KR100291047B1 - 원통형 단결정을 제조하는 방법과 장치 및 반도체 웨이퍼를 절삭하는 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 결정격자의 가급적 근소한 배열오차를 가진 반도체물질의 원통형 단결정을 제조하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 또한 본 발명은 와이어톱질에 의해 2개이상의 그러한 단결정으로 반도체웨이퍼를 절삭하는 방법에 관한 것이다.
단결정을 제조하는 방법은 다음 스텝으로 구성되어 있다.
a) 많아야 1.50와 동일한 결정격자의 배열오차를 가진 단결정이 제조된다.
b) 단결정은 단결정이 2개 회전축을 회전할 수 있게 배치되며, 이때 회전축은 χ,y,z 축을 가진 직각 좌표계의 2개 축에 의해 걸쳐 있는 2개면에 수직이다.
c) 단결정은 결정축이 좌표계의 χ,y 면에, 또 좌표계의 χ,z 면에 평행될때까지 회전축을 회전한다.
e) 패드는 단결정의 단부에 끼워맞추어진다.
f) 단결정은 결정축을 회전하며, 이때 단결정은 연삭기에 있는 패드사이에 죄여지며, 그리고 단결정의 측면은 단결정이 특정한 균일직경을 가질때까지 연삭된다.

Description

원통형 단결정을 제조하는 방법과 장치 및 반도체 웨이퍼를 절삭하는 방법{Process and device for producing a cylindrical single crystal and process for cutting semiconductor wafers}
본 발명은 결정격자의 가급적 작은 배열오차를 가진 반도체물질의 원통형 단결정을 제조하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
또한 본 발명은 와이어톱질에 의해 2개이상의 그러한 단결정으로부터 반도체 웨이퍼를 절삭하는 방법에 관한 것이다.
때로는 반도체물질의 원통형 단결정의 결정격자는 특유한 배열오차를 가진다.
단결정의 결정축과 기하학적축이 일정한 각도에 있으며, 배열오차가 존재한다.
결정축은 결정격자의 결정배열을 구성하는 축이며, 전자부품의 제조를 위하여는 예컨데 〈100>,〈511>,〈110> 또는 〈110> 또는 〈111)결정배열을 가진 실리콘결정을 얻는 것이 특히 필요하다.
결정축의 공간적 위치는 예컨데 독일 표준규격 DIN 50433(부분 1)에 기술된 방법에 의한 X광선의 광학적 방법을 사용하여 결정된다.
원통형 단결정의 기하학적축은 단결정의 중앙을 통과하는 단결정의 장축에 해당된다.
일반적으로, 각 단결정은 결정격자가 배열오차를 가졌는지 또 반도체웨이퍼를 절삭할때 단결정을 관통하는 단면이 필요한 결정배향을 가진 반도체 웨이퍼를 형성하기 위하여 설정되였는지 확인검토할 필요가 있다.
이 방법은 특히 많은 돈을 필요로 하며 자칫하면 잘못되기 쉽다.
본 발명은 정밀하게 배열된 결정축을 가진 단결정을 얻을수 있게 하는 방법을 제공한다.
본 발명은 결정격자, 결정축 및 기하학적축을 가진 반도체 물질의 원통형 단결정을 제조하는 방법에 관한 것이며, 이때 결정축의 공간적 위치는 X-선 광학에 의해 성취된다.
본 방법은 다음 스텝을 가진다.
a) 기껏해야 1.50와 동일한 결정격자의 배열오차를 가진 단결정이 제조된다.
b) 단결정은 단결정이 2개 회전축을 회전할 수 있게 배치되며, 이때 회전축은 χ,y,z 축을 가진 직각 좌표계의 2개 축에 의해 걸쳐 있는 2개면에 수직이다.
c) 단결정은 결정축이 좌표계의 χ,y 면에, 또 좌표계의 χ,z 면에 평행될때까지 회전축을 회전한다.
e) 패드는 단결정의 단부에 끼워맞추어진다.
f) 단결정은 결정축을 회전하며, 이때 단결정은 연삭기에 있는 패드사이에 죄여지며, 그리고 단결정의 측면은 단결정이 특정한 균일직경을 가질때까지 연삭된다.
