JP3205402B2 - 結晶方位決定方法及び装置 - Google Patents
結晶方位決定方法及び装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、結晶方位決定方法に係
り、特にＸ線回折原理を利用した結晶方位決定装置とそ
の加工機において要求される結晶の面方位を効率よく短
時間高精度でかつ１台のＸ線回折装置で決定する方法に
関する。
り、特にＸ線回折原理を利用した結晶方位決定装置とそ
の加工機において要求される結晶の面方位を効率よく短
時間高精度でかつ１台のＸ線回折装置で決定する方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハは、通常、チョクラルスキ
ー引上げ法などで形成された単結晶インゴットを円筒状
に加工した後、薄板状に切断して形成されるが、半導体
ウェハは結晶方向によって大きく特性が異なるため、結
晶方向を考慮して切断がなされなければならない。
ー引上げ法などで形成された単結晶インゴットを円筒状
に加工した後、薄板状に切断して形成されるが、半導体
ウェハは結晶方向によって大きく特性が異なるため、結
晶方向を考慮して切断がなされなければならない。
【０００３】従来単結晶インゴットからウェハを形成す
るには、インゴットのオリフラ面カットのためのオリフ
ラ面検出用のＸ線回折装置と、スライシングのため切断
面決定のためのＸ線回折装置との２つのＸ線回折装置を
用いて、次のような方法が取られていた。
るには、インゴットのオリフラ面カットのためのオリフ
ラ面検出用のＸ線回折装置と、スライシングのため切断
面決定のためのＸ線回折装置との２つのＸ線回折装置を
用いて、次のような方法が取られていた。
【０００４】まず、引上げによって得られた単結晶イン
ゴットを円筒研削盤にチャッキングし、インゴットを回
転させながら、カッターで円筒加工を行い、円筒加工終
了後、インゴットを回転させ外周面の一部にＸ線を照射
しつつオリフラ面位置すなわち、Ｘ線回折強度最高位置
を決定する。例えば、単結晶シリコン（１００）面の＜
１００＞軸を測定すると、円周上で９０度毎に、回折強
度の強い面であるオリフラ面が現れる。
ゴットを円筒研削盤にチャッキングし、インゴットを回
転させながら、カッターで円筒加工を行い、円筒加工終
了後、インゴットを回転させ外周面の一部にＸ線を照射
しつつオリフラ面位置すなわち、Ｘ線回折強度最高位置
を決定する。例えば、単結晶シリコン（１００）面の＜
１００＞軸を測定すると、円周上で９０度毎に、回折強
度の強い面であるオリフラ面が現れる。
【０００５】そこでこのオリフラ面決定位置で、インゴ
ットの回転を停止させ円筒研削盤のカッターでオリフラ
面カットを行う。
ットの回転を停止させ円筒研削盤のカッターでオリフラ
面カットを行う。
【０００６】そしてさらにこの後インゴットを円筒研削
盤から取り外し、スライシングマシンのヘッドにインゴ
ットを取り付け、インゴットの一部を試断し、別置きの
Ｘ線回折装置で試断面におけるＸ方向およびＹ方向の２
方向の回折強度を測定し、最大回折強度に対する角度誤
差を読取り、この値をスライシングマシンのヘッド部の
補正を行った後、再度試断し、前記別置きのＸ線回折装
置で再度測定し、理想的方位面２４に近付けた後、イン
ゴットをスライスしウェハを得るという方法がとられて
いる。
盤から取り外し、スライシングマシンのヘッドにインゴ
ットを取り付け、インゴットの一部を試断し、別置きの
Ｘ線回折装置で試断面におけるＸ方向およびＹ方向の２
方向の回折強度を測定し、最大回折強度に対する角度誤
差を読取り、この値をスライシングマシンのヘッド部の
補正を行った後、再度試断し、前記別置きのＸ線回折装
置で再度測定し、理想的方位面２４に近付けた後、イン
ゴットをスライスしウェハを得るという方法がとられて
いる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この方法では、インゴ
ットの加工からウェハ形成までの工程では、結晶方位決
定装置も含めて高価な２台のＸ線回折装置が必要であっ
た。
ットの加工からウェハ形成までの工程では、結晶方位決
定装置も含めて高価な２台のＸ線回折装置が必要であっ
た。
【０００８】また別に設置したＸ線回折装置を用いて高
精度な面方位を決定するためにはインゴットを２回以上
試断する必要があり、材料の歩留まりを低下させる原因
となっていた。また近年のウェハ大口径化に伴い試断に
要する時間も無視できなかった。
精度な面方位を決定するためにはインゴットを２回以上
試断する必要があり、材料の歩留まりを低下させる原因
となっていた。また近年のウェハ大口径化に伴い試断に
要する時間も無視できなかった。
【０００９】Ｘ線回折装置を使用して、試断後の試断面
の面方位を測定し、９０度回転させて同様に面方位を測
定し、それぞれの面方位の誤差を読取り、その誤差をス
ライシングマシンで補正し、再度試断し再び同様に試断
面のＸ線測定を行うことにより確認している。この方法
によれば最強角度読取り誤差およびスライシングマシン
の補正誤差等が入り込む上、通常２回以上の繰返し作業
が必要であり、作業効率が悪いという問題があった。
の面方位を測定し、９０度回転させて同様に面方位を測
定し、それぞれの面方位の誤差を読取り、その誤差をス
ライシングマシンで補正し、再度試断し再び同様に試断
面のＸ線測定を行うことにより確認している。この方法
によれば最強角度読取り誤差およびスライシングマシン
の補正誤差等が入り込む上、通常２回以上の繰返し作業
が必要であり、作業効率が悪いという問題があった。
