JP2001050912A - 単結晶インゴットの支持装置、単結晶インゴットの測定装置及び単結晶インゴットの測定方法 - Google Patents

単結晶インゴットの支持装置、単結晶インゴットの測定装置及び単結晶インゴットの測定方法

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JP2001050912A
JP2001050912A JP11227163A JP22716399A JP2001050912A JP 2001050912 A JP2001050912 A JP 2001050912A JP 11227163 A JP11227163 A JP 11227163A JP 22716399 A JP22716399 A JP 22716399A JP 2001050912 A JP2001050912 A JP 2001050912A
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Hikari Echizenya
光 越前屋
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Rigaku Denki Co Ltd
Rigaku Corp
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Rigaku Denki Co Ltd
Rigaku Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 単結晶インゴットを測定装置や加工装置等と
いった複数の処理装置間で処理する際の作業性を向上す
る。 【解決手段】 単結晶インゴット9を処理する処理装置
の所定位置に装着されるワークプレート7と、そのワー
クプレート7に着脱可能に取り付けられる角度調整装置
8とを有する単結晶インゴットの支持装置6である。角
度調整装置8は、単結晶インゴット9を支持すると共に
その単結晶インゴット9の支持角度を変化させることが
できる。測定装置によって単結晶インゴット9の方位測
定を行った後に、角度調整装置8によって単結晶インゴ
ット9の角度を調整することにより、その後に適宜の加
工装置によって加工を行う際、加工装置の設定を変える
ことなく単結晶インゴット9を加工装置に対して最適の
姿勢に設定できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、単結晶インゴット
の処理装置、例えば単結晶インゴットに関する測定を行
う測定装置や単結晶インゴットに関して切断その他の加
工を行う加工装置等、の所定位置に単結晶インゴットを
支持するための単結晶インゴットの支持装置に関する。
また本発明は、その支持装置を用いた単結晶インゴット
の測定装置に関する。また本発明は、その支持装置を用
いた単結晶インゴットの測定方法に関する。
【0002】
【従来の技術】単結晶インゴットの方位測定を行うため
の装置として、従来、例えば特開平9−033456号
公報に記載されたものが知られている。ここに示された
測定装置では、単結晶インゴットを支持するための装置
として、固定金具と呼ばれるワークプレートが用いら
れ、このワークプレートに単結晶インゴットが接着によ
って直接に固定される。
【0003】そして、ワークプレートを測定装置の所定
位置に装着することによって単結晶インゴットを所定の
測定位置に置き、その単結晶インゴットにX線を照射し
たときにその単結晶インゴットで回折したX線を検出
し、これにより単結晶インゴットの結晶格子面の傾き方
向及び傾き角度、すなわち単結晶インゴットの結晶方位
を測定する。
【0004】そして、方位測定後の単結晶インゴットを
ワークプレートごと測定装置から取り外し、さらにその
単結晶インゴットをワークプレートごと加工装置、例え
ばワイヤカット装置の所定位置に取り付け、その後、加
工要素であるワイヤソーによって単結晶インゴットを切
断して、例えばウエハ等を作製する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の単結晶インゴットの支持装置に関しては、ワークプ
レートを基準とする単結晶インゴットの結晶方位を測定
することができるものの、そのワークプレートに対する
単結晶インゴットの結晶方位はインゴットごとに異なる
ため、単結晶インゴットを加工装置によって加工する際
には、加工装置の加工要素、例えばワイヤソーを単結晶
インゴットごとに調整しなければならず、よって、作業
性が非常に悪かった。
【0006】本発明は、上記の問題点に鑑みて成された
ものであって、単結晶インゴットを測定装置や加工装置
等といった複数の処理装置間で処理する際の作業性を向
上することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】(1) 上記の目的を達
成するため、本発明に係る単結晶インゴットの支持装置
は、単結晶インゴットを処理する処理装置の所定位置に
装着されるワークプレートと、該ワークプレートに着脱
可能に取り付けられる角度調整手段とを有し、該角度調
整手段は前記単結晶インゴットを支持すると共に該単結
晶インゴットの支持角度を変化させることができること
を特徴とする。
【0008】この構成の単結晶インゴットの支持装置に
よれば、ワークプレートによって支持されている単結晶
