(1)から成る
    ことを特徴とする装置。
  8. 【請求項8】 請求項7に記載の装置において、 それぞれの単結晶の幾何的形状(x、y、z)の幾何軸
    の1つ(x)が切断機械の作業面(x'''、y''')に対
    応する基準面内に含まれるような方向内に単結晶(2)
    を支え、単結晶の切断面(y”、z”)の法線(x”)
    が前記基準面に来るように前記幾何軸(x)を中心に所
    定の第1の角度(d)だけ前記単結晶(2)を回転させ
    るための第1の手段(8)と、切断面(y”、z”)に
    対する法線(x”)が機械の切断面(y'''、z''')に
    対する法線に対応する基準方向に沿って配向されるよう
    に前記基準面に対する垂直軸(z''')を中心に第2の
    所定の角度(g)で切断支え(3)とそれぞれの単結晶
    (2)の相対的回転を実施するための第2の手段(1
    1)を備えていることを特徴とする装置。
  9. 【請求項9】 請求項8に記載の装置において、 切断支え上の各種の単結晶(2)の最も密な集合を可能
    にするために単結晶(2)の幾何軸(x)に沿った相対
    的並進運動を実施するための第3の手段(13)と、前
    記所定の方向に切断支えの上に単結晶(2)を固定する
    ために切断支え(3)と単結晶(2)を接近させるため
    のそれぞれの単結晶(2)と切断支え(3)の間に相対
    的並進運動を実施するための第4の手段(9)を備えて
    いることを特徴とする装置。
  10. 【請求項10】 請求項9に記載の装置において、 第1の手段が位置決め装置(1)の枠(5)の上部
    (6)の上に回転軸に沿って回転するように取り付けら
    れ、単結晶(2)を支えるように配置された把持システ
    ム(8)と所定の第1の回転角度(d)を決定すること
    ができる第1の角度測定手段(10)とから成り、第2
    の手段が前記枠(5)に対して回転自在に取り付けら
    れ、その主面が前記基準面と把持システム(8)の回転
    軸に対して平行であり、幾何的に定義された位置に切断
    支え(3)を維持するように配置された回転プレート
    (11)から成り、前記第2の所定の回転角度(g)を
    決定するために第2の角度測定手段が備えられ、第3の
    手段が切断支え(3)上にその前後に取り付けられた他
    の単結晶とともに最も密な形で単結晶(2)を位置づけ
    ることを可能にする前記回転軸(x)に平行な並進機構
    (13)から成り、第4の手段が切断支え(3)と単結
    晶(2)の接近を可能にする前記基準面に対して垂直方
    向(z''')の並進機構(9)から成り、切断支え
    (3)が基準面と基準方向が機械の作業面(x'''、
    y''')と切断面の法線(x''')に対応するようにその
    切断機械内への位置づけが前記回転プレート上に定義さ
    れた幾何的位置に対応して幾何的位置に沿って実施され
    るのに適合していることを特徴とする装置。
  11. 【請求項11】 請求項7〜10のいずれか一つに記載
    の装置において、 切断支え(3)および/または位置決め装置(1)がX
    線発生装置の上に取り付けられるように構成されている
    ことを特徴とする装置。
JP9113586A 1996-04-16 1997-04-16 切断機械内で同時に切断するために切断支え上に並べて配置された複数個の単結晶を配向する方法とこの方法を実施するための装置 Pending JPH10100139A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH00957/96A CH691045A5 (fr) 1996-04-16 1996-04-16 Procédé pour l'orientation de plusieurs pièces cristallines posées côte à côte sur un support de découpage en vue d'une découpe simultanée dans une machine de découpage et dispositif pour la
CH957/96 1996-04-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10100139A true JPH10100139A (ja) 1998-04-21

Family

ID=4199111

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9113586A Pending JPH10100139A (ja) 1996-04-16 1997-04-16 切断機械内で同時に切断するために切断支え上に並べて配置された複数個の単結晶を配向する方法とこの方法を実施するための装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5839424A (ja)
EP (1) EP0802029B1 (ja)
JP (1) JPH10100139A (ja)
CH (1) CH691045A5 (ja)
DE (1) DE69721115T2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002118025A (ja) * 2000-10-05 2002-04-19 Tdk Corp ワイヤソーによる切断方法