또한 본 발명은 본 방법은 달성하기에 적합한 장치에 관계하며, 이 장치는 다음것을 구비하고 있다.
a) 단결정의 결정축의 공간적위치를 인지하는 X-선 각도계;
b) 단결정이 장착되고 2개의 회전축을 회전하는 회전장치, 이때 회전축은 x,y,z 축을 가진 직각 좌표계의 2개축에 의해 걸쳐 있는 2개면에 수직이다.
c) 단결정의 단부에 패드를 끼워맞추는 장치
본 방법을 달성하기 위하여, 초크랄스키방법1(CZ) 또는 플로트·존방법(FZ)을 사용하여 편리하게 제조되는 단결정이 제공된다.
단결정을 제조하기 위하여, 단결정 물질로부터 바람직하게 분리된 씨결정(seed crystal)을 보유하는 것이 필요하다.
씨결정을 획득했을때에는, 씨결정의 결정격자가 최대 1.50의 배열오차를 가졌는가에 대하여 주시해야 한다.
씨결정에서 성장하는 단결정은 많아야 1.50, 바람직하게는 0.50의 배열오차를 가진다.
즉 단결정의 기하학적축과 단결정의 결정축간의 각은 주어진 최대치를 초과하면 않된다.
본 방법의 스텝 a)에 의해 제조된 단결정은 본 발명에 의하여 x,y,z 축을 가진 직각 좌표계의 2개축에 의해 걸쳐 있는 2개면에 수직인 2개의 회전축을 회전할 수 있도록 배치된다.
이 위치에서 결정축은 결정축이 좌표계의 x,y 면 및 x,z 면에 평행될때까지 회전축을 회전한다.
회전축은 단결정의 중심에서 바람직하게 교차되며, 이때, L 은 단결정의 길이 이다.
교차지점이 정확히 중심지점에 있으며, 또 길이 L 및 연삭된 단결정의 최종직경이 주어지면, 그때에는 회전축의 교차지점의 어느위치에서도, 측면연삭시 부여된 최종직경이 미달됨없이는 교정할 수 없는 결정축의 배열오차를 회전축의 교차지점의 이 위치에서 제거할 수 있다.
본 방법을 시행하는 방법 및 장치를 도면참조하여 다음에 상세히 설명한다.
도 1 은 본 방법의 1 실시예에 의한 단결정이 결정격자에 대하여 가급적 작은 배열오차를 얻기 위해 공간에 이동되는 방법을 도식적으로 나타낸 도이다.
도 2 는 본과제가 다른 실시예에 의해 달성되는 방법을 나타낸도이다.
도 3 은 본 방법에 의한 방법을 달성하는 바람직한 장치를 나타낸 도이다.
도 1 에 표시된 방법변형에 있어서, 단결정(1)은 900의 각을 만들고에서 교차하는 회전축(2,3)을 회전한다.
회전축(2)은 좌표계의 x,y 면에 수직이며, 회전축(3)은 좌표계의 x,z 면에 수직이다.
축(4)은 단결정의 기하학적 축이다.
회전축(2)은 각 α에 상응한 각으로 회전하며, 회전축(3)은 각 β에 상응한 각으로 회전한다.
좌표계에 있는 결정축(5)의 위치는 X-선 광학에 의해 인지되며, 그 목적으로 X-선 각도계의 빔이 단결정의 1단부에 부딪친다.
단결정의 회전은 자동제어로 이루어지며, 또는 운전원에 의해 성취된다.
사용된 제어변수는 결정격자에 흩허진 X-방사선의 강도이며, X-선 각도계는 결정축이 x,y 면에 또 x,z 면에 평행으로 정렬될때, 단결정을 회전시에 기록된 X-광선의 강도가 각각 최대가 되도록 조정된다.
그후에 운전원은 필요한 위치에 단결정을 회전시키는데 있어서 어려움이 없다.
도 2 에 표시된 방법변형에 있어서, 단결정은 결정축(5)이 x,y 면에 평행될때까지 먼저 기하학적축(4)을 회전한다.
단결정은 기하학적축이 좌표계의 y,z 면에 수직되도록 배치되며, 도의 표시에 의하면 단결정은 각 α′로 회전되게하는 것이 필요하며, 계속하여 단결정(1)은 각 β′로 회전된다.
선택된 회전축은 좌표계의 x,y면에 수직인 축(2)이다.