インゴットの姿勢を角度調整手段によって調整すること
により、単結晶インゴットの姿勢を測定装置、加工装置
等といった各種の処理装置の個々に対して最適な条件に
合わせることができ、よって、複数の処理装置について
はそれら自体に関する設定条件を変えることなく、それ
らの処理装置を使って単結晶インゴットに常に希望の処
理を行うことができる。つまり、単結晶インゴットを複
数の処理装置間で処理する際の作業性が向上する。
【0009】(2) 上記構成の単結晶インゴットの支
持装置において、前記ワークプレートは複数個の前記角
度調整手段を異なる位置に着脱可能に支持できる構造で
あることが望ましい。
【0010】こうすれば、1つのワークプレートを測定
装置に装着した状態で複数の単結晶インゴットに関して
測定処理を行った後に、個々の単結晶インゴットの姿勢
を個々の角度調整手段によって調整することにより、該
ワークプレートに支持された複数の単結晶インゴットの
姿勢を各単結晶インゴット間で一定に揃えることがで
き、該ワークプレートを加工装置に装着して加工を行え
ば、複数の単結晶インゴットに対して等しい加工条件で
同時に加工処理を施すことができる。
【0011】(3) 上記(1)項又は(2)項記載の
単結晶インゴットの支持装置において、前記角度調整手
段は、それぞれが前記単結晶インゴットを通って互いに
直交する2軸線を中心として、該単結晶インゴットの角
度を変化させることができる構造を有することが望まし
い。これにより、角度調整手段によって支持された単結
晶インゴットの姿勢を3次元的に自由に調整できる。
【0012】(4) 上記(1)項から上記(3)項記
載の単結晶インゴットの支持装置において、前記処理装
置は、X線を用いて単結晶インゴットの結晶方位を測定
するX線測定装置及び単結晶インゴットを切断する切断
装置とすることができる。この構成によれば、X線測定
装置と切断装置との間で連続して行われる処理の作業性
を向上できる。
【0013】(5) 次に、本発明に係る単結晶インゴ
ットの測定装置は、単結晶インゴットを支持する単結晶
インゴットの支持装置と、該支持装置によって支持され
た単結晶インゴットに向けてX線を放射するX線発生手
段と、該単結晶インゴットで回折したX線を検出するX
線検出手段とを有し、前記単結晶インゴットの支持装置
は上記(1)項から上記(3)項に記載の単結晶インゴ
ットの支持装置によって構成されることを特徴とする。
【0014】この測定装置によれば、X線発生手段及び
X線検出手段を含むX線測定系によってワークプレート
を基準とする単結晶インゴットの方位を測定でき、さら
にワークプレートによって支持されている単結晶インゴ
ットの姿勢を角度調整手段によって調整することによ
り、単結晶インゴットの結晶方位を希望の向きに合わせ
ることができる。この結果、その後に単結晶インゴット
に対して行われる処理、例えばワイヤソーを用いたワイ
ヤカット処理を迅速に行うことができる。
【0015】(6) 上記(5)項記載の単結晶インゴ
ットの測定装置において、前記X線発生手段は前記単結
晶インゴットの端面にX線を照射し、そして前記X線検
出手段は該単結晶インゴットの端面で回折するX線を検
出することができる。この構成によれば、単結晶インゴ
ットの端面に沿った結晶格子面の方位を測定できる。ま
た、X線を照射する位置は単結晶インゴットの外周面と
することもでき、その場合には、単結晶インゴットの外
周面に沿った結晶格子面の方位を測定できる。
【0016】(7) 上記(5)項又は上記(6)項記
載の単結晶インゴットの測定装置に関しては、前記X線
発生手段及び前記X線検出手段を支持すると共に該X線
発生手段及び該X線検出手段の前記単結晶インゴットに
対する角度を測角するゴニオメータと、前記単結晶イン
ゴットに対するX線照射点を通る軸線を中心として前記
ゴニオメータを回転させるゴニオ回転手段とを付加的に
設けることができる。
【0017】この構成によれば、単結晶インゴットへ入
射するX線の入射角度及びX線検出手段によって検出す
るX線の回折角度をゴニオメータによって調節できる。
また、X線発生手段から出て単結晶インゴットに入射す
るX線の進行方向をゴニオ回転手段によって変化させる
ことができる。
【0018】(8) 次に、本発明に係る単結晶インゴ
ットの測定方法は、複数の単結晶インゴットのそれぞ
れに角度調整装置を取り付けて複数のインゴット付角度
調整装置を形成し、前記角度調節装置はそれに取り付
けた単結晶インゴットの取り付け角度を変化させること
ができるようになっており、前記複数のインゴット付
角度調整装置を1個ずつ順々にワークプレートに取り付
け、この1個ずつのインゴット付角度調整装置のワー
クプレートへの取り付けごとにそれに含まれる単結晶イ
ンゴットに対してX線測定を行い、その測定結果に基
づいて角度調整手段によって単結晶インゴットのワーク
プレートに対する角度を調整し、前記複数の単結晶イ
ンゴットの結晶方位を揃えた状態でそれらを前記ワーク
プレートに並べて取り付けることを特徴とする。
【0019】この測定方法によれば、1つのワークプレ
ートを測定装置に装着した状態で複数の単結晶インゴッ
トに関して測定処理を行った後に、個々の単結晶インゴ
ットの姿勢を個々の角度調整手段によって調整すること
により、その1つのワークプレートによって支持された
複数の単結晶インゴットの結晶方位を全て同じ方向へ一