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH692331A5 (de) * 1996-06-04 2002-05-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd Drahtsäge und Schneidverfahren unter Einsatz derselben.
CA2220776A1 (en) * 1996-11-13 1998-05-13 Allen Sommers Eccentric grinder loading system
US6106365A (en) * 1998-11-06 2000-08-22 Seh America, Inc. Method and apparatus to control mounting pressure of semiconductor crystals
DE60033574T2 (de) 2000-05-31 2007-11-15 Memc Electronic Materials S.P.A. Drahtsäge und verfahren zum gleichzeitigen schneiden von halbleiterbarren
DE10052154A1 (de) * 2000-10-20 2002-05-08 Freiberger Compound Mat Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Trennen von Einkristallen, Justiervorrichtung und Testverfahren zum Ermitteln einer Orientierung eines Einkristalls für ein derartiges Verfahren
US7285168B2 (en) 2004-08-10 2007-10-23 Efg Elektrotechnische Fabrikations-Und Grosshandelsgesellschaft Mnb Method and apparatus for the measurement, orientation and fixation of at least one single crystal
DE102005038639B4 (de) * 2004-08-10 2007-03-08 EFG Elektrotechnische Fabrikations- und Großhandelsgesellschaft mbH Verfahren und Vorrichtung zur Vermessung, Ausrichtung und Fixierung sowie Befestigung von Einkristallen auf einem gemeinsamen Träger
WO2007081719A2 (en) 2006-01-05 2007-07-19 Illumitex, Inc. Separate optical device for directing light from an led
US8212868B2 (en) * 2006-03-30 2012-07-03 Gemvision Corporation, L.L.C. Full image jewelry positioner
DE102006032432B3 (de) * 2006-07-13 2007-09-27 Siltronic Ag Sägeleiste sowie Verfahren zum gleichzeitigen Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem zylindrischen Werkstück unter Verwendung der Sägeleiste
JP2010506402A (ja) 2006-10-02 2010-02-25 イルミテックス, インコーポレイテッド Ledのシステムおよび方法
US7942276B2 (en) * 2007-07-31 2011-05-17 Eric Johnson Rotatable article display device and method for use
US8499940B2 (en) * 2007-07-31 2013-08-06 America's Collectibles Network Rotatable article display device and method
TW200948894A (en) * 2007-12-19 2009-12-01 Asahi Glass Co Ltd Ether composition
EP2240968A1 (en) 2008-02-08 2010-10-20 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
TW201007993A (en) * 2008-06-26 2010-02-16 Illumitex Inc Optical device shaping
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
CN101486231B (zh) * 2009-01-22 2011-12-07 四川大学 黄铜矿类负单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8259901B1 (en) 2010-05-25 2012-09-04 Rubicon Technology, Inc. Intelligent machines and process for production of monocrystalline products with goniometer continual feedback
EP2520401A1 (en) * 2011-05-05 2012-11-07 Meyer Burger AG Method for fixing a single-crystal workpiece to be treated on a processing device
JP2013008769A (ja) * 2011-06-23 2013-01-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 炭化珪素基板の製造方法
CN102886716B (zh) * 2011-07-19 2016-02-24 上海汇盛无线电专用科技有限公司 蓝宝石晶棒端面磨床
CN102490279B (zh) * 2011-11-30 2014-05-28 峨嵋半导体材料研究所 线切割晶体x射线衍射定向切割方法
CN102490278B (zh) * 2011-11-30 2014-07-16 峨嵋半导体材料研究所 线切割晶体激光仪定向切割方法
CN102490277B (zh) * 2011-11-30 2014-05-28 峨嵋半导体材料研究所 线切割晶体作图定向切割法
US10052848B2 (en) 2012-03-06 2018-08-21 Apple Inc. Sapphire laminates
DE102012210047A1 (de) * 2012-06-14 2013-12-19 Crystal-N Gmbh Verfahren zum Schneiden eines Einkristalls
CN103171059B (zh) * 2013-03-07 2015-02-25 贵阳嘉瑜光电科技咨询中心 一种用于蓝宝石加工晶向实时测量的夹具及其测量方法
CN103448155B (zh) * 2013-08-21 2015-04-08 常州贝斯塔德机械科技有限公司 用于切片机的角度调节系统
US9154678B2 (en) 2013-12-11 2015-10-06 Apple Inc. Cover glass arrangement for an electronic device
CN104708719B (zh) * 2013-12-13 2016-11-02 无锡斯达新能源科技股份有限公司 一种双头摇摆式蓝宝石晶圆开方机
DK3089842T3 (da) 2013-12-30 2022-08-29 Bp Corp North America Inc Prøveforberedelsesapparat til direkte numerisk simulering af klippeegenskaber
CN104985709B (zh) * 2015-06-16 2017-01-11 浙江海纳半导体有限公司 调整单晶棒晶向的方法及测量方法
US10406634B2 (en) 2015-07-01 2019-09-10 Apple Inc. Enhancing strength in laser cutting of ceramic components
CN110900690B (zh) * 2019-11-28 2021-06-11 清华大学 旋转变换夹持装置、旋转变换切割系统及应用
CN111730771B (zh) * 2020-06-09 2021-10-29 安徽利锋机械科技有限公司 一种晶圆切割机
CN113427650B (zh) * 2021-06-17 2023-03-14 西北工业大学 一种定向凝固合金单晶取向测定及籽晶切割的方法
CN113702409A (zh) * 2021-07-28 2021-11-26 威科赛乐微电子股份有限公司 一种晶体定向方法
CN114953225B (zh) * 2022-05-17 2023-05-23 河北同光半导体股份有限公司 单体定向切割碳化硅的方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE275925C (ja) *
US2947215A (en) * 1957-03-04 1960-08-02 George A Mitchell Compensating film warpage in projectors
DE2752925A1 (de) * 1977-11-26 1979-05-31 Philips Patentverwaltung Vorrichtung zum ausrichten und festlegen eines einkristalles
JPS5822308B2 (ja) * 1979-02-20 1983-05-07 松下電器産業株式会社 ブロック体の切断装置
GB8325544D0 (en) * 1983-09-23 1983-10-26 Howe S H Orienting crystals
CH678298A5 (en) * 1988-05-09 1991-08-30 Charles Hauser Slicer for materials used in electronic components
JP2673544B2 (ja) * 1988-06-14 1997-11-05 株式会社日平トヤマ 脆性材料の切断方法
CH690845A5 (de) * 1994-05-19 2001-02-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd Verfahren zum Positionieren eines Werkstücks und Vorrichtung hierfür.
EP0738572B1 (fr) * 1995-04-22 2004-01-21 HCT Shaping Systems SA Procédé pour l'orientation de monocristaux pour le découpage dans une machine de découpage et dispositif pour la mise en oeuvre de ce procédé
US6024814A (en) * 1995-11-30 2000-02-15 Nippei Toyama Corporation Method for processing ingots
US5720275A (en) * 1996-03-26 1998-02-24 The Research Foundation Of State Univ. Of New York Tracheal guide