【００１０】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、正確な結晶方位の決定を簡単な装置構成で作業性よ
く行なえるようにした結晶方位決定方法を提供すること
を目的とする。
で、正確な結晶方位の決定を簡単な装置構成で作業性よ
く行なえるようにした結晶方位決定方法を提供すること
を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】そこで本発明では、Ｘ線
発生部およびＸ線検出部とを備えた結晶方位検出手段の
インゴット外周面上のＸ線照射位置に相当する測定点で
この面に接しかつインゴット軸方向に直交する線を回転
軸とする回転機構部を設け、結晶方位検出手段を回転可
能にしたことを特徴とする。
発生部およびＸ線検出部とを備えた結晶方位検出手段の
インゴット外周面上のＸ線照射位置に相当する測定点で
この面に接しかつインゴット軸方向に直交する線を回転
軸とする回転機構部を設け、結晶方位検出手段を回転可
能にしたことを特徴とする。
【００１２】すなわち本発明の第一では、単結晶等のイ
ンゴットをインゴット軸に対し回転させながら、Ｘ線発
生部とＸ線検出部とを備えた結晶方位検出手段によっ
て、インゴット外周面上の測定点にＸ線を照射し測定点
からの回折Ｘ線を検出することによりインゴット外周面
上の回折Ｘ線強度が最高となる結晶面を検出することで
周方向基準（オリフラ面）を検出し、こののち測定点で
外周面に接しインゴット軸方向に直交する回転軸に対し
結晶方位検出手段を回転させながら回折Ｘ線強度が最高
となる回転角すなわち補正角を検出し、インゴットをイ
ンゴット軸に略垂直にスライスするときの補正角を求め
ている。
ンゴットをインゴット軸に対し回転させながら、Ｘ線発
生部とＸ線検出部とを備えた結晶方位検出手段によっ
て、インゴット外周面上の測定点にＸ線を照射し測定点
からの回折Ｘ線を検出することによりインゴット外周面
上の回折Ｘ線強度が最高となる結晶面を検出することで
周方向基準（オリフラ面）を検出し、こののち測定点で
外周面に接しインゴット軸方向に直交する回転軸に対し
結晶方位検出手段を回転させながら回折Ｘ線強度が最高
となる回転角すなわち補正角を検出し、インゴットをイ
ンゴット軸に略垂直にスライスするときの補正角を求め
ている。
【００１３】本発明の第二では、上記第一の構成に加
え、補正角検出の前に外周面に測定点で直交する線を軸
線として結晶方位検出手段を９０度方向転換している。
え、補正角検出の前に外周面に測定点で直交する線を軸
線として結晶方位検出手段を９０度方向転換している。
【００１４】また本発明の第三では上記第一あるいは第
二の構成に加え、インゴットの異なる２つの回転位置で
それぞれ補正角検出を行ない、それぞれＸ方向の補正角
とＹ方向の補正角を求めている。
二の構成に加え、インゴットの異なる２つの回転位置で
それぞれ補正角検出を行ない、それぞれＸ方向の補正角
とＹ方向の補正角を求めている。
【００１５】本発明の第四では上記第一あるいは第二の
構成に加えて、インゴットを円筒研削盤に設置して円筒
研削加工を行ない、インゴットをそのままの状態で周方
向基準（オリフラ面）検出を行ない、さらにそのままの
状態で補正角検出および外周面上への周方向基準（オリ
フラ面）の加工を行なっている。
構成に加えて、インゴットを円筒研削盤に設置して円筒
研削加工を行ない、インゴットをそのままの状態で周方
向基準（オリフラ面）検出を行ない、さらにそのままの
状態で補正角検出および外周面上への周方向基準（オリ
フラ面）の加工を行なっている。
【００１６】本発明の第五ではインゴットをインゴット
軸に対し回転させるインゴット回転手段と、Ｘ線発生部
とＸ線検出部とを備えインゴット外周面上の測定点にＸ
線を照射し測定点からの回折Ｘ線を検出することにより
インゴット外周面上の回折Ｘ線強度が最高となる結晶面
を検出する結晶方位検出手段と、測定点で外周面に接し
かつインゴット軸方向に直交する回転軸に対し結晶方位
検出手段を回転させる回転手段とを備えている。
軸に対し回転させるインゴット回転手段と、Ｘ線発生部
とＸ線検出部とを備えインゴット外周面上の測定点にＸ
線を照射し測定点からの回折Ｘ線を検出することにより
インゴット外周面上の回折Ｘ線強度が最高となる結晶面
を検出する結晶方位検出手段と、測定点で外周面に接し
かつインゴット軸方向に直交する回転軸に対し結晶方位
検出手段を回転させる回転手段とを備えている。
【００１７】本発明の第六では上記第五の構成に加え、
インゴット外周面に測定点で直交する線を軸線として結
晶方位検出手段を９０度方向転換する方向転換手段を備
えている。
インゴット外周面に測定点で直交する線を軸線として結
晶方位検出手段を９０度方向転換する方向転換手段を備
えている。
【００１８】
【作用】上記構成によれば、インゴット外周面上の測定
点でこの面に接しかつインゴット軸方向に直交する回転
軸に対し結晶方位検出手段を回転可能にすることで、１
つの結晶方位検出手段で周方向基準（オリフラ面）の検
出とスライスするときの補正角の検出を行なっている。
点でこの面に接しかつインゴット軸方向に直交する回転
軸に対し結晶方位検出手段を回転可能にすることで、１
つの結晶方位検出手段で周方向基準（オリフラ面）の検
出とスライスするときの補正角の検出を行なっている。
【００１９】すなわち、本発明の第一では、インゴット
を回転させながら、結晶方位検出手段によって、インゴ
ット外周面上の回折Ｘ線強度が最高となる回転角を検出
することで周方向基準（オリフラ面）を検出し、この位
置でインゴットを固定したのち、結晶方位検出手段を回
転させながら回折Ｘ線強度がさらに最高となる回転角す
なわち補正角を検出している。