括して揃えることができる。よって、この1つのワーク
プレートを加工装置等といった他の処理装置に装着して
加工を行えば、複数の単結晶インゴットを等しい加工条
件で自動的に一括して加工を行うことができる。つま
り、複数の単結晶インゴットに関する測定処理及びその
後に行われる他の処理を迅速に行うことができる。
【0020】
【発明の実施の形態】図3は、本発明に係る単結晶イン
ゴットの支持装置及び単結晶インゴットの測定装置のそ
れぞれの一実施形態を示している。同図において、X線
測定装置1は、インゴット搬送装置2と、ゴニオメータ
3と、そのゴニオメータ3を回転駆動するゴニオ回転装
置4とを有する。
【0021】インゴット搬送装置2はワークプレート7
を着脱可能に支持でき、そのワークプレート7は複数の
角度調整装置8を支持できる。本実施形態では、ワーク
プレート7とそれに支持される角度調整装置8とによっ
て単結晶インゴットの支持装置6が構成される。
【0022】また、インゴット搬送装置2は、単結晶イ
ンゴットの支持装置6を実線で示す退避位置PT と鎖線
で示す測定位置PS との間で矢印Dのように往復直線移
動させることができる。このようなインゴット搬送装置
2の具体的な構造は必要に応じて任意に設定できるが、
例えば、ネジ軸を用いた送り機構によって構成できる。
【0023】なお、ワークプレート7は、X線測定装置
1のインゴット搬送装置2に装着できると共に、このX
線測定装置1の後段工程に設置される加工装置、例えば
ワイヤカット装置(図示せず)の所定位置にも装着でき
るようになっている。
【0024】角度調整装置8は、図1及び図2に示すよ
うに、ワークプレート7に対して相対回転可能な第1回
転ブロック13aと、その第1回転ブロックに対して相
対回転可能な第2回転ブロック13bとを有する。第1
回転ブロック13aは、単結晶インゴット9を通って図
1の紙面上下方向、すなわち図2の紙面上下方向へ延び
る第1軸線X1を中心として、矢印Bで示す方向へ所定
の角度範囲で往復回転移動でき、さらにその往復回転移
動の途中の任意の位置に静止できる。
【0025】一方、第2回転ブロック13bは、単結晶
インゴット9を通って上記の第1軸線X1に直交する第
2軸線X2を中心として、矢印Cで示す方向へ所定の角
度範囲で往復回転移動でき、さらにその往復回転移動の
途中の任意の位置に静止できる。これら2つの回転ブロ
ック13a及び13bの回転を複合させることにより、
単結晶インゴット9の姿勢をそれらの軸線X1及びX2
の交点Oを中心として3次元的に自由に調整できる。
【0026】測定対象である単結晶インゴット9は円柱
形状又は円盤形状に形成されており、その円形状の外周
面がカーボン11及びガラス12を介して角度調整装置
8の第2回転ブロック13bに固定される。単結晶イン
ゴット9とカーボン11、カーボン11とガラス12、
そしてガラス12と第2回転ブロック13bの各要素間
はそれぞれ接着剤によって接着されて固定される。
【0027】本実施形態では、3個の角度調整装置8が
ワークプレート7に取り付けられる場合を例示したが、
より少ない数又はより多い数の角度調整装置8を取り付
けられるようにワークプレート7を構成することもでき
る。なお、一般的には、ワークプレート7の幅寸法は単
結晶インゴット9の最大径によって決まる。また、ワー
クプレート7の最大長さは、X線測定装置1の後段工程
に設置される処理装置としてのワイヤカット装置(図示
せず)の切断能力によって決定される。
【0028】ワークプレート7は、個々の角度調整装置
8を長さ方向Z−Z内の任意の位置に着脱することがで
き、さらにそれら任意の位置で角度調整装置8を固定で
きる構造を有する。このような着脱構造は任意の構造を
採用できるが、例えば、個々の角度調整装置8を長さ方
向Z−Zへスライド移動可能に支持した上で、固定用ネ
ジ14によって締め付けるといった構造が考えられる。
【0029】本実施形態の単結晶インゴットの支持装置
6は、図3のX線測定装置1によって複数の単結晶イン
ゴット9が測定処理を受けた後、そのX線測定装置1か
ら取り外されて図示しない加工装置、例えばワイヤカッ
ト装置に装着される。そして、各単結晶インゴット9
は、そのワイヤカット装置の加工要素であるワイヤソー
による加工を受けて、その長さLがさらに薄く切断さ
れ、これにより複数のウエハが作製される。
【0030】このワイヤカット装置においては、ワイヤ
ソーに電圧を印加しておき、そのワイヤソーが単結晶イ
ンゴット9を矢印A方向へ切り終えると、そのワイヤソ
ーが図1のカーボン11に到達するようになっており、
そのときの電流変化によって単結晶インゴット9の切断
が完了したことを検知できるようになっている。ガラス
12は電気絶縁用部材として作用する。
【0031】図3において、インゴット搬送装置2に隣
接して設置されたゴニオメータ3は、ゴニオメータ基台
16と、その基台16の上に設けられたX線管支持台1
7と、その支持台17の上に固定されたX線管18と、
ゴニオメータ基台16の上に設けられた検出器支持台1
9と、そしてその支持台19の上に固定されたX線検出
器21とを有する。
【0032】X線管18はその内部にX線源Fを有し、
そのX線源Fから放射されたX線は測定位置PS に位置
する単結晶インゴット9の端面10上のX線照射点Eに
照射される。また、X線検出器21は、X線照射点Eに