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002118025A (ja) * 2000-10-05 2002-04-19 Tdk Corp ワイヤソーによる切断方法
JP4604330B2 (ja) * 2000-10-05 2011-01-05 Tdk株式会社 ワイヤソーによる切断方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0802029A3 (fr) 2000-06-28
US5839424A (en) 1998-11-24
DE69721115T2 (de) 2003-12-24
DE69721115D1 (de) 2003-05-28
EP0802029B1 (fr) 2003-04-23
EP0802029A2 (fr) 1997-10-22
CH691045A5 (fr) 2001-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH10100139A (ja) 切断機械内で同時に切断するために切断支え上に並べて配置された複数個の単結晶を配向する方法とこの方法を実施するための装置
JPH08294914A (ja) 裁断機械内の裁断のための単結晶の配向のための方法とその方法を実施するための装置
RU2365905C2 (ru) Способ и устройство для промеров, ориентирования и фиксации минимум одного монокристалла
US8934606B2 (en) Intelligent machines and process for production of monocrystalline products with goniometer continual feedback
KR100291047B1 (ko) 원통형 단결정을 제조하는 방법과 장치 및 반도체 웨이퍼를 절삭하는 방법
EP2520401A1 (en) Method for fixing a single-crystal workpiece to be treated on a processing device
TWM549782U (zh) 晶棒切片設備及其調整裝置
TW201242702A (en) Cutting device
CN208496343U (zh) 一种适用于单晶体材料定向切割的三轴旋转工作台
JP6448181B2 (ja) インゴットとワークホルダの接着方法及び接着装置
JP3205402B2 (ja) 結晶方位決定方法及び装置
JP3195760B2 (ja) インゴット切断面の結晶方位設定方法
JPH10182299A (ja) 単結晶インゴットの方位設定方法
JP2013036804A (ja) ワークテーブルのピッチエラーの測定方法
JP4029602B2 (ja) 高精度プロファイル研削加工方法
JP2003254918A (ja) 単結晶体の方位測定装置、この装置におけるガイド部材の角度誤差の検出方法及び単結晶体の方位測定方法
JP2001272359A (ja) 単結晶インゴットの処理装置及び処理方法
SU1766685A1 (ru) Установка дл ориентированной резки монокристаллов
KR20050020271A (ko) 실리콘 단결정 웨이퍼의 제조방법 및 제조장치
CN220649417U (zh) 一种校准辅助装置
CH690422A5 (fr) Dispositif pour l'orientation de monocristaux en vue d'une découpe dans un plan prédéterminé et selon une direction qui minimise la longueur de coupe.
JP2001324457A (ja) ウェハの結晶方位測定用治具
JP2014202736A (ja) 結晶方位測定加工システム
JPH074110Y2 (ja) 研磨治具
JP2002257643A (ja) X線応力測定装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040414

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060719

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060815

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070130