を回転させながら、結晶方位検出手段によって、インゴ
ット外周面上の回折Ｘ線強度が最高となる回転角を検出
することで周方向基準（オリフラ面）を検出し、この位
置でインゴットを固定したのち、結晶方位検出手段を回
転させながら回折Ｘ線強度がさらに最高となる回転角す
なわち補正角を検出している。
【００２０】本発明の第二では、インゴットを回転させ
ながら、結晶方位検出手段によって、インゴット外周面
上の回折Ｘ線強度が最高となる回転角を検出することで
周方向基準（オリフラ面）を検出し、この位置でインゴ
ットを固定するとともに結晶方位検出手段を９０度方向
転換したのち、結晶方位検出手段を回転させながら回折
Ｘ線強度が最高となる回転角すなわち補正角を検出して
いる。
ながら、結晶方位検出手段によって、インゴット外周面
上の回折Ｘ線強度が最高となる回転角を検出することで
周方向基準（オリフラ面）を検出し、この位置でインゴ
ットを固定するとともに結晶方位検出手段を９０度方向
転換したのち、結晶方位検出手段を回転させながら回折
Ｘ線強度が最高となる回転角すなわち補正角を検出して
いる。
【００２１】また本発明の第三ではさらに、インゴット
の異なる２つの回転位置でそれぞれ補正角検出を行な
い、それぞれＸ方向の補正角とＹ方向の補正角を求めて
いる。
の異なる２つの回転位置でそれぞれ補正角検出を行な
い、それぞれＸ方向の補正角とＹ方向の補正角を求めて
いる。
【００２２】本発明の第四ではさらに、インゴットを円
筒研削盤に設置して円筒研削加工を行ない、そのままの
状態で周方向基準（オリフラ面）検出を行ない、さらに
そのままの状態でインゴットの外周面上への周方向基準
（オリフラ面）の加工および補正角検出を行なってい
る。
筒研削盤に設置して円筒研削加工を行ない、そのままの
状態で周方向基準（オリフラ面）検出を行ない、さらに
そのままの状態でインゴットの外周面上への周方向基準
（オリフラ面）の加工および補正角検出を行なってい
る。
【００２３】本発明の第五では、インゴットを回転させ
ながら結晶方位検出手段によって、インゴット外周面上
の回折Ｘ線強度が最高となる回転角を検出することで周
方向基準（オリフラ面）を検出し、この位置でインゴッ
トを固定したのち、結晶方位検出手段を回転させながら
回折Ｘ線強度がさらに最高となる回転角すなわちＸ方向
の補正角を検出し、次にインゴットを回転させながら同
様に別の９０度異なる周方向基準（オリフラ面）を検出
し、この位置でインゴットを固定したのち、結晶方位検
出手段を回転させながら回折Ｘ線強度がさらに最高とな
る回転角すなわちＹ方向の補正角を検出している。
ながら結晶方位検出手段によって、インゴット外周面上
の回折Ｘ線強度が最高となる回転角を検出することで周
方向基準（オリフラ面）を検出し、この位置でインゴッ
トを固定したのち、結晶方位検出手段を回転させながら
回折Ｘ線強度がさらに最高となる回転角すなわちＸ方向
の補正角を検出し、次にインゴットを回転させながら同
様に別の９０度異なる周方向基準（オリフラ面）を検出
し、この位置でインゴットを固定したのち、結晶方位検
出手段を回転させながら回折Ｘ線強度がさらに最高とな
る回転角すなわちＹ方向の補正角を検出している。
【００２４】本発明の第六では、結晶方位検出手段を方
向転換の第一の位置に設定し、インゴットを回転させな
がら結晶方位検出手段によって、インゴット外周面上の
回折Ｘ線強度が最高となる回転角を検出することで周方
向基準（オリフラ面）を検出し、この位置でインゴット
を固定するとともに結晶方位検出手段を９０度方向転換
して第二の位置に設定したのち、結晶方位検出手段を回
転させながら回折Ｘ線強度が最高となる回転角すなわち
Ｘ方向の補正角を検出し、次にインゴットを９０度回転
させ同様に結晶方位検出手段を回転させながら回折Ｘ線
強度が最高となる回転角すなわちＹ方向の補正角を検出
している。
向転換の第一の位置に設定し、インゴットを回転させな
がら結晶方位検出手段によって、インゴット外周面上の
回折Ｘ線強度が最高となる回転角を検出することで周方
向基準（オリフラ面）を検出し、この位置でインゴット
を固定するとともに結晶方位検出手段を９０度方向転換
して第二の位置に設定したのち、結晶方位検出手段を回
転させながら回折Ｘ線強度が最高となる回転角すなわち
Ｘ方向の補正角を検出し、次にインゴットを９０度回転
させ同様に結晶方位検出手段を回転させながら回折Ｘ線
強度が最高となる回転角すなわちＹ方向の補正角を検出
している。
【００２５】以上のようにして得られた補正角をスライ
シングマシンに伝えることにより高精度に結晶方位の制
御されたウェハを得ることができる。
シングマシンに伝えることにより高精度に結晶方位の制
御されたウェハを得ることができる。
【００２６】
【実施例】以下、本発明実施例について図面を参照しつ
つ詳細に説明する。
つ詳細に説明する。
【００２７】本発明の実施例に係る装置は、図１乃至図
５に示すように、円筒研削盤１と、円筒研削盤１に組み
込まれた結晶方位検出部２と、スライシングマシン２５
とから構成されており、円筒研削盤１にチャッキングさ
れたインゴット３を、円筒研削するとともにオリフラ面
加工を行いさらにスライシングマシン２５を用いてスラ
イシングを行うようにしたもので、結晶方位検出部２の
全体がインゴット３に対して回転可能なように構成さ
れ、１つでオリフラカット加工位置およびスライシング
マシンの切断方位の決定が可能なように回転駆動部Ｋを
具備したことを特徴とする。
５に示すように、円筒研削盤１と、円筒研削盤１に組み
込まれた結晶方位検出部２と、スライシングマシン２５
とから構成されており、円筒研削盤１にチャッキングさ