おいて単結晶インゴット9で回折したX線を検出する。
なお、図には示していないが、X線源FからX線照射点
Eに至るX線入射経路及びX線照射点EからX線検出器
21に至る回折X線経路のそれぞれには必要に応じてコ
リメータ、モノクロメータ、スリットその他のX線光学
要素を設けることができる。
【0033】X線管支持台17はゴニオメータ基台16
の上でX線照射点Eを中心として回転移動でき、これに
より、単結晶インゴット9に対するX線入射角度θを調
整できる。また、検出器支持台19はゴニオメータ基台
16の上でX線照射点Eを中心として回転移動でき、こ
れにより、X線検出器21よって検出する回折角度2θ
を調整できる。
【0034】ゴニオメータ基台16はゴニオ回転装置4
から延びる回転軸22に取り付けられている。この回転
軸22はゴニオ回転装置4によって駆動されて軸回転
し、この軸回転により、ゴニオ基台16はX線照射点E
を通る中心軸線X3を中心として回転できる。
【0035】ゴニオ基台16の上記の回転により、X線
源Fから出てX線検出器21によって取り込まれるX線
の進行方向は、図5に示すように、X線源Fが最上位位
置にあるときを0°とした場合の45°方向(a位
置)、135°方向(b位置)、225°方向(c位
置)、そして315°方向(d位置)の少なくとも4ヶ
所の間で変化させることができる。
【0036】以下、上記構成より成る単結晶インゴット
の支持装置及び単結晶インゴットの測定装置に関する動
作について説明する。
【0037】まず、図3に示すX線測定装置1内のイン
ゴット搬送装置2にワークプレート7を取り付けて、そ
のワークプレート7を退避位置PT に配置する。このと
き、ワークプレート7には、未だ、角度調整装置8及び
単結晶インゴット9は取り付けられていない。
【0038】次に、1個のワークプレート7によって支
持できる数の角度調整装置8のそれぞれに測定対象であ
る単結晶インゴット9をカーボン11及びガラス12を
介して固着する。以下、単結晶インゴット9が取り付け
られた状態の角度調整装置8をインゴット付角度調整装
置8ということにする。なお、今考えている単結晶イン
ゴット9はその長さLが比較的短いものであり、このよ
うな単結晶インゴット9は、例えば、長さの長い通常サ
イズの単結晶インゴットを薄く切断して複数のウエハを
分断した後に残るの残余の単結晶インゴットとして求め
られる。
【0039】次に、退避位置PT に置かれたワークプレ
ート7の先端部、ずなわちX線測定系に近い側の端部
に、図6に示すように、1個のインゴット付角度調整装
置8を取り付ける。そして、図3において、インゴット
搬送装置2を作動させてワークプレート7をX線光学系
へ向けて図3の右方向へ移動させて、単結晶インゴット
9の端面10がX線照射点Eに一致する位置、すなわち
測定位置PS で静止させる。この測定位置PS を検知す
るためにマイクロスイッチ等といった機械式センサや、
光学センサ等によって構成される位置検出センサ23を
設けておいても良い。
【0040】このとき、図4において、X線源Fから出
て単結晶インゴット9に入射するX線の入射角度θ及び
X線検出器21によって捉えられる回折X線の回折角度
2θは、単結晶インゴット9の結晶格子面に固有の回折
条件を満足するように、図3のゴニオメータ3の働きに
よって予め所定の大きさに調節されている。また、X線
源FからのX線照射方向は、当初は図5(a)に示す4
5°位置に予め設定されている。
【0041】図4に示すように、単結晶インゴット9の
端面10がX線光学系のX線照射点Eまで持ち運ばれる
と、X線照射点Eに一致する単結晶インゴット9の端面
10にX線が照射される。このとき、単結晶インゴット
9に対するX線の入射角度θが、そのままでX線の回折
条件を満足していればその状態において単結晶インゴッ
ト9から回折X線が出射するが、通常の場合は単結晶イ
ンゴット9の結晶格子面がそのような回折条件を満足す
る位置からある程度のズレ角度、すなわち偏差角をもっ
てずれているので回折X線は得られない。
【0042】よって、この場合には、X線管18とX線
検出器21との間の角度を一定に保持した状態で、図3
のゴニオメータ3によってX線管18とX線検出器21
とをX線照射点Eを中心として一体的に所定の角速度で
間欠的又は連続的に走査回転移動させ、単結晶インゴッ
ト9から回折X線が出たときにそれをX線検出器21に
よって検出し、そのときの偏差角δ1(図4参照)を測
角する。
【0043】次に、図3においてゴニオ回転装置4を作
動してゴニオ基台16をゴニオ軸線X3を中心として矢
印Gのように回転させて、X線源FからのX線照射方向
を図5(b)に示す135°位置に変更する。そしてこ
の位置でのX線回折角度の偏差角δ2を測定する。そし
てその後、X線源FからのX線照射方向を図5(c)に
示す225°位置及び図5(d)に示す315°位置へ
と順次に変化させ、その都度、X線回折角度の偏差角δ
3及びδ4を測角する。
【0044】なお、X線照射方向を図5(b)の135
°位置から図5(c)の225°位置へと変化させると
きには、図3においてゴニオ基台16の先端が単結晶イ
ンゴットの支持装置6の先端にぶつかるおそれがあるの
で、その際にはインゴット搬送装置2を作動して支持装
置6を退避位置PT まで、あるいはその位置へ向かう適
宜の途中位置まで後退させて両者のぶつかりを回避す
る。また、X線照射方向を図5(d)の315°位置か