단결정이 회전된후에, 결정축(5)이 x,y면에 또 x,z 면에 평행되게 정렬된다.
도 3 은 도 2 에 관하여 기술된것같이, 단결정을 회전시키는데 사용하는 장치를 나타낸다.
이 장치는 X-선 각도계, 회전장치(7)및 단결정(1)의 단부(10)에 패드(9)를 끼워맞추는 장치(8)로 구성된다.
단결정은 단결정이 기하학적축(4)및 회전축(2)를 회전할 수 있도록 회전장치에 중심링(11)의 보조하에 장착되어 있으며, 특히 내부반경이 홍채조리개의 내부반경과 같이 축소될 수 있는 중심링(11)을 사용하는 것이 바람직하다.
기하학적축(4)은 좌표계의 y,z 면에 수직이며, 회전축(2)은 x,y면에 수직이다.
회전장치는 테이블(14)위에 배열되며, 예컨데 X-선 각도계를 정렬하기 위해 테이블상에서 직선으로 이동시킬수 있다.
보다 신속히 정렬시키기 위하여, 회전장치가 직선상으로 이동할때 단결정의 단부(10)가 스톱롤(15)를 접촉하자마자 정렬이 최적이 되도록 배치된 스톱롤(15)이 제공된다.
본 장치는, 기하학적축(4)대신에, 좌표계의 x,z 면에 수직이고 바람직하게는지점에서 다른회적축을 교차하는 회전축을 단결정이 회전장치에 의해 회전할 수 있도록 용이하게 응용되는 것이 분명하다.
이경우, 도 1 에 의한 방법변형은 본 장치를 사용하여 달성할 수 있다.
결정축이 요망된대로 정렬되면, 패드(9)는 단결정의 단부(10)에 놓여져, 그위에 고정되며, 바람직하게는 끈끈하게 그에 결합된다.
패드는 단결정의 측면이 연삭기에서 연삭될때 단결정을 클램프하는 지지구이다.
패드는 결정축이 그의 중심을 통과하도록 단부에 놓여지며, 또한 결정축은 단결정의 측면이 연삭될때 회전축이 된다.
패드를 배치하기 위해, 본 장치는 패드가 단결정의 단부에 접촉될때까지 결정축을 따라 직선상으로 이동시키는 기구(13)를 구비하고 있다.
패드는 단결정의 단부에 체결되기전에 자화볼(magnetized ball)에 의해 지탱되는 것이 유리하다는 것이 입력되였으며, 그러므로 단결정의 단부가 좌표계의 y,z 면에 정확히 평행으로 정렬않되었을지라도 패드는 그래도 정확히 위치할 수 있다.
본 방법은 완성하기 위하여, 단결정의 측면(12)은 단결정이 소정의 균일한 최종직경을 가질때까지 연삭된다.
본 발명은 상기와 같이 제조된 단결정이 간단히 그리고 효율적으로 반도체 웨이퍼로 공급됨을 가능하게 한다.
반도체 웨이퍼는 와이어톱의 수단으로 또 톱질공구로서 사용되는 와이어톱의 와이어웨브(wire web)의 전폭을 사용하여, 충분한 길이를 가진 단결정으로부터 또는 가능한한 와이어웨브의 폭에 대응하는 전길이를 가진 2개이상의 짧은 단결정으로부터 바람직하게 절삭된다.
특히 2개이상의 단결정의 정확한 정렬을 위하여, 반도체웨이퍼에 대해 요구되는 제조는 매우 간단하며, 이때 그것은 거이 잘못될수가 없다.
될수있는대로 와이어웨브의 폭에 대응하는 전길이를 가진 단결정은 각 단결정의 측면이 가이드에지에 기대도록 반듯한 가이드에지를 따라 평탄한 지지물에 서로 바로 옆에 배치된다.
가이드에지는 단결정의 신속하고 간단한 정열을 위해 사용되며, 그것은 단결정이 지지물에 일단 고정되면 제거된다.
예컨데, 단결정은 가이드에지가 제거된 후에도 지지물에 끈끈하게 결합되여 일직선으로의 정열이 남아 있게 된다.
반도체웨이퍼의 절삭시 와이어톱의 와이어웨브의 톱질과 이 직선간에 있는 각의 정밀한 조절에 의해, 정밀하게 구성된 결정배열을 가진 반도체웨이퍼를 만들수 있다.