れたインゴット３を、円筒研削するとともにオリフラ面
加工を行いさらにスライシングマシン２５を用いてスラ
イシングを行うようにしたもので、結晶方位検出部２の
全体がインゴット３に対して回転可能なように構成さ
れ、１つでオリフラカット加工位置およびスライシング
マシンの切断方位の決定が可能なように回転駆動部Ｋを
具備したことを特徴とする。
【００２８】すなわち、円筒研削盤１は図１および図２
（図２は図１のＡ−Ａ断面図）に示すように、インゴッ
ト３に対して平行移動可能なカッター４を備え、インゴ
ット３を回転しつつカッター４で研削するようになって
おり、また、結晶方位検出部２の全体を回転できるよう
に構成されている。
（図２は図１のＡ−Ａ断面図）に示すように、インゴッ
ト３に対して平行移動可能なカッター４を備え、インゴ
ット３を回転しつつカッター４で研削するようになって
おり、また、結晶方位検出部２の全体を回転できるよう
に構成されている。
【００２９】この結晶方位検出部２は、図３に示すよう
に、Ｘ線発生部５から発せられるＸ線を、スリット７を
介してインゴット３の所要の測定点に照射し、回折Ｘ線
を受光スリット８を介してＸ線検出部６で検出するもの
で、この全体が、回転駆動機構Ｋで回転できるようにな
っている。またこの回転駆動機構Ｋは、回転駆動軸部材
１０に取り付けられた角度読取り部１１によって回転角
が読み取れるようになっている。
に、Ｘ線発生部５から発せられるＸ線を、スリット７を
介してインゴット３の所要の測定点に照射し、回折Ｘ線
を受光スリット８を介してＸ線検出部６で検出するもの
で、この全体が、回転駆動機構Ｋで回転できるようにな
っている。またこの回転駆動機構Ｋは、回転駆動軸部材
１０に取り付けられた角度読取り部１１によって回転角
が読み取れるようになっている。
【００３０】さらにスライシングマシン２５は図５に示
すように、インゴット３が取付けられたヘッド２６をＸ
軸およびＹ軸回りに回転できるように構成されている。
すように、インゴット３が取付けられたヘッド２６をＸ
軸およびＹ軸回りに回転できるように構成されている。
【００３１】次に、本実施例の作用について説明する。
【００３２】まず、円筒研削盤１にチャッキングされた
インゴット３を、低速回転させると共に、円筒研削盤１
のカッター４を高速回転させて円筒研削を行う。
インゴット３を、低速回転させると共に、円筒研削盤１
のカッター４を高速回転させて円筒研削を行う。
【００３３】そして円筒研削終了後、結晶方位検出部２
をインゴット３の外周面に対して所定の位置まで接近さ
せたのち、結晶方位検出部２に取り付けられているＸ線
発生部５によりＸ線を発生させ、スリット（コリメー
タ）７を介してインゴット３の外周測定点にＸ線を照射
させつつインゴット３を回転させる。
をインゴット３の外周面に対して所定の位置まで接近さ
せたのち、結晶方位検出部２に取り付けられているＸ線
発生部５によりＸ線を発生させ、スリット（コリメー
タ）７を介してインゴット３の外周測定点にＸ線を照射
させつつインゴット３を回転させる。
【００３４】そしてインゴット３の外周面からの回折Ｘ
線を受光スリット８を介してＸ線検出部６で検出し、イ
ンゴット３外周面からの回折強度の強い位置（オリフ
ラ）面を探し、その位置でインゴット３の回転を停止す
る。
線を受光スリット８を介してＸ線検出部６で検出し、イ
ンゴット３外周面からの回折強度の強い位置（オリフ
ラ）面を探し、その位置でインゴット３の回転を停止す
る。
【００３５】次にＸ線を照射したままの状態でインゴッ
ト３の外周測定点（Ｘ線照射点）で外周面に接し、イン
ゴット軸方向に直交する回転軸上に設けた回転軸部材９
を中心にして回転するように回転駆動軸部材１０に回転
を与え、結晶方位検出部２を左右に回転させ、さらに回
折強度の強い位置の角度（結晶方位検出部２の回転前に
対して、回転中にさらに強い回折強度の現れる角度）を
角度読取り部１１で検出する。
ト３の外周測定点（Ｘ線照射点）で外周面に接し、イン
ゴット軸方向に直交する回転軸上に設けた回転軸部材９
を中心にして回転するように回転駆動軸部材１０に回転
を与え、結晶方位検出部２を左右に回転させ、さらに回
折強度の強い位置の角度（結晶方位検出部２の回転前に
対して、回転中にさらに強い回折強度の現れる角度）を
角度読取り部１１で検出する。
【００３６】インゴットのオリフラ面位置からのずれの
測定は次のようにして行われる。まず図３に示したよう
にＸ線発生部５とＸ線検出部６とはインゴット面からそ
れぞれ回折角θだけ離間して固定されているとする。そ
してインゴット面がオリフラ面であれば、Ｘ線はインゴ
ット面に対しても入射角と同様角度θをなすように回折
されて検出部６に至る。しかしながら、インゴット３の
オリフラ面にずれがあると、Ｘ線の回折は弱くなる。そ
こで、結晶方位検出部２を回転させることによって最大
検出値までの回転角、すなわちずれを求める。なお、こ
の角度検出に用いられる角度検出装置としては、バーニ
ャ（副尺）付きの角度目盛り盤またはエンコーダなど角
度の読取りができるものであればよい。
測定は次のようにして行われる。まず図３に示したよう
にＸ線発生部５とＸ線検出部６とはインゴット面からそ
れぞれ回折角θだけ離間して固定されているとする。そ
してインゴット面がオリフラ面であれば、Ｘ線はインゴ
ット面に対しても入射角と同様角度θをなすように回折
されて検出部６に至る。しかしながら、インゴット３の
オリフラ面にずれがあると、Ｘ線の回折は弱くなる。そ
こで、結晶方位検出部２を回転させることによって最大
検出値までの回転角、すなわちずれを求める。なお、こ
の角度検出に用いられる角度検出装置としては、バーニ
ャ（副尺）付きの角度目盛り盤またはエンコーダなど角