ら初期位置である図5(a)の45°位置へと変化させ
る場合も、同様の理由により、支持装置6を退避移動さ
せる。
【0045】以上のようにして互いに直交する4方向か
らのX線照射に関する結晶格子面の偏差角δ1〜δ4が
求められると、それらの値に基づいて単結晶インゴット
9の結晶格子面の偏差角及びその偏差方向が演算によっ
て求められる。その後、インゴット搬送装置2によって
ワークプレート7を図3の退避位置PT へ戻し、上記の
ようにして求められた偏差角及び偏差方向に基づいて、
角度調整装置8を調整して単結晶インゴット9の結晶方
位を所定位置へと調整する。
【0046】具体的には、図6において、単結晶インゴ
ット9を支持する角度調整装置8の第1回転ブロック1
3a及び第2回転ブロック13bをそれぞれ適宜の角度
だけ回転移動させて単結晶インゴット9を2軸線交点O
を中心として回転移動、すなわち3次元的に回転移動さ
せることによって、偏差角及び偏差方向を共に0(ゼ
ロ)に矯正することができる。あるいは、偏差角及び偏
差方向を0に矯正することに代えて、要求に応じた一定
の偏差角及び偏差方向に合わせることもできる。
【0047】単結晶インゴット9に関する角度位置の調
整が終わったインゴット付角度調整装置8は、矢印Hの
ように、ワークプレート7の後端部から1番目の位置へ
スライド移動されてそこに固定される。その後、ワーク
プレート7の先端部に別のインゴット付角度調整装置8
が取り付けられ、そして図3に示すX線測定装置1を用
いて当該単結晶インゴット9に対してX線測定が再び行
われ、さらにそのX線測定に基づいて角度調整装置8を
用いて当該単結晶インゴット9に対して角度調整が行わ
れる。調整済みのインゴット付角度調整装置8は、その
後、矢印Jのようにワークプレート7の後端部から2番
目の位置へスライド移動されてそこに固定される。
【0048】その後、3番目のインゴット付角度調整装
置8に対して同様の作業が繰り返して行われ、角度調整
済みのインゴット付角度調整装置8が図6のワークプレ
ート7の先端部に固定され、これにより、図1に示すよ
うに、結晶方位が一定方向に揃えられた状態の複数個の
単結晶インゴット9がワークプレート7によって一括し
て支持される。なお、互いに隣接する一対の単結晶イン
ゴット9の間の間隔は、ワイヤカット装置等といった加
工装置(図示せず)の構造に応じて適宜に設定する。
【0049】この状態の単結晶インゴットの支持装置6
は、図3のX線測定装置1のインゴット搬送装置2から
取り外され、そのX線測定装置1の後段工程に設置され
た加工装置、例えばワイヤカット装置(図示せず)へ持
ち運ばれ、そのワイヤカット装置の所定位置に装着され
る。こうすれば、複数の単結晶インゴット9の結晶格子
面の全てを加工要素であるワイヤソーに対して平行又は
一定の角度状態に一括して合わせることができる。そし
てこの状態でワイヤソーを作動して加工を行えば、複数
の単結晶インゴット9の全てを同時に且つ等しい条件で
一括して切断できる。
【0050】以上のように、長さの短い単結晶インゴッ
ト9が複数個あってそれらを分断してウエハを作製しよ
うとする場合、従来であれば、長さの長い通常サイズの
単結晶インゴット用のワークプレート7に長さの短い複
数の単結晶インゴット9を1個だけ取り付けて方位測定
を行い、その1個の単結晶インゴット9に対して引き続
いてワイヤソーを用いたワイヤカットを行う。そして、
その作業を単結晶インゴットの個数分だけ繰り返して行
うことにより、長さの短い複数の単結晶インゴット9か
ら複数のウエハを切り出していた。このような従来の作
業は非常に作業性が悪かった。
【0051】また、加工精度が落ちるのを承知の上で、
1個の単結晶インゴット9から得られた方位測定結果に
基づいて複数の単結晶インゴット9に対して同じ条件で
ワイヤカット作業を行うこともあった。しかし、この従
来方法では、ワイヤカット後の製品の加工誤差が大きい
という問題があった。
【0052】これに対し、本実施形態の単結晶インゴッ
トの支持装置6を用いる場合には、複数の単結晶インゴ
ット9を一定の結晶方位で揃えた状態で1つのワークプ
レート7によって一括して支持することができ、そして
それらの単結晶インゴット9に対して一括してワイヤカ
ットを行うことができるようになり、そのため、作業性
が格段に向上すると共に全ての単結晶インゴット9を誤
差無く加工できるようになった。
【0053】以上のように、本実施形態の単結晶インゴ
ットの支持装置6を用いた単結晶インゴットの測定装置
を用いて単結晶インゴットの結晶方位を測定する場合に
は、ワークプレート7によって支持されている1個又は
複数個の単結晶インゴット9の姿勢を角度調整装置8に
よって自由に調整できるので、単結晶インゴット9のワ
ークプレート7に対する姿勢を方位測定の結果に応じて
自由に矯正でき、それ故、結晶方位の測定後にワイヤカ
ット装置等といった加工装置を用いて単結晶インゴット
に対して希望の加工を行うとき、加工装置についての設
定条件は全く変えることなく、単結晶インゴットの姿勢
を加工装置に最適の状態に調整でき、これにより、その
加工装置によって希望の加工を行うことができる。つま
り、単結晶インゴットを測定装置や加工装置等といった
複数の処理装置間で処理する際の作業性が格段に向上す
る。
【0054】また、上記実施形態のように、複数の単結
晶インゴット9を個々に角度調整装置8を介して1つの