만약 각이 900이면, 결정배열은 원통형 단결정의 결정배열과 정확히 일치한다.
900이외의 다른각을 사용하여, 배열오차를 임의로 유입할 수 있다.
전자산업에 사용되는 우량한 반도췌웨이퍼를 제조하기 위하여는 원통형 단결정의 결정격자는 가급적 작은 배열오차를 갖도록 제조되여야 하나, 종래에는 이를 위하여 많은 비용이 소요될뿐 아니라 오차가 발생하기 쉬웠다.
본 발명에 있어서는 X-선 각도계를 사용함으로서 많아야 1.50인 결정격자의 배열오차를 가진 단결정을 제조할 수 있다.
또한 반도체 웨이퍼의 절삭시, 와이어톱의 와이어웨브의 톱질과 직선가이드에지간에 있는 각을 정밀조정함으로 정밀하게 구성된 결정배열을 가진 반도체웨이퍼를 제조할 수 있다.

Claims (10)

  1. 결정격자, 결정축 및 기하학적축을 가진 반도체 물질의 원통형 단결정을 제조하는 방법에 있어서, 결정축의 공간적 위치는 X-선 광학에 의해 결정되며, 다음 스텝을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체물질의 원통형단결정의 제조방법;
    a) 많아야 1.50와 동일한 결정격자의 배열오차를 가진 단결정이 제조된다.
    b) 단결정은 2개 회전축을 회전할 수 있게 배치되며, 이때 회전축은 χ,y,z 축을 가진 직각 좌표계의 2개 축에 의해 걸쳐 있는 2개면에 수직이다.
    c) 단결정은 결정축이 좌표계의 χ,y 면에, 또 좌표계의 χ,z 면에 평행될때까지 회전축을 회전한다.
    e) 패드는 단결정의 단부에 끼워맞추어진다.
    f) 단결정은 결정축을 회전하며, 이때 단결정은 연삭기에 있는 패드사이에 죄여지며, 그리고 단결정의 측면은 단결정이 특정한 균일직경을 가질때까지 연삭된다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    좌표계의 x,y면에 수직인 1개축은 회전축으로서 선정되며, 또 좌표계의 x,z 면에 수직인 1개축은 회전축으로서 선정되는 것을 특징으로 하는 반도체물질의 원통형단결정의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    단결정의 기하학적축은 회전축으로서 선택되며, 또 좌표계의 x,y면에 수직인 1개축은 회전축으로서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체물질의 원통형 단결정의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    단결정은 회전축이 단결정 중심에서 교차되도록 배치되며, 이때 L 은 단결정의 길이인것을 특징으로 하는 반도체 물질의 원통형 단결정의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    결정격자가 많아도 1.50의 배열오차를 가진 씨결정은 모결정으로부터 분리되며, 단결정은 씨결정에서 성장됨을 특징으로 하는 반도체 물질의 원통형 단결정의 제조방법.
  6. 2개 또는 그 이상의 원통형 단결정이 와이어톱의 와이어 가이드에 의해 동시에 처리될때, 와이어톱질에 의해 반도체웨이퍼를 제조하는 방법에 있어서, 단결정은, 청구항 1 에서와 같은 방법을 사용하여 제조되고, 동일직경이며, 동일결정배열이며, 또 와이어톱질시 단결정이 직선가이드에지에 있는 측면을 통하여 지탱되도록 서로 바로 옆에 배치됨을 특징으로 하는 와이어톱질에 의해 반도체 웨이퍼를 제조하는 방법.
  7. 가급적 작은 결정격자의 배열오차를 가진 반도체 재료의 원통형 단결정을 제조하는 장치에 있어서,
    a) 단결정의 결정축의 공간적위치를 결정하는 X-선 각도계와;
    b) 회전축이 x,y,z 축을 가진 직각좌표계의 2개축에 의한 걸쳐 있는 2개면에 수직일때, 단결정이 설치되고, 2개 회전축을 회전할 수 있는 회전장치와;
    c) 단결정의 단부에 패드를 끼워맞추는 장치와를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 물질의 원통형 단결정을 제조하는 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    회전장치가 직선으로 이동할 수 있도록 회전장치가 설치된 테이블을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 물질의 원통형 단결정을 제조하는 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    X-선 각도계는 요망하는대로 배열되는 것을 보장하는 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 물질의 원통형 단결정을 제조하는 장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    단결정의 측면주위에 배치된 중심링을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 물질의 원통형 단결정을 제조하는 장치.