度の読取りができるものであればよい。
【００３７】この後、結晶方位検出部２のＸ線発生部５
をオフにし、結晶方位検出部２を所定の位置まで後退さ
せた後、インゴット３をそのままの状態に保持し、カッ
ター４を回転させて図６(a) および(b) に示すようにウ
ェハ２０のオリフラ面２１の加工を行う。
をオフにし、結晶方位検出部２を所定の位置まで後退さ
せた後、インゴット３をそのままの状態に保持し、カッ
ター４を回転させて図６(a) および(b) に示すようにウ
ェハ２０のオリフラ面２１の加工を行う。
【００３８】このようにしてオリフラ面加工の完了した
インゴット３を円筒研削盤１より取り出し、スライシン
グマシン２５のヘッド２６に取り付ける。そしてインゴ
ット３をスライスするに先立ち、結晶方位検出部２を回
転させたときの最強回折角度をスライス時の補正値（Ｘ
方向補正２２）とし（図７参照）、図５に示すようにス
ライシングマシン２５のヘッド部２６をこの値の分を傾
けて順次スライスし、ウェハ２０を形成する。
インゴット３を円筒研削盤１より取り出し、スライシン
グマシン２５のヘッド２６に取り付ける。そしてインゴ
ット３をスライスするに先立ち、結晶方位検出部２を回
転させたときの最強回折角度をスライス時の補正値（Ｘ
方向補正２２）とし（図７参照）、図５に示すようにス
ライシングマシン２５のヘッド部２６をこの値の分を傾
けて順次スライスし、ウェハ２０を形成する。
【００３９】このようにして容易に、高精度に結晶方位
の決定されたウェハを得ることが可能となる。
の決定されたウェハを得ることが可能となる。
【００４０】なお、インゴット３をスライスすることに
よって得られるウェハのスライスカット面での面方位を
さらに高品質にするためには、インゴット３の円周上で
初め測定したオリフラ面から次に現れるオリフラ面、す
なわち初め測定したオリフラ面から９０度程度離れたオ
リフラ面を測定した後、前記と同様にその位置で結晶方
位検出部２を回転させ、その角度を読取りスライシング
マシン２５のヘッド部２６の補正値（Ｙ方向補正２３）
とする。（図７参照）また、補正値に関しては、初め測
定したオリフラ面と１８０度反対側のオリフラ面位置で
も結晶方位検出部２を回転させ補正値を読取りこれらの
平均値を（Ｘ方向の）補正値とし、また初め測定したオ
リフラ面から９０度に近いオリフラ面を測定したとき
も、同様にこの面の１８０度反対側の面でも結晶方位検
出部２を回転させ、これらの平均値を（Ｙ方向の）補正
値としてこれをスライシングマシン２５に与えるように
してもよい。
よって得られるウェハのスライスカット面での面方位を
さらに高品質にするためには、インゴット３の円周上で
初め測定したオリフラ面から次に現れるオリフラ面、す
なわち初め測定したオリフラ面から９０度程度離れたオ
リフラ面を測定した後、前記と同様にその位置で結晶方
位検出部２を回転させ、その角度を読取りスライシング
マシン２５のヘッド部２６の補正値（Ｙ方向補正２３）
とする。（図７参照）また、補正値に関しては、初め測
定したオリフラ面と１８０度反対側のオリフラ面位置で
も結晶方位検出部２を回転させ補正値を読取りこれらの
平均値を（Ｘ方向の）補正値とし、また初め測定したオ
リフラ面から９０度に近いオリフラ面を測定したとき
も、同様にこの面の１８０度反対側の面でも結晶方位検
出部２を回転させ、これらの平均値を（Ｙ方向の）補正
値としてこれをスライシングマシン２５に与えるように
してもよい。
【００４１】また、インゴット３の回転による最大値検
出と結晶方位検出部２の回転による最大値検出を繰り返
して行ない、より強い回折を検出するようにしてもよ
い。これによりより高精度に補正値が得られる。
出と結晶方位検出部２の回転による最大値検出を繰り返
して行ない、より強い回折を検出するようにしてもよ
い。これによりより高精度に補正値が得られる。
【００４２】なお、Ｓｉのオリフラ検出面が（１１０）
面でオリフラカット面が（１００）面であるときはオリ
フラ面加工前にインゴットの４５度の回転が必要であ
る。
面でオリフラカット面が（１００）面であるときはオリ
フラ面加工前にインゴットの４５度の回転が必要であ
る。
【００４３】次に図８および図９を参照して本発明の第
２の実施例について説明する。
２の実施例について説明する。
【００４４】この例ではさらに高精度の面方位を得るた
め、図８の配置で円筒研削後のインゴット３を回転させ
ながらオリフラ面の面方位を決定した後、結晶方位検出
部２をインゴット外周面に測定点で直交する軸線１３に
対して回転部１２により９０度方向転換させてインゴッ
ト３に対するＸ線の入射方向と検出方向を９０度方向転
換させ、こののち回転駆動軸１０に回転を与えて結晶方
位検出部２を左右に回転させ、最も回折強度の強いとこ
ろの角度を読取りこの角度をスライシングマシン２５の
ヘッド部２６のＸ方向の補正値とする。
め、図８の配置で円筒研削後のインゴット３を回転させ
ながらオリフラ面の面方位を決定した後、結晶方位検出
部２をインゴット外周面に測定点で直交する軸線１３に
対して回転部１２により９０度方向転換させてインゴッ
ト３に対するＸ線の入射方向と検出方向を９０度方向転
換させ、こののち回転駆動軸１０に回転を与えて結晶方
位検出部２を左右に回転させ、最も回折強度の強いとこ
ろの角度を読取りこの角度をスライシングマシン２５の
ヘッド部２６のＸ方向の補正値とする。
【００４５】ここで図９に示すように結晶方位検出部２
を９０度方向転換させることにより、入射Ｘ線はａ1 か
らｂ1 へ、検出方向はａ2 からｂ2 へ回転する。
を９０度方向転換させることにより、入射Ｘ線はａ1 か
らｂ1 へ、検出方向はａ2 からｂ2 へ回転する。