ワークプレート7に着脱可能に取り付けるようにすれ
ば、1つのワークプレート7をX線測定装置等といった
測定装置に装着した状態で複数の単結晶インゴット9に
関して測定処理を行った後に、個々の単結晶インゴット
9の姿勢を個々の角度調整装置8によって調整すること
により、その1つのワークプレート7をワイヤカット装
置等といった加工装置に装着した状態で複数の単結晶イ
ンゴット9に対して等しい加工条件で加工処理を一括に
行うことができる。これにより、複数の単結晶インゴッ
トに対して方位測定及び加工を連続して行うときの作業
性が格段に向上する。このことは、長さの短い複数の単
結晶インゴットに関して方位測定及び加工を連続して行
うときに特に有効である。
【0055】以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を
説明したが、本発明はその実施形態に限定されるもので
なく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変
できる。
【0056】例えば、本発明で用いるワークプレート及
び角度調整装置の構造は、それぞれ図1に符号7及び符
号8で示した構造に限定されない。特に、ワークプレー
トの形状は、それを適用する測定装置や加工装置等とい
った処理装置の構造に応じて適宜に設定される。また、
図1において単結晶インゴット9を角度調整装置8に固
定するための方法は接着以外の任意の方法を採用でき
る。
【0057】また、図1において1つのワークプレート
7によって支持する単結晶インゴット9の数は3個に限
られず、1個又は3個以外の複数個とすることもでき
る。また、図3において、X線照射点Eは単結晶インゴ
ット9の端面10上に位置させることに限られず、単結
晶インゴット9の外周面に位置させることもできる。
【0058】また、図1において角度調整装置8は、単
結晶インゴット9に関してX1及びX2の直交2軸線ま
わりの角度を調整する場合だけに限られず、適宜の1軸
線まわりの角度を調整する場合や、3軸線以上の多軸ま
わりの角度を調整する場合も含むものである。
【0059】また、図3に関連して説明した上記の実施
形態では、X線測定装置1とその後段工程に設置される
加工装置、例えばワイヤカット装置(図示せず)とをそ
れぞれ別体に設け、作業者がX線測定装置1と加工装置
との間でワークプレート7を持ち運ぶという構成を考え
た。
【0060】しかしながらこの構成に代えて、X線測定
装置1と加工装置とを一体に形成し、さらにそれらの装
置間を移動可能なベッドを設け、そのベッドにワークプ
レート7を装着することにより、X線測定装置1と加工
装置との間でワークプレートを自動的に搬送することも
できる。
【0061】また、図3に関連して説明した上記の実施
形態では、X線測定装置1とその後段工程に設置される
加工装置、例えばワイヤカット装置(図示せず)とをそ
れぞれ別体に設け、作業者がX線測定装置1と加工装置
との間で共通のワークプレート7を持ち運ぶという構成
を考えた。
【0062】しかしながらこの構成に代えて、X線測定
装置1と加工装置のそれぞれにワークプレートを設けて
おき、X線測定装置1で結晶方位を測定し、さらにその
測定結果に基づいて単結晶インゴットの姿勢を矯正した
後、インゴット付角度調整装置8をX線測定装置1のワ
ークプレートから取り外して加工装置のワークプレート
まで持ち運んでそれに固定するという構成も考えられ
る。
【0063】
【発明の効果】本発明に係る単結晶インゴットの支持装
置によれば、ワークプレートによって支持されている単
結晶インゴットの姿勢を角度調整手段によって調整する
ことにより、単結晶インゴットの姿勢を測定装置、加工
装置等といった各種の処理装置の個々に対して最適な条
件に合わせることができ、よって、複数の処理装置につ
いてはそれらの設定条件を変えることなく、それらの処
理装置を使って単結晶インゴットに常に希望の処理を行
うことができる。つまり、単結晶インゴットを複数の処
理装置間で処理する際の作業性が向上する。
【0064】次に、本発明に係る単結晶インゴットの測
定装置によれば、X線発生手段及びX線検出手段を含む
X線測定系によってワークプレートを基準とする単結晶
インゴットの結晶方位を測定でき、さらにワークプレー
トによって支持されている単結晶インゴットの姿勢を角
度調整手段によって調整することにより、単結晶インゴ
ットの結晶方位を希望の向きに合わせることができる。
この結果、その後に単結晶インゴットに対して行われる
処理を迅速に行うことができる。
【0065】次に、本発明に係る単結晶インゴットの測
定方法によれば、1つのワークプレートを測定装置に装
着した状態で複数の単結晶インゴットに関して測定処理
を行った後に、個々の単結晶インゴットの姿勢を個々の
角度調整手段によって調整することにより、その1つの
ワークプレートを加工装置等といった処理装置に装着し
て、複数の単結晶インゴットに対して等しい加工条件で
一括して加工処理を施すことができる。つまり、複数の
単結晶インゴットに関する測定処理及びその後に行われ
る他の処理を迅速に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る単結晶インゴットの支持装置の一
実施形態の正面構造を示す正面図である。
【図2】図1における矢印IIに従って単結晶インゴッ