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10052154A1 (de) * 2000-10-20 2002-05-08 Freiberger Compound Mat Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Trennen von Einkristallen, Justiervorrichtung und Testverfahren zum Ermitteln einer Orientierung eines Einkristalls für ein derartiges Verfahren
JP5023900B2 (ja) * 2006-09-05 2012-09-12 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャルシリコンウェーハ
US7972196B2 (en) 2007-06-25 2011-07-05 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Methods of crystallographically reorienting single crystal bodies
TWI386283B (zh) * 2007-11-09 2013-02-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 滾圓裝置
CN101903467B (zh) * 2007-12-19 2012-04-04 旭硝子株式会社 醚组合物
DE102008026784A1 (de) * 2008-06-04 2009-12-10 Siltronic Ag Epitaxierte Siliciumscheibe mit <110>-Kristallorientierung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102009025242B4 (de) * 2009-06-17 2013-05-23 Siltronic Ag Verfahren zum beidseitigen chemischen Schleifen einer Halbleiterscheibe
CN101994157A (zh) * 2010-03-22 2011-03-30 浙江星宇电子科技有限公司 一种开单晶1*0参考面的方法
DE102010018570B4 (de) 2010-04-28 2017-06-08 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterscheiben durch Bearbeiten eines Einkristalls
US8259901B1 (en) 2010-05-25 2012-09-04 Rubicon Technology, Inc. Intelligent machines and process for production of monocrystalline products with goniometer continual feedback
CN102886716B (zh) * 2011-07-19 2016-02-24 上海汇盛无线电专用科技有限公司 蓝宝石晶棒端面磨床
WO2015047819A1 (en) * 2013-09-30 2015-04-02 Gt Crystal Systems, Llc Method and apparatus for processing sapphire
JP6154354B2 (ja) * 2014-05-09 2017-06-28 株式会社Ｂｂｓ金明 ワークの加工装置
JP6272801B2 (ja) * 2015-07-27 2018-01-31 信越半導体株式会社 ワークホルダー及びワークの切断方法
CN108188952B (zh) * 2017-12-08 2019-08-09 中国空间技术研究院 一种元器件用x射线批量化试验夹具
CN109374659B (zh) * 2017-12-28 2020-12-29 中国兵器工业第五九研究所 一种短波长x射线衍射测试样品的定位方法
CN108972196B (zh) * 2018-08-27 2019-07-05 冯恩慧 墓碑打磨装置
CN110065171B (zh) * 2019-04-25 2021-12-24 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种切割装置和晶棒的切割方法
CN110202708B (zh) * 2019-06-20 2021-03-23 西南交通大学 一种用于立方晶系的晶体切割方法
CN111730774A (zh) * 2020-07-15 2020-10-02 陈斌武 一种晶体加工用可旋转的夹持装置
CN113119327B (zh) * 2021-04-25 2023-04-14 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 能够改善<111>晶向晶棒切割warp值的定向多线切割方法
WO2024042829A1 (ja) * 2022-08-26 2024-02-29 株式会社Sumco 円筒研削装置、円筒研削方法およびウェーハの製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2827050C2 (de) * 1978-06-20 1986-09-11 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum Herstellen von [111]-orientierten Siliciumeinkristallstäben mit möglichst geraden Manteloberflächen durch tiegelfreies Zonenschmelzen
GB8325544D0 (en) * 1983-09-23 1983-10-26 Howe S H Orienting crystals
US5007204A (en) * 1988-09-16 1991-04-16 Shin-Etsu Handotai Company Limited Apparatus for shaping ingots into right circular cylindrical form
AU632886B2 (en) * 1990-01-25 1993-01-14 Ebara Corporation Melt replenishment system for dendritic web growth
JP3427956B2 (ja) * 1995-04-14 2003-07-22 信越半導体株式会社 ワイヤーソー装置
EP0738572B1 (fr) * 1995-04-22 2004-01-21 HCT Shaping Systems SA Procédé pour l'orientation de monocristaux pour le découpage dans une machine de découpage et dispositif pour la mise en oeuvre de ce procédé

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