【００４６】さらに同様に９０度異なる他のオリフラ面
検出後、回転駆動軸１０に回転を与えＹ方向の補正値を
求める。これによりインゴット３を円筒研削盤１にチャ
ッキングしたままの状態でスライス切断面の方位および
オリフラ面の方位を測定することが可能となる。
検出後、回転駆動軸１０に回転を与えＹ方向の補正値を
求める。これによりインゴット３を円筒研削盤１にチャ
ッキングしたままの状態でスライス切断面の方位および
オリフラ面の方位を測定することが可能となる。
【００４７】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ばインゴットのオリフラ面決定位置で、Ｘ線を照射しな
がら結晶方位検出手段を回転させるだけで、円筒研削後
のインゴットの軸中心に対して単結晶引上げ時の軸と結
晶軸との誤差を円筒研削盤にインゴットを装着したまま
での状態で測定することができるだけでなく、オリフラ
面加工後インゴットをスライシングマシンに取り付ける
際にオリフラ面決定位置で測定した角度誤差をスライシ
ングマシンに与え補償するだけで、結晶方位が高精度に
優れたウェハを提供することができ、もって従来に比べ
て、正確な結晶方位の決定を簡単な装置構成で作業性よ
く行うことができる。
ばインゴットのオリフラ面決定位置で、Ｘ線を照射しな
がら結晶方位検出手段を回転させるだけで、円筒研削後
のインゴットの軸中心に対して単結晶引上げ時の軸と結
晶軸との誤差を円筒研削盤にインゴットを装着したまま
での状態で測定することができるだけでなく、オリフラ
面加工後インゴットをスライシングマシンに取り付ける
際にオリフラ面決定位置で測定した角度誤差をスライシ
ングマシンに与え補償するだけで、結晶方位が高精度に
優れたウェハを提供することができ、もって従来に比べ
て、正確な結晶方位の決定を簡単な装置構成で作業性よ
く行うことができる。
【図１】本発明の第１の実施例の円筒研削盤の平面図
【図２】同装置の側面図
【図３】同装置の回転機構部を示す図
【図４】同装置の回転機構部を示す図
【図５】当該第１の実施例のスライシングマシンを示す
図
図
【図６】インゴットより試断した試断面の面方向の誤差
を示す図
を示す図
【図７】インゴットより試断した試断面の面方向の誤差
を示す図
を示す図
【図８】本発明の第２の実施例の円筒研削盤の概要図
【図９】同装置の動作説明図
１ 円筒研削盤 ２ 結晶方位検出部 ３ インゴット ４ カッター部 ５ Ｘ線発生部 ６ Ｘ線検出部 １１ 角度読取り部 ２０ ウェハ ２１ オリフラ面 ２５ スライシングマシン ２６ ヘッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭52−2276（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−58509（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−263009（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 611 B28D 5/04
Claims (6)
- 【請求項１】 単結晶等のインゴットをインゴット軸に
対し回転させながら、Ｘ線発生部とＸ線検出部とを備え
た結晶方位検出手段によって、前記インゴットの外周面
上の測定点にＸ線を照射し測定点からの回折Ｘ線を検出
することによりこの外周面上の回折Ｘ線強度が最高とな
る結晶面を検出する周方向基準（オリフラ面）検出工程
と、 前記測定点で前記外周面に接しかつ前記インゴット軸方
向に直交する回転軸に対し前記結晶方位検出手段を回転
させながら回折Ｘ線強度が最高となる回転角を検出しこ
の角度を補正角とする補正角検出工程と、 を含み前記インゴットを前記インゴット軸に略垂直にス
ライスするときの補正角を得ることを特徴とする結晶方
位決定方法。 - 【請求項２】 前記外周面に前記測定点で直交する線を
軸線として前記結晶方位検出手段を９０度方向転換する
方向転換工程を含むことを特徴とする請求項１記載の結
晶方位決定方法。 - 【請求項３】 前記インゴットの異なる２つの回転位置
でそれぞれ前記補正角検出工程を行ないそれぞれＸ方向
の補正角とＹ方向の補正角を求めることを特徴とする請
求項１あるいは２記載の結晶方位決定方法。 - 【請求項４】 前記インゴットを円筒研削盤に設置して
円筒研削加工を行なう研削加工工程を含み、前記円筒研
削盤に設置された前記インゴットをそのままの状態で前
記周方向基準（オリフラ面）検出工程を施し、さらにそ
のままの状態で前記外周面上に前記周方向基準（オリフ
ラ面）を加工する周方向基準加工工程と前記補正角検出
工程を施すことを特徴とする請求項１あるいは２記載の
結晶方位決定方法。 - 【請求項５】 単結晶等のインゴットをインゴット軸に
対し回転させるインゴット回転手段と、Ｘ線発生部とＸ
線検出部とを備え前記インゴットの外周面上の測定点に
Ｘ線を照射し測定点からの回折Ｘ線を検出することによ
りこの外周面上の回折Ｘ線強度が最高となる結晶面を検
出する結晶方位検出手段と、前記測定点で前記外周面に
接しかつ前記インゴット軸方向に直交する回転軸に対し
前記結晶方位検出手段を回転させる回転手段とを備え、 前記インゴットを回転させながら回折Ｘ線強度が最高と
なる回転角を検出することで周方向基準（オリフラ面）
を検出し、前記結晶方位検出手段を回転させながら回折
Ｘ線強度が最高となる回転角を検出することで前記イン
ゴットを前記インゴット軸に略垂直にスライスするとき
の補正角を求めることを特徴とする結晶方位決定装置。 - 【請求項６】 請求項５においてさらに前記外周面に前