トの支持装置の側面構造を示す側面図である。
【図3】本発明に係る単結晶インゴットの測定装置の一
実施形態を示す正面図である。
【図4】図3の要部を示す図である。
【図5】図3の測定装置を用いて行われる測定の一例を
説明するための図である。
【図6】図1に示す単結晶インゴットの支持装置の使用
方法の一例を説明するための図である。
【符号の説明】
1 X線測定装置(処理装置) 2 インゴット搬送装置 3 ゴニオメータ 4 ゴニオ回転装置 6 単結晶インゴットの支持装置 7 ワークプレート 8 角度調整装置 9 単結晶インゴット 10 単結晶インゴットの端面 A 加工装置の加工方向 E X線照射点 F X線源 L 単結晶インゴットの長さ O 2軸線の交点 PS 測定位置 PT 退避位置

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 単結晶インゴットを処理する処理装置の
    所定位置に装着されるワークプレートと、 該ワークプレートに着脱可能に取り付けられる角度調整
    手段とを有し、 該角度調整手段は前記単結晶インゴットを支持すると共
    に該単結晶インゴットの支持角度を変化させることがで
    きることを特徴とする単結晶インゴットの支持装置。
  2. 【請求項2】 請求項1において、前記ワークプレート
    は複数個の前記角度調整手段を異なる位置に着脱可能に
    支持できることを特徴とする単結晶インゴットの支持装
    置。
  3. 【請求項3】 請求項1又は請求項2において、前記角
    度調整手段は、前記単結晶インゴットを通って互いに直
    交する2軸線を中心として、該単結晶インゴットの角度
    を変化させることができることを特徴とする単結晶イン
    ゴットの支持装置。
  4. 【請求項4】 請求項1から請求項3の少なくともいず
    れか1つにおいて、前記処理装置は、X線を用いて単結
    晶インゴットに関する測定を行うX線測定装置及び単結
    晶インゴットを切断する切断装置であることを特徴とす
    る単結晶インゴットの支持装置。
  5. 【請求項5】 単結晶インゴットを支持する単結晶イン
    ゴットの支持装置と、 該支持装置によって支持された単結晶インゴットに向け
    てX線を放射するX線発生手段と、 該単結晶インゴットで回折したX線を検出するX線検出
    手段とを有し、 前記単結晶インゴットの支持装置は請求項1から請求項
    3の少なくともいずれか1つに記載の単結晶インゴット
    の支持装置によって構成されることを特徴とする単結晶
    インゴットの測定装置。
  6. 【請求項6】 請求項5において、前記X線発生手段は
    前記単結晶インゴットの端面にX線を照射し、前記X線
    検出手段は該単結晶インゴットの端面で回折するX線を
    検出することを特徴とする単結晶インゴットの測定装
    置。
  7. 【請求項7】 請求項5又は請求項6において、 前記X線発生手段及び前記X線検出手段を支持すると共
    に該X線発生手段及び該X線検出手段の前記単結晶イン
    ゴットに対する角度を測角するゴニオメータと、 前記単結晶インゴットに対するX線照射点を通る軸線を
    中心として前記ゴニオメータを回転させるゴニオ回転手
    段とを有することを特徴とする単結晶インゴットの測定
    装置。
  8. 【請求項8】 複数の単結晶インゴットのそれぞれに角
    度調整手段を取り付けて複数のインゴット付角度調整手
    段を形成し、 前記角度調節手段はそれに取り付けた単結晶インゴット
    の取付け角度を変化させることができるようになってお
    り、 前記複数のインゴット付角度調整手段を1個ずつ順々に
    ワークプレートに取り付け、 この1個ずつのインゴット付角度調整手段のワークプレ
    ートへの取り付けごとに該インゴット付角度調整手段に
    含まれる単結晶インゴットに対してX線測定を行い、 その測定結果に基づいて各角度調整手段によって各単結
    晶インゴットのワークプレートに対する角度を調整する
    ことを特徴とする単結晶インゴットの測定方法。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012006144A (ja) * 2008-04-23 2012-01-12 Applied Materials Switzerland Sa ワイヤ切断装置用取付板、ワイヤ切断装置用取付板含むワイヤ切断装置、及びワイヤ切断装置によって実行されるワイヤ切断プロセス
JP2013258243A (ja) * 2012-06-12 2013-12-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 化合物半導体基板の製造方法および製造装置
JP2014013225A (ja) * 2012-07-04 2014-01-23 Toshiba It & Control Systems Corp 結晶方位測定装置
JP2015122424A (ja) * 2013-12-24 2015-07-02 信越半導体株式会社 ワークの切断方法及びワーク保持治具
JP2017024145A (ja) * 2015-07-27 2017-02-02 信越半導体株式会社 ワークホルダー及びワークの切断方法