記測定点で直交する線を軸線として前記結晶方位検出手
段を９０度方向転換する方向転換手段を備え、 前記方向転換の第一の位置で前記インゴットを回転させ
ながら回折Ｘ線強度が最高となる回転角を検出すること
で周方向基準（オリフラ面）を検出し、前記方向転換の
第二の位置で前記結晶方位検出手段を回転させながら回
折Ｘ線強度が最高となる回転角を検出することで前記イ
ンゴットを前記インゴット軸に略垂直にスライスすると
きの補正角を求めることを特徴とする請求項５記載の結
晶方位決定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24016392A JP3205402B2 (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | 結晶方位決定方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24016392A JP3205402B2 (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | 結晶方位決定方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0689887A JPH0689887A (ja) | 1994-03-29 |
| JP3205402B2 true JP3205402B2 (ja) | 2001-09-04 |
Family
ID=17055436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24016392A Expired - Fee Related JP3205402B2 (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | 結晶方位決定方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3205402B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6306889B1 (en) | 1997-09-03 | 2001-10-23 | Guilford Pharmaceuticals Inc. | Compounds, methods and pharmaceutical compositions for treating neural or cardiovascular tissue damage |
| US6348475B1 (en) | 2000-06-01 | 2002-02-19 | Guilford Pharmaceuticals Inc. | Methods, compounds and compositions for treating gout |
| US6387902B1 (en) | 1998-12-31 | 2002-05-14 | Guilford Pharmaceuticals, Inc. | Phenazine compounds, methods and pharmaceutical compositions for inhibiting PARP |
| US6395749B1 (en) | 1998-05-15 | 2002-05-28 | Guilford Pharmaceuticals Inc. | Carboxamide compounds, methods, and compositions for inhibiting PARP activity |
| US6426415B1 (en) | 1997-09-03 | 2002-07-30 | Guilford Pharmaceuticals Inc. | Alkoxy-substituted compounds, methods and compositions for inhibiting parp activity |
| US6514983B1 (en) | 1997-09-03 | 2003-02-04 | Guilford Pharmaceuticals Inc. | Compounds, methods and pharmaceutical compositions for treating neural or cardiovascular tissue damage |
| US6635642B1 (en) | 1997-09-03 | 2003-10-21 | Guilford Pharmaceuticals Inc. | PARP inhibitors, pharmaceutical compositions comprising same, and methods of using same |
| US6716828B1 (en) | 1999-09-01 | 2004-04-06 | Guilford Pharmaceuticals, Inc. | Compounds, methods and pharmaceutical compositions for treating cellular damage, such as neural or cardiovascular tissue damage |