WO2019167100A1 (ja) * 2018-02-27 2019-09-06 株式会社Sumco 半導体単結晶インゴットのスライス方法
JP2021508374A (ja) * 2017-12-20 2021-03-04 天通控股股▲ふん▼有限公司 レベルセンサーのポジショニングに基づく結晶体の方向調整加工法
TWI804906B (zh) * 2021-06-30 2023-06-11 環球晶圓股份有限公司 用於切割晶錠的評估方法

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012006144A (ja) * 2008-04-23 2012-01-12 Applied Materials Switzerland Sa ワイヤ切断装置用取付板、ワイヤ切断装置用取付板含むワイヤ切断装置、及びワイヤ切断装置によって実行されるワイヤ切断プロセス
JP2013258243A (ja) * 2012-06-12 2013-12-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 化合物半導体基板の製造方法および製造装置
JP2014013225A (ja) * 2012-07-04 2014-01-23 Toshiba It & Control Systems Corp 結晶方位測定装置
TWI580500B (zh) * 2013-12-24 2017-05-01 Shin-Etsu Handotai Co Ltd Workpiece cutting method and workpiece to maintain a rule
CN105814669A (zh) * 2013-12-24 2016-07-27 信越半导体株式会社 工件的切断方法及工件保持夹具
KR20160102192A (ko) * 2013-12-24 2016-08-29 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 워크의 절단방법 및 워크유지지그
US20160303765A1 (en) * 2013-12-24 2016-10-20 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method for slicing workpiece and workpiece holder
JP2015122424A (ja) * 2013-12-24 2015-07-02 信越半導体株式会社 ワークの切断方法及びワーク保持治具
US10350788B2 (en) 2013-12-24 2019-07-16 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method for slicing workpiece and workpiece holder
WO2015097985A1 (ja) * 2013-12-24 2015-07-02 信越半導体株式会社 ワークの切断方法及びワーク保持治具
KR102253809B1 (ko) * 2013-12-24 2021-05-21 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 워크의 절단방법 및 워크유지지그
JP2017024145A (ja) * 2015-07-27 2017-02-02 信越半導体株式会社 ワークホルダー及びワークの切断方法
WO2017017919A1 (ja) * 2015-07-27 2017-02-02 信越半導体株式会社 ワークホルダー及びワークの切断方法
TWI684489B (zh) * 2015-07-27 2020-02-11 日商信越半導體股份有限公司 工件支架及工件的切斷方法
US10596724B2 (en) 2015-07-27 2020-03-24 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Workpiece holder and method for slicing workpiece
JP2021508374A (ja) * 2017-12-20 2021-03-04 天通控股股▲ふん▼有限公司 レベルセンサーのポジショニングに基づく結晶体の方向調整加工法
WO2019167100A1 (ja) * 2018-02-27 2019-09-06 株式会社Sumco 半導体単結晶インゴットのスライス方法
JPWO2019167100A1 (ja) * 2018-02-27 2021-02-04 株式会社Sumco 半導体単結晶インゴットのスライス方法
CN111801771A (zh) * 2018-02-27 2020-10-20 胜高股份有限公司 半导体单晶锭的切片方法
TWI750447B (zh) * 2018-02-27 2021-12-21 日商Sumco股份有限公司 半導體單結晶鑄錠的切片方法
CN111801771B (zh) * 2018-02-27 2024-04-26 胜高股份有限公司 半导体单晶锭的切片方法
TWI804906B (zh) * 2021-06-30 2023-06-11 環球晶圓股份有限公司 用於切割晶錠的評估方法

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