| US6723733B2 (en) | 2000-05-19 | 2004-04-20 | Guilford Pharmaceuticals, Inc. | Sulfonamide and carbamide derivatives of 6(5H)phenanthridinones and their uses |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0738572B1 (fr) * | 1995-04-22 | 2004-01-21 | HCT Shaping Systems SA | Procédé pour l'orientation de monocristaux pour le découpage dans une machine de découpage et dispositif pour la mise en oeuvre de ce procédé |
| CN110341060B (zh) * | 2019-06-28 | 2020-11-13 | 河北远东通信系统工程有限公司 | 一种高精密双转角石英晶片的切割工艺 |
| TWI701102B (zh) * | 2019-08-30 | 2020-08-11 | 環球晶圓股份有限公司 | 治具模組 |
| CN113733376B (zh) * | 2021-09-03 | 2023-08-01 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 一种半导体晶圆集成加工装置及其方法 |
-
1992
- 1992-09-09 JP JP24016392A patent/JP3205402B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6306889B1 (en) | 1997-09-03 | 2001-10-23 | Guilford Pharmaceuticals Inc. | Compounds, methods and pharmaceutical compositions for treating neural or cardiovascular tissue damage |
| US6346536B1 (en) | 1997-09-03 | 2002-02-12 | Guilford Pharmaceuticals Inc. | Poly(ADP-ribose) polymerase inhibitors and method for treating neural or cardiovascular tissue damage using the same |
| US6426415B1 (en) | 1997-09-03 | 2002-07-30 | Guilford Pharmaceuticals Inc. | Alkoxy-substituted compounds, methods and compositions for inhibiting parp activity |
| US6514983B1 (en) | 1997-09-03 | 2003-02-04 | Guilford Pharmaceuticals Inc. | Compounds, methods and pharmaceutical compositions for treating neural or cardiovascular tissue damage |
| US6635642B1 (en) | 1997-09-03 | 2003-10-21 | Guilford Pharmaceuticals Inc. | PARP inhibitors, pharmaceutical compositions comprising same, and methods of using same |
| US6395749B1 (en) | 1998-05-15 | 2002-05-28 | Guilford Pharmaceuticals Inc. | Carboxamide compounds, methods, and compositions for inhibiting PARP activity |
| US6387902B1 (en) | 1998-12-31 | 2002-05-14 | Guilford Pharmaceuticals, Inc. | Phenazine compounds, methods and pharmaceutical compositions for inhibiting PARP |
| US6716828B1 (en) | 1999-09-01 | 2004-04-06 | Guilford Pharmaceuticals, Inc. | Compounds, methods and pharmaceutical compositions for treating cellular damage, such as neural or cardiovascular tissue damage |
| US6723733B2 (en) | 2000-05-19 | 2004-04-20 | Guilford Pharmaceuticals, Inc. | Sulfonamide and carbamide derivatives of 6(5H)phenanthridinones and their uses |
| US6348475B1 (en) | 2000-06-01 | 2002-02-19 | Guilford Pharmaceuticals Inc. | Methods, compounds and compositions for treating gout |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH0689887A (ja) | 1994-03-29 |
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